INVESTIGACION DOCUMENTAL

EL TRANSISTOR
LIC.: MARIA GABRIELA DE TRINIDAD

INTEGRANTES:
ARNOLDO NOGUERA SILVA YESER ALFREDO MORALES KENNY MEDINA ERVIN RAYO EYNER REYES RUDDY RAMIREZ
? de Julio del 2013

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ndice

I. II.

III.

IV.

V. VI.

INTRODUCCION....... pag.2 Historia. ........pag.3 a) Creadores b) El primer transistor Generalidadespag.6 a) Caractersticas b) Funciones 1. Amplificador 2. Interruptor Clasificacin...pag.10 a) Transistor de contacto puntual. b) Transistor de unin bipolar 1. NPN 2. PNP c) Transistor de efecto campo d) Fototransistores Aplicaciones..pag.13 CONCLUSIONESpag.17

ANEXOS

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I.

INTRODUCCIN

El transistor es el dispositivo electrnico (semiconductor) que vino a revolucionar los circuitos electrnicos debido a su gran desempeo en funciones de amplificacin, procesamiento de datos, calculo numrico, control, radio y televisin etc. su reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control; viniendo as a reemplazar las vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Debido a su gran importancia en el uso del campo de la electrnica hemos decidido investigar y profundizar sobre sus aplicaciones, ventajas y posibles desventajas, teniendo en cuenta los pasos para seleccionar la informacin necesaria que se relacionan con este importantsimo dispositivo, nuestro mayor objetivo es conocer y dar a conocer cmo y para que lo utilizamos en nuestra vida cotidiana. El informe est constituido por la Historia revolucin y Modernizacin del dispositivo, caractersticas, funciones clasificacin y aplicaciones en el campo electrnico.

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II.

HISTORIA

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o trodo. Uno poco antes, para en 1945 se formaron otros grupos de estudio de semiconductores para estar al da en el campo. Se dieron cuenta que durante la guerra se haban logrado notables avances en la utilizacin de los semiconductores de silicio y germanio como detectores para el radar. Se haba tenido que recurrir a estos semiconductores porque en el radar se empeaban seales elctricas de ms altas frecuencia que los tubos al vaco, con todos los adelantos logrados, no podan manejar adecuadamente. (Ver anexo No.1)

a) CREADORES
John Bardeen: (Madison, Estados Unidos 23 de mayo de 1908 Boston, 30 de enero de 1991) fue un fsico estadounidense galardonado con los Premios Nobel de Fsica de los aos 1956 y 1972, convirtindose junto a Marie Curie, Linus Pauling y Frederick Sanger en las nicas personas galardonadas dos veces con el Premio Nobel. (VER ANEXO 2) Su padre fue fundador y profesor de la Escuela de Medicina de la Universidad de Wisconsin.
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Se interes en las matemticas de muy pequeo, e inici sus estudios de ingeniera elctrica en la Universidad de WisconsinMadison en 1923, finalizando sus estudios en 1928. Influido por su mentor John Hasbrouck van Vleck tambin recibi influencias de Paul Dirac, Werner Heisenberg y Arnold Sommerfeld. Ampli sus estudios en fsica y matemticas en la Universidad de Princeton licencindose en 1936. En 1938 inici su tarea docente universitaria como profesor auxiliar en la Universidad de Minnesota. Despus de participar en la Segunda Guerra Mundial como responsable del laboratorio naval de artillera, en 1943 fue invitado a participar en el Proyecto Manhattan pero rechaz la invitacin. Bardeen muri en Boston vctima de un fallo cardaco en 1991. William Schockley: (13 de febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989) fue un fsico estadounidense. En conjunto con John Bardeen y Walter Houser Brattain, obtuvo el premio Nobel de Fsica en 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y el descubrimiento del Transistor. ( VER ANEXO 3) En 1955, Shockley abandon los laboratorios Bell y regres a su ciudad natal, Palo Alto, California, en las proximidades de la Universidad de Stanford, para crear su propia empresa, Shockley Semiconductors Laboratory, con el apoyo econmico de Arnold Beckman, de Beckman Instruments. Contando con la influencia de su prestigio y el respaldo econmico de Beckman Instruments trato de convencer a varios de sus compaeros de trabajo de Bell que se unieran a l en la nueva empresa; ninguno quiso. Por lo tanto empez a rebuscar en las universidades a los ms destacados estudiantes para formar con ellos la empresa. Pero, dado su estilo empresarial, ocho de los investigadores abandonaron la compaa en 1957 para formar la empresa Fairchild Semiconductor. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore que ms tarde crearan Intel. A finales de los aos 1960, Shockley realiz unas controvertidas declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las razas, defendiendo que las pruebas de inteligencia mostraban un factor
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gentico en la capacidad intelectual revelando que los afroestadounidenses eran inferiores a los estadounidenses caucsicos y que la mayor tasa de reproduccin entre los primeros ejerca un efecto regresivo en la evolucin. Entre sus publicaciones destaca "Electrones y huecos en el semiconductor", obra publicada en 1950. (Ver anexo No.3) Walter Brattain: (Amoy, China, 10 de febrero de 1902 - 13 octubre de 1987) fue uno de los fsicos que invent el transistor. de

Comenz a trabajar como fsico en la divisin de radio del Instituto Nacional de Estndares y Tecnologa, en 1929 se incorpor a los laboratorios de la Compaa Telefnica Bell. En la poca en que trabajaba all, l y los fsicos estadounidenses William Shockley y John Bardeen inventaron un pequeo dispositivo electrnico llamado transistor. Se anunci por primera vez en 1948 y se termin en 1952, emplendose comercialmente en radios porttiles, audfonos y otros aparatos. Por su trabajo con los semiconductores y por el descubrimiento del transistor, Brattain comparti con Shockley y Bardeen en 1956 el Premio Nobel de Fsica. (Ver anexo No.4)

b) El primer transistor
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET).

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III.

GENERALIDADES a) Caractersticas
Encapsulado

Los transistores se ponen en diferentes encapsulados dependiendo del tipo del transistor y el uso, algunos transistores se fabrican con encapsulados de plstico pero otros especialmente aquellos que generan calor, llevan encapsulados de metal ya que el metal es un mejor conductor trmico y evita que el encapsulado se deteriore como lo hara uno de plstico a temperatura alta, estos transistores siempre llevan un disipador de calor. Funciones del encapsulado -Excluir las influencias ambientales: La humedad y el polvo en el aire son causas directas de defectos en los dispositivos semiconductores, adems de las vibraciones y los golpes. La iluminacin y los imanes tambin pueden causar mal funcionamiento. EL encapsulado evita estas influencias externas, y protege el chip de silicio. -Permitir la conectividad elctrica: Si los chips de silicio fueran simplemente encerrados dentro de un encapsulado no podran intercambiar seales con el exterior. Los encapsulados permiten la fijacin de conductores metlicos denominados pines o esferas de soldadura (BGA) permitiendo que las seales sean enviadas a y desde el dispositivo semiconductor. -Disipar el calor: Los chips de silicio se calientan durante el funcionamiento. Si la temperatura del chip se eleva hasta valores demasiados altos, el chip funcionara mal, se desgastara o se destruir dependiendo del valor de temperatura alcanzado. Los encapsulados pueden efectivamente liberar el calor generado.

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-Mejorar el manejo y montaje: Debido a que los circuitos incorporados en chips de silicio y los chips de silicio en s son tan pequeos y delicados, no pueden ser fcilmente manipulados, y realizar un montaje en esa pequea escala sera difcil. Colocar el chip en una cpsula hace que sea ms fcil manejar y de montar en placas de circuitos impresos. (Ver anexo No.5)

Cables
Los transistores constan de tres cables, una base (b), un colector(c) , y un emisor(e) Para que el transistor funciones necesita las tres conexiones, la base que activa el transistor, el colector que recibe la parte negativa, y el emisor la parte positiva El emisor: es el encargado de emitir los electrones generados en la unin PN Base-Emisor. El colector: es el encargado de recoger los electrones generados por el emisor. La Base: es el terminal encargado de controlar la cantidad de electrones generados por el emisor, ya que un transistor bipolar es un dispositivo en el que la corriente entre colector y emisor es proporcional a beta veces la de base Ic=Ie Ic=B*Ib (Ver anexo No.6)

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Material semiconductor
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre A lo largo del tiempo se han usado una diversidad de materiales semiconductores, pero en la actualidad el de mayor relevancia es el de silicio, anteriormente se utilizaba el germanio y el arseniuro de galio Entre el silicio y germanio ambos tienen caractersticas qumicas que los hacen ideales como semiconductores aunque el germanio puede ofrecer mejores resultados, sin embargo, es un material ms caro que el silicio por eso es ms comn que se utilice este ltimo, ya que el silicio es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre despus del oxgeno siendo un 27.7% de todo los elementos destacando que este puede ser mejor explotado industrialmente. (Ver anexo No.7)

b) Funciones
Como amplificador:
La funcin amplificadora consiste en elevar el nivel de una seal elctrica que contiene una determinada informacin. Esta seal en forma de una tensin y una corriente es aplicada a la entrada del elemento amplificador, originndose una seal de salida conteniendo la misma informacin, pero con un nivel de tensin de corriente, ms elevado. Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de
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la entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres tipos de ganancia: ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia. Como interruptor Un transistor lo podemos utilizar como interruptor crepuscular, esto significa que mediante una resistencia LDR, cuando halla luz ambiental baje la resistencia del LDR haciendo que no le llegue corriente a la base del transistor y este funcione en corte, por lo contrario cuando hay poca luz la resistencia el LDR aumenta y desva la corriente haciendo que llegue la corriente al transistor y que este funcione en saturacin.

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IV.

CLASIFICACIN

a) TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos hoy en da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. En la actualidad ha desaparecido.

b) TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).

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La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROUNIN

El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia.

C) TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT

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(transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Este a su vez se clasifica en: JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (MetalInsulator-Semiconductor FET). El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.

d) FOTOTRANSISTOR
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir, estn compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico.

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V.

APLICACIONES

Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan. El primer uso del transistor fue en los dispositivos de radio que podan caber en un bolsillo reemplazando as a los tubos de vaco, la primera empresa que lo patentizo fue la Sony en 1954 posteriormente la Regency . Despus de tanto xito con este dispositivo radial muchos cientficos dijeron por que ganar tan poco con un invento tan exitoso si lo podemos implementar en grandes experimentos y avances tecnolgicos donde seguro ganaremos ms. En pocos aos lo que surgi como un sustituto del tubo de vaco comenz a cambiar el mundo donde cualquier aparato electrnico poda ser porttil y barato. La Fairchild Semiconductors tena como objetivo hacer un transistor de silicio, obteniendo xito y hallando la forma de conectar transistores soldados a una placa de silicio llamando al invento circuito integrado vendido oficialmente en 1961 obteniendo un gran cambio para la industria electrnica, todos los que usamos ordenadores hoy en da somos los lejanos beneficiados de la original idea de hacer un complejo circuito en un bloque de silicio.

Gordon Moore y Robert Noyce abandonaron la Fairchild Semiconductors y formaron una pequea empresa llamada Intel que hoy en da vale miles millones de euros, Intel hace obleas de silicio donde inserta miles de millones de transistores que hoy en da los llamamos procesadores.
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Aplicaciones del transistor Bipolar (BJT)

El transistor bipolar (BJT) tiene muchas aplicaciones que lo hacen tan nico y especial en la electrnica
APLICACIN
Aislador o separador(buffer)

PRINCIPAL VENTAJA

USOS
de

Impedancia de entrada alta y de Uso general, equipo salida baja medida, receptores Bajo ruido

Amplificador de RF (Amplificador de radiofrecuencia ) Mezclador

Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin

Baja distorsin de intermodulacin

Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador

Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada

Ausencia de deriva

Resistor variable por voltaje

Se controla por voltaje

Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono

Amplificador de baja frecuencia Oscilador

Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia

Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores

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Circuito MOS digital

Pequeo tamao

Integracin en gran escala, computadores, memorias

Aplicaciones del transistor efecto campo

Aplicaciones del JFET
Multiplexacin, Muestreadores JFET, Amplificador de aislamiento, Amplificadores de bajo ruido, Resistencia controlada por tensin.

Aplicaciones del MOSFET.

Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia. Mezcladores de frecuencia, con MOSFET.

Principales ventajas del transistor MOSFET en relacin a los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia

Aplicaciones de Fototransistor
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Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: De transmisin. De reflexin.

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VI. CONCLUSIONES
El transistor es la llave de la era de la informacin y es probablemente el invento ms importante del siglo XX; quien dira que un objeto tan diminuto podra hacer cambios radicales en la educacin, negocios y cultura. Adems podemos encontrarlos en tan pequeos circuitos electrnicos hasta complejos procesadores como el de la nueva generacin de la AMD y la Intel. En fin nada de los avances tecnolgicos de hoy en da podra haber cobrado vida sin la existencia del transistor. Como grupo hemos conocido el valor y la importancia de este dispositivo tanto en el uso de la electrnica y en el uso a diario que le empleamos, adems nos dimos cuenta que estamos completamente ligados al gran y diminuto transistor.

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ANEXO 7

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Bibliografa
Principios de electrnica/Sexta Edicin Albert Paul Malvino Mc. Graw-Hill/interamericana de Espaa de S.A Fundamentos de Electricidad/Electrnica Bsica Gilberto Enrique Harper , 1990 editorial Limusa S.A de C.V Hans Gunther Sleidle, 1983 Transistoren Kurz Tabelle Marcombo S.A 1985 Enlaces de internet
http://www.forosdeelectronica.com/f37/primer-transistor-13675/ http://aportes.educ.ar/fisica/nucleo-teorico/influencia-de-las-tic/el-poder-de-la-informacion-i-laspiedras-fundamentales/los_fisicos_crean_el_transisto.php http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-transistores-sobre_52442/ http://electro-cev.blogia.com/2010/090702-transistor-de-contacto-puntual.php http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo http://www.ecured.cu/index.php/Fototransistor http://conocimientosfet.blogspot.com/2010/02/otras-aplicaciones-del-jfet.html

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