NDICE INTRODUCCIN LOS TRANSISTORES MARCO CONCEPTUAL

I. LOS TRANSISTORES. 1.1 DEFINICIN. 1.2 ELEMENTOS DE UN TRANSISTOR O TRANSISTORES: 1.3 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES 1.4 FUNCIONAMIENTO BSICO DEL TRANSISTOR 3 3 4 5 5

II.

TIPOS DE TRANSISTORES
2.1 2.2 2.3

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN, BJT. ( PNP o NPN ) - BJT, 8 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (JFET, MESFET, MOSFET ) -JFET, 9 TRANSISTORES HBT y HEMT. 10 10 11 11 11 11

III.

TIPOS DE TRANSISTORES SEGN FABRICACIN 3.1 TRANSISTOR DE PUNTA DE CONTACTO: 3.2 TRANSISTOR DE UNIN POR CRECIMIENTO: 3.3 TRANSISTOR DE UNIN DIFUSA: 3.4 TRANSISTORES EPITAXIALES:

MARCO TERICO DE LOS TRANSISTORES IV. TRANSISTOR BIPOLAR. 4.1 El transistor de unin bipolar V. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO 5.1 El transistor de efecto campo 5.2 Tipo de transistores de efecto campo CONCLUSIONES BIBLIOGRAFAS ANEXOS (FICHAS TCNICAS)

15 15 18 18 20 23 24 25

INTRODUCCIN
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base).

LOS TRANSISTORES MARCO CONCEPTUAL

I.

LOS TRANSISTORES. 1.1 DEFINICIN. Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los elementos semiconductores1.

Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin, con muchsimas ventajas.

SMBOLO DE UN TRANSISTOR

1.2 ELEMENTOS DE UN TRANSISTOR O TRANSISTORES:

1

BAON, David. (2013). La historia de los transistores, Artculos electrnico; Disponible en: http://www.ojocientifico.com/4175/la-historia-de-los-transistores.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo N y una capa tipo P, o bien, de dos capas de material tipo P y una tipo N. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP. EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su l a b o r e s l a e q u i v a l e n t e a l CATODO e n l o s t u b o s d e v a c o o " l m p a r a s electrnicas. BASE, que controla ctodo en los tubos el flujo de de los portadores de o "lmparas"

corriente. Su labor es la e q u i v a l e n t e a l a REJILLA vaco electrnicas. COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

1.3 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES2 OBJETIVOS: CONTROL DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR.

Conectar varios circuitos y observar las caractersticas del control de corriente de un transistor. TRANSISTORES DE EN CONDICIN DE POLARIZACIN. Aplicar polarizacin directa e inversa a un transistor, medirla tensin de salida y determinar los rangos de operacin lineal. CONFIGURACIN DEL AMPLIFICADOR. Aplicar polarizacin directa e inversa a circuitos con emisor comn y colector comn, identificar la ganancia de tensin y la relacin de fase en estos circuitos. DISIPACIN DE POTENCIA DE UN TRANSISTOR. Determinar la condicin nominal de operacin de un transistor. 1.4 FUNCIONAMIENTO BSICO DEL TRANSISTOR En resumen, los transistores son dispositivos electrnicos de estado slido, cuando sobre un semiconductor se ponan dos puntas metlicas y a una se le aplicaba una cierta tensin, la corriente en la otra venia influenciada por la de la primera; a la primera punta se la denomina emisor; al semiconductor , base y a la otra punta, colector. Posteriormente se encontr que igual fenmeno ocurra si se unan dos semiconductores polarizados en sentido inverso a otro de distinto tipo; as se construyen los transistores de unin, que son los ms empleados. Segn la estructura de sus uniones, los transistores pueden ser p-n-p o n-p-n; sustituyen con ventajas a los trodos de

ALADRO Jos. (2013) Cursillo de Electrnica Prctica, Universidad de Granada. Disponible en: http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0304/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm

vaco y vlvulas termoinicas multielectrodicas, al menos en lo que a bajas potencias se refiere. El transistor cobra su importancia al ser un componente capaz de cambiar de estado, permitindole cambiar o amplificar de acuerdo a las condiciones de trabajo y diseo, fluctuando entre un estado conductor y uno insulador.

a)

Insulacin La grafica muestra al transistor en su efecto de cambio cuando el transistor est hecho para alterar su estado de inicio de conductividad (prendido, la corriente al mximo) a su condicin final de insulacin (apagado y sin flujo de corriente). La corriente fluye desde el emisor (punto E) al colector (punto C). Cuando un voltaje negativo se le aplica a la base (punto B), electrones en la regin base son empujados (como dos cargas que se repelan, en este caso dos negativas) creando la insulacin. La corriente que flua desde el punto E al punto C se detiene.

b)

Conductividad La grafica muestra el efecto del transistor cuando pasa de su estado de insulacin (apagado y sin flujo de corriente) a su estado final de conductividad (prendido, la corriente al maximo). El transistor trabaja al principio como un insulador. Para que pueda tener conductividad, voltaje positivo tiene que ser aplicado a la base (punto B). Como las cargas positivas se atraen (en este caso, positivo y negativo), los electrones se halados fuera de los limites y deja que siga el flujo de corriente como lo muestra la figura. El transistor se cambio de insulador a conductor.

El transistor se puede conmutar en corte y conduccin variando la polarizacin en el electrodo de base con respecto al potencial de emisor. Ajustando la polarizacin a un punto situado aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la saturacin se situar el punto de trabajo del transistor en la regin activa de funcionamiento. Cuando funciona en esta regin el transistor es capaz de amplificar. Las caractersticas de un transistor polarizado en la regin activa se pueden expresar en trminos de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo que en los tubos de vaco.

El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos matemticos por medio de ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias. Estas relaciones se denominan parmetros hbridos y definen los valores instantneos de tensin y de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los parmetros permiten predecir el comportamiento del circuito en particular sin construirlo realmente. A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms tiles en las aplicaciones del transistor: Ganancia de resistencia: Se expresa como razn de la resistencia de salida a la resistencia de entrada. La resistencia de entrada de un transistor tpico es baja, aproximadamente 500 ohmios, mientras la resistencia de salida es relativamente alta, ordinariamente ms de 20.000 ohmios. Para un transistor de unin la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50.

 Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia. Un transistor de unin que tiene un valor de alfa menor que la unidad, no obstante, una ganancia de resistencia del orden de 2.000 a causa de que su resistencia de salida es extremadamente alta, y la ganancia de tensin es aproximadamente 1.800. Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de resistencia, y es del orden de 400 o 500. Hay tres configuraciones bsicas: conexin de base a masa, conexin de emisor a masa y conexin de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de rejilla a masa, ctodo a masa y placa a masa en la terminologa del tubo de vaco.

II.

TIPOS DE TRANSISTORES II.1 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN, BJT. ( PNP o NPN ) BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar Junction Transistor).El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta3.

BAON, David. (2013). La historia de los transistores, Artculos electrnico; Disponible en: http://www.ojocientifico.com/4175/la-historia-de-los-transistores.

2.2 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (JFET, MESFET, MOSFET ) -JFET, De efecto de campo de unin (JFET): Tambin llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.

En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro ordenador. Aplicando tensin positiva entre el ordenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de ordenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para serpositiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.

2.3 TRANSISTORES HBT y HEMT. Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinacin de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Observemos el siguiente ejemplo:

III.

TIPOS DE TRANSISTORES SEGN FABRICACIN Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de construccin y uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos de fabricacin son4:

CUERVO, Oscar Alberto; Escalada, M.J.; (2007). Escribano. Historia del Transistor, Universidad Abierta Interamericana, Facultad de Ingeniera en Sistemas, Electromagnetismo y Estado Solido II. Disponible en: http://ees.wikispaces.com/Historia+del+transistor.

3.1 TRANSISTOR DE PUNTA DE CONTACTO: El transistor primario. Consiste en electrodos de emisor y colector tocando un pequeo bloque de germanio llamado base, que poda ser de tipo N y del tipo P, siendo un cuadrado de 0.05 pulgada de lado. Era difcil de controlar, por lo que ya hoy se encuentras in uso por estar anticuado.

3.2 TRANSISTOR DE UNIN POR CRECIMIENTO : Se obtienen sus cristales realizando un proceso de crecimiento, desde el germanio y el silicio fundidos de forma que presenten uniones con muy poca separacin incrustadas en la pastilla.

Las impurezas se transforman durante el crecimiento del cristal y producen lingotes PNP o NPN, de los que se obtiene pastillas individuales, de unin a su vez pueden ser de unin de crecimiento, unin por alineacin o de campo interno, que es aqul en quela concentracin de impurezas se encuentra en una cierta zona de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transmisor.

3.3 TRANSISTOR DE UNIN DIFUSA: Utilizable en un margen amplio de frecuencias en el proceso de fabricacin se utiliza silicio, lo que favorece la capacidad de potencia. Se subdividen en los de difusin nica (hometaxial), doble difusin, doble difusin planar y triple difusin.

3.4 TRANSISTORES EPITAXIALES: Transistor de unin obtenido por el proceso de crecimiento en pastill a desemiconductor y procesos fotolitogrficos utilizados para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento. Se

subdividen en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobre capa. En las siguientes hojas observaran algunas imgenes de los posibles transistores que existen en el mercado: TRANSISTORES DEL TIPO BC

TRANSISTORES DEL TIPO BU

TRANSISTORES DE POTENCIA MOS-FET Diodo supresor de transitorios K610-CE-9216, tensin de actuacin 26.7V, aguanta hasta 500W durante varios milisegundos, se conecta como un cener: 1.04;172 pts.

PUENTES RECTIFICADORES

VLVULAS TERMOINICAS

Las tcnicas de fabricacin, las aplicaciones a que son destinados y las restricciones a que estn sometidos dan por resultado una multitud de tipo de transistores, la mayora de los cuales pertenecen a los grupos generales que acabamos de mencionar. Por otra parte, los transistores pueden ser agrupados en familias dentro de las cuales cada uno de sus miembros es un tipo nico, pero entre ellos se pueden establecer sutiles
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diferencias en cuanto a la aplicacin, ganancia, capacidad, montaje, caja o cpsula envolvente, terminales, caractersticas de tensin de ruptura, etc.

Adems, el estado actual de la tcnica permite tener en cuenta los parmetros del transistor en el diseo para que se adapten a los diversos equipos en condiciones de economa, en vez de disear el equipo basndose en los tipos disponibles de transistor. Esto da lugar a que gran nmero de equipos de transistores tengan caractersticas generales casi idnticas.

MARCO TERICO DE LOS TRANSISTORES

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IV.

TRANSISTOR BIPOLAR. 4.1 El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT fue inventado en 1947) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. El transistor bipolar est formado por una unin PN y por otra NP, caracterstica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media. El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, Comportndose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

Funcionamiento En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
2

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.

Control de tensin, carga y corriente. La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin baseemisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensincorriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva tensincorriente exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando TBJ con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. Transistor Bipolar de Heterounin
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El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia.

Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la juntura emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor.

Regiones operativas del transistor Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: a) Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

b)

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en

modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

c)

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0); En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).

d)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima); En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib).

V.

TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO 5.1 El transistor de efecto campo ield-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.

La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina emiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFTs ( thin-film transistores, o transistores de pelcula fina), por otra parte, es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFTs es como pantallas de cristal lquido o LCDs).

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-OxideSemiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator- Semiconductor FET).

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. Los de efecto de campo o FET son de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo
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de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor usados digitales. en estado de en conduccin electrnica o no digital, conduccin, y son el respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son extenssimamente componente fundamental de los circuitos integrados o chips

5.2 Tipo de transistores de efecto campo El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Los tipos de FETs son: Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta: El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin pn. El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. En el HEMT (High Electron Mobility Transistor ), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta el cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor).

Los

IGBT

(Insulated-gate

bipolar

transistor)

es

un

dispositivo para control de potencia. Son comn mente usada cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. An as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales . La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino. Caractersticas Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza Conmutador (Interruptor). Hasta cierto punto inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

En cada extremo de la barra se establece un contacto hmico, que representa un transistor de efecto de campo tipo N en su forma ms sencilla. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N (desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente entre s, se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro drenador. Si se aplica una tensin positiva entre el drenador y el surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente.

Esta corriente es la ms importante en un dispositivo de efecto de campo y se le denomina corriente de drenador con polarizacin cero (IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado tensin de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conduccin en el canal.

CONCLUSIONES

El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientfico y tecnolgico, dado su amplia versatilidad y su gran aplicabilidad en la investigacin y desarrollo. Sus fundamentos fsicos son fundamentados en las bases de la mecnica cuntica, aprovechando sus concepciones y formulaciones tericas es posible llevar a la prctica elementos prcticos e innovadores como el transistor. La incursin de los transistores sustituyo los tubos al vacio y permiti la reduccin de sistemas y diseos electrnicos, siendo estos ms estables y de mayor rendimiento. El estudio del efecto de transicin de niveles de energa y el espectro atmico fueron decisivos en la formulacin terica del transistor, adems del estudio del tomo de la mecnica cuntica y la fsica atmica, permitiendo aprovechar las propiedades intrnsecas de los tomos de Germanio, fosforo entre otros, para el diseo de sistemas basados en las reacciones atmicas entre ellos por sus electrones, perfeccionando este proceso hasta llevarlo a lo que actualmente conocemos como transistores. Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Con el desarrollo de este trabajo adems de consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras capacidades investigativas, son importantes conocimientos en algunos casos en forma de cultura general. Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha proporcionado un gran avance a la ciencia no solo a la electrnica sino a la ciencia de forma general porque casi todos equipos que tenemos en la actualidad funcionan con componentes elctricos y con presencia de transistores.

BIBLIOGRAFA
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BOYLESTAD. Electrnica teora y circuitos. Editorial Prentice hall. 6 edicin.

COUGLHLIN Y DRISCOLL. Amplificadores operacionales. Editorial Prentice hall. 5 edicin.

BAON, David. (2013). La historia de los transistores, Artculos electrnico; Disponible en: http://www.ojocientifico.com/4175/la-historiade-los-transistores.

ALADRO Jos. (2013) Cursillo de Electrnica Prctica, Universidad de Granada. Disponible en: http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0304/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm

CUERVO, Oscar Alberto; Escalada, M.J.; (2007). Escribano. Historia del Transistor, Universidad Abierta Interamericana, Facultad de Ingeniera en Sistemas, Electromagnetismo y Estado Solido II. http://ees.wikispaces.com/Historia+del+transistor. Disponible en:

GRAY P.E.; Dewitt D.; Boothroyd A.R.; Gibbons J.E. (2002). Electrnica Fsica y modelos de circuitos de transistores, SEEC, Tomo 2, Editorial Revert S.A. Barcelona, Espaa. Pg. 1-3. Disponible en: http://books.google.com.pe/books? id=dwVAPlYGyfsC&pg=PA173&lpg=PA173&dq=referencias+bibliograficas +SOBRE+LOS+TRANSISTORES.

ANEXO
(MODELO DE FICHAS TCNICAS DE INFORMACIN DE DIFERENTES MARCAS).