ELECTRONICA

LABORATORIO N05

Tiristores

INTEGRANTES:

Huarza Mamani Roger Armando

Choque Rafael

GRUPO

PROFESOR:
BAKER CARPIO

NOTA

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Tema: Tiristores

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Introduccin

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de potencia diseados especficamente para trabajar en regmenes de altas corrientes y altos voltajes. Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales.

1. OBJETIVOS

Identificar los tipos ms usados de tiristores. Realizar pruebas de funcionamiento. Mostrar el funcionamiento de un SCR. Identificar los terminales de un tiristor. Trabajar eficazmente en equipo. Aplicar las normas de seguridad en el laboratorio.

2. MATERIAL A EMPLEAR

Protoboard

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Fuente de alimentacin DC Multimetro. Conectores. 02 Resistencias de 1K 1/2W Resistencia de 10K 1/2W Diodo LED

3. SEGURIDAD EN LA EJECUCIN DEL LABORATORIO

Tener cuidado con el tipo y niveles de voltaje que suministran a las tarjetas Antes de utilizar el multmetro, asegurarse que esta en el rango y magnitud elctrica adecuada.

Tener cuidado en la conexin y en la desconexin de los equipos utilizados

Fundamento Terico
Los tiristores son un grupo de dispositivos semiconductores diseados especialmente para trabajar en regmenes de altas corrientes y/o voltajes, sus aplicaciones principales son en el campo de la electrnica de potencia. La mayora de los tiristores tienen dos estados corte y conduccin y en el caso e conduccin la corriente no est determinada por el dispositivo sino por el circuito de carga. Dentro del grupo de los tiristores que vamos a ver, tenemos los siguientes dispositivos. SCR

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TRIAC DIAC

SCR
Es un dispositivo de tres terminales que se comportan como un interruptor, conduce en directo y no conduce en inverso, pero adicionalmente para entrar en conduccin se le debe aplicar en la terminal de compuerta una corriente, a esta accin se le conoce como disparo del SCR.

DIAC
Est constituido por dos conjuntos de cuatro capas semiconductoras colocadas en paralelo y en oposicin: PNPN y NPNP. Dado que no dispone de puerta, la conduccin slo se puede producir al superar la tensin de ruptura, en este caso, es posible en ambas direcciones. Para que deje de conducir es necesario anular la intensidado, al menos reducirla por debajo del nivel mnimo de mantenimiento. El uso ms comn para este dispositivo es el de disparo para un SCR o Triac, como vemos en la figura a continuacin, el circuito de resistencia y condensadores de la figura forma un circuito de carga y descarga de un condensador cuya constante de tiempo podemos regular con el potencimetro. Cuando alcanza la tensin suficiente, se produce la ruptura del Diac y el disparo del SCR.

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TRIAC
Es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El Triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

PROCEDIMIENTO

I.

Reconocimiento Fsico de los dispositivos de potencia I.1 La figura muestra el smbolo de un SCR, anote los elementos que corresponden a cada terminal.

nodo

Ctodo

Gate

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I.2 Buscar en el manual ECG, complete la siguiente tabla

rectificador controlado de silicio -

SCR BT151 y

Modelo de encapsulado Corriente mxima

T0 -220

10A

I.3 Anote los elementos que corresponden con cada terminal del dispositivo de la figura 2

Ctodo

nodo

gate I.4 La figura 3 muestra el smbolo del Triac, anote los elementos Que corresponden a cada terminal

nodo 1

nodo 2

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Gate

I.5 Buscar en el manual ECG o NTE, TRIAC BT136 o BT137 y complete la tabla. Modelo de encapsulado T0-220 Corriente mxima 40A

I.6 Anote los elementos que corresponden con cada terminal del dispositivo de la figura 4

Terminal principal 1 Terminal principal 2

gate

I.7 La figura 5 muestra el smbolo de un Diac, anote los elementos Que corresponden a cada terminal

nodo 1

nodo 2

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I.8 Buscar en el manual ECG o NTE, el DIAC BD3 y anotar sus caracteristicas Modelo de encapsulado D0-32 Voltaje de Disparo 32

II.

Prueba de estado de un SCR y un TRIAC Comprobar el estado de los dispositivos de potencia Prueba del estado del SCR

II.1

Usando el multimetro analgico con el selector en ohmios en la escala de

RX1, conecte la punta positiva al nodo (pin1) y la negativa al ctodo (pin2), hacer un puente (disparo), usando la punta del instrumento entre el nodo y la compuerta (pin2 y 3). Qu observa en el instrumento? Su resistencia es ms elevada, midiendo con el multmetro se presenta una resistencia de 42.3 M II.2 Retire el puente del Gate pero manteniendo conectado la punta del

instrumento al nodo. Qu observa en el instrumento? No presenta resistencia R=0.1 II.3 De las pruebas realizadas en los pasos anteriores el SCR se

encuentra enbloqueo estado.

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Prueba del estado del TRIAC II.4 Usando el multimetro analgico con el selector en ohmios en la escala de

RX1, conecte la punta positiva al nodo 2 o MT2 (pin2) y la negativa al nodo1 o MT1 (pin1), hacer un puente (disparo), usando la punta del instrumento entre el nodo2 y la compuerta (pin2 y 3). Qu observa en el instrumento? foto

Se registra OL, la carga se dispara, porque la corriente del ohmmetro es mayor que de la corriente de mantenimiento.

II.5

Retire el puente del Gate pero manteniendo conectado la punta del

instrumento al nodo2. Qu observa en el instrumento?

foto 415.9 Ohm

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II.6

De las pruebas realizadas en los pasos anteriores el TRIACse encuentra

enbloqueo.. estado.

III.

Circuito de disparo con SCR

III.1

Implementar el circuito mostrado en la figura 8

III.2

Cierre el interruptor S1 Qu sucede con la luminosidad del led?

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foto La luminosidad del led se enciende, tambin el interruptor s2 est cerrado, se deduce que el flujo de la corriente es constante en toda la malla III.3 Abra el interruptor S1 Qu observa en el led? Por qu?

foto

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El led sigue encendida, pues tericamente sabemos hace cero. III.4

que la tensin gate solo

sirve para activar nuestro tiristor, y deducimos que la corriente del ctodo se

Abrir el interruptor S2. Diga que ocurre con la luminosidad del led.

foto La luminosidad del led se apaga, esto sucede porque la corriente nodo - ctodo cero. III.5 En qu estado se encuentra el SCR. en polarizacin directa. se hace

Si. El S1,S2 se encuentran cerrados el SCR se activa para que suceda esto, la corriente nodo- ctodo debe ser mayor la de gate .

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IV.

Circuito de Disparo y Bloqueo con SCR

IV.1

Pulse SW1 Qu sucede con la luminosidad del led? Por qu?

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No se enciende la lamparita porque presenta una alta resistencia IV.2 Pulse SW2. Diga que ocurre con la luminosidad del led. Por qu?

No se enciende la lmpara IV.3 En que estado se encuentra el SCRconduccin

CONCLUSIONES Y

APLICACIONES

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La corriente que activa el scr puede ser de bajo valor, pues con solo un pulso de corriente este quedar activo.

El voltaje que hay en el nodo cae drsticamente al momento del encendido del scr.

Luego de encendido el scr, no es necesario que la compuerta siga recibiendo corriente porque este seguir conduciendo hasta que el voltaje disminuya a tal punto que se desactive.

Los scr nos permiten controlar el paso de corriente a determinadas ramas de un circuito previniendo daos y alargando la vida til de estos.

Segn la referencia del scr estos pueden controlar diferentes tipos de voltajes.

Mientras no se aplique ninguna tensin en el GATE del scr no se inicia la conduccin, dado que esta es la clave para que el tiristor quede activo de forma permanente hasta que algo externo al l rompa la conduccin.

Los scr se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del control; debido a que el tiristor puede ser utilizado como interruptor de tipo electrnico.

Anexo

El tiristor

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El tiristor es un componente semiconductor diseado para realizar una funcin interruptora o una rectificacin controlada.

Su forma de trabajo es similar a la de un diodo ya que nicamente permite el paso de la corriente en un nico sentido de circulacin, sin embargo se diferencia de ste en que su conduccin est regulada por la accin de uno de los electrodos que posee.

Estructura
Est formado por una estructura de cuatro regiones semiconductoras p-n-p-n, formando la primera de ellas el nodo, la ltima el ctodo y la regin de contacto con ste es la denominada puerta, cuya funcin es la de disparo o puesta en situacin de conduccin del componente.

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Esta estructura puede dividirse, con objeto de analizar su comportamiento en dos partes, formando cada una de ellas un transistor. De esta manera, existir un transistor p-n-p constituido por el nodo y las dos regiones siguientes y otro transistor del tipo n-p-n que comprende el ctodo junto con las dos regiones que se consideraron anteriormente. Estos dos transistores estarn unidos elctricamente en las siguientes zonas: La base del p-n-p con el colector del n-p-n. El colector del p-n-p con la base de n-p-n y al electrodo denominado puerta. El circuito obtenido forma una estructura fuertemente retroalimentada ya que cualquier seal que se aplique sobre la puerta ser amplificada y saldr por el colector del transistor n-p-n, alcanzndose la base del p-n-p y amplificndose de nuevo con el colector de ste, que coincide con el terminal de puerta. Entonces el componente entrara rpidamente en saturacin y podr circular una corriente elctrica entre el emisor del transistor p-n-p que coincide con el nodo y el emisor n-p-n, que forma el ctodo del elemento.

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Disparo
De todo lo anterior se deduce que la entrada en conduccin del tiristor depende de la seal que se aplic a su puerta, pero su permanencia en este estado ya no depende de ella porque es la propia realimentacin interna del dispositivo la que le mantiene en conduccin. Por lo tanto podr suprimirse la seal de la puerta sin ejercer ninguna influencia sobre dicha conduccin. El dispositivo ha quedado disparado. Adems de la forma de disparo anterior, existen otras que conviene conocer ya que pueden ser tiles en cualquier aplicacin de este componente. Las diferentes formas de disparo son las siguientes: Tensin: Al aumentar la tensin colector-emisor de un transistor puede llegar a provocarse la ruptura por avalancha del mismo. En este momento se llega a una situacin similar a la comentada por la realimentacin interna, pasando el tiristor a conduccin. Variacin rpida de la tensin: Si la tensin nodo-ctodo varia bruscamente se produce una transmisin de dicha variacin hacia el interior del componente, debido a un efecto capacitivo, inicindose a partir de ella el proceso regenerativo del disparo. Temperatura: El efecto de la temperatura sobre un transistor es la de aumentar la corriente de deriva del colector. En el momento que se alcance la corriente suficiente para iniciar la regeneracin, el tiristor pasar a conduccin. Disparo por la seal de puerta: Esta es la forma ms comn de disparo y su mecanismo ya ha sido comentado. Luz: En el caso de los foto tiristores se producir un disparo con la luz incidente.

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Control de la corriente
Obsrvese que a pesar de que los tiristores poseen ciertas analogas con los transistores, se diferencian en todo lo relativo al control de la corriente que circula por ellos. Mientras que un transistor esta corriente est controlada por la accin de la base, en un tiristor no existe ningn control sobre la misma despus del momento inicial del disparo. Es preciso, por lo tanto, definir algn procedimiento de bloqueo del tiristor de forma que pueda volver a estar controlado por cualquiera de los mecanismos de disparos descriptos. Este procedimiento consiste en aplicar entre nodo y ctodo una tensin inversa con el negativo sobre el nodo y el positivo sobre el ctodo. De esta manera el tiristor pasar a bloqueo en un corto perodo de tiempo denominado tiempo de bloqueo o en ingls turn-off time. La tensin inversa podr seguidamente ser desconectada mantenindose el componente en la situacin adquirida.

Curvas caractersticas
La forma de trabajo del tiristor est perfectamente definida por sus curvas caractersticas en las que se representa en el eje vertical la corriente y en el horizontal la tensin nodo-ctodo. Suelen dibujarse diferentes curvas para diversos valores de tensin de disparo de puerta. Las curvas presentan tres zonas: la primera situada a la izquierda, con las tensiones inversas entre nodo y ctodo, muestra el punto de mxima tensin por entrar el dispositivo en avalancha inversa, esta primera zona se extiende hacia la derecha con los diferentes puntos de disparo por puerta hasta llegar al disparo por tensin directa. La segunda zona es la del disparo propiamente dicho en la que se observa un fenmeno muy curioso de resistencia negativa ya que una disminucin de tensin produce un aumento de corriente. La tercera zona es la de corriente de mantenimiento a una baja tensin nodo-ctodo, nicamente limitada por la mxima disipacin de potencia del tiristor.

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Aplicaciones
Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que aportan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternacia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Las caractersticas que definen un tipo cualquiera de tiristor son las siguientes: IT(RMS): Mxima corriente alterna eficaz que puede conducir. IT(AV): Mxima corriente continua en conduccin de 180. VTM: Tensin directa mxima en conduccin de 180. VRRM: Tensin inversa mxima repetitiva que puede aplicarse al tiristor. VFRM: Tensin directa mxima que puede aplicarse sin alcanzar el disparo. IGT: Corriente mnima de puerta para disparo. IGD: Corriente mxima de puerta que puede aplicarse sin alcanzar el disparo. VGT: Tensin de puerta necesaria para producir la corriente de disparo. VGT mx: Tensin mxima de puerta para el disparo. VGT mn: Tensin mnima de puerta para garantizar la corriente de disparo.

Dispositivos de Electrnica de Potencia

Introduccin: Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

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Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales. El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin).

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Aplicaciones :

Traccin elctrica: troceadores y convertidores. Industria:

o o

Control de motores asncronos. Inversores.

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o o o

Caldeo inductivo. Rectificadores. Etc.

A continuacin se describen los principales dispositivos de Electrnica de Potencia: Triac: El Triac puede ser considerado como la integracin de 2 SCRs en forma paralela invertida. El smbolo elctrico del TRIAC, as como sus caractersticas de Voltaje corriente, se muestran en la figura. Cuando la terminal T1 es positiva con respecto a la terminal T2, y el dispositivo es disparado por una corriente positiva en la terminal gate (+ig), ste se enciende. De igual forma, cuando la terminal T2 es positiva con respecto a la terminal T1 y el dispositivo es disparado por una corriente negativa en la terminal gate , el dispositivo tambin se enciende.

Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -T2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.

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El modo de operacin del Triac, se describe a continuacin: El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.

La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin. Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal.

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El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin. Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.

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El Triac es usado frecuentemente en muchas aplicaciones de baja potencia como extractores de jugo, mezcladoras y aspiradora. Es econmico y fcil de controlar en comparacin de 2 SCRs conectados en forma antiparalela . Sin embargo, el Triac tiene una baja capacidad de dv/dt y un largo tiempo de apagado. No es recomendable su uso en niveles altos de voltaje y corriente.

Diac: Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

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GTO (Gate Turn-off Thyristor) Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate. El smbolo para el tiristor GTO usado ms frecuente, as como sus caractersticas de conmutacin se muestran en la figura. El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig), crece. Cuando la corriente en el gate alcanza su mximo valor IGR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (I A) es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en el gate (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.

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La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (I A leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura V AK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., V AK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (I A leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo I A por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding I h, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc ac) a niveles de potencia en los que los MOSFETs, TBJs e IGBTs no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC DC, los GTOs, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ.

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La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porcin de la estructura es la combinacin de regiones n+ , p y n- que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la regin de flujo n- que es el drain D del MOSFET. Otra parte es la combinacin de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unin bipolar entre el drain D y el source. La regin p acta como colector C, la regin n - acta como la base B y la regin p+ acta como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4 capas p+n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es parsito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje V GS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente I D persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain i D es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje V G de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje V DS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente i D se autolimita.

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El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. MCT (MOS- Controlled Thyristor) El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado. El smbolo de ste dispositivo se muestra en la figura. Est integrado por 2 MOSFETs, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga.

Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn que determina las propiedades de conduccin (y de bloqueo). Tambin, todos los MCTs tienen integrados dos dispositivos MOS para controlar las propiedades de conmutacin. Entre el nodo A y el ctodo K existe una estructura pnpn que como ya se mencion forma la estructura del tiristor del MCT. La regin gate nodo est formada por ms de 105 celdas. Este largo nmero de celdas provee superficies cortas de largas secciones transversales para una rpida y uniforme conmutacin de corriente. Dentro de la regin nodo gate existen dos MOSFETs. Uno de ellos es un canal p, tipo pnp que es usado para el encendido y el otro es un canal n, de tipo npn que es usado para el apagado. Existen otras regiones p-pn+ que producen el encendido y el apagado del MCT. La estructura descrita aqu es muy general y no muestra que solo el 4 por ciento de las celdas que posee el MOSFET sirven para el encendido.

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En su operacin, si el ctodo K es positivo con respecto al nodo, no importando la polarizacin del gate, el MCT va a caer a un voltaje muy bajo, sta situacin debe ser evitada. Si el nodo A es positivo con respecto al ctodo K, y no existe un voltaje en le gate, el MCT permanece en estado de apagado hasta que un voltaje de ruptura es alcanzado cuando una avalancha de ruptura ocurre. En la prctica una pequea corriente de fuga IA leak existe en el estado de bloqueo hasta que la ruptura suceda y el dispositivo se encienda. Si el nodo es positivo con respecto al ctodo y un voltaje negativo es aplicado al gate, el MCT se enciende. La cada de voltaje VMCT (ON) es muy pequea y vara desde 0. 7 V sin carga hasta 1.1 V a plena carga. La corriente de nodo es limitada solo por el valor de la impedancia de la carga. Si el MCT est encendido, la aplicacin de un voltaje positivo en el gate, regresa al dispositivo al estado de apagado hasta que un voltaje negativo en el gate es aplicado.

Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 s) y que posee un elevado di/dt (1000 A/s) y dv/dt ( 5000 V/s), stas caractersticas superiores lo convierten en un dispositivo de conmutacin ideal y posee un tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta potencia, as como en distintas aplicaciones en la electrnica de potencia.

Laboratorio de Electrnica
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Referencias
(22 de 05 de 2013). Obtenido de http://www.taringa.net/posts/cienciaeducacion/16348361/El-Tiristor.html