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introduccin
Propulsor del desarrollo de la electrnica y sus mltiples aplicaciones. Super las dificultades que presentaba su antecesor, la vlvula. Desarrollados en 1947 en los lab. Bell por los fsicos W. Shockley y J. Bardeen y W. Brattain.
vlvulas
introduccin
Los diez aos posteriores : se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de campo) se emplearon diferentes materiales, inicialmente el germanio (1948) y posteriormente el silicio (1954), que domina la industria semiconductora de la actualidad; se logr construir una gran cantidad de transistores, otros elementos y los circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de silicio, a lo que se le dio el nombre de circuito integrado (1958).
introduccin
Impulsaron el desarrollo de la computacin y su evolucin e integracin marco el inicio de las diferentes generaciones de computadoras.
introduccin
El transistor BJT
BJT (bipolar junction transistor)= Transistor bipolar de unin. Dispositivo semiconductor de tres capas, n-p-n o p-n-p.
E
n p n
E
p n p
VEE
Vcc
VEE
Vcc
Posee tres terminales denominados: E=emisor, B= base y C=colector. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada con impurezas, la de la base ligeramente dopada y la del colector slo muy poco dopada.
El transistor BJT
El trmino bipolar se refiere a que tanto los huecos como los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado en forma opuesta.
Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco) se considera entonces un dispositivo unipolar, ej . diodo Schottky.
El transistor bipolar, tanto PNP como NPN, est formado por dos uniones P-N, es decir, por dos diodos enfrentados.
C Q1 B B
E B C548A
2N E 1132A Simbologa para circuitos Q2 C
NPN
PNP
Funcionamiento BJT
Describiremos la operacin bsica del transistor p-n-p. La operacin para uno n-p-n es exactamente la misma que si se intercambian los papeles desempeados por el electrn y el hueco. Para que un transistor funcione correctamente debemos polarizarlo.
Funcionamiento BJT
Polarizamos el transistor como se muestra en la figura, unin emisor- base en polarizacin directa, y unin basecolector en polarizacin inversa. Los portadores mayoritarios del emisor (huecos) formarn un fluyo de cargas que atravesarn la base. Los huecos del emisor y los portadores minoritarios de la base (huecos) formarn un flujo de cargas(positivas) que llegarn hasta el colector.
IE E p
+++
p C
IC
++++++++++++++++++++++++++++++++++ p n p
IB
VEE
Vcc
Funcionamiento BJT
IE E
p
+++
p C
IC
++++++++++++++++++++++++++++++++++ p n p
IB
VEE
Vcc
Funcionamiento BJT
La corriente inversa ICO es muy pequea comparada con la IC pero aumenta con la temperatura. Si lo anterior no se considera se puede afectar la estabilidad del sistema a temperaturas altas. Las mejoras en las tcnicas de fabricacin han provocado niveles significativamente ms bajos de ICO, a tal grado que es casi posible omitir su efecto.
Funcionamiento BJT
Regiones de agotamiento o barrera de potencial
IE E
p
+++++++ p ++
n
+++++ n
p
++++++++ p ++++++++
IC C
+++
IB
VEE
Vcc
Funcionamiento BJT
La operacin para uno NPN es exactamente la misma que si, se intercambian los papeles desempeados por el electrn y el hueco. Con la polarizacin directa de la unin E-B, los portadores mayoritarios del Emisor (electrones) cruzarn hacia la base. En la Base los portadores minoritarios (electrones) se unirn a los portadores que venan del Emisor y cruzarn hacia el Colector para salir del mismo. Algunos portadores mayoritarios del E se desviarn hacia la B, formando la IB, cuyo valor es muy pequeo comparado con las corrientes IE e IC
IE E n
----
n C
IC
---------------------------------------p n p ----------------------------------------
IB
VEE
Vcc
Funcionamiento BJT
Sin embargo las direcciones que se toman para las corrientes por convencin, se refieren a la direccin que tendra una corriente formada por huecos en lugar de al flujo de electrones. En el caso del transistor n-p-n , por convencin las corrientes en el emisor, la base y el colector tendran las direcciones como se muestra en las siguientes figuras.
IE n p n IC
+++
++++++++++++++++++++++++++++++++++ p n p
IB
VEE
Vcc
clasificacin
Los transistores se clasifican en:
Existen tres configuraciones bsicas denominadas: Base Comn (BC), Emisor Comn(EC) y Colector Comn (CC).
terminal comn
EC
CC
BC
EC: el emisor es el punto comn o referencia para el circuito de entrada (BE) y el circuito de salida (EC). CC: el colector es el punto comn o referencia para el circuito de entrada (BC) y el circuito de salida(CE). BC: la base es el punto comn o referencia para el circuito de entrada (EB) y el circuito de salida (BC).
Zonas de funcionamiento
Curvas caractersticas
Por ser un elemento de tres terminales posee tres curvas caractersticas tensin-corriente. Dos de ellas son suficientes para definir el funcionamiento del elemento. Estas son la curva caracterstica V-I de entrada y la curva caracterstica V-I de salida (que es un conjunto de curvas en funcin de uno de los parmetros de entrada).
Aplicaciones
limitaciones
Aplicaciones
Realizacin de TP N9 Introduccin a transistores y TP N10 Multivibradores Astables.