LECIA I

CIRCUITE ELECTRONICE PASIVE

Rezistorul este caracterizat printr-o relaie de proporionalitate ntre
tensiunea aplicat la bornele sale i intensitatea curentului ce trece prin el
(legea lui Ohm: I = U/R).
Principalul parametru al unui rezistor este rezistena nominal. n
practic se utilizeaz rezistoare cu valori ale rezistenelor standardizate. De
obicei, fabricanii adopt un ir de valori (10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24,
27, 30, 33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91, 100) care, nmulite cu
puteri ale lui 10, asigur rezistene n limitele 10 W - 10 MW. Prin combinarea
(legare serie sau paralel) unora din aceste valori, se pot obine toate celelalte
valori care lipsesc din serie.
Alegerea s-a fcut innd seama de un alt principiu al rezistenelor:
tolerana, care indic, n procente, precizia valorii nominale a rezistenei. Cu
seria de valori dat mai sus, se asigur prin fabricare o abatere de cel mult 5%
de la valoarea nominal nscris pe rezistor. Dac din serie se elimin valorile
11, 13, 16, 20, 24, 27, 30, 36, 43, 51, 62, 75 i 91 se obin valori care asigur o
precizie de cel puin 10%, iar dac se pstreaz numai valorile 10, 15, 22, 23,
47, 68, 100, aceast serie are valori precizate cu o eroare de maxim 20%.
Se poate verifica faptul c, pentru fiecare serie, o valoare plus toleran
respectiv este egal
(aproximativ) cu valoarea imediat superioar minus tolerana.
De exemplu:
56 + 5% 62 5%
39 + 10% 47 10%
33 + 20% 47 20%
Pentru cazuri deosebite, se construiesc i folosesc i rezistoare cu
tolerane mai mici (2%, 1% i 0,5%). Pe fiecare rezistor, fabricantul nscrie
obligatoriu valoarea nominal a rezistenei i tolerana. Aceasta se poate face
fie n clar, fie utiliznd un cod literal, fie unul al culorilor. Codurile literale pot fi
diferite n funcie de fabricant dar cel mai des ntlnit folosesc simbolurile:
R - uniti
K - kilo
M - mega
F - toleran 1%
G - toleran 2%
I - toleran 5%
K - toleran 10%
M - toleran 20%
De exemplu, notaia 1R5F semnific 1,5 toleran 1%, 4K7I - 4,7 k
5%, 2M2K - 2,2 M 10 %.
Dac litera corespunztoare toleranei lipsete, sau dac aceasta nu este
nscris n clar, ea se consider 20%.
Codul culorilor utilizeaz benzi de diferite culori cu semnificaii bine
precizate (figura 1.1). Prima band se consider cea care este cea mai
apropiat de unul din capetele rezistorului.
.
Fig.1.1.
Primele dou benzi (I i II) reprezint cifre semnificative, a treia - numrul de
zerouri (puterea lui 10 cu care se nmulete numrul citit pe primele dou benzi)
i ultima - tolerana., conform celor prezentate n tabelul urmtor:
Rezistorul: reprezint un element pasiv de circuit
u(t)=u(i(t),t) - caracteristica de tensiune
i(t)=u(u(t),t) - caracteristica de curent
Rezistorul reprezint un fir conductor care fiind parcurs de un curent electric
degaj cldur. Nu produce cmp electromagnetic, nu conine surse de cmp
electric strin.
Tipuri de rezistoare:
1)rezistorul liniar invariabil in timp

Fig.1.2
u, i n acelai sens ecuaia de funcionare: u(t)=R i(t)
unde: R(rezistena) i(t) = G
u
(t); G - conductana i se msoar n
-1
sau
1S=1
-1
(Siemens)
Nu ntotdeauna conductana reprezint inversul rezistenei (numai n
curent continuu)
Caracteristica tensiune-curent n cazul curentului liniar e reprezentat
printr-o dreapt ce trece prin origine => tensiunea i curentul au aceeai
form de variaie la bornele rezistorului.
Fig.1.3
Dac rezistena tinde la 0 caracteristica devine u = 0 i ramura i devine
un scurtcircuit, iar daca rezistena tinde la deci G0 atunci ramura devine o
ramur deschis (deci ramura funcioneaz n gol).
2) rezistorul liniar variabil n timp numit i parametric
u(t)
R
i(t)
i
0
Fig.1.4.
ec: u(t)=R(t)i(t) reprezentat n planul tensiune - curent
3) Rezistoare neliniare - caracteristica tensiune - curent nu este o
dreapt
Ecuaia de funcionare:
a) f(u(t),i(t),t)=0 dac rezistorul este variabil n timp
b) f(u(t),i(t))=0 dac rezistorul este invariabil in timp
Legarea n serie a rezistoarelor
Considerm un numr de trei rezistene, R1, R2 i R3 legate n serie
cuplate la o surs de tensiune U(figura 1.5). Prin circuitul format de cele trei
rezistene alimentate la tensiunea U va trece un curent I.
Fig.1.5
Cderile de tensiune la bornele celor trei rezistene vor fi :
U1 =IR1 ; U2= IR2 ; U3= IR3 ; U = IRech
Dar U = U1+ U2 + U3 rezult IRech = IR1+ IR2 +IR3
Dup prelucrare rezult:
R
ech
= R
1
+ R
2
+ R
3
(1.1)
Legarea n paralel a rezistoarelor
Considerm un numr de trei rezistene, R1, R2 i R3 legate n paralel
cuplate la o surs de tensiune U(figura 1.6).
Fig.1.6.
Prin circuitul format de cele trei rezistene alimentate la tensiunea U va
trece un curent I, care conform legii lui Kircoff se mparte n trei cureni I1, I2 i
I3. Cderile de tensiune la bornele celor trei rezistene vor fi egale.
1
1
R
U
I =
,
2
2
R
U
I =
,
3
3
R
U
I =
,
ech
R
U
I =
dar I = I1+I2+I3 rezult:
u(t)
R
i(t)
i
0
ech
R
U
R
U
R
U
R
U
= + +
3 2 1
sau
ech
R R R R
1 1 1 1
3 2 1
= + +
dup prelucrare rezult
3 2 3 1 2 1
3 2 1
R R R R R R
R R R
R
ech
+ +
+ +
=
(1.2)
Not: Ecuaia de mai sus se poate generaliza pentru n rezistene legate n
paralel.
Condensator
Un condensator este un dipol care poate nmagazina energie electric,
prin intermediul unui cmp electric. Un condensator este caracterizat de
capacitatea C, care depinde de constanta dielectric a materialului izolant
(permitivitatea electric), de suprafaa plcilor conductoare A i de distana d,
dintre acestea, conform relaiei:
(1.3)
Simbolul unui condensator i sensurile de referin ale tensiunii i
curentului (convenia pentru receptor) sunt:

Figura 1.7 - Reprezentarea simbolic a condensatorului i sensurile de referin
Unitatea de msur a capacitii C a unui condensator este Farad (
) i, innd cont de expresia anterioar, este intrinsec, pozitiv. n
cazul n care elementul este n repaus, curentul ce parcurge un condensator
este direct proporional cu derivata n raport cu timpul a tensiunii la bornele
sale, multiplicat cu C:
(1.4)
Similar inductanei, o prim observaie ce se poate face, cu referire la expresia
de mai sus, este c, n cazul n care tensiunea este constant n timp,
curentul ce l parcurge este nul. Aceasta corespunde situaiei atingerii
regimului permanent ntr-un circuit alimentat n curent continuu (DC); n
aceast situaie, un condensator este echivalent cu un circuit deschis,
deoarece .
Fig.1.8.
n ceea ce privete puterea la bornele unui condensator, se poate scrie:
(1.5)
Similar unei inductane, semnul puterii la bornele unui condensator
depinde de semnele tensiunii i ale derivatei acesteia; aceasta nseamn c un
condensator poate absorbi sau furniza energie.
Energia care parcurge condensatorul se poate calcula:
, (1.6)
n care este energia nmagazinat la momentul .
Considernd sensurile de referin ale tensiunii i curentului corespunztoare
conveniei pentru receptor, se observ:
dac (tensiunea la borne i derivata sa au acelai semn), condensatorul
absoarbe energie, crescnd energia nmagazinat;
dac (tensiunea la borne i derivata sa au semne diferite),
condensatorul furnizeaz energie, restituind energia nmagazinat.
Parametrii condensatoarelor
Capacitatea nominal C
N
(F) reprezint valoarea capacitii care se
dorete a se obine n procesul de fabricaie i se marcheaz n general pe
corpul condensatorului.

Tolerana t(%) reprezint abaterea reletiv maxim a valorii reale a
condensatorului fa de valoarea sa nominal.
Tensiunea nominal U
N
(V) este tensiunea continu maxim sau cea
mai mare valoare efectiv a tensiunii alternative care se poate aplica n regim
continuu de funcionare la bornele condensatorului.
Tangenta ungiului de pierderi tg, se definete ca raportul ntre
puterea activ disipat de condensator i puterea reactiva acestuia. Dac se
folosete circuitul echivalent al condensatorului prezentat n figura de mai jos
tangenta unghiului de pierderi are expresia :
Fig.1.9
(1.7)
Coeficientulde variaie cu temperastura (K
-1
) se definete prin relaia :
(1.8)
n cazul unei variaii liniare a capacitii cu temperatura se poate folosi
relaia :
Unde mrimile au urmtoarea semnificaie :
C
25
valoarea capacitii la temperatura T
25
(25
0
C)
Rezistena de izolaie R
iz
() se definete ca raportul dintre tensiunea
continu aplicat unui condesator i curentul ce strbate acel condensator la
un minut dup aplicarea tensiunii.
Intervalul temperaturilor de lucru (T
min
- T
max
)(
0
C), se definete ca
intervalul de temperaturn care condensatorul poate funciona un timp
ndelungat. Acest interval depinde n principal de natura dielectricului dar i de
celelalte materiale utiliyate la realizarea condensatorului.
Elemente parazite L, R
Orice condensator prezint elemente parazite de tip inductiv i rezistiv,
elemente ce depind de structura constructiv i de materialele folosite. Se
poate da urmtoarea schem echivalent pentru o clas mare de
condensatoare :
Fig.1.10. Schema echivalent a unui condensator real
Semnificaia elementelor din schema de mai sus este urmtoarea:
r
s
rezistena armturilor i a rerminalelor ;
L inductana armturilor i reminalalor ;
R
p
rezistena de pierdei n dielectic ;
R
iz
rezistena de izolaie.
Schema din figura a poate fi echivalat cu o schem serie unde R
ES
i C
ES
au valorile date de relaiile :
Aceast modelare ne d o imagine asupra comportrii condensatorului n
gama de frecven. Se observ c, la frecvene diferite, capacitatea
echivalent C
ES
variaz. Este posibil ca, peste pulsaia de rezonan, caracterul
capacitiv s se transformr n caracter inductiv (capacitate negativ).
Structura constructiv a condensatoarelor
Condensatoare ceramice monostrat
Fig.1.11.

Condensatoare ceramice multistrat.
Fig.1.12. a) seciune ; b) cip neprotejat ; c) condensator
protejat
Condensator cu polistiren(stiroflex)
Fig.1.13.
Marcarea condensatoarelor
Condensatoarele se marcheaz fie n clar fie prin codul culorilor. La
marcarea n clar conform figurii a) se marcheaz capacitatea nominal i
tolerana.(C = 68 pF, t=+10%). Pentru indicarea tipului dielectricului se
folosesc litere A,H, P, U pentru tipul I i X,Y, Z pentru tipul II. Cunoscnd tipul
dielectricului putem extrage ceilali parametrii din catalog.
Fig.1.14
Marcarea prin codul culorilor se face conform figurii b). n figur sunt date
3 situaii posibile : marcarea cu 3,4 sau 5 bare colorate. Semnificaia cifrelor
este urmtoarea :
1 coeficientul de variaie cu temperatura,
2 prima cifr semnificativ ;
3 a doua cifr semnificativ,
4 coeficientul de multiplicare ;
5 tolerana.
Legarea n serie a condensatoarelor
Schema de legare este prezentat n figura. nr.1.15
Fig.1.15.
Sarcina unui condensator este dat de relaia:
Q = C U unde:
C este capacitatea condensatorului i U este tensiunea de la bornele lui.
n cazul legrii acestora n serie, n momentul ncrcrii acestora, curentul ce le
strbate este acelai. Sarcina echivalent a celor trei condensatoare este dat
de relaia:
Q
ech
= C
ech
U
Q
ech
= Q
1
=Q
2
=Q
3
In aceasta grupare fiecare condensator are aceiai sarcin Q datorit
fenomenului de inducie electrostatic. Pe fiecare dintre cele trei
condensatoare legate n serie va exista o cdere de tensiune. Suma cderilor
de tensiune de la bornele celor trei condensatoare este:
U = U
1
+ U
2
+ U
3

Fiecare din condensatoarele legate n serie va avea o sarcin dat de
relaiile:
Q
1
= C
1
U
1
; Q
2
=C
2
U
2
; Q
3
=U
3
C
3

Din relaiile de mai sus deducem:
ech
ech
C
Q
U =

1
1
1
C
Q
U =

2
2
2
C
Q
U =

3
3
3
C
Q
U =
rezult:

3
3
2
2
1
1
C
Q
C
Q
C
Q
C
Q
ech
ech
+ + =
sau dup prelucrare
3 2 1
1 1 1 1
C C C C
ech
+ + = (1.9)
Deci
3 2 1
3 2 3 1 2 1
C C C
C C C C C C
C
ech
+ +
+ +
=
Legarea n paralel a condensatoarelor
Schema de legare este prezentat n figura. nr.1.16.
Fig.1.16.
Sarcina unui condensator este dat de relaia:
Q = C U unde:
C este capacitatea condensatorului i U este tensiunea de la bornele lui.
n cazul legrii acestora n serie, n momentul ncrcrii acestora, curentul ce le
strbate este acelai
In cazul acestui tip de grupare, se observ c fiecare condensator este
conectat la aceiai diferen de potenial U i va avea corespunztor sarcina:
Q
1
= C
1
U;
Q
2
= C
2
U;
Q
3
= C
3
U;
Capacitatea echivalent ce trebuie determinat este capacitatea acelui
condensator care - pus n locul gruprii i aplicndu - i- se diferena de
potenial U - se ncarc cu o sarcin egal cu suma sarcinilor cu care s-au
ncrcat condensatoarele din grupare:
Deci la bornele AB vom avea:
Q = CU;
unde Q = Q
1
+ Q
2
+ Q
3

nlocuind vom obine:
CU = C
1
U + C
2
U + C
3
U
mprim relaia cu U si vom obine relaia:
C = C
1
+ C
2
+ C
3
(1.10)
cu care se calculeaz capacitatea echivalenta a gruprii condensatoarelor n
paralel.
Inductana
O inductan ideal este un dipol care poate nmagazina energia prin
intermediul unui cmp magnetic. Ea este realizat dintr-un anumit numr de
spire de material bun conductor electric, care, cel mai adesea, nconjoar un
circuit din material feromagnetic (bun conductor al cmpului magnetic), a crui
funcie este de a concentra liniile de cmp magnetic induse de curentul ce
parcurge bobina.
O inductan este caracterizat de inductivitatea proprie L, care depinde de
numrul de spire N i de reluctana magnetic a circuitului magnetic ,
conform relaiei:
(1.11)
Simbolul unei inductane i sensurile de referin ale tensiunii i curentului
(convenia pentru receptor) sunt:

Figura 1.17 - Reprezentarea simbolic a inductanei i sensurile de referin
Unitatea de msur a inductivitii proprii L a unei inductiviti este
Henry ( ) i, innd cont de expresia anterioar, este intrinsec,
pozitiv.
n cazul n care elementul este n repaus, tensiunea la bornele unei
inductane este direct proporional cu derivata n raport cu timpul a curentului
ce o parcurge, multiplicat cu L:
(1.12)
O prim observaie ce se poate face, cu referire la expresia de mai sus,
este c, n cazul n care curentul este constant n timp, tensiunea la bornele
unei inductane este nul. Aceasta corespunde situaiei atingerii regimului
permanent ntr-un circuit alimentat n curent continuu (DC); n aceast situaie,
o inductan este echivalent cu un conductor perfect (scurt-circuit), deoarece
.
Fig.18
n ceea ce privete puterea la bornele unei inductane, se poate scrie:
(1.13)
Spre deosebire de expresia puterii la bornele unui rezistor, semnul puterii
la bornele unei inductane, depinde de semnele curentului ce o parcurge i al
derivatei acestuia n raport cu timpul; aceasta nseamn c o inductan poate
absorbi sau furniza energie.
Energia care parcurge inductana se poate calcula:
, (1.14)
n care este energia nmagazinat la momentul .
Considernd sensurile de referin ale tensiunii i curentului
corespunztoare conveniei pentru receptor, se observ:
dac (curentul i derivata lui au acelai semn), inductana
absoarbe energie, crescnd energia nmagazinat;
dac (curentul i derivata lui au semne diferite), inductana
furnizeaz energie, restituind energia nmagazinat.
n practic, datorit tehnologiei de realizare, cea mai mare parte a
rezistoarelor real au i un anumit comportament inductiv, ceea ce nseamn c
modelul real al uni rezistor se obine nseriind un rezistor ideal de valoare R a
rezistenei, cu o inductan , aa cum se vede n figura de mai jos.
Figura 1.19- Schema echivalent a unui rezistor real
O bobin este realizat dintr-un anumit numr de spire din material
conductor, a crui conductivitate este foarte bun; chiar i aa, datorit
rezistivitii materialului conductor, o bobin va avea i un caracter rezistiv. Un
model real al unei bobine, se obine nseriind cu inductana L, un rezistor cu
valoare mic a rezistenei , aa cum se vede n figura de mai jos.
Figura 1.20- Schema echivalent a unei bobine reale
NOT - Modelele prezentate nu sunt unice; au fost considerate acele
modele care, n contextul cursului de fa, pot explica majoritatea fenomenelor
studiate. Pentru situaii particulare, sau pentru obinerea unor precizii mai
mari, pot fi considerate modele mai complexe.
LECIA II
Emisia termoelectronic
Procedee de emisie a electronilor
Descoperirea razelor catodice i manipularea lor, au permis scoaterea lor
n spaiul din afara tubului de descrcare, prin "ferestre" subiri care separau
spaiul din tub, de presiune sczut, de cel exterior, de presiune ridicat. Se
putea deci lucra cu astfel de radiaii, n condiii relativ comode.
Existau i alte fenomene care ulterior s-au dovedit emitoare de
electroni. Astfel, n 1873, Gutrie a observat c metalele nclzite la rou se
ncarc ntotdeauna negativ. n 1883, Edison constata c n tuburile lui vidate i
cu filament, apare un curent electric ntre filament i un alt electrod introdus n
balon dac filamentul se nclzete la rou. Acest curent nu putea fi explicat
asemntor cu cel la razele catodice sau canal, deoarece n vidul naintat din
tub, nu existau atomi sau molecule.
n 1899, J.J.Thomson a msurat raportul q / m pentru "ionii" negativi
emii cu ocazia nclzirii filamentului. El a constat c aceti ioni sunt de fapt
identici cu cei din razele catodice, deci au fost identificai cu electronii.
Din 1902, Richardson a nceput un studiu amnunit al emisiei de
electroni de ctre metale i corpuri nclzite. Cu aceasta ocazie, el a trasat
primele caracteristici "moderne" ale diodei cu vid n care a evideniat prezenta
zonei neliniare la nceputul caracteristicii i a zonei de saturaie ctre sfritul
acesteia. El a explicat aceasta emisie prin eliberarea electronilor prezeni n
metale i care nu pot iei din cauza prezentei la suprafaa metalului a unui
potenial de frnare. Acest potenial este rezultatul forei electrostatice
imagine care apare cnd un corp neutru iniial, pierde o sarcina electric. *)
Richardson a reuit s determine relaia care guverneaz emisia
termoelectronic a unitii de arie a unui metal nclzit la temperatura T
(absolut). Relaia presupune cunoaterea dependenei densitii de electroni
din metal, de temperatur. Legea dedus de Richardson era de forma:
i = A *Tn exp (-(e*V0) / (k*T)) (2.1)
unde n este un exponent care are valoarea 1/2 n ipoteza independenei de
temperatur a densitii de electroni din metalul nclzit i 2 dac aceasta
densitate depinde de temperatur dup puterea 3/2 a temperaturii T. A este o
constant de material, k - constanta lui Boltzmann, iar V0 este potenialul
barierei de la suprafaa metalului. Electronul pentru a putea iei din metal,
trebuie s efectueze lucrul mecanic eV0 .
Datele experimentale de atunci nu au putut hotr valoarea exponentului
n, dar dup lucrrile lui M. von Laue, Dushman i Sommerfeld (bazate pe
mecanica cuantica ), a rezultat c valoarea n = 2 este cea corect. n acelai
timp s-a determinat i A = 120 Amper/cm2/grad. Msurtorile experimentale
au artat ca valoarea lui A de mai sus, este cea ideal, cazurile reale indicnd
valori mult mai mici:
iar valorile lucrului de extracie al electronului ( eV0 ) pentru cteva metale,
este:
Emisia termoelectronic. Catozii tuburilor cu vid.
Tuburile utilizate n amplificatoarele i oscilatoarele de radiofrecven de
putere, numite n general tuburi de emisie trebuie s poat disipa puteri mari
pe anozi (20W 100kW), funcionnd cu tensiuni anodice mari (0,5 25kV) n
acord cu puterea furnizat, s suporte impulsuri de curent anodic cu
amplitudini mari (10 1000A). Pentru puteri utile mici i medii (pn la
2kW), se folosesc triode, tetrode cu fascicul dirijat i pentode, iar la puteri mai
mari numai triode i tetrode cu fascicul, deoarece grila supresoare a pentodelor
nu permite ca anodul s disipe puteri mari.
Tuburile de emisie au o construcie special, diferit de a tuburilor pentru
semnale mici (tuburi de recepie). Funcionarea tuburilor electronice cu vid se
bazeaz pe emiterea de electroni de ctre metalele nclzite, fenomen numit
emisie termoelectronic sau primar. Exist i emisii electronice secundare,
produse prin bombardarea unui metal cu electroni sau ioni rapizi (fenomen
care apare uneori n tuburi, n mod accidental i nedorit) sau sub influena unui
cmp electric foarte intens (emisie autoelectronic).
Fr a intra n detaliile expuse n cursul de fizic, reamintim c
intensitatea curentului emis pe unitatea de suprafa a unui metal este cu att
mai mare cu ct:
- temperatura (T) este mai mare;
- lucrul de extracie (W) este mai mic.
Catozii tuburilor se realizeaz n special din wolfram, celelalte metale
pure avnd capaciti de emisie mici. Wolframul are dou mari avantaje: poate
fi nclzit la temperaturi foarte ridicate (T
topire
= 3655 K) i rezist foarte bine la
bombardamentul ionilor pozitivi rapizi, reziduali n tuburi.
Alte metale pure, n afar de W, nu se utilizeaz pentru construcia
catozilor, din diverse motive: se oxideaz uor, au emisie slab, nu pot fi
nclzite suficient, nu rezist la bombardamentul ionic, etc.
S-a constatat c acoperind filamentele din W cu pelicule din alte metale
se obin avantajele temperaturii ridicate suportate de W i ale capacitii de
emisie mari a metalelor de acoperire. Dintre toate combinaiile, cea mai
avantajoas const dintr-un filament din W pe care se formeaz o pelicul
monomolecular din thoriu (Th). Astfel se obin catozii din wolfram thoriat, mult
utilizai. Uneori, peste pelicula de Th, se formeaz i o pelicul de carbur de
wolfram, pentru reducerea evaporrii thoriului. Se obin catozii din wolfram
thoriat carburat.
Catozii tuburilor de emisie sunt numai cu nclzire direct din W pur,
lucreaz la 2500 2800 K i se folosesc la tuburile de puteri mari. Catozii din
wolfram thoriat (eventual i carburat) lucreaz la 1800 2000 K i se folosesc
la tuburile de puteri medii i mici (la puteri mari nu rezist bombardamentului
ionic, tensiunile de lucru fiind foarte mari).
S-a constatat c amestecurile din oxizii unor metale ca bariu i stroniu
au emisii termoelectronice mari la temperaturi mici (sub 1200 K). Din astfel de
oxizi se construiesc catozii cu nclzire indirect pentru tuburile de mic putere
(de semnal mic), numite tuburi de recepie. Astfel de catozi nu se pot utiliza n
tuburile de emisie,
deoarece cmpul electric mare, creat de tensiunile anodice mari, smulge
particule din
amestecul de oxizi, distrugnd catodul; n plus nu rezist la bombardamentul
ionic.
Eficienele diverilor catozi, n "curent emis (mA/cm2) / putere
consumat (W/cm2)", (deci n mA / W) sunt date n tabelul 2.
Constructiv, catozii pot fi (fig.2.1):
- cu nclzire direct simple filamente nclzite;
- cu nclzire indirect filamentele din W sunt izolate cu ceramic de
suprafeele emisive, acoperite cu oxizi.
Fig. 2.1. Catozi pentru tuburi cu vid: a) cu nclzire direct;
b) cu nclzire indirect
Catozii tuburilor au o durat de via limitat, determinat de reducerea
emisiei pn la un procent (indicat de constructor) din valoarea iniial. n toate
cazurile, scderea emisiei se datoreaz evaporrii substanei active, iar acest
fenomen este cu att mai intens cu ct temperatura de lucru este mai ridicat,
deci cu ct curentul de filament (If), respectiv tensiunea de filament (Uf) sunt
mai mari; o cretere cu 1% a Uf reduce viaa tubului cu 13% i invers. Pe de
alt parte, curentul emis de filament (curentul catodic Ic) este cu att mai mare
cu ct temperatura este mai mare, deci cu ct If i Uf, sunt mai mari. Deoarece
n funcionare necesitile de curent catodic variaz, este recomandabil s se
reduc Uf n acord cu Ic necesar, prelungind astfel durata de utilizare a tubului.
Efectul fotoelectric
Cmpul electromagnetic al undelor luminoase interacioneaz cu
substanele asupra crora se proiecteaz. Interaciunea const din transferul
energiei asupra particulelor subatomice, n special asupra electronilor.
Electronii pot primi suficient energie care depete forele de atracie
atomice, iar electronul prsete substana. Acest electron poart numele de
fotoelectron iar emisia este denumit emisie fotoelectronic sau efect
fotoelectric extern.
S-a constatat experimental c numrul electronilor emii n unitatea de
timp sub aciunea luminii este proporional cu fluxul de energie luminoas.
Energia total pe care o primete un electron de la lumin este proporional
cu frecvena radiaiei, i nu cu intensitatea fluxului, ceea ce a fcut necesar
introducerea conceptului de cuante de energie i de foton, de ctre Plack i
Einstein.
Efectul fotoelectric in semiconductori
Dac un semiconductor este supus cmpului eletromagnetic al undelor
luminoase, energia transportat de fotoni disloc electroni de la nivelul
atomilor, rezultnd electroni, care se mic liber ca sarcini negative, i ioni, ca
sarcini pozitive. Apar astfel purttori de sarcin, care produc scderea
rezistentei electrice a semiconductorului, eveniment numit efect fotoelectric.
Creterea conductibilitii este proporional cu fluxul luminos ncasat,
dar nu este nelimitat, deoarece, o data cu generarea de purtatori de sarcin
apare i fenomenul invers, de cuplare a electronilor liberi cu ionii.
Fig2.2. Fotorezistena in circuit
Efectul fotoelectric n semiconductori este intern, adic electronii nu
prsesc semiconductorul. Energia necesar apariiei electronilor liberi este
mai mic dect n cazul metalelor sau al efectului fotoelectric extern, aa nct
apare i la energii (frecvene) mai mici, inclusiv sub efectul radiaiei infraroii.
Efectul fotoelectric n semiconductori st la baza construirii
fotorezistenelor: un strat de semiconductor este cuplat ntr-un circuit cu o
surs de alimentare i un microampermetru. La ntuneric, curentul ce trece prin
circuit este foarte mic. Pe msur ce fluxul luminos incident crete, apar
purttori de sarcin care duc la scderea rezistentei i deci la creterea
curentului n circuit de sute sau chiar mii de ori.
Fotorezistentele sunt utilizate n subansamblele de msur ale fluxului
luminos (expunere) a aparatelor fotografice sau ca uniti independente
(exponometre).
Fotoelementul
Intr-o jonciune p-n exist un cmp electric la nivelul stratului de baraj,
determinat de trecerea electronilor din partea n n partea p i a golurilor n
sens invers.
Fig.2.3. Fotoelement in circuit
Dac se ilumineaz jonciunea, n stratul de baraj apar purttori de
sarcin prin efectul fotoelectric intern, iar electronii sunt mpini de ctre
cmpul electric n partea n iar golurile n partea p. Aceasta se traduce prin
apariia unui curent electric ntr-un circuit exterior, deci jonciunea devine o
surs de tensiune i, de aceea, poart numele de fotoelement
Fotoelementele sunt utilizate la construcia unor exponometre dar i la
realizarea captatorilor digitali ai aparatelor fotografice sau video.

Dispozitive fotovoltaice
n general, prin dispozitive optoelectronice se neleg dispozitivele care
pot transforma, prin intermediul proceselor electronice, energia radiaiilor
luminoase n semnale electrice (sau energie electric), precum i dispozitivele
care transform energia electric n radiaie luminoas (optic).
Dup sensul de conversie, deosebim dou categorii de dispozitive
optoelectronice:
n prima categorie intr dispozitivele care transform energia radiaiei
luminoase n semnale electrice: dac se urmrete punerea n eviden
a radiaiei i msurarea intensitii dispozitivele se numesc
fotodetectoare, iar dac se urmrete obinerea de energie electric,
dispozitivele se numesc celule fotovoltaice.
n cea de-a doua categorie sunt incluse dispozitivele care transform
energia electric n radiaie optic - dispozitivele electroluminiscente i
laserii cu jonciuni semiconductoare.
Celulele fotovoltaice transform energia luminoas direct n energie
electric, cu un randament relativ ridicat (>10%). Procesul de baz n aceste
dispozitive este acela de generare de purttori de sarcin sub aciunea
radiaiei electromagnetice
Efectul fotovoltaic const n apariia unei tensiuni electromotoare ntr-
un semiconductor iluminat. Interaciunea dintre un solid i undele
electromagnetice determin, printre alte fenomene, absorbia radiaiei
incidente. n cazul semiconductorilor, unul din mecanismele absorbiei const
n tranziia unui electron din banda de valen n banda de conducie (n urma
absorbiei unui foton).
n consecin numrul purttorilor de sarcin liberi crete, ceea ce
determin creterea conductivitii electrice, fenomen numit
fotoconductibilitate (sau efect fotoelectric intern). Generarea perechilor
electron-gol sub seciunea luminii este o condiie necesar pentru producerea
efectului fotovoltaic dar nu i suficient. Noii purttori de sarcin trebuie s se
redistribuie, determinnd apariia unei diferene de potenial ntre suprafaa
iluminat i cea neiluminat.
Redistribuirea poate fi determinat de:
generarea neuniform a purttorilor de sarcin ntr-un semiconductor
omogen (efectul Dember);
un cmp intern local din semiconductor care poate fi realizat prin
doparea diferit a semiconductorului (jonciune p-n);
un gradient al timpului de via al purttorilor de sarcin;
prezena unui cmp magnetic (efectul fotoelectromagnetic), etc.
ntr-un semiconductor intrinsec, banda de conducie este nepopulat la
0K i este separat printr-o band interzis E
g
de banda de valen ocupat.
Diferena dintre valoarea maxim a energiei n banda de valen i valoarea
minim n banda de conducie determin valoarea minim a intervalului de
energie interzis.
ntr-un semiconductor extrinsec, nivelele energetice ale impuritilor se
gsesc n zona interzis, mai aproape de marginea inferioar a zonei de
conducie pentru atomii donori i n vecintatea marginii superioare a zonei de
valen pentru atomii acceptori. Deoarece diferena de energie dintre nivelele
impuritilor i marginea zonei de valen sau de conducie este mic (0,01
eV) chiar la temperatura camerei, energia termic este suficient pentru
ionizarea acestor atomi. Acest lucru explic creterea conductibilitii electrice
determinate de impuriti.
Pentru majoritatea semiconductorilor intervalul de energie interzis E
g
are
valori ntre 0,2 i 2,3 eV. Deci vor produce tranziia electronului din B.V. n B.C.
fotonii cu frecvene de cel puin:
h
E
g
= (2.2)
Intervalului energetic 0,2 2,3 eV i corespunde intervalul de lungimi de
und 6,2 0,5 m, deci fotonii din domeniul vizibil i infrarou sunt cei ce
determin tranziia.
Dac notm cu n
0
i p
0
concentraiile electronilor i golurilor n lipsa
iluminrii i la echilibru termic, sub aciunea unui cmp electric E apare un
curent de drift cu densitatea:
p n p n
v e p v e n j j j


0 0
+ = + =
(2.3)
innd cont de legtura dintre vitezele v
n
i v
p
i mobilitile
n
i
p
( ) E v E v
p p n n
= = ,
, se obine:
( ) E E p n e j
p n 0 0 0
= + =
(2.4)
deci
( )
p n
p n e + =
0 0 0
(2.5)
Dac n urma iluminrii concentraiile electronilor i golurilor se modific
cu n i p,
p n =
, schimbarea conductivitii va fi:
( )
0 0 0 0 0
1
p b n
n b
p n
p n
p n
p n
+
+
=
+
+
=

(2.6)
n relaia (2.6) s-a notat p n
b =
.
Notm cu coeficientul de absorbie definit ca raportul dintre cantitatea
de energie absorbit de unitatea de volum n unitatea de timp i energia
incident pe unitatea de suprafa n unitatea de timp. Se poate arta c
atunci cnd d<<l (unde d grosimea stratului semiconductor) intensitatea
radiaiei este uniform n prob i deci n i p nu variaz n prob. Dac ns
d>>l, intensitatea radiaiei la distana z n prob este:
( ) z e I z I = 1 ) (
0
(2.7)
unde este coeficientul de reflexie la suprafaa iluminat. n consecina va
apare un gradient de concentraie care va determina apariia unor cureni de
difuzie pentru goluri i electroni.
Considernd o variaie liniar a concentraiei, densitile curenilor de
difuzie sunt:
z
n
eD j
n n

=
(2.8)
z
p
eD j
p p

=
(2.9)
unde D
n
i D
p
sunt coeficieni de difuzie. Curentul total va fi suma dintre
curentul de drift (3) n prezena iluminrii i cel de difuzie:
( )

+ + =
z
p
D
z
n
D e E p n e j
p n z p n z
(2.10)
innd cont c:
n n n + =
0
,
+ =
0
p p
i
p n =
, rezult:
( ) ( )
z
n
D D e E p n e j
p n z p n z

+ + =
(2.11)
Aadar, n circuit deschis (j
z
=0)ntre faa iluminat i cea neiluminat
apare un cmp electric:
( )
p n
p n
z
p n
z
n
D D
E
+

=
(2.12)
i deci o diferen de potenial V. Dac D
n
=D
p
(atunci cnd
n
=
p
) atunci E
z
=0
i V=0.
ntr-o jonciune p-n, ca urmare a difuziei electronilor din domeniul n n
domeniul p i difuziei golurilor n sens invers, apare un cmp electric n stratul
de baraj i corespunztor o diferen de potenial (fig. 2.4).
n
p
E
q
x
n
p
x
x
x
+
+
+
+
-
-
-
-
Fig.2.4
Acest cmp electric mpiedic continuarea difuziei i n acelai timp duce
la apariia unor cureni de drift care se opun celor de difuzie. n stare de
echilibru, curenii de difuzie vor fi egali cu cei de drift, astfel nct curentul
rezultant va fi nul.
Dac jonciunea p-n este iluminat, se vor crea perechi electron-gol n
exces. Dac d>>l, fluxul de fotoni va varia exponenial cu adncimea,
conform relaiei (2.7). Electronii n exces creai n regiunea p pot difuza prin
jonciune i coboar bariera de potenial spre zona n. Golurile n exces create
n zona n pot difuza i ele prin jonciune. Apare astfel o sarcin pozitiv pe faa
p i una negativ pe faa n. Aceste densiti de sarcin micoreaz diferena de
potenial de la j
0
la j
0
V.
Ecuaia de curent tensiune este:
L
kT
eV
j e j j +

= 1
0 (2.13)
unde: j
0
densitatea curentului invers la saturaie n absena iluminrii, V
tensiunea aplicat jonciunii, k constanta lui Boltzmann, j
L
curentul de
generare independent de V i direct proporional cu intensitatea iluminrii
(determinat de perechile electron-gol generat de lumina incident).
Relaia (12) este ilustrat n fig. 2.5, pentru iluminri diferite ale
jonciunii. Pentru j=0 se obine din relaia (12) tensiunea n circuit deschis V
oc
:
) 1 ln(
0
j
j
e
kT
V
L
oc
=
(2.14)
Curentul de scurt circuit se obine punnd condiia V=0 n relaia (2.14).
Rezult:
L sc
j j =
(2.15)
1
2
3
4
I
I
V
V
sc
oc

4
>
3
>
2
>
1
Fig. 1.5
Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat dintr-o jonciune pn
sau un contact metal-semiconductor polarizat invers, cu regiunea de trecere
excitat de un flux luminos. Simbolul, modul de polarizare i caracteristicile
statice ale fotodiodei sunt prezentate n fig. 3.
a b c
Fig.2.6
Caracteristica curent-tensiune reprezint cele trei zone n care poate
funciona fotodioda:
cadranul trei, n regim de polarizare invers extern sau regim de
fotodiod n care curentul este proporional cu iluminarea.
cadranul patru, n regim de polarizare exterioar nul sau regimul de
fotoelement, n care prin fotodiod circul un curent dependent de fluxul
luminos incident.
cadranul unu adic polarizare direct n care fotodioda se comport ca o
jonciune pn normal.
Parametrii specifici unei fotodiode sunt:
curentul de ntuneric ILo , este curentul prin fotodiod la iluminare nul;
tensiunea invers maxim VR max , este tensiunea invers maxim ce o
poate suporta fotodioda fr s apar multiplicarea curentului n
avalan.
rezistena dinamic la polarizare invers
(2.16)
sensibilitatea integral ce se poate defini astfel
(2.17)
sau:
(2.18)
i reprezint variaia curentului la o variaie a fluxului luminos sau a iluminrii.
Fototranzistorul
Principiul de funcionare a unui fototranzistor se bazeaz pe efectul
fotoelectric intern: generarea de perechi electron-gol ntr-un semiconductor
sub aciunea unei radiaiei electromagnetice cu lungimea de und n domeniul
vizibil sau ultraviolet. Dac semiconductorul este supus unei diferene de
potenial, atunci el va fi parcurs de un curent a crui intensitate va depinde de
mrimea fluxului luminos incident. Intensitatea lui poate fi mrit prin
utilizarea proprietii structurii de tranzistor de a amplifica curentul.
Fototranzistorul (fig.2.7.a) este un tranzistor cu regiunea jonciunii emitor
- baz expus iluminrii, astfel nct rolul diferenei de potenial dintre baz i
emitor este jucat de fluxul luminos incident pe jonciunea emitoare. Generarea
de perechi electron-gol contribuie la micorarea barierei de potenial a
jonciunii i deschiderea ei mai mult sau mai puin, n funcie de numrul de
fotoni incideni. Terminalul bazei poate lipsi sau, dac exist, el permite un
control suplimentar al curentului de colector.
Fig.2.7.
Caracteristicile de ieire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele ale
unui tranzistor obinuit, cu deosebirea c, n locul parametrului I
B
apare
iluminarea sau fluxul luminos (fig.2.7.b).
Sensibilitatea integral a fototranzistorului este mai mare ca la fotodiode
datorit amplificrii n curent . Parametrii fototranzistoarelor se aseamn cu
ai fotodiodelor i ai tranzistoarelor obinuite.
Dioda luminiscent
Este un dispozitiv fotoemitor fiind realizat dintr-o jonciune pn de
construcie special, care emite radiaie luminoas pe seama energiei rezultate
din recombinarea purttorilor de sarcin. Ea se polarizeaz direct, emind o
lumin n spectrul vizibil, ce depinde de materialul semiconductorului utilizat i
natura impuritilor.
Se realizeaz de obicei din GaP cu impuriti de Zn (rou) sau N(verde).
Simbolul, caracteristica curenttensiune i caracteristica spectral sunt
prezentate n figura 5.
Fig.2.8
Parametrii specifici unei diode luminiscente sunt:
intensitatea luminoas emis la un anumit curent direct
lungimea de und la intensitate luminoas maxim P ;
Optocuplorul
Optocuplorul este un dispozitiv optoelectronic obinut prin cuplarea optic a
unui fotoemitor i a unui fotodetector. Cu ajutorul lui se poate realiza
transferul unei comenzi cu izolare galvanic foarte bun ntre intrare i ieire.
Cele mai utilizate optocuploare sunt realizate prin cuplare LED
fototranzistor. Simbolul unui optocuplor mpreun cu caracteristica de transfer
C F I =f(I ) sunt prezentate n figura 2.9.
Fig.2.9
Dispozitive indicatoare electro -optice
Dispozitivele indicatoare electro-optice convertesc informaia electric
ntr-o informaie de natur luminoasa. n cadrul acestor dispozitive, o
importan deosebit o prezint dispozitivele de afiare alfa - numerice ,
dezvoltarea acestora fiind impus de extinderea msurrilor numerice.
Exist o gam larg de dispozitive de afiare alfa-numerica, ns pentru
aparatura de msurat prezint importan numai unele tipuri, care vor fi
prezentate n continuare.
Dup modul de realizare a cifrelor sau a altor caractere se disting:
dispozitive fr sintetizarea caracterelor;
dispozitive cu sintetizarea caracterelor, care la rndul lor pot fi cu
segmente sau cu matrici.
Dispozitivele cu sintetizarea caracterelor cu segmente pot fi cu: 7, 9 14
sau 16 segmente (figura 2.10).
Dispozitivele cu sintetizarea caracterelor cu matrici conin matrici cu:
3x5 puncte, 4x7 puncte sau 5x7 puncte (figura 2.11). Prin iluminarea
difereniat a segmentelor sau punctelor din matrici pot fi sintetizate diferite
caractere alfa-numerice.
Fig.2.10. Sintetizarea caracterelor cu segmente.
Fig.2.11. Sintetizarea caracteror cu matrici.
Dintre cerinele impuse dispozitivelor de afiare alfa numerice se pot cita:
preul de cost / digit mic;
compatibilitate cu circuitele logice;
putere consumat mic;
tensiuni mici de alimentare;
citirea la ntuneric i /sau n condiii de iluminare;
distana i unghi de observare mari;
durata mare de via.
Principalele tipuri de dispozitive de afiare alfa-numerice sunt:
1. Tuburile Nixie sunt dispozitive de afiare fr sintetizarea caracterelor; ele
permit vizualizarea diferitelor simboluri prin comanda descrcrii ntr-un gaz inert
(neon). Constructiv sunt realizate din 10 catozi avnd forma cifrelor 0...9 i un anod
sub forma de plasa ce nconjoar catozii. Dac ntre catod i anod se aplic o diferen
de potenial mai mare dect o valoare numit tensiune de aprindere ( 60...70 V) se
amorseaz descrcarea, intensitatea maxim fiind n jurul catodului. Principalul lor
dezavantaj este tensiunea mare de alimentare.
2. Afisaele cu diode electroluminiscente (LED). Diodele electro-luminiscente
sunt realizate cu arseniur de galiu, fosfor, eventual alte substane i au proprietatea
ca n cazul n care sunt direct polarizate (U=1,6...3 V) emit unde luminoase de culoare
roie, galben sau verde dup compoziia materialului din care sunt confecionate. Cu
ajutorul lor se pot realiza sisteme de afiare cu segmente sau matrici (de regula de
culoare roie).
3. Afisajele fluorescente cu vid sunt realizate cu tuburi cu vid cu mai muli anozi
acoperii de un luminofor de culoare verde i un catod cald, ntre care se dispune o
gril de comand. Dac pe gril se aplic o tensiune de circa 20 V, electronii ajung la
anod, iar stratul de luminofor emite lumin verde (ochiul omenesc are sensibilitate
maxima la verde). Acest sistem de afiare se construiete cu segmente.
4. Afisaj cu cristale lichide nematice. Anumite substane organice avnd
molecule n form de bare, care pot fi ntr-o stare stabil ntre starea solid i lichid,
se numesc cristale lichide. n aceste condiii ele au anumite proprieti electrice i
optice.
n straturi subiri (10 m), dac sunt polarizate electric cu tensiuni de ordinul
volilor, ele se ordoneaz prezentnd transparen optic, putnd fi astfel folosite n
sisteme de afiare pasiv (cu lumin exterioar), cu segmente sau mai nou, matricial.
Au un consum energetic foarte redus (de ordinul W).
Fig.2.12. Constructia afiorului cu cristale lichide
5. Afiajul cu tub catodic / cinescop se folosete de obicei la sistemele
complexe. Prin utilizarea unor generatoare de caractere sau editoare grafice care
aplic simultan tensiuni pe intrrile x, y i z ale osciloscoapului, pe ecran pot fi
obinute diferite caractere prin sintetizare. Acest sistem de afiare are un grad de
complexitate mare i se utilizeaz mpreun cu sisteme de calcul.
LECXIA III
Tuburi electronice
Dioda cu vid
Dioda cu vid este un dispozitiv compus din doi electrozi dispui coaxial
ntr-o incint vidat: catodul (emitorul electronic) filiform, plasat pe axa
incintei i anodul (colectorul), de form cilindric.
Catodul este nclzit la temperaturi ntre 700
0
C i 1400
0
C i, ca urmare,
temperatura ridicat permite acestuia s emit, pe baza fenomenului de emisie
electronic, electroni.
nclzirea catodului se poate face direct, cnd catodul este un filament
adus la incandescen prin trecerea unui curent electric prin el sau indirect,
cnd catodul este un cilindru foarte subire, nclzit prin radiaie termic de la
un filament aflat n interiorul su.
Fenomenul de emisie termoelectronic are loc datorit creterii energiei
cinetice de agitaie termic a electronilor liberi din solid pe seama energiei
termice exterioare. Curentul de emisie crete cu creterea temperaturii. n
vecintatea suprafeei nclzite se formeaz un nor de electroni care se agit
haotic. Acest gaz electronic nu se ndeprteaz de suprafaa metalului
deoarece electronii extrai las n metal o sarcin pozitiv, echivalent, care i
atrage.
Prin aplicarea unui cmp electric accelerator, peste o valoare critic a
acestuia vor fi culei toi electronii din norul electronic, curentul de emisie
atingnd valoarea de saturaie.
Richardson i Dushman au stabilit c densitatea de curent a curentului
de emisie este dat de:
(3.1)
unde W0 reprezint lucrul mecanic (energia) de extracie, care este o
constant caracteristic materialului electronoemisiv, iar A o constant ce
depinde de natura i starea suprafeei catodului. Folosind schema principial
din figura 3.1, se pot trasa caracteristicile statice ale diodei(figura 3.2).
Fig.3.1. Schema diodei cu vid
Fig.3.2. Caracteristicile statice ale diodei
Aceste caracteristici prezint trei zone:
- zona I (zona de lansare sau zona tensiunilor negative) curentul anodic
IA este foarte mic i se poate neglija, el fiind datorat unui numr mic de
electroni cu viteze iniiale mari, care pot nvinge cmpul electric frnant,
ajungnd la anod. n practic, se consider c aceste caracteristici pornesc
chiar din origine, zona I fiind foarte greu de pus n eviden.
- zona a II-a (regiunea de sarcin spaial) este zona caracteristicii
anodice unde este zona a II-a (regiunea de sarcin spaial) este zona
caracteristicii anodice unde este valabil legea 3/2:
(3.2)
- zona a III-a (regiunea de saturaie). IA atinge valoarea maxim, conform
relaiei Richardson i Dushman.
Pentru o diod se pot defini parametrii:
- rezistena intern static (n curent continuu), R,
(3.3)
rezistena dinamic (n curent alternativ) Ri:
(3.4)
Trioda cu vid
Const dintr-un balon vidat n care se afl 3 electrozi (fig. 3.3):
un filament (F) nclzit, cu rol de catod (C);
o gril (G) - o spiral sau sit n jurul catodului;
un anod (A) colector de electroni n jurul grilei.
In circuit, filamentul este nclzit electric de la o surs de nclzire sau de
filament i este legat la polul negativ al unei surse de c.c. numit anodic,
avnd deci rol de catod. La polul pozitiv al sursei anodice se conecteaz
anodul, prin intermediul unei rezistene sau circuit de sarcin. Grila se
polarizeaz la potenial negativ sau pozitiv fa de catod, dar ntotdeauna
negativ fa de anod, de la o surs separat sau format cu un grup RC
(autopolarizare).(Fig.3.4)
Cnd filamentul este nclzit, emite electroni care sunt atrai de anod. Fluxul
de electroni este controlat de cmpul electric gril catod, creat de tensiunea
de gril. Grila este plasat aproape de catod astfel c tensiunea de gril
influeneaz mult numrul de electroni care trec prin gril spre anod, formnd
curentul anodic iA. O parte dintre electroni sunt captai de gril, chiar dac este
negativ, formnd curentul de gril iG; cnd grila este negativ, iG este foarte
mic iar cnd este pozitiv devine semnificativ. Dac grila este destul de
negativ, curentul anodic este nul tubul este blocat.
Fig.3.3. Trioda cu vid, construcie i simbol
Fig.3.4. Polarizarea triodei
Curentul total de emisie (curentul catodic) este dat de relaia:
(3.5)
unde uE este tensiunea echivalent anod-catod iar f - factorul de ptrundere
al grilei.
n general, iG este foarte mic deci iC iA. U
Pentru o triod, se pot trasa caracteristicile anodice,
U(3.6)
i de gril
(3.7)
Caracteristicile anodice ale unei triode sunt, calitativ, aceleai cu ale unei
diode. Caracteristicile de gril arat c acest al treilea electrod poate controla
curentul anodic prin variaia potenialului aplicat pe el. Astfel, la valori negative
(fa de catod, considerat la potenial nul) ale potenialului de gril, mai mari
dect o valoare numit tensiune de stopare, curentul anodic este nul, deoarece
cmpul electric de frnare, dintre gril i catod, este att de intens, nct nici
un electron din norul electronic din jurul catodului nu are suficient energie
pentru a-l nvinge i a ajunge la anod. La valori peste tensiunea de stopare ale
potenialului de gril, curentul anodic crete, la nceput mai lent, apoi liniar
odat cu creterea acestui potenial, pn cnd se intr n regiunea de
saturaie, cnd curentul anodic nu mai crete, ba chiar ncepe s scad uor,
datorit faptului c grila este suficient de puternic pozitivat pentru a atrage ea
nsui electroni, ceea ce nseamn creterea curentului de gril i, implicit
scderea celui anodic.
Fig. 3.5. Caracteristicile curentului anodic la triode: a c. de gril, b c.
anodice pentru tensiuni de gril negative, c c. anodice pentru tensiuni de
gril pozitive
Pentru poriunea liniar a caracteristicii de gril, a crei zone de mijloc se
gsete de obicei la valori negative ale potenialului grilei, se pot defini
parametrii triodei: panta S, rezistena intern Ri i factorul de amplificare, .
(3.8)
Cum iA = f(uA, uG), se poate scrie:
(3.9)
Pe de alt parte, ntruct
iA = IA + ia ; uA = UA + ua ; uG = UG + ug i deci diA = ia , duG =
ug , duA = ua , (3.10)
(3.11)
sau:
Ri5ia = Ri5S5ug + ua = eU5ug + ua (3.12)

Pentru montajul din figura 3.4, n lipsa semnalului alternativ de gril (ug = 0),
mrimile
electrice au expresiile:
uG = Eg ; iA = IA ; uA = UA = EA RA5IA (3.13)
Mrimile de mai sus determin regimul static de funcionare a triodei. n
prezena componentei alternative, ug = Ugm5sint , mrimile au expresiile:
uG = EG + ug = EG + ug = Ugm5sint
iA = IA + ia = IA + ug = Iam5sint (3.14)
uA = UA + ua = EA ua = EA ug = Uam5sint
uA = EA RA5iA = EA RA(IA + ia) = EA RA5IA RA5ia = UA - ua
Deci,
(3.15)
(3.16)
Relaiile de mai sus permit nlocuirea schemelor reale ale circuitului cu triod cu
circuiteechivalente. Astfel, relaia (3.15) conduce la schema echivalent cu
generator de tensiune constant, cu t.e.m. egal cu e5ug i rezisten intern Ri,
ce debiteaz pe o sarcin RA (figura 3.6.a) iar relaia (3.16) conduce la schema
echivalent n care tubul apare ca generator de curent constant, S5ug , cu
rezistena intern Ri n paralel (figura 3.6.b).
Fig.3.6
Din relaiile (3.15) sau (3.16) i schemele echivalente rezult c amplificarea
montajului,
(3.17)
Este dat de relaia:
(3.18)
Tetroda cu fascicule
Este un tub cu 4 electrozi, foarte folosit n circuitele de RF de putere. In
tetrode exist o a doua gril numit gril ecran (G2) plasat ntre grila de
comand (G1) i anod. Ecranul izoleaz spaiul gril de comand catod de
aciunea anodului i ca urmare curentul anodic este puin influenat de
tensiunea anodic caracteristicile anodice n regiunea activ sunt aproape
orizontale.
Ecranul este pozitiv fa de grila de comand i negativ fa de anod. Ca
urmare, la tensiuni anodice mici atrage electroni i curentul anodic scade
acesta este efectul dinatron.
Pentru reducerea acestui efect pn aproape de eliminare, se monteaz dou
plci deflectoare iar spirele ecranului sunt coplanare cu spirele grilei de
comand. Electronii se deplaseaz n fascicule i puini mai ajung pe ecran (fig.
3.7). Astfel s-a ajuns la tetroda cu fascicule, n present tubul cel mai utilizat n
RF pentru puteri de 5-10 ... 250-400kW i frecvene pn la 200 400MHz
(mai sus se folosesc triode de nalt frecven cu structur special, cu o parte
din circuitele de sarcin incluse n tub).
Fig. 3.7. Tetroda cu fascicule: structur i simbol
La tretrode curentul anodic depinde de 3 tensiuni: a grilei de comand
(u
G1
), a grilei ecran (u
G2
) i anodic (u
A
):
Grafic, dependena se exprim prin caracteristici statice ale curentului
anodic (fig. 3.8):
caracteristicile de gril (de comand):
caracteristicile anodice:
Fig. 3.8. Caracteristicile curentului anodic la tetrode cu fascicul (de gril i
anodice)
Fig. 3.9. Caracteristici ale curentului de ecran la tetrode
Se observ influena redus a tensiunii anodice asupra curentului anodic,
care este mult mai mult influenat de tensiunea ecranului.
Ecranul fiind pozitiv, exist un curent de ecran (i
G2
) important; de regul
se furnizeaz caracteristicile:
care au aspectul din figura 12.
Comparativ cu triodele, tetrodele au rezistena intern Ri din fig. 8.c,
mult mai mare (Ri triode = 1 ... 50k, Ri tetrode = 50 ... 500k ). Ca urmare, au
i || = SRi mult mai mare. Consecina este c tetrodele asigur amplificri n
tensiune i n putere mult mai mari dect triodele acesta este un avantaj
esenial.
Att n cazul tetrodelor, ct mai ales n al triodelor, curentul grilei de
comand este mic, dar destul de mare n valori absolute pentru a trebui s fie
luat n considerare la proiectare. De obicei se furnizeaz caracteristici de tipul:

la triode i
la tetrode.
Pentoda
Este un tub cu 5 electrozi: catod, anod, gril de comand (G1), gril ecran (G2)
i gril supresoare (G3). Grila supresoare este plasat ntre anod i ecran i de regul
este conectat la catod. Ca urmare, supresoarea izoleaz foarte bine spaiul catod
gril de comand de anod. Curentul anodic depinde foarte puin de tensiunea
anodic, depinde practic numai de tensiunea de comand (uG1) i de a ecranului (uG2).
De aceea, caracteristicile anodice ale curentului anodic sunt practic orizontale.
Urmarea este c Ri pentod este foarte mare (250k ... >1M) deci i amplificrile
sunt foarte mari.
Fig. 3.10. Pentoda (simbolizare)
Construcia tuburilor electronice de emisie
Tuburile utilizate n amplificatoarele i oscilatoarele de radiofrecven de
putere, numite n general tuburi de emisie, trebuie s poat disipa pe anozi
puteri mari (50W ... 100kW), funcionnd cu tensiuni anodice mari (1-2 ...
10-25kV) n acord cu puterea furnizat, s suporte impulsuri de curent anodic
cu amplitudini mari (10 ... 200A).
Pentru puteri utile mici i medii (pn la 2-3kW), se folosesc triode,
tetrode cu fascicul dirijat i pentode iar la puteri mai mari numai triode i
tetrode cu fascicul, deoarece grila supresoare a pentodelor nu permite ca
anodul s disipe puteri mari.
Tuburile de emisie au o construcie special, diferit de a tuburilor pentru
semnale mici (tuburi de recepie).
Catozii tuburilor de emisie sunt numai cu nclzire direct din wolfram
sau wolfram thoriat; alte tipuri nu rezist la supranclzirile frecvente care apar
cnd grila devine pozitiv i nu se pot folosi.
[Durata de utilizare a catozilor depinde esenial de curentul de nclzire,
deci de tensiunea de filament. O variaie de 5% a tensiunii determin
njumtirea sau dublarea duratei de funcionare. Frecvent, productorii
livreaz graficul curentului de emisie al catodului n funcie de tensiunea de
filament, nct utilizatorul i poate regla regimul n funcie de necesiti.]
Grilele tuburilor de emisie se realizeaz din molibden, mai rar din tantal
sau wolfram, deoarece trebuie s reziste la temperaturi mari, s disipe puteri
mari, dat fiind c tuburile lucreaz adesea cu grile pozitivate i n consecin,
curenii grilelor exist i sunt mari.
Anozii tuburilor de emisie au construcia i modul de rcire n funcie de
puterea disipat. Anozii tuburilor cu putere util pn la circa 2kW se execut
din molibden sau tantal, eventual cu nervuri de rcire, fiind plasai, ca i ceilali
electrozi, n interiorul balonului de sticl (fig. 6). Evacuarea cldurii se face n
principal prin radiaie. Frecvent contactul la anod este n vrful tubului.
Anozii tuburilor de putere medie i mare se execut din cupru i se
plaseaz n exterior. Astfel, tuburile pot fi montate, cu anodul n jos, n
radiatoare cu rcire prin ventilaie liber sau forat.
La puteri foarte mari (peste circa 150kW) rcirea se face cu ap:
radiatorul este plasat ntr-o incint cu ap care este adus la fierbere iar
vaporii sunt circulai prin radiatoare unde se condenseaz iar apa rezultat
este reintrodus n circuit.
Balonul tuburilor de emisie de puteri mici este din sticl, tuburile se
folosesc montate n socluri. Contactul de anod este separat, la una din
extremiti.
Tuburile actuale de puteri mari sunt realizate n construcii metalo-
ceramice: balonul este metalic iar contactele sunt inelare, separate prin inele
sau cilindri din ceramic care asigur etanare foarte bun. Asemena tuburi
pot fi puternic nclzite pentru degazare, etanarea este perfect i nu necesit
instalaii de vidare continu.
Fig. 3.11. Tetrod de mare putere (300kW) n execuie metalo
ceramic (rcire cu ap)
Amplificatoare de RF cu tuburi de emisie
Principiile amplificatoarelor de RF cu tuburi. Sarcina tubului n
ARF
Ca orice dispozitiv activ n circuit, tuburile trebuie polarizate de la surse
de tensiune continu:
anodul se polarizeaz de la o surs anodic EA cu + pe anod;
catodul este conectat la polul negativ () al susrsei anodice EA;
grila (de comand) se polarizeaz ntotdeauna cu tensiune EG1 negativ
(fa de catod);
ecranul se polarizeaz cu tensiune pozitiv EG2; uzual EG2 = (0,25 ...
0,66)EA.
Polarizarea anodului se poate face:
Printr-un rezistor, semnalul variabil fiind colectat prin condensator
acestea sunt amplificatoarele cu cuplaj RC fig. 3.12. Tensiunea
variabil variaz n jurul valorii medii corespunztoare cderii de
tensiune continu pe rezistorul de polarizare. Amplificatoarele de RF cu
cuplaj RC sunt de band larg (video, de exemplu) i se folosesc numai
pentru puteri mici.
Fig. 3.12. Amplificator RC cu triod: schem i diagrama semnalelor
Prin bobin (bobin de oc sau bobina unui circuit rezonant, sau a unui
transformator). In acest caz, tensiunea anodic variaz n jurul valorii EA
fig. 3.13.
Fig. 3.13. Amplificator cu tetrod cu sarcin LC: schem i diagrama
semnalelor
Orice dispozitiv activ, din punct de vedere al semnalului, este echivalent
la ieire cu o surs de tensiune real, comandat (cazul tuburilor) sau cu o
surs de curent real, comandat (cazul tranzistoarelor).
Sarcina dispozitivului activ, reprezentnd echivalentul electric al
circuitului pe care se disip puterea util (de semnal), este n general un circuit
R
L
C; n particular, ca n fig. 3.12, sarcina tubului poate fi o rezisten
echivalent RA n paralel cu RL.
In cazul ARF i mai ales al ARFP, sarcina real (antena, intrarea altui
tub, ...) este cuplat prin circuite de adaptare cu elemente reactive (cu
transformator inclus n circuit rezonant - fig. 3.13, cu condensatoare sau cu
circuite mai complicate). In final, pentru sursa echivalent ieirii dispozitivului,
sarcina este o rezisten echivalent RLech, existent numai pentru semnal.
In cazul din fig. 3.13, La cu Ca formeaz un circuit care la rezonan este
echivalent cu o rezisten de sarcin echivalent Ra rezultat din punerea n
paralel a:
rezistenei de pierderi a bobinei pL a R = QL
rezistenei de pierderi a condensatorului
rezistena de sarcin reflectat
Rezistena de sarcin echivalent, vzut de tub (pe care debiteaz
sursa echivalent ieirii dispozitivului) este:
(3.19)
De regul tan
Ca
<< 1 (tan
Ca
<< 1/Q
La
), R
pC
>> R
pL
, R
Lrefl
i cu bun
aproximaie:
(3.20)
In concluzie,
sarcina dispozitivului activ n ARF, n condiii normale de funcionare
(circuitul LC de la ieire rezonant la frecvena de lucru) se poate
considera rezistiv rezistena echivalent Ra;
n cazul ARF de band ngust, banda ocupat de semnal este destul de
ngust pentr ca sarcina s rmn rezistiv (Ra) n toat banda;
n cazul ARF de band larg, msurile de compensare a elementelor
reactive asigur ca sarcina s rmn rezistiv n band;
n toate cazurile, este vorba de o rezisten de sarcin echivalent.
Fig. 3.14. Sarcina echivalent din anodul tubului n ARF cu sarcin LC
acordat
Caracteristici de sarcin la ARF cu tuburi
Se consider ARF cu triod ca n fig. 18, cu caracteristici liniarizate ca n
fig. 19. Sunt posibile 2 regimuri de funcionare:
Regimul de funcionare liniar, n care polarizrile i nivelul semnalului de
intrare sunt astfel nct tubul nu intr n blocare sau saturaie.
Regimul de funcionare neliniar, n care polarizrile i nivelul semnalului
de intrare sunt astfel nct tubul intr cel puin n blocare, eventua i n
saturaie.
Se va analiza funcionarea n cele dou regimuri.
Fig.18
ARF cu tubul n regim liniar
In regim liniar, grila este polarizat n regiunea activ iar nivelul
semnalului este destul de mic pentru ca prin tub s circule curent tot timpul. In
acest caz, pentru semnal de intrare sinusoidal, curentul de ieire (anodic) i
tensiunea anodic au componenta variabil sinusoidal.
Frecvena fiind aceeai, sarcina tubului este rezistena echivalent Ra:
(Ua, Ia amplitudinile componentelor variabile)
Pentru analiz se vor considera caracteristicile statice liniarizate, descrise
de ec.
Deoarece constantele IA0c, EG0, EA0 se determin greu, se poate folosi
tensiunea de gril de blocare la tensiunea sursei anodice E
I
G
din figura 19.
Din:
rezult:
dar
pentru:
rezult:
i ecuaia caracteristicii:
este ecuaia caracteristicilor statice liniarizate, valid att n planul i
AuG
i
n planul i
AuA
.
Fig. 19. Caracteristici dinamice i forme de semnale n ARF cu triod
n regim liniar cu sarcin acordat
In lipsa semnalului, tubul polarizat cu EG i EA conduce curentul IA0
punctul de funcionare n lipsa semnalului este M (fig. 19).
Dac semnalul de intrare (fig. 18) este sinusoidal, de forma: u
s
(t) =U
s
cos(
t) , tensiunea pe gril, curentul anodic i tensiunea anodic sunt:
(21)
n care componenta variabil a tensiunii anodice este determinat numai de
componenta variabil a curentului anodic, adic:
(22)
In planul iAuA punctul de funcionare se deplaseaz pe o caracteristic
dinamic liniar, ntre punctele A i B. Din (2.12) i (2.11) rezult ecuaia
caracteristicii dinamice n planul iAuA:
(23)
Este o dreapt (AMB) cu panta (dinamic) n regim liniar:
(24)
In planul iAuG, din (2.10) i (2.13) rezult imediat ecuaia caracteristicii
dinamice:
(25)
Este tot o dreapt (AMB), cu panta
(26)
ARF cu tubul n regim neliniar
In regim neliniar, tubul este blocat pe o durat din perioada semnalului
de intrare. Ca urmare, curentul anodic are forma unor impulsuri sinusoidale cu
o durat de conducie 2a fig. 20. Produsul 2a= 2a este unghiul de
conducie. Curentul anodic are armonice: IA0 componenta de c.c., i
a
= I
a
cost - fundamentala, cos(2 ) 2 2 i
2a
= I
2a
cos( t +) - armonica a 2-a, ...
Amplitudinele armonicelor depind se semiunghiul de conducie (a) i se
pot exprima:
n funcie de IAmax (fig. 1.14), cu coeficienii
k
(
a
):
(27)
n funcie de IA (fig. 1.14), cu coeficienii
k
(
a
):
(28)
Datorit circuitului acordat din anod, rezistena de
sarcin echivalent Ra exist numai pentru fundamentala
curentului; pentru celelalte componente sarcina este nul. Ca
urmare, tensiunea anodic este:
(29)
Curentul anodic iA este de forma unui impuls sinusoidal
cu deschidere 2a, amplitudine IA i valoarea maxim IAmax (fig. 2.14). Aadar,
n domeniul
timp curentul anodic este dat de relaiile:
(30)
Se observ c la limitele blocrii (-a, +a) din (1.19), tensiunea anodic este:
(31)
Rezult ecuaiile ecuaiile caracteristicii dinamice n planul iAuA:
(32)
Relaiile (32) sunt ecuaiile dreptei frnte DABC (fig. 2.15), format din
segmentele:
DAB, pe abscis, cnd tubul este n regiunea de blocare i
BC, nclinat cu panta dinamic :
, cnd tubul conduce (regiune activ).
Fig. 20. Impulsul de current anodic n regim neliniar
LECIA IV
TUBURI SPECIALE
MAGNETRONUL
Elemente constructive i principiul de funcionare
Magnetronul este un generator cu autoexcitaie, care convertete
puterea continu sau n impulsuri a sursei de alimentare n. putere de
microunde. Elementele componente sunt prezentate n fig.1.
Conversia puterii are loc n spaiul de interaciune I aflat ntre blocul
anodic A (confecionat din cupru) i catodul C ( realizat din oxizi de bariu,
stroniu sau thor). Un cmp magnetic aproximativ uniform, paralel cu axa
tubului exist n spaiul de interaciune. Catodul se alimenteaz de la o
tensiune negativ n raport cu anodul care se pune la potenial zero (mas). In
blocul anodic sunt practicate uri numr par de caviti rezonante R, cuplate la
spaiul de interaciune printr-o fant. Forma i dimensiuni1e cavitilor
rezonante sunt impuse de funcionarea ct mai stabil la o anumit frecven
Fig.1. Elementele constructive ale magnetronului cu cavit rezonante
.
In fig.2. sunt ilustrate cteva rezonatoare n seciune transversal.
Fig.2. Tipuri de rezonatoare folosite la magnetroane
Capetele rezonatoarelor sunt terminate n gol, ntr-o cavitate denumit
spaiu de capt, unde liniile de flux se extind de l a un rezonator la altul.
Cuplajul ntre rezonatori este crescut prin utilizarea unor bare conductoare S,
cuplate alternativ la rezonatoare. Puterea de microunde se extrage de la un
rezonator printr-o bucl de cuplaj L, care face parte din circuitul de ieire.
Ansamblul cavitilor rezonante, spaiul de capt i circuitul de ieire
alctuiete sistemul rezonant. Catodul se nclzete indirect de la un filament
F, din tungsten sau molibden. Liniile coaxiale de alimentare ale filamentului
sunt prevzute cu ocuri K, n scopul minimizrii radiaiei energiei de
microunde. La fiecare capt al catodului se afl un ecran H, din nichel, care nu
permite electronilor de la catodul nclzit s se deplaseze paralel cu axa
magnetronului.
Sub aciunea cmpului magnetic continuu i a celui electric datorat
sursei de alimentare, electronii emii de catod se deplaseaz n spaiul de
interaciune, pe traiectorii epitrohoidale, pn la o distana maxim r
b
(fig.3.a).
Ei se vor roti n jurul catodului asemenea butucului unei roi n jurul axului. Pe
timpul acestei de deplasri,
Fig.3. Traiectoria electronilor nainte a) i dup aplicarea cmpului alternativ b)
electronii induc n cavitile rezonante un cmp de microunde. n continuare
are loc interaciunea ntre electroni i cmp, n urma creia, o parte din
electroni sunt accelerai i se vor ntoarce la catod, iar restul vor fi frnai
ponderat, se vor grupa (formnd "spie") i deplasa spre anod. (fig.3.b.). Prin
frnare, electronii cedeaz energie cmpului, a crui amplitudine va crete.
Dac viteza unghiular V

cu care se rotesc "spiele" de electroni este

egal cu viteza de schimbare a polaritii cmpului la rezonatori , atunci
interaciunea va avea eficacitatea maxim, spiele cednd energie fiecrui
rezonator ori de cte ori trec pe lng ele. Energia stocat se extrage de la un
rezonator, care este cuplat funcional n inel cu ceilali .
Parametrii i caracteristici de funcionare
Parametrii de baz ai magnetronului: puterea de ieire, randamentul
total, frecventa de lucru i stabilitatea acesteia, depind de curentul anodic I
a
,
inducia B
0
, tensiunea anodic U
a
i impedana de sarcin Z
s
. Interdependena
acestora este specific prin caracteristicile de funcionare i de sarcin.
Caracteristicile de funcionare evaluate n regi de funcionare adaptat
sunt caracteristici volt - amperice avnd ca parametrii inducia, puterea de
ieire sau randamentul (fig.4).
Fig. 4. Caracteristicile de funcionare Fig. 5. Caracteristicile de
sarcin ale
ale magnetronului magnetronului
Caracteristicile de sarcin arat dependena puterii i a frecvenei
generate de impedana de sarcin evaluat prin raportul de und staionar i
faza coeficientului de reflexie (fig.5). Rezultatele msurtorilor se nscriu pe o
diagram circular, constituind o diagram tip Reike.
La magnetroanele actuale puterea de ieire este de 2,5-5 MW, n banda
0,4-3 GHz; 1 MW l a 10 GHz i 100 KW la 35 GHz. Randamentul total scade de l
a 80% n gama decimetric la aproximativ 30% n zona milimetric. Timpul de
bun funcionare uzual este de 1000 - 2000 ore dar poate ajunge pn l a
10.000 ore.
Magnetroanele care lucreaz n regim de oscilaie continu (de exemplu
pentru nclzirea prin microunde) sunt garantate ntre 2 i 10 ani.
Acordul frecvenei la magnetroanele prevzute cu acionare mecanic
este de 5-7% din frecvena central, iar la cele cu comand electromecanic 2-
3%.
Timpul de nclzire a1 filamentului este 2 - 10 minute i este absolut
necesar naintea cuplrii tensiunii anodice (Ua = 0,8 - 10 KV). In timpul
funcionrii (n regim de impulsuri sau oscilaie continu), ca urmare a energiei
electronilor c faz nefavorabil care ajung pe catod, tensiunea de filament se
reduce la aproximativ o zecime din valoarea iniial sau chiar la zero.
Clistronul
Construcie i principiul de funcionare
Clistronul reflex este un generator da semnal de mic putere utilizat de la
800 MHz pn la 220 GHz, are o construcie simpl, dimensiuni i greutate
reduse. El genereaz un semnal cu frecvena stabil, reglabil electric sau
mecanic, iar pe timpul funcionrii este puin influenat de temperatur,
vibraii sau radiaii.
Dispozitivul ilustrat n fig. 6, se compune din: circuitul de grupare al
electronilor (catod K, electrod de accelerare EA, cavitate rezonant C.R.), un
electrod pentru deflexia electronilor(reflector, R) i se alimenteaz de la dou
surse da tensiune independente i cu polaritatea indicat.
Sub aciunea cmpului static accelerator, electronii emii de catod ajung
la nivelul primei grile C.R . cu viteza
Curentu1.de convecie a1 electronilor, care trec iniial printre gri1ele
C.R., determin un curent indus i o tensiune alternativ amorsat cu
amplitudinea maxim corespunztoare componentei spectrale pe care este
acordat cavitatea.
Fig.6
n continuare asupra electronilor care vor trece prin prima gril a cavitii
va aciona cmpul alternativ (cu o amplitudine mult mai mic dect cea a
cmpului static) astfel c acetia, la prsirea grilei g
2
a C.R. vor fi modulai n
vitez. n spaiul C.R. reflector, purttorii de sarcin se deplaseaz n cmp
frnat (fig.7.a), dup o traiectorie de tip parabolic n raport cu timpul(fig.7.b),
i micoreaz viteza pn la 0 apoi se ntorc spre C.R.
Electronul 1, maxim accelerat la nivelul g
2
de tensiunea (Ua + M
1
U
1
) va -
ptrunde mai mult 2n spaiul C.R.- reflector, n raport cu electronii 2 i 3. Ca
rezultat a1 modulrii n vitez dup prsirea C.R.- este posibil gruparea
electronilor, n jurul celor neaccelerai de cmpul alternativ, determinnd
modularea n densitate a curentului de convecie. Dac gruparea se realizeaz
cnd electronii se ntorc spre C.R., la nivelul g
2
i n cavitate exist cmp
frnant, atunci ntre grile i vor micora viteza cednd energie cmpului de
microunde, contribuind la ntreinerea oscilaiilor a cror energie este extras
din rezonator prin bucl sau fant.
Fig.7. Distribuia de potenial a) i traiectoriile electronilor n clistron b)
Grupul de electroni poate n cmpul frnant din C.R. dup una sau mai
multe perioade T
0
ale semnalului de microunde, numrul acestora
determinnd. numrul n al , zonei de generare. Dac electronii reflectai ajung
la g
2
cnd n cavitate exist cmp accelerator atunci cmpul cedeaz energie i
oscilaiile se amortizeaz rapid, clistronul nu mai genereaz. Condiia de
sincronism se poate scrie sub forma general:
(1)
Dac timpul , ct electronii se deplaseaz n spaiul C.R.- reflector nu
este egal cu cel dat de relaia (1), cmpul alternativ n cavitate nu mai are
amplitudine maxim, puterea n cadrul zonei n de generare scade. In aceast
situaie oscilaiile sunt forate s aib amplitudinea maxim dup perioade
diferite de T
0
i drept urmare apare o deplasare a frecvenei de lucru. Timpul
depinde de gradientul de potenial creat de cele dou surse de alimentare (U
a
+
U
R
); practic, cavitatea se alimenteaz la o tensiune constant, rezultnd c
puterea i frecventa oscilaiilor n cadrul unei zone de generare precum i
stabilirea zonei n se face prin modificarea tensiunii de
reflector.
Parametrii clistronului reflex
Puterea pe fundamental se obine prin scrierea sub form complex a
mrimilor i
il
i u
1
(I
il
respectiv E
l
):
(2)
ii are .valoare maxim, dac unghiul de zbor (
0
= corespunde regimului
optim exprimat n (1 ). Prin nlocuire rezult:
(3)
Randamentul electronic maxim n cadrul unei zone de generare, are
expresia:
(4)
Funcia f = r J
l
(r), de care depind puterea maxim i randamentul este
ilustrat n fig.8 i are un maxim egal cu 1,25 pentru valoarea parametrului de
grupare r = 2,41
Din relaiile 3 i 4 se constat o dependen invers proporional cu
numrul n al zonei de generare. Din relaia 3, pentru r = 2,41 i la sincronism
rezult:
Fig.8.
Din relaiile 3 i 4 se constat o dependen invers proporional cu
numrul n al zonei de generare. Din relaia 3, pentru r = 2,41 i la sincronism
rezult:
(5)
Gruparea este optim dac raportul U
1
/U
a
este mic, de exemplu U
l
< 0,l
U
a
,. Aceast condiie este valabil pentru n>7.
Frecvena oscilaiilor se determin din condiia ca susceptana
electronic B
e
s f i e egal i de semn contrar sumei susceptanei cavitii (B
c
)
i a sarcinii (B
s
). n cazuri practice B
S
este neglijabil. In apropierea rezonanei,
susceptana cavitii (a unui circuit derivaie) este:
(6)
iar partea imaginar din (6) :
(7)
Folosind notaia
0
= s + cu modificarea unghiului de zbor;
condiia Be = -Bc conduce la:
(8)
n care f, este frecvena de rezonan a cavitii, s, factorul de calitate n
sarcin iar
f diferena ntre frecvena generat i f
0
.
Din (8) rezult c n cadrul unei zone, frecvena clistronului reflex are o
variaie asemntoare cu a funciei tangent,
Banda de frecvene a acordului electronic se definete ca diferena ntre
frecvenele generate, n cadrul unei zone, la care puterea scade cu 3 dB fa
de valoarea central. Valoarea-tipic a acestui parametru este 0.3 - 0.5 % din
frecvena central. Banda de frecvene necesar a fi acoperit de clistronul
reflex, folosit ca oscilator local, trebuie s f i e mai mare dect alunecarea de
frecven a magnetronului din staiile de radiolocaie. Semnalul modulator se
aplic pe reflector, suprapunndu-se peste o tensiune ce determin frecvena
central de oscilaie. Curentul de reflector este foarte mic i datorat numai
ionilor astfel c modularea se face cu un consum nesemnificativ de energie.
Tensiunile de alimentare ale cavitii i reflectorului trebuie s fie foarte bine
filtrare pentru a nu produce o modulaie parazit de amplitudine i frecven.
Modificarea n limite mari a frecvenei generate se realizeaz prin acord
mecanic care poate fi: inductiv, capacitiv sau cu o cavitate intermediar.
Extragerea puterii se poate face prin bucl (la caviti externe) sau prin fant.
Clistroanele reflex se utilizeaz n staiile de radiolocaie n calitate de
oscilator local sau n circuitele de reglare automat a frecvenei, n
generatoarele de semnal cu putere mic l a ieire etc. Ele se pot nlocui cu
dispozitive semiconductoare n circuitele electronice n care parametrul
principal este numai puterea generat.
Tubul cu und progresiv tip O
Construcia i principiul de funcionare
Tubul de und cltoare (TUC) este un dispozitiv cu fascicul liniar , care
funcioneaz pe principiul interaciunii de lung durat n raport cu durata
semnalului de microunde. Intre curentul de convecie modulat n densitate i
cmpul electromagnetic. Interaciunea este eficace dac vitezele de faz a
cmpului i de deplasare a electronilor au aproximativ aceiai valoare, ceea ce
impune utilizarea unor sisteme de ntrziere. Dup cum n procesul de
funcionare se utilizeaz unda direct sau invers, T.U.C. se numesc tuburi .cu
und progresiv (T.u.P.) respectiv tuburi cu und invers (T.U. I.).
Componenta electric a c.e.m. care interacioneaz poate fi longitudinal
sau transversal, ceea ce conduce la o alt clasificare a T. U.C. de tip 0 sau M.
In dispozitivele de tip 0, spre deosebire de cele de t i p M, cImpu1 static
(electric i magnetic) nu intervine n procesul de funcionare. T.U.P. de t i p 0
(T.U.P.O. ) a fost descoperit n 1944 de R. Komphner, avnd ca sistem de
ntrziere o spiral.
Configuraia de baz a T.U.P.O. nu a cunoscut modificri eseniale de-a
lungul anilor. El se utilizeaz ca amplificator de semnal mic i zgomot redus,
sau amplificator de semnal mare, peste 100 KW n impuls.
Coeficientul de amplificare este uzual ntre 20 i 40 dB, putnd ajunge
pn la 60 dB. Banda instantanee se poate asigura pn la o decad (n
general se lucreaz ntre 10% i7 0% din frecventa central).
Dispozitivul, ilustrat n fig.9 se compune dintr-un balon de sticl n care
sunt dispuse: tunul electronic (catod - K, electrozi de focalizare E F , anod de
accelerare - A), spiral de ntrziere SI, atenuatori absorbani (A
a
) i colectorul
C.
Fig.9. Elemente constructive ale T.U.P.O.
Introducerea i extragerea energiei se face prin linie coaxial. Solenoidul
(S) menine focalizarea fascicolului de electroni pe timpul deplasrii prin
centrul spiralei. Componenta electric longitudinal E, conduce la modularea n
densitate a electronilor. In fig.10.a se observ c electronul 2 va fi accelerat,
iar 4 va fi frnat, astfel nct va apare o grupare a electronilor n jurul punctelor
de minim ale lui E
Z
, la trecerea acestuia de la pozitiv spre negativ (fig.10.b).
ntr-o perioad a c.e.m., numrul electronilor accelerai este egal cu a1 celor
frnai, deci energia cedat cmpului este nul. In timp, fasciculul de electroni
i cmpul se deplaseaz spre colector.
Dac viteza electronilor (v
o
) ar fi egal cu viteza de faz (v
f
) a c.e.m.,
atunci ar avea loc o grupare i mai puternic, iar interaciunea n ansamblu se
va face fr transfer energetic. In realitate v
0
> v
f
i deci grupul de electroni
(2,3,4 din fig. 10.a) va f i mereu n cmpul frnant a l lui E, cednd energie
semnalului. Apare astfel un proces regenerativ n care cmpul, acum cu
amplitudine mai mare, realizeaz o focalizare i mai puternic, iar n final se
obine un semnal a crui amplitudine crete exponenial de-a lungul axei z.
Gruparea electronilor este un proces continuu, efectundu-se pe tot parcursul
spiralei.
Parametrii T.U.P.O.
Amplificarea i banda instantanee
T.U.K.0. se utilizeaz ca amplificatoare de putere mic i medie sau
mare, n regim continuu sau n i m p u l suri i cu band larg sau ngust. Se
consider c se lucreaz n band ngust dac banda de trecere este sub 10%
din frecvena central.
T.U.P.O. funcioneaz cu structuri rezonante, ceea ce-i asigur o band
larg de frecvent. Banda n principiu este limitat de banda de trecere a
sistemului de ntrziere, de dispersia sa, dependent de modificarea tensiunii
de accelerare E
a
. n cazul benzilor largi se impune utilizarea structurilor de
.frnare cu dispersie mic. Dac dispersia nu afecteaz banda amplificarea
depinde de produsul CN. Factorul lui Pierce
iar
(9)
unde K este coeficientul de ncetinire a1 sistemului ( s/):
Din aceste dou relaii se constat c amplificarea variaz neliniar n
frecven. La aceasta trebuie adugat reflexia de la intrarea i ieirea
sistemului de ntrziere care face ca amplificarea s devin:
n care:

este raportul semnalelor de l a ieire i intrare n absena fasciculului;
este amplificarea n modul i faz n absena reflexiilor.
- t
l
, t
2
, r
l
i r
2
sunt coeficienii de transmisie respectiv de reflexele la intrare i
ieire.
T.U.P.O. poate amplifica ntr-o band larg, ce poate depi o octav, dar
n aceast band este imposibil de fcut adaptarea.
Descrctoare cu gaz
Descrctoarele cu gaze sunt dispozitive reciproce utilizate la construcia
comutatoarelor de anten ale instalaiilor de radiolocaie n scopul utilizrii unei
singure antene pentru emisie i recepie. Trebuie astfel rezolvate urmtoarele
probleme: cuplarea emitorului la anten i apoi blocarea legturii pe timpul
recepiei, cu ajutorul unui descrctor serie DS, protecia receptorului pe
durata emisiei energiei .foarte mari , cu un alt descrctor de blocare DB,
precum i posibilitatea funcionrii pe antena echivalent.
Descrctoarele se realizeaz din tronsoane de linie de transmisie
formndu - se o cavitate rezonant n interiorul creia gazul se ionizeaz la
trecerea c,e.m. cu o energie foarte mare, rezultnd un scurtcircuit n interiorul
rezonatorului. Pe timpul recepiei, semnalul reflectat cu amplitudine mic nu
reuete s iniieze ionizarea. Trecerea n stare de plasm a gazului se face
ntr-un timp finit , n care o parte din energia de microunde n cazul DB, se
poate transmite spre receptor, deteriornd dispozitivele semiconductoare. n
scopul micorrii acestor vrfuri de putere, n DB se introduce un electrod la
care se aplic o tensiune continu U
o
ce determin un cmp staionar E
0
. In
acest mod rigiditatea dielectric este depit pe durata frontului anterior al
radioimpulsului, iar puterea instantanee care trece este sub 1 W.
In fig.10. sunt ilustrate elementele constructive ale unui descrctor cu
electrod de amorsare. Cele dou perechi de conuri opuse la vrf i distane la
/4 au o comportare capacitiv. In acelai plan transversal se dispun diafragme
inductive realizndu-se
astfel circuite rezonante decalate ntre ele i fa de diafragmele cu fant
pentru cuplaj la /4. Descresctorul apare ca un filtru Fig.10. cu transformatori
de impedan i asigur o band larg de trecere. Interiorul descrctorului se
umple cu un amestec de argon cu vapori de ap sau amoniac la presiune
sczut. Scurtcircuitul produs n planul electrodului de amorsare face s apar
o tensiune maxim (dublul celei directe) la a1 doilea electrod i plasma apare
aproape simultan n dou zone ale descrctorului.
Fig.10
Prin plasm , cmpul de microunde se propag cu o constant de
atenuare foarte mare.
Puterea care trece prin descrctor, pe timpul formrii plasmei, dei mic
(n raport cu cea emis) poate deteriora receptorul n cazul cnd primele
elemente sunt semiconductoare. Msurile de protecie ce se pot lua constau n
introducerea a unuia sau mai multor limitatoare cu diode PIN rapide sau a
T.U.P.O.
La terminarea impulsului de nalt frecven, numrul de electroni N din
plasm, scade fa de valoarea iniial N
0
, ca urmare a proceselor de difuzie i
recombinare.
Timpul de revenire a1 descrctorului, de ordinul microsecundelor,
afecteaz distana minim de aciune a radiolocatorului prin atenuarea
semnalului recepionat.
In stare neionizat, descrctorul se comport ca un filtru trece band cu
atenuarea de inserie sub 0,5 dB.
Electrodul descrctorului care nu este alimentat se poate utiliza pentru
controlul periodic al calitii amestecului gazos.
Parametrii i aplicaii practice
Factorul de calitate n sarcin. al descrctorului are valori cuprinse ntre 5 i
10, puterea de vrf pe care o poate comuta :lO KW- 1 MW pentru impulsuri cu
raportul ntre durati i perioada repetiie la aproximativ 10
-3
. Tensiunea pe
electrodul de iniiere este de 300 - 700 V, timpul de revenire 2 15 s, iar cel
de ionizare .complet
de ordinul nanosecundelor.
In scopul asigurrii unui timp mic de ionizare, n descrctoare se
introduc particule radioactive, cu energie mic (de exemplu particule de tritiu).
i timp de njumtire mare (peste 10 ani).
In fig.11.a este ilustrat un comutator de anten cu dou descrctoare
(serie, DS i de blocare, DB). Pe timpul emisiei, ambele descrctoare sunt
ionizate, receptorul este blocat i semnalul se transmite l a anten. In cazul
recepiei, semnalul se aplic receptorului, aflat la distanta (2k+l )
g
/4. DS
creaz n planul DB o impedan nul, spre emitor semnalul recepionat
neputndu se transmite ca urmare a scurtcircuitului virtual.
In stare ionizat DB asigur o atenuare ntre 60 - 100 dB. Comutatorul
din fig.11.b se realizeaz cu descrctoare duale, dispuse ntr-o pute mpreun
cu dou cuploare de 3 dB. Aceast configuraie minimizeaz vrfurile de
putere care trec prin descrctoare pn la ionizarea complet spre canalul de
recepie. n cazul unei realizri simetrice, puterea rezidual se disip pe o
sarcin adaptat(S.A.) Puterea semnalului recepionat care se transmite spre
emitor este atenuat cu cel puin 20 dB.
Fig. 11. Variante constructive ale comutatoarelor de anten cu descrctori
LECIA V
Dioda semiconductoare
1. Noiuni teoretice
Dioda semiconductoare este o jonciune p-n, reprezentnd zona de trecere
de la un semiconductor cu conducie de tip p la unul cu conducie de tip n n
aceeai reea cristalin continu. Ca urmare a difuziei purttorilor majoritari dintr-o
zon n alta, n proximitatea jonciunii se formeaz o sarcin fix pozitiv n zona n
i negativ n zona p, ceea ce creeaz o barier de potenial ce se opune difuziei
n continuare a purttorilor majoritari. La o temperatur constant, procesul
devine staionar cnd curentul purttorilor majoritari (cu sensul de la zona p la n)
devine egal ca valoare cu cel al purttorilor minoritari (cu sensul de la n la p):
La aplicarea unei tensiuni U, de polarizare direct (potenial mai mare) pe
zona p (anod) sau invers, curentul purttorilor majoritari crete, respectiv scade,
conform relaiei:
(1)
unde e este sarcina electric a porttorilor (electroni sau goluri), k - constanta
Boltzman, T -
temperatura absolut i U tensiunea (pozitiv sau negativ) aplicat pe diod.
Curentul total va fi: I = Im + Is , adic:
(2)
relaie care reprezint ecuaia diodei.
Aceast relaie poate fi aproximat pe poriuni prin relaii mai simple:
] (3)
O diod este caracterizat de mai muli parametri (date de catalog):
coeficientul de temperatur:
(4)
tensiunea invers de vrf repetitiv, VRRM
tensiunea de strpungere, Ustr
curentul direct maxim, Imax
timpul de comutare invers, trr (timpul necesar trecerii diodei din stare de
conducie
n stare de blocare), etc.
S considerm circuitul din figura 1. Putem scrie:
(5)
Fig.1.
Aceasta este o funcie liniar, reprezentat printr-o dreapt, n coordonate
(I,U) numit dreap de sarcin. Intersecia acesteia, cu caracteristica diodei este
un punct, P(U0, I0), numit punct static de funcionare (PSF) (figura 2).
Fig.2.
Dac variaia curentului sau a tensiunii este mic n raport cu componenta
continu (valoarea medie) a respectivei mrimi, se spune c dioda funcioneaz la
semnal mic. n acest
caz, n jurul PSF, caracteristica diodei se poate aproxima cu o dreapt, astfel nct
acest lucru permite determinarea rezistenei dinamice, definit ca:
(6)
Pentru un punct static de funcionare dat, la polarizare direct, rd se poate
determina astfel:
(7)
Pentru t = 25 JC, coeficientul lui U de la exponent are valoarea
i atunci:
(8)
de unde:
(9)
deci:
(10)
pentru punctul static de funcionare de ordonat I0.
Dioda stabilizatoare (ZENER)
1. Noiuni teoretice
O diod semiconductoare suport o anumit tensiune invers maxim,
care, depit, duce la distrugerea jonciunii. Dioda stabilizatoare prezint un
fenomen de strpungere nedistructiv, caracterizat prin creterea puternic a
curentului invers, la o valoare aproape constant a tensiunii inverse pe
jonciune, fenomen determinat n esen de dou efecte:
Efectul Zener
multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin electric.
Efectul Zener se produce la tensiuni inverse ntre 2,7 V i 5 V cnd,
datorit doprii puternice a zonelor n i p bariera de potenial este redus,
fiind posibil trecerea purttorilor prin jonciune. n cazul unei dopri mai
reduse se produce cellalt efect iar tensiunea de strpungere este peste 7 V. n
acest caz, electronii sunt puternic accelerai n cmpul electric intens din
jonciune i ciocnirile lor cu atomii din reea duc la formarea altor perechi
electron-gol, prin repetarea acestui proces obinndu-se multiplicarea n
avalan a purttorilor.
O diod stabilizatoare (Zener) este folosit n aplicaii polarizate invers n
regiunea de strpungere. Caracteristica diodei n aceast regiune este
reprezentat n figura 3.
Fig.3.
Se observ c, pentru un domeniu larg de valori ale curentului prin diod,
tensiunea rmne practic constant, V
Z
. n fapt, se observ o uoar cretere a
tensiunii odat cu creterea curentului, rezistena dinamic a diodei,
(1)
avnd valori mici (120 ). Tensiunea V
Z
poate avea valori ntre civa voli
pn la cteva sute de voli, valoarea exact fiind determinat de tehnologia
de construcie a diodei.
n aplicaiile practice, curentul invers prin dioda Zener nu trebuie s
depeasc o valoare maxim, caracteristic diodei respective.
Pentru uurina studiului teoretic, este util modelul liniar al diodei, n care
caracteristica este aproximat conform figurii 4.a, schema echivalent fiind
prezentat n figura 4.b.
Fig.4.
Principala aplicaie a diodei Zener este stabilizatorul de tensiune, care asigur o
tensiune de sarcin constant n condiia variaiei ntre anumite limite a tensiunii
de intrare i curentului de sarcin.
Schema unui stabilizator simplu este cea din figura 5.a:
Fig.5.
Pentru ca us s fie practic egal cu uz este necesar dimensionarea corect a
valorii R.
Considernd modelul liniar al diodei, putem scrie:
(2)
sau:
(3)
Ecuaia dreptei de sarcin este:
(4)
Cum u, i
z
i Rs variaz ntre anumite limite, valoarea lui R se va calcula
utiliznd valorile medii ale celor trei mrimi sau se vor calcula limitele intervalului
de valori ale lui R. Limitele lui i
z
sunt impuse de tipul diodei (Iz min - valoarea minim
a curentului la care se produce strpungerea, Iz max - valoarea maxim a curentului
invers), iar ale lui u i Rs de aplicaia practic n care se folosete dioda.
Stabilizatorul de tensiune este caracterizat de doi parametri: factorul de
stabilizare i
rezistena la ieire.
Variaia tensiunii pe dioda Zener poate fi produs de modificarea tensiunii
de intrare, u i a curentului de sarcin, i
s
.
Putem scrie:
(5)
(6)
(7)
Definim:
factorul de stabilizare:
(8)
rezistena de ieire:
(9)
Se vede c:
(10)
Pentru ca stabilizatorul s fie eficient trebuie ca s s fie ct mai mare, iar re
ct mai mic.
Diodele detectoare
Diodele detectoare sau amestectoare utilizeaz rezistena neliniar a
contactului metal- semiconductor . n scopul asigurrii unor performane bune
este necesar ca diodele s prezinte o rezisten serie i o capacitate a
jonciunii de valori mici precum i o injecie ct mai mic a purttorilor
minoritari. Ultima condiie exclude utilizarea jonciunilor p-n n aplicaiile din
gama microundelor.
Dioda se realizeaz prin presarea unui conductor metalic pe suprafaa
unui semiconductor. (fig.6 )
Fig.6.
Conductorul metalic cu = 20 30 m se confecioneaz din wolfram,
bronz fosforos, cupru sau zinc, iar metalul semiconductor poate fi Ge, Si au Ga
Sa. Contactul efectiv se asigur prin aplicarea unui impuls scurt i puternic de
curent obinndu-se o microinfuzie a impuritilor n zona respectiv. Cerinele
de reproductibilitate i performane au condus la o metod perfecionat ca
const n formarea unei reele de oxid pe suprafaa semiconductorului i
realizarea jonciunii cu unul din orificii, cu un diametru sub 2 m.
n afara contactului punctiform, jonciunea redresoare se mai poate
forma prin depunerea unui contact metalic pe un strat epitaxial (fig.2 )
obinndu-se o barier cu Schottky.
Fig.7. Dioda cu barier Schottky.
Caracteristica static curent tensiune a dispozitivului descris anterior
esta descris de relaia:
(11)
Unde n = 1,1 1,5 la dioda Schottky i n = 1,5 2 n cazul contactului
punctiform iar Is este curentul la polarizare 0.
Spre deosebire de jonciunea p-n, la dioda cu barier Schottky lipsete
injecia purttorilor minoritari n semiconductor la polarizarea direct, ceea ce
implic inexistena capacitii de difuzie i un timp de revenire foarte mic.
Absena regiunii p conduce la scderea rezistenei serie.
Rezisena jonciunii R
j
este dat de relaia:
(12)
Unde n = 1,1 la diodele cu barier Schottky i n = 1,4 n cazl diodelor cu
contact punctiform. Valoarea tipic de lucru al lui R
j
se alege aproximativ 250
.
Capacitatea de barier , dispus n paralel pe rezistena jonciunii, cnd dioda
este polarizat se evalueaz cu relaia:
(13)
Grosimea barierei Schottky este n general W = 10
-2
m, iar pentru un
semiconductor cu = 11 se obine o capacitate de barier de aproximativ 0,1
pF.
Rezistena serie, rezistena semiconductorului prin care circul curent,
este de forma:
(14)
Schema echivalent a contactului metal semiconductor este
prezentat n figura 8, iar n figura 9, dependena rezistenei totale (Rj + Rs) de
tensiunea exterioar de polarizare. Rezistena scade rapid cnd tensiunea de
alimentare este pozitiv, pn cnd rezistena serie devine mai mare ca a
jonciunii. DCP are o tensiune de deschidere mai mic, se realizeaz la un pre
de cost sczut i se utilizeaz n circuitele de detecie sau schimbtoare de
frecvent n care performanele nu sunt critice.
Fig.8.
Pe baza schemei echivalente din figura 8. se poate deduce frecvena
limit a dispozitivului.
(15)
i respectiv factorul de calitate la frecvena f:
(16)
Fig.9. Variaia rezistenei diodelor cu tensiunea de polarizare
n unele aplicaii se prefer transformarea n serie R
1
, C
1
, a elementelor paralel
R
j
, C
j
.
(17)
(18)
Dioda PIN
Dioda este realizat dintr-un material semiconductor aproximativ
intrisec,pe care se realizeaz, separate, prin difuzie dou regiuni puternic
dopate de tip n i p.(Fig.10)
Fig.10
Dimensiunile mici, comparative cu lungimea de und a cmpului aplicat ,
justific reprezentarea diodei printr-un circuit echivalent cu constante
concentrate prezentat n figura 11.
Fig.11. Circuitul echivalent al diodei pin
Rezistena R
s
este suma rezistenei regiunilor p i n i a celei asociate
contactelor ohmice a acestora. R
i
i C
i
reprezint rezistena i capacitatea
stratului I. Regiunea srcit, funcie de tensiune i modific rezistena i
reactana. Capacitatea C
j
crete din cauza sarcinii stocate la extremitile
regiunii. C
d
este datorat sarcinii stocate a fluxului de purttori. Pe timpul
alternanei pozitive, electronii din regiunea n i golurile din regiunea p sunt
injectate n stratul I, iar o parte din acetia vor fi extrai dup o semiperioad.
Frecvena limit critic la polarizarea invers este dat de relaia:
(19)
Fig.12. Schema echivalent simplificat a diodei pin: a) la joas
frecven; b) la nalt frecven i polarizare invers; c) la nalt
frecven i polarizare direct.
Frecvena de rezonan a circuitului rezonant serie, figura 12.b., este
dat de relaia:
(20)
La polarizarea direct, circuitul oscilant echivalent are frecvena de
rezonan derivaie:
(21)
La polarizarea direct, curentul continuu prin diod este 10-200 mA.
Componenta activ, mic, a admitanei arat c pe ea se va disipa o putere
redus n comparaie cu puterea transmis prin circuitul n care aceasta se va
monta.
(22)
n majoritatea aplicaiilor practice de microunde, dioda PIN se analizeaz
ca element reactiv, pierderile ocupnd locul secundar.
Pentru frecvene sub 500 de MHz, dioda prezint o rezisten Rj , serie,
mare, controlat prin curentul de polarizare.
n microunde, principalele aplicaii cu dioda PIN sunt:comutatoare, limitatoare
i defazoare. Ele se pot ntlni n reelele de antene fazate, etaje de intrare
pentru protecia receptoarelor sau ale aparaturii de msur i control.
Dioda VARACTOR.
Dioda varactor este un dispozitiv semiconductor utilizat ca element de
circuit cu reactan variabil. Reactana variabil este asigurat de capacitatea
jonciunii care se modific neliniar n raport cu tensiunea invers aplicat.
Neliniaritatea confer dispozitivului posibilitatea de a funciona n circuite
pentru:
Comutarea sau modularea semnalelor de microunde;
Generarea armonicelor semnalului aplicat;
Amplificare parametric sau conversie superioar sau inferioar.
Elementul activ este o jonciune cu geometrie bine definit (fig.13.) realizat
prin difuzie. Suportul semiconductor trebuie s ndeplineasc condiiile:
Mobilitate mare a purttorilor de sarcin;
Constant dielectric mic;
Limea benzii interzise mare;
Energie de ionizare a impuritilor mic;
bun conductivitate termic.
Aceste caliti asigur:
Rezisten electric mic;
Capacitate minim;
Cureni de saturaie mici;
Posibilitatea de a funciona la temperaturi sczute(pentru micorarea
coeficientului de zgomot la amplificatoarele parametrice);
Bun disipare termic(cnd se lucreaz la nivele mari de putere).
Ga As este semiconductorul care ndeplinete cel mai bine cerinele
impuse mai sus. Tehnologia dificil i costisitoare a impus ca majoritatea
dispozitivelor s fie realizate pe substrat de siliciu.
Fig. 13. a)Structura unei diode varactor. b) schema echivalent la
polarizarea invers
Circuitul echivalent cnd dioda este polarizat invers(fig. 13.b.) cuprinde
capacitatea jonciunii, Cj, rezistena jonciunii, R
j
, i rezistena serie, R
j
, toate
fiind dependente de polarizare,
Dioda varactor funcioneaz normal polarizat invers. Rezistena
jonciunii este de aproximativ 10 M i este neglijabil n comparaie cu
rezistena capacitiv a jonciunii n domeniul microundelor.
Prin ncapsulare, n schema echivalent se asociaz:
Capacitatea capsulei (C
c
);
Capacitatea structurii(C
f
);
Inducana extremitilor(L
s
).
Analiza amnunit a circuitului diodei varactor este o problem
sofisticat i de aceea, pentru aplicaiile practice, dispozitivul se caracterizeaz
prin factorul de merit n regim static i dinamic. Astfel se definesc:
1. Frecvena de tiere limit la o tensiune specific U.
Fig.14. Schema echivalent simplificat a unei diode varactor ncapsulat
(23)
(24)
2. Factorul de calitate la o tensiune specific:
(25)
Unde f este frecvena de lucru n regim dinamic;
3. Frecvena de tiere dinamic(frecvena critic) ntre valorile extreme
ala tensiunii de polarizare:
(26)
Cjmin se specific la tensiunea de strpungere, iar, Cjmax la o polarizare
direct de 10 sau 100 mA.
4. Factorul de calitate dinamic:
(27)
Unde S1 este amplitudinea primei armonici ala elastanei(inversul capacitii),
obinut prin dezvoltarea n serie Fourier a mrimii:
Dioda TUNEL
Dioda tunel se deosebete de o diod semiconductoare prin concentraia
mare de impuriti n cristalele n i p, deci are conductibilitate mare n sens
invers. Grosimea regiunii de trecere este foarte ngust(de ordinul la 100).
Dioda prezint o poriune cu rezisten negativ n caracteristica static pentru
conducia n sens direct(fig. 15).
Fig.15
Ultima particularitate este cea mai important proprietate a diodei tunel.
Ea se datorete efectului tunel. Efectul tunel este fenomenul prin care un
electron care posed o energie mai mic dect cea corespunztoare barierei
de potenial(U
b
) reuete s treac totui dincolo de aceasta. Trecerea nu se
face peste barier, ca la diodele obinuite, ci prin aceasta ca printr-un tunel.
Pe aceast poriune a caracteristicii statice, dioda tunel se prezint ca un
dispozitiv activ, ceea ce permite folosirea sa ca element amplificator sau ca
generator de oscilaii electrice.
Avantajele diode tunel sunt legate de posibilitatea de funcionare la
frecvene ridicate, n limite largi de temperatur, nivelul sczut al zgomotelor
proprii, dimensiuni mici, slaba sensibilitate la radiaii nucleare, consum de
energie redus, robustee mecanic i durat mare de funcionare.
Parametrii principali ce caracterizeaz o diod tunel sunt: curentul
maxim I
M
, curentul minim I
m
, i tensiunile corespunztoare u
1
i u
2
, tensiunea
u
3
pentru care se obine curentul i= I
M
.
O alt particularitate a diodelor tunel, este legat de valoarea mic a
tensiunilor de polarizare i foarte bine stabilizate, care ridic unele greuti din
punct de vedere practic.
Schema echivalent pentru semnale mici
Pentru cazul funcionrii n poriunea de rezisten negativ schema
echivalent este prezentat n fig.16. Rezistena de pierderi r
p
variaz n limite
largi i depinde de frecven ca urmare a efectului pelicular, conform relaiei.
Fig.16
(28)
Unde:
A un coeficient ce depinde de construcia diodei tunel, materiale
utilizate;
r
0
rezistena de pierderi n curent continuu.
Capacitatea jonciunii p-n (C
D
) este format din capacitatea de barier i
cea de difuzie. Deoarece capacitatea de difuzie este foarte mic putem
considera c C
D
este dat de capacitatea de barier
(29)
Unde C
B0
capacitatea de barier la echilibrul termic;
U
B
potenialul barierei(U
B
1V).
n limitele poriunii cu rezisten negativ de la I
M
la I
m
variaia relativ a
capacitii diodei tunel este:
(30)
Rezistena diferenial negariv r
n
= du / di, este determinat de panta
caracteristicii statice n punctul de funcionare, avnd valoarea minim n
punctul de inflexiune A. Aceast valoare depinde de tipul diodei tunel.
Pentru diodele tunel de foarte nalt frecven valoarea rezistenei
negative este de ordinul zeilor de ohmi. Inductana bornelor(L) trebuie s fie
ct mai mic deoarece datorit ei pot apare oscilaii parazite.
Impedana diodei tunel, determinat din schema echivalent este:
(31)
Care dup raionalizarea numitorului devine.
(32)
Unde:
Pentru majoritatea diodelor tunel, inductana L se poate neglija. n acest
caz schema echivalent devine:
Fig.17.
Impedana acestei scheme este:
(33)
Cele dou scheme vor fi echivalente dac este satisfcut egalitatea:
adic:
(34)
(35)
unde:
(36)
(37)
Din raportul relaiilor 34 i 35 rezult:
unde:
(38)
iar:
(39)
rezistena echivalent rezult din relaia 34 :
(40)
innd cont de relaiile 34 i 39 relaia de mai sus devine:
(41)
Diodele tunel se folosesc la realizarea amplificatoarelor de microunde cu
nivel de zgomot mic.
LECIA VITRANZISTORUL BIPOLAR.
Structura i caracteristicile statice
Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone semiconductoare
extrinseci (pnp sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Ea este
prezentat schematic n fig.1.a i ceva mai aproape de structura real n
fig.1.b. Fiecare zon are un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele
trei terminale se numesc emitor E, baz B i colector C. Denumirile
sugereaz funcia pe care o ndeplinete fiecare dintre cele trei zone: emitorul
este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colecteaz sarcinile
electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcin care ajunge la colector.
Dup acelai criteriu, cele dou jonciuni se numesc emitoare, respectiv
colectoare.
Fig.1.
O astfel de structur se numete bipolar deoarece la conducia electric
particip sarcini electrice de ambele polariti, goluri i electroni, cu contribuii
diferite la curent n funcie de tipul de tranzistor. n funcie de ordinea zonelor,
tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile lor sunt prezentate n
fig.2.
Fig.2.
Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou
particulariti:
1 emitorul este mult mai puternic dopat dect baza
2 lrgimea fizic a bazei este mult mai mic dect lungimea de difuzie
a purttorilor majoritari din emitor (aprox. 10m)
Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector, jonciunea
emitoare trebuie polarizat n sens direct iar jonciunea colectoare n sens
invers. Un circuit de polarizare a jonciunilor unui tranzistor de tip pnp este
prezentat n fig.3.a. n practic polarizarea jonciunilor se face cu o singur
surs de alimentare.
Fig.3.
n fig.3.b se poate observa modul n care purttorii de sarcin din
semiconductor contribuie la formarea curenilor exteriori msurabili: curentul
de emitor - I
E
, curentul de colector I
C
i curentul de baz I
B
. Trebuie s
subliniem nc odat faptul c la curentul prin tranzistor particip purttori de
ambele polariti, n timp ce la curenii exteriori particip exclusiv electronii de
conducie din metal.
Golurile, care sunt purttorii majoritari n emitor, sunt accelerate n cmpul de
polarizare direct a jonciunii emitoare i, n marea lor majoritate, vor traversa
baza i vor fi preluate de cmpul electric de polarizare invers a jonciunii
colectoare. Fraciunea din curentul de emitor care contribuie la formarea
curentului de colector este notat cu . se numete factor de curent i
valorile lui sunt foarte apropiate de 1: 99,097,0. Datorit slabei dopri a
bazei i a lrgimii ei foarte mici, doar o mic parte din golurile care pleac din
emitor se vor recombina cu electronii din baz. Curentul I
E
mpreun cu
curentul de purttori minoritari, I
CBo
, care traverseaz jonciunea colectoare
polarizat invers, vor forma curentul de colector, I
C
. Astfel, pot fi scrise
urmtoarele relaii ntre curenii msurabili:
(1)
(2)
nlocuind expresia curentului de emitor (1) n relaia (2) i exprimnd
curentul de colector, se obine:
(3)
Coeficientul de multiplicare a curentului de baz se noteaz cu i se
numete factor de amplificare static (sau factor de amplificare a
curentului continuu) i este supraunitar:
(4)
Astfel, dependena curentului de colector de curentul de baz poate fi
exprimat sub forma:
(5)
Relaia (5) indic dependena intensitii curentului de colector de
intensitatea curentului de baz. De aici se poate vedea c tranzistorul
bipolar este un element activ comandat n curent.
Deoarece curentul de purttori minoritari I
CBo
este foarte mic (sub 1A),
n practic se poate folosi cu bun aproximaie relaia:


Ecuaiile (1), (2) i (4) descriu funcionarea tranzistorului n curent continuu
(regimul static) i, mpreun cu legile lui Kirchhoff, permit calcularea valorilor
rezistenelor din circuitul exterior de polarizare, precum i a punctului static de
funcionare caracterizat de patru parametrii: U
BEo
, I
Bo
, U
CEo
i I
Co
.
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dac unul dintre
terminalele sale va face parte att din circuitul de intrare ct i din cel de
ieire. De regul, terminalul respectiv este conectat la borna de potenial nul
(masa circuitului). Astfel, exist trei conexiuni posibile ale tranzistorului ntr-un
circuit:
1 conexiunea emitor comun fig.4.a
2 conexiunea baz comun fig.4.b
3 conexiunea colector comun fig.4.c
Fig.4.
Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieire i de transfer diferii.
Dintre ele, cea mai folosit este conexiunea emitor comun i de aceea n
continuare ne vom axa n principal asupra ei, analiznd-o att n regim static
ct i n regim dinamic.
Fig.5.
Mrimile de intrare i cele de ieire pentru conexiunea emitor comun
sunt prezentate n Fig.5. Modificarea valorii oricreia dintre ele conduce la
modificarea celorlalte trei. Datorit acestui lucru nu mai putem vorbi despre o
singur caracteristic volt-amperic, cum a fost n cazul diodei, ci de familii de
caracteristici statice de intrare, ieire i de transfer.
CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
In cazul neglijarii rezistentelor domeniilor semiconductoare, tensiunile de
polarizare se aplic direct pe jonciunile unui tranzistor numai la conexiunea
BC. Ca urmare relaiile care dau dependena dintre curenii din tranzistor i
tensiunile aplicate pe jonctiuni se pot aplica direct sub forma obinut doar la
aceasta conexiune.
In general, curenii dintr-un tranzistor real difer de curenii din
tranzistorul intern, n primul rnd datorit faptului c tensiunile care ajung pe
jonciuni difer de tensiunile aplicate ntre electrozi, iar asupra componentelor
curenilor s-au fcut ipoteze simplificatoare cnd s-au dedus ecuatiile Ebers-
Moll.
Aceste ecuatii sunt utile pentru a inelege forma real a dependentei
curenilor din tranzistor de tensiunile aplicate ntre electrozi i pentru c pun in
eviden parametrii fizici i constructivi i posibilitatea modificrii acestora n
scopul realizrii unor anumite caracteristici pentru tranzistor.
Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaz
caracteristicile statice ridicate experimental. Exista trei tipuri de caracteristici
in TB:
a. caracteristicile de intrare care coreleaz dou mrimi de intrare,
parametru fiind o mrime de ieire;
b. caracteristicile de transfer care coreleaz o marime de ieire cu una de
intrare, ca parametru putnd fi, n principiu, oricare alt mrime;
c. caracteristicile de ieire care coreleaz dou mrimi de ieire, parametru
fiind o mrime de intrare.
Intruct caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, n
cele ce urmeaz le prezentm pe cele corespunztoare conexiunii EC.
Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare in
conexiunea EC
Vom considera cazul unui TB npn de mic putere. In schema EC,
tensiunile au ca nivel de referin potenialul emitorului. Ca mrimi de intrare
avem: V
BE
= V
EB
si I
B
, iar ca mrimi de ieire pe V
CE
i I
C
.

a) Caracteristici de intrare
Considerm caracteristica I
B
= I
B
(V
BE
) cu V
CE
= ct. In figura 6 sunt
reprezentate caracteristicile de intrare tipice pentru un TB cu Si.
Fig. 6 Caracteristica statica de intrare I
B
= I
B
(V
BE
) cu V
CE
= ct. (conexiune EC)
Examinnd caracteristicile, observm c dac plecm de la V
BE
= 0 i
mrind valoarea acestei tensiuni, curentul I
B
este practic nul pn la o anumit
valoare V
BED
= (V
BE,on
= V ) numit _ tensiune de deschidere sau de prag. In
jurul acestei valori curentul crete exponenial cu V
BE
, dup care variaia
acestuia poate fi considerat practic liniar.
Se definete rezistena diferenial de intrare a tranzistoruluiin montaj
EC cu relaia:
(6)
Trebuie remarcat c TB n montaj EC, datorit variaiilor mici al lui I
B
,
posed o rezisten diferenial de intrare de valoare mare (mii de ) spre _
deosebire de cazul montajului BC pentru care R
in,BC
are o valoare foarte mica
(zeci de ). _
b) Caracteristici de transfer
Consideram caracteristica I
C
= I
C
(I
B
) pentru V
CE
= ct. (fig. 7).
Fig. 7 Caracteristica de transfer (conexiune EC) I
C
= I
C
(I
B
) pentru V
CE
= ct.
In regiunea valorilor medii ale curenilor dependena experimental I
C
= I
C
(I
B
)
este cvasiliniar, astfel nct n zona acestor cureni
(7)
poate fi considerat constant.
c) Caracteristici de ieire
In figura 8 este reprezentat familia caracteristicilor experimentale de
ieire I
C
= I
C
(V
CE
) cu I
B
= ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.
Fig. 8. Caracteristicile de iesire I
C
= I
C
(V
CE
) cu I
B
= ct.
Caracteristica I
B
= 0 nu este, de fapt, limita regiunii de tiere. Pentru a bloca
tranzistorul este necesar blocarea jonctiunii emitorului. In acest caz pentru TB
I
C
este egal cu I
CE0
. Funcionarea TB n regim de saturaie este intlnit frecvent
n circuitele digitale, deoarece n aceasta regiune se asigur o tensiune de
ieire bine specificat care reprezint o stare logica. In circuitele analogice se
evit n mod uzual regiunea de saturaie, deoarece factorul de amplificare al TB
este foarte mic.
2) Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului
Considerm caracteristica de transfer I
C
= I
C
(V
BE
) pentru tranzistorul npn cu
Ge, respectiv cu Si (fig. 9).
a b
Fig. 9. Valori tipice ale tensiunilor pe jonciunile tranzistorului npn
Tensiune [V]
Tip tranzistor
V
CE,sat
V
BE,sat
= V V
BE,reg.activ
V
BED
(V ) e
V
BE,taiere
Si 0,2 0,8 0,7 0,5 0,0
Ge 0,1 0,3 0,2 0,1 0,1
O alt caracteristic important a tranzistorului bipolar este
caracteristica de transfer n tensiune, pe baza creia se definesc i
regimurile posibile de funcionare ale lui. n fig.7.a este prezentat o schem
posibil pentru trasarea acestei caracteristici iar n fig.7.b este artat aspectul
ei.
Fig.7.
Discuia asupra comportrii tranzistorului se poate face dac considerm
comportamentul celor dou jonciuni asemntor comportamentului unor
diode. Vom numi n continuare jonciunea emitoare drept dioda emitor, D
E
, iar
jonciunea colectoare drept dioda colector, D
C
.
Pentru tensiuni U
BE
mai mici dect tensiunea de deschidere a diodei emitor,
ntre emitor i colector nu poate circula nici un curent, cderea de tensiune pe
rezistena R
c
este nul i U
CE
= E
c
. n acest interval de tensiuni de intrare
tranzistorul este blocat, ntre colector i emitor el acionnd ca un ntreruptor
deschis. Odat cu creterea tensiunii de intrare, dioda emitor se va deschide i
va permite curgerea electronilor ntre emitor i colector peste dioda colector
polarizat invers. Tensiunea U
CE
va ncepe s scad foarte rapid, deoarece
crete cderea de tensiune pe R
c
, n condiiile n care tensiunea de alimentare,
E
c
, este pstrat constant
Curentul de colector va crete i tensiunea U
CE
se va micora pn cnd
se ajunge n regimul de saturaie (cantitatea de sarcin disponibil nu este
nelimitat) n care ambele diode, emitor i colector, sunt n stare de conducie.
Acest regim de lucru se numete saturat. n regimul saturat tensiunea
ntre colector i emitor este foarte mic:
Ea se numete tensiune colector-emitor de saturaie, U
CEsat
.
Zona de tranziie dintre regimurile blocat i saturat se numete zona
activ. n zona activ curentul de colector i tensiunea de ieire pot fi
controlate de ctre tensiunea de intrare i implicit de ctre curentul de baz.
regimul blocat D
E
i D
C
- blocate,
I
C
= 0, U
CE
= E
c
regimul n zona activ D
E
conducie, D
C
blocat,

regimul saturat: D
E
i D
C
conducie,

Regimul de funcionare n zona activ este folosit atunci cnd tranzistorul
se afl ntr-o schem de prelucrare a semnalelor, de amplificare sau
generatoare de oscilaii armonice. Atunci cnd tranzistorul trece foarte rapid
prin zona activ, lucrnd ntre starea de blocare i cea de saturaie i invers, se
spune despre el c lucreaz n regim de comutaie (n circuitele digitale, de
exemplu).
Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate i pe
graficul reprezentnd familia de caracteristici I
C
= I
C
(U
CE
), aa cum se poate
observa n fig.8.
Fig.8.
Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se afl i puterea
maxim pe care el o poate disipa fr a atinge temperaturi la care s-ar
distruge. Produsul I
C
U
CE
nu poate depi aceast valoare care este diferit n
funcie de tipul de tranzistor. Zona n care puterea disipat pe tranzistor ar fi
mai mare dect puterea maxim admis este i ea vizualizat pe
reprezentarea grafic din fig.8.
Polarizarea tranzistorului bipolar
Polarizarea cu divizor de tensiune n baz
Pentru a funciona n zona activ i a fi folosit ntr-o schem de
amplificare de exemplu, jonciunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate n
curent continuu astfel nct jonciunea emitoare s fie polarizat direct iar
jonciunea colectoare s fie polarizat invers. Polarizarea se face de la o
singur surs de alimentare, existnd mai multe scheme folosite n acest scop.
Una dintre cele mai utilizate scheme de polarizare n curent continuu este cea
cu divizor de tensiune n baza tranzistorului, schem prezentat n fig.9.
Fig.9.
Practic, problema se pune n felul urmtor: cunoatem tipul de tranzistor
folosit i dorim polarizarea jonciunilor sale astfel nct el s lucreze ntr-un
anumit punct static de funcionare. Evident, se cunoate i tensiunea de
alimentare folosit. Pentru calcularea valorilor rezistenelor din circuitul de
polarizare se folosesc pe de o parte ecuaiile de legtur dintre curenii care
intr i ies din tranzistor, n care se poate neglija influena curentului I
CBo
mult
mai mic dect ceilali cureni:
(6)
(7)
(8)
i pe de alt parte, ecuaiile pe care le scriem pe baza aplicrii legilor lui
Kirchhoff n circuitul de polarizare:
(9)
(10)
(11)
(12)
Desigur, pare destul de complicat rezolvarea unui sistem de apte
ecuaii n care s-ar putea s avem mai mult dect apte necunoscute. Practic
ns lucrurile se pot simplifica dac tim cam n ce domenii de valori trebuie s
se ncadreze valorile rezistenelor din circuitul de polarizare. Iat care sunt
acestea:
R
1
, zeci sute de k
R
2
, k zeci de k
R
c
< 10k

Valorile rezistenelor R
1
i R
2
sunt mai mari dect ale celorlalte pentru a
consuma ct mai puin curent de la sursa de alimentare, dar totodat ele
trebuie s asigure polarizarea bazei astfel nct jonciunea emitor s fie n stare
de conducie (uzual 0,65V pentru Si).
Valoarea rezistenei R
E
trebuie s fie ct mai mic posibil pentru a
consuma ct mai puin. Teoretic ea poate s lipseasc i emitorul s fie
conectat direct la mas. Practic ns ea este necesar pentru stabilizarea
termic a punctului static de funcionare. Vom vedea acest lucru peste cteva
paragrafe.
Valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului, R
c
, reprezint i sarcina
tranzistorului atunci cnd acesta lucreaz ca element activ n circuitele de
amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maxim este limitat de
condiia de conducie a tranzistorului. Pentru o valoare prea mare, cderea de
tensiune pe ea poate fi att de mare la un curent de colector mic nct s nu
permit trecerea tranzistorului n stare de conducie.
De cele mai multe ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaii al
circuitului de polarizare vom fi nevoii ca valoarea uneia dintre rezistene s o
alegem pe baza observaiilor de mai sus.
S aplicm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenelor dintr-un circuit
de polarizare n curent continuu a tranzistorului bipolar pe un exemplu
concret. Presupunem c avem un tranzistor cu = 100, pe care dorim s-l
polarizm n curent continuu astfel nct el s lucreze n zona activ avnd I
C
=
2mA, U
CE
= 5V i U
EB
= 0,65V. Tensiunea de alimentare este E
C
= 10V.
Neglijnd curentul rezidual prin jonciunea baz-colector, din ecuaia (6)
putem calcula curentul de baz:
1
Cunoscnd curentul de baz, din ecuaia (7) calculm curentul de emitor:
Rezistena de emitor o putem calcula din relaia recomandat anterior:
Din ecuaia (9) calculm valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului:
Potenialul bazei fa de mas, V
B
= I
2
R
2
, putem s-l calculm din ecuaia
(12):
Alegnd pentru rezistena R
2
valoarea:
se poate calcula valoarea curentului I
2
:
n sfrit, din ecuaiile (10) i (11) poate fi calculat valoarea rezistenei R
Avnd n vedere valorile standardizate ale rezistenelor de uz general,
vom alege urmtoarele valori pentru cele patru rezistene de polarizare ale
tranzistorului: R
C
= 2k, R
E
= 500, R
1
= 47k i R
2
= 10k.
Ecuaia (3.9) poate fi rescris n modul urmtor:
(13)
n care mrimile variabile sunt I
C
i U
CE
, celelalte fiind constante. Ea reprezint
ecuaia dreptei de sarcin n curent continuu i va determina poziia
punctului static de funcionare, aa dup cum se poate vedea n fig.10.
Fig.10.
Din ea se poate observa c dac tensiunea de alimentare i valorile
rezistenelor de polarizare sunt constante, poziia punctului static de
funcionare poate fi schimbat modificnd mrimea curentului de baz. Aadar,
punctul static de funcionare al tranzistorului se mai poate defini ca fiind
intersecia dintre dreapta de sarcin n curent continuu i caracteristica de
ieire corespunztoare unui curent de baz prestabilit.
3.2.2 Stabilizarea termic a punctului static de funcionare
Conductibilitatea electric a materialelor semiconductoare este puternic
dependent de temperatura mediului n care acestea lucreaz. O variaie de
temperatur determin o variaie relativ mult mai mare a densitii de
purttori minoritari dect variaia relativ a densitii de purttori majoritari.
De aceea, n cazul tranzistorului bipolar, o cretere a temperaturii va determina
o cretere relativ semnificativ a curentului rezidual (curent de purttori
minoritari) prin jonciunea baz colector, I
CBo
. Conform relaiei (3.2) aceasta va
determina creterea curentului de colector care, la rndul ei va determina o
cretere suplimentar a temperaturii jonciunii, dup care fenomenul se repet
ca o reacie n lan, rezultnd fenomenul de ambalare termic. Procesul
poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:
Sigur c dac temperatura ambiant se va micora fenomenul nceteaz.
Aceste variaii de temperatur vor determina i instabilitatea punctului static
de funcionare, care este definit i de curentul de colector, I
C
.
Pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare prezena
rezistenelor R
E
i R
2
n circuitul de polarizare a tranzistorului este obligatorie.
Rolul lor n acest proces poate fi observat pe baza schemei simplificate
prezentate n fig.11.
Fig.11.
Prezena divizorului de tensiune n baza tranzistorului asigur un
potenial relativ constant al bazei acestuia n raport cu masa, rezistenele fiind
mult mai puin sensibile la variaiile de temperatur dect semiconductorii.
Neglijnd contribuia curentului de baz, vom avea I
C
= I
E
. Aceasta nsemn c
o cretere a curentului de colector, datorat creterii temperaturii, va
determina o cretere asemntoare a curentului de emitor i implicit o cretere
a cderii de tensiune pe rezistena R
E
. Deoarece potenialul bazei fa de mas
este constant, tensiunea pe jonciunea emitor va trebui s scad. Scderea lui
U
BE
va determina scderea curentului de emitor, deci i a celui de colector i
fenomenul se atenueaz. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:
De fapt, prezena rezistenei R
E
n circuitul de polarizare determin o
reacie negativ n curent continuu. Ce este reacia n general i reacia
negativ n particular vom vedea ceva mai trziu.
3.2.3 Polarizarea prin curentul de baz
Polarizarea jonciunilor tranzistorului se poate realiza i fr divizor de
tensiune n baz, folosindu-ne de existena curentului de baz. O astfel de
schem de polarizare este prezentat n fig.12
Fig.12.
Din sistemul de ecuaii (6) (12), ecuaiile (10) i (12) vor fi nlocuite cu
ecuaia:
(14)
Deoarece curentul de baz este foarte mic (A sau zeci de A), valoarea
rezistenei R
1
trebuie sa fie de cteva sute de k sau chiar 1 M, pentru a avea
pe ea o cdere de tensiune care s asigure un potenial pe baz capabil s
deschid jonciunea baz-emitor. Avantajul acestei modaliti de polarizare
este acela c, n absena rezistenei R
2
, impedana de intrare este mai mare (n
regim de variaii rezistenele R
1
i R
2
apar conectate n paralel la mas ne vom
convinge de acest adevr ceva mai trziu). Dezavantajul este o stabilitate
mai mic la variaiile de temperatur datorit absenei rezistenei R
2
.
Importana curentului de baz
n ecuaiile (9) (12), scrise pentru schema de polarizare din fig.9, am
neglijat curentul de baz, I
B
, n raport cu cel de colector i cel de emitor. n
multe situaii practice erorile provocate de aceast aproximaie sunt
neglijabile. Dac ns tranzistorul se afl n conducie puternic, intensitatea
curentului de baz ajunge la cteva zeci de A i influena sa asupra punctului
static de funcionare nu mai poate fi neglijat. Aceast afirmaie poate
demonstrat pe baza schemei concrete de polarizare cu divizor de tensiune n
baz prezentat n fig.13.
Fig.13.
Dac I
B
= 0, atunci potenialul fa de mas al bazei este:
Dac I
B
= 5 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:
o valoare care n prim aproximaie poate fi neglijat.
Dac I
B
= 50 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:
o valoare care de data aceasta nu mai poate fi neglijat.
Rmne deci la latitudinea proiectantului cnd poate neglija influena
curentului de baz asupra punctului static de funcionare i cnd nu.
Regimul dinamic al tranzistorului bipolar
Am vzut c tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.5
pentru conexiunea emitor comun). n multe aplicaii practice, la intrarea
cuadrupolului se aplic un semnal variabil n timp (n particular el poate fi i un
semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja n curent continuu ntr-un
punct de funcionare static. Astfel, peste potenialele statice (fixe) se vor
suprapune i potenialele datorate cmpului variabil determinat de semnalul de
intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la dou regimuri de funcionare:
regimul static, pe care l-am analizat anterior i regimul dinamic.
Analiza regimului dinamic este o problem complex. Ea poate fi ns
simplificat dac facem urmtoarele presupuneri:
1 pe toat durat aplicrii semnalului variabil la intrare, punctul de
funcionare nu prsete poriunea de caracteristic de transfer
corespunztoare zonei active de funcionare (fig.7.b).
2 pe aceast poriune caracteristica de transfer este liniar.
Deci, modelul pe care-l vom prezenta n continuare este unul liniar.
n fig.14 este prezentat un tranzistor de tip npn n conexiune emitor
comun, privit ca un cuadrupol.
Fig.14.
Presupunem c el a fost polarizat n curent continuu ntr-un punct static
de funcionare aflat n zona activ, caracterizat de valorile.: U
BEo
, I
Bo
, U
CEo
i I
Co
.
Presupunem de asemenea c la intrarea cuadrupolului apare la un moment dat
o variaie a tensiunii dintre baza i emitorul tranzistorului, u
be
, datorat
semnalului aplicat. Sensul sgeii ne indic faptul ca la momentul considerat
potenialul variabil al bazei este mai mare dect cel al emitorului. Creterea de
potenial se adaug potenialului static al bazei, ceea ce determin o cretere a
curentului de baz cu valoarea i
b
. Creterea curentului de baz va determina
creterea curentului de colector cu valoarea i
c
i variaia corespunztoare,
u
ce
, a tensiunii colector-emitor.
Vom considera, ca i n cazul definirii parametrilor statici, drept variabile
independente curentul de baz i tensiunea colector-emitor, astfel nct vom
avea funciile:
(15)
(16)
]Difereniind cele dou funcii obinem:
(17)
(18)
Pe baza ecuaiilor (17) i (18) se definesc parametrii h, sau parametrii
hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:
] (19)
(20)
(21)
(22)
Pe baza ecuaiilor (17) i (18) se definesc parametrii h, sau parametrii
hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:
(23)
(24)
Ecuaia (23) are semnificaia unei sume algebrice de tensiuni iar ecuaia
(24) a unei sume algebrice de cureni. Cele dou ecuaii reprezint aplicarea
legilor lui Kirchhoff pe intrarea, respectiv pe ieirea cuadrupolului tranzistor.
Pornind de la ele poate fi construit schema electric echivalent din fig.15.
Fig.15.
Analiznd acest schem i cunoscnd relaiile de definiie (19) (22) a
parametrilor hibrizi, se pot stabili semnificaiile fizice ale acestora. Le
menionm n continuare, mpreun cu ordinele lor de mrime:
h
11
impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit, sute - k
h
12
factorul de transfer invers n tensiune cu intrarea n gol, 10
-3
10
-4
h
21
factorul de amplificare dinamic n curent cu ieirea n scurt, 10
1

10
2
h
22
admitana de ieire cu intrarea n gol, 512210h
Pentru a nu rmne cu impresia c tot ce am vzut pn acum este doar
o teorie frumoas, trebuie s menionm faptul c parametrii h sunt mrimi
caracteristice fiecrui tip de tranzistor i c ei sunt precizai n cataloage de
ctre firmele productoare. Cunoscnd valorile lor concrete, pentru analizarea
regimului dinamic al unui circuit care conine un tranzistor noi l putem nlocui
cu schema din fig.3.15 rezultnd o schem echivalent a ntregului circuit.
Aceast schem va conine doar elemente de circuit simple (surse de curent i
tensiune, rezistene, condensatori, bobine) a cror comportare o cunoatem i
putem face analiza teoretic a comportrii circuitului.
Circuitul echivalent natural - hibrid (Giacoletto)
Fig.16
Este cel mai utilizat circuit echivalent de semnal mic, valabil n toate
conexiunile n care poate funciona tranzistorul bipolar. Elementele sale au
semnificaii fizice clare, nu depind de frecven i pot fi determinate uor
experimental. Parametrii principali ai circuitului cU- hibrid sunt:
Transconductana (panta):
(25)
Rezistena de intrare:
(26)
Rezistena de ieire:
(27)
unde: U
A
este tensiunea Early.
Rezistena de reacie (colector-baz):
(28)
CARACTERISTICA DE FRECVENTA A TB
Structura circuitului echivalent de semnal mic (fig. 17) arat ca
funcionarea TB este, n general, dependena de frecven. Pentru
caracterizarea TB n raport cu frecvena se ia n considerare amplificarea de
curent cu ieirea n scurtcircuit, care este, n general, un parametru complex,
dependent de frecvena semnalului f (sau ). El se definete prin relaia:
, (29)
adic, este raportul dintre curentul de ieire din TB, care pentru conexiunea EC
este I
c
i curentul de intrare n TB care, pentru aceeai conexiune este I
b
, cnd
ieirea este scurtcircuitat (tensiunea de semnal colector-emitor nul), aa
cum se prezinta n figura 17.
Fig. 17. Circuitul echivalent al TB prin scurtcircuitarea ieirii
Datorit scurtcircuitului dintre c i e, C
'
este conectat intre b i c, deci
n paralel cu C

, ceea ce nseamn c tensiunea pe C

'
este V
be
i, de
asemenea, curentul prin r
o
este nul. Rezult, aplicnd teorema I a lui Kirchhoff,
c:
I
C
= g
m
V
be
j C ' V
be
= (g
m
j C ) ' V
be
. (30)
Dar pentru frecvenele de lucru ale TB g
m
>> C
'
, deci
I
C
g _
m
V
be
. (31)
De asemenea, pentru c i e scurtcircuitate, avem:
V
be
= . (32)
Din relaiile (30), (31) i (32) rezult:
. (33)
Dar g
m
r = _
F
= _
0
= A
I
(0) este amplificarea la frecvene joase, deci:
. (34)
Modulul amplificrii, ca funcie de frecven,
(35)
constituie caracteristica de frecven a TB i este reprezentat grafic in figura
18.
Fig. 18. Caracteristica de frecven a TB
Este de dorit ca aceasta caracteristic a TB s fie o dreapt paralel cu
axa frecvenei, adica s nu depind de frecven pn la frecvene ct mai
nalte, ceea ce ar arta c TB poate s amplifice constant semnale cuprinse
ntr-un spectru larg de frecvene. Practic, este cvasiconstant (apropiat de _
0
) pn la frecvene de ordinul 10
4
10
6
Hz i apoi scade treptat.
FRECVENTE LIMITA
Pentru caracterizarea prin parametri numerici a calitii TB n ceea ce
priveste comportarea sa cu frecvena se introduc aa-numitele frecvene
limit. Ele trebuie s indeplineasc condiia de a fi uor de msurat i
interpretabile fizic. Cele mai uzuale sunt:
o frecventa f

;
o frecventa de taiere fT;
o frecventa c.
Frecvena f

este frecventa la care scade la = 0,707 sau cu 3dB din

valoarea lui
0
. Aplicnd aceast definiie relaiei (36), avem:
, (36)
de unde
. (37)
Relaia (36) devine:
. (38)
La frecvene mai mari de 3-4 ori dect f
_
relaia (38) devine:
= _
0
. (39)
Frecvena de taiere f
T
este frecvena la care scade la valoarea 1.
Intotdeauna f
T
>> f , deci este valabil relaia (39), obinnd: _
= _
0
= 1
f
T
= _
0
f . (40) _
Frecvena f

este frecventa la care al amplificrii de curent cu ieirea n

scurtcircuit pentru conexiunea BC scade cu din valoarea
0
la joas
frecven. Procednd ca n cazul determinrii lui f
_
, se obtine:
f

_ _
0
f
_
. (41)
Prin urmare, f

este mult mai mare dect f

_
i de acelai ordin de marime cu
frecvena de taiere f
T
.
LECIA VII
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP TEC-J
Construcie i principiu de funcionare

Consideram cazul TEC cu canal n. Structura sa este prezentat n
seciunea din figura 1.
Fig.1.
Structura prezentat n figura 1 pune n eviden urmtoarele zone:
zonele n
+
difuzate n stratul epitaxial n, una din ele numit surs, iar
cealalt dren;
zona p
+
central numita gril sau poart care, impreun cu substratul p
+
delimiteaz canalul n.
In tranzistor iau natere dou jonciuni p - n, una ntre poart i canal, iar
a doua ntre substrat i canal.
Jonciunea poart canal este polarizat invers, iar grosimea regiunii
de sarcin spaial asociat acestei jonciuni face c seciunea conductiv a
canalului (regiunea n neutr) s fie mai mic dect distana dintre cele dou
jonciuni. Aceast seciune este controlabil electric prin diferena de potenial
care exist ntre poart i canal. In procesul de conducie electronii sunt emii
de surs i colectai de dren.
NOTA: i substratul p
+
poate fi folosit c gril. Dac se leag la acelai
potenial cu grila propriu-zis, cazul cel mai des ntlnit, atunci se obine un
efect de cmp" aproximativ simetric fa de axa longitudinal a dispozitivului.
Substratul poate fi folosit ns i c un al patrulea electrod de comand, caz n
care se obine tetroda cu efect de cmp.
TECJ are avantaje importante fa de TB, dintre care amintim:
dependena de temperatur a caracteristicilor mai redus, deoarece n
conducia TECJ nu mai intervin purttorii minoritari;
rezistena de intrare (pe electrodul gril) foarte mare (sute sau mii de
M ), datorit jonciunii grilei polarizate invers, lucru care este util n e
anumite aplicaii;
inexistena tensiunii de decalaj, adic tensiune drensurs nul pentru
curent de dren zero;
zgomot mai redus.
C dezavantaje putem aminti: TEC nu amplific n curent, iar amplificarea
n tensiune este mic n raport cu a TB. In circuitele electronice cu componente
discrete, dar i n anumite circuite integrate (de exemplu, n anumite
amplificatoare operaionale), TEC se ntlnete mpreun cu TB, exploatndu-
se avantajele ambelor tipuri de tranzistoare.
Tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciune sunt reprezentate n figura
2.
Fig. 2. Simbolul TECJ: a) cu canal n; b) cu canal p
Se remarc faptul c i n cazul TECJ sgeata desemneaz o jonciune p-n
(sensul este de la semiconductorul p la semiconductorul n).
Curentul de gril i
G
este foarte mic (de ordinul nanoamperilor) i va fi
considerat practic nul.
Caracteristicile statice ale TECJ
TECJ are urmtoarele tipuri de caracteristici statice:
o caracteristicile de ieire I
D
= I
D
(V
DS
) cu V
GS
= ct.;
o caracteristicile de transfer I
D
= I
D
(V
GS
) cu V
DS
= ct.
a) Modelul simetric idealizat
Analiza funcionrii o facem pentru TECJ cu canal n, comportarea
tranzistorului cu canal p fiind analoga. Pentru studiul funcionrii TECJ cu canal
n, vom utiliza modelul simetric idealizat din figura 3.
Fig. 3. Modelul simetric idealizat al TECJ
b) Funcionarea la tensiuni dren-surs mici
Admind v
DS
0, potenialul canalului n neutru este uniform i practic ;
egal cu potenialul de referin (al lui S). Ca urmare, variaia lrgimii regiunii de
sarcina spaial de-a lungul canalului va fi neglijabil, iar profilul canalului va fi
uniform (fig. 3).
Dac negativarea porii crete (v
GS
scade), atunci grosimea efectiva a
canalului, 2b, scade, datorit mririi regiunii de sarcin spaial. Grosimea
canalului devine nul pentru v
GS
= V
P
numit tensiune de prag sau de tiere
(blocare).
Plaja de tensiuni care corespunde funcionrii TECJ este:

V
P
< v
GS
< V . (1) e
Limita superioar, V este e tensiunea de deschidere a jonciunii p-n. In
mod obinuit se asigura funcionarea la v
GS
< 0.
Conductana G a canalului are expresia aproximativa
(2)
unde G
0
are semnificaia conductanei canalului la v
GS
= 0.
Caracteristicile statice I
D
= I
D
(V
DS
) cu V
GS
= const., la V
DS
mic sunt date de
relaia:
(3)
fiind reprezentate in figura 4. Caracteristic V
GS
= V
P
coincide cu axa orizontal
Fig. 4. Caracteristicile I
D
= I
D
(V
DS
) cu V
GS
= const. la V
DS
mic
TECJ este folosit n regiunea liniar de la tensiuni V
DS
mici (orientativ
sub 0,1 V), dar nu ca amplificator, ci ca rezisten controlat n tensiune. In
aceast zon conductana dren-surs g
d
este identic cu conductana G a
canalului i rezistenta drena-surs este r
d
= r
d
(V
GS
), unde V
GS
este
tensiunea continu gril-surs. Pentru calcule practice se poate aproxima r
d
cu
expresia empiric:
, (4)

unde r
0
este rezistena pentru V
GS
= 0, iar K o constant a tranzistorului.

c) Caracteristicile statice de dren

In figura 5 sunt reprezentate caracteristicile experimentale de dren I
D
= I
D
(V
DS
) pentru V
GS
= ct. ale unui tranzistor cu canal n. Aceste caracteristici
sunt liniare numai la tensiuni V
DS
foarte mici. Pentru tensiuni V
DS
mai mari se
disting: o zona neliniar, o zona de saturaie in care I
D
este foarte slab
dependent de V
DS
i o zon de strpungere, caracterizat printr-o cretere
abrupt a curentului.
Fig. 4.5. Caracteristicile de dren
Zona neliniar
Fig. 6. Profilul sarcinii spaiale din canal la o tensiune V
DS
< V
DS,sat
In figura 6. se arat o schi a profilului de sarcin spaial din canal la o
tensiune V
DS
< V
DS,sat
, unde V
DS,sat
este tensiunea V
DS
la care apare saturaia
curentului de drena. Potenialul canalului crete treptat de la surs la dren,
polariznd invers din ce n ce mai puternic poriunea corespunztoare a
jonciunii p-n poart-canal. Ca urmare canalul se ngusteaz treptat, pe msura
ce ne apropiem de drena. Datorita neuniformitii grosimii canalului, acesta nu
se mai comport ca o rezisten liniar. Acest lucru explic forma neliniar a
caracteristicilor, curbarea acestora fiind in sensul creterii rezistentei deoarece
cderea de tensiune V
DS
micoreaz seciunea conductiv a canalului.

Zona de saturaie
Urmarind mai departe o curba V
GS
= ct. in sensul creterii lui V
DS
, se constata
c de la o anumita valoare I
D
nu mai creste apreciabil cu V
DS
. Aceasta
corespunde saturaiei curentului. Prin definiie pentru V
DS
V 5
DS,sat
, I
D
= I
D,sat
.
Teoria arata c saturaia corespunde cazului n care canalul este strangulat
lng dren. Aceasta strangulare apare cnd diferena de potenial intre poarta
i extremitatea de lng drena a canalului este egala cu tensiunea de prag,
adic:

V
GS
V
DS,sat
= V
P
. (5)

Forma ideala" a caracteristicilor de drena, cu delimitarea zonei de saturaie
a curentului este data n figura 7
Fig. 7. Caracteristicile ideale" de drena
Pentru V
DS
> V
DS,sat
profilul sarcinii spaiale din canal este cel din figura 8.
Fig. 8. Profilul sarcinii spaiale din canal pentru V
DS
> V
DS,sat
Zona de strpungere
La tensiuni V
DS
mari apare o cretere abrupta a lui I
D
datorita strpungerii
prin multiplicare n avalan care apare la captul de lng dren al jonciunii
poarta-canal. Tensiunea de strpungere este V
(BR)DS
.
d) Caracteristica static de transfer
Dispozitivul este folosit c amplificator in zona v
DS
> V
DS,sat
. In aceasta
situatie i
D
= I
D,sat
, independent de v
DS
(vezi fig. 7). Ca urmare, tranzistorul,
lucrnd n zona de saturaie a curentului, are o unic caracteristic de transfer
I
D
= I
D
(V
GS
), independenta de V
DS
. Pentru calcule de circuit se folosete
aproximaia parabolic (fig. 9):
I
D
= I
D,sat
= I
DSS
, (6)
unde I
DSS
= .
Fig. 9. Caracteristica de transfer a TECJ
e) Efectul variaiei temperaturii
Odat cu creterea temperaturii, I
DSS
scade datorita scderii mobilitii
purttorilor de sarcin (o variaie relativ lent). De asemenea, V
P
scade cu
temperatura, astfel c apar modificri ale cacteristicii de transfer ca in figura
10.
Fig. 10. Modificarea cu temperatura a caracteristicii de transfer
Zona preferat de lucru a TECJ este cea de la cureni mari. Problema
ambalrii termice nu se pune n cazul TECJ.
POLARIZAREA TECJ
a) Schema de polarizare automata a porii este prezentat n figura 11.
Fig. 4.11. Polarizarea automat a porii
Polarizarea automata a porii fa de sursa este asigurata de cderea de
tensiune dat de curentul de sursa I
S
= I
D
pe rezistenta R
S
. Aceasta tensiune
este aplicat pe poarta prin rezistenta R
G
, care are valori de ordinul M . e
Punctul static de funcionare (PSF), n planul caracteristicii de transfer poate fi
determinat prin intersecia caracteristicii de transfer cu dreapta de polarizare a
crei ecuaie este:
V
GS
= R
ID
, (7)
as cum se arata in figura 12.
Fig. 12. Determinarea punctului static de funcionare al TECJ, folosind
caracteristic static de transfer
Observatie. Punctul static de funcionare al TECJ poate fi determinat
grafo-analitic folosind i caracteristicile statice de dren, prin intersecia cu
dreapta static de sarcin.
Datorita dispersiei caracteristicilor, caracteristica I
D
= I
D
(V
GS
) este ns nesigur.
In figura 4.13 sunt reprezentate caracteristicile de transfer extreme, care au n
vedere att dispersia de la un exemplar la celalalt, ct i variaia cu
temperatura pentru un anumit tip de tranzistor.
Sa presupunem c variaia lui I
D
corespunztor punctului static de
funcionare nu este tolerat dect intre I
A
i I
B
care determin punctele A i B
pe caracteristicile limit. Ca urmare, linia de polarizare trebuie sa treac printre
A i B, aa cum se vede n figura 4.13.
Fig. 4.13. Determinarea PSF al TECJ n condiiile cunoaterii unor limite ale
curentului de drena
b) Schema de polarizare cu divizor rezistiv pe poart
Atunci cnd variaia I c
D
= I
B
I
A
impusa este prea mic i nu se poate
gsi o linie de polarizare care sa treac corect printre punctele A i B i in
acelai timp prin origine, se folosete circuitul de polarizare modificat c in
figura 14, a, pentru a asigura:
V
GS
= V
GG
I
D
R
S
, (8)
unde V
GG
= .
a b
Fig. 14. Polarizarea cu divizor rezistiv a TECJ
Conform figurii 14, b, polarizarea tranzistorului respecta i condiia
impus asupra lui I
D
al PSF i anume, c aceasta s fie cuprins intre I
A
i I
B
.
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP CU GRILA IZOLATA
(TRANZISTORUL MOS)
Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic la care conducia
curentului electric se produce la suprafaa semiconductorului. Proprietile
conductive ale suprafeei semiconductorului sunt controlate de un cmp
electric ce ia natere ca urmare a aplicrii unei tensiuni pe electrodul poarta.
In figura 15 este reprezentata structura unui tranzistor MOS.
Fig.15.
Izolatorul folosit este un strat subire de oxid (SiO
2
) obinut prin
oxidarea termic a suprafeei de Si. Poarta este realizat, de regul, din
aluminiu, dar poate fi realizat i din alte materiale, ca de exemplu, Si
policristalin puternic dopat.
Conducia se realizeaz la suprafaa substratului de Si, ntre dou zone
de tip opus substratului, cele dou zone numindu-se surs (S) i dren (D).
In figura 15 substratul se consider de tip p, sursa i drena fiind de tip
n
+
. Pentru a se putea stabili un curent electric ntre surs i dren, suprafaa
semiconductorului trebuie inversat ca tip, adic s devin de tip n. In acest
fel, la suprafaa apare un canal de tip n care leag sursa de dren.
Inversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul
rezistivitii canalului se face prin cmpul electric ce ia natere prin aplicarea
tensiunii pe poart.
Cnd electrodul poart este lsat n gol sau i se aplic o tensiune
negativa (v
GS
< 0) n raport cu sursa, nu exist practic conducie ntre surs i
dren, deoarece regiunile sursei i drenei, impreun cu regiunea din substratul
semiconductor cuprins ntre aceste regiuni, formeaz dou jonciuni p - n
legate n opoziie, astfel c, indiferent de polaritatea tensiunii aplicate intre
surs i dren, una din jonciuni va fi polarizat invers, blocnd calea de
conducie ntre surs i dren.
Cnd poarta este pozitivat (v
GS
> 0) fa de surs i dren, n stratul de
oxid de sub electrodul poarta ia natere un cmp electric (fig. 16) orientat
dinspre metal (gril) spre semiconductor (substrat), cmp care respinge de la
interfa golurile, mrind concentraia electronilor minoritari. Peste o anumit
valoare V
P
a tensiunii v
GS
, numit tensiune de prag, concentraia electronilor la
interfa devine mai mare dect concentraia golurilor, adic s-a inversat tipul
de conductibilitate. Stratul superficial de la interfa, n care, sub aciunea
cmpului electric generat de tensiunea de gril, a fost inversat tipul de
conductibilitate a semiconductorului (n cazul de fa de la plan) se numete
strat de inversie sau canal indus (aici, canal n). Formndu-se stratul de inversie
ntre D i S, cu acelai tip de conductibilitate ca i regiunile respective, se
asigur conducia electric ntre dren i surs.
Fig. 16. Tranzistorul MOS cu grila pozitivata in raport cu sursa
Aplicnd atunci o tensiune v
DS
, prin circuitul de dren va trece un curent
i
D
cu sensul corespunztor polaritii lui v
DS
.
Dac dup formarea canalului mrim tensiunea v
GS
, conductana
canalului va crete, deoarece se mrete intensitatea cmpului electric i un
numr mai mare de electroni se acumuleaz n canal.
Prin urmare, conductana canalului va fi comandat de ctre v
GS
prin
intermediul cmpului electric dintre gril i substrat. Cu alte cuvinte, curentul i
D
este controlat de tensiunea v
GS
cnd aceasta depete valoarea de prag V
P
. In
jurul sursei, al drenei i al canalului apare o zona de sarcina spaial.
Tipuri de tranzistoare MOS. Simboluri
Tranzistorul MOS poate fi:
cu canal indus de: tip n (fig. 17, a);
tip p (fig. 17, b);
cu canal iniial de: tip n (fig. 17, c);
tip p (fig. 17, d).
Spre deosebire de tranzistoarele MOS cu canal indus, tranzistoarele MOS
mai pot fi i cu canal iniial. La acestea canalul exist chiar i cnd v
GS
= 0.
Tensiunea aplicat grilei, n funcie de polaritate, poate mri sau micora
conductana canalului.
a b c d
Fig. 17. Tranzistorul MOS: a) cu canal indus de tip n;
b) cu canal indus de tip p; c) cu canal initial de tip n; d) cu canal
initial de tip p
Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS
Consideram un tranzistor MOS cu canal indus de tip n. In figura 18 sunt
reprezentate caracteristicile statice de ieire si de transfer.
a b
Fig. 18. Caracteristicile statice: a) de iesire I
D
= I
D
(V
DS
) cu V
GS
= = ct.;
b) de transfer I
D
= I
D
(V
GS
) cu V
DS
= ct. > V
DS,sat
Pentru a urmri aciunea tensiunii V
DS
asupra tranzistorului MOS vom face o
reprezentare n seciune a acestuia pentru trei cazuri semnificative (fig. 19).
a b c
Fig. 19. Seciune prin tranzistorul MOS cu canal n pentru:
a) V
GS
> V
P
, V
DS
<< V
DS,sat
; b) V
GS
> V
P
, V
DS
= V
DS,sat
;
c) V
GS
> V
P
, V
DS
> V
DS,sat
In figura 19, a este reprezentat cazul cnd structurii i se aplic o tensiune
V
DS
<< V
DS,sat
, caz ce corespunde zonei liniare a caracteristicilor de ieire din fig.
18, a. Liniaritatea zonei se obine pentru valori ale lui V
DS
n jurul originii
(cteva zecimi de volt). In aceasta zon tranzistorul MOS se comport ca o
rezisten controlat n tensiune. Conductana canalului are expresia:

G = (v
GS
V
P
), (9)

iar curentul de drena:

i
D
= Gv
DS
= (v
GS
V
P
)v
DS
, (10)

unde este un factor (panta conductanei) msurat n mS/V.
Meninndu-l pe V
GS
constant la o valoare superioar lui V
P
i mrind V
DS
,
se constat c I
D
nu mai crete proporional cu V
DS
ci cu o rat mai mic, ceea
ce determin curbarea caracteristicii, iar la o anumit valoare V
DS,sat
, numit
tensiune dren-surs de saturaie, curentul atinge o valoare limita I
D,sat
, numit
curent de dren de saturaie i apoi nu mai crete practic cu V
DS
. De observat
c fiecrui V
GS
i corespund o valoare proprie V
DS,sat
, respectiv un curent propriu
I
D,sat
. Instalarea saturaiei se face la nchiderea canalului spre dren (punctul M)
(fig. 19, b) i este reprezentat pe caracteristicile statice de ieire ca o zon
aproape orizontal (fig. 18, a). In aceast zon
I
D
= I
D,sat
(V _
GS
V
P
)
2
, V
DS
V _
DS,sat
. (11)
Se observ c I
D,sat
nu depinde practic de V
DS
.
In planul caracteristicilor de ieire (fig. 4.20, a) am reprezentat prin curba
trasat cu linie intrerupt, locul geometric al punctelor care verifica ecuaia:
V
GS
V
DS,sat
= V
P
, (12)
curba care limiteaz la stnga regiunea de saturaie.
Creterea lent a curentului I
D
cu tensiunea V
DS
n regiunea de saturaie,
evideniat experimental, este determinat de deplasarea spre stnga a
punctului M (fig. 19, c). Micorndu-se lungimea canalului se mrete
conductivitatea acestuia i implicit i
D
.
La tensiuni de dren mari apare fenomenul de multiplicare in avalan a
purttorilor de sarcin n regiunea de sarcin spaial a jonciunii dren-
substrat, determinnd creterea brusc a curentului de dren, intrndu-se n
zona de strpungere a caracteristicilor de ieire (fig. 18, a).
In regiunea de saturaie, care este cea mai important n aplicaii,
dependena I
D
= I
D
(V
GS
) se reduce practic la o singur curb, caracteristica de
transfer prezentat n fig. 18, b.
Pentru un tranzistor MOS cu canal iniial n caracteristica de transfer este
reprezentat n figura 20.
Fig. 20. Caracteristica de transfer a unui tranzistor MOS cu canal
iniial n
Polarizarea tranzistorului MOS
a) Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus se poate folosi un circuit de
polarizare de tipul celui prezentat in figura 21, a.
a b
Fig. 21. Polarizarea tranzistorului MOS a) cu canal indus; b) cu canal
iniial
Tensiunea aplicat pe poart este determinat de divizorul rezistiv R
1
, R
2
:
V
GS
= V
DD
, (13)
care introdus n relaia (4.17) va duce la determinarea lui I
D
. Tensiunea dren-
surs este atunci:
V
DS
= V
DD
R
D
I
D
, (14)
rezultnd toate coordonatele punctului static de funcionare.
b) Pentru tranzistoarele MOS cu canal iniial trebuie folosit un circuit de tipul
celui din figura 21, b, deoarece acest tip de tranzistor necesita tensiuni V
GS
att
pozitive ct si negative. Se obine:
V
GS
= V
DD
R
S
I
D
, (15)
care, combinat cu (4.17), duce la determinarea lui I
D
.
Acest tip de polarizare se numete polarizare automat.
Nota: Circuitele de polarizare a tranzistoarelor MOS nu au, de regula,
sarcina stabilizarii termice a PSF, datorita dependentei slabe de
temperatura a caracteristicilor statice.
Modelele de semnal mic
In circuitele de amplificare tranzistorul MOS funcioneaz n regiunea de
saturaie a caracteristicilor statice.
a) Modelul de semnal mic pentru frecvente joase
La frecvente joase se poate adopta ipoteza cvasistaionar, potrivit creia
dependena ntre valorile instantanee ale mrimilor electrice este aceeai ca i
n curent continuu, adic:
i
D
(v _
GS
V
P
)
2
, v
DS
> V
DS,sat
. (16)
Atunci:
. (17)
Se definesc parametrii:
Conductana mutuala (transconductana):
(18)
Conductana de drena (de ieire):
. (19)
Rezistenta de drena .
Valorile tipice pentru g
m
sunt cuprinse intre 1 i 10 mS, iar pentru r
d
ntre 10
si 100 k .
Relaia (4.22) se poate transcrie n felul urmtor:
i
d
g _
m
v
gs
+ v
ds
(20)
Circuitul echivalent este cel din figura 22.
Fig. 22. Circuitul echivalent de semnal mic pentru frecvente joase
b) Modelul de semnal mic pentru frecvente nalte
La frecvente mari intervin capacitile structurii, C
gs
, C
gd
si C
ds
. Circuitul
echivalent este prezentat in figura 23.
Fig. 23. Circuitul echivalent de semnal mic pentru frecvente nalte
LECIA VIII
Consideraii teoretice
Tiristorul este o structur pnpn prevzut cu un electrod de comand, denumit
gril sau poart i notat pe schem cu GD (Gate = poart), fig.1.a.

Fig.1
Regiunile laterale sunt puternic dopate cu impuriti pe cnd cele
centrale sunt slab dopate cu impuriti. Tiristorul va conduce curent electric
numai de la regiunea exterioar de tip p, numit anod (A), la regiunea
exterioar de tip n, numit catod (K). Cel de-al treilea electrod, numit gril sau
poart si notat cu G, corespunde regiunii interne de tip p. Simbolul adoptat
pentru tiristor este dat n fig. 1.c.
Din structura tiristorului rezult c el are trei jonciuni: dou laterale,
notate cu J
1
i J
3
i una central notat cu J
2
, fig.1.a., cele trei jonciuni
corespunznd unor diode D
1
, D
2
, D
3
conectate ntr-o schem echivalent a
tiristorului ca cea din fig.1.b.
Pentru analiza funcionrii se consider catodul drept origine a
potenialelor, fig.2, i n funcie de polaritatea tensiunii U
AK
aplicat ntre anod i
catod se disting dou situaii:
1. Dac se aplic o tensiune U
AK
< 0 (cu polaritatea pozitiv pe catod i cu
cea negativ pe anod), n acest caz tiristorul se considera blocat, prin el
circulnd totui un curent rezidual invers I
R
de valoare foarte mic. Creterea
tensiunii U
AK
peste o anumit valoare notat cu U
BR
si numit tensiune de
strpungere conduce la distrugerea tiristorului.
fig.2
2. Dac se aplic tiristorului o tensiune U
AK
>0 (cu polaritatea pozitiv pe
anod i cu cea negativ pe catod) tiristorul continu s rmn blocat
deoarece cele doua jonciuni J
1
i J
3
(respectiv diodele D
1
si D
3
) vor fi polarizate
direct iar jonciunea J
2
(dioda D
2
) va fi polarizat invers. Totui n aceast
situaie exist dou posibiliti ca tiristorul s intre n conducie, i anume:
a) prin mrirea tensiunii U
AK
pn la valoarea tensiunii de autoaprindere,
notat cu U
B0
(care corespunde lui I
G
=0). Aceast metod de aprindere a
tiristorului nu este recomandat deoarece n cazul unor folosiri repetate
apare pericolul de distrugere a structurii semiconductorului.
b) prin injectarea unui curent I
G
n electrodul de comand, fig.3.a.
fig.3
n acest caz tiristorul se echivaleaz printr-o combinaie de dou
tranzistoare complementare, conectate ca n fig.3.b. Tranzistorul pnp (T
1
)
este echivalent regiunilor p
1
n
1
p
2
iar tranzistorul npn (T
2
) corespunde
regiunilor n
2
p
2
n
1
. Astfel, regiunea n
1
ndeplinete simultan funcia de baza a
lui T
1
si funcia de colector a lui T
2
, iar regiunea p
2
joac rolul de baz a lui
T
2
i colector lui T
3
. Folosind circuitul echivalent se pot scrie relaiile: I
A
= I
C1
+ I
C2

I
K
= I
A
+ I
G
Curenii I
C1
si I
C2
au
expresiile:
I
C2
= M(
2
I
K
+ I
C0
/2)
I
C1
= M (
1
I
A
+ I
C0
/2)
unde: M factor de multiplicare ntr-o jonciune polarizata invers, acelai
pentru ambele tranzistoare;
1
,
2
factori de transfer n curent ai
celor dou tranzistoare;
I
C0
curentul rezidual al jonciunii centrale (curent care ar trece
prin jonciune n absena celorlalte doua jonciuni). Eliminnd ntre
cele patru ecuaii pe I
C1
, I
C2
i I
K
rezulta:
La tensiunile anodice inferioare celei de strpungere M=1 i curentul
anodic are expresia:
Amorsarea tiristorului are loc atunci cnd curentul anodic dat de
relaia anterioar tinde s creasc la infinit, adic atunci cnd are loc
condiia:

1
+
2
=1
n acest caz curentul anodic poate lua orice valoare, limitat doar de parametrii
circuitului exterior, tiristorul trecnd n starea de conducie n salt. Dup
amorsare, electrodul de comand (poarta) nu mai poate influena curentul prin
tiristor deoarece I
G
<< I
A
.
Caracteristica static de funcionare a tiristorului, care reprezint
dependena I
A
=f(U
A
), pe care sunt definii parametrii electrici statici mai
importani, este dat n fig.4.
fig.4.
Pe aceasta caracteristica se pun in evidenta:
-caracteristica de blocare la polarizare direct (1), care corespunde
situaiei n care tiristorul este polarizat direct (anodul pozitiv i catodul negativ)
dar necomandat (I
G
=0).
1 n acest caz tiristorul este blocat, curentul prin el fiind foarte mic. Dac
se crete U
AK
curentul rmne n continuare redus, iar la atingerea valorii U
B0
numit tensiune de autoaprindere, are loc intrarea n conducie a tiristorului.
0 -caracteristica de conducie (2) este valabil dup ce tiristorul a intrat n
conducie. Curentul prin tiristor n momentul intrrii n conducie se numete
curent de acroaj al tiristorului i se noteaz cu I
L
. Dup acest punct curentul
prin tiristor creste aproximativ liniar, cu o pant foarte mare, care reprezint
rezistena circuitului n care tiristorul este montat i care limiteaz de fapt
acest curent.
1 Scznd valoarea tensiunii la bornele tiristorului se va observa c,
curentul prin tiristor se va menine nc sub valoarea de acroare I
L
si anume
pn la punctul notat I
H
numit curent de meninere. Dac n continuare
tensiunea la bornele tiristorului scade i mai mult, tiristorul se blocheaz
(I
A
=0). Tensiunea la care se blocheaz se noteaz cu U
T0
i se numete
tensiune de prag.
2 -caracteristica de blocare la polarizare inversa (3), numit i
caracteristic invers. La o mrime a tensiunii inverse aplicate, notat cu U
BR
se produce strpungerea tiristorului.
Caracteristica tiristorului prezint o poriune de rezisten negativa (AB),
care nu poate fi parcursa lent nici pentru valori mai mari ale rezistenei de
sarcin.
Amorsarea unui tiristor pe poarta presupune cunoaterea caracteristicii
de poarta i a limitrilor impuse jonciunii grila catod. In cataloage se
prezint de obicei zone de amorsare sigur a unui tiristor pe caracteristicile
de grila (conform fig.5.)
fig.5.
Modalitati de amorsare a tiristorului. Amorsarea pe poarta
Tensiunea de amorsare are intentionat valori mari pentru a nu putea fi
depasita accidental de tensiunile din circuitele cu care se lucreaza. Astfel, fara
curent de poarta, tiristorul nu poate fi amorsat si el este echivalent intre anod
si catod cu un circuit intrerupt. Amorsarea tiristorului trebuie sa fie facuta
numai la comanda in poarta. Din figura se observa cum cresterea curentului de
poarta micsoreaza valoarea tensiunii de amorsare. La o valoare a curentului de
poarta suficient de mare, caracteristica anod catod este identica practic cu
aceea a unei diode, fara sa se mai vada poraiunea de "intoarcere".
In aplicatiile practice curentul de poarta nu se modifica gradual. El este
mentinut nul daca nu vrem sa amorsam tiristorul (ca in Fig. 6. a), iar in
momentul in care am decis sa-l trecem in conductie, curentul de poarta este
adus brusc la o valoare care sa determine amorsarea sigura ( desenul b al
figurii). Din circuit deschis, tiristorul devine brusc dioda si curentul incepe sa
circule.
Intreruperea ulterioara a curentului de poarta, desi produce revenirea
tensiunii de amorsare la o valoare foarte mare (Fig. 6.c.), nu poate bloca
tiristorul deoarece nu afecteaza caracteristica in zona in care se gaseste acum
punctul de functionare. Singura posibilitate de blocare este coborarea
curentului anod-catod la valori sub curentul minim de mentinere.
In concluzie, tiristorul poate fi amorsat prin cresterea curentului de poarta
dar nu se mai bloccheaza la revenirea la zero a curentului de poarta. Blocarea
tiristorului nu mai poate fi realizata decat prin aducerea la zero a curentului
anod-catod, tocmai curentul comandat, care este de valoare mare. Din acest
motiv, functionarea sa nu este echivalenta cu aceea a unui releu
electromagnetic (intrerupator mecanic controlat de bobina unui electromagnet)
si el nu este utilizat, decat foarte rar, in circuitele decurent continuu.
tiristorul este
blocattensiunea este
insuficientapentru
amorsare
a)
aparitia unui curent in
poarta coboara tensiunea
de amorsare punctul de
functionare este obligat sa
sara in punctul M
(amorsare)
b)
disparitia curentului de
poarta readuce forma
initiala a caracteristicii dar
punctul de (tiristorul
ramine amorsat)
functionare ramine in M
c)
Fig. 6. Amorsarea tiristorului prin cresterea curentului de poarta.
In cazul regimului sinusoidal, insa, curentii trec automat prin valoarea nula
de doua ori intr-o erioada.Tiristorului i se spune (printr-un puls de curent in
poarta) cand sa se amorseze iar el se blocheaza singur la coborarea curentului
anod-catod la valoarea zero. Pentru 1 + 2 >1 rezulta ca I
A
>0, adica
un tiristor se amorseaza necomandat cu att mai usor cu cat 1 si 2 sunt
constructiv apropiati de unitate.
1. 1, 2 cresc odata cu cresterea temperaturii: cu cat temperatura este mai
mare exista o probabilitate
mai mare spre amorsare necontrolata;
2. curentii inversi I
CB01
, I
CB02
cresc odata cu cresterea temperaturii: un tiristor se
amorseaza necontrolat la temperaturi mai ridicate;
3. tensiunea de alimentare conduce att la cresterea marimilor I
CB01
, I
CB02
cat si
a marimilor 1, 2.
Polarizarea inversa a tiristorului conventional
J
1
, J3 - polarizeaza invers;
J
2
- polarizeaza direct (bariere de potential).
Tiristorul nu se poate amorsa necontrolat la polarizarea inversa.
Polarizarea directa a structurii avand poarta conectata
Dupa intrarea in conductie nu mai este necesara existenta tensiunii de
poarta.
Comportarea n regim dinamic
Comportarea n regim dinamic a tiristorului depinde n mare masura de
parametrii circuitului de sarcina si de comanda, de viteza de variatie a
curentului si tensiunii si de temperatura jonctiunilor.
a) Amorsarea tiristorului
Amorsarea poate avea loc n trei moduri:
- aplicnd un curent pe grila;
- depasind tensiunea de amorsare U
max
;
- la o panta mare de crestere a tensiunii de polarizare directa a tiristorului.
Prima metoda corespunde unei amorsari firesti a tiristorului, iar ultimele
doua se evita, fiind periculoase pentru structura tiristorului.
Depasirea tensiunii de autoamorsare U
max
produce o crestere pronuntata a
curentului prin jonctiunea J2 si conduce la amorsarea tiristorului. Acest mod de
intrare n conductie este periculos, deoarece tensiunea mare aplicata pe tiristor
determina un cmp electric puternic care, la rndul lui, produce strapungerea
si distrugerea structurii semiconductoare. Prin urmare, nu este recomandabila
amorsarea prin cresterea tensiunii peste U
max
.
De asemenea, nu este recomandabila nici amorsarea tiristorului n urma
cresterii rapide a tensiunii de polarizare directa aplicata pe tiristor, adica
la de valoare mare, deoarece produce suprancalziri locale datorate curentului
capacitiv proportional cu si capacitatea jonctiunii J2 (ic=Cdu/dt). De
obicei, panta cresterii tensiunii este limitata la o valoare admisibila, la care n
mod sigur tiristorul nu se amorseaza.
Tensiunea aplicata are o limita inferioara sub care tiristorul nu se
amorseaza, indiferent ct de mare este , deoarece amorsarea necesita o
anumita cantitate de purtatori de sarcina asigurata de tensiunea U
A
. Daca
aceasta cantitate de sarcina nu exista n structura, nu poate avea loc
amorsarea. La tiristoarele fabricate cu tehnologii obisnuite, ordinul de marime
pentru panta tensiunii este de V/s. Este de mentionat ca panta cresterii
tensiunii inverse, n sensul blocarii tiristorului, nu prezinta nici un pericol pentru
tiristor, daca tensiunea nu depaseste valoarea maxima inversa U
imax
.
Amorsarea normala a tiristorului are loc atunci cnd dispozitivului polarizat
direct i se aplica o tensiune directa de polarizare a jonctiunii grila-catod.
Densitatea de curent, datorata constructiei specifice a jonctiunii, nu este
uniforma pe toata suprafata catodului. n apropierea electrodului de comanda,
densitatea purtatorilor de sarcina, deci si a curentului, este mult mai mare. La
nceputul amorsarii, curentul total al tiristorului circula printr-o zona redusa n
semiconductor. Datorita diferentei densitatii purtatorilor de sarcina, acestia vor
difuza n restul structurii, astfel ca sectiunea de conductie se va largi
aproximativ cu o viteza de 0,1 mm/s.
Tensiunea pe poarta si curentul trebuie alese astfel incat sa corespunda
zonei de aprindere sigura si functie de circiutulde sarcin:
Fig.7
Pentru sarcina inductiva impulsul trebuie sa fie mai lat, iar pentru sarcina
rezistiva impulsul trebuie sa fie mai ingust.
Timpul de amorsare are trei componente:
Timpul de ntrziere a amorsarii, t

, este durata considerata de la

nceputul impulsului de comanda pna cnd jonctiunile J1, J3 polarizate
direct ncep sa injecteze purtatori de sarcina n jonctiunea J2, iar tensiunea
anodica ncepe sa scada brusc. Curentul anodic va creste. n cazul
circuitelor profund inductive, amorsarea tiristorului poate fi urmarita doar
dupa variatia tensiunii anodice. Acest timp are ordinul de marime de ms li
depinde de mai multe marimi. Scade odata cu cresterea amplitudinii
impulsului de comanda si cu cresterea tensiunii directe pe tiristor aplicata
nainte de amorsare. De asemenea, acest timp scade odata cu cresterea
temperaturii jonctiunii. Cu ct panta impulsului de comand este mai mare,
cu att t este mai redus.
Timpul de comutare propriu-zis, t
c
, este durata n care jonctiunea J2 se
polarizeaza direct. n acest interval, tensiunea pe tiristor scade brusc.
Timpul de comutare se reduce odata cu marirea amplitudinii si pantei de
crestere a impulsului de comanda si cu cresterea temperaturii jonctiunii.
Acest timp este puternic influentat de caracterul circuitului exterior de
sarcina.
Datorita aparitiei bruste a unui curent si a unei tensiuni la ridicat,
valoarea instantanee a pierderilor la amorsare poate sa atinga limite
foarte mari. Deoarece pierderile au loc ntr-un volum foarte mic, n
structura dispozitivului apare o suprancalzire locala, ce poate sa-l
distruga. Pentru a limita pierderile la amorsare, se prescrie valoarea
maxima admisibila a pantei de crestere a curentului. Valorile uzuale
pentru (di/dt
max
)sunt de 20200 A/s.
Limitarea pantei curentului se face cu ajutorul unor inductante plasate
n circuitul anodic, care ntrzie cresterea curentului pna ce tiristorul va
conduce pe o sectiune mai mare. Daca la amorsare apar suprancalziri
locale, distributia neuniforma a temperaturii si a curentului poate persista.
La frecvente de lucru ridicate, neuniformitatea distributiilor poate sa
persiste si sa perturbe conductia tiristorului.
Timpul de stabilizare a amorsarii, t
s
, este durata n care tiristorul
odata amorsat ajunge sa conduca pe toata suprafata transversala a
structurii. Acest timp depinde, n primul rnd, de diametrul catodului si
apoi de distanta maxima dintre grila si catod.
Amorsarea parazita (prin efect dU/dt)
Numim amorsare parazita (necontrolata) prin efect dU/dt acea amorsare
care are loc la o variatie rapida a tensiunii la bornele tiristorului fara ca
tensiunea sa atinga tensiunea maxima de polarizare U<V
FBO
.
Capabilitatea in dU/dt este parametru de catalog al tiristorului si reprezinta
viteza maxima de crestere a tensiunii de polarizare care poate fi suportata de
tiristor fara a se deschide necontrolat.
Curentul ce apare prin structura in momentul punerii sub tensiune,
actioneaza asupra ambelor tranzistoare in sensul cresterii curentilor de baza.
Amorsarea necontrolata prin efect dU/dt este mai rapida decat amorsarea prin
comanda pe poarta. I
cj
este proportional cu viteza de variatie a tensiunii la
bornele tiristorului.
Metode pentru imbunatatirea capabilitatii in dU/dt
1. externe (de schema)
2. interne (de structura)
1.externe
C - se incarca la aparitia tensiunii.
Grupul RC (dezavantaj: supraincarcarea tiristorului datorita descarcarii
condensatorului prin el).
Apare un rezistor suplimentar intre p - k pentru schema prezentata mai
sus: o parte din curent se scurge prin R rezulta se mareste capabilitatea in
dU/dt.
Dezavantaj: o parte din curentul i
G
se scurge spre k prin R.
2. interne prezenta sunturilor de catod echivalente cu rezistente
Pentru tiristoarele mari exista pana la 200 sunturi de catod.
Dezavantaje:
se mareste inutil suprafata catodului;
viteza de extindere a zonei initiale in conductie scade (timpul de intrare in
conductie creste);
daca viteza de extindere a zonei de intrare in conductie scade, rezulta ca
densitatea de curent creste rezulta apar distrugeri tehnice.
Variatia rapida a curentului in tiristor
La variatii mari ale curentului de sarcina pot apare densitati de curent mari
in zona initiala de conductie. Daca aria initiala in conductie este redusa sau
daca viteza de extindere nu este suficient de mare densitatea de curent poate
fi att de mare incat sa duca la distrugerea interna a structurii.
Exista parametrii de catalog di/dt - viteza maxima de crestere a curentului
anodic pe care o poate suporta un tiristor pe durata amorsarii fara a se
distruge prin efect di/dt.
Metode de imbunatatire:
1. externe - supracomanda: marirea ariei initiale in conductie;
2. interne
crestere maxima a curentului
1.Limitarea vitezei de variatie a curentului prin inserierea tiristorului cu o
bobina:
- se formeaza un circuit RLC serie caracterizat de pulsatie si de frecventa de
rezonanta.
2. Metoda cu amplificator de poarta
Td si Tp nu au aceeasi putere (structura)
Curentul iG aduce in conductie prima data pe Td astfel incat i
Atd
este egal
cu curentul de grila a curentului principal, dupa care Tp intra in conductie.
Structura interdigizata (se pot obtine variatii de 1000A/s)
Blocarea tiristorului.
Blocarea consta n anularea curentului prin tiristor. Pentru aceasta este
nevoie de reducerea numarului purtatorilor de sarcina n diferite sectiuni ale
structurii semiconductoare, n special n jonctiunea J
2
, pentru a elimina reactia
de curent Un tiristor poate fi blocat numai cnd curentul anodic scade sub
valoarea I
min
(fig. 4).
n circuitele alimentate n curent continuu, tiristorul poate fi blocat, fie prin
ntreruperea alimentarii, fie cu ajutorul unor circuite specializate, numite
circuite de stingere. Ele pot functiona n doua moduri:
- sa sunteze tiristorul, adica sa preia curentul acestuia;
- sa aplice o tensiune inversa, care produce un curent n sens invers curentului
Puterea disipata pe tiristor
Pierderile de putere, care se produc ntr-un tiristor, au urmatoare
componen:
a) Pierderile n regim de conductie directa. Este componenta principala a
pierderilor. Deoarece caderea de tensiune pe un tiristor, n conductie este
mica, pierderile sunt determinate de curentul anodic. n cataloagele firelor
producatoare de tiristoare se gasesc, sub forma de diagrame sau grafice,
pentru fiecare tipo-dimensiune, pierderile prin conductie, n functie de valoarea
medie a curentului pentru unde sinusoidale sau dreptunghiulare, la diferite
unghiuri de amorsare.
b) Pierderile n cazul tiristorului blocat, polarizat direct. Aceste pierderi
sunt neglijabile deoarece curentul prin tiristor n stare de blocare este foarte
mic (ctiva A sau mA).
c) Pierderile la polarizare inversa. Si n acest caz valoarea pierderilor este
nensemnata, pentru ca la polarizare inversa curentul este mic.
d) Pierderile n circuitul de comanda. Din punct de vedere al pierderilor
totale sunt si acestea neglijabile, nsa trebuie avut n vedere sa nu se
depaseasca valoarea medie, respectiv instantanee, indicata n catalog, altfel
circuitul de comanda poate fi distrus.
e) Pierderile prin comutatie. Aceste pierderi sunt determinate de variatia n
timp a curentului si tensiunii pe tiristor. Se poate considera ca pierderile la
blocare sunt neglijabile fata de pierderile la amorsare. Pierderile la amorsare
trebuie luate n considerare nu pentru stabilirea pierderilor totale, ci pentru
faptul ca ele se produc ntr-un volum foarte redus din structura, iar
temperatura acestei zone este foarte importanta pentru functionarea si
blocarea tiristorului.
n cazul cnd pierderile prin comutatie nu produc depasirea temperaturii
maxime si frecventa de lucru nu este prea mare, aceste pierderi sunt
neglijabile fata de pierderile prin conductie.
Din cele prezentate mai sus se desprinde concluzia ca pentru un tiristor
sunt determinante pierderile n conductie directa. n cazul cnd exista si alte
pierderi suplimentare, acestea pot fi luate n considerare prin nmultirea
pierderilor de conductie cu un coeficient corespunzator. Pierderile totale pot fi
calculate din pierderile prin conductie, PT, cu o buna aproximatie, cu formula:
unde surplusul de 10 % ia n considerare pierderile la amorsare, la blocare si n
circuitul de comanda.
TIRISTORUL CU BLOCARE PE POARTA (turn-off thyristor, GTO)
Tiristorul cu blocare pe poarta reuneste avantajele tiristorului standard cu
cele ale tranzistorului de comutatie de putere. Este o structura pnpn, care
amorseaza prin aplicarea unei tensiuni pozitive ntre electrodul de comanda si
catod. Blocarea se realizeaza cu ajutorul unei tensiuni negative pe poarta. Ca si
un tiristor obisnuit, el este caracterizat de parametri si . Prezinta un curent
anodic maxim ce poate fi anulat printr-o tensiune de comand aplicata pe
poarta.
Cstigul la blocare (turn-off gain) al tiristorului GTO este definit ca raportul
dintre curentul anodic maxim si curentul de poarta ce realizeaza blocarea
tiristorului. Acest cstig are valori uzuale cuprinse ntre 3 si 5 unitati.
Mecanismul folosit la blocarea GTO are n vedere fortarea curentului
anodic prin acele regiuni ale structurii semiconductoare unde procesul de
multiplicare n avalansa a purtatorilor de sarcina se face foarte greu. Ca
rezultat, curentul anodic ncepe sa scada.
Orice inductanta aflata n serie cu GTO are ca efet scaderea lenta a
curentului si implicit blocarea greoaie a GTO. Pentru a nu ngreuna procesul de
blocare, n paralel cu GTO, se plaseaza un circuit snubber (fig. 8,b), care
constituie o cale alternanta a curentului din circuitul inductantei. Totodata,
circuitul de protectie limiteaza viteza de variatie a tensiunii anod-catod pe
tiristor.
fig.8.
Semnalul de comanda pentru iesirea din conductie trebuie sa fie negativ;
pentru blocarea lui GTO trebuie extras prin P un curent.
Pentru a fi posibil acest lucru GTO are o structura interna diferita in
comparatie cu tiristorul conventional rezulta dispozitia portii si k pe suprafata
tiristorului.
IGR> IC2 IB1 IC1
Ik<IH rezulta iesirea tiristorului din conductie.
O fractiune importanta din Ik trebuie extrasa prin P; daca se neglijeaza
curentii reziduali reazulta relatii aproximative:
Definitia timpilor de comutare (in functie de curentii de grila)
fig.9
TIRISTORUL MOS (MOS controlled thyristor - MCT)
Tiristorul MOS este un dispozitiv electronic semiconductor care ofera
avantajele GTO, fara sa fie nevoie de conditiile cerute de acesta la blocare.
Figura 10 reprezinta schematic un tiristor MCT format din doua tranzistoare
bipolare sidoua tranzistoare MOS.
Tranzistoarele bipolare Q1 si Q2 modeleaza tiristorul obisnuit. Tranzistorul
MOSFET Q4, cu canal n, conectat ntre baza lui Q1 si catod este folosit pentru
aducerea n conductie a MCT. Tranzistorul Q3, cu canal p, conectat ntre baza
lui Q2 si catod, prin comanda sa, realizeaza blocarea MCT. ntruct
tranzistoarele MOSFET sunt complementare, Q4 este n conductie cnd
terminalul G este pozitiv n raport cu catodul, iar Q3 este n conductie
cnd terminalul G este negativ n raport cu catodul. Un model mai simplu
pentru MCT este redat n fig. 10.b. Dispozitivul electronic intra n conductie
printr-un impuls pozitiv aplicat pe G1, iar blocarea se face prin aducerea n
conductie a tranzistorului Q3. Structura dispozitivului din figura 10.b. este
detaliata n figura 10.c.
Tiristorul MOS: a) modelul cu doua tranzistoare MOS; b) modelul cu un
tranzistor MOS; c) structura corespunzatoare figurii b
Caracteristica ID=f(VDS).
fig.11. Schema de functionare b) Caracteristici statice c) Caracteristica
de transfer
VDSS - tensiunea de drena de strapungere.
Punctul de fuctionare trebuie sa fie numai in zona activa. Curentul de
drena din zona activa nu depinde de VDS.
Domenii de utilizare in frecventa
MOSFET se utilizeaza pentru frecvente mai mari de ordinul zecilor de kHz.
Avantaje fata de TBP:
- consum mai mic de putere pentru comanda
- timpi de comutare egali la aducerea (scoaterea din conductie)
- conectarea extrem de usoara in paralel
Disipand mai multa energie rezistenta drena sursa va creste mai mult
rezulta scaderea curentului IT1~ IT2 datorita faptului ca rezitenta drena sursa
depinde in mod direct de temperatura.
Din punct de vedere al curentului maxim se permite separarea capacitatii
echivalente a celor doua tranzistoare si permit evitarea oscilatiilor pe
capacitatea de grila.
Observam un tranzistor parazit bipolar in schema MOSFET.
Pentru functionarea sigura a tranzistorului MOSFET este necesar ca
tranzistorul bipolar parazit sa ramana permanent blocat. Tranzistorul parazit se
poate deschide la o variatie rapida a tensiunii drena sursa. Pentru a
preintampina intrarea in conductie a tranzistorului npn ar trebui ca rezistenta
corp sursa sa fie cat mai redusa. Rezulta ca zona sursei este formata din insule
printre care exista regiuni de tip p. Pentru tensiuni de polarizare mai mari
rezulta capacitate mai mica, iar pentru tensiuni de polarizare mai mici rezulta
capacitate mai mare.
Circuitele de comanda pentru TBP care sunt cu iesire bipolara in tensiune
pot fi folosite si pentru comanda in MOSFET in cazul in care viteza de lucru este
suficient de mare la TBP.
Dioda pnpn
Constructie. Simbol
Dioda pnpn este o structur de siliciu monocristalin cu patru zone
dopate alternativ cu impuriti acceptoare i donoare.
Modelul structural unidimensional al acestui dispozitiv este prezentat in
figura 12, a, iar n figura 12, b este prezentat simbolul acestuia.
a b


Fig. 12. Dioda pnpn:
a) modelul structural unidimensional; b) simbolul
Zonele extreme, mai puternic dopate, se numesc emitoare, iar zonele
interioare, mai slab dopate, se numesc baze. Emitorul p
1
+
se numeste anod, iar
emitorul n
4
+
se numeste catod. Jonciunile se afl la distane mici ntre ele,
astfel c regiunile AJ
3
i J
1
C s poat indeplini funcia de tranzistor. Alte
denumiri utilizate pentru dioda pnpn sunt: dinistor, dioda Shocley, dioda cu
patru straturi.
Caracteristica static
Caracteristica static curent-tensiune a diodei pnpn este aratat n figura
13.
Fig. 13. Caracteristica statica curent-tensiune a diodei pnpn
La polarizarea invers jonciunile J
1
i J
3
sunt alimentate invers, iar J
2
direct i, ca urmare, curentul prin dispozitiv are valori mici de ordinul
curentului invers printr-o jonciune pn. La o anumit tensiune invers V
B
curentul invers prin diod crete aproape abrupt datorit strpungerii prin
multiplicare n avalan la jonciunea J
1
sau J
3
.
La polarizarea direct, dioda pnpn se comport ca elementele de
comutaie, cu dou stri stabile. Una dintre aceste stri se caracterizeaz prin
curent mic i rezisten mare, iar cealalt, prin tensiune i rezisten de valori
mici. Crescnd tensiunea direct pe diod, curentul are valori mici, practic
curentul invers al jonctiunii centrale J
2
alimentate invers. La o anumit tensiune
de aprindere (de amorsare sau de ntoarcere), notat cu V
B0
, dispozitivul
comut n cealalt stare, prin el trecnd un curent mare la o tensiune de
ordinul a 1 V. (La tensiunea V
B0
la jonctiunea J
2
apare fenomenul de multiplicare
in avalan).
Regiunea OA se numeste regiune de blocare, iar regiunea BC regiune de
conducie. Portiunea intermediar AB, avnd rezistena dinamic negativ este
instabil.
Comutarea invers, care are loc atunci cnd curentul sau tensiunea scad
sub valorile de meninere" I
H
, respectiv V
H
, se face pe poriunea BO (punctat
n fig. 12).
Parametrii i caracteristicile statice depind puternic de temperatur.
Dioda pnpn este utilizat n circuitele de comand a porii tiristoarelor, n
circuitele de protecie la supratensiuni, n generatoarele de impulsuri de
relaxare.
Amorsarea diodei pnpn prin creterea tensiunii anodice reprezint modul
normal de funcionare. Exist ins i moduri parazite de amorsare cum sunt
cele prin efect dv/dt, adic prin variaia brusc a tensiunii anodice, care poate
avea loc la tensiuni anodice mici, sau prin creterea temperaturii.
Diacul
Diacul este un dispozitiv multijonciune care are proprietatile diodei pnpn n
ambele sensuri de conducie. Dispozitivul are cinci straturi i patru jonciuni,
reprezentate schematic n figura 13., a.
a
b c
Fig. 13. Diacul: a) structura; b) simbol; c) structura
echivalenta
Simbolul este cel din figura 13, b. Diacul poate fi considerat ca fiind
realizat din dou structuri pnpn asezate antiparalel n acelai monocristal de
siliciu (fig. 13 c).
Diacul are conducie bidirecional, cei doi electrozi ntre care se
stabileste curentul principal i
T
, fiind notai cu T
1
si T
2
.

Funcionarea diacului
La aplicarea unei tensiuni v
T
> 0, structura din dreapta (fig. 13, c) este
polarizat direct, amorsarea dispozitivului avnd loc la o tensiune V
BD
(fig. 14).
Cnd polaritatea tensiunii se inverseaz, intr n conducie la tensiunea V
BR
(fig.
14) structura din stnga (fig. 13, c). In figura 14. este prezentat caracteristica
curent-tensiune a diacului.
Fig. 14. Caracteristica statica curent-tensiune a diacului
Este de dorit ca V
BD
|V
BR
|

V
BO
, deci caracteristica s fie simetric.
Datorit conduciei sale bidirecionale, diacul se foloseste n circuitele de
curent alternativ. Este un dispozitiv de putere mic, fiind folosit n circuitele de
comand a tiristoarelor i a triacelor.
Triacul
Structur, simbol
Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu doua tiristoare,
asezate antiparalel n acelai monocristal de siliciu, avnd un singur electrod
de comand.
In figura 15, a este prezentat structura triacului, iar n figura 15, b este
prezentat simbolul acestuia.
a b
Fig. 15. Triacul: a) structura; b) simbol
Caracteristica tensiune curent
Caracteristica curent-tensiune pentru ambele sensuri aplicate n circuitul
principal, are forma corespunztoare tiristorului polarizat n sens direct. Este
ntlnit i sub denumirea de tiristor bidirecional. Caracteristica curent-tensiune
este dat n figura 16.
Fig. 16. Caracteristica curent-tensiune a triacului
Datorit conductibilitii bidirecionale, cei doi electrozi ntre care circul
curentul principal i
T
se noteaz cu T
1
i T
2
. Comanda pe poart se poate face cu
semnale de ambele polariti pentru fiecare dintre cele dou sensuri ale
curentului principal. Triacul se foloset in circuitele de comand i reglare a
puterii de curent alternativ. Cu ajutorul triacelor se construiesc contactoare
statice de curent alternativ.
LECIA IX
Redresoare monofazate
Schema bloc a redresorului
Redresoarele se construiesc pe baza schemei clasice, de redresor cuplat
la reea prin transformator, sau fr transformator i a crui funcionare se
bazeaz pe transformarea multipl a energiei electrice. Pentru nceput, s
analizm schema tradiional, care se compune din urmtoarele: (figura 1):
- T transformator ridictor sau cobortor de tensiune, n funcie de
raportul dintre tensiunea la ieirea sursei de alimentare i tensiunea
reelei;
- R grup redresor, care servete la transformarea curentului alternativ n
curent continuu (de sens unic);
- F filtru pentru netezirea pulsaiilor tensiunii redresate;
- ST stabilizator de tensiune continu, care asigur valoarea constant a
tensiunii de ieire la variaia rezistentei sarcinii, a tensiunii de alimentare,
etc.
Fig.1. Schema bloc a sursei de tensiune continu de putere mic (a) i
diagramele de timp pentru tensiunile din surs
n figura 1 sunt reprezentate i diagramele tensiunii n diferite pri ale
schemei redresorului pentru dou valori ale tensiunii de reea. Partea
principal a dispozitivului este grupul redresor, ce conine un grup de elemente
neliniare, cu conducie unilateral (ntr-un singur sens). Ca dispozitive
redresoare, la sursele de alimentare de putere mic se folosesc de obicei
diodele cu siliciu i, mai rar, cele cu germaniu. Celelalte elemente ale schemei
pot s lipseasc n cazuri particulare.
Redresoare monofazate cu sarcin activ
S analizm funcionarea redresorului monofazat cu punct de nul al
transformatorului (figura 2.a). Cnd polaritatea tensiunii alternative este cea
indicat n figura 2, pe dioda D1 se aplic tensiunea direct (plus la anod, minus
la catod).
Dioda D1 conduce curentul ia, care se nchide prin sarcina RS i
seminfurarea superioar a secundarului transformatorului. Se considera c
diodele sunt ideale, adic au cdere de tensiune nul la trecerea curentului
direct prin acestea i curentul invers este nul cnd pe acestea se aplic
tensiune invers. Astfel, se poate considera ca anodul i catodul diodei sunt
scurtcircuitate pentru curentul n sens direct, iar n cazul aplicrii pe diod a
unei tensiuni inverse, circuitul acesteia se consider ntrerupt. n legtur cu
aceast aproximare, tensiunea pe sarcina, ud, n semiperioada [0, ] (figura
2.2.b) se consider egal cu tensiunea la bornele semi-nfurrii superioare a
secundarului transformatorului: ud(t) = e2(t). n acest timp, dioda D2 este
polarizat invers i nu permite trecerea curentului. n a doua semiperioad, [,
2 ], datorit schimbrii polaritii tensiunii alternative n nfurrile
secundare ale transformatorului, se deschide dioda D2 i pe sarcin se aplic
tensiunea semi-nfurrii inferioare. n continuare, lucrurile se repet periodic
i, prin deschiderea succesiv a diodelor, tensiunea ud const din
semisinusoide pozitive care se succed (figura 2.b).
Fig. 2 - Schema redresorului monoalternan cu nul i sarcin activ (a) i
diagrama de timp pentru curenii i tensiunile redresorului (b)
Tensiunea pe sarcin, ud, este constant ca sens, dar nu este constant
ca mrime. Pulsaia tensiunii, adic variaia acesteia, atest existenta unei
componente variabile n curba tensiunii redresate i indic faptul c redresarea
este incomplet. Cum tensiunea de ieire, ud, reprezint o funcie periodic, ea
poate fi descompus n serie Fourier, adic sub forma:
ud (t) = Ud + up(t),
este componenta continu util sau valoarea medie a tensiunii pe o perioad a
curbei ud, iar up(t) este componenta variabil egal u suma tuturor
componentelor armonice. n figura 3 este reprezentat descompunerea grafic
a curbei tensiunii ud(t) n dou componente. Se poate considera c, pe sarcin,
acioneaz tensiunea constant ca mrime i form, Ud, distorsionat de
componenta alternativ, up. Caracteristica de baz a tensiunii redresate este
valoarea medie. Ea este egal cu nlimea dreptunghiului a crui suprafa
este egala cu suprafaa limitat de curba tensiunii, axa absciselor i dou
drepte verticale situate la distan egal cu o perioad (figura 2.3). n schema
analizat, perioada tensiunii de ieire este egala cu , din care cauz,
unde = t. Avnd vedere c valoarea maxima a tensiunii pe sarcina, Udm,
este egal cu amplitudinea E2m = 2 E2, unde E2 este valoarea efectiv a
tensiunii e2 la bornele nfurrii secundare a transformatorului, rezult:
(1)
Cea mai mare valoare a amplitudinii n curba tensiunii redresate o are
armonica I, a crei frecventa p este de 2 ori mai mare dect frecvena
tensiunii de alimentare. Aceasta armonic este cel mai greu de atenuat cu
filtre, motiv pentru care, pe baza valorii acesteia, se face o apreciere asupra
distorsionrii tensiunii redresate. n figura 3, cu linie punctat este
reprezentata armonica I a componentei alternative a tensiunii redresate, u
p1
,
amplitudinea acesteia fiind U
p1m
.
Pulsaia tensiunii redresate se caracterizeaz prin factorul de ondulaie,
, egal cu raportul dintre amplitudinea tensiunii primei armonici a componentei
alternative i valoarea tensiunii componentei continue:
(2)
Din descompunerea n serie Fourier a curbei tensiunii redresate, se
obine formula:
(3)
unde m este factorul de multiplicare a frecvenei componentei alternative a
tensiunii redresate n raport cu frecvena reelei, care depinde de schema de
redresare i se numete pulsaia redresorului.
Fig. 3 Descompunerea grafic a tensiunii redresate n
componenta continu i cea alternativ
Pentru redresoarele monofazate analizate, cum este cel din figura 2.a, m
= 2, iar eU= 0,67. Pentru alegerea diodelor n schema din figura 2.a, se
determin valoarea medie a curentului prin acestea. Pe baza diagramelor de
timp din figura 2.b, se constat c:
(4)
Pe dioda blocat, se aplic tensiunea a dou nfurri secundare. Din
aceasta cauz, tensiunea invers maxim pe diod, avnd n vedere relaia (1),
este:
(5)
Pe baza valorilor calculate ale lui Ia i Uinv, se aleg diodele convenabile.
Puterea activ total transmis n sarcin, n schema din figura 2.a, este
determinat de valoarea efectiv E2:
. Puterea activ transmis sub forma componentei continue a curentului,
este determinat de valoarea medie
Ud = 0,95E2
.
Prin urmare, n schema din figura 2.a, o parte substanial din puterea activ
se transmite n sarcin sub forma componentei alternative (neredresate), ceea
ce confirm insuficiena redresrii.
Redresoare monofazate cu sarcina inductiv
S analizam funcionarea redresorului monofazat n punte (figura 4.a).
Pentru semiperioada pozitiv a tensiunii electromotoare e
2
(intervalul [0, ]) i
pentru polaritatea indicat n figura 4.a, curentul redresat trece prin dioda D
1
,
sarcina Rs - Ls i dioda D4. Diodele D3 i D2 sunt polarizate invers i nu conduc
curent. Prin schimbarea polaritii tensiunii alternative (intervalul [, 2 ]), se
deschid diodele D2 i D3, ns curentul n sarcin i menine sensul anterior.
Dac sarcina este activ (Ls = 0), atunci curentul Id repet forma tensiunii n
sarcin; curenii bobinelor primar i secundara, i1 i i2 au forma sinusoidal
(figura 4.b). Dac n circuitul sarcinii exist o inductan
(Ls 0), ea se opune variaiei curentului n sarcin i acesta nu reuete s
urmreasc tensiunea ud, astfel nct curentul Id se va netezi (figura 4.c). Cnd
inductana este mare
(XL = pLS > 10R
S
), datorit pulsaiilor mici, curentul n sarcin poate fi
considerat constant (adic netezit total), caz n care transmiterea puterii active
n sarcin de ctre componentele alternative ale curentului lipsete. n acest
regim, curentul prin diode, ia, curentul i
2
n secundar i curentul i
1
n primarul
transformatorului capt forma impulsurilor dreptunghiulare.
Fig. 2. 4 - Schema redresorului monoalternan n punte (a) i diagrama de timp
pentru curenii i tensiunile redresorului (b, c d)
n cazul sarcinii activ-inductive, durata strii de conducie a diodelor, l, ca
i n cazul sarcinii active, rmne egala cu , motiv pentru care, n orice
moment de timp, tensiunea pe sarcin repet forma tensiunii n secundar, e
2
(figura 4.c), iar valoarea acesteia se determin din expresia (1).
Calculul schemei de redresare n punte, care permite sa se aleag tipul
diodelor i s se determine parametrii transformatorului pe baza parametrilor
cunoscui ai sarcinii, se face astfel:
- Se neglijeaz pierderile n bobina de netezire LS, n diode i n
transformator i se consider curentul sarcinii ca fiind netezit ideal:
id(t) = Id. Valoarea medie a tensiunii de ieire la redresoarele cu nul i
n punte se determin n cazul sarcinii inductive n acelai mod ca i n
cazul sarcinii active i este egal, conform relaiei (1), cu:
- Din aceasta, se determin valoarea efectiva a tensiunii: E
2
= 1,11U
d
.
Pentru c s-a presupus c bobina nu are pierderi, valoarea medie a
curentului n sarcin este
Diodele conduc pe durata unei semiperioade att pentru schema cu nul
ct i pentru cea n punte, din care cauz I
a
se poate calcula cu relaia 4.
Valoarea maxima a curentului diodelor n cazul netezirii ideale este I
am
= I
d
. La
schema n punte, valoarea amplitudinii tensiunii inverse pe diode este egal cu
amplitudinea tensiunii e
2
, pentru c dioda blocat se cupleaz n paralel pe
nfurarea transformatorului (prin dioda care conduce curent), i prin urmare:
(5)
Din compararea relaiilor (5) i (5), se vede c la schema n punte
tensiunea invers pe dioda pentru aceeai U
d
este de dou ori mai mic n
comparaie cu schema de redresare cu nul. Pe baza valorilor I
a
i U
inv
, se aleg
diodele necesare.
La utilizarea transformatorului (la schema cu nul utilizarea acestuia este
indispensabil, pe cnd la schema n punte el poate lipsi) este necesar
cunoaterea puterii calculate a nfurrilor acestuia. La schema n punte,
valoarea efectiv a curentului n nfurarea secundar, I
2
punte, se determin
avnd n vedere c i
d
(t) = I
d
. Prin definiie:

Deoarece i
2
(t) = Id, prin nlocuire se obine:
(6)
Puterea calculat a secundarului la schema n punte este:
unde P
d
este puterea n sarcin, egal cu UdId.
La schema n punte, curenii i tensiunile n nfurrile primar i
secundar au aceeai form, deci S
1
punte = S
2
punte. Puterea calculat a
transformatorului la schema n punte n cazul sarcinii activ-inductive este:
(7)
n mod similar, se poate analiza funcionarea n sarcina RL i pentru
schema cu nul. Procesele de baz n ambele scheme sunt similare, deosebirea
fiind numai c la schema cu nul tensiunea invers pe diode este de dou ori
mai mare dect la schema n punte, iar curentul nfurrii secundare a
transformatorului repet forma curentului diodei, I
a
, i valoarea sa efectiv
este:
(6)
Rezultatele calculului parametrilor de baza ai schemelor de redresare cu
nul i n punte la funcionarea n sarcina R i RL sunt prezentate n tabelul 1.
Tabel 1 Parametrii principali ai redresoarelor monoalternan
Raportul de transformare la ambele scheme este:
Se pot trage urmtoarele concluzii:
- La tensiuni de ieire relativ mici, cnd important este randamentul
schemei (de exemplu, cnd Ud < 50 100 V), iar tensiunea invers
aplicata pe diode nu prezint importan, este de preferat schema cu
nul, la care curentul n sarcin trece printr-o singur dioda i, din
aceasta cauz, pierderile sunt de dou ori mai mici;
- n toate celelalte cazuri, este de preferat schema n punte, la care,
atunci cnd exist transformator, acesta este mai simplu i puterea
necesar este mai mica. Ultima situaie se explic prin faptul c prin
nfurarea secundara curentul circul pe durata ntregii perioade, n
timp ce, la schema cu nul, numai pe durata unei semiperioade.
Filtre pentru redresoare de mic putere
La ieirea grupului redresor se cupleaz un filtru, care are rolul reducerii
componentei alternative u
p
. Componenta util constant, U
d
, trebuie s fie
transmis n sarcin pe ct posibil fr pierderi. Cele mai utilizate sunt filtrele
de netezire de tipul L (figura 5.a), LC (figura 5.b), C (figura 5c) i RC (figura
5.d). Prin cuplarea filtrelor, se formeaz filtre multiple: LC-LC, C-RC, LC-RC, etc.
Fig. 5 Scheme de filtre de netezire (a d) i schema echivalent a
filtrelor pentru componenta continu (e) i cea alternativ (f)
Mrimea caracteristica a unui filtru este factorul de netezire, egal cu
raportul factorilor de ondulaie la intrarea, respectiv la ieirea filtrului:
(8)
unde Ud este tensiunea de ieire a grupului redresor, U
s,p1m
este amplitudinea
primei armonici a pulsaiilor la ieirea filtrului i U
s
este valoarea medie a
tensiunii la ieirea filtrului.
n figura 5.e este prezentat schema echivalent pentru componenta
continu a filtrelor simple L i LC, unde r este rezistena activ a nfurrii
bobinei filtrului. Tensiunea constant la ieirea filtrului este egal cu tensiunea
pe ramura inferioar a divizorului compus din rezistentele r i R
S
:
n figura 5.f este prezentat schema echivalent pentru componenta
alternativ (armonica I,
p
= 2
retea
): Z
S
este impedana elementului serie a
filtrului, iar Z
P
este impedana elementului paralel al filtrului, care include i
rezistena de sarcin. Amplitudinea primei armonici a componentei alternative
a tensiunii pe sarcin, U
Sp1m
este egal cu cderea de tensiune pe Z
P
datorit
curentului alternativ I
p1m
. Acesta depinde de tensiunea alternativ la intrarea
filtrului, U
p1m
i de mrimile Z
S
i Z
P
. Cu ct este mai mare Z
S
i cu ct este mai
mic Z
P
, cu att este mai mic componenta alternativ la ieire i este mai mare
factorul de netezire.
Pentru filtrul

de unde:
Din aceasta, se obine factorul de netezire:
n practic sunt adevrate relaiile: R
S
>> r i
p
L >> R
S
i atunci:
Se observ c la schemele ce funcioneaz cu cureni mari (cnd R
S
este
mic), eficacitatea filtrrii creste. La filtrul LC, condensatorul unteaz sarcina n
componenta alternativ, deoarece
din care cauz
i
Din aceasta, cunoscnd LC, se determin LC.
Functionarea si calculul redresorului cu filtru capacitiv
Cnd sarcina consum cureni relativ mici de la redresor, se folosesc de
obicei filtre cu condensator. La cuplarea redresorului din fig. 6.a, tensiunea pe
condensator i pe sarcina, u
d
, crete de la o perioad la alta (fig.6.b). n
intervalele cnd e
2
> U
d
, de exemplu cnd 0 < <
1
, dioda D
1
se deschide i
condensatorul se ncarc cu curentul de impuls i
a1
(fig. 6.c).
Fig. 6 Schema redresorului monoalternan cu nul cu filtru capacitiv (a)
i diagramele de timp ale tensiunilor si curenilor redresorului (b, c)
Astfel, diferena tensiunilor e
2
u
d
se aplic pe rezistena r, egal cu
suma dintre rezistena diodei, a secundarului transformatorului i cea a
primarului reflectat n secundar. Cnd e
2
< u
d
i
1
< <
2
, dioda se
blocheaz i condensatorul se descarc parial pe sarcin. Pe msura creterii
tensiunii u
d
, durata impulsului de curent de ncrcare a condensatorului se
micoreaz, iar timpul de descrcare a condensatorului se mrete, din care
motiv, dup un timp oarecare, tensiunea u
d
ncepe s oscileze n jurul valorii
medii stabilizate U
d
. Datorita timpului scurt de conducie n regim stabilizat,
valoarea amplitudinii curentului diodei I
am
poate fi de 5 7 ori mai mare dect
valoarea sa medie, I
a
(fig. 6.c).
La cuplarea sursei de alimentare, aceasta depire este i mai mare i,
pentru limitarea saltului iniial al curentului de ncrcare a condensatorului, se
introduce uneori o rezisten suplimentar de limitare, r care, mpreun cu
condensatorul, formeaz filtrul RC (fig.5.f). Cu ct este mai mare rezistena de
sarcin R
S
, cu att mai mare este constanta de timp a circuitului de ncrcare a
condensatorului t = CR
S
i, de asemenea, U
d
, care la mersul n gol (R
S
= )
este egala cu U
d
= E
2
= 2 E2. Odat cu creterea lui t, se micoreaz
pulsaiile tensiunii de ieire. n acest fel, cnd sarcina redresorului este
capacitiv, se pot distinge urmtoarele particulariti n comparaie cu
redresorul cu sarcina activ:
durata mic i amplitudinea mare a curentului anodic;
creterea tensiunii de ieire;
pulsaii mici ale tensiunii de ieire;
dependena puternic a valorii medii a tensiunii de ieire n funcie de
rezistenta sarcinii.
Calculul redresorului cu filtru capacitiv se face astfel:
o se neglijeaz pulsaiile tensiunii de ieire, avnd n vedere c
redresorul funcioneaz la tensiunea constant U
d
(figura 7.a).
Pentru o asemenea aproximare, impulsul de curent anodic este
simetric.
o Se noteaz durata acestuia cu 2Q, unde unghiul Q se numete
unghiul de tiere a curentului anodic. Valoarea instantanee a
curentului anodic poate fi determinat pe baza cderii de tensiune
e
2
u
d
pe rezistorul r, prin care trece acest curent:
(9)
Fig. 7 Diagramele de timp ale tensiunilor si curenilor n cazul funcionrii
redresorului la tensiuni inverse (a) i dependena coeficienilor de calcul de
parametrul A (b)
Tensiunea la bornele nfurrii secundare a transformatorului este:
iar tensiunea pe sarcin poate fi exprimat prin unghiul de tiere (fig. 7.a).
Se introduce n relaia (9) valoarea: Ud = 2 E2cosQ. Atunci:
Valoarea medie a curentului de sarcin este:
(10)
unde A este un coeficient de calcul care depinde de Q.
Din relaia (10), rezult:
Succesiunea de calcul a redresorului este urmtoarea:
cunoscnd R
S
i r, se determin A;
se calculeaz Q;
se determina toi curenii i tensiunile n redresor.
Pentru comoditatea calculului, se pot folosi coeficienii ajuttori B, F i D,
care sunt funcii de coeficientul A. Relaiile de calcul pentru redresoarele
monofazate au forma urmtoare:
Factorul de ondulaie al tensiunii de ieire se determin prin coeficientul
H:
, unde C este exprimat n mF. n figura 7.b se prezint variaia coeficienilor B,
D, F si H n funcie de coeficientul A.
Redresoarele cu filtru capacitiv se recomand a fi utilizate pentru sarcini
cu rezistena mare, cnd constanta de timp mare t = R
S
C se obine pentru
valori relativ mici ale lui C. n acest caz se asigur componena armonic bun
a tensiunii de ieire a redresorului.
Fig. 8 Schema dublorului de tensiune
O varietate constructiv a redresoarelor cu filtru C este cea a
redresoarelor cu multiplicarea tensiunii, care se folosesc atunci cnd sarcina
are rezisten mare. Aceste dispozitive permit obinerea n sarcin a tensiunilor
de cteva ori mai mari n comparaie cu tensiunile furnizate de redresoarele
analizate mai sus. n figura 8, este prezentat schema cu dublare de tensiune.
Pe alternana pozitiv a tensiunii de reea, tensiunea pe anodul lui D
1
este
pozitiv, dioda D
1
este deschis i, prin aceasta, se ncarc condensatorul C
1
pn la o tensiune apropiat de amplitudinea tensiunii reelei, 2 E
1r
.
Descrcarea condensatorului C
1
prin circuitul de sarcin are loc foarte ncet,
pentru c acest circuit are rezistena mare. Cnd alternana tensiunii de reea
este negativ, este deschis dioda D
2
i condensatorul C
2
se ncarc de
asemenea pn la o tensiune apropiat de amplitudinea tensiunii reelei, 2
E
r
. n acest fel, tensiunea pe sarcin atinge U
S
= 2 2 E
r
.
Multiplicatoarele de tensiune, care conin circuite suplimentare cu diode
i condensatoare, permit obinerea de tensiuni i mai mari n sarcin.
LECIA X
Stabilizatoare
Sursele de curent cu tranzistoare sunt utilizate att ca elemente de
polarizare ct i ca sarcini active pentru etajele de amplificare, oferind avantaje
deosebite.
Utilizarea surselor de curent pentru polarizare duce la micorarea
sensibilitii circuitului fa de variaiile tensiunii de alimentare i a derivei
termice. n ceea ce privete aria de cip necesar pentru a asigura o valoare
dat a curentului de polarizare, sursele de curent sunt de cele mai multe ori
mai economice dect rezistoarele, n particular atunci cnd valoarea necesar
a curentului de polarizare este mic.
Utilizarea surselor de curent ca sarcin activ n amplificatoarele cu
tranzistoare, duce datorit rezistenei incrementale mari la obinerea de
ctiguri n tensiune mari pentru valori mici ale tensiunii surselor de
alimentare. Astfel, un amplificator diferenial tipic cu rezistoare de sarcin n
colectoare, are ctigul diferenial de semnal mic, de forma
Pentru a se obine un ctig A
dm
= 500 este necesar ca produsul R
C
I
C
s
ia valoarea de 13 V i pentru o valoare uzual I
C
=100 A, rezult R
C
=
130k . Aceast variant prezint dou inconveniente majore:
circuitul necesit o tensiune de alimentare de aproximativ 20 V pentru a
avea o gam rezonabil a tensiunilor de mod comun la intrare pentru
care tranzistoarele nu se satureaz;
aria de cip ocupat va fi mare datorit celor dou rezistene de colector
cu valoarea de 130k .
Generatorul de curent real poate fi echivalat conform Fig. 1 cu o surs
ideal de curent cuplat n paralel cu rezistena de ieire R
0
a generatorului
real, sau cu o surs ideal de tensiune nseriat cu rezistena de ieire R
0
.
Fig.1
Surs de curent cu stabilizarea curentului n emitor
Fig.2.
Rezistorul R
1
mpreun cu dioda D
z
formeaz un stabilizator parametric
de tensiune care fixeaz potenialul bazei tranzistorului T
1
la valoarea U
b
. Este
necesar ca prin R
1
s circule un curent I
1
care s asigure polarizarea diodei
Zener dincolo de cot. R
1
se dimensioneaz cu ajutorul relaiei
(1)
Considerm cvasi-egalitatea curenilor de emitor i de colector :
(2)
Deci curentul de colector va avea o valoare constant, fix i egal cu
cea a curentului din emitor, care se poate calcula cu urmtoarea relaie:
(3)
Din ecuaia de mai sus, se dimensioneaz rezistorul R
e
, pentru
obinerea curentului Ic dorit. Acest tip de surs de curent este utilizat mai rar
n amplificatoarele integrate, necesitnd o tensiune Ub , de regul de ordinul
volilor, ceea ce induce o pierdere de tensiune la saturaie pe sursa de curent,
de aproximativ
aceeai valoare.
Se observ c rezistena de sarcin, R
1
, nu este conectat la mas, ci la
borna pozitiv a sursei de alimentare. n cazul n care este necesar
conectarea rezistenei de sarcin ctre minusul sursei de alimentare se va
folosi schema dual cu tranzistor PNP i diod Zener conectat la plusul
sursei.
Surs de curent cu dou tranzistoare bipolare
Tranzistorul Q1 este conectat ca diod, obinndu-se condiia U
CB
=0 . n
acest fel, la jonciunea colector baz nu exist injecie de curent i tranzistorul
se comport ca i cum ar fi n RAN . Se pot neglija curenii reziduali ai
jonciunilor. Se presupune c tranzistoarele sunt identice i c rezistena de
ieire a tranzistorului Q
2
este infinit.
Fig.3.
Deoarece Q
1
i Q
2
au aceeai tensiune baz emitor, curenii lor de
colector sunt egali, I
C1
= I
C2
. Scriind suma curenilor n colectorul lui Q
1
se
obine:
(4)
Dac
F
este suficient de mare, putem aproxima
i deci curentul de colector al tranzistorului Q
2
se consider egal cu I
ref
.
(5)
Pentru tranzistoare diferite (n special conteaz ariile emitoarelor)
valoarea curentului generat va fi diferit de valoarea curentului referin,
aflndu-se ns ntr-un raport constant.
n ecuaia anterioar s-a presupus independena I
C
fa de V
CE
. n realitate,
crete odat cu V
CE
, conform relaiei urmtoare:
(6)
unde V
A
, tensiunea Early, are pentru tranzistoarele npn cu siliciu valoarea
tipic de 130 V.
Unul dintre cei mai importani parametri de funcionare ai unei surse de
curent, este rezistena de ieire la semnal mic, dat de modificarea valorii
curentului generat funcie de variaiile de tensiune de pe terminalul de ieire.
Importana acestui parametru este pus n eviden de faptul c att raportul
de rejecie al modului comun (CMMRR) la un amplificator diferenial ct i
ctigul unui circuit cu sarcin activ depind direct de valoarea sa.
Calculul valorii tensiunii echivalente Thvenin:
(7)
i a rezistenei de ieire
(8)
Circuitul prezentat n Fig. 3 are dezavantajul dependenei curentului
generat fa de tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de
referin. n vederea eliminrii acestui dezavantaj se introduce n circuit o
referin intern de tensiune, curentul generat depinznd de aceast tensiune.
Se folosesc n mod uzual trei tipuri de surse interne de tensiune de
referin: tensiunea V
BE
a unui tranzistor, tensiunea termic V
T
i tensiunea de
strpungere a unei jonciuni B-E polarizat invers. Ultima variant prezint
avantajul independenei fa de temperatur dar micoreaz plaja tensiunilor
disponibile la ieire cu 7...8V i n plus introduce zgomotul de strpungere n
avalan.
n fig. 4 este prezentat o metod superioar ce const n utilizarea
tehnicii de polarizare Bootstrap. Aceast metod prevede utilizarea unui curent
de polarizare, obinut printr-o cale de reacie negativ chiar din
Fig.4.
curentul de ieire. n figura 4 este prezentat un circuit care lucreaz cu reacie
Bootstrap i folosete ca tensiune de referin tensiunea V
BE
.
Fig.5.
Tranzistoarele Q
1
, Q
2
i rezistena R
1
impun dependena logaritmic a
curentului I
C2
fa de I
ref
. Oglinda de curent format cu Q
4
i Q
5
impune
egalitatea curenilor I
C2
i I
ref
. Dup cum rezult din figura 5 ambele condiii nu
pot fi satisfcute dect n origine (ambii cureni nuli) sau n punctul static de
funcionare A.
Exist riscul ca la alimentare punctul static s se stabileasc n origine i
pentru a nltura aceast alternativ se folosete circuitul de pornire
(amorsare) format din R
p
i diodele D
1
... D
5
.
Circuitul poate injecta curent n sarcina cuplat n colectorul lui 6 Q
i / sau poate absorbi curent din sarcin, n colectorul lui Q 3.
Stabilizatoare de tensiune
Parametrii unui stabilizator de tensiune( fig 6) sunt tensiunea i curentul
de intrare( u', i'), tensiunea de ieire( u
o
) i curentul de sarcin i
L
, prin sarcina
R
L
.
Valorile nominale se noteaz cu litere mari.
Fig.6.
Limitele de variaie( valoarem minim ,maxim) pentru tensiunea de
intrare i curentul de sarcin se noteaz U
im
,U
iM
respecliv I
Lm
, I
LM
. Variaiile
mrimilor electrice se noteaz cu u
i
, i
i
, u
0
, i
L
.
Variaia incremental a tensiunii stabilizate u
0
cu tensiunea de intrare i
respectiv curentul de sarcin este descris de urmtorii parametri:
- coeficientul de stabilizare:
(9)
definit de curent de sarcin constant ;
- rezistena de ieire
(10)
Schema echivalent a stabilizatorului, privit de la bornele de ieire este
aceea din figura 7. Este de dorit ca S s fie ct mai mare, iar R
0
ct mai mic.
Fig.7.
Un alt coeficient de stabilizare, notat cu K i definit prin:
(11)
pune n eviden influena rezistenei de sarcin.
Se vede c poate fi calculate punnd R
L
n expresia lui K. Calculul
dinamic al lui S se poate face cu ieirea stabilizatorului n gol. Randamentul
stabilizatorului este dat de relaia:
(12)
Caracteristica de ieire a unui stabilizator de tensiune este aproximativ
orizontal cum se vede n figura 8. protejarea sursei se face prin limitarea
curentului la o valoare fix, eventual programabil.
Fig.8.
Exist i caracteristici cu limitare .,prin ntoarcere" a curentului de ieire,
aa cum se arat n
diagrama din figura 8 (dreapta ntrerupt). Prin ,,ntoarcerea" curentului se
nelege o micorare a lui i
L
,. (curentul de ieire) astfel ca:
(13)
Pentru msurarea rezistenei interne a stabilizatorului de tensiune,
notat cu R
istU
i definit prin:
(14)
se folosete montajul reprezentat n schema din figura 9.a,u nde I
L
, este dat
de diferena celor dou indicaii ale ampermetrului I pentru dou valori diferite,
R
L
i R`
L
, ale sarcinii

Pentru determinarea factorului de stabilizare, notat cu F
y
, i definit prin:
(15)
se folosete montajul reprezentat n schema din figura 9.b. Variaia de tensiune
U
L
este indicat pe voltmetru V pentru dou valori diferite ala tensiunii de
intrare(U
i
i U`
i
)
iar variaia de curent este dat de cele dou indicaii ale ampermetrului.
se folosete montajul indicat in figura 10.b. Variaia de tensiune U
L
, este
indicat de voltmetrul Z pentru dou valori diferite ale tensiunii de intrare( U
i
i
U'i,):
, iar variaia de curent este dat de cele dou indicaii ale ampermetrului Ai, la
U
i
, i U'
i
,
Fig.9.
Stabilizatorul parametric
n schema din figura 10.a dioda stabilizatoare de tensiune (dioda Zener)
este exploatat n poriunea caracteristicii in care tensiunea la borne este
aproximativ constant( fig . 10.b).
Fig.10.
Parametrii diodei sunt tensiunea nominal standardizat curentul minim,
curentul maxim (determinat de puterea disipat maxim admisibil),
coeficientul de variaie al tensiunii cu temperatura i rezistenta dinamica R
ez
.
Ultimele dou mrimi depind decurentul de lucru I
L
. Variaia
coeficientului de temperatur n funcie de tensiunea de stabilizare U
z
este
indicat in figura 11.
Pentru {U
z
> 6 V se pot pune n serie cu dioda Zener una sau mai multe
diode pn deschise, pentru a asigura compensarea termic n jurul unui anumit
curent de lucru.
Fig.11.
Stabilizatoare electronice cu tranzistoare
Se realizeaz dup o schem ca cea din figura 12, ce are repetor pe
emitor (cu tranzistonrl 7) intercalat ntre dioda Zener i sarcin. Acest
amplificator de curent permite stabilizarea la variaii ale curentului de sarcin
mult mai mari dect variaiile de curent admise de dioda Zener.
Fig.12
In schema urmtoare din figura 13, dioda Zener DZ, este polarizat de
generatorul de curent format de T, ,DZ, R
2
, i R
3
.
n acest mod se reduce efectul variaiei tensiunii de intrare. n schemele
cu reacie se asigur o stabilizare mai bun. Concomitent, tensiunea stabilizat
este mai mare dect tensiunea pe dioda Zener folosit ca element de referin.
Ca urmare, alegerea diodei se face n primul rnd pe criterii de coeficient de
temperatur sau rezisten dinamic.
In figura 14 este reprezentat schema bloc a stabilizatorului cu element
de control (reglaj) serie.
Schema din figura 15 este o schem de baz unde tranzistorul
T
1
1mplific diferena ntre un eantion al tensiunii de ieire i tensiunea de
referin, culeas la bornele diodei DZ.
Fig.13
Fig.14
Fig.15.
Variaiile curentului prin T
1
se , transmit ns diodei DZ, provocnd
modificarea nedorit a punctului de funcionare, deci a tensiunii de referin.
Din acest motiv se prefer o alt schem, ca cea din figura 16, care utilizeaz
un amplificator diferenial (cu tranzistoarele T
1A
i T
1B
) ca detector i
amplificator de eroare.
Fig.16.
In acest caz dioda de referin este ncrcat doar de curentul de baz al
tranzistorului T
1B
. O alt ameliorare a schemei const n "prestabilizarea"
alimentrii tranzistorlui amplificator. Aceasta se poate realiza printr- un
generator de curent ca n figura 17. unde catodul diodei este la potenial
constant, atunci cnd stabilizatorul funcioneaz corecst i U
0
este constant.
n aceiai schem se arat i utilizarea unei perechi Darlington pe post de
tranzistor de control.
Fig.17.
Stabilizatoare de tensiune cu amplificator operaional
Se realizeaz dup schema din figura 18, care este, n fapt un
amplificator cu reacie negativ la care amplificarea n bucla deschis este
foarte mare.
Reacia negativ de tensiune serie se aplic prin divizorul R
1
,R
2
.
Tensiunea de referin apare la ieire amplificat:
Fig.18
Sursa de referin lucreaz practic n gol, deoarece amplificatorul are o
impedana de intrare foarte mare. Rezistena de ieire este i ea micorat prin
reacie.

LECIA XI
OSCILATOARE ARMONICE
Prin oscilator se nelege un circuit neliniar, capabil s transforme o parte
din energia de alimentare n curent continuu n energie a oscilaiilor furnizate la
ieire. Spre deosebire de amplificatoare, oscilatoarele furnizeaz energie fr
excitaie extern, se autoexcit; oscilaiile se autontrein.
Orice radioemitor i practic orice radioreceptor include cel puin un
oscilator, de regul cu ieire sinusoidal. De aceea, numai oscilatoarele
sinusoidale vor fi discutate.
Orice oscilator include un amplificator, un circuit de reacie i o surs de
alimentare. Considernd reacia n tensiune, ca n Fig. 1, condiia de
autooscilaie este: A k = 1. Rezult:
condiia de amplitudine: A k = 1 ,
condiia de faz: n A k + = 2 (1)
Fig.1. Modelul unui oscilator cu reacie
In radioemitoarele actuale, se utilizeaz numai oscilatoare cu
tranzistoare. Din marea varietate a oscilatoarelor tranzistorizate, n emitoare
se folosesc numai acele tipuri care asigur o mare stabilitate a frecvenei. Cele
mai rspndite sunt oscilatoarele cu cuar. Ca funcionare, oscilatoarele cu
cuar se apropie, uneori pn la identificare, de oscilatoarele LC n trei puncte.
De altfel, acestea sunt i cele mai stabile oscilatoare LC.
Oscilatoare tranzistorizate n trei puncte
O succint prezentare a oscilatoarelor tranzistorizate este util pentru
determinarea factorilor care determin stabilitatea frecvenei.
In oscilatoare, tranzistorul poate fi privit ca diport, caracterizat prin admitane
parametrii y , ca n Fig. 2, cu ecuaiile:
Fig. 2. Tranzistor modelat cu parametrii y
(2)
(3)
n regim neliniar (blocat - activ, activ - saturat), cnd limitarea
amplitudinii oscilaiilor are loc prin intrarea n blocare sau saturaie a
dispozitivului activ (autolimitare);
n regim liniar (de semnal mic), cnd se folosesc circuite speciale pentru
limitarea amplitudinii oscilaiilor.
Oscilatoarele cu autolimitare sunt de departe cele mai folosite. In aceste
oscilatoare, cel puin dou mrimi (de obicei i0 i ui) nu variaz sinusoidal. Ca
urmare, n relaiile (3), mrimile I0, Ii, U0 i Ui se refer la componentele
fundamentale, armonice, ale curenilor i tensiunilor iar parametrii y sunt
mediai pentru aceste componente. Astfel, dac c este semiunghiul de
conducie al i
0
i g
0
m
este transconductana de semnal mic, admitana direct
este:
(4)
1 coeficientul dezvoltrii Fourier
Oscilatoarele n trei puncte se realizeaz conectnd tranzistorul la un
diport format din trei impedane: Z1, Z2, Z3, (Fig. 3), ale cror reactane
formeaz un circuit acordat cu Q mare. Uneori, n IF, se introduce i Z4, pentru
compensarea defazajului introdus de tranzistor.
In prim aproximaie, tranzistorul va fi considerat ca diport cu parametri
y liniarizai prin mediere la fundamentala semnalelor. Neglijnd reacia intern
y
r
incluznd yi n Z2 i y0 n Z1, se obine schema echivalent din fig. 3, n care:
(5)
semnul corespunde sensului I
cr
Fig. 3. Oscilator n 3 puncte: schem de principiu i schem echivalent
cu tranzistor ideal
Deoarece:
(6)
condiiile de autooscilaie devin:
(7)
Frecvena de oscilaie
Din condiia de autooscilaie (1), nlocuind Au i k din (5), rezult:
(8)
unde Zs este impedana circuitului serie. Sub alta form:
(9)
Z1 , Z 2 , Z 3 sunt componentele unui circuit rezonant cu Q mare i se pot face
aproximaiile:
(10)
La frecvene destul de joase pentru ca timpul de tranzit al purttorilor s fie
neglijabil, g
0

m
este real, deci i

este real i:
(11) (12)

1
i
2
pot avea numai valorile din (12), deci
s
poate avea numai valorile 0
sau -. Z1 , Z 2 , Z 3 fiind pasive, este realizabil numai
s
=0, aadar Z s este
real, adic:
s
=0.
(13)
Cu alte cuvinte, autooscilaiile se produc cu frecvena de rezonan a
circuitului serie Z1, Z2, Z3. Relaia (13) este un alt mod de scriere a condiiei
de faz pentru autooscilaie. Din (12):
(14)
ceea ce nsemn c X
1
i X
2
trebuie s fie de acelai fel: ambele inductive sau
ambele capacitive
iar X
3
trebuie s fie de semn contrar:
(15) (16)
Conform relaiilor de mai sus, sunt posibile trei combinaii de componente
reactive pentru oscilatoarele n trei puncte (Fig. 4)
Fig. 4. Circuitul rezonant la oscilatoere n 3 puncte: a Colpitts, b Hartley,
c Clapp, d conectare la terminale n cele 3 conexiuni ale TB
In oscilatoare TB poate fi utilizat n orice configuraie: EC, BC sau CC (Fig.
4), fiecare avnd avantaje i dezavantaje. Se pot utiliza TEC, n configuraii
similare.
Dac
g
0 (tranzistorul introduce defazaj), oscilaiile se produc cu frecvena

0
, diferit de frecvena de rezonan a circuitului
rez
. innd seama de (9) i
(14):
(17)
Deoarece stabilitatea frecvenei scade cu att mai mult cu ct |
0

rez
|
este mai mare, uneori este bine s se introduc o reactan Z
4
- Fig. 3, pentru
compensarea
g
, nct oscilaiile s se produc cu
0
=
rez
.
Stabilitatea frecvenei la oscilatoare
Stabilitatea frecvenei, msurat prin abaterea relativ f, poate fi
determinat utiliznd ecuaia condiiei de faz pentru autooscilaii (9), dup
care defazajul total , trebuie s fie:
(18)
Defazajul depinde de frecven i de valorile componenelor
impedanelor i transconductanei, la rndul lor dependente de diferii factori.
Dac unul din aceti factori notat , are o aciune destabilizatoare,
modificndu-se de la
0
la =
0
+ , acest factor poate fi explicitat n
expresia defazajului, sub forma = (, ). Cnd se modific, condiia de
autooscilaie nu poate fi realizat dect dac se modific i frecvena, de la
0
la =
0
+ :
(19)
Orice modificare a frecvenei de rezonan apare cu aceeai valoare n
semnalul generat, indiferent de Q
s
. Aceasta este o constatare foarte
important, deoarece arat cum se reflect variaiile componentelor reactive
ale circuitului rezonant n valoarea frecvenei generate. Deoarece:

variaia frecvenei rez determinat de micile variaii
ale componentelor este:
Pentru o bun stabilitate, n oscilatoare trebuie utilizate componente cu
parametri constani, puin modificabili de factori externi ca: temperatur,
umiditate, presiune etc. In particular, reducerea influenei temperaturii se
poate realiza folosind condensatoare cu coeficient de temperatur (
T(C)
) egal i
de semn opus cu al bobinei (
T(L
)), nct:
Variaiile lente ale frecvenei oscilaiilor au multiple cauze, printre care:
modificarea parametrilor componentelor pasive din circuitul rezonant;
modificarea unor parametri ai tranzistorului.
Caracteristicile componentelor pasive sunt influenate de temperatur (cel
mai important factor destabilizant), umiditate, presiune, solicitri mecanice
(vibraii) etc. Aceti factori modific i reactanele parazite. Efectul
temperaturii poate fi redus prin compensare (de exemplu fcnd

T(C
)
T(L)
) i eliminat prin termostatare. Efectele celorlali factori pot fi
combtute prin ncapsulare ermetic i / sau impregnare.
Tranzistorul influeneaz frecvena de oscilaie deoarece conductanele (
g
i
, g
r
, g
0
) i susceptanele ( b
i
, b
r
, b
0
), fac parte din circuitul rezonant iar
g
m
apare explicit n condiia de oscilaie. Variaia susceptanelor modific
rez
,
iar conductanele cresc r
s
, reducnd Q
s
.
Deoarece admitanele depind de capacitile jonciunilor, timpii de tranzit
ai purttorilor i de modul n care acestea variaz cu i
B
i i
C
, nseamn c sunt
influenate de temperatur, tensiuni de polarizare i de regimul de lucru
(subexcitat / supraexcitat, semiunghi de conducie, ...).
Temperatura tranzistorului poate varia att sub influena medlui ct i
datorit puterii disipate pe tranzistor; este bine ca aceast putere s fie mic.
Tensiunile de polarizare, de regul C E care asigur i B E , influeneaz direct
parametrii echivaleni ai tranzistoarelor (n special capacitile jonciunilor);
este bine ca alimentrile s fie stabilizate.
In general, influena tranzistorului asupra frecvenei poate fi redus:
stabiliznd sursa de alimentare,
cuplndu-l slab cu circuitul rezonant,
micornd puterea disipat pe jonciuni (reducnd amplitudinilor
curenilor i tensiunilor),
asigurnd limitarea amplitudinii prin blocare i nu prin saturaie sau i
mai bine cu circuite
speciale (care s menin dispozitivul n regiunea activ, n regim de
semnal mic),
ncapsulnd i/sau impregnnd ansamblul,
termostatnd ntregul ansamblu.
Oscilatoare controlate cu cuar

In prezent, pentru obinerea oscilaiilor cu frecven stabil de la circa
1kHz pn la peste 200MHz, de departe cele mai utilizate sunt oscilatoarele
controlate cu cuar.
Cuarul este bioxid de siliciu cristalizat romboedric cu trei axe de simetrie
- Fig. 5. Cuarul se gsete n natur sau poate fi crescut artificial. Din cristal se
taie plcue paralelipipedice sau cilindrice, care se metalizeaz pe fee opuse i
se utilizeaz ca rezonatori.
Fig.5.
Schema echivalent a rezonatorului cu cuar
In apropierea frecvenelor proprii, cuarul n circuite electrice se
comport fa de semnale variabile ca un circuit RLC cu Q foarte mare,
prezentnd efecte de tipul rezonanelor serie i paralel. Astfel, schema
echivalent a rezonatorului cu cuar, n apropierea frecvenelor proprii, de
rezonan, este ca n Fig. 6. Pentru fiecare frecven exist o schem
echivalent, valid numai n jurul respectivei frecvene de rezonan.
C
1
, L
1
, R
1
sunt elementele echivalente intrinseci n jurul fundamentalei
(C
3
, L
3
, R
3
n jurul armonicei a 3-a; C
5
, L
5
, R
5
n jurul armonicei a 5-a; etc.),
determinate de cristal, depinznd de dimensiuni i de tietur. C
1(3, 5, ...)
este
foarte mic (0,0001 ... 1pF), L
1(3, 5, ...)
este mare (rezult din valoarea
frecvenei de rezonan) iar R
1(3, 5, ...)
are valori foarte diferite (x0,1 ...
x100k). C
0
este capacitatea echivalent extrinsec, care include:
capacitatea condensatorului plan cu dielectric cuar format de armturi,
capacitile dintre terminale,
dintre terminale i capsul etc.
Obinuit, C
0
este 5 ... 30pF, funcie de grosimea plcuei, suprafaa
armturilor, tipul capsulei. In lipsa datelor de catalog, pentru rezonatori n
gama 1 50MHz, se poate admite
C
0
= 15 5pF (capsule miniatur i subminiatur), C
1
0,01pF i R
1
=
100 / f
rez(MHz).
In regim overtone, se admite:
Fig. 6. Schema echivalent a rezonatorului cu
cuar: a pe fundamental, b, c pe armonica 3
i 5, d simbolizare
Schemele echivalente din Fig. 6 i Q
s
au sens numai pentru frecvene de
lucru foarte apropiate de frecvenele de rezonan ale circuitelor serie:
La frecvene deprtate de rezonan (joase i nalte), cristalul de cuar se
comport ca o capacitate a condensatorului format din armturi i dielectric
SiO
2
. In jurul rezonanei, comportarea este asemntoare cu a schemei
echivalente din fig. 6.a. O asemenea schem prezint dou frecvene de
rezonan:
o frecven numit de rezonan serie, la care impedana dintre borne
este rezistiv i mic, practic egal cu R
1
. Aceast frecven coincide
practic cu rezonana serie a circuitului
frecven numit de rezonan paralel, la care impedana dintre borne
este rezistiv i mare, practic egal cu Q
s
R
1
. Aceast frecven coincide
practic cu rezonana paralel a circuitului R
1
L
1
n paralel cu C
1
serie cu
C
0
:
Deoarece C1 << C0, 01 s i 02 sunt foarte apropiate:
Intre 01 i 02 cristalul se comport inductiv iar n afara intervalului
capacitiv.
Oscilatoare n trei puncte cu cuar
nlocuind inductana din circuitul rezonant al oscilatoarelor Colpitts sau
Clapp se obine schema din Fig. 7.a. Oscilatorul Colpitts cu cuar este, n
diverse variante, cel mai folosit. nlocuind una din inductane n circuitul
rezonant al oscilatorului Hartley se obin schemele din Fig. 7.b, c.
Varianta din Fig. 7.c nu este utilizat din cauz c impedana
componentei active n paralel cu cristalul este mic i determin reducerea Q -
ului. Varianta din Fig.7.b (oscilator Miller), este rar folosit, avnd unele
dezavantaje.
La oscilatorului Colpitts cu cuar (Fig. 7.a), condiia de faz pentru autooscilaii
este:
Rezolvnd grafic condiia de faz (Fig. 8), rezult dou soluii,
0
i `
0
,
corespunztoare interseciilor din A i B.
Fig. 8. Soluia grafic a condiiei de faz pentru autooscilaii
la oscilatorul Colpitts cu cuar
In A, la
0
aproape de
01
, |Zech(
0
)| este mult mai mic dect |
Zech(
0
)| din B. Ca urmare, condiia de amplitudine pentru autooscilaii se
realizeaz mult mai uor la
0

01

s
. La frecvena de oscilaie
0
, C
apare n serie cu cristalul
Se obine:
n B (ca i n A), defazajul introdus de cristal este /2 inductiv, dar n B
X
1
, X
2
, X
ech
variaz cu frecvena n acelai sens. Ca urmare, oscilaiile n B sunt
instabile (ca n B din Fig. 7). n B panta fazei este negativ, condiia /

s
/ nu poate fi realizat.
Nu exist oscilatoare cu cuar care s funcioneze la, sau foarte aproape
de frecvena de rezonan paralel, la care impedana echivalent este
maxim, fie din cauza pantei negative a fazei fie din cauza impedanei foarte
mari. Expresia cristalul la rezonan paralel, utilizat de unii autori, se refer
la faptul c, cristalul prezint o impedan echivalent mare, frecvena de
oscilaie rmne ns aproape de a rezonanei serie.
Oscilatoare cu cuar pe calea de reacie
In aceste oscilatoare cuarul este conectat n serie pe calea de reacie
pozitiv a circuitului Fig. 9. Dispozitivul activ i sarcina acestuia sunt astfel
nct defazajul introdus este aproape nul. Ca urmare, pentru autooscilaie
cristalul trebuie s introduc un defazaj foarte mic.
Cuarul, n serie cu R
g
, formeaz cu R
L
un divizor. Tensiunea de reacie
este maxim cnd |Z
ech
| este minim. Cele dou condiii de oscilaie sunt
ndeplinite la sau foarte aproape, de rezonana serie, deci
0

01

s
.
In aceste scheme, C
0
constituie o cale de nchidere a reaciei pozitive
pentru curenii cu frecvene mai mari dect
0
. Ca urmare pot apare
perturbaii, oscilaii parazite pe frecvene mari.
Efectul poate fi eliminat cu o inductan n paralel cu cristalul sau prin
neutrodinare.
Fig. 9. Oscilator cu rezonator cu cuar la rezonan serie
Principiile de funcionare ale PLL
Bucla cu calare de faz este un sistem automat cu reacie pentru
urmrirea fazei. Ca sistem automat, PLL are multiple aplicaii, dar principalul
beneficiar rmn telecomunicaiile.
Pentru abordarea sintezei indirecte a frecvenei este necesar
cunoaterea principiilor de funcionare ale PLL. Dar, bucla cu faz calat este
un circuit complicat, cu mai multe regimuri de funcionare - unele neliniare, cu
o comportare specific la zgomotul de faz - aspect esenial n sinteza
frecvenei. Discutarea cantitativ, chiar sumar, a tuturor aspectelor privind
comportarea PLL de diverse tipuri, depete cadrul acestui capitol. In
consecin, PLL vor fi prezentate calitativ, insistnd asupra aspectelor eseniale
pentru sinteza frecvenei.
Schema bloc a PLL, n forma cea mai simpl este ca n Fig. 10.
Fig. 10. Schema bloc a PLL
Mrimile de intrare i de ieire sunt fazele semnalelor de intrare i de
ieire
i
(t) i
o
(t).
Calitativ, funcionarea PLL este astfel:
comparatorul de faz CP furnizeaz o tensiune vd(t) proporional cu
diferena fazelor;
filtrul trece jos FTJ separ din vd(t) componenta continu (lent variabil)
vc;
oscilatorul controlat n tensiune OCT furnizeaz semnal cu frecvena
comandat de tensiunea de comand v
c
.
Sistemul este astfel nct, n regimul de lucru normal, numit regim de
urmrire (a fazei):
frecvenele de ieire i de intrare sunt egale:
o
=
i
;
ntre fazele de intrare i ieire se realizeaz o diferen constant i
mic:

o
(t)
i
(t) = constant faza de ieire urmrete faza de intrare.
Dac faza de ieire se modific de exemplu datorit schimbrii
frecvenei
o
, se modific o(t) i(t), se schimb i tensiunea de comand
v
c
, faza de ieire este forat s revin la valoarea iniial pentru ca
o
=
i
,

o
(t)
i
(t) = constant.
Dac faza de intrare se schimb, de exemplu datorit variaiei frecvenei
la
i1
:
tensiunea de comand vc variaz modificnd frecventa OCT;
frecvena de ieire devine egal cu noua frecven de intrare:
o1
=
i1
;
Principiul multiplicrii de frecven cu PLL.
Sinteza frecvenei cu PLL digitale (cu numrtoare digitale) se bazeaz
pe principiul multiplicrii de frecven cu PLL.
Fig.11. Principiul multiplicrii frecvenei cu PLL
Introducnd un divizor de frecven comandat (:N) ntre OCT i CP ca n
Fig. 11, n
calare:

, deci:

Dac N variaz de la N
min
= 1 la N
max
, se obine un sintetizor cu N
max
trepte, n pai f
i
. Dac fi se obine de la o surs de referin cu f, dup o
divizare prin M rezult:
M poate fi de asemenea variabil, iar gama frecvenelor OCT este:
Cnd trebuie generate puine frecvene, cu pai mari (sute - mii Hz),
procedeul de mai sus este direct aplicabil, rezultnd un sistem simplu. De
ndat ce se pune problema obinerii unui numr mare de frecvene, cu pai
mici, apar probleme dificile, legate de zgomot i durata stabilirii frecvenei -
sistemele se complic, adesea foarte mult.
LECIA XII
Amplificatoare
Amplificatoare electronice
Definit n modul cel mai general, un amplificator este un cuadripol la intrarea
cruia dac se aplic un semnal variabil, la ieire se obine un semnal de
aceeai form i frecven dar cu amplitudine mai mare. Este evident c sporul
de putere la ieirea amplificatorului este obinut datorit unei surse de energie
electric cu care este prevzut acesta.
Amplificatoarele se pot realiza cu elemente amplificatoare
semiconductoare adic cu tranzistoare bipolare i cu efect de cmp. n acelai
scop se folosesc i circuitele integrate amplificatoare care ncorporeaz
totalitatea componentelor de baz ale schemei electronice. Celula de baz cea
mai simpl care realizeaz amplificarea se numete etaj amplificator.
Semnalele electrice la intrarea amplificatoarelor pot fi variabile continuu,
n mod particular sub forma oscilaiilor armonice, sau sub forma impulsurilor de
polaritate diferit. Se poate considera c, n regimuri stabilizate, majoritatea
mrimilor fizice sunt constante sau lent variabile, cum sunt, de exemplu,
tensiunea i frecvena reelei. n regimuri tranzitorii i ndeosebi n caz de
avarie, acelai mrimi se pot modifica rapid.
Amplificatoarele care pot funciona att cu semnale variabile ct i cu
semnale continue sau lent variabile sunt cele mai universale i deci i cele mai
des utilizate n practic. Aceste amplificatoare se numesc de curent continuu,
cu toate c ele amplific i componenta alternativ i, n marea lor majoritate,
ele sunt amplificatoare de tensiune i nu de curent.
Fig. 1 Schema de cuplare cu emitor comun a tranzistorului bipolar
n figura 1 este prezentat schema amplificatorului cu emitor comun cu
tranzistor de tipul n-p-n. Semnalul de intrare se aplic n baza tranzistorului sub
forma tensiunii uBE i curentului iB.
Relaia uCE = f(uBE) se numete caracteristica de transfer a etajului. Prin
creterea lui uBE, crete
curentul iB, precum i curentul iC, astfel: iC = (_+1)ICB0 + _iB. Ca rezultat,
crete cderea de tensiune pe rezistorul RC i se micsoreaza tensiunea uCE = EC
i
C
R. Cnd u
CE
ajunge la valoarea U
CES
, creterea n continuare lui u
BE
nu mai
provoac modificarea tensiunii u
CE
i a curentului i
C
, care trece prin rezistena
de sarcin R
C
(figura 2). n acest regim, pe rezistena de sarcina R
C
se aplic
tensiunea EC UCES i, din acest motiv, curentul de colector este egal cu
Fig. 2 Functia de transfer a amplificatorului cu tranzistor n montaj emitor comun
Caracteristica de transfer a etajului arat c prin variaia tensiunii u
BE
sau
a curentului i
B
n circuitul de mic putere a sursei se semnal se pot modifica
valorile curentului i
C
i tensiunii uCE din circuitul sursei EC de putere mai mare.
Tensiunea uCE poate varia numai n limitele: U
CES
5Uu
CE
5UE
C
, iar curentul i
C
n
limitele:
care corespunde zonei a II-a pe caracteristica de transfer din figura 2. Pentru
valori negative ale lui u
BE
i n zona I a caracteristicii de transfer, prin tranzistor
trece numai curentul mic necomandat al jonctiunii baz-colector, iar n zona a
III-a, u
CE
= U
CES
, iar tranzistorul i pierde calitatea de amplificator. De
asemenea, se constat din sectiunea a II-a c, prin creterea lui uBE, se
micoreaz u
CE
. Amplificatorul la care variaia semnalului la ieire este de sens
opus variaiei semnalului de la intrare se numete amplificator inversor.
Regimurile de funcionare ale etajului de amplificare se numesc clase de
amplificare i pot fi analizate pe baza caracteristicii de transfer. n figura 2,
este reprezentat semnalul de intrare u
int
(t) de form oarecare cu ambele
polariti i tensiunea u
CE
(t) n diferite clase de amplificare. Clasa de amplificare
B este caracterizat de egalitatea u
BE
= u
int
.
Datorit neliniaritii caracteristicii de transfer a etajului n clasa B, la
ieirea acestuia se transmite numai alternana pozitiv a semnalului, pentru
uint > 0. Aceasta clas de amplificare se folosete atunci cnd este necesar
amplificarea impulsurilor de o singur polaritate. n cazul aplicrii la intrare a
unor semnale cu ambele alternane, forma acestuia la ieire este distorsionat,
iar o parte a informaiei coninute n semnal este pierdut definitiv.
n cazul funcionrii etajului n clasa de amplificare A, la intrarea acestuia
se aplic, pe lng semnalul uint(t) i o tensiune constant, care deplaseaz
punctul de lucru pe caracteristica de transfer, astfel nct:
u
BE
= u
int
+ U
d
.
Datorit tensiunii de deplasare, Ud, semnalul de intrare se poate
reproduce n totalitate, fr distorsiuni de form, pentru c valoarea lui uBE
corespunde n mod continuu zonei a II-a pe caracteristica de transfer.
Regimul de repaus corespunde regimului de funcionare a
amplificatorului cnd acestuia i se aplic tensiunea sursei de alimentare i
tensiunea de deplasare, dar nu i o tensiune uint. n acest regim, u
BE
= U
BEr
i i
B
=
I
Br
, iar u
CE
= U
CEr
. Cnd se aplic tensiunea uint negativ sau pozitiv, se
micoreaz sau respectiv se mresc curenii i
B
i i
C
, precum i cderea de
tensiune pe R
C
n mod corespunzator, astfel nct u
CE
= U
Cer
+ U
CE
, unde UCE =
uies reprezint efectul de amplificare.
n regimul de funcionare cu semnal mare la intrare, modificarea tensiunii
de intrare cuprinde toate sectiunile caracteristicii de transfer (I III), iar forma
semnalului transmis este distorsionat i limitat n amplitudine.
Asemenea situaii sunt specifice n tehnica impulsurilor, unde limitarea
amplitudinii impulsurilor dreptunghiulare nu are urmri semnificative.
Alegerea clasei de amplificare i a regimului de repaus determina nu
numai forma semnalului transmis, dar i pierderile de putere care produc
nclzirea tranzistorului, astfel:
Pe diagrama din figura 2, cu linie punctat este reprezentat variatia
puterii P n regim de repaus n funcie de tensiunea de deplasare, UBer. Se
constat c, alegerea valorii lui UBer n mijlocul seciunii a II-a pe caracteristica
de transfer corespunde pierderilor maxime de putere n tranzistor.
Regimul de repaus la amplificatorul cu tranzistor n montaj cu emitor
comun
Pentru analiz, s considerm c etajul cu emitor comun funcioneaz n
clasa de mplificare A. Schema din figura 3 conine suplimentar fa de schema
din figura 1 rezistorul de sarcin din colector R
S
, la bornele cruia se culege
tensiunea de ieire, uies, iar circuitul de intrare este reprezentat n mod
conventional sub forma cuplrii n serie a dou surse de tensiune, uint i Ud.
Fig. 3 Amplificator n montaj emitor comun
n figura 4 se prezint diagramele de timp ale tensiunilor i curenilor
pentru etajul de amplificare cu emitor comun. Cnd uint = 0, n regimul de
repaus, prin tranzistor circul curenii continui IBr, ICr, IEr, iar pe baza i pe
colectorul tranzistorului se aplic tensiunile continue UBEr i UCEr 5U0. Pentru c,
n regim de repaus, uies = 0, n circuitul sarcinii RS este necesar introducerea
unei surse de tensiune continu pentru compensare: Ucomp = UCEr.
La aplicarea tensiunii de intrare, curenii i tensiunile n tranzistor se
modific cu valorile
UBE = uint, IB, IC, IE, UCE = Uies, care sunt reprezentate n figura 4.4, pentru
cazul cnd semnalul la intrare are o form oarecare. Valorile instantanee ale
curenilor i tensiunilor n tranzistor se pot determina cu ajutorul metodei
grafice, care reprezint una dintre metodele eficiente de analiz a circuitelor
neliniare. Caracteristica de ieire a schemei din figura 3, care conine un singur
element neliniar tranzistorul, se exprim astfel:
i
C
= f(u
CE
) pentru I
B
= ct. (1)
Dac se consider c n circuitul de sarcin se cupleaz sursa de
tensiune de compensare, Ucomp = UCEr, atunci, n regim de repaus, curentul de
colector este:
(2)
Pentru rezolvarea sistemului de ecuaii se folosete metoda grafic, n
care scop, pe familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (figura 5), se
traseaza dreapta de sarcin n curent continuu, descrisa de ecuatia (2). Astfel,
se obtine c, pentru iC = 0, uCE = EC iar pentru uCE = 0,
. Prin aceste dou puncte stabilite se traseaz dreapta de sarcin.
Intersecia dreptei de sarcin n curent continuu cu caracteristica de ieire a
tranzistorului pentru iB = IBr va corespunde soluiei sistemului de ecuaii,
respectiv punctului de repaus, numit i punct static de functionare, O(UCEr, ICr)
(figura 5).
n general, conditia Ucomp = UCEr nu se ndeplinete i curentul de colector
se mparte, trecnd i prin RS. n acest caz, partea schemei compuse din EC, RC,
Ucomp, RS se nlocuiete cu rezistena i tensiunea echivalente, Rechiv i Eechiv,
care se determin pe baza teoremei generatorului echivalent astfel:
Valorile lui Rechiv i Eechiv se introduc n locul lui RC i respectiv EC n ecuaia
(2) i, pe aceast baz, se construiete dreapta de sarcin n curent continuu.
Fig. 4 Diagramele tensiunilor si curentilor n amplificatorul n montaj
emitor comun
Analiza grafic a etajului n prezena semnalului la intrare se face n mod
analog. n acest scop, se urmrete circuitul de trecere a curentului IC. Acest
curent poate trece prin RC i EC, precum i prin Ucomp i RS. Avnd n vedere c
rezistena surselor de tensiune continu la variaia curentului I, adic
rezistena acestora n componenta alternativ a curentului este egal cu 0, se
obine:
(3)
n continuare, se rezolv sistemul ecuaiilor (1) i (3), n care scop, pe
familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (figura 5), se traseaz
dreapta de sarcin n curent alternativ, AOB, prin punctul de repaus O, n
concordan cu relaia (4.3). Pentru c
dreapta AOB este mai nclinat dect dreapta de sarcin n curent continuu.
Fig. 5 Calculul grafic al etajului de amplificare cu tranzistor n montaj emitor
comun; dreapta de sarcin i influena variaiei de temperatura asupra
punctului de repaus
Prin creterea lui iB, punctul de lucru al etajului, determinat de valorile lui
uCE i iC, se deplaseaz n sus pe dreapta OA, curentul i
C
creste, iar tensiunea
u
CE
scade. Prin micsorarea curentului bazei, punctul de lucru se deplaseaza pe
dreapta OB, curentul i
C
scade, iar tensiunea uCE creste. Dreapta AOB reprezint
traiectoria punctului de lucru a etajului.
Metoda grafic de analiz permite studierea neliniaritii caracteristicilor
tranzistorului si analiza aciunii semnalelor oarecare n orice clasa de
amplificare. Metoda grafica este totusi greoaie i nu permite alegerea
parametrilor elementelor constitutive ale etajului pe baza condiiilor initiale
date. Calitatea esenial a metodei grafice de analiza const n aceea ca ofer
o reprezentare concludent asupra funcionrii etajului ca schema cu elemente
neliniare.
Trebuie de remarcat faptul c, prin creterea temperaturii, crete
valoarea lui Icr iar caracteristica de ieire se deplaseaz n sus prin meninerea
egalitatii IB = IBr, asa cum se vede n figura 5 (reprezentare cu linie ntrerupt).
Punctul de repaus se deplaseaz n sus pe linia de sarcin n curent continuu
din punctul O n O, ceea ce face ca modificarile de semnal s ias din zona a II-
a a caracteristicii de transfer (figura 2), iar forma curbei semnalului s fie
distorsionat (curba uies n cazul nclzirii n figura 5). Datorit acestui fapt, la
amplificatoarele cu tranzistoare este necesar stabilizarea punctului de repaus.
n mod practic nu se folosesc etaje cu tranzistoare fr msuri corespunztoare
de stabilizare a punctului de repaus.
Aceast stabilizare este de asemenea necesar i pentru prevenirea
situaiilor n care, prin nlocuirea tranzistoarelor, se modific de regula
regimurile de lucru, datorit faptului c marja de variaie a caracteristicilor
tranzistoarelor este destul de mare n jurul datelor de catalog.
Schema echivalenta si parametrii principali ai etajului
amplificator
cu tranzistor n montaj emitor comun
Pentru calculul parametrilor de amplificare ai etajelor de amplificare se
folosete metoda bazat pe liniarizarea caracteristicilor tranzistorului. Prin
metoda liniarizrii caracteristicilor neliniare se pierd informaii despre
elementul real i despre limitrile determinate de neliniaritate.
Analiza amplificatoarelor se poate face numai pentru componentele
alternative de curent i tensiune n clasa de amplificare A. Pentru calculul
componentelor alternative, elementul de amplificare se nlocuiete cu schema
liniar echivalent. n zona n care caracteristicile de ieire sunt paralele cu
abscisa (figura 7.a), tranzistorul funcioneaz ca surs de curent i
C
, a crei
variaie se poate scrie sub forma:
este rezistenta dinamic de ieire a tranzistorului cu emitor comun,
determinat de panta caracteristicilor de ieire. Rezistenta rC* este de ordinul a
10
4
e. n acest fel, circuitul de ieire, de colector al tranzistorului reprezint o
surs de curent comandat, cu rezistenta intern egal cu rC*.
Circuitul de intrare, din baza tranzistorului este descris de expresia:
unde rintE este rezistena dinamic de intrare a tranzistorului cu emitor comun,
determinat de panta caracteristicilor de intrare ale tranzistorului, aa cum se
arat n figura 7.b, pentru UCE > UCES. Pentru tranzistoarele de putere mic,
aceast rezisten are valoarea de ordinul 10
3
e, iar pentru tranzistoarele de
putere mare ea este mai mic. Schema echivalent a tranzistorului n curent
alternativ este prezentata n figura 6.
Aceasta schem are o serie de avantaje fa de alte scheme echivalente
(figura 7.a,b) prin faptul c parametrii ei se determina relativ uor din
caracteristicile tranzistorului, reprezentarea elementelor din schem
corespunde unitilor de msur a mrimilor respective iar formulele de calcul
sunt simple i corespund interpretarii fizice.
Fig.6 Schema echivalenta n curent alternativ a tranzistorului cu emitor comun
n tabelul 1 se arat corespondena dintre parametrii schemei
echivalente din figura 6 i respectiv din figura 7.
Fig. 7 Schema echivalenta n curent alternativ a tranzistorului
cu emitor comun: cu parametrii hibrizi (a); cu parametrii fizici (b)
Tabel .1 Corespondenta dintre parametrii schemei echivalente din
figura 6, respectiv 7
Succesiunea de calcul pentru componentele variabile ale curenilor i
tensiunilor etajului este urmtoarea:
1. Se nlocuiete tranzistorul cu schema sa echivalenta din figura 6;
2. Se nlocuiete partea linear a schemei etajului cu rezistentele
echivalente pentru curentul alternativ, avnd n vedere c sursele de tensiune
constant (EC, Ud, Ucomp) pentru componenta variabil a curentului au
rezisten nul i deci, se, pot pune n scurt circuit.
3. Se calculeaz, pe baza schemei echivalente a etajului, parametrii
electrici ai circuitului liniar, prin metodele cunoscute.
n figura 8.a este prezentat schema echivalent a etajului cu emitor
comun realizat pe baza figurii 3. La colectorul tranzistorului se cupleaz n
paralel rezistoarele RC i RS (prin scurtcircuitarea Ucomp), la emitor se cupleaz
rezistorul RE, iar ntre baz i punctele 1 i 2 se cupleaz sursa semnalului de
intrare.
Fig. 8 Schema echivalenta n curent alternativ a etajului cu tranzistor cu emitor
comun (a); schema echivalenta generalizata a amplificatorului (b)
Pe baza schemei echivalente din figura 4.8.a, se determin parametrii ce
caracterizeaz calitatile de amplificator ale etajului, fr a lua n considerare
influenta lui rC*, datorit faptului c valoarea acesteia este mare:
1. Determinarea rezistentei de intrare
uint = IB5rint E + IE5RE = IB[rint E + (__+ 1)RE]
pentru ca IE = IB + IC = (__+ 1)IB. Astfel:
Rint = rint E + (__+ 1)RE (4)
Cnd RE = 0, adic atunci cnd etajul amplificator nu are stabilizare a
punctului de repaus, Rint = rint E. Valoarea lui Rint la etajele cu emitor comun de
putere mic este de ordinul a 10
3
_._
2. Determinarea amplificrii n tensiune n regim de mers n gol, adic
se face prin exprimarea tensiunii n functie de curenti, astfel:
(5)
Cnd RE = 0,

valoarea lui Au0 este de ordinul a 10
2
la etajele la care RC >> RE. Relatia (5)
arat c, prin mrirea lui RE, adic prin creterea stabilizrii punctului de
repaus, amplificarea n tensiune scade mult.
3. Rezistenta de ieire Ries se determin pe baza teoremei generatorului
echivalent. Aceast rezisten se msoar ntre bornele de ieire ale
amplificatorului cnd sunt decuplate toate sursele de semnal, adic sunt
ntrerupte sursele de tensiune i sursele de curent sunt scurtcircuitate. Se
consider c uint = 0; atunci, _IB = 0.
Ries = RC (6)
La amplificatoarele de putere mic, Ries este de ordinul a 10
3
e. Cu
ajutorul schemei echivalente generalizate din figura 8.b, se pot determina i
ceilali parametri ai etajului de amplificare cu emitor comun, parametri derivai
din Au0, Rint i Ries. Se consider c generatorul de semnal Eg are rezistena
interna Rg. Amplificarea n tensiune a etajului cnd RS 5U0 se determin astfel:
(7)
unde: _int i _ies sunt coeficienti care iau n considerare pierderea de semnal n
circuitul de intrare pe rezistenta Rg i respectiv n circuitul de ieire pe
rezistena Ries. ntotdeauna deci: Au < Au0.
Amplificarea etajului n curent se determin cu relaia:
(8)
Avnd n vedere c, la etajul de amplificare cu emitor comun, Au0 > 1, atunci Ai
> 1.
Amplificarea n putere este:
(9)
Pentru obinerea amplificrii maxime n tensiune este necesar ca Rint >> Rg i
Ries << Rg. La etajele cu emitor comun este dificil ndeplinirea acestor condiii.
Reacia negativ
Pentru stabilizarea regimului de repaus se introduce o legtur invers
(reacie), care const n transmiterea informaiei sau energiei de la ieirea
etajului sau sistemului la intrarea acestuia. Cu ajutorul legturii inverse
(reaciei) se pot obine scheme noi, cu caliti deosebite. Teoria legturilor
inverse constituie baza teoriei reglrii automate. Semnalul de reacie depinde
de unul din parametrii de ieire ai sistemului: tensiune, curent, frecven, etc.
La intrarea sistemului are loc nsumarea semnalului de intrare i a
semnalului de reacie. Dac aceste semnale se nsumeaz astfel nct
tensiunile lor se nsumeaz algebric, atunci legtura invers se numete n
serie. Dac se nsumeaz algebric curenii, atunci legtura invers este
paralel. Dac la intrare se adun semnale de semne diferite (n opozitie de
faz), reacia este negativ, iar semnalul rezultat este mai mic dect semnalul
initial de la intrare. n acest caz, semnalul la ieire se micoreaz, ns sporete
stabilitatea mrimii de ieire.
n cazul reaciei pozitive, la intrarea sistemului se aplic suma dintre
semnalul de intrare i semnalul de reacie. Semnalul la ieire se mrete, dar
stabilitatea parametrilor de ieire scade.
Reactia pozitiv se foloseste pentru accelerarea proceselor tranzitorii,
precum i n schemele generatoarelor i a instalatiilor cu funcionare n
impulsuri. Pentru stabilizarea punctului de repaus al etajului cu emitor comun,
se introduce n scheme acestuia rezistorul RE (figura 3), pe care cade tensiunea
uE = iERE ;UiCRE si care se aplica la intrarea tranzistorului astfel:
Tensiunea uE reprezint semnalul de reacie, care este proporional cu curentul
de ieire al tranzistorului, iE ;UiC, adic, n cazul dat, reacia este n curent. La
intrare, se produce scderea tensiunilor, din care motiv reacia este de tip serie
i negativa. Conform relatiei (4),
UBEr = Ud UEr se micoreaz, se reduce tensiunea direct pe jonciunea emitor-
baz i, ca rezultat, se micoreaz curenii tranzistorului, IBr, ICr si I Er. Astfel,
reacia stabilizeaz curenii tranzistorului n regim de repaus, cu att mai mult
cu ct este mai mare RE, pentru c, n acest fel, crete semnalul de reacie.
Stabilizarea punctului de repaus se face nsa cu pierderi. Astfel, cnd la
intrarea etajului se aplic un semnal de intrare pozitiv sau negativ uint, se
mresc sau se micoreaz curenii iE i iC, precum i cderea de tensiune pe RE,
care reprezint semnalul de reacie. Din expresia (4), se determin variaia de
tensiune dintre baz i emitor: UBE = uint UE
Tranzistorul se comand cu tensiunea , din care cauz IB, IC i
UCE devin mai mici, se micoreaz astfel i uies i amplificarea etajului.
Pentru limitarea actiunii negative a reaciei asupra amplificrii etajului, n
practic se limiteaza tensiunea UEr la nivelul de maximum 0,1EC, chiar dac i
n acest caz aciunea reaciei este suficient de mare.
Contradictia dintre cerinele de stabilitate a punctului de repaus i cele
de obinere a unei amplificri ct mai mari se rezolv n etajul diferential. La
alegerea punctului de repaus n clasa A este necesar eliminarea distorsiunilor
semnalului, n care scop traiectoria punctului de lucru trebuie
limitat la sectorul AOB din figura 5. n acest caz, puterea disipat pe tranzistor
trebuie s fie minim. Pentru ndeplinirea acestor condiii este suficient
alegerea urmtoare:
(10)
(11)
unde UCES este valoarea tensiunii care corespunde interseciei sectorului de
cretere rapid a caracteristicilor de iesire a tranzistorului (figura 1.7.a), Ucr
este rezerva la deplasarea punctului de repaus O datorit nclzirii i Uies max
este amplitudinea semnalului de ieire.
Prin respectarea relaiilor (5) i (6), traiectoria punctului de lucru al
etajului nu depete domeniul uC > UCES, IC > (_ + 1)ICB0, care corespunde
sectorului II pe caracteristica de transfer din figura 2, att pentru temperaturi
minime, ct i maxime.
Cnd
Rezistenta din circuitul colectorului se determin din rezolvarea acestei
ecuaii mpreun cu (6)
astfel:
Amplificatorul diferential
Dup cum s-a artat, utilizarea etajelor cu emitor comun este dificil
pentru c stabilizarea regimului de repaus cu ajutorul rezistentei RE este
nsoit de reducerea substanial a amplificrii etajului. De asemenea,
cuplarea etajelor de amplificare este nsoit de micorarea amplificrii datorit
pierderilor pe elementele rezistive, pentru eliminarea scderii amplificrii fiind
necesar utilizarea unei scheme cu surs de alimentare complex i
costisitoare, totui n condiiile de existen a derivei nulului.
Fig. 9 Etaj simetric diferenial
Dificultile artate pot fi substanial reduse n etajul diferenial, a crui
schem n forma cea mai simpl este prezentat n figura 9.
Tranzistoarele T1, T2 i rezistoarele RC1 si RC2 formeaz o punte pe una din
diagonalele creia se cupleaz sursele de alimentare +EC1 si EC2, iar pe
cealalt diagonal cupleaz sarcina.
Etajul diferenial se mai numete i etaj paralel. Parametrii superiori se
pot ns obine n condiiile asigurrii simetriei nalte a punii. n etajul simetric,
RC1 = RC2 = RC iar tranzistoarele trebuie s fie identice, condiie care se poate
respecta prin realizarea tranzistoarelor pe un singur cristal i cu aceeai
tehnologie, motiv pentru care etajele difereniale se utilizeaz n prezent numai
sub forma sau n componenta circuitelor integrate. Regimul de repaus
corespunde situaiei cnd
uint1 = uint2 = 0. Tensiunea de deplasare la ambele tranzistoare este aceeai:
UBEr1 = UBEr2 = UE iar UEr = EC + ( IEr1 + IEr2)RE < 0.
Datorit faptului c tensiunile pozitive de deplasare pe bazele
tranzistoarelor sunt egale, curenii vor fi egali:
IBr1 = IBr2, ICr1 = ICr2 si IEr1 = IEr2.
Curenii de colector dau natere la cderi de tensiune pe rezistoarele RC1
si RC2, din care motiv:
UCEr1 = UCEr2 = EC1 ICr1RC1 UEr = EC ICr2RC2 UEr.
La ieirea etajului, uies = UCE2 = UCE1 = 0. n acest etaj se realizeaz
stabilizarea regimului de repaus. Dac prin nclzire ICr1 si ICr2 cresc, atunci
crete i curentul IEr1 + IEr2, care trece prin rezistenta RE iar tensiunea UEr crete,
cUEr > 0. Tensiunea UBer1 = UBer2 = UEr se micoreaz, jonciunile baz - emitor
ale tranzistoarelor vor permite trecerea unui curent mai mic i, ca rezultat,
curenii de colector ICr1 si Icr2 se vor stabiliza.
Tensiunea cUEr reprezint semnalul de reacie care stabilizeaz curentul
total (IEr1+IEr2). La etajul diferenial, RE este mare, datorit crui fapt
stabilizarea punctului de repaus se face cu mare precizie, astfel nct se poate
considera c IEr1 + IEr2 = ct. adic prin rezistorul RE se transmite n schema
etajului curent stabilizat. Funcionarea etajului nu se modific dac se
nlocuiete RE cu o sursa corespunztoare de curent (IEr1 + IEr2).
Pentru analiza derivei nulului, se consider c sursa de alimentare este
instabil i c EC se modific prin cretere, astfel nct se mrete tensiunea pe
colectoare cu valoarea cUCE1 = cUCE2. n acest caz, deriva nulului este zero,
pentru c cUies = 0.
Dac prin nclzire se mrete curentul de colector, cIC1 = cIC2, pentru c
tranzistoarele sunt identice. n acest caz, cUCE1 = cUCE2, cUies = 0 i deriva
nulului este de asemenea zero. n acest fel, orice modificare simetric ce apare
n schem nu produce deriva nulului. Este de remarcat faptul c, n realitate,
simetria elementelor componente ale schemei este totui relativ, astfel nct
deriva nulului nu se anuleaz complet, ns ea devine att de mic, nct
semnalul pe care l produce este mult mai mic dect semnalul de amplificat, ce
se aplic la intrarea etajului diferenial.
La analiza proprietilor de amplificare, se remarc faptul c etajul
permite cuplarea surselor de semnal n diferite moduri:
a) sursa de semnal se cupleaz ntre bazele tranzistoarelor, aa cum este
reprezentat punctat n figura 9. La intrarea tranzistorului T1, se aplic uint1 =
e/2. Dac e > 0. atunci, sub influena tensiunii pozitive pe baz, apare o
variaie pozitiv cIB1 si cIC1 = (U+ 1)cIB1. Creterea curentului iC1, care trece prin
RC1, micoreaz tensiunea uCE1, iar cUCE1 < 0. La intrarea tranzistorului T2 se
aplica tensiunea uies2 = e/2, care produce micorarea curentului n baz cu
cIB2 i micorarea curentului colectorului lui T2 cu cIC2 = (U+ 1)cIB2. Tensiunea
uCE1 se mrete: cUCE > 0. Pe sarcin, tensiunea uies = cUCE2 cUCE1 = 2cUCE2. n
situaia cnd uint1 = uint2, cIE1 = cIE2 si, din acest motiv, iE1 + iE2 = ct., adic
semnalul de reacie cUE = 0, iar cderea de tensiune pe RE nu influeneaz
asupra amplificrii. Se poate trage concluzia c, n etaj, este eliminat
contradicia dintre necesitatea stabilizrii regimului de repaus i reducerea
amplificrii, datorit reaciei negative.
b) Sursa de semnal se cupleaz numai la intrarea lui T1: uint1 = e, iar
intrarea celui de-al doilea tranzistor se scurtcircuiteaz: uint2 = 0. Sub influena
semnalului de intrare, se modific curentul bazei cu cIB1 > 0 cnd e > 0, crete
iC1 i cderea de tensiune pe RC1 la colector cUCE1 < 0.
Prin creterea lui iB1, se mrete i iE1. Reacia negativ corespunztoare
curentului (iE1 + iE2) stabilizeaz acest curent, care trece prin rezistorul RE,
adic iE1 + iE2 = ct., din care cauz cIE2 = cIE1. n acest fel, rezult cIB2 = cIB1,
cIC2 = cIC1, cUCE2 = cUCE1. Pe sarcin, tensiunea de ieire este egal cu uies =
cUCE2 cUCE1 > 0. Astfel, prin aplicarea semnalului util numai la o intrare, se
modific tensiunile i curenii la ambele tranzistoare, datorit stabilizrii
curentului iE1 + iE2. n acelai fel, se poate analiza i situaia cnd semnalul se
aplic la intrarea tranzistorului T2: uint2 = e, iar uint1 = 0. Cnd e > 0, cUCE1 > 0,
cUCE2 < 0, iar pe sarcina, uies = cUCE2 cUCE1 < 0.
Fig. 10 Schema echivalent n curent alternativ a etajului diferenial simetric
Prin aplicarea semnalului la intrarea lui T1, polaritatea semnalului de
ieire corespunde cu polaritatea celui de la intrare, motiv pentru care intrarea
lui T1 se numete intrare neinversoare (direct). n cazul aplicrii semnalului la
intrarea lui T2, polaritatea semnalului de ieire este invers celei a semnalului
de la intrare, iar intrarea respectiv se numete intrare inversoare.
c) la ambele intrri ale amplificatorului diferenial se pot cupla surse de
semnal independente: uint1 si uint2, n regim de amplificare liniar de clas A.
Tensiunea de ieire se poate determina prin metoda superpoziiei, pentru
fiecare dintre semnale.
Pentru aprecierea cantitativ a parametrilor de amplificare ai etajului
diferenial se utilizeaz schema echivalenta n curent alternativ (figura 10).
Pentru c suma curenilor iE1 i iE2 este constant, rezult c
astfel nct cIB2 = cIB1. Variaiile curentului de intrare cIint, datorate variaiilor
tensiunii uint1 trec de la T1 la T2 circuitul lor nchizndu-se prin sursa de semnal
uint2 (figura 9). Pe circuitul echivalent, acest traseu este marcat cu linie
punctat. Aplicnd legea lui Ohm pentru acest circuit, se obine relaia:
(12)
De aici :
(13)
Cnd RS = 5, atunci:
Astfel :
(14)
Se confirm astfel din nou c circuitul de emitor, care servete pentru
stabilizarea regimului de repaus, nu influeneaz amplificarea etajului
diferenial. n aceste etaje, nu exist reacie n componenta alternativ.
Prin compararea relaiilor (14) i (5), se constat c ele coincid, dac se
consider c
RE = 0. Din relaia (10), rezult c:
(15)
unde cIint = cIB1.
Comparnd relaia (15) cu relaia (4), se constat dublarea lui Rint, datorit
trecerii curentului surselor de semnal prin ambele tranzistoare. Punnd Uint1 =
0 i Uint2 = 0, se determin Ries. n cazul semnalelor de intrare nule, cIB1 = 0 i
cIB2 = 0, rezistenta de ieire a etajului este:
Ries = 2RC (16)
n aceast situaie, rezistena de ieire crete de dou ori n comparaie
cu valoarea determinat cu relaia (9). Valorile obinute pentru Au0 (fr semnal
la intrare) pentru Rint i Ries se utilizeaz pentru realizarea schemei echivalente
generalizate a etajului diferenial (figura 11.b), la intrarea cruia se aplic
diferena semnalelor uint1 uint2. Calculul parametrilor de amplificare ai etajului
se face n continuare pe baza relaiilor 9 11.
Etajul diferenial amplific diferena semnalelor de intrare i, din aceast
cauz, semnalul la ieire este uies = Au(uint1 uint2) = 0, atunci cnd la ambele
intrri ale etajului diferenial semnalele sunt egale: uint1 = uint2. n aceast
situaie, amplificatorul funcioneaz n regim de semnale n faz.
Datorit faptului c etajul nu poate fi, n principiu, absolut simetric, n
condiii reale, la ieirea acestuia n regim de semnale n faz se obine semnal
diferit de zero: uies = Asuint, unde As este factorul de transfer pentru semnale n
faz. Capacitatea de reducere a semnalelor n faz este caracterizat de
factorul:
Datorit bunei simetrii a etajelor realizate sub form integrat, se obin valori
Kred, sf = 80 100 dB.U
Fig. 11 Scheme practice pentru etajele difereniale simetric (a) si asimetric (b)
n figura 11.a este prezentat schema etajului diferenial realizat n form
integrat.
Rezistena de valoare mare, RE, care este dificil de realizat n componena
circuitului integrat, este nlocuit cu sursa de curent (iE1+iE2), realizat cu
tranzistorul T3. n circuitul de emitor al acestuia, se introduce o rezisten R'E de
valoare mic, ce asigur aplicarea pe jonciunea de emitor a semnalului de
reacie negativ. La nclzire, crete tensiunea uE = iE5RE, sub influena creia
curentul prin jonciunea baz-emitor a lui T3 scade.
Dioda D servete, de asemenea, pentru stabilizarea curentului. Prin
creterea temperaturii, tensiunea pe aceast diod i, ca urmare, i cea pe
baza lui T3 se reduce, micorndu-se astfel curentul prin jonciunea baz -
emitor a lui T3.
Deficiena etajului diferenial const n lipsa punctului comun dintre
sursele de semnal i sarcin. Aceasta deficien este eliminat n etajul
diferenial asimetric din figura 4.12.b, la care semnalul se culege de pe
colectorul lui T2.
Schema aceasta are de asemenea stabilizarea punctului de repaus,
pentru c iE1 + iE2 = ct., n condiiile cnd la aceasta nu exista reacie n
componenta alternativ, pentru ca nici circuitul de emitor nu influeneaz
asupra amplificrii. n amplificatoarele cu mai multe etaje, primul etaj se
realizeaz sub forma etajului diferenial simetric, ce asigur amplificarea
iniial a semnalului, practic fr deriv. Amplificarea ulterioar se poate obine
ntr-un etaj diferenial asimetric.
Etajul amplificator cu tranzistor n montaj colector comun
Aa cum s-a artat, etajul amplificator n montaj cu emitor comun nu
permite obinerea unei amplificri superioare n tensiune, pentru care ar trebui
ca Rint JU5Ui Ries JU5. Datorit valorii mici a lui Rint, aceste amplificatoare
consum o putere semnificativ din sursa de alimentare.
Valoarea mare a lui Ries nu permite funcionarea etajului n sarcin cu
rezisten mic, datorit pierderii semnalului pe Ries. n etajul de amplificare cu
tranzistor n montaj colector comun se pot obine valori mari ale lui Rint pentru
valori mici ale lui Ries. Acest avantaj se obine ns prin sacrificarea amplificrii,
la aceste scheme aceasta fiind subunitar, Au < 1. Etajul cu colector comun nu
permite amplificarea n tensiune a semnalului. Etajul se foloseste numai ca etaj
auxiliar, de legtur ntre etajul cu emitor comun i sursa semnalului de mic
putere (Rg este mare), sau cu rezisten de sarcin de mic valoare. Dei rolul
acestui etaj este auxiliar, utilizarea sa este totui frecvent. Schema etajului cu
colector comun este prezentat n figura 12.a.
Colectorul tranzistorului este cuplat la sursa de alimentare EC. n circuitul
de emitor se introduce rezistorul RE, care formeaz reacia negativ de
stabilizare a punctului de repaus. n clasa A de amplificare, la intrare se aplica
tensiunea uint i tensiunea de deplasare, Ud. Sursa de semnal uint se leag ntre
baz i mas, iar sarcina RS ntre emitor i mas. Schema cu colector comun se
mai numete i repetor pe emitor.
Fig. 12 Etaj amplificator cu tranzistor n montaj colector comun (a) i schema
sa echivalent n curent alternativ (b)
n regim de repaus, uint = 0; tensiunea Ud determina curentul IBr, n
circuitul emitorului apare curentul IEr, care determin o cdere de tensiune pe
RE. Este necesar ca, n regim de repaus, uies = 0, n circuitul de sarcin s se
introduc o surs de tensiune de compensare, Ucomp = UEr. n regim de repaus,
pe jonciunea baz-emitor se aplic tensiunea UBEr = Ud UEr. Cnd semnalul de
intrare uint este pozitiv sau negativ, curenii n baz i emitor se mresc sau se
micoreaz i, n mod corespunztor, se modific i cderea de tensiune pe RE.
Polaritatea semnalelor de intrare i ieire n
schema cu colector comun coincid, etajul fiind amplificator neinversor.
Pe jonctiunea baz-emitor a tranzistorului se aplic tensiunea de
comand UBE = uint uies. Semnalul uies se aplic la intrare ca semnal de
reacie negativ: Ur = uies. Pentru c, ntotdeauna tensiunea UBE este pozitiva,
uies < uint, adica Au = uies/uint < 1.
Schema echivalent a etajului cu colector comun este prezentat n figura
12.b. Parametrii de baz ai montajului se determina astfel:
1. Rezistenta de intrare,
(17)
Cnd
este mare, Rint atinge valori de ordinul 10
4
e.U
2. Amplificarea n tensiune la mers n gol,
se determin
prin exprimarea tensiunilor n funcie de cureni, astfel:
(18)
Cum rint E << (U+ 1)RE, Au0 ;U1.U
Rezistenta de ieire se determin pe baza teoremei generatorului
echivalent; considera eg = 0. Atunci:
Pe baza schemei echivalente:
de unde:
(19)
La etajele cu colector comun, Ries este de ordinul 10 10
2
e.UUCeilali
parametri de amplificare pot fi determinai pe baza expresiilor (4.10) (4.12).
Datorita faptului c semnalul de comand n schema cu colector comun este
mic, forma semnalului transmis nu este distorsionat dect pentru tensiuni de
intrare foarte mari, cnd amplitudinea semnalului este de (0,2 JU0,4)EC.
Amplificator cu tranzistor MOS
Schema amplificatorului este prezentat mai jos.
Fig.13
Rezistenele RG1, RG2, RD i RS formeaz circuitul de polarizare al
tranzistorului. Rolul circuitului de polarizare este de a polariza tranzistorul MOS
n regiunea de saturaie.
Condensatoarele CG i CL se numesc condensatoare de cuplare. Rolul lor
este de a cupla n regim variabil generatorul de semnal Vg-Rg, respectiv
rezistena de sarcin Rl la amplificator. n regim staionar, cele 2 dou
condensatoare izoleaz amplificatorul de generatorul de semnal i de
rezistena de sarcin, astfel nct punctul static de funcionare al tranzistorului
nu este afectat de acestea.
OBSERVAIE: deoarece n circuitul de mai sus exist 2 surse independente
Vg i VCC, analiza acestuia se va realiza pe baza teoremei suprapunerii
efectelor - TSE. Aceasta este aplicabil numai dac circuitul este liniar. Singurul
element de circuit care ridic probleme este tranzistorul, deoarece acesta este
un element de circuit neliniar i din acest motiv circuitul de mai sus NU este
liniar. Totui, n anumite condiii restrictive dac considerm c tranzistorul
funcioneaz n regim variabil de semnal mic, tranzistorul poate fi considerat
un element de circuit liniar iar circuitul de mai sus devine un circuit liniar, caz
n care se poate aplica TSE.
Analiza circuitului n regim variabil de semnal mic:
Scopul este determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului:
Av amplificarea n tensiune a amplificatorului n gol (cnd acesta nu
este conectat la rezistena de sarcin Rl i la generatorul de semnal Vg-
Rg)
Ri rezistena de intrare a amplificatorului
Ro rezistena de ieire a amplificatorului
Analiza circuitului n regim variabil de semnal mic este realizat pe baza
unui circuit echivalent care modeleaz comportamentul circuitului iniial n
regim variabil de semnal mic. Acest circuit se obine astfel:
1: n circuitul iniial, condensatoarele de cuplare (CG i CL) se nlocuiesc
cu fire (scurtcircuite) ntre armturi (deoarece condensatoarele respective,
fiind caracterizate de capaciti mari de ordinul microfarazilor - au reactana
XC foarte mic zero la frecvena de analiz care este cel puin de ordinul
hertzilor).
2: n circuitul iniial se pasivizeaz toate sursele continue independente.
3: tranzistorul se nlocuiete cu modelul su echivalent, valabil n regim
variabil de semnal mic, n domeniul frecvenelor joase i medii.
n cazul circuitului de mai sus condensatoarele CG i CL se
scurtcircuiteaz, iar sursa de tensiune continu VCC se pasivizeaz (se
nlocuiete cu un scurtciruit ntre + i -). Rezult circuitul intermediar de
mai sus. Prin nlocuirea tranzistorului MOS cu modelul su echivalent, valabil n
regim variabil de semnal mic, n domeniul frecvenelor joase i medii, va
rezulta circuitul echivalent care modeleaz comportamentul circuitului iniial
n regim variabil de semnal mic. Acesta este prezentat mai jos:
Fig.14
Panta tranzistorului MOS are valoarea:
D M
I k g = 2 (20)
Determinarea amplificrii n tensiune a amplificatorului n gol
(cnd acesta nu este conectat la rezistena de sarcin RL i la generatorul
de semnal Vg-Rg). Formula de calcul pentru amplificarea n tensiune este:
i
0
V
V
V
A =
(21)
Tensiunea Vo este tensiunea pe RD (n cazul n care RL nu exist n
ciruit). Deoarece trebuie determinat un raport, mrimile implicate n acesta se
vor exprima n funcie de o necunoscut comun acest necunoscut va fi
Vgs.
Aplicnd legea lui Ohm pentru RD rezult:
( )
D gs M 0
R V g V =
- Aplicnd TK2 pe bucla Vi, Vgs, Rs rezult:
( )
S gs M gs i
R V g V V + =

unde
gs M
V g
este curentul prin RS.
Rezult:
S M
D M
i
V
R g
R g
V
V
A
+

= =
1
0
(22)
Determinarea amplificrii n tensiune a circuitului cu generator
de semnal i rezisten de sarcin.
Schema amplificatorului i cea echivalent este prezentat n figura de
mai jos:
Fig.15
Amplificarea se determin pe baza circuitului n care amplificatorului,
modelat ca mai sus, i se aplic generatorul de semnal i rezistena de sarcin:
Fig.16
Formaula amplificrii este:
g
l
vg
V
V
A =
(23)
Se observ c la ieire exist un divizor de tensiune: tensiunea AvVi se divide
pe Ro i RL
i v
o L
L
l
V A
R R
R
V
+
=

Se observ c la intrare exist un divizor de tensiune: tensiunea Vg se divide
pe Rg i Ri
g
i
i
i
V
Rg R
R
V
+
=

i
i
i
g
V
R
Rg R
V
+
=
De unde: v
g i
i
o L
L
vg
A
R R
R
R R
R
A
+

+
=
(24)
Ideal ar trebui ca Avg = Av, dar, datorit rapoartelor rezistive din faa lui Av,
valoarea lui Av va fi mai mic dect a lui Avg. pentru ca Avg s fie egal cu Av
ar trebui ca cele 2 rapoarte rezistive s fie unitare dar:
Amplificatorul operational
Utilizarea circuitelor integrate este recomandabil chiar i n situaiile
cnd, n soluii concrete, nu este utilizat n totalitate capacitatea acestora.
Printre cele mai frecvent utilizate circuite integrate este i amplificatorul
operaional, n care sunt concentrate calitile fundamentale ale schemelor de
amplificare.
Amplificatorul operational neinversor cu reactie
Amplificatoarele operaionale nu pot fi folosite ns singure n schemele
de amplificare, datorit faptului c regiunea liniar AOB pe caracteristica de
transfer este limitat de valori relativ mici ale tensiunilor
Prin creterea tensiunii de intrare n afara acestor limite, tensiunea de
ieire nu se modific, cu alte cuvinte se constat distorsionarea neliniar a
semnalului.
Fig. 17 Amplificator operaional neinversor cu reactie negativ (a) i
caracteristica sa de transfer (b)
De asemenea, amplificarea Au variaz n limite mari de la un exemplar la
altul i ea depinde de regimul de funcionare, n special de temperatura de
lucru, datorit dependenei puternice de temperatur a lui __al
tranzistoarelor care compun amplificatorul operaional. Pentru mbuntirea
parametrilor dispozitivelor de amplificare cu amplificator operaional se
foloseste reacia. n figura 17.a este reprezentata schema amplificatorului
neinversor cu amplificator operaional. De la ieirea amplificatorului operaional
se culege tensiunea pentru reacia negativ, care se aplic la intrarea
inversoare a amplificatorului operaional. n acest fel, la intrarea neinversoare a
amplificatorului operaional acioneaz tensiunea de intrare, uint, iar la intrarea
inversoare tensiunea uri. Tensiunea la ieirea amplificatorului operaional este
determinat de diferena (uint uri), iar reacia este negativ.
Amplificarea se determin pe baza schemei din figura 17.a. n acest scop,
se consider c
RS >> Ries, Rint >> R1 i R2 >> Ries, condiii care sunt ndeplinite n
amplificatorul operaional. Tensiunea de reacie este:
(25)
Tensiunea de ieire se determin de diferena tensiunilor la intrarea
amplificatorului operaional astfel:
u
ies
= A
u
(u
int
u
ri
) = A
u
(u
int
e5u
ies
)UUUUU(26)
n acest fel, amplificarea amplificatorului operaional cu reacie negativ
este:
(27)
Datorit faptului c la amplificatoarele operaionale Au este foarte mare,
din expresia (27), pentru Au JU5, se obine:
(28)
adic Auri este determinat numai de raportul rezistenelor i nu depinde de
valoarea lui Au. n acest fel, introducerea reaciei negative permite stabilizarea
amplificrii circuitului integrat. Astfel, dac Au se micoreaz, se micoreaz i
uies i uri, crete diferena acestor valori, ceea ce face ca uies s creasc,
compensnd scderea iniial a tensiunii de ieire. Tensiunea la ieirea
amplificatorului operaional uies 5UUies max, amplificarea circuitului integrat Au
JU5, de unde rezult c:
(29)
adic uint ;Uuri. n regim de amplificare liniar, tensiunea diferenial ntre
intrrile amplificatorului operaional este foarte mic, iar aceast calitate apare
n toate schemele de utilizare a amplificatorului operaional.
Dei amplificarea schemei depinde numai de raportul rezistentelor R1 i
R2, rezistena minim a lui R1 este limitat de capacitatea de sarcin a
circuitului integrat. Pe de alt parte, valoarea maxim a lui R2 este limitat,
ntruct curenii mici care trec prin rezistene de mare valoare sunt comparabili
cu cei de intrare ai amplificatorului operaional i aceast situaie amplific
influena faptului c amplificatorul operaional nu este ideal asupra funcionrii
schemei. Practic, valoarea rezistentei R2 se gsete n limitele 10
3
__10
6
e.
Stabilizarea amplificrii amplificatorului operaional datorit introducerii
reaciei face ca rezistena de ieire a schemei din figura 17.a s fie mai mic
dect rezistena de ieire a amplificatorului operaional nsui:
Ries ri << Ries, ceea ce reprezint de asemenea o calitate obinut datorit
reaciei. Rezistena de intrare a schemei din figura 17.a se determin cu relaia
(30)
unde iint este curentul diferenial dintre intrrile amplificatorului operaional:
Rint fiind rezistena de intrare a AO. Dat fiind c uint uri ;U0, iint ;U0, iar
rezistena de intrare se mrete substanial: Rint ri >> Rint, ceea ce, de
asemenea, reprezint o calitate datorat reaciei.
(31)
Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional este limitat de valorile
5UUies max. n schema din figura 17.a, regimul de amplificare liniar corespunde
tensiunilor de intrare limitate de valorile:
Dat fiind c Auri << Au, caracteristica de transfer a amplificatorului operaional
cu reacie negativ are un domeniu mare de amplificare liniara (figura 17.b).
nclinarea caracteristicilor de transfer n sectorul liniar AOB este
determinat de amplificarea Auri: linia 1 este trasat pentru Auri = 4, linia 2
pentru Auri = 10. n acest fel, introducerea reaciei negative permite lrgirea
domeniului liniar al caracteristicilor de transfer i micorarea distorsiunilor
neliniare.
Fig. 18 Forma semnalelor la intrarea si iesirea AO din figura 17 pentru diferite
valori ale amplificarii
n figura 18 este prezentat forma tensiunii de intrare uint, care se aplic
la intrarea AO din schema din figura 17.a i cea a tensiunii de ieire, uies,
pentru diferite valori ale amplificrii
Auri: Auri1 < Auri2 < Auri3.
Lrgirea domeniului de amplificare liniar se obine datorit reducerii
amplificrii.
Amplificatorul operational inversor cu reactie
Schema amplificatorului operaional inversor cu reacie negativ este
prezentat n figura 19. Semnalul de intrare i semnalul de reacie negativ se
aplic la intrarea inversoare a amplificatorului operaional, unde are loc
nsumarea curenilor iint i iri, adic se produce reacia negativ paralel.
Pentru nsumarea curenilor este necesar eliminarea posibilitii de
cuplare nemijlocit la intrarea amplificatorului operaional a surselor de
alimentare, adic este necesar sa se asigure ca R1 5U0 si R2 5U0.
Fig.19 AO inversor cu reacie negativ (a) i caracteristica de transfer a
acestuia (b)
Pentru determinarea parametrilor de amplificare, se consider c sunt
satisfcute condiiile: RS >> Ries, Rint >> R1, Ries << R2, condiii care sunt
realizate n mod obinuit n amplificatorul operaional. Pentru c la circuitele
integrate: Rint JU5, iint = iri = i.
Tensiunea diferenial dintre intrrile amplificatorului operaional, u* este
nul pe sectorul liniar al caracteristicii de transfer. Atunci:
(32)
Amplificarea schemei din figura 19 se determina astfel:
(33)
Semnul minus arat c polaritatea semnalelor la intrare i ieire este
diferit, ele fiind n opoziie de faz, motiv pentru care montajul este inversor.
Amplificarea Auri_ << Au, dar Auri depinde numai de raportul rezistenelor,
datorit crui fapt stabilitatea montajului este foarte mare.
Rezistena de intrare a AO inversor este:
(34)
Folosind relaia (28), rezulta: Rint ri = R1. Deosebirea dintre amplificatorul
operaional analizat i cel din figura 17.a const n faptul c valoarea
rezistenei la intrare este finit.
Prin stabilizarea amplificrii, rezistena de ieire se micoreaz, astfel
nct Ries ri << Ries, ceea ce reprezint o calitate obinut datorit reaciei
negative.
(35)
Cnd Au JU5, Ries ri JU0.
Caracteristica de transfer a amplificatorului inversor este prezentat n
figura 19.b. Ea se deosebete de caracteristica din figura 17.b prin aceea c
este dispus n cadranele al II-lea i al IV-lea, ceea ce caracterizeaz schemele
inversoare a polaritii semnalului. Zona liniar a caracteristicii este limitat de
tensiunile
Pentru c Auri_ << Au, partea liniar a caracteristicii de transfer se
lrgete datorit introducerii reaciei negative, iar semnalele de amplitudine
mare se transmit fr distorsiuni. n acest mod, introducerea reaciei negative
n schema amplificatorului operaional inversor permite mbuntirea
parametrilor acestuia astfel: se mrete amplificarea, se micoreaz rezistena
de ieire, se lrgete domeniul liniar al caracteristicii de transfer i se reduc
distorsiunile n cazul semnalelor mari. Aceleai rezultate se obin i prin
introducerea reaciei negative n amplificatoarele operaionale neinversoare cu
singura deosebire referitoare la valoarea rezistenei de intrare. Deci, cu
ajutorul reaciei negative, prin mbuntirea unui singur parametru de
reducere a amplificrii, se pot mbunti ceilali parametri. n cazul cnd se
dorete amplificarea puternic a semnalelor, se folosesc mai multe etaje de
amplificare, fiecare dintre etaje fiind realizat cu amplificatoare operaionale cu
reacie negativ.
Amplificatoare de radio frecven (ARF)
Amplificatorul de radio frecven este un amplificator pe frecven fix -
frecvena sau variabil format din mai multe etaje de amplificare i filtre trece
band (FTB). Amplificarea se realizeaz cu TB, TEC sau CI. Ca filtre trece band
se folosesc circuite LC acordate, filtre piezoelectrice, filtre mecanice sau filtre
active. Numrul de etaje din AFI depinde de amplificarea necesar, de
frecvena de lucru i de lrgimea benzii de trecere.
Pentru schema prezentat n figura 19 polarizarea TB se face prin
ocurile de RF din colector (SC) i din baz (SB), de la sursele EC i EB cu RB (EB
cu RB este format din EC prin divizor rezistiv).
Sarcina RL este cuplat prin circuit rezonant de adaptare, n acest caz
considerat echivalent cu circuitul LLCL paralel, conectat prin C1 la colector. In
paralel cu LL i CL apare rezistena (echivalent) RLe, format din rezistena de
sarcin reflectat n paralel cu rezistenele de pierderi ale LL i CL; evident, RLe
are sens numai pentru semnalele sinusoidale cu frecven egal sau foarte
aproape de frecvena de rezonan a circuitului LC, obinuit frevena
fundamentalei semnalului din colector1.
Fig.19
Banda de trecere a amplificatorului reprezint domeniul de frecven n
care amplificarea nu scade sub 3 dB fa de valoarea maxim (adic de 2 ori).
Aceasta determin banda ntregului receptor i fidelitatea acestuia. Pentru a nu
apare distorsiuni, trebuie ca banda ARF s fie mai mare dect banda
semnalului
Selectivitatea fa de canalul adiacent reprezint raportul (n dB) dintre
amplificarea la
frecvena medie din band i amplificarea la un anumit dezacord f, egal cu
diferena ntre dou canale vecine:
(36)
Coeficientul de rectangularitate al caracteristicii de amplificare-frecven se
definete ca raportul dintre banda la o atenuare i banda la 3dB:
(37)
Cu ct kr este mai apropiat de unitate, cu att AFI este mai selectiv.
Banda de trecere i selectivitatea se impun prin gabaritul caracteristicii
amplificare-frecven (fig. 20).
Fig.20
Amplificarea n tensiune
Amplificarea n tensiune pe un etaj la frecvena de rezonan a circuitului
(fi), de forma:
Amplificarea n tensiune pe un etaj la o frecven oarecare (f) este de
forma:

LECIA 13
Circuite de impulsuri cu elemente passive
Circuite de difereniere (derivare)
Schema circuitului RC derivator (de difereniere) este reprezentat n
figura 1.a.
Fig. 1 Derivator (a) si diagramele de timp ale curenilor
i tensiunilor n circuit (b)
La intrare se cupleaz sursa de semnal dreptunghiular, u
int
. n momentul
t
1
, tensiunea u
int
variaz n salt cu valoarea 2U
m
. n acest moment, aceast
tensiune se regsete n ntregime pe rezistorul R, deci u
ies
= 2Um. n
continuare, ncepe ncrcarea exponenial a condensatorului, u
C
crescnd de
la zero spre valoarea 2Um i determinnd n acest fel scderea exponenial
a tensiunii u
ies
pn la zero (n condiia n care constanta de ncrcare
condensatorului, = RC este mai mic dect durata pulsului dreptunghiular
aplicat la intrare). u
ies
(t) = u
int
(t) u
C
(t). n momentul t
2
, u
int
scade brusc,
tensiunea la ieire avnd i ea un salt, de la zero la 2Um. n continuare,
condensatorul se descarc exponenial prin rezistorul R i se ncarc n sens
invers, pn la tensiunea U
m
.
n continuare, fenomenele se repet periodic. Astfel, pe rezistorul R se
formeaz impulsuri exponeniale alternative, ale cror fronturi corespund
fronturilor impulsurilor dreptunghiulare de intrare, u
int
. Durata acestor impulsuri
depinde de constanta = RC, putnd fi apreciat la valoarea
t
i
= (2 3) . Pentru t 0, u
ies
corespunde valorii
Deseori, la ieire se folosesc diode pentru obinerea numai a impulsurilor
de un anumit sens. Forma tensiunilor n circuit este prezentat n diagramele
din figura 1.b.
Circuite de integrare
Circuitul RC poate fi folosit i conform schemei din figura 2.a, caz n care
u
ies
= u
C
. Procesul de ncrcare a condensatorului este descris de ecuaia
diferenial:
(1)
Soluia acesteia este:
(2)
unde U
C
(0) este tensiunea pe condensator la momentul t = 0 i = RC este
constanta de timp a circuitului. Tensiunea pe condensator creste exponenial
(integrare a curentului, figura 2.b).
Fig. 2 Utilizarea circuitului integrator n formatoarele de interval de
timp (a) i diagramele de timp ale tensiunilor (b)
n sistemele de impulsuri, circuitul din figura 2.a se completeaz deseori
cu un comparator, K. La una din intrrile acestuia se aplic tensiunea de ieire
a integratorului, u
ies
, iar la cealalt se aplic o tensiune cu valoarea constant,
E
0
< E.
n momentul t1, u
ies
= u
C
= E
0
i comparatorul comut. Blocul de
impulsuri din figura 2.a formeaz intervalul de timp dintre momentul de
nchidere a comutatorului (momentul t = 0) i momentul de acionare a
comparatorului, t1 = ti. Acest interval de timp depinde de valorile E, U
C
(0), E
0
i
. Astfel, n momentul t
1
, relaia (2) se scrie sub forma:
Prin logaritmarea acestei expresii, se obine durata intervalului:
(3)
Linii de ntrziere
Domeniul radioelectronic a impus realizarea unor dispozitive care s
asigure ntrzierea unor semnale pe timpul prelucrrii acestora. Televiziunea,
sistemele de telecomunicaii, sistemele de observaie prin unde
electromagnetice (staii de radiolocaie de control aerian, staii pentru cercetri
meteorologice, etc.) utilizeaz unele componente pasive speciale denumite
liniile de ntrziere.
Liniile de ntrziere trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii:
- s nu deformeze semnalele;
- s asigure propagare semnalelor cu pierderi minime;
- s realizeze ntrzieri bine determinate i stabile n timp.
n raport cu cerinele impuse, liniile de ntrziere se realizeaz din:
- linii de transport energie (cabluri), care au parametrii liniari de circuit (L,
C, R) i care realizeaz ntrzieri mici de pn la 10 s. Aceste linii se
numesc linii cu constante distribuite;
- bobine i condensatoare, care formeaz celule reactive conectate n
cascad i care realizeaz ntrzieri de maxim 100 s; aceste linii se
numesc linii cu constante concentrate;
- materiale cu proprieti piezoelectrice, care pot asigura ntrzieri de pn
la cteva mii de s. Aceste linii se numesc linii de ntrziere
piezoelectrice.
Liniile cu constante distribuite asigur cele mai mici distorsiuni,
dimensiunile cresc direct proporional cu timpul de ntrziere. Pentru 1 s
ntrziere sunt necesari 100 m de cablu. Din cauza dimensiunilor mari la care
pot ajunge, liniile cu constante distribuite se utilizeaz pentru ntrzieri sub 10
s i ndeosebi pentru semnale cu frecvene foarte nalte. Pentru ntrzieri mai
mari se confecioneaz cabluri speciale care au un miez conductor sub form
de spiral, care asigur liniei o lungime mult mai mare i deci ntrzieri mai
mari.
Liniile cu constante concentrate, numite i linii artificiale, sunt
formate din bobine i condensatoare grupate sub form de celule conectate n
cascad. Asigur ntrzieri de pn la 100 s. Numrul de celule al liniei
determin mrimea timpul de reinere (ntrziere) a semnalelor i mrimea
atenurii semnalelor.
n figura 3. sunt reprezentate dou tipuri de celule, celule de tipul T i de tipul
, cu notaiile corespunztoare ale elementelor componente. Aceste celule se
mai numesc celule de tipul k constant , deoarece produsul Z1Z2 reprezint o
rezisten activ i deci nu depinde de frecven.
Pentru:
(4)
se determin:
(5)
Fig. 3. Celule reactive L C din compunerea liniilor de ntrziere
cu constante concentrate
Liniile de ntrziere piezoelectrice (ultrasonore), funcioneaz pe
principiul efectului piezoelectric al unor materiale monocristaline sau
policristaline. Liniile ultrasonore prezint dou pri distincte:
- una care asigur transformarea semnalelor electrice n oscilaii
mecanice
- i alta care asigur ntrzierea semnalului prin propagare mecanic
sub forma undelor elastice printr-un mediu de ntrziere
Schema constructiv general a unei linii de ntrziere piezoelectrice este
reprezentat n figura 4.
Elementul care asigur transformarea semnalului n vibraie mecanic
(und acustic), dispus la captul de intrare, i elementul care transform
vibraia mecanic n semnal electric, dispus la ieirea liniei, poart denumirea
de transductor. Aceste transductoare sunt realizate din cuar sau ceramic de
tip PZT aflate n contact direct cu mediul de ntrziere. Mediul de ntrziere
poate fi lichid sau solid.
Fig.4. Scheme constructive de linii de ntrziere piezoelectrice
n cazul n care mediul de ntrziere este lichid, ca de exemplu mercur,
acesta se afl ntr-un
tub metalic (fig. 4.a.). Viteza de propagare a undei mecanice prin mercur este
de 0,15 cm/s.
Dac mediul este format din corpuri solide, ca de exemplu aliaje de
magneziu, oel, sticl de corning sau cuar topit (fig. 4.b.), acestea asigur o
vitez de propagare a undei mecanice de ordinul 0,50 cm/s.
Pentru reducerea dimensiunilor liniei de ntrziere, adesea se folosete
principiul reflectrii undelor sonore de marginile mediului de ntrziere
(conductorului de sunet).
Caracteristici electrice. Parametrii
Pentru liniile de ntrziere cu constante concentrate, pe baza relaiilor (4.)
i a configuraiei celulelor din fig. 3. se calculeaz impedana caracteristic i
defazajul pentru cele dou tipuri de celule.
(6)
(7)
(8)
unde:
c
- reprezint pulsaia de tiere a filtrului i are expresia:
(9)
Zc reprezint impedana caracteristic a circuitelor rezonante serie i paralel,
i are expresia:
(10)
n figura 5. sunt reprezentate diagramele de variaie a defazajului, a
impedanei caracteristice ale filtrului ZT i ZU. Pentru
impedanele caracteristice ZT i Z Usunt mrimi reale, deci semnalul
supus ntrzierii de ctre celulele din fig. 3. nu este distorsionat.
Fig. 5. Diagramele de variaie ale impedanei caracteristice a), defazajului b) i
timpului de ntrziere c) pentru liniile de reinere
Se poate demonstra c timpul de ntrziere ti -, reprezint derivata
constantei de faz
n raport cu frecvena, potrivit relaiei:
(11)
n fig. 5.c. variaia constantei de faz este de la 0la n banda de U
trecere, iar timpul de ntrziere t
i
nu este constant cu frecvena. Pentru U
c
= 0,5 creterea frecvenei este de 15%.
Pentru ca linia s nu influeneze negativ asupra diferitelor frecvene ale
spectrului, este necesar s se pstreze adaptarea ntre celule, ntre linie i
sarcin i s se realizeze o ntrziere constant pentru toate frecvenele din
spectrul semnalului.
Linia se calculeaz astfel nct cea mai mare frecven a spectrului s nu
depeasc jumtate din valoarea frecvenei de tiere.
(12)
unde: - reprezint U pulsaia cea mai mare din spectru.
(13)
Pentru determinarea timpului de reinere introdus de o singur celul
pentru o cretere a constantei de faz cu 15%, pentru U
c
= 0,5, din relaia
(11) rezult:
(14)
Pentru un numr de n celule, timpul de reinere (ntrziere) total -T
i
- se
va determina cu relaia:
(15)
Prin nlocuirea relaiei (9.) n relaia (14) rezult timpul de ntrziere total -T
i
-:
(16)
Cunoscnd timpul total de ntrziere pe care trebuie s-l asigure linia de
reinere, se pot calcula valorile elementelor liniei, n condiiile adaptrii
acesteia cu sarcina:
(17)
Pentru reducerea cuplajelor inductive dintre bobinele liniei, bobinele
celulelor se dispun la o distan mai mare ca lungimea bobinei sau se utilizeaz
linii mai complexe formate din celule de tip m (figura 6.).
Fig. 6. Schemele de principiu pentru celule de tip m
Linia de ntrziere cu constante concentrate este reprezentat n figura
Linia de ntrziere cu constante concentrate este reprezentat n figura 7.
Parametrii primari ai liniei sunt: numrul de celule n, inductana L i
capacitatea C a fiecrui element.
Pentru ntreaga linie se definesc parametrii totali:
- inductana total: L
0
= nL;
- capacitatea total: C
0
= nC.
Linia de ntrziere cu constante concentrate prezint urmtoarele
proprieti mai importante:
- acumuleaz energie n cmpul electric al condensatoarelor sau n
cmpul magnetic al
bobinelor;
- cedeaz ntreaga energie unei sarcini adaptate cu impedana
caracteristic a liniei
(R
s
= Z
c
);
- ntrzie semnalul la ieire cu un anumit interval de timp de la aplicarea
la intrarea
liniei, interval de timp determinat de parametrii liniei.
Pentru a nelege procesul fizic de funcionare a unei linii de ntrziere,
considerm linia din figura 7.a., format din patru celule elementare, creia i se
aplic un semnal de videofrecven de form dreptunghiular (fig. 7.b.) i care
are conectat dup ultima celul o sarcin adaptat Rs . Linia este
asemntoare unui sistem de circuite oscilante rezonante cuplate ntre ele.
Semnalul aplicat la intrare determin ncrcare succesiv a celulelor cu
energie, ncrcare care se desfoar dup o lege exponenial pe un interval
de timp determinat de timpul necesar trecerii celulei de la starea descrcat la
cea de ncrcat. Acesta este un proces tranzitoriu a crui durat determin
durata de ntrziere a liniei. Dup ncrcarea primei celule cu energie de la
surs, energie acumulat n condensatorul C
1
, urmeaz procesul de ncrcare
a celei de a doua celule prin acumularea energiei n condensatorul C
2
, i
procesul continu pn la ultima celul.
ncrcarea ultimului condensator C
4
reprezint momentul de transfer a
semnalului la sarcina Rs , proces care are loc cu o ntrziere ti conform relaiei
(8). Banda de trecere a liniei de ntrziere are ca limit de frecven
superioar, frecvena determinat cu relaia:
(18)
unde L i C sunt parametrii celulei elementare din care este alctuit linia.
Fig.7. Linie de ntrziere cu constante concentrate
a) schema de principiu; b) diagrama de ntrziere a semnalului.
Pentru liniile de ntrziere piezoelectrice principalii parametrii care le
caracterizeaz funcionarea, sunt urmtorii:
- frecvena central de lucru fc -, este frecvena determinat de
frecvena de rezonan elastic a celor dou transductoare
piezoelectrice. Aceast frecven trebuie s coincid cu frecvena
purttoarei de informaie a semnalului electric de comand;
- banda de trecere B
t3dB
-, este determinat n primul rnd de banda de
trecere a fiecrui transductor piezoelectric. Aceasta limiteaz spectrul
semnalului electric ntrziat fr distorsiuni;
- pierderile de inserie A
i
-, desemneaz fraciunea din puterea
semnalului electric de comand disipat n dispozitiv sub form electric
i elastic;
- timpul de ntrziere;
- tensiunea maxim de comand a dispozitivului;
- atenuarea semnalelor parazite A
0
- .
Transformatorul de impulsuri
Este un transformator cu miez feromagnetic(fig.8) avnd urmtoarele
destinaii:
Mrirea sau micorarea amplitudinii impulsurilor;
Schimbarea polaritii impulsurilor;
Adaptarea de impedane;
Cupajul ntre etajele unui amplificator de impulsuri;
Decuplarea galvanic a sursei de impulsuri de circuitul de sarcin
Fig.8. Schema unui transformator de impulsuri
Parametrii i schema echivalent
Dac n primarul transformatorului aplicm o tensiune u(t) i se
neglijeaz valoarea rezistenei nfurrii primarului vom avea:
Unde:
w1 numrul de spire al nfurrii primare;
fluxul magnetic ce intersecteaz spirele nfurrii primare.
Fluxul variaz n timp dup legea:
Unde
0
este fluxul iniial la t =0. Tensiunea u
2
din nfurarea primar se
determin cu:
Unde n=w2/w1 este raportul de transformare. Curentul din nfurarea
secundar este :
Presupunnd c fluxul are distribuie uniform n seciunea S a miezului,
ceea ce nseamn c inducia B este aceeai n orice punct, vom avea:
Conform legii circuitului magnetic, n ipoteza c intensitatea cmpului H
este aceeai n toate punctele liniei l a miezului, se poate scrie:
Unde i
1
i i
2
sunt curenii din nfurarea primar i cea secundar. Sau:
Hl=w
1
j
unde:
Este curentul de magnetizare. Raportul /j =L se numete inductana de
magnetizare. Se observ c aceasta este practic egal cu inductana
nfurrii primare L
1
:
Inductana de magnetizare depinde att de geometria miezului i de
numrul de spire w
1
ct i de permeabilitatea miezului .
= 410
-7
H/m
Se consider semnalul de intrare u
1
(t) sub forma unor impulsuri
dreptunghiulare de tensiune cu amplitudinea U
m
i durata t
i
. n acest caz, n
timpul aciunii impulsului inductana B crete dup o lege liniar :
Deci n intervalul ti, B(t) variaz cu mrimea B:
Dac nainte de aplicarea acestui impuls, miezul era complet
demagnetizat (B
0
=0), n momentul t = t
i
punctul de funcionare se deplaseaz
de-a lungul curbei principale de magnetizare(fig. ) pn n poziia n care
inducia este egal cu B
1=
B. Variaia corespunztoare a intensitii cmpului
magnetic este egal cu H
1
. Dup ncheierea impulsului, intensitatea cmpului
magnetic scade ctre 0, iar inductana, datorit fenomenului histerezis,
variaz pn la o valoare remanent, B
r1
. Sub aciunea impulsului urmtor,
creterea inductanei va fi tot B i dup ncheierea sa se stabilete o nou
valoare remanent a induciei B
r1
> B
r1
. Dup cteva pulsuri, inducia
remanent va ajunge la valoarea Br, situat pe ciclul limit histerezis.
Acum impulsurile care se succed vor provoca magnetizarea miezului de-a
lungul ciclului parial OA.
Fig.9. Procesul de stabilire a induciei n miezul transformatorului de
impulsuri
n regim permanent permeabilitatea este egal cu:
Permeabilitea magnetic n impuls

este mult mai mic dect

permeabilitatea static:
De aceea inductana de magnetizare n impuls L este mult mai mic ca
atunci cnd aplicm pe transformator o tensiune simetric.
LECIA XIV
CIRCUITE BASCULANTE CU ELEMENTE DISCRETE
Circuitul basculant astabil
Circuitul basculant astabil cu cuplaj colector-baz este reprezentat n fig. 1,iar
formele de und n diferite puncte ale schemei sunt prezentate n fig. 1
Fig. 1
Fig.2.
Dac sunt ndeplinite condiiile:
t
rev1
= t
f1
+
< T
1
i t
rev2
< T
2
se deduc duratele strilor cvasistabile ale circuitului:
T
1
= R
b1
C
2
ln 2
T
2
= R
b2
C
1
ln 2
Timpii de revenire, pentru tensiunile din colectoare, vor fi:
t
rev1
= tf1+ 2,3 R
c1
C
1
i
t
rev2
= 2,3 R

c2
C
2
Frontul anterior al impulsului generat la ieirea colectorului tranzistorului
T
b
va fi abrupt, deoarece circuitul de rencrcare a capacitii C
2
este separat
de circuitul de ieire prin dioda de
izolare D.
Frecvena impulsurilor generate va fi:
f
T T
=
+
1
1 2
6. n starea de conducie, ambele tranzistoare lucreaz n regiunea de
saturaie dac sunt ndeplinite condiiile:
V V
R
V
R
V
R
cc BE
b
cc
c
cc
b

> +

1 1 1 2
1 2

V V
R
V
R
V V
R
V
R
cc BE
b
cc
c
cc D
c
cc
b

> +

+

2 2 2 2 1
1 2
' ' '
n cazul n care saltul de tensiune negativ din baza tranzistorului
depete tensiunea de strpungere, acesta se deschide ca o diod
stabilizatoare de tensiune i modific (micoreaz) durata impulsului generat.
CBA realizate cu circuite TTL
Fig.3
Fig.4
Funcionare: dac la momentul t<t
1
la intrarea porii P
1
(punctul A) avem
semnal logic 0, la ieire (punctul B) vom avea 1 logic, iar la ieirea porii P
2
vom avea 0 logic. Aadar, potenialul punctului A tinde s creasc spre V
H
,
condensatorul C ncrcndu-se prin rezistena R de la tensiunea din punctul B.
La momentul t=t
1
cnd V
A
=V
T
, (potenialul de prag al P
1
), ieirea porii P
1
comut din 1 n 0, ceea ce determin comutarea ieirii porii P
2
. Saltul de
tensiune din D de la V
L
la V
H
se transmite prin capacitatea C n punctul A.
Tensiunea din punctul A scade exponenial spre valoarea tensiunii V
L
de
la ieirea porii P
1
, pe msur ce are loc descrcarea capacitii C prin R spre
potentialul scazut al punctului B. La momentul t=t
2
, V
A
=V
T
ceea ce determin
din nou comutarea celor dou pori. Saltul de tensiune din punctul D se
transmite prin capacitatea C n A. n continuare capacitatea se va ncrca prin
rezistena R, iar potentialul din A va crete...
Fenomenul continu att timp ct circuitul este sub tensiune.
CBA realizat cu trigger Schmitt
Fig.5
Fig.6
Condensatorul C se ncarc i se descarc prin rezistena R, tinznd spre
nivelele tensiunii de ieire, dar la atingerea pragurilor de basculare VT1 i VT2
circuitul comut dintr-o stare n alta.
Duratele strilor sunt:
Pentru circuitul integrat 413:
T1 0,86RC
T2 0,83RC
CBA realizate cu cristale de cuar i pori logice
Cuarul este tiat dup anumite direcii cristalografice, este slefuit i i se
depun electrozi metalici pe dou fee paralele. Din punct de vedere electric
cristalul ofer o impedan cu proprieti de circuit rezonant.
Oscilatoarele cu cuar realizate cu circuite CMOS asigur avantajul
consumului de putere redus i a stabilitii frecvenei pe o gam larg a
tensiunii de alimentare.
Fig.7
Oscilatorul fundamental conine un amplificator i o reea de reacie.
Circuitul prezentat n figura, denumit i reea cu cuar, este indicat a fi utilizat
mpreun cu un amplificator, care asigur un defazaj de 180
V
-
V
V
-
V
RC =
T
T
0H
T 0H
1
1
2
ln
V
-
V
V
-
V
RC =
T
T
0L
T 0L
2
2
1
ln
Circutul basculant monostabil
Circuitul basculant monostabil cu cuplaj colector-baz are schema de
principiu reprezentat n fig. 8 iar formele de und rezultate n diferite puncte,
n urma aplicrii unui impuls de declanare, sunt reprezentate n fig. 9.
Fig.
9.
n starea stabil (de ateptare), tranzistorul T
2
este n conducie
(deoarece are baza cuplat la un potenial pozitiv, V
cc
, prin rezistena R
b
), de
obicei, la saturaie, iar tranzistorul T
1
este blocat datorit tensiunii de ieire V
0
care are o valoare mic, V
CEsat
i datorit tensiunii de polarizare V
BB
(negative).
Aceast stare este condiionat de relaiile:
Fig. 8
V V
R
V V
R
V
R
cc BE
b
cc CEsat cc

>

=

0 0
(n absena unei sarcini care s ncarce suplimentar tranzistorul T
2
)

+
+
+
< V
R
R R
V
R
R R
V
BB CEsat BE
1
1 2
2
1 2
0
unde V
BE0
este tensiunea de deschidere a tranzistorului T
1
.
n starea cvasistabil, obinut n urma unui impuls de declanare care
provoac schimbarea strii tranzistoarelor, tranzistorul T
2
este blocat datorit
saltului de tensiune, negativ, de pe baza sa, transmis din colectorul
tranzistorului T
1
prin capacitatea C, iar tranzistorul T
1
este n saturaie. Pentru
ca tranzistorul T
1
s funcioneze la saturaie, este necesar ndeplinirea
condiiei:
1 2
1 1 2 2

min
V V
R
V V
R
V V
R R
V V
R
cc CEsat
c
cc BE
b
cc BE
c
BB BE

<

+

+
n starea cvasistabil, capacitatea C se ncarc de la sursa de alimentare
V
cc
prin rezistena R
b
i prin tranzistorul T
2
saturat i determin variaia
tensiunii de pe baza tranzistorului T
2
dup legea:
V
B2
(t) = V
cc
+ (V
BE
- 2V
cc
) exp(-t/) cu: = Cr
b
Prin creterea tensiunii pe baza tranzistorului T
2
, se va atinge tensiunea
de deschidere a acestuia. n urma deschiderii tranzistorului T
2
, tranzistorul T
1
iese i el din saturaie i se nchide bucla de reacie pozitiv din circuit care
duce la revenirea n starea iniial.
Durata impulsului generat se calculeaz cu relaia:
T R C
V V
V V
R C
b
cc BE
cc BE
b
=

ln ,
2
069
Impulsul de la ieirea circuitului (considerat la colectorul tranzistorului T
2
)
va avea amplitudinea:
V
R
R R
V
c
cc 0
1
1 2
=
+
i frontul cresctor:
t
f
+
2,3C
1
R
c2
Capacitatea C
1
, cuplat n paralel pe rezistena R
1
, are rolul de a accelera
procesele de comutare ale tranzistorului T
2
.
Timpul de revenire al schemei, necesar pentru rencrcarea capacitii C
i pus n eviden pe tensiunea din colectorul tranzistorului T
1
, va fi:
t
rev
2,3 n
c1
C
3. Micorarea timpului de revenire al schemei se face prin micorarea
rezistenei de colector R
cl
(micorare limitat de ndeplinirea condiiei de
saturaie a tranzistorului T
1
), prin divizarea rezistenei R
c1
n dou rezistene
nseriate (dar se micoreaz i durata impulsului), prin introducerea unui circuit
de limitare a excursiei de tensiune pe colectorul tranzistorului T
1
(dar se
micoreaz amplitudinea impulsului disponibil la aceast ieire i durata
impulsului) sau prin cuplarea capacitii C la colectorul tranzistorului T
1
printr-
un repetor pe emitor, ca n fig. 10. n acest ultim caz, timpul de revenire se
micoreaz foarte mult, devenind:
t
R r
rev
c
=
+
23
1 3
3
,
~

unde
~
r
3
este rezistena de intrare a tranzistorului T
3
,
mediat, avnd n vedere modificarea curentului prin tranzistor.
4. Declanarea circuitului basculant monostabil se poate face fie cu
impulsuri pozitive aplicate pe baza tranzistorului T
1
, blocat, obinute printr-un
circuit de derivare i de limitare, ca n fig. 11.b, fie prin impulsuri negative,
aplicate pe baza tranzistorului T
2
, saturat, obinute printr-un circuit de derivare
i de limitare, ca n fig. 11.a. Duratele impulsurilor de declanare sunt
determinate de timpul necesar scoaterii din saturaie a tranzistorului T
2
i
deblocrii tranzistorului T
1
.
Fig. 10 a)

b)
Fig.11.
CBM realizate cu pori TTL
Circuitul este realizat cu dou pori TTL de tip I-NU si un circuit RC.
Circuitul este comandat pe frontul negativ al semnalului de declanare E
Fig.12
La aplicarea semnalului E, la ieirea primei pori P
1
va exista un salt
pozitiv care se transmite prin capacitatea C la intrarea porii P
2
, care iniial este
polarizat la starea stabil, prin rezistena R, legat la mas. La venirea saltului
pozitiv de tensiune pe intrarea portii P
2
aceasta comut, saltul negativ de
tensiune de la ieirea sa transferndu-se la intrarea porii P
1
, care rmne n
starea 1 logic; n timp, prin tranzistorul de ieire al portii capacitatea C se va
descrca de la V
CC
spre mas. Cnd la intrarea porii P
2
se atinge potenialul de
prag de comutare, poarta va comuta n 1 logic, i coroborat cu ncetarea
impulsului negativ de declanare, va face ca poarta P
1
s treac n starea 0
logic, starea stabil a circuitului.
Durata aproximativ a strii instabile este:
CBM realizate cu pori CMOS
Circuitul este realizat cu dou pori CMOS de tip SAU-NU i un circuit RC.
Circuitul este comandat pe frontul pozitiv al semnalului de declanare I
Starea stabil a circuitului este cea n care ieirea Q este la 0 datorita
rezistenei R legate la VDD
Cnd la intrarea I se aplic un impuls pozitiv de declanare, poarta P
1
va
prezenta la ieire un salt negativ de tensiune, care, prin intermediul capacitii
C, va ajunge la intrarea lui P
2
producnd comutarea acesteia n 1 logic. n
continuare capacitatea C se va ncrca de la VDD, iar cnd potenialul pe
bornele sale va ajunge la valoarea potenialului de prag de basculare, poarta P
2
va bascula n starea 0, starea stabil a circuitului. Durata strii instabile se
determin cu formula:
Fig.13
Circuite basculante bistabile
Circuitele basculante bistabile se caracterizeaz prin existena a dou
stri stabile, n care pot rmne un timp orict de lung. Bascularea dintr-o
stare n alta declanat cu ajutorul unor impulsuri de comanda.
Circuit bistabil: un exemplu de circuit secvenial (circuit definit prin
faptul c ieirile sale au valori logice ce depind de o anumit secven a
semnalelor care s-au manifestat anterior n circuit). Circuitele secveniale
prezint deci posibilitatea stocrii informaiei (memorrii)
V
V
-
V
+
V
RCln
T
T
OL IL OH
si

V
-
V
V
RCln
T
T DD
DD
si

Spre deosebire de circuitele secveniale, circuitele combinaionale,
constnd din combinaii de pori logice, au ieiri care depind doar de intrrile
prezente n acel moment.
Schema de principiu se prezint n figura 14.
Fig.14
Etajele amplificatoare formate din tranzistoarele T1 i T2 sunt cuplate ntre ele
prin elementele de reacie pozitiv constituite din divizoarele de tensiune R si r.
O parte din tensiunea colector - emitor a unui tranzistor este transmisa n baza
celuilalt transistor.
Funcionarea circuitului
Dac are loc o cretere mic a curentului I
C1
, aceasta duce la micorarea
tensiunii U
C1
, care este transmis prin divizorul R-r n baza tranzistorului T
2
.
Scderea tensiunii U
B2
va fi amplificat i inversat de tranzistor, astfel nct
crete tensiunea U
C2
, iar aceast cretere va fi transmis n baza tranzistorului
T
1
prin divizorul R-r. Prin urmare I
C1
crete i mai mult. n consecin apare un
proces de basculare, care se dezvolt n avalan: curentul I
C1
crete i
curentul I
C2
scade, pna cnd T
1
devine saturat, iar T
2
blocat.
Starea este stabil, deoarece bucla de reacie pozitiv este ntrerupt
datorita starii de blocare a tranzistorului T
2

Dou stri stabile:
1. T
1
- conducie (saturat), T
2
- blocat
2. T
1
- blocat, T
2
- conducie (saturat)
Pentru ca CBB s funcioneze aa cum s-a artat mai sus, elementele
sale trebuie dimensionate astfel nct s fie satisfcute urmtoarele condiii:
1). cnd T
1
este blocat, T
2
trebuie s fie saturat
2). cnd T
1
este saturat, T2 trebuie s fie blocat
3). cnd T1 i T
2
se gsesc n stare activ, amplificarea pe bucla de
reacie pozitiv trebuie s fie supraunitar.
Datorit simetriei circuitului, condiiile 1) i 2) sunt echivalente. n afar
de acestea se poate demonstra c dac sunt satisfcute condiiile 1) i 2)
atunci va fi satisfacut i condiia 3). n concluzie, condiia 1) este o condiie
necesar i suficient pentru ca circuitul s funcioneze corect.
Condiia 1) impune respectarea urmtoarelor inegaliti:
U
B1
0
C
C Cs
Bs
R
E I
I =

I
B2
I
Bs
, unde
Condiia de blocare pentru T
1
da relaiile: U
B1
0,
Pentru orice temperatur, rezult:
Condiia de saturaie pentru tranzistorul T2:
Pentru condiiile de extrem:
Influena sarcinii asupra stabilitii strilor CBB
Conectarea unei rezistene de sarcin la ieirea unui CBB poate avea o
influen defavorabil asupra stabilitii strilor, pentru c modific rezistena
echivalent din circuitul de colector, afectnd repartizarea tensiunilor.
Rezistenta de sarcina poate fi conectata la una dintre ieiri, in paralel cu
rezistenta R
C
(cazul Rs
1
), or in paralel cu tranzistorul T
2
(cazul Rs
2
)
R
U
r
E U
I
B B B
C
1 1
0

+
=
r R
R
E
r R
r R
I U
B Co B
+

=
1
0 C
B
I
E
r
I
E
r
Comax
B

r
E
-
R
+ R
E
I
B
C
C
B2

R
1) -
r
R
E
E
+ 1
( R
C
C
C
B

R
1) -
r
R
E
E
+ 1
( R
C
C
C
B

min
min

R
1) -
I
I
+ 1
( R
C
Cs
Comax

min
min

Fig.15.
Dac rezistena de sarcina Rs
1
este conectat, rezistenta echivalenta din
colector devine:
R'
C
< R
C
, deci curentul de colector este mai mare, curentul de baz de
comanda trebuie sa fie mai mare.
Este necesar curent de baz I
B2
mai mare, prin urmare rezistena de
cuplaj R trebuie micorat. Dac rezistena de sarcin scade sub limita unei
valori minime (Rs
1
< Rsmin), atunci condiia de saturare a tranzistorului T
2
,
I
B2
I
Cs
nu mai este ndeplinit. Cnd tranzistorul T2 este blocat, sarcina Rs
1
nu
are influen.
Rezistenta de sarcina Rs
2
este conectata
Dac tranzistorul T
2
este saturat, sarcina nu are practic influena ntruct
rezistena de ieire a tranzistorului n regim de saturare este foarte mic.
Cnd T
2
este blocat, sarcina va determina scderea tensiunii de colector
i deci a curentului de baz I
B1
a tranzistorului saturat T
1
.
Fig.16
poate fi neglijat, deasemenea R
C
<<R
C
deci:
1
R
+
R
1
R R
= 1
R
//
R
=

R
s C
s C
s C C
E
R
+ 2
R
2
R
= 2
U C
C s
s C
2
R
+
R
2
R R
=

R
s C
s C
C
r
E
-
+R

R
2
U
= 2
I
B
C
C B I
=
r
E
Co
B
R
2
U
2
I c b

Deoarece U
C2
< E
C
, pentru a mentine T
1
saturat, este necesara
micsorarea R.
Declanarea Circuitelor Basculante Bistabile
Exist dou metode fundamentale de declanare a CBB:
a). declanarea pe ci separate pentru fiecare tranzistor n parte (CBB
de tip RS).
b). declanarea pe o cale comun (CBB de tip T).
CBB folosesc una din metodele de declanare de mai sus, sau ambele
metode (CBB de tip RST sau JK).
Impulsurile de declanare pot fi aplicate pe baza sau pe colectorul
tranzistoarelor. Polaritatea impulsurilor de declanare poate fi att pozitiv ct
i negativ.
Semnalul de declanare nu are rolul propriu-zis de a determina el singur
bascularea CBB, el are rolul de a iniia un proces regenerativ prin care circuitul
s comute singur.
Indiferent de tipul tranzistorului (pnp sau npn), declanarea cu impulsuri
care comand blocarea tranzistorului conductor prezinta anumite avantaje:
- sensibilitatea CBB este mare
- energia impulsului necesar pentru a produce bascularea este mai
mic
Un CBB realizat cu tranzistoare npn va bascula n condiii optime dac se
aplic un impuls negativ pe baza tranzistorului saturat
Pentru a comanda un CBB att cu impulsuri, ct i cu nivele de tensiune
circuitele de declanare conin de obicei un circuit de difereniere RC.
Prin difereniere, apar att vrfuri pozitive ct i vrfuri negative, deci ar
exista posibilitatea unei rebasculri nedorite.
Pentru a evita aceast situaie, circuitele de difereniere sunt urmate de
diode care mpiedic trecerea vrfurilor cu polaritatea nedorit.
Declanarea pe ci separate pe baz
Circuitul este n starea T
1
-saturat i T
2
-blocat. Dac se aplic un impuls de
declanare la intrarea S de amplitudine Ec, acesta va fi difereniat de circuitul
de difereniere R
2
C
2
. Dioda D
2
va mpiedica trecerea vrfurilor pozitive i va
permite trecerea vrfurilor negative de tensiune, care vor bloca i mai mult
tranzistorul T
2
. Bascularea nu are loc n acest caz.
Fig.17
Dac se aplic impulsul de declanare la intrarea R, vrfurile negative de
tensiune ce ajung n baza tranzistorului T1 vor determina blocarea lui, deci
bascularea CBB.
Pentru ca n regim staionar s fie blocate ambele diode, se recomand
polarizarea lor invers cu o tensiune EP. Valoarea acestei tensiuni se alege cu
ceva mai mare dect tensiunea baz-emitor a tranzistorului saturat.
Uneori nu se folosete o surs separat pentru polarizare, ci se formeaz
o tensiune de valoare pozitiv, cu ajutorul unui divizor de tensiune alimentat cu
tensiunea EC.
n felul acesta, indiferent care este polaritatea impulsurilor la declanare,
n baz vor ajunge numai vrfurile negative. Ele determin bascularea
circuitului dac tranzistorul respectiv este conductor; n caz contrar nu au
efect.
Declanarea pe ci separate pe colector
Circuitul de declanare este identic, semnalul de comanda este aplicat n
colectoarele tranzistoarelor. Potenialul EC este folosit ca i tensiune pozitiv
de polarizare pentru diode.
Particularitate: n funcie de starea circuitului, una dintre diode este
puternic blocat (polarizata cu o tensiune invers de aproximativ EC), iar
cealalt este blocat cu o tensiune invers mic:
Declanarea pe baze prezinta unele avantaje, pentru c permite
obinerea unor frecvene de basculare mai mari i asigur o sensibilitate mai
bun
Declanarea pe o cale comun pe baze
R +
R
R
E
-
E
2
U
-
E
=
U
C
C C C C Rc

R +
R
R
E U
C
C Rc

Fie circuitul n starea: T
1
-saturat i T
2
-blocat
Tensiunile n diferite puncte ale schemei au urmtoarele valori tipice
(pentru tranzistoarele cu siliciu) :
U
C1
=+0,1V; U
B1
=+0,7V; U
B2
=-0,1V
Dioda D
1
este conductoare, iar dioda D
2
este blocat cu o tensiune
invers mare. Impulsul de declanare T este difereniat de grupurile Rd
1
, C1 i
Rd
2
, C
2
. Impulsurile ascuite pozitive rezultate prin difereniere vor fi tiate de
diodele D
1
si D
2
.
Fig.18
Dintre cele dou impulsuri negative rezultate prin difereniere, va putea
trece numai cel care se aplic n catodul diodei conductoare D1, cellalt impuls
nu va putea trece prin dioda blocat D2.
Impulsul de comanda va determina comutarea circuitului, deoarece un
puls negativ ascutit este aplicat pe baza tranzistorului conductor.
Declanarea pe o cale comun pe colector
Fie circuitul in starea: T
1
-saturat si T
2
-blocat
Tensiunile in diferite puncte
U
C1
=+0,1V; U
C2
+E
C
,
U
A
Ec
Dioda D
1
este blocat cu o tensiune invers aproximativ egal cu E
C
, n
timp ce dioda D
2
este blocat cu o tensiune invers mic, egal cu cderea de
tensiune pe rezistena R
C
.
Fig.19
Impulsul de declanare aplicat la intrarea T este difereniat de circuitul
de difereniere RdCd. Vrfurile negative de tensiune, rezultate prin difereniere
(datorit polarizrii diodelor) pot ajunge numai pe colectorul tranzistorului
blocat (saltul negativ de tensiune se transmite, n cazul de fa, prin dioda D2
n colectorul tranzistorului blocat T2) determinand deschiderea acestuia
CBB de tip S-R asincron
CBB RS cu pori SAU-NU CBB RS simetric cu pori SAU-NU
Fig.20.
Un bistabil simplu poate fi construit, din punct de vedere logic, prin
introducerea unei bucle de reacie ntr-o reea de pori, fie pori SAU-NU, fie I-
NU. Intrrile bistabilului se numesc S (set) i R (reset).
Tabela de adevr a CBB RS
S R Q+
1 0 1
0 1 0
0 0 Q
1 1 Intrri
nepermise
CBB de tip SR sincrone
Circuitele bistabile RS sincrone au dou intrri de date R i S, i o intrare
de tact, T. Informaia de la intrrile de date R i S poate fi transmis spre
bistabilul propriu-zis numai atunci cnd impulsului de tact are valoarea logica
1.
Fig.21.
Bistabilul RS sincron are un semnal de ceas (intrrile R i S rmn
asincrone), care controleaz evoluia circuitului. De asemenea are alte doua
intrri, Sd- i Rd-, care acioneaz direct asupra ieirilor Q si Q- suprascriind
intrrile R i S.
CBB RS master - slave
CBB RS master - slave: menit a elimina neajunsurile legrii n cascad
a mai multor CBB de tip RS (posibila nedeterminare a strilor fiecrui CBB)
Primul CBB, numit CBB master este comandat de intrrile de date R i S,
iar al doilea CBB din secven se numete CBB slave i este comandat de
ieirile CBB master.
Scurta descriere:
- pe frontul pozitiv al impulsului de ceas, CBB master este deconectat de
CBB slave, deoarece acestea nu pot comunica; pe acest front, intrrile S
si R acioneaz asupra CBB master, determinnd basculrile
corespunztoare
- cnd semnalul de ceas trece din 1 in 0, pe frontul cazator, intrrile RS
slave sunt conectate la master; ieirile master-ului comand starea slave-
ului
In acest fel, doar un singur CBB este activ la un anumit moment, ieirile
master-slave-ului fiind complet izolate de intrri.
Folosind acest circuit, nedeterminarea logica pentru o secvena de CBB
este evitata.
Fig.22.
LECIA XV
Numrtoare
Majoritatea sistemelor numerice conin circuite de numrare, destinaia
acestora fiind determinarea unui numr de evenimente sau de intervale de
timp. Ele sunt circuite logice secveniale care permit numrarea impulsurilor
aplicate la intrare i memorarea lor. Ele pot fi utilizate i n alte scopuri, cum ar
fi divizarea de frecventa.
Numrtoare asincrone
Procedurile de numrare binara si zecimala si zecimala sunt ilustrate n
tabelul 1.
Folosind numai 4 ranguri binare (D, C, B i A), se poate numra de la 0000
pn la 1111 n sistemul binar, adic de la 0 la 15 n sistemul zecimal.
Coloana A a tabelului corespunde rangului cel mai puin semnificativ,
coloana D corespunznd celui mai semnificativ rang. Un dispozitiv de numrare
care numr de la 0 la 15 trebuie s aib 16 stri de ieire, el numindu-se
numrtor cu 4 ranguri. Schema funcional a unui numrtor cu 4 ranguri,
alctuit din patru circuite basculante bistabile JK este prezentata n figura 1.a.
n momentul iniial, starea ieirilor numrtorului corespunde numrului binar
0000 (numrtorul este ters CLEAR). La aplicarea impulsului de tact 1 la
intrarea de sincronizare (CLK) a triggerului T
1
, acesta basculeaz (pe cderea
impulsului) i la ieirea numrtorului apare numrul binar 0001. Al doilea
impuls de tact basculeaz triggerul T
1
n starea sa iniial (Q = 0), ceea ce, la
rndul sau, determina bascularea triggerului T
2
n starea Q = 1. La ieirea
numrtorului apare numrul binar 0010.
Numrtoarea continu n acest fel, cderea fiecrui impuls determinnd
bascularea triggerului T
1
, T
2
basculeaz de doua ori mai rar (o dat la dou
impulsuri) i aa mai departe.
Tabel 1 Succesiunea de numarare pentru numaratorul cu 4 ranguri
` Fig. 1 Numrtor cu 4 ranguri: schema logic (a) i diagramele de timp ale
semnalelor (b)
Diagramele de timp din figura 1.b ilustreaz i ele funcionarea
numrtorului la numrarea primelor 10 impulsuri.
Deoarece fiecare trigger nu poate aciona direct dect asupra celui
urmtor (de rang imediat superior), pentru bascularea tuturor triggerilor, adic
pentru parcurgerea unui ciclu de numrare este necesar un anumit interval de
timp.
Fig. 2 Schema numrtorului asincron decadic
Un alt numrtor asincron numrtorul decadic, construit pe baza
schemei anterioare, este cel din figura 2, unde, n plus, este adugat un circuit
SI-NU cu rol de tergere, adic de setare n stare 0 a tuturor triggerilor n
momentul sosirii celui de-al zecelea impuls. Acest lucru se face innd cont c
numrul 10 n forma binar este 1010, deci numai rangurile 1 si 3 trebuie
setate n 0, celelalte fiind deja n aceasta stare. n acest fel, numrarea ncepe
din nou, ciclul repetndu-se dup fiecare10 impulsuri.
Numrtoare sincrone
Aceste numrtoare se folosesc pentru creterea vitezei de numarare.
Schema unui numrtor sincron cu trei ranguri este prezentat n figura 3.a.
Dac se analizeaz schema legturilor intrrilor de sincronizare ale triggerilor
(CLK), se observ c acestea sunt legate n paralel. Impulsurile de tact se
aplic nemijlocit la intrarea de sincronizare a fiecarui trigger. Succesiunea de
numrare ntr-un ciclu este prezentat n tabelul din figura 3.b. Coloana A a
tabelului corespunde rangului binar 0 (rangul unitilor), coloana B corespunde
rangului zecilor i coloana C corespunde rangului sutelor. Pe baza schemei din
figura 3.a i a tabelului din figura 4.b, se poate face analiza complet a unui
ciclu de functionare a numaratorului sincron cu trei ranguri.
Fig. 3 Numrtor sincron cu trei ranguri: schema logic (a) i tabelul
succesiunii de numrare (b)
Numrtoare inverse
Pn acum s-au analizat aa-numitele numrtoare directe, sau de
acumulare, care numr n sens cresctor impulsurile de la intrare. Exist ns
i situaii cnd este nevoie de o numrare n sens invers, descresctor, caz n
care numrtorul se numete numrtor invers. Schema unui numrtor
asincron invers cu trei ranguri este prezentat n figura 4.a, n tabelul din figura
4.b fiind prezentat succesiunea de numrare. Schema numrtorului este
asemntoare cu cea a numrtorului direct din figura 1, deosebirea constnd
numai n metoda de transfer al semnalului de la triggerul T1 sa T2 i de la acesta
la T3. Intrarea de sincronizare (CLK) a fiecrui trigger este legat la ieirea
complementar (Q ) a triggerului anterior. naintea nceperii numrrii, este
necesar ca acesta s fie presetat n starea 111 (numrul zecimal 9), prin
intermediul intrrii de preset (PS).
Fig. 4 Numrtor asincron invers cu 3 ranguri: schema (a) i succesiunea de
numrare (b)
Numrtoare cu autooprire
Numrtorul invers prezentat n paragraful anterior este un numrtor
ciclic. Cu alte cuvinte, cnd acest numrtor trece n starea 000, el ncepe din
nou numrarea de la numarul binar 111 i aa mai departe. n unele cazuri,
este necesar ca numrtoarea s se opreasc atunci cnd s-a terminat seria de
numrare.
Fig. 5 Numrtor invers cu 3 ranguri cu autooprire
Schema unui astfel de numrtor este prezentat n figura 1, ea fiind
obinut plecnd de la schema din figura 4.a, la care se adaug un circuit SAU
cu 3 intrri, care stabilete valoarea 0 la intrrile triggerului T
1
(cel din stnga)
atunci cnd la ieirile C, B A ale numrtorului apare semnalul 000. Acest
numrtor poate ncepe un nou ciclu de numrare numai daca la intrarea de
presetare se aplic nivelul logic 0. Utiliznd un element logic sau o combinaie
de mai multe astfel de elemente, se poate completa schema oricrui
numrtor, direct sau invers, pentru oprirea numrrii acestuia.
Registre de deplasare
Acestea sunt circuite ce permit nscrierea (memorarea) unor informaii
(valori logice) i transferarea la cerere a acestora. n funcie de modul de
introducere i citire a datelor, (simultan n toate celulele registrului sau
succesiv, poziie cu poziie), registrele pot fi:
- cu scriere paralel (scrierea se face simultan n toate celulele) sau serie
(scrierea se face succesiv, fiind comandat prin impulsurile de tact, cte
unul pentru fiecare cifr binar - bit);
- cu citire paralel sau serie.
Prin combinarea acestor moduri de citire i scriere se pot obine registre
cu scriere-citire de tip serie-serie, paralel-paralel, serie-paralel i paralel-serie.
Modul de scriere-citire al acestora este artat n figura 6.
Fig. 6 Scrierea si citirea datelor la diferitele tipuri de numaratoare
Pentru construirea registrelor se folosesc bistabili D. Un exemplu de
registru cu scriere serie cu patru celule este cel din figura 7. Pentru nscrierea
informaiei, mai nti, la intrarea de reset (CL) se aplic un puls avnd ca efect
trecerea tuturor ieirilor n starea logic 0 (stergere), dup care, la fiecare
impuls de tact se aplic concomitent la intrare biii de informaie.
Fig. 7 Registru de deplasare cu scriere serial, cu 4 ranguri, realizat cu triggeri D
La primul impuls de tact, dac primul bit este 0 , iesirea Q
1
ramne 0,
dac aceasta este 1, Q
1
trece, de asemenea, n 1. La al doilea impuls de tact
aceasta valoare nscris la ieirea primului bistabil va fi transferata la ieirea
celui de-al doilea bistabil, la iesirea primului fiind acum nscris valoarea de la
intrare aplicat n timpul celui de-al doilea impuls de tact. Dup aplicarea celui
de-al treilea impuls, i a celui de-al patrulea, primul bistabil va contine
informaia transmis la intrare n timpul celui de-al patrulea impuls de tact, al
doilea pe cea din timpul celui de-al treilea impuls, al treilea bistabil pe cea din
timpul celui de-al doilea impuls si al patrulea bistabil pe cea din timpul primului
impuls.
Astfel, la fiecare impuls de tact informaia nscris ntr-un bistabil se
deplaseaz la urmtorul, astfel de registre numindu-se registre de
deplasare.
Funcionarea complet a circuitului studiat se poate analiza pe baza
tabelului 2.
Tabel 2 Funcionarea registrului de deplasare cu 4 ranguri
.
Dac bistabilii sunt prevzuti i cu intrri de preset (PS), acestea se pot
folosi la scrierea paralel a informaiei. Informaia este citit n mod serial, n
ritmul impulsurilor de tact, la ieirea serie, sau paralel (figura 8)
Fig. 8 Registru de deplasare cu scriere paralela, cu 4 ranguri
Unele registre permit deplasarea i n sens invers a informaiei, ele
numindu-se registre reversibile. De asemenea, registrele construite n forma
integrat pot fi mixte, permind accesul la intrare i/sau ieire att n format
serie ct i paralel. Dup cum se poate constata, citirea serial este distructiv,
informaia distrugndu-se n timpul acestui proces, n timp ce citirea paralel
este nedistructiv.
Multiplexoare si Demultiplexoare
n multe situaii este necesar sa fie transmise mai multe informaii pe
acelasi canal. cum acest lucru nu se poate face simultan, se recurge la o
partajare n timp a canalului, numit multiplexare, operaia invers fiind
demultiplexarea.
Multiplexorul selecteaz o iesire din n intrari (n=2, 4, 8 sau 16). Selecia
liniei de ieire se face cu semnale de control.
Multiplexoarele (MUX) se utilizeaz, de exemplu, n microprocesoare
pentru transmiterea la una si aceiai intrare a mP a adreselor i/sau datelor
(informaiei), ce permite micorarea considerabil a numarului de pini a
circuitului integrat. n sistemele de comanda cu mP, multiplexoarele se
monteaz la obiectele ndeprtate pentru a asigura transmiterea informaiei,
pe unul i acelasi circuit, consecutiv de la mai multe traductoare.
Implementarea schematica a circuitului unui MUX (simplificat pna la 4 intrari)
este data n figura 2.1, obtinut prin
sinteza functiei f conform expresiei:
Fig. 9 Schema logic pentru realizarea funciei logice

Un demultiplexor (DeMUX) ndeplinete funcia opusa unui MUX. El
poate fi utilizat la convertirea unui sir de semnale numerice transmise serial,
ntr-o form paralel. Linia de intrare purttoare de informaie) poate fi
conectata la oricare dintre liniile de ieire, fiind dirijate de semnalele de
comand. Existenta a n semnale de comnand determin existenta a 2n ieiri.
Principiul de funcionare a DeMUXului poate fi prezentat utiliznd circuitul
din fig. 10, n care avem: X intrare semnal informational; A intrare semnal
de comand; Y0, Y1 ieiri. Circuitul conine dou pori AND i una NOT. Se
poate observa c n cazul cnd A=0 semnalul de la informaional va ajunge la
iesirea Y0, iar la A=1 iesirea Y1.
Fig.10
Dispozitive de memorare
Majoritatea sistemelor numerice de calcul utilizeaz dispozitive de
memorare de dou tipuri: memorie intern, de capacitate mic i viteza de
operare mare i memorie extern, de capacitate mare i viteza de operare mai
mic. Dispozitivele de memorare semiconductoare sunt de trei feluri:
- dispozitive de memorie cu acces aleator (RAM Random Access Memory)
- dispozitive de memorie permanent (ROM Read Only Memory)
- dispozitive de memorie programabil (PROM Programmable Read)
- Only Memory, EPROM - Erasable PROM, REPROM Reprogrammable
- ROM)

Memorii RAM
Memoria RAM este un tip de memorie n care informaia poate fi
memorat n timp, apelat n orice moment de timp, transferat, motiv pentru
care se numete memorie cu acces aleator, sau memorie operativ. Memoria
reprezint un grup de locaii, aflate la anumite adrese, n care se pot nscrie
cuvinte, alctuite din cifre binare de mai multe ranguri (4, 8, 16, 32).
Memoriile cu acces aleator nu pot fi utilizate la memorarea permanent a
datelor, deoarece informaia nscris n aceste memorii se pierde la decuplarea
sursei de alimentare a circuitelor de memorie respective.
Memorii ROM- memorii programabile
Acest tip de memorie permite doar citirea informaiei coninute n ea,
tergerea i nscrierea altor informaii nefiind posibil. Organizarea acestor
memorii este similar cu cea a memoriilor RAM. Celulele de memorie ale
memoriilor ROM nu sunt circuite basculante bistabile, ci anumite circuite
speciale, care, n procesul de fabricaie se stabilesc n stri logice 0 sau 1.
Memoriile ROM se folosesc pentru pstrarea programelor de iniiere a
pornirii calculatoarelor si a altor programe de sistem cu destinaie general.
Aceste circuite de memorie sunt costisitoare, ca urmare ele fiind folosite numai
unde sunt strict necesare (pstrarea datelor uzuale, programe, sisteme de
codificare, generatoare de simboluri, etc.).
O soluie a acestei probleme o constituie memoriile programabile, care
pot fi fabricate n serii mari (nefiind impus o anumita comand), deci preul lor
de cost poate fi sczut, comparativ cu cel al memoriilor ROM.
Utilizatorul poate programa singur, n funcie de necesiti memoria
respectiv i, dac ea este de tipul PROM, dup acest proces devine o memorie
ROM obinuit. La memoriile EPROM i REPROM, informaia poate fi tears i
apoi ele pot fi reprogramate, prin procedee specifice.
Sinteza funciilor booleene
Operaii i circuite logice elementare
Algebra boolean, numit i algebra logicii binare, opereaz cu variabile
care pot avea numai dou valori numerice, 0 i 1, crora le corespund valorile
logice NU, FALS, sau NIMIC, respectiv DA, ADEVARAT, sau TOT. Operaiile
logice de baz sunt urmtoarele:
1. negaia, complementul logic sau funcia logic NU (NOT) face c
unei variabile binare A s i corespund variabila binar A , cu proprietatea:
A 5A = 1
Tabelul de adevr a acestei funcii i simbolul dispozitivului care o
realizeaz, numit inversor, sunt reprezentate n figura 6.6.
Fig. 11 Circuit inversor i tabelul de adevr al su
2. intersecia, produsul logic sau funcia logica I (AND), a crei
tabel de adevr este dat n figura 12, mpreun cu simbolul dispozitivului
care o realizeaz. Funcia logica I realizeaz operaia:
A 5UB = Y
Fig. 12 Circuit logic I i tabelul sau de adevr
3. reuniunea, suma logic sau funcia logic SAU (OR), a crei tabel
de adevr este dat n figura 13, mpreun cu simbolul dispozitivului care o
realizeaz. Funcia logica I realizeaz operaia:
A + B = Y
Fig. 13 Circuit logic SAU i tabelul de adevr al su
Aceste operaii logice au urmtoarele proprieti:
1. x + y + z = (x + y) + z = x + (y + z)
2. x 5U(y + z) = (x 5Uy) + (x 5Uz)
3. x = x
4. x y z x 5Uy 5Uz
5. x 5Uy 5Uz x y z
]Ultimele dou relaii sunt cunoscute sub numele de teoremele lui de
Morgan. Mai pot fi demonstrate i relaiile:
6. x + x + x + . . . = x
7. x 5Ux 5Ux 5U. . . = x
8. x 5Ux = 0
9. x + 0 = x (element neutru fa de sum)
10. x 5U1 = x (element neutru fa de produs)
11. x + (x 5Uy) = x
12. x + ( x 5Uy) = x + y
Alte circuite logice mai des folosite
1. Circuitul logic I-NU
Circuitul logic SI-NU (NAND) realizeaz operaia logic prin care se
inverseaz operaia
I: A5B = Y
Reprezentarea convenional este dat n figura 14.a. Alturi este dat i
modul de obinere a operaiei din cele elementare (figura 14.b) i tabelul de
adevr (figura 6.9.c). Caracteristica particular a circuitului I-NU const n
faptul c, la ieirea acestuia, nivelul logic zero apare numai atunci cnd la
toate intrrile sale se aplic semnal de nivelul logic 1.
Fig. 14 Circuit logic I-NU (a), sinteza lui (b) i tabelul de adevr (c)
2. Circuitul logic SAU-NU
Circuitul logic SAU-NU (NOR) realizeaz operaia logic prin care se
inverseaz operaia SAU:
A B = Y
Fig. 15 Circuit logic SAU-NU (a), sinteza lui (b) i tabelul de adevr (c)
Reprezentarea convenional este dat n figura 15.a. Alturi este dat i
modul de obinere a operaiei din cele elementare (figura 15.b) i tabelul de
adevr (figura 15.c). Caracteristica particular a circuitului I-NU const n
faptul c, la ieirea acestuia, nivelul logic 1 apare numai atunci cnd la toate
intrrile sale se aplic semnal de nivelul logic 0.

3. Circuitul logic SAU-EXCLUSIV
Circuitul logic SAU-EXCLUSIV (XOR) este un circuit logic reprezentat n
figura 16.a.
Fig. 16 Circuitele logice SAU-EXCLUSIV (a), SAU-NU-EXCLUSIV (b) i tabelul de
adevr al lor (c)
Alturi este dat i tabelul de adevr (figura 16.c). El realizeaz operaia
logic:
A 5 U B = Y
4. Circuitul logic SAU-NU-EXCLUSIV (COINCIDENA)
Circuitul logic SAU-NU-EXCLUSIV (XNOR) este un circuit logic reprezentat
n figura 17.b. Alturi este dat i tabelul de adevr (figura 17.c). El realizeaz
operaia logic:
A5UB = Y
Pentru obinerea altor funcii logice necesare n aplicaii, n practic este
mai comod utilizarea unor circuite logice de baz. Astfel, pe baza circuitului
logic SI-NU, se pot sintetiza toate celelalte funcii logice, aa cum se poate
vedea n figura 17. Din acest motiv, circuitul logic SI-NU se mai numete poarta
logic elementar, ea fiind realizat integrat, n numeroase variante
constructive.
Fig. 17 Sinteza funciilor logice folosind poarta logic elementar (circuitul
logic SI-NU)
Circuite logice cu mai mult de dou intrri
n unele situaii, circuitele analizate anterior pot dispune de mai multe
intrri, aa cum este cazul exemplului urmtor, reprezentnd circuitul logic I
cu trei intrri, expresia boolean a funciei realizate de acest circuit,
reprezentarea lui i tabela de adevr fiind date n figura 18.a,b.
i n acest caz, circuitul poate fi sintetizat pe baza unor pori elementare
(figura 18.e). n figura 18.g este artat sinteza cu pori elementare a
circuitului SAU cu 4 intrri, simbolul i tabelul de adevr al acestui circuit fiind
date n figura 18.c,d. Pentru sinteza circuitului SAU cu 3 intrri se folosesc
circuite SAU cu 2 intrri (figura 18.h), care, la rndul lor pot fi sintetizate cu
pori elementare. Sinteza circuitului SI cu 4 intrri este prezentat n figura
18.i.
Fig. 18 Circuite logice cu mai multe intrri i sinteza acestora
n practic, se folosesc circuite logice cu pn la 8 intrri i, mai rar, chiar
mai multe, sinteza acestora realizndu-se analog situaiilor prezentate.
Utilizarea porii inversoare pentru transformarea circuitelor
logice
Uneori, n anumite situaii, este mai comod transformarea circuitelor
logice de baz, pentru obinerea altor funcii logice necesare n aplicaii. n
figura 6.14 este prezentat un tabel reprezentnd modul de transformare a unui
circuit dat n alt circuit, folosind poarta inversoare. Se constat c anumite
funcii logice se pot obine n mai multe moduri. Astfel, circuitele SI-NU i SAU-
NU se pot obine att prin inversarea intrrilor, ct i prin inversarea ieirilor,
aa cum se poate vedea n figura 19.
Fig. 19 Transformarea circuitelor logice utiliznd pori inversoare
Circuitele logice se realizeaz sub form integrat, n familii, cum este
cazul integratelor din familia bipolar, sau al celor din familia CMOS, aspectul
exterior fiind determinat de tipul carcasei i de modul de dispunere a
terminalelor. Cea mai rspndit variant constructiv este reprezentat n
figura 20.a,b (capsul TO 116), dispunerea terminalelor fiind exemplificat n
cazul circuitului TTL CDB 400 (7400), cuprinznd 4 pori elementare, n figura
20.c.
Fig. 20 Aspect exterior (a, b) i dispunerea terminalelor (c) la circuitul 7400
Utilizarea circuitelor logice binare pentru obinerea funciilor
logice
Sa considerm o expresie boolean, de exemplu, de forma:
pentru care se pune problema sintezei schemei care s realizeze funcia
respectiv. Primul pas n acest proces este construirea schemei logice (figura
21.a,b).
Fig. 21 Sinteza schemei logice care realizeaza functia
Al doilea pas este cel din figura 21.c. La prima intrare a circuitului SAU se
introduce circuitul suplimentar SI cu dou intrri), una dintre acestea avnd
cuplat o poart inversoare, n scopul formrii combinaiei .
Apoi, pentru formarea combinaiei , la a doua intrare se adaug un
alt circuit SI (figura 21.d) i, n acelai mod, pentru formarea combinaiei , la
a treia intrare se adaug nc un circuit SI (figura 21.e). Un alt exemplu este cel
prezentat n figura 22, pentru sinteza circuitului care realizeaz funcia logic:

.
Din exemplele analizate, se poate trage concluzia c, n general, sinteza
circuitelor logice ncepe cu ieirea acestora i, prin operaii de tipul celor
prezentate, se ajunge la intrarea lor.
Fig. 22 Sinteza schemei logice care realizeaz funcia:
Acest mod de sintez este ns greoi i are particulariti pentru fiecare
situaie n parte. De aceea, este necesar gsirea unui algoritm care, prin
aplicarea sa, s permit sinteza circuitelor, indiferent de cazul particular
ntlnit. Pentru a construi un astfel de algoritm, s analizm mai nti modul de
transformare a informaiei prezentate sub form de tabel de adevr n funcie
logic boolean i invers.
Fig. 23 Obinerea funciei logice pe baza tabelului de adevr (a, b) i invers (c, d)
Astfel, pentru operaia logic al crei tabel de adevr este prezentat n
figura 23.a, funcia logic este cea din figura 23.b, obinut astfel:
valoarea 1 a funciei Y corespunde unui numr de doua combinaii: A = 1
SI B = 1 SI C = 0, SAU A = 0 SI B = 0 SI C = 1. Problema invers const n
stabilirea tabelului de adevr pe baza expresiei funciei booleene. Lund ca
exemplu expresia:

se stabilesc mai nti combinaiile: A = 0 SI B = 1 SI C = 0 SAU A = 0 SI B =
0 SI C = 0 (figura 23.c) i apoi A = 0 SI B = 1 SI C = 0 SAU A = 0 SI B = 0 SI
C = 0 SAU A = 1 SI B = 1 SI C = 1 (figura 23.d).
n general, exprimarea funciilor logice de mai multe variabile se face sub
forma unei sume logice de termeni P sau a unui produs de termeni S, aceste
forme numindu-se forme canonice.
Sa considerm urmtorul exemplu: se d functia de trei variabile A, B, C,
al carei tabel de adevr este cel alturat.
Scrierea n form canonic cu termeni P sau S a funciei f(A, B, C) se face
astfel:
- pentru scrierea cu termeni P, se iau acele combinatii de variabile pentru
care funcia ia valoarea 1, combinatiile fiind produse ale tuturor variabilelor,
negate dac au valoarea 0 i respectiv nenegate dac au valoarea 1.
- pentru scrierea cu termeni S se iau acele combinatii de variabile pentru
care funcia ia valoarea 0, combinaiile fiind suma tuturor variabilelor, negate
dac au valoarea 1, respectiv nenegate dac au valoarea 0.
Astfel, pentru funcia a crei tabel de adevr este cea alaturat, formele
canonice cu termeni P i S sunt:
Scrierea funciei sub form canonic permite implementarea ei ntr-o
schema logic. n general, aceste scheme logice rezultate sunt destul de
complicate. Pentru simplificarea lor, se poate face minimizarea funciei, pe
baza relaiilor (6.5), (6.7), (6.8) si (6.14). Dac numrul variabilelor nu este
prea mare, se poate folosi minimizarea prin metoda diagramelor Karnaugh,
aceste fiind matrice cu 2n csute (n fiind numarul variabilelor), fiecare csu
corespunznd unei anume combinatii de valori ale variabilelor i avnd nscris
n ea valoarea combinaiei respective. Rezult c fiecrei csute i corespunde
un termen P sau S (dup cum a fost exprimat funcia). Pentru funcia de mai
sus, diagrama Karnaugh este cea de mai sus. Pentru minimizarea funciei, se
procedeaz astfel: se grupeaz cmpurile adiacente avnd valoarea 1 n
dreptunghiuri sau ptrate cu laturile egale cu una, dou sau patru csue,
urmrindu-se ca toate cmpurile cu valoarea 1 s fie cuprinse n cel putin o
grupare iar gruprile s aib suprafaa maxim.
Funcia logic minimizat se obine prin nsumarea termenilor
corespunztori grupurilor realizate.
Pentru funcii de dou variabile, diagrama Karnaugh are dimensiunea 2
__2, pentru patru variabile 4 __4 iar pentru cinci variabile se construiesc
dou diagrame cu dimensiunea 4 __4 pentru patru din cele cinci variabile,
fiecare corespunznd uneia din cele dou stri ale celei de-a cincea variabile.
Fig. 24 Simplificarea unei expresii booleene: funcia logic (a), schema logic
ce realizeaz funcia
(b), tabelul de adevr (c), schema logic simplificat (d) i expresia funciei
logice simplificate (e)
S considerm exemplul reprezentat n figura 24, n care se d functia Y
de forma 24.a i s construim diagrama Karnaugh pentru funcia dat (figura
24.a).
Fig. 24 Minimizarea unei funcii logice de dou variabile (a, b), trei variabile
(c,d) i patru variabile (e, f), folosind diagrama Karnaugh
Aceasta se prelucreaz conform celor expuse mai sus pentru minimizarea
funciei, aa cum se poate vedea n figura 24.b i se obine funcia minimizat.
Pentru funcii de trei variabile, se procedeaz ca n exemplul din figura 24.c,d,
iar pentru funcii de patru variabile se procedeaz ca n exemplul din figura
24.e,f.
Exist i procedee mai puin generale de construcie a contururilor, aa
cum se poate vedea n figura 25.a, unde diagrama se poate consider c fiind
desfurarea unui cilindru dispus orizontal, astfel c marginea de sus se
continu cu cea de jos. Astfel, pornind de la funcia:
se ajunge la funcia simplificat Y = B 5C . n mod similar, se poate face, unde
este cazul i operaia echivalent, de nfurare a diagramei sub forma unui
cilindru vertical i, bineneles, combinaia celor dou cazuri, aa cum se poate
vedea n figura 25.b, unde funcia logic iniial,
se simplifica prin procedeul descris, sub forma . Aa cum am artat
anterior, din motive practice, este comod ca schemele logice s fie sintetizate
cu pori elementare SI-NU, pentru a reduce numrul variantelor de circuite
logice utilizate n schem.
Fig. 25 Minimizarea funciilor logice n anumite situaii particulare
Microprocesoare
Microprocesorul reprezint "creierul" unui calculator electronic, el fiind un
circuit integrat pe scar foarte larg (VLSI), ce permite efectuarea operaiilor
aritmetice i logice prin intermediul unui program. Schema-bloc a unui
microprocesor este data n figura 26.
Unitatea aritmetico-logic (UAL) este partea propriu-zis de efectuare
a operaiilor aritmetice i logice. Operaia fundamental efectuat este
adunarea, efectuat prin intermediul unor circuite semisumatoare.
Scderea se face tot prin intermediul operaiei de adunare dar n locul
numrului respectiv se adun complementul su. nmultirea se reduce la o
adunare repetat iar mprirea se face prin scderi repetate. O component
importanta a UAL este un registru special, acumulatorul care pstreaz iniial
unul din operanzi i n final rezultatul operaiei. Alte circuite din UAL sunt
indicatorii de condiie care memoreaz condiiile specifice prin care trece
sumatorul n urma efecturii operaiilor aritmetice i logice:
indicatorul de transport (CY),
indicatorul de rezultat zero (Z),
indicatorul de semn (S),
indicatorul de paritate (P), etc.
O alt parte a microprocesorului o constituie registrele, conectate la
magistrala de date prin intermediul unui multiplexor. Acestea sunt registre cu
destinaie general, care pastreaz operanzi sau rezultate intermediare,
registre de adresare, dintre care cel mai important este numrtorul de adrese
(care conine adresa instructiunii care urmeaz sa fie executat), registre de
instructiuni, etc.
Blocul cel mai complex, cu rol de generare a secventei de semnale
necesare pentru execuia fiecrei operaii, este unitatea de comand si
control (UCC).
Modul de lucru al microprocesorului este urmtorul:
pentru executarea unui program se execut succesiv instruciunile
aflate n zona de memorie-program.
dupa executia unei instructiuni, numrtorul-program se
incrementeaz cu o unitate dupa care, pentru execuia urmtoarei
instructiuni, microprocesorul transmite pe magistrala de adrese
adresa locaiei de memorie la care se afla nscris aceast
instruciune, citete coninutul locaiei (instruciunea), l decodific,
genernd apoi semnalele necesare pentru execuie.
Astfel, microprocesorul parcurge repetat cicluri de extragere a
instruciunii i execuie a ei, lucrnd secvenial (algoritmic), ritmul de efectuare
a fiecrei operaii fiind dat de un generator de tact.
Fig.26. Schema bloc unui microprocesor
Deci, elementul de baz al unui sistem de calcul este reprezentat de
microprocesor ce este un circuit deosebit de complex, plasat de obicei pe
placa de baz a sistemului de calcul. El este elementul ce asigur procesarea
datelor, adic interpretarea, prelucrarea i controlul acestora, vizeaza sau
supervizeaz transferurile de informai i controleaz activitatea general a
celorlalte componente ce alctuiesc sistemul de calcul.
Fiecare procesor este alcatuit intern din mai multe micromodule,
interconectate prin intermediul unor ci de comunicaie, adevrate autostrzi
informaionale, dotate cu mai multe benzi. Aceste ci de comunicaie sunt
numite magistrale interne, care pot transfera date i instructiuni sau
comenzi.
Datele i instruciunile formeaz codul unui program ce este rulat pe un
sistem de calcul i reprezint informaia care este procesat. Comenzile
reprezint informaia ce ajut la aceste procesri, prin aciunile hard si soft pe
care le determina.
Procesorul unui sistem de calcul joac rolul unui adevarat motor, iar
arhitectura lui se bazeaz pe 3 componente eseniale i anume:
1. motorul de execuie: reprezint componenta principal a
procesorului, asigurnd prelucrarea instruciunilor i datelor necesare, prin
intermediul unitii aritmetico-logice ncorporate, precum i furnizarea
rezultatelor obinute n urma procesrilor fcute.
2. registrele interne: reprezint zone de memorie interne, de mici
dimensiuni, a cror accesare, de catre UAL i celelalte module ale procesorului,
este foarte rapid.
Din punct de vedere fizic, registrele sunt circuite electronice realizate
dintr-un numr mare de celule basculante bistabile (CBB) i au rolul de a primi,
stoca si transfera informatia binar. n funcie de numrul de bii manevrati de
un registru, acestia pot fi de 4, 8, 16, 32 sau 64 biti. O alt clasificare a
registrelor se face dup natura elementului ce realizeaz funcia de memorare
efectiv:
registre statice, la care funcia de memorare este realizat de CBB-urile
circuitului, prin setarea (valoarea 1) sau resetarea (valoarea 0) a acestora.
registre dinamice, la care funcia de memorare este realizat de
condensatoare, iar informaia este stocat sub forma de sarcin electric pe
aceste condensatoare, existena sarcinii corespunznd valorii binare 1, iar
absenta sarcinii corespunznd valorii binare 0.
Registrele interne ale microprocesorului sunt clasificate i folosite de
microprocesor astfel:
registre de date (generale) sunt folosite pentru manipularea datelor.
n general aceste registre sunt utilizate de instructiunile logice si aritmetice.
registre de pointer i index sunt utilizate de ctre instruciunile pentru
transfer de date, adresri indexate i stiv.
registre de segment, folosite n accesrile de memorie i transferuri de
date conin adresele de segment pentru program, date curente,
extrasegment i stiv
registrul indicator de instruciune indic instruciunea curent n
cadrul unui program n curs de execuie.
registrul de stare, prin intermediul cruia se poate verifica efectul
execuiei anumitor instruciuni sau stri ale microprocesorului.
3. modulul interfata.
Modulul interfa (controlerul de magistrala intern) reprezint
dispozitivul ce controleaz transferurile de intrare/ieire (magistralele
sistemului), lucrnd similar cu un controller extern de magistrala. El
semaforizeaz aceste transferuri pe bus i genereaz ntr-o zon de memorie
intern (buffer) o structur de tip stiv pentru reinerea instruciunilor ce vor fi
procesate de modulul executor.
Magistralele interne ale microprocesorului sunt ci de comunicaie ntre
modulele ce alctuiesc intern microprocesorul, deosebit de rapide, cu limi de
8, 16, 32, 64, 128 sau 256 de bii, n funcie de microprocesor, realizate la nivel
microscopic.
Activitatea general a unui procesor folosete dou tehnici:
- tehnica pipeline ce utilizeaz nlnuirea mai multor module ce vor
prelucra n cascad o informaie (modulul M2 preia informaia de
procesat de la modulul anterior M
1
, o prelucreaz i o trimite la modulul
urmtor);
- tehnica burst, o tehnic mai nou ce a impus introducerea n aceeai
capsul cu procesorul a unei memorii tip SRAM numit memorie cache,
cu rol de memorie buffer, pentru mrirea vitezei de lucru.
Microcontrolere
Microcontrolerul difer de un microprocesor n multe feluri. n primul rnd i cel
mai important este funcionalitatea sa. Pentru a fi folosit, unui
microprocesor trebuie s i se adauge alte componente ca memorie,
sau componente pentru primirea i trimiterea de date. Pe scurt,
aceasta nseamn c microprocesorul este inima calculatorului. Pe de
alt parte, microcontrolerul este proiectat s fie toate acestea ntr-unul
singur. Nu sunt necesare alte componente externe pentru aplicarea sa
pentru c toate perifericele necesare sunt deja incluse n el. Astfel,
economisim timpul i spaiul necesare pentru construirea de aparate.
Schema bloc a unui microprocesor este prezenta n figura 27.
Fig.27
Unitatea de memorie
Memoria este o parte a microcontrolerului a crei funcie este de a
nmagazina date.
Cel mai uor mod de a explica este de a-l descrie ca un dulap mare cu multe
sertare. Dac presupunem c am marcat sertarele ntr-un asemenea fel nct
s nu fie confundate, oricare din coninutul lor va fi atunci uor accesibil. Este
suficient s se tie desemnarea sertarului i astfel coninutul lui ne va fi
cunoscut n mod sigur.
Componentele de memorie sunt exact aa. Pentru o anumit intrare
obinem coninutul unei anumite locaii de memorie adresate i aceasta este
totul. Dou noi concepte ne sunt aduse: adresarea i locaia de memorie.
Memoria const din toate locaiile de memorie, i adresarea nu este altceva
dect selectarea uneia din ele. Aceasta nseamn c noi trebuie s selectm
locaia de memorie la un capt, i la cellalt capt trebuie s ateptm
coninutul acelei locaii. n afar de citirea dintr-o locaie de memorie, memoria
trebuie de asemenea s permit scrierea n ea. Aceasta se face prin asigurarea
unei linii adiionale numit linie de control. Vom desemna aceast linie ca R/W
(citete /scrie). Linia de control este folosit n urmtorul fel: dac r/w=1, se
face citirea, i dac opusul este adevrat atunci se face scrierea n locaia de
memorie. Memoria este primul element, dar avem nevoie i de altele pentru ca
microcontrolerul nostru s funcioneze.
Unitatea de procesare central
S adugm alte 3 locaii de memorie pentru un bloc specific ce va avea o
capabilitate incorporat de nmulire, mprire, scdere i s-i mutm
coninutul dintr-o locaie de memorie n alta. Partea pe care tocmai am
adugat-o este numit "unitatea de procesare central" (CPU). Locaiile ei de
memorie sunt numite regitri.
Regitrii sunt deci locaii de memorie al cror rol este de a ajuta prin
executarea a variate operaii matematice sau a altor operaii cu date oriunde
se vor fi gsit datele. S privim la situaia curent. Avem dou entiti
independente (memoria i CPU) ce sunt interconectate, i astfel orice schimb
de informaii este ascuns, ca i funcionalitatea sa. Dac, de exemplu, dorim s
adugm coninutul a dou locaii de memorie i ntoarcem rezultatul napoi n
memorie, vom avea nevoie de o conexiune ntre memorie i CPU. Mai simplu
formulat, trebuie s avem o anumit "cale" prin care datele circul de la un
bloc la altul.
Calea este numit "bus"- magistral. Fizic, el reprezint un grup de 8, 16,
sau mai multe fire. Sunt dou tipuri de bus-uri: bus de adres i bus de date.
Primul const din attea linii ct este cantitatea de memorie ce dorim s o
adresm, iar cellalt este att de lat ct sunt datele, n cazul nostru 8 bii sau
linia de conectare. Primul servete la transmiterea adreselor de la CPU la
memorie, iar cel de al doilea la conectarea tuturor blocurilor din interiorul
microcontrolerului.
n ceea ce privete funcionalitatea, situaia s-a mbuntit, dar o nou
problem a aprut de asemenea: avem o unitate ce este capabil s lucreze
singur, dar ce nu are nici un contact cu lumea de afar, sau cu noi! Pentru a
nltura aceast deficien, s adugm un bloc ce conine cteva locaii de
memorie al cror singur capt este conectat la bus-ul de date, iar cellalt are
conexiune cu liniile de ieire la microcontroler ce pot fi vzute cu ochiul liber ca
pini la componenta electronic.
Unitatea intrare-ieire
Aceste locaii ce tocmai le-am adugat sunt numite "porturi". Sunt diferite
tipuri de porturi: intrare, ieire sau porturi pe dou-ci. Cnd se lucreaz cu
porturi, mai nti de toate este necesar s se aleag cu ce port urmeaz s se
lucreze, i apoi s se trimit date la, sau s se ia date de la port.
Cnd se lucreaz cu el portul se comport ca o locaie de memorie. Ceva este
pur i simplu scris n sau citit din el, i este posibil de a remarca uor aceasta la
pinii microcontrolerului.
Comunicaia serial
Cu aceasta am adugat la unitatea deja existent posibilitatea
comunicrii cu lumea de afar. Totui, acest mod de comunicare are
neajunsurile lui. Unul din neajunsurile de baz este numrul de linii ce trebuie
s fie folosite pentru a transfera datele. Ce s-ar ntmpla dac acestea ar trebui
transferate la distan de civa kilometri? Numrul de linii nmulit cu numrul
de kilometri nu promite costuri eficiente pentru proiect. Nu ne rmne dect s
reducem numrul de linii ntr-un aa fel nct s nu scdem funcionalitatea. S
presupunem c lucrm doar cu 3 linii, i c o linie este folosit pentru
trimiterea de date, alta pentru recepie i a treia este folosit ca o linie de
referin att pentru partea de intrare ct i pentru partea de ieire. Pentru ca
aceasta s funcioneze, trebuie s stabilim regulile de schimb ale datelor.
Aceste reguli sunt numite protocol. Protocolul este de aceea definit n avans ca
s nu fie nici o nenelegere ntre prile ce comunic una cu alta. De exemplu,
dac un om vorbete n francez, i altul vorbete n englez, este puin
probabil c ei se vor nelege repede i eficient unul cu altul. S presupunem c
avem urmtorul protocol. Unitatea logic "1" este setat pe linia de transmisie
pn ce ncepe transferul. Odat ce ncepe transferul, coborm linia de
transmisie la "0" logic pentru o perioad de timp (pe care o vom desemna ca
T), aa c partea receptoare va ti c sunt date de primit, aa c va activa
mecanismul ei de recepie. S ne ntoarcem acum la partea de transmisie i s
ncepem s punem zero-uri i unu-uri pe linia de transmisie n ordinea de la un
bit a celei mai de jos valori la un bit a celei mai de sus valori. S lsm ca
fiecare bit s rmn pe linie pentru o perioad de timp egal cu T, i la sfrit,
sau dup al 8-lea bit, s aducem unitatea logic "1" napoi pe linie ce va
marca sfritul transmisiei unei date. Protocolul ce tocmai l-am descris este
numit n literatura profesional NRZ (Non-Return to Zero).
Unitatea serial folosit pentru a trimite date, dar numai prin
trei linii
Pentru c avem linii separate de recepie i de transmitere, este posibil
s recepionm i s transmitem date (informaii) n acelai timp. Blocul aa
numit full-duplex mode ce permite acest mod de comunicare este numit blocul
de comunicare serial. Spre deosebire de transmisia paralel, datele sunt
mutate aici bit cu bit, sau ntr-o serie de bii, de unde vine i numele de
comunicaie serial. Dup recepia de date trebuie s le citim din locaia de
transmisie i s le nmagazinm n memorie n mod opus transmiterii unde
procesul este invers. Datele circul din memorie prin bus ctre locaia de
trimitere, i de acolo ctre unitatea de recepie conform protocolului.
Unitatea timer
Acum c avem comunicaia serial, putem recepiona, trimite i procesa
date.
Totui, pentru noi ca s putem s l folosim n industrie mai avem nevoie
de cteva blocuri. Unul din acestea este blocul timer care este important
pentru noi pentru c ne d informaia de timp, durat, protocol etc. Unitatea de
baz a timer-ului este un contor liber (free-run) care este de fapt un registru a
crui valoare numeric crete cu unu la intervale egale, aa nct lundu-i
valoarea dup intervalele T1 i T2 i pe baza diferenei lor s putem determina
ct timp a trecut. Acesta este o parte foarte important a microcontrolerului al
crui control cere cea mai mare parte a timpului nostru.
Watchdog-ul
nc un lucru ce necesit atenia noastr este funcionarea fr defecte a
microcontrolerului n timpul funcionrii. S presupunem c urmare a unei
anumite interferene (ce adesea se ntmpl n industrie) microcontrolerul
nostru se oprete din executarea programului, sau i mai ru, ncepe s
funcioneze incorect.
Bineneles, cnd aceasta se ntmpl cu un calculator, l resetm pur i
simplu i va continua s lucreze. Totui, nu exist buton de resetare pe care s-
l apsm n cazul microcontrolerului care s rezolve astfel problema noastr.
Pentru a depi acest obstacol, avem nevoie de a introduce nc un bloc numit
watchdog-cinele de paz. Acest bloc este de fapt un alt contor liber (free-run)
unde programul nostru trebuie s scrie un zero ori de cte ori se execut
corect. n caz c programul se "nepenete", nu se va mai scrie zero, iar
contorul se va reseta singur la atingerea valorii sale maxime. Aceasta va duce
la rularea programului din nou, i corect de aceast dat pe toat durata.
Acesta este un element important al fiecrui program ce trebuie s fie fiabil
fr supravegherea omului.
Convertorul Analog-Digital
Pentru c semnalele de la periferice sunt substanial diferite de cele pe
care le poate nelege microcontrolerul (zero i unu), ele trebuie convertite ntr-
un mod care s fie neles de microcontroler. Aceast sarcin este ndeplinit
de un bloc pentru conversia analog-digital sau de un convertor AD. Acest bloc
este responsabil pentru convertirea unei informaii despre o anumit valoare
analogic ntr-un numr binar i pentru a o urmri pe tot parcursul la un bloc
CPU aa ca blocul CPU s o poat procesa.
Astfel microcontrolerul este acum terminat, i tot ce mai rmne de fcut
este de a-l pune ntr-o component electronic unde va accesa blocurile
interioare prin pinii exteriori. Imaginea de mai jos arat cum arat un
microcontroler n interior.