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ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

Problemas a resolver para el capitulo 2

Problema n1 Utilizando un programa de simulacin con PC, programar un amplificador bsico con transistor bipolar, configurado en base comn, midiendo y calculando los siguientes puntos: a)- medir las corrientes de polarizacin IC, IE, IB. b)- medir las tensiones de polarizacin VEB, VCB, VCE. c)- Considerando el valor medido de VEB, y = 100, calcular numricamente los valores solicitados en los puntos (a) y (b), y verificar los resultados con los medidos. d)- Aplicar en serie con VEE una fuente de tensin alterna VE de 20 mV (rms) f=100HZ. Simular el circuito midiendo los valores vcb, vL, vce, veb, ie, ic, ib. e)- calcular la ganancia como Av vL / ve f)- calcular la ganancia como Av vL / VE y explicar la diferencia con el valor anterior g)- colocar un capacitor de 100 F en paralelo con RE, simular y calcular nuevamente las ganancias solicitadas en los puntos (e) y (f). h)- Calcular la resistencia incremental de entrada re midiendo las cadas de tensin en el circuito de entrada y compararla con la obtenida por la frmula prctica.

problema n 2 Un transistor bipolar esta conectado en la entrada y en la salida por dos circuitos equivalentes de Thevenin segn lo muestra el dibujo, con unas caractersticas VI segn las graficas. Se solicita: a)- Determinar la corriente de base para VBB = 1 volt y VBB= 3 volt. b)- Determinar la corriente de colector y la tensin VCE para los valores dados de VBB

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------IB (a) 100 IC (ma) 100

IB=230(a)

IB=190(a) IB=150(a) 30 IB= 90(a) 0,7 1 VBE(v) 1,5 0,25 IB= 30(a) 8,5 10 VCE(v)

Problema n 3 Analizar y calcular el circuito amplificador bsico con transistor bipolar determinando: IB, IC, IE, VCE, VCB. Tomar como datos para el calculo VBE0,7 volt y hFE=100

Problema n 4 Para el circuito de la figura, determinar los valores de RC , RB y VCC, que permitan ubicar el punto de polarizacin Q en el centro de la recta de carga con valores de IC = 1ma y VCE = 3volt. Datos del transistor: VBE =0,7 volt y hFE = 70

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 5 Para el circuito de la figura, determinar los niveles lgicos de la seal de entrada VE Que lleven al transistor bipolar al corte y la saturacin. Datos: hFEsat=20 VBEsat= 0,85 volt.

Problema n 6 Para el circuito de la figura, se solicita: a)- Analizar si el transistor se encuentra en la zona activa, corte o saturacin. b)- Determinada la zona de funcionamiento solicitada en el punto a, encontrar los valores de VE que lo lleven a las ortas zonas de funcionamiento. Datos: act =100 sat=20 VBEact = 0,7 volt. VBEsat. = 0,85 volt.

Problema n 7 El circuito de la figura acta como una compuerta lgica cuando el transistor se polariza al corte y saturacin, por la aplicacin de la tensin de entrada VE. Determinar: a)- Tipo de compuerta lgica que representa. b)- Los valores de RA y RB para los siguientes datos: VCC=5volt ; ICmax=5 ma ; hFEsat=20 ; VBEsat.=0,85volt ; IB=0,1.IA VE1=0,1 volt ; VE2= 4,8 volt

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 8 Analizar el circuito de la figura y determinar que tipo de compuerta lgica representan, en el caso que los valores de V1 y V2 lleven al transistor a la zona de corte y saturacin

Problema n 9 Analizar el circuito de la figura y determinar el tipo de compuerta lgica que representa cuando los valores lgicos de V1 y V2 llevan al transistor al corte y la saturacin

Problema n 10 Disear los dos ltimos circuitos anteriores con los siguientes datos: VCC =5 volt ; ICmax = 3 ma hFE sat= 20 VBEsat= 0,85 IB=0,1.IA Problema n 11 Para el circuito con polarizacin por emisor de la figura determinar: a)- las corrientes y las tensiones IE, IC, IB, VC, VB, y VE b)- el punto de polarizacin definido por IC y VCE c)- la recta de carga graficada en las caractersticas de salida del transistor

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 12 Para el circuito de la figura, determinar la corriente de emisor IE y la tensin de colector VC.

Problema n 13 Para el circuito de la figura, determinar la tensin de salida Vo

Problema n 14 Para los dos circuitos de la figura, determinar la corriente que circula por los diodos luminosos.

Problema n 15 Utilizando el circuito con polarizacin por emisor y divisor resistivo de la figura siguiente, calcular todas las corriente y tensiones continuas del mismo, teniendo en cuenta que la ganancia de corriente en emisor comn oscila 100< <400.; considerar VBE = 0,7volt. Aplicar mtodo simplificativo y, justificar. ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5

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Problema n 16. Para el circuito de la figura, utilizando el modelo incremental del transistor bipolar, determinar los siguientes puntos: a)- La impedancia de entrada ze entre base y emisor para la seal incremental b)- La impedancia de entrada ve que v la fuente de seal incremental vo c)- La impedancia de salida que ve la resistencia de carga zo d)- La ganancia de tensin definida como Av vo / ve e)- La ganancia de tensin teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de seal RS, definida como Avs vo / vs

ze

ze

zo

Datos: RA=10K ; RB=2.2 K ; RE=1 K ; RC= 3,6 K ; RL=10 K ; RS= 100 hFE=100 ; VBE =0,7 volt ; re= 25mv/IE(ma) hfe= =100 Simplificar, haciendo ICIE ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 17 Determinar las ganancias parciales de tensin (incremental) de las distintas etapas, definidas como Av1ve2/ve1 , Av2vo/ve2 y las totales definidas como Avvo/ve1 y Avsvo/vs, utilizando dos etapas amplificadoras de tensin similares a la calculadas en el problema anterior.

Problema n 18 Para la etapa bsica amplificadora, en colector comn con transistor bipolar, del posterior circuito, determinar los siguientes parmetros elctricos: a) La ganancia de tensin Avvo/ve b) La ganancia de tensin Avvo/ve para RL c) La ganancia de tensin incluida la resistencia de la fuente de seal Avvo/vs d) La impedancia de entrada ze e) La impedancia de entrada ze f) la impedancia de salida zo que v la carga g) El circuito equivalente de Thevenin que represente al amplificador

ze

ze

zo

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 19 Para el siguiente circuito, combinacin de dos etapas en emisor comn y colector comn, determinar: a) La ganancia incremental de tensin de la etapa en CC. b) L a ganancia incremental de tensin de la etapa en EC. c) La ganancia incremental total de tensin del circuito. d) La ganancia incremental de tensin, teniendo en cuenta la resistencia RS.

Problema n 20 Para el circuito del problema anterior, determinar la ganancia de tensin de la etapa en emisor comn, si se elimina la etapa en CC y se conecta la carga RL = 270 al colector de Q1 a travs de un capacitor de acoplamiento. Problema n 21 Para el circuito de la figura se solicita determinar: a) las corrientes IL, IE, IC, IB, IS, Iz, Ie b) La tensin en la carga. c) La resistencia dinmica equivalente que ve la carga.

Datos: HFE== 100

VBE = 0,75 volt

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 22 De los datos tcnicos obtenidos del transistor 2N3903, determinar la potencia disipada mxima para una temperatura ambiente de 40C. Datos: Ta =40C ; Tjmax = 150C ; Rja = 0,357C/mw Problema n 23 Un amplificador de pequea potencia, tiene en su salida, un transistor BC547, sin disipador, polarizado en el punto Q ubicado en el centro de la recta de carga y definido por IC=50 ma y VCE = 5 volt. El transistor, cuando tiene seal aplicada, esta excitado para los valores extremos de iC y vCE. Determinar: a) La temperatura mxima de la juntura de colector, sin seal aplicada, para Ta = 50C b) la temperatura mxima de la juntura de colector, cuando tiene seal aplicada, para Ta=50C c) La temperatura mxima de la juntura de colector, en la condicin mas desfavorable, cuando la temperatura ambiente que lo rodea llega a Ta= 85C Datos: Tjmax = 150C PDmax(PTmax) = 300 mw para Ta = 75C RTja = 0,25C/mw RTjc = 0,17C/mw Problema n 24 En las especificaciones tcnicas de los transistores 2N3903 y 2N3904 (Motorola), nos suministran la siguiente informacin: -PTmax = 1watt para temperatura de carcaza Tc = 25C; valor de ajuste para valores superior a 25C P= --8,0mw/C. -Tjmax= 150C -RTja = 357C/w -RTjc = 125C/w. Teniendo en cuenta estos datos determinar: a) La temperatura ambiente necesaria para disipar la potencia de 1 watt, sin disipador b) La temperatura ambiente necesaria para disipar la potencia de 1watt, con un disipador de valor RTdisip. = 125C/w c) La potencia disipada mxima, para una temperatura ambiente Ta= 40C sin disipador d) La potencia disipada mxima para Ta = 40C, con disipador de valor RTd=125C/w. Problema n 25 Un fabricante especifica lo siguiente: para el transistor TIP29 (Texas inst) -PTmax=30watt para Tc=25C (disipacin continua) -Tjmax=150C -RTjc=4,17C/w -RTja=62,5C/w Determinar: a) Mxima potencia disipada para Ta =40C con disipador de valor RTd=2,5C/w b) Mxima potencia disipada para Ta=40C sin disipador c) La temperatura ambiente necesaria para disipar 30watt con RTd=2,5C/w d) La resistencia trmica del disipador para disipar una potencia mxima de 10 watt para TJmax= 130C y Ta =40C ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 26 Para el circuito de la figura determinar: a) Las tensiones de polarizacin de base, colector y emisor respecto al Terminal comn. b) Las ganancias incrementales parciales de tensin y total del amplificador. c) La mxima amplitud de la seal de entrada, que no provoque distorsin en la salida d )La mxima potencia entregada a la carga ZL.

NOTA: Emplear aproximaciones en los clculos. Problema n 27 Un amplificador electrnico en contrafase clase B necesita entregar una potencia a la carga de valor PLM= 100 W; determinar: a) La potencia promedio que disipa cada transistor cuando entrega la potencia mxima b) La potencia instantnea que disipa cada transistor para la potencia mxima c) Criterio para seleccionar los transistores de salida del amplificador de potencia. Problema n 28 Determinar la mxima potencia de salida a una carga efectiva ZL = 4 Ohm y la capacidad mxima de disipacin de los transistores de salida, para un amplificador con una etapa de salida en contrafase clase B,en simetra complementaria, que esta alimentado por una fuente de tensin nica de +30 volt. Problema n 29 Aun amplificador de tensin, esta compuesto de tres etapas con ganancias de tensin Av1= 30 db , Av2 = 20 db y Av3 = 10 db. Calcular la tensin de salida (en volt) para una tensin de entrada de 1 mv Problema n 30 Para el problema anterior, expresar los valores en dbr (en las entradas y salidas de los amplificadores) si se toma como referencia cero la entrada del 2 amplificador. Problema n 31 Expresar el resultado del problema n 29 en dbu y en dbm, teniendo en cuenta que el valor de la carga vale ZL = 600 . ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 32 En las mediciones sobre un transistor JFET, se obtienen los siguientes valores Para VGS = 0 volt VDS = Vp = 4 volt e ID = IDSS = 8ma Determinar: a) La tensin puerta- canal que hace cero la corriente de drenaje (VGSoff) b) El factor de transconductancia K. c) La resistencia de drenaje RDS para la zona Ohmica Problema n 33 Para el circuito de la figura y el JFET cuyos parmetros son los obtenidos en el problema anterior, determinar la corriente de drenaje para los siguientes valores: a)- VDD = 3 volt y VGG = -1 volt c)- VDD =6 volt y VGG = -2 volt b)- VDD = 6 volt y VGG= -1,5 volt d)- VDD = 4 volt y VGG =-4 volt

Problema n 34 Para el circuito de la figura, determinar (JFET similar a los problemas anteriores): a)- La corriente de drenaje y la tensin de drenaje para RD = 2 k b)- la Corriente de drenaje y la tensin de drenaje para RD = 5 k

Problema n 34 Un transistor MOS de empobrecimiento, canal N, que presenta una caracterstica de transferencia segn el grafico, es utilizado en el circuito de la figura. IDS

VGs(off)=-4Volt IDSS= 10 mA

VGS

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se solicita determinar: a)- La corriente de drenaje ID y la tensin VDS para RD = 4,7 k y VGS= 0 volt. b)- La corriente de drenaje y la tensin VDS para VGS = 1 volt y RD = 0 c)- La corriente de drenaje y la tensin VDS para VGS = --1volt y RD = 300 Problema n 35 Los datos obtenidos de las caractersticas de un MOSFET de enriquecimiento son los siguientes: ID(on) = 1ma VGS (on) = 5 volt VT = 1 volt RDS = 1 K

a) Determinar en el circuito de la figura, el valor de la tensin VDS para VGS = 0 volt b) Determinar la tensin drenaje-fuente VDS, cuando la tensin VGS = +5 volt c) Si hacemos RD = 36 K, determinar la tensin VDS para VGS = +5 volt. d) Determinar la tensin VDS cuando VGS = 8 volt. Problema n 36 Para el circuito de la figura, establecer la tabla de la verdad para valores binarios de entrada V1 y V2, variables entre +0 volt y +VDD y definir adems la funcin lgica que representan.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 2-6-Problemas 2: Transistores- Amplificadores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 37 dem al problema anterior para las variables V1, V2 y V3

Problema n 38 Un amplificador de tensin realimentado se presenta como el circuito de la figura:

Zs

Ze Determinar: a) la ganancia de tensin con realimentacin Avr, si su ganancia de tensin a lazo abierto es de Av=1000. b) La impedancia de entrada con realimentacin Ze, si el valor de la impedancia de entrada sin realimentacin vale Ri= 50 K c) La impedancia de salida con realimentacin Zs, si el valor de la impedancia de salida sin realimentacin vale Ro= 1000 d) La tensin espuria de salida con realimentacin, si la tensin espuria de origen es de 3 mV.

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