Organicinorganic hybrid solar cells: A comparative review

Abstracto
Los materiales orgnicos se han convertido recientemente de gran inters para aplicaciones fotovoltaicas, debido a su potencial para utilizar de alto rendimiento, procesamiento de fase de solucin, lo que dar lugar a la produccin de electricidad de bajo coste. Clulas solares hbridos combinan materiales orgnicos e inorgnicos con el fin de utilizar la produccin de clulas bajo coste de la energa fotovoltaica orgnica (OPV), as como la obtencin de otras ventajas, tales como espectros de absorcin sintonizable, desde el componente inorgnico. Mientras que las clulas solares hbridas tienen el potencial para lograr altas eficiencias de conversin de potencia (PCE), las eficiencias actualmente obtenidos son bastante bajos. El diseo del material inorgnico utilizado como el aceptor de electrones en las clulas solares hbridos, en particular de la estructura electrnica, es crucial para el rendimiento del dispositivo. Existe un diseo de estructura electrnica ptima para un aceptor inorgnico. Hasta la fecha, cuatro tipos principales de materiales han sido investigados, siendo compuestos de cadmio, silicio, nanopartculas de xido de metal y nanopartculas brecha de banda baja. Actualmente, sulfuro de cadmio (CdS) puntos cunticos representan el estado de la tcnica, produciendo un PCE de mayor que 4%. Esta revisin compara la estructura electrnica de estos materiales con los componentes de diseo ptimo de un material inorgnico y tambin explora las posibles limitaciones al PCE de estos dispositivos, como el control nanomorphology y qumica de la superficie de nanopartculas. Este informe proporciona al lector una sntesis concisa de la situacin actual de la tcnica de clulas solares hbridos orgnico-inorgnicos heterounin granel. Adems, pone de relieve las reas clave de investigacin que requieren atencin para permitir la comercializacin de esta tecnologa.

Reflejos
clulas solares hbridas combinan ambos materiales orgnicos e inorgnicos. Diferentes materiales aceptores inorgnicos posibles comparacin. Estructura electrnica de heterounin influye en gran medida el rendimiento del dispositivo. limitacin importante de las nanopartculas inorgnicas relacionadas con la qumica de la superficie. Nuevas tcnicas de caracterizacin de ayudar a comprender los procesos fundamentales.

Palabras clave
Clula solar hbrido ; Bulto-heterounin ; Aceptor inorgnico ; Limitaciones ; Modificacin de la superficie

1. Introduccin
Los aumentos proyectados en la demanda mundial de energa y la creciente preocupacin mundial sobre el tema del cambio climtico se han centrado la atencin en la investigacin de fuentes de energa limpias, renovables, de los cuales la energa fotovoltaica (PV) es un ejemplo prometedor. Las clulas solares de silicio actualmente dominan el mercado fotovoltaico, ya que han demostrado una eficiencia de conversin de alta potencia (PCE), hasta el 25% [1] , debido a las excelentes propiedades de transporte de carga y la estabilidad ambiental de silicio de alta pureza. La industria fotovoltaica ha mostrado un rpido crecimiento en los ltimos tiempos, sin embargo, el aumento de los costos de energa, en comparacin con los mtodos tradicionales de generacin, han impedido hasta el momento PV de suministro de una porcin significativa de la energa estacionaria del mundo [2] y [3] . Los mtodos utilizados para la fabricacin de clulas solares de silicio de alta eficiencia son costosos. Las tcnicas de purificacin utilizados para producir silicio de alta calidad, junto con las altas temperaturas, las tcnicas de fabricacin de bajo rendimiento conducen a altos costos de energa, lo que dificulta el progreso de la energa fotovoltaica. Una posible alternativa a las clulas solares de silicio cristalino se presenta en forma de dispositivos de pelcula delgada inorgnicos. En estos dispositivos, un equilibrio deseable se puede hacer entre la reduccin del espesor de la capa semiconductora (reduccin de costes) y una inevitable reduccin de la eficiencia, debido a la escasa calidad cristalina de la pelcula fina. Compuestos actuales utilizados para esta tecnologa incluyen Cu (In, Ga) Se 2 y teluro de cadmio (CdTe) [4] y [5] . Aunque estos dispositivos pueden proporcionar beneficios de costo, su produccin requiere el uso de materiales muy raros. Impacto significativo en la industria fotovoltaica an no se ha logrado por esta tecnologa particular. La bsqueda de la energa fotovoltaica de bajo coste ha llevado a los investigadores a los materiales orgnicos como posibles candidatos. El descubrimiento de materiales orgnicos que tienen tanto propiedades semiconductoras llevar a cabo y ha dado lugar a nuevas y emocionantes posibilidades en el campo de los dispositivos optoelectrnicos [6] . La principal ventaja de los materiales orgnicos es la capacidad de producir dispositivos fotovoltaicos utilizando tcnicas en fase de solucin, tales como impresin por chorro de tinta o varias tcnicas de rollo a rollo, lo que podra dar lugar a muy barato, de alto rendimiento de fabricacin [7] y [8] . El potencial de

velocidad y la simplicidad de la fotovoltaica orgnica (OPV) de procesamiento es inigualable por otras tecnologas actuales. Adems, los semiconductores orgnicos tienen coeficientes de absorcin muy alta [9] , que permiten a las pelculas muy delgadas para ser utilizados, mientras que todava absorcin de una parte suficiente del espectro solar. Esta reduccin en el material utilizado, junto con las tcnicas de fabricacin de bajo coste, implica que los semiconductores orgnicos tienen el potencial de tener un impacto significativo en el mercado PV. Una amplia investigacin durante los ltimos 5 aos se ha producido un notable incremento en la eficiencia de los dispositivos de OPV[10] , [11] , [12] y [13] , con el registro actual certificado PCE siendo 10% [1] . Esta eficiencia se ha visto como un hito histrico desde el inicio de la investigacin en energa fotovoltaica de base orgnica.Persistente, mejora rpida en los ltimos 12 meses sugiere que este 10% hito es que pronto ser superado.La utilizacin de estas ventajas y los recientes incrementos significativos en la eficiencia ha llevado a la produccin de algun os productos comerciales preliminares OPV. Adems, algunos proyectos de demostracin pblica se han llevado a cabo recientemente, con el objetivo de evaluar la viabilidad de los productos de la OPV en entornos del mundo real [14] y [15] . Clulas solares hbridos orgnicos-inorgnicos combinan orgnica (normalmente polm eros conjugados) y nanopartculas inorgnicas, con la intencin de incorporar las ventajas asociadas con los dos grupos de materiales [16] y [17] . El material aceptor de electrones inorgnica puede proporcionar ventajas adicionales para el sistema, mientras que todava mantiene procesabilidad bajo costo. En primer lugar, los materiales aceptores inorgnicos son ambientalmente ms estable que los materiales orgnicos [18] . La incorporacin de estos materiales a los dispositivos de la OPV podra ayudar a superar una de las principales desventajas de la tecnologa, que es la degradacin inducida por la foto de los semiconductores orgnicos conjugados. En segundo lugar, fotogeneracin de portadores de carga se puede lograr por excitones absorbidos en el material inorgnico [19] y [20] . La contribucin de la absorcin de la luz por un aceptor inorgnico tiene el potencial de ser mayor que la contribucin de la absorcin PCBM en dispositivos OPV [21] y [22] . Adems, confinamiento cuntico, como resultado de la modificacin de la forma y tamao de la nanopartcula inorgnica, altera el espacio de banda y por lo tanto perfil de absorcin de la nanopartcula [23] . Esto proporciona la posibilidad de elegir la ventana espectral del perfil de absorcin complementaria [24] . En tercer lugar, los puntos cunticos inorgnicos son conocidos por ultrarrpida foto inducida por transferencia de carga portador de semiconductores orgnicos. Esta velocidad de transferencia se ha observado en el orden de picosegundos [25] . Como esta tasa de transferencia es ms rpido que los mecanismos de recombinacin que compiten, se puede establecer la transferencia de carga eficiente entre el donante y el aceptor. Por ltimo, las dimensiones fsicas de algunos semiconductores inorgnicos, es decir, xidos, se pueden adaptar a travs de mtodos de sntesis para la produccin verticalmente y alineados con nanoestructuras [26] . Esto puede llevar a las arquitecturas de

dispositivos que permiten al mismo tiempo eficiente excitnica disociacin y las vas que transportan electrones. Estas ventajas se pueden obtener, manteniendo al mismo tiempo la procesabilidad solucin y por lo tanto un alto rendimiento, la produccin de dispositivo de bajo coste. Aunque existen mltiples ventajas tericas asociados con el uso de un aceptor de electrones inorgnica, las eficiencias de dispositivos alcanzados actualmente de clulas solares hbridas son significativamente ms bajos que el polmero: dispositivos de fullereno OPV. Existen mltiples factores responsables de esta discrepancia. Aparentemente, las cuestiones ms importantes estn relacionados con la qumica de superficie de las nanopartculas y la nanomorphology de la capa fotoactiva. Estos dos factores importantes son examinados en esta revisin. El propsito fundamental de este artculo es introducir al lector en el concepto de clulas solares hbridos orgnico-inorgnicos y explorar los materiales inorgnicos que puedan producir clulas solares hbridos orgnico-inorgnicos de alto rendimiento. La primera seccin introduce al lector en el concepto de clulas solares hbridas, que detalla la fabricacin del dispositivo y las caractersticas de funcionamiento. El objetivo principal de esta revisin es una investigacin detallada de l os materiales utilizados en estos dispositivos de estado slido. En la seccin 3 , se analizan las caractersticas ideales de donante y aceptor de materiales y se presenta una lista completa de combinaciones de materiales examinados previamente. Estas opciones de material son analizadas y las limitaciones de las clulas solares hbridas se presentan. La seccin final examina las nuevas tcnicas de caracterizacin q ue pueden ayudar a aclarar un entendimiento ms profundo de cmo funcionan estos dispositivos, que se requiere para la optimizacin dispositivo eficaz. La conclusin ofrece un panorama futuro para esta tecnologa. Tambin se describe la comprensin actual de los aspectos comerciales de esta tecnologa, poniendo de relieve las investigaciones iniciales existentes, que han surgido recientemente. A continuacin, llama la atencin sobre las reas importantes de la investigacin para el futuro.

2. Estructura del dispositivo y de los principios generales de funcionamiento

La fabricacin del dispositivo y el funcionamiento de las clulas solares hbridas es muy similar a la de las clulas solares orgnicas, siendo la nica diferencia que el material de aceptar elec trones orgnica de PCBM (u otros derivados de fullereno) se sustituye por una nanopartcula inorgnica. Esto podra ser en la forma de puntos cunticos dispersado en una matriz de polmero, o una nanopartcula en forma ms compleja como nanocables, nanovarillas o tetrpodos, mezclado con un polmero. figura. 1 muestra imgenes TEM de nanopartculas de CdSe en la forma de (a) los puntos cunticos, (b) nanovarillas y (c) tetrpodos [27] . La gran mayora de dispositivos de clulas solares hbridas son planas en la naturaleza, que consiste en una capa fotoactiva encajada entre dos electrodos de diferentes funciones de trabajo. El dispositivo se basa en un sustrato transparente, generalmente de vidrio o PET. Este

sustrato puede ser flexible. El nodo consiste en una capa de xido semitransparente, generalmente xido de indio y estao (ITO). Su funcin es permitir que la luz pase a travs, y para recoger los agujeros del dispositivo. Una capa de la mezcla de polmero conductor (PEDOT -PSS) puede ser aplicado entre el nodo y la capa fotoactiva. Esta capa delgada es recubri por centrifugacin en la parte superior de la superficie de ITO. La capa de PEDOT-PSS sirve para varias funciones. Como as como una capa de transporte de huecos y bloqueador de excitn, que suaviza la superficie de ITO, sella la capa activa de oxgeno, y evita que el material del ctodo se difunda en la capa activa, que puede conducir a sitios no deseados trampa [28] . La capa fotoactiva absorbente de la luz que contiene el material donante y aceptor se intercala entre dos electrodos. Para los dispositivos de laboratorio, esta capa es como revestimiento por centrifugacin a partir de una solucin comn que contiene el donante polmero y nanopartculas inorgnicas en suspensin en un disolvente o de la mezcla apropiada de disolventes. Alternativamente, el aceptor inorgnico puede ser cultivado en una forma deseada a travs de varios mtodos sintticos. El ctodo es generalmente de aluminio, a pesar de calcio o de magnesio se utiliza a veces. La funcin del ctodo es recoger electrones desde el dispositivo. Esta capa se deposita mediante evaporacin trmica. Con esta estructura del dispositivo, la luz se ilumina a travs del sustrato de vidrio.

2.1. Estructura de capa fotoactiva

Como las propiedades fundamentales de los semiconductores orgnicos son diferentes a la de sus homlogos inorgnicos, la operacin de los dispositivos de la OPV es diferente a la de las clulas solares de silicio. En una clula solar de silicio, un fotn incidente se rompe un enlace covalente, que forma un par electrn-agujero. Debido a la naturaleza cristalina de la estructura cristalina del silicio, estos portadores de carga experimentan slo una pequea fuerza de la interaccin. Como resultado, la absorcin en el silicio conduce a eficazmente portadores de carga libres. Debido a la constante de los semiconductores orgnicos de bajo dielctrica relativa ( r = ~ 3 ) [29] y [30] , existe una gran fuerza electrosttica entre los electr ones y los huecos. Cuando la luz incide en la capa fotoactiva, se forma un estado de excitacin, sin embargo, el electrn y el agujero se unen coulombically. Este par electrn-hueco unido se conoce como un "excitn '. Se requiere una fuerza para superar esta energa de enlace excitnica de modo que los portadores de carga libres pueden ser producidos y transportados en todo el dispositivo. En las clulas solares hbridas, excitones formados en el material donante se disocian en el donante-aceptor (D-A) de la interfaz. La fuerza requerida para superar la energa de enlace del excitn es proporcionado por el nivel de energa del orbital desplazamiento molecular desocupado ms bajo (LUMO) de la donante y el borde de la banda de conduccin de los materiales aceptores. figura. 2 (a) muestra un diagrama simplificado de banda de energa.Este desplazamiento de la energa utilizada para disociar excitones se denota como E E S en la figura. 2(a), que se compensa la energa de estado excitado. Para la

disociacin de los excitones formados en el material aceptor, la energa compensada de la ms alta del orbital molecular ocupado (HOMO) del donante y el borde de la banda de valencia de los materiales aceptores se requiere. Este desplazamiento de la energa utilizada para disociar excitones se denota como E T S en la figura. 2 (a). Este es el desplazamiento energa del estado fundamental. Excitnicos disociacin debido a este desplazamiento de la energa se produce en la interfaz entre el donante y el aceptor de fase, y por lo tanto, la disposicin de los dos materiales en la capa activa es crucial para el buen funcionamiento del dispositivo. Debido a la pequea longitud de difusin excitnica en polmeros conjugados (~ 10 nm) [31] , [32] y [33] , estructuras de capas bi estn severamente limitadas en excitnica disociacin, ya que existe una nica interfaz. El nico lugar donde puede ocurrir la disociacin es en la interfaz nico entre los materiales, lo que implica que slo fotoexcitacin que se produce dentro de una longitud de difusin excitnica de la interfaz puede producir portadores de carga libres. Con el fin de aumentar el rea interfacial y, por tanto excitnica disociacin, el donante y el material aceptor se puede mezclar ntimamente, formando lo que se denomina una estructura de dispositivo de heterounin mayor [34] . Se muestra una comparacin de los dos diseos de heterounin en la figura. 2 b). Un dispositivo con una gran dispersin de las interfaces a travs de la capa fotoactiva requiere ms pequeas distancias de difusin de excitones, y por lo tanto, se consigue un rendimiento mayor disociacin de excitones. Existe un equilibrio entre el aumento de rea interfacial por la dispersin ntima de las fases y la creacin de vas de conduccin eficiente a travs del cual se pueden transportar electrones y los huecos libres. La disposicin de la fase donante y aceptor es por lo tanto crucial para el rendimiento del dispositivo.

2.2. El funcionamiento del equipo

Cuando un fotn es absorbido en el material del donante, se crea un excitn. Esto puede ser disociado en un D-Una interfaz. Una vez separados, el electrn puede transferir al material aceptor en una interfaz y ser transportados al ctodo para la recoleccin de carga. El agujero producido en el material donante viaja por todo el polmero y se recoge en el nodo. Este proceso se muestra como (a) en la figura. 3 . El material aceptor inorgnico tambin puede contribuir fotocorriente til. Cuando la luz es absorbida en el material aceptor, se forma un excitn que debe ser disociado por el offset de la energa del nivel HOMO donante y el aceptor de borde de la banda de valencia. El agujero se transfiere entonces al donante en una interfaz y se transporta al nodo, mientras que el electrn permanece en el material aceptor y viaja hacia el ctodo para la recoleccin. Este proceso se muestra como (b) en la figura. 3 . Los requisitos de las propiedades electrnicas de materiales para facilitar el funcionamiento del dispositivo se discuten en la Seccin 3.1 .

2.3. Caractersticas de rendimiento

La eficiencia de conversin de energa (PCE) de una clula solar se define como: ecuacin( 1 )

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donde J sc es corto densidad de corriente del circuito, V ac de tensin de circuito abierto, FF es el factor de relleno y P en la potencia de entrada es incidente. Para permitir una comparacin vlida de rendimiento del dispositivo, se utiliza un estndar internacional para la alimentacin de entrada. Este estndar es un espectro incidente de AM 1,5 G, con una intensidad de 10 00 W / m 2 (100 mW / cm 2 ), mientras que la clula est a una temperatura de 25 C. Por lo tanto, hay tres caractersticas de los dispositivos principales que determinan completamente la eficiencia del dispositivo. figura. 4 muestra un tpico sistema de iluminacin J - V curva que ilustra estas tres caractersticas. A continuacin se describen los factores que influyen en estas caractersticas de los dispositivos de clulas solares hbridos orgnicos -inorgnicos.

2.3.1. Corto densidad de

corriente del circuito

La densidad de corriente de corto circuito ( J sc ) es la mxima densidad de fotocorriente que se puede extraer desde el dispositivo en condiciones de corto circuito. El J sc est directamente relacionada con la eficiencia cuntica externa ( EQE ). Esta relacin se puede expresar como: ecuacin( 2 )

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El EQE es la relacin de los electrones fotogenerados recogidos para el nmero de fotones incidentes en una longitud de onda especfica. Para el funcionamiento de una clula solar hbrido, esta cantidad depende de cinco pasos principales, cada uno de los cuales tiene cierta eficiencia asociada. Por lo tanto, EQE se puede expresar como: ecuacin( 3 )

E Q E =

abdominales

diff

diss

t r c c

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El parmetro

ABS

describe el rendimiento de absorcin del dispositivo, que se muestra

como (1) en la figura. 5 . Esto representa la forma ms eficaz de aumentar la J sc de un dispositivo hbrido [35] . El espectro de absorcin del material se determina por tanto el intervalo de banda y el coeficiente de absorcin del material, mientras que el espesor de la capa activa tambin afectar el rendimiento de absorcin [36] .Adems, de interferencia de pelcula delgada afectar a la absorbancia de la capa de heterounin fotoactiva mayor. Investigaciones actuales que utilizan polmeros brecha de banda baja tienen por objeto mejorar esta caracterstica [37] , [38] y [39] . En las clulas solares hbridas, absorcin significativa til puede ser proporcionada por el material aceptor inorgnico. Esto implica que la composicin electrnica del material inorgnico tendr un impacto en la J sc del dispositivo. El parmetro
dif

( . Fig. 5 (2)), describe la capacidad de un excitn de difundir a un D-Una

interfaz. Esto depende tanto de la longitud de difusin excitnica, que es una propiedad del material, y la distancia entre la excitacin y la interfaz ms cercana, que est relacionado con el diseo a nanoescala de la capa fotoactiva.A medida que la longitud de difusin excitnica en polmeros conjugados es muy baja [31] , [32] y [33] , el control sobre la D-Una disposicin es crucial para la difusin de excitones xito. Este factor es inversamente proporcional a la tasa de recombinacin dentro del material fotoactivo. El parmetro
diss

( . Fig. 5 (3)), es el rendimiento de disociacin de excitones. Como el electrn

se obliga todava dentro del excitn, la energa desalineamiento form en las interfaces D -A es necesario para proporcionar una fuerza motriz que libera el electrn y permite la conduccin que se produzca. Este desplazamiento de la energa debe ser mayor que la energa de enlace excitnica en el material para facilitar la transferencia de carga. Esta energa es tpicamente en el intervalo de 0,1-0,5 eV [31] y [40] . Esto slo ocurre en los lmites entre los dos materiales y por lo tanto, la distribucin de la interfaz a travs de la capa activa es de vital importancia para la eficiencia de la clula solar. El parmetro t r ( . Fig. 5 (4)), describe la eficiencia del transporte de portadores de carga en todo el dispositivo. En los materiales orgnicos, transporte de carga se produce a travs de un proceso de salto entre estados de energa y se ve afectada por las trampas y los sitios de recombinacin en la pelcula fotoactiva. El xito de este transporte depende en gran medida de la movilidad de los semiconductores asociados [41] . El parmetro c c describe la eficiencia de la recaudacin de carga en los electrodos. Esto representa la capacidad de los portadores de carga que se inyecta en los electrodos de la capa fotoactiva. El xito de esta etapa depende en gran medida de la composicin electrnica del dispositivo. Para la inyeccin con xito de electrones en el ctodo, la magnitud de la banda de nivel

de energa borde de conduccin del material aceptor, con respecto al nivel de vaco, debe ser inferior a la funcin de trabajo del metal. Para la inyeccin con xito de agujeros en el nodo, la magnitud del nivel HOMO del material donante debe ser mayor que la funcin de trabajo del nodo transparente. Esto se muestra esquemticamente en la figura. 3 . El material utilizado para los electrodos debe ser cuidadosamente seleccionado. Se requiere una discrepancia entre la funcin de trabajo del nodo y el material del ctodo para proporcionar una direccin para la fotocorriente. A menudo, las capas intermedias entre la capa fotoactiva y los electrodos se introducen para hacer que la inyeccin de portadores de carga ms energticamente favorable [42] y [43] . La calidad del contacto hmico con el ctodo, que est determinada por la naturaleza de la interfaz con el aluminio, tambin influye en la eficiencia de recoleccin de carga.

2.3.2. Factor de llenado

El factor de relleno se describe la 'cuadratura' del J - V curva. Se define como: ecuacin( 4 )

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donde J m y V m es el punto de mxima densidad de corriente y tensin de alimentacin, respectivamente. Esta relacin se ilustra en la figura. 4 . Debido a las limitaciones fsicas sobre la calidad del diodo, el lmite prctico para el factor de relleno es menor que el valor ideal de 1. El comportamiento de un diodo real, se desviar de la ideal, principalmente como resultado de la recombinacin que ocurre en la unin. Para OPV y clulas solares hbridos orgnicos-inorgnicos, la 'unin' es la D-Una interfaz, que se distribuye a lo largo de toda la capa fotoactiva. Las desviaciones del caso ideal, y por lo tanto la forma de la J - V curva es cuantitativamente caracterizan por los mecanismos de prdida parasitarias de serie y la resistencia shunt. Cero de la resistencia serie ( R s = 0) es ideal, sin embargo, la mala conductividad a travs de la capa activa y la reduccin de la inyeccin de portadores de carga a los electrodos representa aumento de la resistencia serie. Por el contrario, el caso ideal diodo exige resistencia shunt infinita ( R s h = ). Reduccin de R SH es causada por las imperfecciones dentro de la pelcula fotoactiva o fugas de corriente en la interfaz entre capas en el dispositivo [44] . Clulas solares inorgnicos cristalinos pueden lograr muy buena calidad diodo. Las clulas solares fabricadas con silicio, GaAs y InP han alcanzado los factores de llenado superior al 80% [1] y [45] . Clulas solares de heterounin granel generalmente muestran los factores de llenado significativamente ms bajos.Nanomorphology no ideal y discrepancia entre electrones y la

movilidad del agujero se consideran como principales influencias. Adems, la interfaz de la capa / ctodo activo puede desempear un papel importante en la determinacin de factor de relleno [46] . Una an ms, tema preocupante para los dispositivos de heterounin a granel es la degradacin de factor de relleno con el tiempo, como resultado de un nanomorphology no estable y la incorporacin de oxgeno y vapor de agua [47] y [48] . Como la calidad de un dispositivo de diodo de heterounin mayor depende en gran medid a de la nanomorphology y el rea interfacial de la capa fotoactiva, el control de estos componentes son cruciales para reprimir la recombinacin y por lo tanto permite que los factores de llenado altos que deben alcanzarse.

2.3.3. Tensin en circuito abierto

A diferencia de silicio p - n clulas solares de conexin, el origen de la tensin de circuito abierto en dispositivos de heterounin granel todava no se entiende bien. Mltiples informes han investigado esta propiedad para dispositivos OPV, utilizando PCBM como receptor de electrones. En 2001, Brabec et al.propuesto un modelo de espacio de banda eficaz para las clulas de heterounin a granel, por lo que el valor mximo de V OC se relaciona directamente con la diferencia de energa entre el nivel HOMO del donante y el nivel LUMO del aceptor [49] . Esta proposicin fue verificada por una investigacin emprica del efecto de la fuerza aceptor de fullereno (afinidad electrnica) de la tensin de circuito abierto. Se descubri una relacin lineal entre la fuerza aceptor y voltaje de circuito abierto. Este estudio tambin mostr que V OC es dbilmente dependiente del tipo de metal utilizado como ctodo. En 2006, una comunicacin de gran avance al respecto fue publicado por SCHARBER et al. Este informe estudia la relacin entre los niveles de energa de la D -Una mezcla y la tensin de circuito abierto de 26 dispositivos de heterounin granel diferentes. Para cada dispositivo, el material aceptor utilizado se mantuvo constante (PCBM), mientras que el material del donante fue variada. Se encontr que existe una relacin lineal entre la posicin HOMO, que est relacionada con el intervalo de banda diagonal de la heterounin, y el voltaje de circuito abierto [50] . A partir de este anlisis, una relacin simple entre el HOMO del material donante y el V OC se deriv del dispositivo. Esto fue informado como [50] : ecuacin( 5 )

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Esto sugiere que V OC es directamente proporcional a la brecha de la banda diagonal de la heterounin, sin embargo, existe un factor de prdida emprica relacionada con el diseo heterounin mayor. El carcter sistemtico de este estudio hizo la proposicin de la banda prohibida modelo convincente eficaz, sin embargo, estos resultados se derivan exclusivamente de la evidencia emprica, en lugar de la comprensin terica. Vandewal et al. descubierto una relacin de la misma mediante el anlisis de la absorcin de transferencia de carga utilizando la espectroscopia fotoelctrica transformada de Fourier. El EQE espectros de polmero: clulas solares PCBM se analiz para energas de los fotones que no se solapan con las bandas de absorcin de ya sea el polmero o PCBM. Respuesta fotocorriente en estas energas se atribuye a cargar complejos de transferencia creadas en el polmero: Interfaz PCBM. Se sugiri que la posicin espectral de esta banda de transferencia de carga se correlaciona con la brecha de la banda diagonal de la heterounin [51] . Esta brecha de banda efectiva se puede extraer de la aparicin de la fotocorriente generada por la banda de transferencia de carga. As pues, los autores concluyen que la V OC es, de hecho, relacionado con este intervalo de banda efectiva. Obtuvieron el siguiente ajuste lineal para describir V oc [51]: ecuacin( 6 )

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donde E g es la transferencia de brecha de banda compleja de carga, que se considera como la brecha de banda efectivo de la heterounin. Vandewal et al. extendido esta idea de un argumento puramente emprica, a una que incorpora el trabajo seminal de Shockley y Queisser [52] . La teora del equilibrio detallado sugiere que la mxima V oc se obtiene cuando la recombinacin es exclusivamente radiactivo. Gran temple luminiscencia en pelculas de mezcla de heterounin granel implica que la recombinacin radiativo es slo una pequea fraccin de recombinacin total de, y por lo tanto, prcticamente alcanzado valores de V OC estn muy lejos de el valor ptimo [53] .Los autores sugieren que V OC en los dispositivos de la OPV se ve obstaculizada por lo tanto principalmente por recombinacin no radiativa en la D-Una interfaz. Este informe utiliza la ecuacin comnmente conocido por V OC , que se determina por la organizacin de la ecuacin de re diodo ideal a un valor de I = 0, para calcular predicho V OC . El lmite de equilibrio detallado fue incorporada mediante el uso de la siguiente expresin para la saturacin de la densidad de corriente oscura, J 0 [53] : ecuacin( 7 )

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donde E Q E E L es el electroluminiscente EQE , E Q E P V es la fotovoltaica EQE y B B es el espectro del cuerpo negro a 300 K. El trabajo experimental sugiere que V OC es, de hecho, relacionada con la posicin espectral de la banda de transferencia de carga, que se determina principalmente por la energtica de el nivel HOMO del donante y el LUMO nivel del aceptor [53] . Este enfoque, que se basa en la teora, explica la correlacin observada previamente entre V ac y la brecha de la banda diagonal. Valores registrados de EQE EL fueron bajos para los dispositivos de heterounin granel estudiados, como resultado de las vas de recombinacin no radiativa. Esto caus vidas portadores pobres, que aumentaron J0 , reduciendo V oc . Para mejorar con xito y optimizar V ac , y por lo tanto la eficiencia, el mecanismo exacto que causa esta recombinacin no radiativa debe entenderse [53] . Un reciente informe, contradictorio no encontr una relacin lineal entre la brecha de la banda diagonal de la heterounin y V oc [54] . Se ha demostrado, sin embargo, que la brecha de banda diagonal sirve como un lmite superior para V oc . Estos informes destacan la ambigedad restante sobre el origen de V oc en dispositivos OPV heterounin granel. El origen de la V oc en clulas solares hbridas orgnico-inorgnicos permanece hasta ahora en gran parte inexplorado. Pocos informes han demostrado un vnculo entre el boquete de la venda diagonal y V oc . En un informe se investigar hbridos de polmero / TiO 2 clulas solares sugiere que el V OC depende del potencial de ionizacin, o nivel de energa HOMO, del polmero [55] . Esto presenta la opinin de que el modelo de espacio de banda efectivo es transferible a las clulas solares hbridas. Los autores sugieren que V OC se puede optimizar mediante la regulacin de la posicin del borde de banda de conduccin en el material inorgnico por modificacin molecular. Brandenburg et al. mostr recientemente que el V OC de P3HT: clulas solares hbridas CdSe dependa en gran medida del tamao de los nanocristales de CdSe [56] . Esta dependencia se atribuy al cambio relacionado con el tamao del borde de la banda de conduccin de los nanocristales CdSe. Estos resultados estn en lnea con el modelo de espacio de banda efectivo sugerido para dispositivos OPV, sin embargo, sigue habiendo mucha incertidumbre con respecto a los mecanismos exactos que rigen esta propiedad fundamental de las clulas solares hbridas. Comprensin actual, por lo menos, sugiere la mxima terica V OC de una clula solar hbrido orgnico-inorgnico se determina por el intervalo de banda diagonal de la heterounin. El requisito para maximizar espacio de banda diagonal de V oc est en conflicto con el deseo de minimizar la brecha de la banda de los materiales aislados individuales, de modo que la absorcin de la luz

puede ser maximizada. La comprensin de este trade-off es necesario para el diseo y optimizacin de los materiales utilizados en clulas solares hbridas.

3. Materiales
La eleccin de los materiales utilizados en clulas solares hbridas es crucial para la eficiencia global, y por lo tanto el xito de esta tecnologa. Esta seccin detalla las propiedades ideales de un material inorgnico que se utiliza como receptor de electrones en una clula solar hbrida. Se examina a continuacin, los materiales que han sido investigados actualmente, analiza los materiales especficos con referencia a las propiedades deseadas mencionadas anteriormente y tambin explica las ventajas de cada grupo de mater ial importante. A continuacin, se resumen las principales limitaciones que enfrenta el uso de materiales aceptores inorgnicos, y los detalles de los posibles mtodos de mejora.

3.1. Propiedades de diseo Ideal

3.1.1. Material donante

Al elegir un material donante, es importante tener en cuenta las propiedades de composicin electrnica y la movilidad del agujero. De particular importancia son la brecha de banda y los niveles HOMO y LUMO, con respecto al material aceptor. SCHARBER et al. sugirieron que las eficiencias superiores al 10% pueden obtenerse para un dispositivo todo orgnico (usando un aceptor de PCBM) si se utilizan ciertas reglas de diseo de la hora de elegir el material del donante. Ellos sugieren que la brecha de banda debe ser inferior a 1,74 eV y el nivel LUMO menos de 3.92 eV-, con respecto al nivel de vaco [50] . Esto permitir un relativamente pequeo hueco de banda, que puede utilizar una gran porcin del espectro solar, mientras que todava mantiene un nivel LUMO compensar lo suficientemente grande como para facilitar la disociacin excitnica. Las estructuras qumicas para una coleccin de materiales polimricos utilizados en la OPV y dispositivos hbridos se muestran en la figura. 6 . Los primeros trabajos en la OPV se centr en fenileno vinileno (PPV) como el material del donante [32] , [34] y [57] . Los relativamente bajos PCEs de dispositivos que utilizan este polmero, causadas principalmente por la baja movilidad del agujero [41] , los investigadores llevaron a buscar materiales donantes que podran producir un mayor rendimiento [58] . Desde alrededor de 2002 en adelante, poli (3-hexiltiofeno) (P3HT) se convirti en el material donante polmero favorecida. P3HT regioregular posee muchas ventajas en comparacin con los canales de pago, tales como la mejora de la absorcin, la mejora de la estabilidad del medio ambiente y una mayor movilidad agujero [59] . El todos los sistemas orgnicos de P3HT: PCBM ha sido expuesto a una intensa investigacin, en la que se ha producido la optimizacin de los parmetros tales como el disolvente utilizado [60] y [61] , la

relacin

de%

en

peso

de

donante el

aceptor [62] y [63] , para

la

luz mejorar

atrapando la

esquemas [64] , [65] y [66] y

recocido

nanomorphology [67] , [68] , [69] y [70] . Mejoras en la eficiencia de este sistema sin embargo parecen haber saturado, debido principalmente a la gran banda prohibida de P3HT, lo que limita la porcin del espectro solar que se puede recoger con xito. Recientemente, la atencin se ha centrado la investigacin de polmeros ciclopentaditiofeno basados, ya que son una va potencial de baja banda prohibida, materiales absorbentes de donantes de alto [19] . El mrito de la incorporacin de un polmero brecha de banda baja como donador de electrones se ilustra en la figura. 7 . Se muestra la densidad de fotocorriente mxima obtenible (eje secundario) que se deriva de AM 1.5G flujo de fotones (eje principal). Esto se calcula usando la suposicin de que EQE es 100% para todas las longitudes de onda. El intervalo de banda y mximo obtenible J sc se muestra para varios polmeros, as como de silicio a granel,. Esto indica que el potencial J sc para este polmero brecha de banda baja es mucho ms alta que la de P3HT. En los ltimos tiempos, la PTB7 polmero ha mostrado un excelente rendimiento fotovoltaico [71] . Este polmero de la familia de PTB, que tiene una banda prohibida de 1,6 eV ~, presenta una buena movilidad agujero, buena solubilidad en disolventes orgnicos y la alineacin polmero que favorece el transporte de carga [72] . Parece como si estos polmeros brecha de banda baja puede abrir el camino para futuras mejoras en el PCE de OPV y dispositivos hbridos.

3.1.2. Material de Aceptador

Aunque fullerenos poseen algunos rasgos deseables cuando se combina con P3HT, a saber, una excelente solubilidad, tambin tienen algunas limitaciones [73] . Estos incluyen la contribucin limitada de absorcin y la estabilidad del medio ambiente. Sustitucin de la fullereno con un material inorgnico puede ayudar a superar algunas de estas cadas. Una de las principales ventajas de las nanopartculas de semiconductores inorgnicos es la capacidad de ajuste de la banda prohibida, como resultado de modificaciones en las dimensiones fsicas de la nanopartcula [74] . Cambios significativos en el intervalo de banda, con referencia a la mayor semiconductores de banda prohibida, se han observado para las nanopartculas utilizadas en las clulas solares hbridas, como resultado del efecto de confinamiento cuntico [19] , [75] y [76] . Un cambio en el espacio de banda se relaciona con el tamao de la nanopartcula, tal como se describe por la siguiente relacin [74] : ecuacin( 8 )

Gire MathJaxen

donde E g

, mayor

es la banda prohibida del material a granel, es la masa reducida del par

electrn-hueco y R es el radio de la nanopartcula. Esto sugiere que la banda de brechas mucho mayor que la brecha de banda mayor se pueden obtener mediante la alteracin de las dimensiones de las nanopartculas, de manera que se acercan a la fsica radio de Bohr excitnica del material. El efecto de confinamiento cuntico permite que la estructura energtica del dispositivo, siendo tanto la afinidad electrnica y el potencial de ionizacin, para ser sintonizado, no slo el intersticio de banda ptica.La estructura energtica de la heterounin es crucial par a el funcionamiento de un dispositivo fotovoltaico hbrido, y por lo tanto la capacidad de optimizar esta propiedad es muy ventajosa. Tal como se deduce por la ecuacin. (8) , el efecto de confinamiento cuntico es particularmente fuerte en los semiconductores con valores bajos de masa efectiva. La eleccin del material que puede ser capaz de hacer esto se requiere un examen atento tanto a la estructura electrnica y, adems, las limitaciones fsicas. Xiang et al. utilizado la teora funcional de la densidad hbrida para analizar la estructura electrnica de aceptores inorgnicos y tambin para predecir las cualidades ideales de un material para ser acoplado con P3HT, el donante polimrico ms utilizada [77] . Con el fin de optimizar la eficiencia de las clulas solares hbridas, es crucial para realizar una compensacin basada en el incremento tanto V ac y J sc . Para asegurar una buena absorcin de fotones, y por lo tanto de alto J sc , la banda prohibida del material debe ser minimizado para que ms del espectro solar puede ser utilizada. A la inversa, como la V OCdepende de la brecha de la banda diagonal de la heterounin, V OC ser maximizada por tener un borde de banda de conduccin de alta tumbado en el material aceptor. Se compensa el estado fundamental Otro requisito electrnica de un material aceptor inorgnico, con respecto al material donante. Se requiere este nivel de desplazamiento para facilitar la disociacin excitnica cuando la luz es absorbida en el material receptor. Este componente es ms importante en un dispositivo hbrido, como el material aceptor inorgnico contribuir absorcin ms til. Al tener en cuenta estos tres elementos, los autores han representado los requisitos electrnicos ideales de un aceptor inorgnico para clulas solares hbridas en un diagrama esquemtico. Esto se muestra en la figura. 8 [77] . La brecha de la banda elegida es 1.5 eV, lo que representa un compromiso entre la absorcin y compensacin de energa grande V oc . El nivel HOMO desplazamiento se elige como 0,3 eV, lo que debera permitir a la energa suficiente para superar la energa de enlace excitnica, sin dejar de maximizar V oc . Al encuestar una variedad de brecha de banda de baja semiconductores III-V, los autores concluyeron que los puntos cunticos InSb o alambres cunticos pueden poseer una

estructura electrnica muy deseable para las clulas solares hbridas usando P3HT co mo el material del donante [77] . Es, es, sin embargo importante tener en cuenta que esta prediccin es para un dispositivo que utiliza P3HT como el donador de electrones.Las posiciones de las compensaciones de la banda va a cambiar cuando se combina con un polmero diferente. Si bien este punto de vista ofrece un anlisis detallado de las propiedades electrnicas requeridas de un material potencial, tambin hay muchas otras consideraciones fsicas que pueden requerir un compromiso material a ser hecho cuando la seleccin del material aceptor. Algunas consideraciones fsicas incluyen, (i) la solubilidad en un disolvente comn con el material del donante, (ii) la abundancia y coste del material inorgnico, (iii) la capacidad para lograr un equilibrio entre el electrn y el agujero movilidades y (iv) el xito de la nanomorphology de las fases donante / aceptor. La siguiente seccin detalla el rendimiento de los materiales inorgnicos que se han estudiado hasta ahora como materiales aceptores, y tiene como objetivo la comparacin de cada grupo de materiales con esta estructura electrnica ideales sugerido.

3.2. Los materiales utilizados actualmente

Hasta la fecha, muchos materiales se han investigado como un aceptor de electrones en las clulas solares hbridas. Estos materiales incluyen CdSe [20] , CdS [18] , CdTe [78] , Si [75] , PBS [24] , TiO 2 [79] , ZnO[80] , ZnS [81] . Estos materiales tienen caractersticas electrnicas nicas. figura. 9 muestra un diagrama de banda de energa que detalla la estructura electrnica de muchos materiales usados como un aceptor inorgnico. Tambin se muestran los materiales donantes polmeros de uso comn. Cuando se forma una interfaz entre dos semiconductores diferentes, se crea una heterounin electrnica. La naturaleza de esta heterounin se clasifica por las tres propiedades de los materiales de (i) separacin de banda ( E g ), (ii) la afinidad electrnica ( ), y (iii) el potencial de ionizacin (PI). Dependiendo de estas propiedades de los materiales asociados, hay tres tipos de heterounin que se pueden formar [91] . Un resumen de las posibles estructuras de heterounin se muestran en la figura. 10 . El funcionamiento correcto de un dispositivo fotovoltaico requiere una heterounin tipo II, que ha cascada niveles de energa. Esto es necesario para permitir que los electrones para transportar hacia el ctodo y los agujeros para el transporte hacia el nodo. Anlisis de la figura. 9 muestra esta caracterstica electrnica generalmente se produce para todos los materiales aceptores inorgnicos cuando se combina con los donantes polimricos. Esto sugiere que todos los materiales pueden formar un dispositivo fotovoltaico de funcionamiento, sin embargo, variada banda prohibida, afinidad electrnica y energa de ionizacin tienen un gran impacto en el rendimiento del dispositivo. Otras consideraciones fsicas, tales como la solubilidad en un disolvente comn, tambin afectarn al rendimiento del dispositivo. Tabla

1 muestra las caractersticas de rendimiento de varias clulas solares hbridas que muestran una variedad de materiales aceptores inorgnicos, as como alguna variacin en los donantes polimrico. En la siguiente seccin se analizan los cuatro grupos de materiales principales que figuran en la tabla, siendo los compuestos de cadmio, silicio, nanopartculas de xido de metal y nanopartculas brecha de banda baja.

3.3. Cuatro grandes grupos de materiales

3.3.1. Los compuestos de cadmio

La corriente PCE ms alta demostrada por una clula solar hbrido orgnico -inorgnico se logr mediante la combinacin de sulfuro de cadmio (CdS) puntos cunticos y P3HT cables nano [18] . Ren et al. combinado un solvente qumico asistida por injerto y el proceso de intercambio de ligandos en la confeccin de estos altos P3HT rendimiento: CdS clulas solares hbridas. El proceso de injerto qumico implicado la disolucin de los nanocables P3HT y CDs por separado en diferentes disolventes. Estas dos soluciones se mezclaron despus juntos. figura. 11 (a) muestra imgenes TEM de la P3HT: Sistema de CdS para ambos (a) sin injerto y (b) el uso de injerto qumico. El injerto de los resultados del proceso en una pelcula hbrida con un rea interfacial maximizada y una mejor interaccin entre el donante y aceptor de fases [18] . Esto se evidencia por la imagen de TEM en la figura. 11 (a), y se apoya en el anlisis XPS. Intercambio de ligandos, con etanoditiol se llev a cabo en los CD de puntos cunticos. Esto condujo a una disminucin de la distancia entre partculas d e CdS facilitar la mejora del transporte de portadores de carga. Adems, este dispositivo logra una alta V oc de 1,1 V, que se atribuye al borde de la banda de conduccin elevada mentira de los puntos cunticos CdS. Este enfoque simplista, que permite el control sobre la nanomorphology y reforzamiento de la interaccin entre el material orgnico e inorgnico, es aplicable como un mtodo general para mejorar la eficiencia de las clulas solares hbridos orgnicos-inorgnicos. Seleniuro de cadmio (CdSe) es un buen candidato para el material de clulas solares hbridas, ya que tiene la absorcin de utilidad en la regin visible, los niveles de energa adecuados cuando se combina con la mayora de los polmeros conjugados, y los mtodos de sntesis bien establecidos [19] . En la OPV, el fullereno contribuye una pequea fraccin de la absorcin general y fotocorriente, aunque, informes recientes sugieren que esta fraccin puede ser ms grande que lo esperado previamente [22] . Sin embargo, la adicin de un material inorgnico tiene el potenc ial de proporcionar una mayor, la absorcin complementaria. Nanopartculas de CdSe contribuyen absorcin til para la pelcula hbrida. En una comunicacin reciente, Dayal et al. informan de que 34% de la absorcin de un PCPDTBT: sistema de seleniuro de ca dmio se atribuye a CDSE [21] . Esta contribucin tiene un impacto positivo en el dispositivo EQE perfil, lo que confirma

que la contribucin de absorcin del material aceptor inorgnico conduce a la produccin de fotocorriente. La estructura electrnica de CdSe forma una heterounin de tipo II con la mayora de los polmeros conjugados, con compensaciones de niveles de energa apropiados, (HOMO / LUMO VB y / CB) que facilita la separacin de la carga y el transporte. El intervalo de banda de CdSe mayor es de aproximadamente 1,74 eV, sin embargo, esto se altera cambiando las dimensiones fsicas de la nanopartcula [130] . Zhou et al. informar de un intervalo de banda de ~ 2 eV para las nanopartculas de CdSe con un dimetro medio de 4,7 nm [19] . Este valor es mayor que el ideal, sin embargo, todava permite la absorcin a ~ 650 nm. Como se ve en la figura. 9 , el terico V OC partir de este material tiene el potencial de ser muy alta, debido a la relativamente alta valor de borde de la banda de conduccin. Los valores de V OCobtenidos a partir de este material aceptor hasta el momento han sido prometedores, con un valor mximo informado de 0,95 V [102] . Los mtodos de sntesis bien establecidos de este material permiten la formacin de nanopartculas con formas complicadas. Dayal et al. tetrpodos CdSe sintetizadas dispersos en una matriz de polmero. Una imagen TEM de estos CdSe tetrpodos se muestra en la figura. 11 (b). Estos tetrpodos se informa, tienen dimensiones promedio de 5 nm de dimetro brazo y 30-50 brazas nm. Estas dimensiones fsicas permiten una estructura nanomorphological mejorada, que facilita excitnica disociacin y conduce a la mejora de las vas de conduccin [21] . Como resultado, la estructura ordenada conduce a la mejora de las caractersticas elctricas. figura. 11 (c) muestra el certificado I - V perfil de este dispositivo que utiliza tetrpodos. Una desventaja importante de este material es su toxicidad, sin embargo, puede ser un buen sistema modelo para estudiar para obtener una comprensin ms profunda de las clulas solares hbridas.

3.3.2. Silicio
El silicio es un material buen candidato para las clulas solares hbridos debido a su abundancia, no toxicidad y la fuerte absorcin en la regin UV [88] . Adems, la mayor constante dielctrica de silicio, en comparacin con PCBM, impide volver transferir y mejora el transporte fuera de la interfaz [131] . Silicio forma un tipo fuerte II heterounin cuando se combina con P3HT. El boquete de la venda del silicio a granel es 1,12 eV [132] . Confinamiento cuntico de los nanocristales de silicio (Si CN) aumenta la banda prohibida[133] , lo cual hace que las propiedades electrnicas del material an ms deseable. Liu et al., Inform de que la banda prohibida de Si CN, con un tamao medio de 3-5 nm, fue de aproximadamente 1,5 eV, como se evidencia por un cambio en las mediciones de fotoluminiscencia en comparacin con silicio a granel [75] .Por lo tanto, la estructura

electrnica de los nanocristales de silicio est cerca de la estructura ideal se discute en la Seccin 3.1 . Debido a esta pequea banda prohibida, Si los CN son capaces de proporcionar un perfil de absorcin mejorada. Esta mejora es casi exclusivamente en la regi n UV, debido al coeficiente de absorcin dbil, en comparacin con P3HT. Un perfil de absorcin de un P3HT: Si CN mezcla se muestra en la figura. 12 (a).Esta estructura electrnica favorable tambin permite un valor relativamente alto de V oc a alcanzar, como el borde de la banda de conduccin se desplaza debido al confinamiento cuntico. Se han registrado valores de tensin de circuito abierto de hasta 0,8 V, lo que supera la de la P3HT: mezcla PCBM [75] . Liu et al.mostr que la sintonizacin del tamao de Si CN dio lugar a un cambio en la estructura de la banda que, a s u vez, condujo a un cambio en el rendimiento. Se demostr que los CN con pequeas dimensiones fsicas, 3 -5 nm, proporciona los mejores PCE debido tanto a una mejora de V OC y que sc [88] En una publicacin reciente, los mismos autores produjeron un dispositivo con una mejor PCE de 1,47%.Esto se logr mediante la optimizacin de una etapa de recocido. Los parmetros de recocido encontrado para ser ptima, que eran 150 C durante 120 minutos, son diferentes a los establecidos para P3HT: mezclas PCBM. La curva caracterstica de corriente-tensin, que muestra la mejora PCE debido a recocido trmico, se muestra en la figura. 12 (b). Un aumento de tanto I sc y el factor de relleno se logra como resultado de recocido. Esto se atribuye a un aumento en la movilidad del agujero, lo que conduce a un dispositivo de movilidad ms equilibrada. Esto causa una reduccin en la acumulacin de carga espacial y una reduccin en la recombinacin [75] . El PCE de estos dispositivos hbridos sigue siendo muy baja. Esto se atribuye principalmente a nanomorphology no uniforme, debido a la aglomeracin de las nanopartculas de silicio. Una alternativa a los CN Si es nanocables de silicio (Si NWS). La principal ventaja de este enfoque es que la naturaleza estructurada de los nanocables puede ayudar a facilitar el transporte de carga eficiente. Huang et al. han demostrado la formacin de una matriz de nanocables de silicio utilizando un mtodo de grabado en hmedo. Este mtodo est dirigido a superar algunos de los problemas asociados con otras tcnicas de fabricacin, tales como la descomposicin de vapor qumico (CVD) y la ablacin con lser [122]. Si NWs, formada sobre una oblea de silicio, se incorpora en un P3HT: PCBM pelcula de mezcla por calentamiento de la pelcula a 160 C y aplicando una presin hacia abajo. Una fuerza lateral a continuacin, se utiliza para separar la oblea de silicio de la P3HT: PCBM pelcula. Este proceso se muestra en la figura.12 (c). Caracterizacin de este dispositivo hbrido revel que el Si NWs contribuy a la absorcin tanto en las regiones infrarrojas y visibles cerca. Se ampli La ventana espectral de este dispositivo, con respecto al control de P3HT: PCBM dispositivo, debido a la brecha de banda ms pequea de

Si. El aumento de la movilidad de portadores de carga de los enlaces Si NWs es una ventaja adicional. Caractersticas de corriente-voltaje revelaron un aumento significativo en J sc debido a la adicin de la NWs de Si. El valor aument de 7,17 mA / cm 2 a 11,61 mA / cm 2 , lo que se atribuy tanto a la mejora del transporte de carga y los espectros de absorcin mejorada. Estos resultados iniciales prometedores para la viabilidad de las clulas solares de silicio en hbridos, particularmente debido a su abundancia elemental y no toxicidad.

3.3.3. xido de metal nanopartculas

Semiconductores de xido de banda prohibida ancha tambin se han explorado como aceptores inorgnicos en clulas solares hbridas. Los materiales que han sido investigados incluyen TiO 2 , de SnO 2 , CEO 2 y ZnO [26] , [134] y [135] . La principal ventaja poseda por estos semiconductores es la capacidad para formar nanoestructuras de xido alineados verticalmente. Tales estructuras ordenadas pueden ser diseados de manera que las dimensiones fsicas permiten la optimizacin de un D -Una gran rea interfacial, as como proporcionar vas de conduccin eficientes [136] . Esto permite un gran rendimiento de disociacin, as como la reduccin de los pasos de salto de electrones, aumentando as la movilidad de los electrones. Un diagrama esquemtico de una estructura de este tipo se muestra en la figura. 13 (a) [26] . Actualmente, el ms investigado en gran medida de estos materiales es TiO 2 , ya que se ha utilizado ampliamente en las clulas solares sensibilizadas de colorante debido a la gran rea de superficie del semiconductor [137] , [138] , [139] , [140] y [ 141] . La estructura electrnica de TiO 2 no es, sin embargo, deseable para su uso como un material aceptor inorgnico. Esto se muestra en la figura. 9 . La brecha de banda ancha, que es caracterstica de compuestos de xido, conduce a la contribucin de la absorcin insignificante en el espectro visible. Aunque el intervalo de banda es grande, la posicin del borde de banda de conduccin, que forma una heterounin tipo II con los materiales polimricos adecuados, produce una mxima obtenible V OC que es similar a la de PCBM. Los valores reportados de V oc para clulas solares hbridas que utilizan compuestos de xido tienden a no ser muy alto. Mor et al. han demostrado este principio de TiO 2 nanotubos infiltrado con una P3HT: mezcla PCBM [142] .Un diagrama esquemtico de la estructura creada se muestra en la figura. 13 (b). Esta estructura forma un doble heterounin, ya que la carga se puede separar, tanto en el P3HT: PCBM y P3HT: TiO 2 interfaz. El buen rendimiento del dispositivo se atribuye a la generacin de carga eficiente y ordenada geometra del dispositivo. Una corriente, la comunicacin prometedora ha expuesto la fabricacin de anatasa fase vertical TiO 2nanocables, mediante un proceso de electrospinning. Fase anatasa TiO 2 , en lugar de la fase

rutilo TiO 2 , se prefiere para aplicaciones optoelectrnicas, debido a su mejor transporte de electrones y la reduccin de la carga portador de recombinacin [79] . Los autores sugieren que los mtodos sintticos actuales pueden ser inadecuados para el cultivo de nanocables altamente ordenados, debido a la limitada capacidad de sintonizar las caractersticas importantes de dimetro nanocable, altura y densidad de empaquetamiento. La optimizacin de este mtodo electrospinning, para producir nanocables anatasa de alto rendimi ento, con las dimensiones fsicas apropiadas para uso fotovoltaico, puede dar lugar a una mejora significativa en este campo. Recientemente, el inters de la investigacin se ha centrado en ZnO como un material apropiado. Esto es debido a que tiene una estructura electrnica muy similar a la de TiO 2 , sin embargo, tiene algunas ventajas en comparacin. En primer lugar, tiende a tener una mayor movilidad de los electrones de TiO 2 .Adicionalmente, se puede sintetizar usando una variedad de tcnicas. Esto hace que sea atractivo para los escalable fabricacin de clulas solares de bajo costo [26] y [135] . A pesar de que tiene muchos mtodos de sntesis disponibles, es muy difcil determinar cul es la ms adecuada para aplicaciones fotovoltaicas, como el PCE del dispositivo fotovoltaico depende de mltiples parmetros, adems de la estructura ordenada de la capa activa. El mtodo de crecimiento hidrotermal es al parecer el enfoque ms atractivo para la formacin de nanoestructuras bien alineados. A pesar de ZnO tiene un gran potencial, metodologas de sntesis actuales han sido insuficientes, debido a la reproducibilidad limitada y la incapacidad para formar estructuras con las a dimensiones la longitud fsicas de requeridas para optimizar corto para el los rendimiento donantes fotovoltaico. Debido difusin excitnica

polimricos [31] , [32] y [33] , se desea una matriz densa de cristales alineados verticalmente, sin embargo, la replicacin fsica de tal sistema, lo que lleva a los dispositivos con altas PCE, tiene an no se ha producido. Aparte de la formacin de la estructura fsica, tanto la humectabilidad y la estabilidad son los problemas de ZnO. La humectabilidad es la infiltracin del agujero de polmero conductor en la red de xido. Para obtener un buen rendimiento fotovoltaico, el polmero debe penetrar toda la superficie del xido, que es difcil de lograr para una estructura de empaquetado densamente con un rea de superficie muy grande. Otro problema que surge de la infiltracin de polmero es q ue la disposicin del material es inferior a la de la cadena de polmero de embalaje en una capa activa mayor, debido a la orientacin ms aleatoria. Esto causa baja movilidad del agujero de los polmeros en un dispositivo BHJ plana [142] . Una comprensin de la orientacin de la fase de polmero dentro de la nanoarray xido es crucial en la mejora del rendimiento de estos dispositivos, de tal manera que las mejoras potenciales asociados con heterouniones granel altamente ordenados puede ser realizado. Las propiedades fsicas y la orientacin de P3HT regio-regulares, confinados dentro de un TiO 2 nanoarray, fue

investigado por Foong et al. [143] .Sugirieron que la gravedad y las fuerzas capilares son insuficientes para producir la infiltracin completa de P3HT en los nanoarrays densos. Para lograr la infiltracin, el sistema se recoci a 250 C bajo un vaco de 20 mTorr. Cruce imgenes de SEM en seccin completa indicaron que la infiltracin de polmero se logr con xito usando este mtodo. Anlisis de difraccin de rayos X de P3HT no confinado y nano-confinado indic que el borde-en la orientacin estaba presente en ambos casos, sin embargo, la intensidad del pico de P3HT nano-confinado se redujo significativamente. Esto sugiere un mayor grado de cristalinidad para el P3HT no confinados, y una disposicin ms aleatoria de los nano-confinado P3HT. EQE mediciones de P3HT: TiO 2dispositivos hbridos de nanotubos mostraron que los dispositivos que utilizan nanoestructuras alineados verticalmente dirigidos a la mejora del rendimiento del dispositivo, con referencia al dispositivo de punto de referencia bicapa, sin embargo, la mejora fue slo dbilmente correlacionado con la mejora en el rea interfacial. Se sugiri que la orientacin del polmero, que determina la movilidad agujero del sistem a, influye en el xito de transporte de carga en todo el dispositivo. Como se mide por difraccin de rayos X, la orientacin de P3HT en los sistemas nano-confinados era de canto. Esta orientacin polmero no es deseable para el transporte de carga y fue la razn asignado a la pequea mejora. Quizs la clave para liberar el potencial de las estructuras de heterounin granel as alineados est sustituyendo P3HT con un polmero diferente, lo que puede lograr una mejor orientacin y movilidad agujero cuando nano-confinada. La estabilidad de las clulas solares hbridas utilizando ZnO tambin ha sido cuestionada [26] . El mecanismo de liberacin de oxgeno a partir del material de xido es perjudicial para el material de polmero.Esto puede conducir a una rpida reduccin en el rendimiento del dispositivo descrito. Tambin se ha observado que la irradiacin con luz UV tambin puede reducir drsticamente la salida del dispositivo. Shao et al. han sugerido un mtodo para mejorar la estabilidad de un MEH -PPV: dispositivo de ZnO mediante la introduccin de una capa ptica para disminuir la luz UV en la capa activa [144] . Esto se logr mediante el depsito de una capa de ZnO de diferentes grosores entre la capa activa y el ctodo de aluminio.Esto parece dar lugar a una mejor a en la estabilidad del dispositivo bajo iluminacin.

3.3.4. Brecha de banda baja nanopartculas

Uno de los principales efectos de la brecha materiales inherentemente de banda baja es extender la ventana espectral de clulas solares, a la de longitudes de onda ms largas [35] , [145] y [146] . Generacin de fotocorriente en el rango NIR es particularmente til, ya que reducir el efecto de calentamiento atribuida a estas longitudes de onda, as c omo el aumento de la J sc . Este rasgo potencial brecha de nanopartculas inorgnicas banda baja es

particularmente til cuando se combina con polmeros que tienen una absorcin limitada a la regin visible, como P3HT [24] . Nanopartculas a base de Pb son populares para la investigacin debido a su capacidad para absorber en la regin del infrarrojo cercano (NIR). La brecha de la banda de mayor PBS, 0,41 eV, es bastante bajo [147] . La posicin de la banda de valencia de PBS no facilita el transporte de huecos eficiente para el polmero, lo que significa que los exciton es formados en el QD no pueden llegar a ser disociado con xito. La estructura de la banda que se forma es por lo tanto un tipo dbil II heterounin. Adems, el tamao de la brecha de banda implica que el mximo obtenible V OC valor es bastante bajo. Guchhait et al. incluidos TiO 2 nanorods con P3HT: clulas solares PBS. TiO 2 es una muy fuerte agente aceptor de electrones debido a la posicin de su borde de la banda de valencia. Se observ un aumento drstico en la corriente de corto circuito para los dispositivos con TiO 2 [24] . Sin las TiO 2 nanobastones, la absorcin en el NIR no se puede convertir a fotocorriente debido a las condiciones desfavorables energticamente, sin embargo, la adicin de TiO 2 conducen a estos excitones convertirse disociado y contribuyendo as a la el rendimiento del dispositivo. El I -

V curvas de dispositivos (a) sin TiO 2 capas y (b) con TiO 2 , se muestran en la figura. 14 ( a).
Los autores tambin demuestran la capacidad de ajustar la estructura electrnica cambiando las dimensiones fsicas del QD. Al variar el dimetro de la nanopartcula, se observan diferencias en la fotocorriente. Al iluminar los dispositivos a travs de un filtro de infrarrojos, se registra una respuesta fotovoltaica. El I - V curvas, para los dispositivos fabricados con diferentes dimensiones fsicas, se muestran en la figura. 14 (b). Se establece un dimetro QD ptimo aparente. Esto se atribuye a dos factores: (i) la reduccin en la absorcin de dimetros ms pequeos QD y (ii) el nivel de la banda de conduccin en relacin con el borde de la banda de conduccin de TiO 2 . En general, es difcil conseguir una heterounin tipo II con baja brecha inorgnica receptor de electrones banda. Incluso si esto se logra, ser difcil lograr un alto PCE como la absorcin en el aceptor dar lugar a prdidas significativas thermalisation para fotones en la regin visible. El fenmeno de la "Generacin excitn mltiple" (MEG) presenta una ruta prometedora para mejoras de eficiencia en clulas solares hbridas con bajos malas brecha nanopartculas inorgnicas aceptor [148] . MEG es el proceso en el que mltiples pares electrn-hueco se pueden generar, por fotones de alta energa individuales. En los semiconductores a granel, este proceso es muy ineficiente como la energa del fotn umbral para MEG es muy alta, debido a la exigencia de conservacin del momento de cristal. Adems, la tasa de generacin debe competir con la tasa de relajacin a travs de electrn-fonn dispersin [149] .Como resultado, las energas de los fotones necesarios para MEG no son generalmente tiles para la conversin de energa solar. En las nanopartculas, la eficacia de MEG es mucho mayor, debido a la relajacin de la exigencia de conservacin del

momento. El umbral ms bajo requerido para MEG significa que este fenmeno se puede observar en energas de los fotones tiles para la conversin de energa sol ar. Barba et al. examinados MEG en nanocristales de silicio mediante espectroscopa de absorcin transitoria.Encontraron que la energa umbral de MEG, de 9,5 nm de dimetro nanocristales de silicio, para ser 2,4 0,1E g [150] . Una parcela de rendimiento cuntico como funcin de la energa de los fotones, dividida por la energa de banda prohibida, se muestra en la figura. 14 (c). Un rendimiento cuntico de 2,6 se registra a una energa fotnica de 3,4 E g . La aplicacin prctica de este fenmeno puede conducir a la fotocorriente rendimientos cunticos de> 100%. Smonin et al. mejoras fotocorriente reportados en seleniuro de plomo (PbSe) de puntos cunticos (QD) clulas solares [151] . Estas mejoras, evidenciado por eqe mediciones, se atribuyeron a los fenmenos de la MEG. Pico eqe valores del 114% se lograron para las clulas solares QD PbSe, que proporciona pruebas concluyentes de que MEG se produce en puntos cunticos, y q ue este fenmeno puede conducir a eqe valores superiores al 100% [151] . eqe se muestran los picos de varias clulas solares PbSe en la figura. 14 (d). Este informe representa una gran promesa para las mejoras de eficiencia en clulas solares hbridas que utilizan nanopartculas brecha de banda baja.

3.4. Limitaciones a la rentabilidad

Como se discuti previamente, el uso de materiales aceptores inorgnicos debe producir mltiples ventajas, tales como la absorcin mejorada, la mejora de la conductividad y la arquitectura del dispositivo. Por qu es que el estado actual de los valores PCE arte para las clulas solares hbridas son mucho ms bajos que el de la VPO? Los problemas relacionados principalmente con el aumento de la densidad de los estados trampa, relacionados con la qumica de la superficie de nanopartculas, y un control limitado sobre la D-A nanomorphology han impedido hasta el momento el avance de esta tecnologa.

3.4.1. Qumica de la superficie de nanopartculas

Aunque semiconductores inorgnicos tienen intrnsecamente una mejor conductividad, la movilidad de los electrones de los materiales inorgnicos dentro de una matriz polimrica es a menudo muy baja [74] .Durante el proceso de sntesis, un material de ligando orgnico est unido a la superficie de la nanopartcula inorgnica, que controla tanto el tamao y la forma del material, as como la estabilidad de las partculas que induce [152] . Este ligando orgnico unido a la superficie es elctricamente aislante, lo que impide tanto la transferencia de carga en la interfaz -A D y reduce la movilidad de los electrones que viajan a travs de la fase de aceptor. El aumento de la recombinacin conduce a reducciones significativas en la fotocorriente recogido, lo que limita la eficiencia del dispositivo. Los intentos de aumentar la eficiencia de las clulas solares hbridas a menudo se han centrado en superar el efecto de esta capa aislante, para restaurar las buenas

caractersticas de portadores de carga del material inorgnico [105] , [106] y [153] . Un mtodo comn es un intercambio de ligandos con piridina, por lo que la gruesa capa orgnica aislante ligando, introducido durante la sntesis, se sustituye por las molculas de piridina ms cortos, ms conductoras [154] y [155] . Esto se pens para facilitar una mejor transferencia de carga y el transporte, lo que lleva a la mejora de la eficiencia. Dayal et al. se utiliza un tratamiento de piridina en los tetrpodos CdSe utilizados en su PCPDTBT: sistema de seleniuro de cadmio [21] . Despus de la sntesis, los tetrpodos CdSe se lavaron en una solucin de tolueno / etanol para eliminar parte del ligando tapado. Despus, el ligando restante se intercambi con piridina por calentamiento de la solucin de piridina a 107 C. Las partculas se recuperan entonces por un proceso de precipitacin con hexano. Este proceso parece haber facilitado la mejora del transporte de carga en los tetrpodos CdSe, permitiendo as una mejor PCE dispositivo. Es, es, sin embargo a menudo difcil de obtener una mezcla de polmero / NC estable en un disolvente despus de la CN han sido objeto de un intercambio de ligandos, y por lo tanto, es necesario el uso de una mezcla de disolventes. Para la mencionada PCPDTBT: sistema de seleniuro de cadmio, se utiliz una mezcla de disolventes de cloroformo / piridina / triclorobenceno. El intercambio de piridina puede no ser completa y por lo tanto algunos de los ligando inicial permanecer despus del tratamiento. Adems, el proceso de cambio puede inducir sitios trampa ms indeseables mediante la exposicin de enlaces colgantes en la nanocristal, que conduce a sitios de recombinacin mejoradas. Parece como si se requiere alguna modificacin de la superficie, sin embargo, intercambio de ligandos puede no ser el mejor mtodo. Zhou et al. propuesto recientemente un nuevo enfoque para reducir el impacto del ligando aislante.Nanopartculas de CdSe fueron tratados con un procedimiento de lavado cido hexanoico que sustituy a un procedimiento de intercambio de ligando [105] . Se cree que este proceso elimina el ligando orgnico de hexadecilamina (HDA) de la superficie de las nanopartculas por la formacin de una sal, cuando se hace reaccionar con el cido hex anoico. Esta sal se puede separar entonces y se retira ms fcilmente que el ligando HDA inmovilizado en la superficie de la partcula. Un diagrama esquemtico de este proceso se muestra en la figura. 15 . Este procedimiento condujo a una reduccin en el tamao de la nanopartcula, as como la reduccin en la distancia entre las partculas. Esto se cree que es la razn de la mejora del transporte de carga y por lo tanto la eficiencia del dispositivo. Este proceso rpido, simple puede ser transferido a estructuras ordenadas de nanopartculas, tales como nanobastones. Los mismos autores han demostrado ya que este concepto, por lo que la superficie de nanobastones CdSe fueron tratados con este procedimiento de lavado cido hexanoico. Nanopartculas de tamao grandes, tratados con cido hexanoico, se combinaron con PCPDTBT lograr PCEs dispositivo por encima del 3% [99] . Este buen comportamiento se atribuye principalmente a la mejora del transporte de carga en toda la red inorgnica.

Una alternativa a los mtodos de pasivacin es el ligando in situ en el crecimiento de pelculas inorgnicas dentro de un polmero [92] . Reynolds et al. dispositivos hbridos demostrado consistentes en situ CdS crecido, en pelculas P3HT pre-recubiertos. Este informe muestra una comparacin exhaustiva de los sistemas hbridos que combinan P3HT con ambos (i) in situ las pelculas de CdS crecidas o (ii) CdS qds sintetizados con diversos ligandos de nivelacin [156] . Imgenes TEM de ambos sistemas sugirieron que el in situ CdS crecido proporcionan una red interconectada de nanopartculas, que es favorable a la mejora del transporte de carga. Espectroscopia de absorcin transitoria se utiliz para investigar la generacin de carga. En situ CdS cultivadas mezclas mostrar rendimiento y tiempos de vida polaron significativamente mayor, en comparacin con cido oleico y hexilo amina tope mezclas QD. Adems, el aumento de la carga de CdS en el in situ mezcla crecido conduce a cargos generados de vida ms larga. Generacin de carga mejorada fue verificado por mediciones de corriente y tensin. Fig. 16 exhibiciones I - V curvas medidos tanto in situ CdS cubiertas y ligando puntos cunticos. Debido a un aumento significativo en J sc , y un aumento concomitante en V ac , la eficiencia del dispositivo de in situ en las mezclas de CdS cultivadas se ha mejorado enormemente. Esto se atribuy a un aumento en la generacin de carga y la recogida de carga en el electrodo, debido a la disposicin mejorada nanomorphological, y la reduccin de la recombinacin de portadores de carga. El anlisis sugiere que la capacidad para generar cargas de larga duracin depende de las limitaciones nanomorphological.

3.4.2. Nanomorpholgy
La disposicin nanomorphological de donante y aceptor de tomos dentro de la capa activa es importante en la determinacin de PCE dispositivo de [157] y [158] , ya que controla la eficiencia de la disociacin excitnica [34] . Esto es crucial, debido a la longitud de difusin excitnica relativamente corto [31] , [32] y [33] y la movilidad de los portadores de carga baja de las materias orgnicas [159] y [160] . En un diseo de heterounin mayor, existe un compromiso entre excitnica disociacin, en relacin con la D-Un rea interfacial, y la conductividad portador de carga y la recogida, relacionada con la formacin de las vas de percolados. Parece como si la morfologa de las clulas solares hbridas es generalmente ms difcil de controlar que el de los dispositivos OPV [74] . Esto podra ser debido a la aglomeracin de las nanopartculas inorgnicas en grandes agregados y el requisito de un disolvente ms complejo. Como los nanocristales y polmeros tienen diferentes solubilites, el disolvente utilizado para las clulas solares hbridas es muy importante. Wang et al. investigado el uso tanto de piridina y clorobenceno como disolvente para una MEH-PPV: mezcla de CdS [94] . Caracterizacin mediante TEM muestra diferentes distribuciones de CdS nanopartculas en PPV como un resultado de diferentes disolventes. Esto se muestra en la figura. 17 .

La pelcula colada con disolvente piridina (imagen (a)) muestra una distribucin mucho ms homognea de las nanopartculas de CdS, con menos agregacin. Esto est directamente relacionado con un aumento de Jsc y photoresponsivity. Esto indica que el disolvente usado tiene un profundo impacto en la disposicin de los nanocristales dentro del polmero. Al igual que con Dayal et al., El disolvente utilizado generalmente no es un solo disolvente, sino ms bien una mezcla complicada para permitir las diferentes solubilidades de los materiales donante y aceptor. La eleccin del disolvente es ms crucial para las clulas solares hbridos, y se requiere mucho optimizacin para las combin aciones de materiales emergentes. Un proceso de recocido post-produccin tambin puede mejorar la nanomorphology del dispositivo.Mltiples informes sugieren que el material donante de P3HT, tratamientos trmicos inducir cristalinidad en el polmero que puede desarrollar mejores vas de conduccin y por lo tanto mejorar la movilidad del agujero[41] , [67] y [161] . Este conocimiento es algo intransferible a las clulas solares hbridas. Liu et al.optimizado el rendimiento de P3HT: NC clulas solares hbridas de Si mediante la variacin de la temperatura de recocido trmico [75] . Como se exploran ms combinaciones de materiales, trabajo en la optimizacin de dichos parmetros ser importante, ya que las condiciones ptimas pueden variar con los de la P3HT comnmente utilizado: PCBM. Kuo et al. Tambin investigaron el efecto de recocido trmico en la capa activa de un dispositivo hbrido. Los autores utilizaron una mezcla que consiste en la PDTTTPD polmero y tetrpodos CdSe [82] . Se encontr que el recocido trmico a una temperatura de 130 C durante 20 min dado lugar a un aumento significativo en el rendimiento elctrico. Con referencia a los dispositivos como preparados, la J sc aument desde 3,16 hasta 7,26 mA / cm 2 y el PCE aument del 1% al 2,9%. figura. 18 muestra el J - V las caractersticas de los productos que hayan sido sometidos a tratamiento trmico a 130 C, durante perodos variables de tiempo.Se pensaba que el proceso de recocido caus un aumento en el rendimiento mediante la eliminacin de los ligandos de piridina de la superficie de los tetrpodos CdSe, facilitando as la mejora de la generacin de carga y la recogida. Esto se evidencia por una reduccin en la intensidad de pico para el C -C y C-N vibraciones medido por ATR-FTIR. Esto indica que los ligandos de piridina, que se unen a la superficie de la nanopartcula de la pelcula de colada, se eliminaron mediante la energa trmica del recocido a 130 C. Es importante destacar que este proceso fue visto para influir en el nanomorphology pelcula. XRR anlisis mostr que la eliminacin de piridina superficie condujo a una reduccin en la distancia entre las partculas y por lo tanto un aumento de la densidad de empaquetamiento CdSe. Imgenes TEM tambin sugirieron una reduccin de la distancia entre las partculas. Se supone que este agregado de CdSe conducir a la mejora del transporte de electrones, que en consecuencia hizo un mejor rendimiento elctrico

Otro enfoque para controlar con xito la nanomorphology es crecer verticalmente nanoestructuras bien alineados. El control sobre las dimensiones fsicas de tales estructuras puede permitir un D Una gran rea interfacial, as como el transporte de electrones altamente eficiente. El semiconductor II-VI de ZnO se ha convertido recientemente muy atractivo como un material inorgnico para ser utilizado como una estructura alineada verticalmente, ya que se puede formar utilizando una variedad de mtodos de sntesis y exposiciones altas movilidades de electrones [26] . A pesar de que esta va podra potencialmente llevar a heterouniones granel de alta eficiencia con diseos casi ptimas, los altos PCE no se han grabado con una estructura de este tipo. La principal limitacin de estas estructuras parece estar relacionada tanto a la formacin de una gran rea de superficie y la capacidad para infiltrar correctamente el polmero en la estructura. figura. 19 pantallas mltiples posibilidades de nanoestructuracin el material aceptor inorgnico para mejorar las vas conductoras de electrones.

4. Tcnicas de caracterizacin emergentes

4.1. Espectroscopia de absorcin de transitorios
La comprensin de los mecanismos de generacin de carga y la recombinacin es crucial para permitir una mejora significativa en la eficiencia del dispositivo. Las tcnicas que utilizan espectroscopia ptica, tales como espectroscopia de absorcin transitoria (TAS), pueden ser utilizados para estudiar la naturaleza de los estados excitados en clulas solares hbridas [162] . Esta tcnica es particularmente til ya que puede controlar todos los pasos de funcionamiento del dispositivo, siendo la absorcin, difusin y la disociacin del excitn, transporte de carga y la recogida de carga [163] . TAS es una sonda de bomba tcnica espectroscpica que monitoriza cambios en la absorcin causadas por un fotoexcitacin inducida por lser.Esta tcnica resuelta en el tiempo se puede controlar en un intervalo de tiempo muy grande, que es crucial para proporcionar una comprensin profunda cuantitativa de la generacin y de los fenmenos de recombinacin. Ejemplos recientes de la literatura utlilise esta tcnica para observar el efecto de tanto la deteccin del medio ambiente y de la estructura nanomorphological en la eficiencia de separacin de carga en la fotovoltaica orgnica [163] . Leventis et al. TAS utilizado para investigar los mecanismos de recombinacin en P3HT: CD hbridos clulas solares, como una funcin de CdS relacin en peso [96] . Este anlisis se muestra en la figura. 20 . La magnitud de la seal, que corresponde a la magnitud del cambio en la densidad ptica, se relaciona con el nmero de pares de carga fotogenerados. El aumento de la relacin en peso de CdS conduce a un aumento en el rendimiento de generacin de carga. Este estudio ha demostrado que una relacin en peso de 4,7:1 (CdS: P3HT) proporciona fotogeneracin ptima de carga.Herrmann et al. utilizado una configuracin TAS para investigar la generacin de carga y la recombinacin en P3HT: clulas

solares hbridas de Si NC. El aparato utilizado fue particularmente novedoso, ya que tiene una resolucin de tiempo de 40 ps, y puede medir en todo el rango espectral de 415 a 1150 nm [131] . Estos objetivos set-up en la superacin de los lmites experimentales, relacionados tanto con el tiempo de resolucin y el rango de longitud de onda, que han obstaculizado previamente esfuerzos para investigar los mecanismos fundamentales que regulan las clulas solares hbridas. Este mtodo fue utilizado para revelar ultrarrpida de transferencia de electrones desde P3HT a Si CN, lo que sugiere que la combinacin de materiales de P3HT: Si NCS es muy prometedor. Una mejor comprensin de la cintica de recombinacin a travs de estudios con resolucin temporal espectroscopia ptica podra permitir una transicin ms rpida a una mayor eficiencia, eliminando la dependencia de ensayo y error de la optimizacin de la composicin y la estructura de la pelcula.

4.2. AFM conductora (C-AFM)

El rendimiento de los dispositivos de heterounin granel depende en gran medida de la nanomorphology de la capa activa. Esto se refiere al tamao y la distribucin espacial de la donante y aceptor de fases. Existe una delicada interaccin entre un gran rea interfacial dentro de la capa activa, y la necesidad de proporcionar suficientes vas conductoras para el transporte de carga. Para lograr el potencial de los dispositivos procesados solucin, que es crucial para comprender y optimizar este aspecto, para encontrar un compromiso ptimo. Tcnicas de caracterizacin tradicional de la superficie de microscopa de fuerza atmica (AFM), junto con I- V mediciones tienen un potencial limitado para proporcionar la comprensin profunda de la relacin entre nanomorphology y el rendimiento del dispositivo, ya que hay muchas variables interrelacionadas que efecto PCE. AFM conductora (C-AFM) es una tcnica que mide la topografa de la superficie y las caractersticas electrnicos locales simultneamente. Lo hace a travs de una sonda de AFM de metal revestido que est conectado a un circuito externo. La medicin simultnea de estas dos propiedades proporciona un vnculo directo entre la D -A disposicin y caractersticas electrnicas [164] . Dante et al. utilizado esta tcnica para investigar el efecto de recocido en P3HT: PCBM pelculas [165] .figura. 21 pantallas atraviesan la fase transversal e imgenes actuales del agujero de ambos como de fundicin (a, c) y trmicamente recocido (b, d) P3HT: mues tras PCBM. Este anlisis muestra que el tamao de los dominios aumenta P3HT y los dos dominios se distribuyen de manera ms uniforme como resultado del tratamiento trmico. Esto se correlaciona con un aumento en las regiones de alta corriente en la imagen actual agujero para la muestra recocida. Los autores concluyeron que la mejora de rendimiento del dispositivo era debido a la

mejora de la movilidad de portadores de carga de pedido y el aumento de escala nanomtrica. La capacidad de los C-AFM para proporcionar un vnculo directo entre nanomorphology y rendimiento electrnico hace que sea una herramienta viable para la caracterizacin de heterounin capas activas, lo que hace que sea muy adecuado para las clulas solares hbridas.

4.3. Tomografa electrnica

La organizacin de tres dimensiones de fases donante y aceptor es muy importante para determinar la disociacin excitnica, transporte de carga y por lo tanto PCE de un dispositivo hbrido. Se requiere un conocimiento profundo de este acuerdo para la opt imizacin eficiente, sin embargo, hasta la fecha, no hay existencia limitada de herramientas para estudiar la disposicin volumtrica de las dos fases. Se utilizan tanto en la superficie AFM mediciones y TEM en seccin transversal, sin embargo, que slo muestran la informacin de una pequea instantnea 2D de la pelcula, que slo proporciona informacin estructural muy limitado. La tcnica de la tomografa de electrones puede ser capaz de proporcionar el enlace entre la organizacin espacial en 3D y el rendimiento. Esta tcnica sintetiza una serie de proyecciones 2D de micrografas TEM, tomadas en diferentes ngulos de inclinacin, en una representacin volumtrica 3D de los materiales en la pelcula [166] . Esto se lleva a cabo por un paquete de software que produce una matriz de elementos de imagen volumtrica. Esta tcnica puede ayudar a identificar los parmetros morfolgicos importantes que conducen a las caractersticas electrnicas deseables. Bavel et al. usado esta tcnica para investigar el efecto de tanto trmica como disolvente asistida recocido en P3HT: PCBM capas activas [166] . Sus resultados se muestran en la figura. 22 (a). Esta muestra rebanadas individuales de TEM para diferentes ngulos de exploracin, que corresponden a diferentes profundidades dentro de la pelcula. La ltima fila muestra las instantneas de volmenes reconstruidas de los tres dispositivos diferentes. Los autores muestran que el proceso de recocido, de hecho, formado redes cristalinas 3D, en comparacin con la relativamente amorfo capa de colada. Adems, la separacin de fase vertical deseable se muestra a ocurrir, lo que hace que el PCE para aumentar de 2% (bruto de colada) al 3,8% tanto para el recocido asistida y recocido trmico disolvente. Esta tcnica es muy aplicable a las pelculas hbridas, debido a la mayor diferencia en la densidad electrnica de polmeros conjugados y nanopartculas inorgnicas. Esto proporcionar la capacidad para construir con xito una representacin volumtrica de una pelcula de hbrido, en el que el donante y el aceptor de fases se distinguen con precisin. . Un artculo reciente, publicado por Oosterhout et al, muestra una representa cin como un P3HT:. ZnO clula solar hbrida figura. 22 b) muestra un volumen reconstruido de una P3HT: capa fotoactiva ZnO, obtenidas por tomografa electrnica [80] .

4.4. Kelvin microscopa de sonda

Microscopa de sonda Kelvin (KPM) es una tcnica de sonda de barrido utilizado para medir la potenciometra superficie de una pelcula. Actualmente se utilizan tcnicas de espectroscopia de fotoelectrones de rayos ultravioleta (UPS) y espectroscopa de fotoelectrones de rayos X (XPS) no siempre pueden ser empleados debido a la relativamente alta resistencia del material orgnico. Tambin no proporcionan un vnculo directo entre el perfil de tensin de la superficie y la topografa. Este aparato funciona en el modo de grabacin, de una manera similar a AFM, sin embargo, se incrementa la distancia punta-muestra. Esta separacin hace que las oscilaciones sensibles a las fuerzas electrostticas de largo alcance. El gradiente de estas fuerzas est relacionado con la diferencia de potencial entre la punta y la muestra [167] y [168] . Por lo tanto, a diferencia de C-AFM, esta tcnica mide una interaccin electrosttica entre dos obj etos en lugar de un flujo de corriente directa [169] . Como no hay contacto entre la punta y la muestra, esta tcnica es muy adecuado para materiales blandos, tales como polmeros conjugados.Tambin se requiere ninguna preparacin de la muestra y produce una resolucin espacial y la informacin de alta tensin, lo que significa que esta tcnica es muy til para el anlisis de la relacin entre la estructura de la pelcula y la funcin de trabajo. Hoppe et al. utilizado KPM para estudiar la energtica de la superficie de una clula solar orgnica que consiste en MDMO-PPV: PCBM. El objetivo principal de esta investigacin fue identificar las diferencias en las propiedades de pelcula como resultado del uso de diferentes disolventes, a saber, el tolueno o clorobenceno [167] . Transmisin de electrones desde el aceptor de PCBM al ctodo se analiz y se determin que exista una barrera morfolgica de este proceso en las pelculas emitidos utilizando tolueno como disolvente. La trama de la topografa de la superficie y la funcin de trabajo antes y despus de la iluminacin se muestra en la figura. 23 . Esto proporciona evidencia de que se requiere la formacin de vas de percolados apropiado para ambas electrones y los huecos para el buen funcionamiento del dispositivo.Ms recientemente, Spadafora et al. KPM demostrado con la resolucin lateral potenciomtrica en una escala sub -10 nm [83] . La excelente resolucin se logr mediante la optimizacin de la amortiguacin de la seal, que se produce debido a la disipacin de la energa durante las interacciones punta-de la muestra. La separacin de fases y las propiedades electrnicas de P3HT optimizado: clulas solares PCBM fueron controlados simultneamente con una excelente resolucin. Bajo iluminacin, la extensin lateral de la zona de carga espacial en el D-Una interfaz se investig, proporcionando informacin topogrfica til sobre la mezcla. Aunque esta tcnica proporciona un notable resolucin en la determinacin de la informacin topogrfica y potenciomtrica, el aparato requiere las cond iciones de ultra alto vaco (UHV), ya que la contaminacin reduce significativamente la precisin [170] .

5. Discusiones
Hay una serie de cuestiones que se deben comprender y superar antes de que el potencial de esta tecnologa puede ser realizado. En primer lugar, es imperativo para encontrar la combinacin ms ptima de los materiales orgnicos e inorgnicos para las clulas solares hbridas. Esto requiere una cuidadosa consideracin de el tamao de los huecos de la banda de material individuales, lo que afecta el rango de absorcin y por lo tanto mxima obtenible J sc , y la brecha de la banda diagonal de la heterounin, que determina el mximo obtenible V OC .Adicionalmente las compensaciones estatales estatales y emocionado de tierra, que rigen la capacidad tanto para polmeros y nanopartculas inorgnicas para disociar excitones, deben tenerse en cuenta. Los avances en la qumica de los polmeros estn llevando al avance, nuevos polmeros brecha de banda baja que se puede lograr una mejor respuesta espectral mientras que todava permite una gran V oc . La estructura electrnica ideal del material inorgnico se piensa que es una banda prohibida de 1,5 eV ~, con un nivel HOMO desplazamiento de ~ 0,3 eV para permitir la disociacin de excitones xito formado en el componente inorgnico. Estas caractersticas estn relacionadas tanto con la banda prohibida mayor parte del material, as como el grado de confinamiento cuntico, tal como se determina por la geometra fsica de las nanopartculas. Se requieren avances en los procesos sintticos utilizados para formar el material inorgnico.Reproducibles, estructuras bien ordenados son vitales para la optimizacin de la capa fotoactiva, sin embargo, estas estructuras deben ser fabricados usando tcnicas que son fcilmente escalables. Adems, es necesario un control preciso sobre la geometra fsica de la nanopartcula para adaptar y optimizar la estructura electrnica. Un aspecto crucial es la qumica de la superficie de las nanopartculas inorgnicas. El ligando orgnico que se une a la superficie de la nanopartcula durante la sntesis debe ser tratada para garantizar el transporte de carga eficiente. Esta qumica de la superficie puede ser favorablemente alterado por un intercambio del ligando aislante de espesor con una molcula ms conductor, tal como piridina, sin embargo, esto no es necesariamente ideal. Nuevas tcnicas sencillas, como los tratamientos de cido o recocido trmico debe ser desarrollado para permitir las propiedades de transporte de carga mejoradas de nanopartculas inorgnicas para ser utilizados dentro de un dispositivo hbrido. Como alternativa, in situ, el crecimiento de la fase inorgnica se puede eliminar el requisito de tratamientos de superficie, sin embargo, si esto es para ser una solucin a largo plazo, debe tambin ser compatible con el procesamiento de alto rendimiento. Vinculado a la qumica de la superficie de la nanopartcula es el nanomorphology de la capa fotoactiva. Es muy importante que un equilibrio entre la zona interfacial y vas conductoras continuas se mantiene dentro de la capa fotoactiva. Esto se puede conseguir por nanoestructuras

verticales de nanobastones inorgnicos o nanocables, que actan como el aceptor de electrones. Fsicamente fabricar estas estructuras plantea muchos retos de ingeniera, tal vez el principal desafo est relacionado con las dimensiones fsicas exigidas de la c apa fotoactiva, debido a la longitud de difusin excitnica en polmeros conjugados tpicos. Para las clulas solares hbridas que utilizan nanocristales o tetrpodos dispersadas en una matriz de polmero, la composicin de los disolventes utilizados jugar un papel importante en la determinacin de la nanomorphology pelcula. Se requiere una mejor comprensin de los principios fundamentales que rigen el funcionamiento de las clulas solares hbridas para aumentar la eficiencia y eficacia del rendimiento del dispositivo. Esto puede ser proporcionado por las nuevas tcnicas de caracterizacin avanzadas tales como C-AFM y la tomografa de electrones. Los puntos anteriores describen importantes investigaciones futuras se requiere para aumentar el PCE de clulas solares hbridas. Mientras PCE es de vital importancia, no debe ser la nica consideracin de investigadores en el campo. Proceso rpido, barato se utiliza como la principal justificacin de esta tecnologa, sin embargo, poca investigacin todava es centr arse en la fabricacin y procesamiento. Antes de clulas solares hbridos orgnico-inorgnicos pueden considerarse convincente, los es necesaria asociados la demostracin del proceso de de la produccin de alto ser volumen. Adems, costes fabricacin deben

entendidos [171] . Hasta que se lleve a cabo este tipo de investigacin, la tecnologa puede ser considerada ms que una curiosidad cientfica. Las investigaciones preliminares que exploran estas preocupaciones se han realizado recientemente para dispositivos OPV [7] , [14] , [15] y [172] . Un aspecto adicional a considerar es la estabilidad ambiental del mdulo de dispositivo / [47] , [48] y [173] . Tales investigaciones sern importantes en la determinacin de la viabilidad comercial de esta tecnologa, que es, en ltima instancia, la consideracin ms importante. La Tabla 2 muestra una descripcin concisa de la comprensin actual de los aspectos comerciales relacionados con esta tecnologa. Su objetivo es dar una comparacin de la idoneidad para la produccin comercial de los cuatro grupos de materiales inorgnicos estudiados en este artculo. El silicio es un elemento no-txico. Semiconductores de xido de metal, algunos de los cuales se utilizan en productos de consumo tales como protector solar, pintura y pasta de dientes, generalmente se consideran no txicos [174] . Cadmio compuestos basados son inherentemente txicos, como son los materiales de banda prohibida bajas que contengan plomo (por ejemplo, PBS). Mientras que los niveles de toxicidad variable puede existir dentro de los diferentes grupos de materiales discutidos, todava hay conjetura con respecto a los peligros para la salud asociados a los nanomateriales inorgnicos. Varios informes han sugerido que la inhalacin de nanopartculas puede conducir a problemas de salud, no slo para el sistema respiratorio, sino

tambin el sistema circulatorio y otros rganos [175] . Este es un problema de procesamiento que debe abordarse adecuadamente antes de la fabricacin de esta tecnologa puede ser acelerado. Un problema con respecto a la toxicidad de los pasos de procesamiento, aparte de los materiales por s solos, es la dependencia de los disolventes clorados [176] . Alternativas favorables al medio ambiente deben ser encontrados. Dong et al. demostrado recientemente un procesado clula solar hbrido orgnico-inorgnico todo-agua-solucin [177] . Poli (fenileno vinileno) (PPV) se utiliz como material donante y anatasa TiO 2 se us como el aceptor de electrones. Aunque el dispositivo hbrido slo logra un PCE de 0,11%, la demostracin de la utilizacin de agua como el disolvente de procesamiento representa una alternativa respetuosa del medio ambiente necesario disolventes anteriores. Para garantizar el crecimiento sostenible de la energa fotovoltaica como fuente de energa, la abundancia de los materiales, se debe tener en cuenta [178] y [179] . Con el fin de cumplir con los incrementos previstos en la demanda de energa, se ha sugerido que 1 GW p se requiere de la produccin diaria en un nivel global[2] . Aunque es difcil de cuantificar el posible volumen de produccin de nanopartculas semiconductoras, la disponibilidad de las materias primas da alguna indicacin de la idoneidad de un material para cumplir con el requisito de la significativa ampliacin de la escala de la produccin. Un excelente recurso para estos datos es la Encuesta Geolgica de EE.UU., los resmenes de las materias primas minerales [180] . En cuanto a los semiconductores inorgnicos para clulas solares hbridas, el silicio es el ms abundante. Algunos elementos comnmente utilizados en la fotovoltaica tienen limitaciones en su disponibilidad, lo que podra limitar su idoneidad para la produccin a gran e scala. Telurio y el indio son dos de tales elementos. Estos se utilizan en los compuestos CdTe y CuInSe 2 . Para cumplir con la produccin mejora de la resolucin, que se ocupa de los incrementos previstos en la demanda de energa, semiconductores que utilizan estos materiales deben ser evitados. Otra preocupacin con respecto a la disponibilidad de indio es la produccin de ITO, el xido conductor transparente que se usa como nodo para la OPV y dispositivos hbridos. El indio es el principal constituyente de ITO. Mientras ITO ofrece un equilibrio entre la transparencia y alta conductividad efectiva, el desarrollo futuro de la tecnologa requiere una alternativa. Varios mtodos de fabricacin de dispositivos que no requieren una capa de ITO se han demostrado [181] y [182] . La vida til de las clulas solares hbridos orgnico-inorgnicos es clave para el xito de la tecnologa, ya que tiene una gran influencia en la confianza de los inversores y el inters de los consumidores. Clulas solares hbridas podran tericamente lograr una mayor estabilidad en comparacin con la OPV. Un obstculo importante para las clulas solares orgnicas de heterounin a granel, que utilizan los fullerenos como el aceptor de electrones, es la inestabilidad de la estructura metaestable de la capa fotoactiva [183] .Esta estructura es propenso a la reorganizacin como consecuencia de elevadas temperaturas, o incluso despus de la hora a la temperatura ambiente, a menudo conducen a un rendimiento reducido. Esto es causado por el

movimiento de PCBM, que tiende a formar agregados [184] . La sustitucin de PCBM con una nanopartcula inorgnica puede permitir estructuras ms estables en la capa fotoactiva. Dentro de la literatura, no existe casi ninguna informacin sobre tiempos de vida empricas de clulas solares hbridas.Uno de los primeros informes de este tipo fue publicado por Dayal et al. Los autores mostraron que despus de almacenar un PCPDTBT: dispositivo hbrido seleniuro de cadmio en una caja de guantes en una N 2ambiente durante 3 meses, el PCE era todava ms de 3%, que supera el 90% de los dispositivos de PCE inicial [21] . Sin embargo prometedor, estas condiciones no representan los experimentados en aplicaciones del mundo real. Yang et al. demostrado una mejora en la estabilidad de P3HT: dispositivos CdSe mediante la incorporacin de una capa de ZnO entre la capa activa y el ctodo [185] . La vida til de estos dispositivos, sin una capa de ZnO, en el aire ambiente, sin encapsulacin se dice que es muy corto. Con una capa de ZnO, la eficiencia del dispositivo se mantuvo en el 70% despus de la exposicin a condiciones de laboratorio ambientales durante 75 das. Se cree que la causa de esta mejora en la estabilidad del dispositivo de estar relacionada con una reduccin en la oxidacin del polmero, como las molculas de oxgeno y el agua son bloqueadas por la capa de nanocristales de ZnO. Es evidente a partir de la pequea cantidad de literatura existente que la estabilidad dispositivo para clulas solares hbridas es una preocupacin apremiante, y que las modificaciones a la estructura convencional son necesarios. Muchos informes de laboratorio han reportado una alta eficiencia de los dispositivos de reas pequeas, el uso de mtodos de procesamiento por lotes, como recubrimiento por centrifugacin y evaporacin trmica.El prximo reto de este creciente campo de la investigacin es demostrar la capacidad previamente asumida de producir clulas solares de gran superfi cie con un alto rendimiento, tcnicas de fabricacin de bajo coste. Esta es una perspectiva particularmente difcil, ya que hay mltiples diferentes tcnicas de impresin posibles que podran ser empleados para lograr este objetivo [176] y [186] . Adems, la delicada dependencia entre los muchos parmetros de procesamiento afiliados con la produccin de dispositivo a escala de laboratorio, que ha sido investigado en gran medida, no es necesariamente transferible a la produccin a gran escala. La investigacin debe ser dirigida en el descubrimiento de los parmetros de procesamiento ptimas, particularmente para el recubrimiento y secado de las capas dentro del dispositivo.La primera dicha investigacin se inform por Wengeler et al., Por lo que los autores demostraron la preparacin de la cuchilla y la ranura mueren las clulas solares hbridas recubiertos. P3HT: clulas solares de puntos cunticos con un PCE de 1,18% se produjeron usando la tcnica de revestimiento con cuchilla, lo que representa un impresionante primer paso [187] . El impacto de las condiciones de secado en el rendimiento celular fue investigado. Se demostr que el flujo de aire de secado ms baja produce una mayor densidad de corriente y por lo tanto mayor PCE. Todos los materiales inorgnicos descritos en este artculo, a excepcin de las nanopartculas de xido de metal bien alineados, seran compatibles con los mtodos de recubrimiento de alto rendimiento para producir

dispositivos hbridos, como se describe por Wengeler et al., Ya que normalmente se dispersan dentro de una matriz de polmero mediante el recubrimiento de una solucin. La fabricacin de nanoestructuras bien verticalmente alineados utilizando xidos metlicos, con dimensiones fsicas optimizadas, pueden proporcionar beneficios a la operacin del dispositivo, sin embargo, la produccin de una estructura de este tipo usando mtodos compatibles con el procesamiento de rollo-a-rollo es una tarea de enormes proporciones, que requiere esfuerzos de ing eniera de procesos intensivos. Otra consideracin importante es la energa incorporada en la clula solar durante los procesos de fabricacin. Existen varios informes sobre anlisis del ciclo de vida de los dispositivos OPV [188] y [189] .Estos informes muestran un panorama relativamente positivo, lo que sugiere que el impacto ambiental asociado con un alto rendimiento, bajo costo de fabricacin de clulas solares orgnicas es baja.Recientemente se inform un anlisis del ciclo de vida inicial, teniendo en cuenta las clulas solares hbridas[190] . Este informe se centra exclusivamente en las tcnicas de fabricacin basados en el laboratorio, no en los mtodos de rollo a rollo. Es tambin concluye con una perspectiva positiva, sin embargo, se demuestra que la degradacin de la eficiencia tiene un gran impacto en la sostenibilidad de esta tecnologa.Un estudio ms amplio, incluyendo los datos de produccin a escala comercial se requiere establecer reas de investigacin que requieren atencin de la crtica.

6. Conclusin
Los beneficios de los costos asociados con el uso de materiales orgnicos para dispositivos fotovoltaicos podran hacer VPO como una fuente viable de energa renovable. La adicin de un material aceptor inorgnico para formar una clula solar hbrido orgnico -inorgnico tericamente debera mejorar el rendimiento de la OPV, debido a ventajas adicionales tales como la mejora de las caractersticas de transporte de carga y absorcin mejorada. Sin embargo, hasta la fecha, la eficiencia de las clulas solares hbridas han sido muy bajos, en comparacin con sus homlogos completamente orgnico. Hay algunas consideraciones de diseo al elegir un material inorgnico apropiado. Se ha identificado que un diseo electrnico ptima para un material de este tipo sera una banda prohibida de 1,5 eV y un nivel HOMO de desplazamiento de 0,3 eV para permitir tanto una contribucin significativa la absorcin, as como una gran V OC . Existen, sin embargo, las consideraciones fsicas adicionales que deben tenerse en cuenta al elegir un material apropiado. Los diferentes materiales que hasta ahora han sido considerados tienen ventajas y desventajas, sin embargo, ningn material se ha acoplado con un polmero para proporcionar un rendimiento elctrico superior a la de un dispositivo de VPO, para el que se han logrado PCE de 10%. La principal limitacin para el rendimiento del dispositivo est relacionada con el efecto del

ligando de superficie aislante en el rendimiento elctrico de las nanopartculas. Nuevos tratamientos para reducir este efecto negativo prometedores para realizar el potencial de esta tecnologa. Otro inconveniente asociado con la adicin de un material inorgnico es la nanomorphology aparentemente no ideal de una estructura hbrida. Se requiere una comprensin ms profunda de esta propiedad, as como la de los mecanismos fundamentales que determinan el funcionamiento de las clulas solares hbridos para aumentar la eficiencia y eficaci a el rendimiento del dispositivo. Esto puede ser proporcionado por las nuevas tcnicas de caracterizacin avanzadas tales como conductiva AFM y espectroscopia de absorcin transitoria. Las mejoras que permiten el pleno potencial de las clulas solares hbridas para ser realizadas podran hacer que esta tecnologa una fuente limpia muy competitivo de la energa para el futuro.