Cmo se hace un monocristal?

Existen tcnicas llamadas de FUSIN ZONAL en donde a un estado policristalino lo puede llevar a monocristal (se pone la pieza en un horno a fusin incipiente y se lo va enfriando con un gradiente de temperatura constante dado: recocido). Templado: calentar y enfriamiento rpido: frgil y muy duro. El recocido damayor ductibilidad, maleabilidad. Luego del recocido veremos de qu tipo demonocristal se trata mediante rayos X. Las impurezas, caras cristalogrficas, deficiencias hacen variar notablemente las caractersticas del depsito o disolucin. El proceso o mtodo de Czochralski consiste en un procedimiento para la obtencin de lingotes monocristalinos. Fue desarrollado por el cientfico polaco Jan Czochralski. Este mtodo es utilizado para la obtencin de silicio monocristalino mediante un cristal semilla depositado por un bao de silicio. Es de amplio uso en la industria electrnica para la obtencin de wafers u obleas, destinadas a la fabricacin de transistores y circuitos integrados. Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria microelectronica. Cada chip creado de estas obleas miden 8mm de lado, esto hace que en cada oblea tengamos de 120 a 130 circuitos. Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo proceso en el mismo instante. El mtodo consiste en tener un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que est justamente por encima del punto de fusin y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeo monocristal del mismo semiconductor que acta como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, ste se agrega a la semilla, solidificndose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusin por zonas para purificarlo. Al controlar con precisin los gradientes de temperatura, velocidad de traccin y de rotacin, es posible extraer un solo cristal en forma de lingotes cilndricos. Con el control de esas propiedades se puede regular el grosor de los lingotes. Para entender mejor este proceso vease el siguiente video La ocurrencia de situaciones de inestabilidad no deseada en la masa fundida se puede evitar mediante la investigacin y la visualizacin de los campos de temperatura y la velocidad durante el proceso de crecimiento de cristales. Cuando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero si desciende, se forman agregados que no son monocristalinos. Este proceso se realiza normalmente en una atmsfera inerte, como argn, y en una cmara inerte, como cuarzo.

Ventajas. El crecimiento de una superficie libre (tan opuesta a la solidificacin en una configuracin confinada) acomoda la expansin volumtrica sin mayor problema, esto elimina complicaciones que podran surgir cuando el fundente moje el contenedor. Por este mtodo se pueden obtener monocristales grandes a altas velocidades. Actualmente el dimetro de los cristales puede variarse cambiando los parmetros trmicos. Tambin puede alcanzarse alta perfeccin cristalina. Limitaciones A pesar de que el crecimiento Czochralski puede llevarse a cabo bajo presiones moderadas, ste no se presta para el crecimiento de materiales cuya presin de vapor o cuando uno de sus constituyente sea alto en el punto de fundicin. Las dificultades primarias estn asociadas con problemas del manejo de la rotacin y el jalado del cristal y con los requerimientos de la configuracin trmica para mantener el equilibrio termodinmico entre el vapor y el fundente. Requerir un crisol en crecimiento Czochralski presenta peligro de contaminar el fundente. Adems que este mtodo no se presta para crecimiento continuo.