TESIS DEFENDIDA POR Francisco Ruiz Zepeda Y APROBADA POR EL SIGUIENTE COMIT

Dr. Oscar Edel Contreras Lpez Director del Comit

Dr. Miguel valos Borja Miembro del Comit

Dr. Wencel de la Cruz Hernndez Miembro del Comit

Dr. Rafael Garca Gutirrez Miembro del Comit

Dr. Leonardo Morales de la Garza Miembro del Comit

Dra. Laura Viana Castrilln Coordinador del programa de posgrado en Fsica de Materiales

Dr. David Hilario Covarrubias Rosales Director de Estudios de Posgrado

5 de julio de 2010.

CENTRO DE INVESTIGACIN CIENTFICA Y DE EDUCACIN SUPERIOR DE ENSENADA

PROGRAMA DE POSGRADO EN CIENCIAS EN FSICA DE MATERIALES

MICROESTRUCTURA DE PELICULAS DE NITRURO DE GALIO CRECIDAS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO

TESIS que para cubrir parcialmente los requisitos necesarios para obtener el grado de DOCTOR EN CIENCIAS

Presenta: FRANCISCO RUIZ ZEPEDA

Ensenada, Baja California, Mxico, julio del 2010.

RESUMEN de la tesis de Francisco Ruiz Zepeda, presentada como requisito parcial para la obtencin del grado de DOCTOR EN CIENCIAS en Fsica de Materiales. Ensenada, Baja California. Julio 2010. MICROESTRUCTURA DE PELICULAS DE NITRURO DE GALIO CRECIDAS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO Resumen aprobado por:

________________________________ Dr. Oscar Edel Contreras Lpez Director de Tesis

Esta tesis aborda algunos desafos que enfrenta el crecimiento de capas de GaN de alta calidad sobre sustratos de silicio. Las estructuras investigadas en el presente trabajo, son estructuras tpicas utilizadas como soportes para la incorporacin de dispositivos luminiscentes. Primero, mediante microscopa electrnica de transmisin y microscopa de fuerza atmica, se realiz un estudio de la microestructura y la morfologa de la superficie de pelculas de GaN, crecidas sobre sustratos de silicio (111) utilizando una capa buffer de AlN expuesta a distintos tiempos de flujo de silano (SiH4). A un tiempo ptimo de tratamiento, se observ un crecimiento por flujo de escalones predominante en la superficie de GaN y se midi un valor mnimo de rugosidad en la superficie. A mayores tiempos de tratamiento se registr una reduccin de hasta en un orden de magnitud en la densidad de dislocaciones. Se ha propuesto que el aumento en la calidad de la superficie y la estructura, se debe al proceso de aniquilacin de dislocaciones por efecto de mascarilla, formada por el SiNx, y a la incorporacin de Si en la estructura. Posteriormente, se llev a cabo un anlisis por medio de microscopa electrnica de transmisin, de capas de GaN crecidas sobre sustratos de Si(110) utilizando una capa de nucleacin de AlN de alta temperatura y dos capas de AlN de baja temperatura. Las imgenes de alta resolucin mostraron una interfaz abrupta entre el AlN y el sustrato y una relacin epitaxial coherente entre los planos (1 1 00 )AlN y (001)Si. El arreglo atmico y la configuracin del enlace en la interfaz AlN(0001)/Si(110) se analiz considerando la coordinacin del enlace qumico, el desacople de red y el balance de la carga neta. Las imgenes de la microestructura de GaN/AlN/Si(110) mostraron que nicamente las dislocaciones de borde se doblan sobre el plano basal, generando segmentos horizontales alineados a lo largo de la direccin de mnimo desacople [ 1 1 00 ] de la pelcula de GaN/AlN sobre Si(110). Se ha propuesto que la generacin de los defectos horizontales se debe al desacople en la interfaz AlN/Si(110) y son consecuencia de una fuerza con componentes de deslizamiento y escalamiento, presente slo

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en algunos de los planos prismticos del GaN. Estos resultados contribuyen a la comprensin de la naturaleza de los defectos en las pelculas de GaN crecidas sobre sustratos de silicio, particularmente en la relajacin del esfuerzo en la estructura GaN/AlN/Si(110), y en el mejoramiento de la calidad cristalina en el sistema GaN/AlN/Si(111), bajo la incorporacin de altas cantidades de silicio en la capa buffer de AlN.

Palabras Clave: Nitruro de Galio, Dislocaciones, Microscopa Electrnica de Transmisin.

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ABSTRACT of the thesis presented by Francisco Ruiz Zepeda as a partial requirement to obtain the DOCTOR OF SCIENCE degree in Materials Physics. Ensenada, Baja California, Mexico. July 2010.

MICROSTRUCTURE OF GALLIUM NITRIDE FILMS GROWN ON SILICON SUBSTRATES

This dissertation addresses some challenges facing the growth of high-quality GaN layers on silicon substrates. The structures investigated here, are commonly used as wafers to incorporate light emitting devices on top. In the first part, the microstructure and surface morphology of GaN films grown on AlN seed layers exposed to silane flow are studied by transmission electron microscopy and atomic force microscopy. The AlN seed layer surface was treated at different SiH4 exposure times prior to the growth of the GaN film on silicon (111) substrates. At an optimal SiH4 exposure time, a step-flow growth mode in the GaN film is observed. In this regimen the surface roughness has its lowest value recorded. With further exposure time the dislocation density is reduced nearly by an order of magnitude. The improvement in quality of the surface and structure of the films is observed to be related to an annihilation process of threading dislocations by effect of SiNx masking and Si incorporation. In the second part of this thesis, the interface and the microstructure of GaN layers grown on Si(110) substrates using low-temperature AlN interlayers and a high-temperature AlN seed layer are explored. High resolution transmission electron images from the AlN/substrate interface, show an abrupt crystalline interface and a highly coherent epitaxial relationship between (1 1 00 )AlN and (001)Si planes. The atomic arrangement and bonding configuration at the AlN(0001)/Si(110) interface are analyzed by considering the chemical coordination, lattice mismatch and net charge balance. Contrast images from the microstructure of the GaN epilayers, show that edge type threading dislocations bend over the basal plane, generating horizontal segments aligned along the closely lattice matched direction [ 1 1 00 ] of GaN. It has been proposed, that the horizontal defects are generated by a driven force with glide and climb components manifested on some of the prismatic slip planes of GaN due to the anisotropic misfit strain originated at the AlN/Si(110) interface. These findings bring understanding to the nature of defects in gallium nitride films grown on silicon substrates, particularly in lattice mismatch relaxation for the system GaN/AlN grown on Si(110), and to the improvement of crystal quality under the incorporation of -silicon on AlN seed layer for GaN grown on Si(111).

Keywords: Gallium Nitride, Dislocations, Transmission Electron Microscopy.

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Dedicatorias

A mis padres Francisco Ruiz Medina y Alicia Zepeda de Ruiz, quienes hicieron todo esto posible. A mis hermanos Juan Miguel Ruiz Zepeda y Ramn Fermn Ruiz Zepeda, quienes me acompaaron largos ratos durante esta travesa. A Lizbeth Ofelia Prieto Lpez, mi luz.

Agradecimientos
Agradezco infinitamente a mis padres por el apoyo brindado durante mis estudios. Al Dr. Oscar Edel Contreras Lpez, asesor de tesis, por su direccin, enseanza, apoyo, motivacin, paciencia y confianza en la evolucin de este trabajo. Al Dr. Miguel valos, por sus valiosos comentarios dedicados al desarrollo y a la consumacin de esta tesis. Al Dr. Wencel de la Cruz, por sus apreciables sugerencias y por el apoyo brindado en microscopa de fuerza atmica. Al Dr. Rafael Garca por sus observaciones y recomendaciones al proyecto, al Dr. Leonardo Morales por su revisin y evaluacin del proceso de investigacin. Al Dr. Armando Prez Centeno por sus atinados consejos y desinteresada colaboracin. Al Profesor Dr. Fernando A. Ponce por abrirme las puertas y recibirme en su grupo durante mi estancia en ASU. Al Dr. Armin Dadgar y al Dr. Alois Krost por contar con su cooperacin en el progreso del trabajo de tesis. Un especial agradecimiento al tcnico Francisco Ruiz Medina por las lecciones y el apoyo ofrecido en la parte de microscopa electrnica de transmisin. A los tcnicos Israel Gradilla, Eloisa Aparicio, Jorge Palomares y Juan Peralta por su disponibilidad y asistencia. A mis profesores en curso, Dr. Leonel Cota, Dr. Francisco Mireles, Dr. Jess Heiras, Dr. Manuel Herrera, Dr. Armando Reyes, Dr. Roberto Machorro y Dr. Gustavo Hirata. A mis compaeros de trabajo, Lizbeth Prieto, Arturo Susarrey, Alfredo Gonzlez, Marcelo Tejeda, Teresa Romero y Carlos Gallardo. A la Universidad del Estado de Arizona (ASU) por facilitar sus instalaciones y su equipo de microscopa electrnica de transmisin. Al Centro de Nanociencias y Nanotecnologa (CNyN) y al Centro de Investigacin Cientfica y de Educacin Superior de Ensenada (CICESE) por permitirme realizar mis estudios bajo su nombre. Al director Dr. David Covarrubias, al personal del posgrado, M.C. Dolores Sarracino, Ivonne Best, Citlali Romero y su equipo de trabajo. Al personal de apoyo y administrativo del CNyN, Margot Saenz, Gumensindo Vilchis, Jaime Mendoza, Alejandro Tiznado, Enrique Medina, Efran Mendoza, Ana Patrn, Delia Rochn, Norma Olivia, Joaqun Quesada, Roberto Velazquez, por su atencin y servicio. Finalmente, agradezco a CONACyT por el apoyo otorgado durante mi doctorado con No. de registro 171589. A si mismo, agradezco el apoyo econmico brindado por los proyectos No. 82984 de CONACYT-MEXICO y No. IN101509 de UNAMPAPIIT para la realizacin de este trabajo de investigacin.

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CONTENIDO
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Resumen espaol........ Resumen ingles.... Dedicatorias.. Agradecimientos..... Contenido.. Lista de Figuras... Lista de Tablas.. Captulo I. Introduccin.. I.1 Propiedades de los semiconductores del grupo III-V........ I.1.1 Estructura cristalina de los semiconductores del grupo III-V. I.2 Antecedentes................................................................................ I.2.1 Crecimiento de GaN sobre sustratos de Si... I.2.2 Mtodos de reduccin de dislocaciones en GaN. I.2.3 Sobre la orientacin del sustrato de silicio en la epitaxia del GaN I.3 Objetivos Captulo II. Materiales y Mtodos................................................... II.1 Dislocaciones y epitaxia. II.1.1 Dislocaciones en slidos cristalinos.. II.1.2 Circuito de Burgers.. II.1.3 Energa de una dislocacin II.1.4 Crecimiento epitaxial y desacople de red. II.1.5 Modos de crecimiento. II.2 Sistema de Deposito por Vapores Qumicos de Metal-Orgnicos.. II.2.1 Crecimiento de nitruros del grupo III por MOCVD.. II.2.2 Crecimiento de pelculas delgadas de GaN sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa buffer de AlN expuesta al SiH4 .. II.2.3 Crecimiento de pelculas de GaN sobre sustratos de Si(110).. II.3 Microscopa de fuerza atmica. II.3.1 Modos de operacin del AFM II.3.2 Interacciones entre la punta y la muestra II.3.3 Resolucin en un AFM II.3.4 Medicin de rugosidad II.4 Microscopa electrnica de transmisin... II.4.1 Modo difraccin II.4.2 Modo Imagen II.4.2.1 Campo claro y campo oscuro. II.4.2.2 Microscopa electrnica de transmisin de alta resolucin i iii iv v vi viii xx 1 4 5 8 12 13 16 17 18 18 18 22 22 24 27 28 29 31 32 33 35 36 36 37 38 41 42 42 43

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CONTENIDO (continuacin)
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II.4.3 Anlisis de dislocaciones por TEM II.4.3.1 Criterio de invisibilidad. II.4.3.2 Observacin de dislocaciones Captulo III. Resultados y Discusiones................................................. III.1 Reduccin de dislocaciones por efecto de la exposicin al SiH4 de la capa buffer de AlN en el crecimiento de pelculas de GaN sobre sustratos de Si(111)... III.1.1 Anlisis de la superficie por AFM. III.1.2 Microestructura de pelculas de GaN: anlisis de dislocaciones por TEM por seccin transversal. III.1.2.1 Mecanismo de reduccin de dislocaciones. III.1.3 Aspectos sobre el efecto de las dislocaciones en las propiedades pticas del GaN.. III.2 Estudio microestructural de pelculas de GaN crecidas sobre sustratos de Si(110)... III.2.1 Anlisis de la interfaz AlN/Si(110) por microscopa electrnica de alta resolucin. III.2.1.1 Sobre la naturaleza del arreglo atmico en la interfaz AlN/Si(110).. III.2.2 Anlisis de la microestructura de pelculas de GaN sobre sustratos de Si(110)... Conclusiones.......................................................... Literatura citada....... 44 46 47 50

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LISTA DE FIGURAS
Figura
1 Algunas aplicaciones del alumbrado de estado slido (LEDs). Aparato reproductor de discos Blu-ray. El aparato electrnico emplea un lser azul-violeta construido a base de GaN para leer informacin almacenada en discos Bluray. Energa de la banda prohibida y longitudes de enlace qumico para compuestos semiconductores utilizados en aplicaciones luminiscentes (Ponce y Bour, 1997). Arreglo atmico de estructuras tetradricas. (a) Estructura tipo wurzita (hexagonal) con una secuencia de planos compactos de apilamiento ABAB (b) Estructura tipo zincblenda (cbica) con una secuencia de planos compactos de apilamiento ABCA (Ponce, 1999 y Kelly Groves, 1970). Polaridad de una capa delgada de GaN tipo wurzita. (a) Superficie con polaridad positiva, la cara del plano (0001) termina en Ga. (b) Superficie con polaridad negativa, la cara del plano (0001) termina en N (Ambacher, 1998). Esquema de la seccin transversal de un diodo lser azul con una regin activa de mltiples barreras cunticas de InGaN. Para elaborar el contacto tipo-n es necesario un proceso qumico de decapado superficial sobre el dispositivo (Ambacher, 1998 y Nakamura et al.1996). Imagen tomada por microscopia electrnica de transmisin de la seccin transversal de un LED azul fabricado por Nichia Corp. El material posee una densidad de dislocaciones de ~ 1010 cm-2 (Lester et al., 1995).

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LISTA DE FIGURAS (continuacin)

Figura
8 Representacin del efecto ELOG. Crecimiento sobre-lateral de GaN por efecto de una mascarilla de SiO2. La mascarilla amorfa impide la propagacin de dislocaciones y promueve la terminacin dentro del cristal (Bousquet et al. 1999). Generalmente, la regin que se encuentra sobre la mascarilla queda libre de dislocaciones, a excepcin del margen de coalescencia de ambos frentes de crecimiento. (a) Una dislocacin de borde produce una rotacin de los dominios cristalinos paralelos a la lnea de dislocacin. Su vector de Burgers caracterstico Bb es perpendicular a la lnea de dislocacin. (b) Una dislocacin de tornillo genera una inclinacin de los dominios cristalinos, con respecto a la lnea de dislocacin. En la superficie emerge un escaln con movimiento helicoidal alrededor de la lnea de dislocacin. Su vector de Burgers caracterstico Bt es paralelo a la lnea de dislocacin. Representacin de una dislocacin mixta en un cristal. En este esquema la lnea de dislocacin AB es una dislocacin de tornillo al entrar por la superficie izquierda del cristal (A), y de borde al salir por la superficie derecha del cristal (B). Dentro del cristal, la lnea de dislocacin tiene un carcter mixto (Smith, 1998). Las flechas pequeas que se ilustran alrededor de la dislocacin, indican el circuito de Burgers utilizado para determinar el vector de Burgers de una dislocacin. Las flechas grandes sealan el esfuerzo de cizalla o corte necesario para producir la dislocacin. Esquema de un cristal cbico simple representando en (a) el deslizamiento: la dislocacin de borde se desliza hacia la derecha, en (b) el escalamiento: la dislocacin de borde escala absorbiendo vacancias o absorbiendo tomos. La difusin de tomos ocurre de los alrededores; por ejemplo, el tomo que se encuentra encuadrado puede aadirse al borde del semiplano extra que conforma la dislocacin.

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LISTA DE FIGURAS (continuacin)

Figura
12 Representacin esquemtica de los dos diferentes esfuerzos presentes en la red cristalina durante un crecimiento epitaxial. La pelcula de interfaz coherente estar en (a) compresin si el parmetro de red del sustrato es menor que el parmetro de red de la pelcula as<af, ya que la pelcula realiza un esfuerzo de compresin para ajustarse al parmetro de red del sustrato. Por el contrario, en (b) si el parmetro de red del sustrato es mayor que el parmetro de red de la pelcula as> af, la pelcula estar en tensin, pues la pelcula realiza un esfuerzo de tensin al ajustarse con el parmetro de red del sustrato. Las flechas indican la direccin de los esfuerzos. Ntese que al haber un esfuerzo de tensin (o compresin), el material se comprime (o se expande) en la direccin de crecimiento c (Mei, 2007). (a) Pelcula A y sustrato B con diferentes parmetros de red af y as (no hay interaccin). (b) Acomodo elstico de la red en la interfaz por un crecimiento pseudomrfico (ambos materiales se ajustan a un mismo parmetro de red ). (c) Relajacin de la red por dislocaciones de desacople en la interfaz despus de alcanzar el grosor crtico (Hanbcken y Deville, 2001 y van der Merwe et al. 1986). Ilustracin de los tres modos de crecimiento que ocurren durante el crecimiento de semiconductores con varios niveles de deformacin uniforme por desacople de red (Biefeld, 2008). Diagrama esquemtico de un sistema MOCVD para el depsito epitaxial de pelculas de GaN y AlN. Los precursores empleados para el crecimiento de GaN y AlN son trimetil-galio (CH3)3Ga y trimetil-aluminio (CH3)3Al, respectivamente. Como gas acarreador para transportar a los precursores, se utiliza hidrogeno en fase gaseosa, H2. Como fuente de nitrgeno se utiliza amoniaco, NH3. Para dopar tipo p al GaN tipo se emplea como fuente de Mg al

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LISTA DE FIGURAS (continuacin)

Figura
Bis-ciclopentadienil-magnesio, (MeCp)2Mg, y para el dopaje tipo n se utiliza un flujo de silano, SiH4. Los precursores metal-orgnicos y el NH3 son esparcidos sobre la superficie de un sustrato calentado a una temperatura por encima de 1000C (Ambacher, 1998). 16 Fotografa de un sistema MOCVD comercial con capacidad para 19 obleas de 2 pulgadas de dimetro (Thomas Swan Scientific Equipment Ltd.). Ilustracin esquemtica de la serie de muestras de pelculas delgadas de GaN:Si/Si(110) crecidas por MOCVD. El SiH4 se insert sobre la superficie de AlN. Ilustracin esquemtica de la estructura de capas de GaN/Si(110) crecidas por MOCVD. Esquema ilustrativo del principio de operacin de un AFM y las partes principales que lo conforman (Agilent Technologies, 2000-2008). Resolucin en un AFM. La imagen de la derecha tendr mayor resolucin debido a la geometra de la punta (Pacific Nanotechnology, 2007). Lentes principales y diagrama de rayos en un microscopio electrnico de transmisin en modo difraccin y en modo imagen (Krumeich, 2008, Williams y Carter, 1996). Diagrama de rayos pticos en un microscopio electrnico de transmisin. Se muestra el principio de formacin de una imagen mediante una lente objetiva (Shindo y Hiraga, 1998).

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Figura
23 Ilustracin de la ley de Bragg. Difraccin de electrones en planos de un cristal. La diferencia de camino entre las ondas incidentes 1 y 2 es abc=2dsin (Thomas y Goringe, 1979). Para un microscopio de 200 keV, est en el orden de dcimas de grado. Tres modos de observacin en el microscopio electrnico utilizando el diafragma de la objetiva. Los puntos representan un patrn de difraccin y el crculo el diafragma. Idealmente, el centro del diafragma de la objetiva se encuentra en el eje ptico (Shindo y Hiraga, 1998): (a) Modo de campo claro; (b) Modo de campo oscuro; (c) Microscopa electrnica de alta resolucin: iluminacin axial por haz mltiple (Bendersky y Gayle, 2001). Condicin de Bragg y la esfera de Ewald (Thomas y Goringe, 1979). Si R se encuentra en el plano de difraccin, d no se altera, y la diferencia de caminos no se ve modificada por R; por lo que no hay cambio en la fase. La condicin de mnimo contraste debido a R es gR = 0, donde el vector g es normal al plano (hkl). KO y Kg son los vectores de onda correspondientes al haz incidente y al haz difractado, respectivamente. es el ngulo de Bragg y g es el vector de la red reciproca. El punto O* es el origen y B es un punto de la red recproca. (a) Planos distorsionados alrededor de una dislocacin de borde. Es necesario inclinar la muestra ligeramente para incluir a los planos distorsionados dentro de la condicin de Bragg. (b) Perfil esquemtico del cambio de contraste en la imagen de la dislocacin y del desplazamiento que sufre la posicin de proyeccin (Williams y Carter, 1996). Imgenes de AFM de 5 m x 5 m de la superficie de las muestras de GaN con distintos tiempos de exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4: (a) 0 s, (b) 30 s, (c) 60 s, (d)

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LISTA DE FIGURAS (continuacin)

Figura
75 s, (e) 90 s, y (f) 105 s. Conforme se aumenta el tiempo de exposicin, la densidad de hoyos en la superficie disminuye. La morfologa de la superficie de GaN se ve modificada por los cambios en el modo de crecimiento, ocasionados por el depsito de SiH4 en la capa buffer de AlN. 28 Estadstica del dimetro estimado de los hoyos que aparecen en la superficie de las pelculas de GaN, correspondientes a las imgenes presentadas en la figura 27: (a) 0 s, (b) 30 s, (c) 60 s, (d) 75 s, (e) 90 s, (f) 105 s. Densidad de hoyos sobre la superficie de la serie de muestras de GaN/Si(111) en funcin del tiempo de exposicin de la capa buffer al SiH4. (a) Imagen obtenida por AFM de un hoyo en la superficie de GaN con capa buffer expuesta al SiH4 por 30 segundos. (b) Imagen obtenida por TEM vista en planta de la superficie de GaN (0001) inclinada ligeramente para visualizar la dislocacin abierta con terminacin cnica y algunas otras dislocaciones de borde (Cherns, 2002). Misma imagen de AFM de la figura 30(a). Se muestra la traza y la grfica del perfil de intensidades de la imagen del hoyo en la superficie. Ntese la asimetra en el perfil obtenido. La grfica del perfil se obtuvo con el programa WSxM 5.0 (Horcas et al. 2007). Imgenes de AFM en 3D de la superficie de GaN de 15 m x 15 m de (a) 0seg., (b) 30 s, (c) 75 s y (d) 105 s de exposicin de la capa buffer al SiH4. Las flechas en (d) ilustran algunos de los huecos (~1 m de dimetro) ocasionados por falta de coalescencia.

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Figura
33 Rugosidad de la superficie de la serie de muestras de GaN en funcin del tiempo de exposicin de la capa buffer al SiH4. Imgenes de AFM de 5 m x 5 m en modo topogrfico 3D de la superficie de GaN para (a) 0 s, (b) 30 s, (c) 60 s, (d) 75 s, (e) 90 s y (f) 105 s, de tiempo de flujo de exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4. La escala en z se conserva para todas la imgenes (5 nm). Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de referencia de GaN (0 s de exposicin de la capa de AlN al flujo de SiH4). Las imgenes fueron obtenidas en el eje de zona [ 11 2 0 ] para condiciones (a) de borde g=[ 1 1 00 ] y (b) de tornillo g=[ 0001 ]. Ambas imgenes representan la misma regin. Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de GaN con capa buffer de AlN expuesta al flujo de SiH4 por 75 segundos. Las imgenes fueron obtenidas en el eje de zona [ 11 2 0 ] para condiciones (a) de borde g=[ 1 1 00 ] y (b) de tornillo g=[ 0001 ]. Ambas imgenes representan la misma regin. Las flechas de lnea punteada indican la conglomeracin de dislocaciones cerca de la interfaz, ocasionada por el efecto del flujo de SiH4 sobre la superficie de AlN. En las imgenes, las flechas de lnea continua sealan la formacin de un lazo de dislocacin (dipolo de dislocacin) generado por segmentos con vector de Burgers opuesto, que corresponden a dislocaciones mixtas. Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de GaN con capa buffer de AlN expuesta al flujo de SiH4 por 105 segundos. Las imgenes fueron obtenidas en el eje de zona [ 11 2 0 ] para condiciones (a) de borde g=[ 1 1 00 ] y (b) de tornillo g=[ 0001 ]. Ambas imgenes

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representan la misma regin. Las flechas de lnea punteada indican la conglomeracin de dislocaciones cerca de la interfaz, provocadas por el efecto del flujo de SiH4 sobre la superficie de AlN. En ambas imgenes, las flechas blancas y negras indican la formacin de segmentos de dislocacin horizontales y segmentos de dislocacin con inclinacin perpendicular hacia la faceta de crecimiento, la cual puede apreciarse por el espacio libre (sealado por una F) que hay entre los dos frentes de isla debido a la falta coalescencia en la pelcula. 38 Densidad de dislocaciones (mixtas) con ambas

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componentes b=1/2< 0001 > y b=1/3< 112 0 >, en funcin del tiempo de exposicin de la capa buffer de AlN al flujo de SiH4. 39 Modelo de una dislocacin de tornillo bajo la influencia del SiNx. (a) Lazo de dislocacin formado por dos dislocaciones opuestas. (b) Dislocacin con doblez en la regin del SiNx, que se extiende en la direccin de crecimiento. Modelo de cobertura de SiNx sobre AlN. En (a) el SiNx tiene una cobertura parcial de la superficie de AlN. En (b) el SiNx tiene una cobertura mayor, y los sitios de nucleacin para el GaN se encuentran distanciados. Si a cierto grosor de la pelcula el crecimiento lateral de las islas de GaN no es suficiente o si los sitios de nucleacin se encuentran muy retirados entre si, la falta de coalescencia se manifestar como huecos en la superficie. Un modelo propuesto para la aniquilacin de dislocaciones en el GaN con capa buffer de AlN expuesta al SiH4. (a) En tiempos moderados la formacin de SiNx tiene su origen alrededor de una dislocacin A en la superficie de AlN. Otras dislocaciones B se extienden hasta la superficie. Aquellas dislocaciones (C y D) que son momentneamente

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bloqueadas por la mascarilla, si sta no es muy gruesa, se doblan por debajo mientras el crecimiento sigue en curso. Si alguna dislocacin C se encuentra con su opuesta, se aniquila dejando un lazo de dislocacin. Las dislocaciones E que penetran la interfaz se doblan siguiendo el crecimiento lateral del GaN. Este fenmeno es promovido por el crecimiento lateral y la coalescencia de las islas de GaN si la capa de SiNx es ms gruesa. (b) Durante mayores tiempos de exposicin la formacin de SiNx puede aumentar y formar capas extensas y ms gruesas. Conforme se forma el SiNx, la isla de GaN comienza a crecer lateralmente por la abertura. Las dislocaciones siguen la faceta de crecimiento. Algunas pueden llegar a aniquilarse si hay coalescencia de islas. Sin embargo, en algunos casos, debido a la disminucin y a la lejana de los sitios de nucleacin, la falta de coalescencia a un cierto grosor se vuelve una caracterstica de la pelcula (indicada por la flecha negra de lnea punteada). 41 Variacin de la intensidad (integrada) de la emisin de la banda ancha obtenida por fotoluminiscencia a temperatura ambiente (u.a.) y la densidad de dislocaciones de tornillo y mixtas en una muestra de GaN:Si (Takahashi et al. 2007). Imgenes de la seccin transversal de la interfaz AlN(0001)/Si(110) obtenidas por microscopia electrnica de transmisin de alta resolucin (HRTEM). Las imgenes muestran una interfaz abrupta (sealada con flechas blancas). (a) Imagen de la red cristalina en el eje de zona [ 11 2 0 ]. Un acople de red casi perfecto de la red cristalina de AlN(0001) con Si(110) mostrando una alta coherencia entre los planos {1 1 00 }AlN y {001}Si. (b) Imagen de la red cristalina en el eje de zona [ 1 1 00 ]AlN que muestra fielmente la frontera entre ambas estructuras, AlN y Si, con gran desacople de red (-19%). Simulacin de imgenes de HRTEM en el eje de zona

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LISTA DE FIGURAS (continuacin)

Figura
[ 11 2 0 ] del AlN, variando el grosor y el desenfoque en unidades de . El cuadro individual a la derecha corresponde a una seccin de una imagen real de HRTEM de AlN. 44 Simulacin de imgenes de HRTEM en el eje de zona [ 1 1 0 ] del Si, variando el grosor y el desenfoque en unidades de . El cuadro individual a la derecha corresponde a una seccin de una imagen real de HRTEM de Si. Los esquemas (A1) y (A2) muestran el modelo atmico ideal de la interfaz para la epitaxia de AlN sobre Si en la direccin <11 2 0 >AlN/< 1 1 0 >Si y < 1 1 00 >AlN/<001>Si, respectivamente. Los esquemas (B1) y (B2) muestran los planos en contacto de ambos materiales, Si y AlN, respectivamente. En ambas estructuras se define una celda rectangular sobre los planos en contacto (0001)AlN y (110)Si. Imagen de HRTEM de la interfaz AlN/Si(110) en el eje de zona [ 11 2 0 ]AlN//[ 1 1 0 ]Si. (a) La interfaz qumica est sealada por la lnea punteada, siguiendo el contorno de los surcos en la superficie de silicio. (b) Diagrama esquemtico de la configuracin de enlaces en la interfaz. Las mancuernas de tomos Al-N y Si-Si del diagrama esquemtico representan los puntos brillantes de la imagen de HRTEM. Los crculos blancos con signos de interrogacin pueden representar tomos de Al, N o Si. Diagramas esquemticos de las tres posibles configuraciones de enlace en la interfaz AlN/Si(110), vistos en la direccin [ 11 2 0 ]AlN//[ 1 1 0 ]Si. La carga neta local se ilustra en cada caso. Una distribucin adecuada de estas estructuras atmicas en la interfaz puede lograr un balance en la carga total.

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LISTA DE FIGURAS (continuacin)

Figura
48 Vista superior del modelo propuesto para lograr una neutralidad de la carga local en la interfaz. En l, se muestra la distribucin atmica de Al y Si (y sus enlaces) sobre los surcos de la superficie de Si(110). En la imagen aparecen dibujados slo los tomos de N de la primera capa de AlN que poseen un enlace suelto. Los tomos restantes de N de la primera capa de AlN que no aparecen, se encuentran enlazados (por encima) a los tomos de Al o Si, distribuidos sobre los surcos (ver figura 47 mostrada a un lado). La combinacin de arreglos delimitados por los cuadros y rectngulos punteados, representa una composicin de los arreglos atmicos mostrados en la figura 47 (mostrada a un lado). Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de GaN en el eje de zona [ 11 2 0 ]. Para visualizar las dislocaciones con componentes de borde en (a) se utiliz g=[ 1 1 00 ] y para visualizar las dislocaciones con componente de tornillo en (b) se utilizo g=[0001]. Las flechas negras indican el arqueo de dislocaciones. Las flechas de lnea punteada sealan dislocaciones mixtas que muestran un ligero doblez en el plano horizontal. Algunos segmentos de dislocacin aparecen truncados debido al corte que se le dio a la muestra durante su preparacin por seccin transversal. 50 Sistemas de deslizamiento para la estructura tipo wurzita, (a) plano basal, (b) y (c) planos prismticos, (d), (e) y (f) planos piramidales (Srinivasan et al. 2003). Imagen de TEM vista en planta [0001] de la heterostructura GaN/Si(110). Los segmentos de dislocacin originados por el doblez estn alineados a lo largo de la direccin [ 1 1 00 ] de GaN y se encuentran sealados por las flechas de lnea punteada. Una regin de baja densidad de dislocaciones est indicada por el margen blanco rectangular.

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LISTA DE FIGURAS (continuacin)

Figura
52 Imagen de TEM vista en planta de una orilla de la muestra (los segmentos se sealan con la letra S), junto con su patrn de difraccin en el eje de zona [0001]. La orientacin de los segmentos corresponde a la direccinde mnimo desacople [ 1 100 ] de GaN/AlN con Si(110). Trazo de la dislocacin, descrito por un mecanismo de deslizamiento ms un movimiento de escalamiento en la estructura de GaN. Este movimiento es necesario para relajar el esfuerzo en la direccin perpendicular [ 112 0 ] de GaN. La lnea de dislocacin es paralela a la direccin [ 1 1 00 ]. Planos prismticos de la estructura de GaN sombreados en gris, en donde existe un esfuerzo de corte resultante debido a la anisotropa en el desacople de red. El plano normal a la direccin de mayor desacople idealmente relajara el sistema. La direccin [ 1 1 00 ] del trazo de la dislocacin introduce un semiplano extra debido al doblez de la dislocacin. Modelo de dominios cristalinos en el crecimiento de (a) GaN/Si(110) y (b) GaN/Si(111). El incremento en el tamao de los dominios reduce el giro de las columnas. En el caso del crecimiento de GaN sobre Si(110) los dominios tienden a ser alargados, mientras que en el caso del crecimiento de GaN sobre Si(111) los dominios tienden a ser hexagonales.

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LISTA DE TABLAS
Tabla I Propiedades fsicas de los nitruros del grupo III tipo wurzita (Mei, 2007). Caractersticas de los sustratos utilizados para la epitaxia de nitruros del grupo III (Ponce, 1999 y Lahrche et al. 2000). Pgina 4

II

Captulo I

Introduccin

Los nitruros del grupo III son materiales semiconductores con propiedades luminiscentes muy particulares. Sus aplicaciones se encuentran en la vanguardia de los dispositivos emisores de luz (LEDs, por sus siglas en ingls Laser Emiting Diodes) y los diodos lser (LD, por sus siglas en ingls Laser Diode). Los nitruros del grupo III no son materiales nuevos pues en 1907 se report por primera vez la sntesis del AlN y 1937 se determin la estructura tipo wurzita de GaN. Sin embargo, su popularidad se ha incrementado en las ltimas tres dcadas gracias al inters tecnolgico por obtener lmparas de estado slido con emisiones de luz en longitudes de onda corta: azul y verde (Ponce, 1999). Para llevar a cabo la fabricacin de un dispositivo emisor de luz de longitud de onda corta, se requiere de un material con una banda de energa prohibida directa de gran anchura. Los materiales semiconductores nitruros del grupo III cumplen con esta propiedad. La banda de energa prohibida o bandgap de un material, representa la diferencia de energa que existe entre el mnimo de la banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia. En una transicin electrnica de la banda de conduccin a la banda de valencia, el material puede absorber o emitir una radiacin con frecuencia (color) equivalente a la energa del ancho de la banda prohibida. La introduccin en el mercado de los semiconductores construidos a base de nitruros del grupo III, para aplicaciones en LEDs y en LDs de emisin ultravioleta-verde, fue considerada a partir del trabajo pionero de Isamu Akasaki e Hiroshi Amano, ambos miembros de la Universidad de Meijo en Japn (Amano et al. 1986; Amano et al. 1989 y Akasaki y Amano, 1994). El primer LED de emisin azul de alta brillantez (HB-LED por sus siglas en ingls High Bright-LED y nombrado as para diferenciarlo de los LEDs

convencionales) fue presentado de manera comercial a finales de 1993 por el grupo de Shuji Nakamura, quien en aquel entonces perteneca a la compaa de Nichia (Nakamura et al. 1993). Poco tiempo despus, el mismo grupo fabric los primeros LEDs con emisin azul-verde (Nakamura et al. 1994 y Nakamura et al. 1995) y mbar (Mukai et al. 1998 y Mukai et al. 1998a). Actualmente existen HB-LEDs de luz blanca, verde y azul disponibles en el mercado. Los HB-LEDs poseen una amplia variedad de aplicaciones en iluminacin (figura 1).

Celulares

Semforos Pantallas

Televisiones Alumbrado pblico Autos

Figura 1. Algunas aplicaciones del alumbrado de estado slido (LEDs).

Los LDs de longitud de onda corta construidos a base de GaN tambin han encontrado una aplicacin comercial inmediata (Nakamura, 1997). El incremento en la capacidad de almacenamiento ptico en los discos compactos, es posible gracias a que el dimetro mnimo del haz lser est limitado por el efecto de difraccin y depende en parte de la longitud de onda del lser. Esto quiere decir, que con un lser de menor longitud de

onda es posible enfocar el haz en una menor rea. Lo que permite almacenar mayor informacin sobre el rea de la superficie del disco. Por ejemplo, los discos compactos (CDs, por sus siglas en ingls Compact Disc) tienen una capacidad de almacenamiento de informacin digital de 700 megabytes; para su lectura ptica es necesario un lser infrarrojo de longitud de onda de 780 nm construido a base de la heteroestructura GaAs/AlGaAs. Por otro lado, los discos verstiles digitales (DVDs por sus silgas en ingls Digital Versatil Disc), que logran alcanzar una capacidad mucho mayor de almacenamiento que un CD: 4.7 gigabytes, utilizan un lser rojo de 650 nm construido a base de AlGaInP para su lectura ptica. Actualmente, la tecnologa del aparato Blu-ray (figura 2) cuenta con un lser azulvioleta de 405 nm construido a base de InGaN; los discos en este formato alcanzan una capacidad de almacenamiento de 25 gigabytes. Es por ello que el desarrollo de los semiconductores construidos a base de nitruros del grupo III es de gran importancia tecnolgica en la una nueva generacin de almacenamiento digital.

Figura 2. Aparato reproductor de discos Blu-ray. El aparato electrnico emplea un lser azul-violeta construido a base de GaN para leer informacin almacenada en discos Blu-ray.

Entre otras aplicaciones, adems de aprovechar sus propiedades pticas, los nitruros del grupo III han mostrado ser excelentes candidatos para la fabricacin de dispositivos electrnicos cuyo funcionamiento requiere alta potencia y alta temperatura (Ambacher, 1998 y Morko, 1999). Algunas de sus propiedades se describen a continuacin.

I.1 Propiedades de los semiconductores del grupo III-V

Los metales del grupo III (B,Al,Ga,In) al formar compuestos con nitrgeno, tienden a ser extremadamente duros, refractarios y resistentes a ataques qumicos (Ponce, 1999). En la tabla I se presentan algunas propiedades fsicas importantes de los semiconductores InN, AlN y GaN.
Tabla I. Propiedades fsicas de los nitruros del grupo III tipo wurzita (Mei, 2007).

Propiedades Fsicas

AlN

GaN

InN

Constantes de red (300K) a() c()

3.111 4.979

3.189 5.185

3.538 5.703

Eg (eV) (300K) Coeficiente de expansin trmica (300k) a (x10-6 K-1) b (x10-6 K-1) Longitud de enlace () Energa de enlace (eV) Punto de fusin (C) Presin de vapor (106 Pa) Mdulo de bulto (GPa) (300K)

6.2

3.39

0.7~1.9

4.2 5.3 1.89 2.88 3487 3 210

5.59 3.17 1.94 2.23 2791 200 21010

5.7 3.7 1.93 1.93 2146 >104 140

Como ya se mencion anteriormente, los nitruros semiconductores del grupo III tienen una banda de energa prohibida directa. Una transicin electrnica a travs de la banda de energa prohibida directa, implica slo la emisin/absorcin de un fotn, mientras

que una transicin electrnica a travs de una banda de energa prohibida indirecta requiere la combinacin de un fonn (vibraciones de la red) y un fotn (Tyagi, 1991). Como resultado de esto, los materiales que poseen una banda de energa prohibida directa son mejores detectores o emisores de luz, puesto que la energa que se requiere para una transicin de banda a banda corresponde precisamente a la energa de la banda prohibida Las aleaciones que resultan de combinar InN, AlN o GaN poseen una banda de energa prohibida directa que se ajusta dentro del espectro electromagntico, segn el contenido de cada material. La nueva aleacin puede abarcar emisiones desde el infrarrojo hasta el ultravioleta (figura 3).

Energa de la banda prohibida (eV)

Banda prohibida directa Banda prohibida indirecta

ultravioleta

infrarojo

Longitud de enlace qumico en la estructura ()

Figura 3. Energa de la banda prohibida y longitudes de enlace qumico para compuestos semiconductores utilizados en aplicaciones luminiscentes (Ponce y Bour, 1997).

I.1.1 Estructura cristalina de los semiconductores del grupo III-V

En la mayora de los materiales semiconductores, la coordinacin tetradrica es caracterstica en la configuracin de los enlaces atmicos; tal es el caso del silicio, el germanio, el carburo de silicio y los compuestos del grupo III-V y II-VI. La coordinacin

tetradrica ocasiona un arreglo atmico que consiste en el apilamiento de planos hexagonales compactos constituidos cada uno por dos sub-capas (figura 4).

B A B A A C B A
Al, Ga, In N

Figura 4. Arreglo atmico de estructuras tetradricas. (a) Estructura tipo wurzita (hexagonal) con una secuencia de planos compactos de apilamiento ABAB (b) Estructura tipo zincblenda (cbica) con una secuencia de planos compactos de apilamiento ABCA (Ponce, 1999 y Kelly y Groves, 1970).

En particular, en los nitruros semiconductres del grupo III, una sub-capa se encuentra ocupada por tomos de nitrgeno y la otra por tomos de elementos del grupo III (Al,Ga,In), como se muestra en la figura 4. La secuencia de apilamiento de estas capas puede dar lugar a dos estructuras bsicas: la estructura tipo zinc blenda (grupo espacial
F 4 3m , (No. 216)) y la estructura tipo wurzita (grupo espacial P 6 3 mc , (No.186)), siendo

sta ltima la ms estable en condiciones naturales para los nitruros del grupo III (Ponce, 1999). La diferencia entre estos dos polimorfos es la secuencia de apilamiento que siguen sus capas. La estructura zincblenda por un lado, es una estructura cbica que sigue una secuencia peridica de apilamiento de planos compactos ABCA en la direccin <111> de la celda cbica unitaria. Mientras que la estructura tipo wurzita, es una estructura hexagonal que sigue una secuencia de apilamiento de planos compactos ABAB en la direccin <0001> de la celda hexagonal unitaria (figura 4). La estructura tipo wurzita, a diferencia de la estructura tipo zinc-blenda, no posee centro de simetra y como consecuencia de esto existe una polarizacin espontnea dentro de la estructura cristalina (Bernandini et al. 1997). Y dado que es una estructura cuyos tomos poseen un enlace covalente polar, la direccin de la polarizacin depende de la orientacin de la red (figura 5). La superficie de una capa delgada puede tener una estructura con terminacin del plano basal Ga terminacin del plano basal N (Ponce, 2000). Debido a este fenmeno, comnmente se le denomina segn el plano de terminacin, estructura de terminacin Ga -In, Al- (polaridad positiva) o estructura de terminacin N (polaridad negativa).

Polaridad (+)

Polaridad (-)

(a)

(b)

Figura 5. Polaridad de una capa delgada de GaN tipo wurzita. (a) Superficie con polaridad positiva, la cara del plano (0001) termina en Ga. (b) Superficie con polaridad negativa, la cara del plano (0001) termina en N (Ambacher, 1998).

I.2 Antecedentes
El crecimiento de cristales grandes (lingotes) de nitruros del grupo III se ha visto obstaculizado por las altas presiones de vapor y las altas temperaturas del punto de fusin que poseen estos materiales (tabla II). Virtualmente es imposible crecerlos por tcnicas convencionales de crecimiento de cristales, como las tcnicas de Bridgman y Czochrlaski (Ponce, 1999). Sin embargo, algunos grupos de investigacin han logrado obtener monocristales de GaN de dimensiones milimtricas por diferentes tcnicas de crecimiento (Meissner et al. 2003; Chen, 2005; Hashimoto et al. 2008 y Ozawa et al. 2008). En la actualidad, an no existen sustratos de GaN con amplia superficie.

Tabla II. Caractersticas de los sustratos utilizados para la epitaxia de nitruros del grupo III (Ponce, 1999 y Lahrche et al. 2000).

Sustrato

Parmetro de GaN/S red Desacople () (%)

AlN/S Desacople (%)

Coeficiente de expansin trmica -6 (x10 /K)

Punto de Fusin (C)

W- GaN W- AlN -Al2O3 (0001) Si (111) 6H-SiC

a=3.1876 c=5.1846 a=3.112 c=4.982 a=4.758 c=12.991 a=5.430 a=3.08

x 2.4 16 -16.9 3.3

-2.4 x 13.2 -18.9 1.0

5.59 4.5 7.5 2.59 4.2

2791 3487 2030 1410 2700

Debido a la falta de sustratos de GaN con superficies de dimensiones industriales, es necesario el crecimiento de pelculas delgadas de GaN sobre algn tipo de sustrato que permita la heteroepitaxia y la viabilidad para la fabricacin de dispositivos semiconductores. No obstante, aun bajo estas condiciones, el nmero de sustratos es limitado por el desacople en el parmetro de red, la diferencia en los coeficientes de

expansin trmica, las altas temperaturas de crecimiento (por encima de los 1000 C) y el ambiente corrosivo de los precursores. El zafiro (Al2O3 ), el carburo de silicio (SiC) y el silicio (Si) son algunos de los sustratos que han sido estudiados y utilizados exitosamente para el crecimiento epitaxial del GaN (tabla II). Los dispositivos luminiscentes construidos a base de GaN an no han alcanzado su ptimo desarrollo en cuanto a su desempeo y fabricacin. En la fabricacin de un LDultravioleta comercial, las pelculas de GaN se crecen sobre sustratos de zafiro. El zafiro es un material aislante, por lo que es necesario fabricar verticalmente ambos contactos metlicos sobre la misma superficie de crecimiento (uno para el tipo-n y otro para el tipop). En el caso de la fabricacin del contacto para la regin tipo-n del material (figura 6), es necesario llevar a cabo un proceso qumico de decapado superficial (litografa) sobre la superficie del dispositivo.

Figura 6. Esquema de la seccin transversal de un diodo lser azul con una regin activa de mltiples barreras cunticas de InGaN. Para elaborar el contacto tipo-n es necesario un proceso qumico de decapado superficial sobre el dispositivo (Ambacher, 1998 y Nakamura et al.1996).

El SiC es otro sustrato que adems de ser un semiconductor que cuenta con las caractersticas favorables para el crecimiento de GaN, favorece la construccin vertical de

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los contactos en el dispositivo, sin la necesidad de emplear el proceso de litografa. Si el material semiconductor se deposita sobre el SiC, es posible fabricar un contacto para la regin tipo p sobre la superficie del dispositivo (por encima), y fabricar el otro contacto para la regin tipo n sobre la superficie inferior del sustrato (por debajo). Sin embargo, adems de ser muy costoso, el SiC no puede sintetizarse con buena calidad cristalina en tamaos superiores a 1cm2. En otras palabras, las dimensiones limitadas del cristal con buena calidad, hacen del SiC un sustrato inconveniente para la tecnologa de produccin en masa, ya que un sustrato de mayor tamao implica un mayor costo en el proceso de fabricacin. Las tcnicas de crecimiento por las cuales se han obtenido pelculas epitaxiales de GaN son las siguientes: depsito de vapores qumicos metal-orgnicos (MOCVD, por sus siglas en ingls), crecimiento epitaxial de haces moleculares (MBE, por sus siglas en ingls) y depsito epitaxial de vapores de hidruros (HVPE, por sus siglas en ingls), siendo MOCVD la tcnica que ofrece mejores cualidades en las pelculas de los nitruros semiconductores del grupo III. La primera pelcula cristalina de GaN se obtuvo en 1969 por la tcnica de HVPE (Maruska y Tietjen, 1969). Desde entonces el inters por obtener pelculas de GaN de alta calidad cristalina creci con el fin de fabricar dispositivos optoelectrnicos. Sin embargo, el gran desacople de red y la diferencia en los coeficientes de expansin trmica entre pelcula y sustrato, hacen del crecimiento cristalino de las pelculas de GaN un tanto limitado, puesto que ocasionan fracturas (cracking) y defectos que se extienden por todo el material (Nakamura et al. 2000). En 1986 el grupo Amano et al. report que al utilizar una capa de nucleacin o capa amortiguadora de AlN de baja temperatura antes del crecimiento epitaxial de GaN, las pelculas crecan con una morfologa suave. De manera similar, Nakamura (1991) observ que al utilizar capas amortiguadoras de GaN de baja temperatura, ocurra un aumento en la movilidad de portadores y una considerable mejora en la calidad de las propiedades luminiscentes del material. El objetivo principal de la capa amortiguadora de baja temperatura, es mojar la superficie del sustrato mediante el crecimiento de pequeos cristales uniformes que faciliten el proceso de nucleacin en dos dimensiones durante las primeras etapas de crecimiento. Como resultado, los tomos adsorbidos en la superficie pueden migrar lo

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suficiente hasta las fronteras que existen entre los pequeos cristales para mejorar la epitaxia de la siguiente capa crecida a alta temperatura (Akasaki et al. 1989). Otro problema que desde 1970 impeda el desarrollo de dispositivos construidos a base de nitruros del grupo III era el dopaje tipo p en GaN. Hasta entonces se haba experimentado con dopantes como Zn, Mg, Be, y Cd (Nakamura, 1998). No fue sino hasta 1989 cuando el grupo Amano et al. observ que al irradiar con un haz de electrones de baja energa (LEEBI por sus siglas en ingls, Low Energy Electron Beam Irratiation) el material dopado con Mg, ste se volva conductor tipo p. Para dopar tipo p al GaN el precursor comnmente utilizado es el bis(ciclopentadienil)Mg, sin embargo, se ha observado que al incorporarse en la estructura cristalina de GaN, el tomo de Mg bajo estas condiciones, se encuentra en un estado pasivo enlazado a un tomo de H, lo que eleva la resistividad del semiconductor. Al irradiar el material con la tcnica LEEBI, el proceso trmico libera el tomo de H y ste queda fuera de la estructura de GaN, dejando al tomo de Mg en un estado activo como impureza del tipo aceptor. En 1992, se demostr la activacin tipo p del dopante Mg por un proceso trmico alterno de recocido en un ambiente de N2 (Nakamura et al. 1992). A partir de entonces la fabricacin de LEDs y LDs construidos a base de nitruros del grupo III ha logrado progresivamente su desarrollo a pesar de la alta densidad de defectos cristalinos (figura 7).

Figura 7. Imagen tomada por microscopia electrnica de transmisin de la seccin transversal de un LED azul fabricado por Nichia Corp. El material posee una densidad de dislocaciones de ~ 1010 cm-2 (Lester et al. 1995).

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I.2.1 Crecimiento de GaN sobre sustratos de Si

Una alternativa de gran inters en la industria actual de los semiconductores, es la epitaxia de pelculas delgadas de GaN sobre sustratos de Si. Los sustratos de Si ofrecen mejores ventajas que el resto de los sustratos viables para el crecimiento de los nitruros del grupo III (tabla II). El Si posee buena calidad cristalina, buena conductividad elctrica (tipo n y tipo p), un tamao industrial de oblea de hasta 30 cm de dimetro y un bajo costo de produccin. Sin embargo, as como ocurre con el zafiro y SiC, el desacople de red entre el GaN y el Si (-16.9%) ocasiona una gran cantidad de dislocaciones en la estructura de la pelcula (1010 dislocaciones por centmetro cuadrado). Adems, la diferencia en los coeficientes de expansin trmica entre ambos materiales (2.59 y 5.59 x10-6 / K, para Si y GaN, respectivamente) introduce esfuerzos de tensin, que ocasionan fracturas en la pelcula de GaN. Este parmetro fsico limita el crecimiento cristalino de las pelculas de GaN sobre sustratos de Si a no ms de ~ 0.5 m de grosor. Esto por supuesto dificulta gravemente el crecimiento de los dispositivos. No obstante, no deja de ser atractivo el crecimiento de GaN sobre Si, ya que la mayor parte de la industria electrnica est basada en el semiconductor silicio. Afortunadamente, el conocimiento que se tiene acerca del crecimiento de GaN sobre zafiro ha podido exportarse y adaptarse al crecimiento de GaN sobre Si. Se ha comprobado que al utilizar capas amortiguadoras y capas intermediarias de AlN de baja temperatura durante el proceso de crecimiento de pelculas delgadas de GaN (Dadgar et al. 2000), las cualidades pticas y cristalinas de la pelcula de GaN mejoran considerablemente (Dadgar et al. 2002). Al utilizar capas intermediarias de AlN de baja temperatura durante el crecimiento de GaN, las fracturas en la pelcula desaparecen y es posible crecer una pelcula de GaN sobre Si(111) ms all de 1 m de grosor. Las capas intermediarias de AlN de baja temperatura introducen un esfuerzo de compresin que compensa el esfuerzo de tensin existente en el crecimiento de GaN sobre Si (Blsing et al. 2002). Las propiedades opto-electrnicas de los semiconductores se encuentran intrnsecamente relacionadas con sus propiedades microestructurales. En el caso de los semiconductores convencionales (semiconductores del grupo II-VI, fosfuros y arsenuros),

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la eficiencia lumnica se ve afectada drsticamente cuando la densidad de dislocaciones (nmero de dislocaciones por cm2) en su estructura sobrepasa valores de 104 cm-2, pues las dislocaciones pueden actuar como centros de recombinacin no radiativa (Lester et al. 1995). Sin embargo, el GaN muestra un comportamiento distinto en comparacin con los semiconductores convencionales, ya que a pesar de la elevada densidad de dislocaciones en su estructura (del orden de 1011 cm-2), el GaN manifiesta una alta eficiencia lumnica (Ponce, 1999). En los dispositivos diodos lser, las dislocaciones reducen el tiempo de vida e introducen vas de fuga de corriente. La corriente tpica en un diodo lser puede ser de 500 mA, mientras que en un diodo emisor de luz la corriente apenas llega a los 15 mA. Es por esto que la eliminacin de fracturas y la disminucin en la densidad de las dislocaciones (extendidas desde la interfaz hasta la superficie) son los inconvenientes ms importantes a resolver para lograr el crecimiento de GaN de alta calidad sobre silicio. De esta manera el estudio de pelculas delgadas de GaN se ha convertido en un tema de inters en el rea de los materiales luminiscentes, buscando siempre incrementar sobre todo la eficiencia y el tiempo de vida de los dispositivos que actualmente compiten en el mercado.

I.2.2 Mtodos de reduccin de dislocaciones en GaN

Dentro de los mtodos que se han desarrollado para reducir la densidad de dislocaciones en el GaN, se encuentra el mtodo ELOG (por sus siglas en ingls, Epitaxial Lateral Over-Growth). La finalidad del mtodo es disminuir la densidad de dislocaciones extendidas en regiones especficas de la pelcula (Nakamura et al. 1998 y Venngus et al. 2000). El proceso ELOG consiste en el depsito ex-situ de mascarillas amorfas de SiO2 a un cierto grosor de la pelcula de GaN. El proceso inicia con la interrupcin del crecimiento del material para llevar a cabo el depsito de la mascarilla, y posteriormente, se emplea un proceso de litografa para obtener la figura de la mascarilla en forma de tiras. De esta manera al momento de reiniciar el crecimiento, el material comienza a crecer slo en las regiones libres de mascarilla. Este proceso se logra gracias a las propiedades anti-

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surfactantes del material empleado como mascarilla (SiO2 o Si3N4). Durante el proceso ELOG, las dislocaciones terminan debajo de la mascarilla amorfa por efecto de frontera de grano. Las dislocaciones que proceden de las aberturas o ventanas, se doblan sobre el plano horizontal por encima de la mascarilla, siguiendo el efecto del crecimiento sobre-lateral del cristal (observado comnmente en GaN). Otras dislocaciones continan su camino vertical a lo largo de la direccin de crecimiento c (figura 8). Mediante la implementacin del mtodo ELOG en pelculas de GaN, Nakamura et al. (1998) logr incrementar el tiempo de vida de operacin continua en un dispositivo LDazul.

Figura 8. Representacin del efecto ELOG. Crecimiento sobre-lateral de GaN por efecto de una mascarilla de SiO2. La mascarilla amorfa impide la propagacin de dislocaciones y promueve su terminacin dentro del cristal (Bousquet et al. 1999). Generalmente, la regin sobre la mascarilla queda libre de dislocaciones, a excepcin del margen de coalescencia de ambos frentes de crecimiento.

De manera similar, se ha observado que la insercin in-situ de mascarillas de SiNx mejora considerablemente las propiedades estructurales y opto-electrnicas del GaN (Lahreche et al. 1999; Hageman et al. 2001; Dadgar et al. 2002 y Dadgar et al. 2002a). En este caso la terminacin de dislocaciones en una mascarilla in-situ sucede a travs de un

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efecto tipo ELOG de menor escala (Tanaka et al. 2000). Sin embargo, en un proceso in-situ no existe el control sobre el tamao y la distribucin de mascarillas en la pelcula de GaN. Para mejorar la eficiencia de los LEDs azules crecidos sobre sustratos de Si, el grupo de A. Dadgar experiment con un flujo constante de SiH4 durante la interrupcin del crecimiento de GaN en la cmara de reaccin. En sus resultados se obtuvo una reduccin de dislocaciones hasta en un orden de magnitud, as como un notable incremento en la luminiscencia del LED (Dadgar et al. 2002, Dadgar et al. 2002a, Dadgar et al. 2003). Uno de los mecanismos in-situ de reduccin de dislocaciones est basado precisamente en la formacin de una capa amorfa ultra delgada de SiNx. El tratamiento de GaN con SiH4 utilizado por un tiempo corto (-SiH4 o Si), durante la interrupcin del crecimiento del material, ocasiona una alta concentracin de Si sobre la superficie de crecimiento. La reaccin del Si junto con el N remanente en la cmara puede dar lugar a la formacin de un compuesto amorfo de SiNx sin tener control sobre el rea de depsito (Dadgar et al. 2003). Sin embargo, si la formacin del material amorfo no es suficiente para formar islas, el mecanismo de reduccin de dislocaciones extendidas ocurre por efecto de anclaje: los tomos de Si se adsorben y ocupan sitios a lo largo de los escalones asociados a dislocaciones de tornillo formando un complejo de SiNx (Contreras et al. 2002 y RuizZepeda, 2004). El uso de altas concentraciones de Si ~ 2x1019 cm-3, tambin afecta a la cintica de crecimiento del GaN. El exceso de silicio en la superficie de crecimiento induce un cambio en el modo de crecimiento de flujo de escalones a un modo de capa por capa, provocando la nucleacin de islas en las terrazas que se encuentran entre los escalones (Munkholm et al. 2000 y Tanaka et al. 2000). A mayores concentraciones se ha observado un aumento en la rugosidad de la pelcula (Cheng, 1999 y Munkholm et al. 2000) as como tambin la formacin de fracturas (Romano et al. 2000). Desde un punto de vista comercial, una tcnica in-situ aplicada durante las primeras etapas de crecimiento del GaN con el fin de mejorar las cualidades pticas y cristalinas de las pelculas, resulta ms atractiva que una tcnica ex-situ como la de ELOG. De lograrse la implementacin de una tcnica in-situ, el tiempo de crecimiento y el costo de produccin al fabricar dispositivos sobre sustratos de silicio se reducira inmediatamente. Por estas

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razones, resulta de gran inters el estudio del efecto que produce el SiH4 en la microestructura de GaN durante las primeras etapas de crecimiento.

I.2.3 Sobre la orientacin del sustrato de Si en la epitaxia de GaN

La orientacin tpica del sustrato de silicio utilizada para el crecimiento de GaN es Si(111). No obstante, con el fin de mejorar el acople del parmetro de red entre la pelcula y el sustrato, tambin se ha experimentado el crecimiento de GaN en otras orientaciones del sustrato de silicio, las cuales son constantemente utilizadas en la tecnologa electrnica del silicio, como Si(211) (Chen et al. 2002), Si(001) (Joblot et al. 2005 y Dadgar et al. 2007) y Si(110) (Dadgar et al. 2007). En particular, la capa buffer de AlN(0001) presenta un desacople de red isotrpico del 19% con la orientacin (111) del silicio (Dadgar et al. 2007). En el caso del

crecimiento de GaN sobre Si(110) la epitaxia resulta interesante, pues el plano del sustrato Si(110) no posee una simetra 3 como el plano del sustrato Si(111), sino una simetra espejo. En este sistema la pelcula buffer de AlN experimenta un desacople anisotrpico: 0.7% en la direccin < 1 1 00 >AlN/<001>Si y 19% en la direccin perpendicular

< 11 2 0 >AlN/< 1 1 0 >Si. El acople casi perfecto en una direccin podra favorecer una mejor calidad cristalina de la pelcula si se compara con el crecimiento de GaN sobre Si(111). El crecimiento de GaN sobre sustratos de Si(110) puede resultar conveniente, si en un futuro se desea integrar los nitruros del grupo III en circuitos fabricados a base de silicio.

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I.3 Objetivos
Objetivo general:
Explorar las propiedades microestructurales de pelculas de GaN crecidas sobre sustratos de silicio.

Objetivos especficos: Objetivo 1: Estudiar el mecanismo de anclaje de dislocaciones del GaN desde su origen.
-Exponer la capa buffer de AlN al SiH4 previo al crecimiento de la capa de GaN para obtener una constitucin de la estructura de capas: GaN/Si-AlN/Si(111). -Caracterizar los cambios en la microestructura de la pelcula de GaN y en la morfologa de la superficie como resultado de haber expuesto la capa buffer de AlN al SiH4 por distintos tiempos.

Objetivo 2: Explorar el crecimiento de capas de GaN sobre superficies de Si(110) .

-Estudiar la interfaz AlN/Si(110) mediante la estabilidad de cargas atmicas. -Estudiar la microestructura de pelculas de GaN crecidas sobre sustratos de Si(110).

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Captulo II

Materiales y Mtodos II.1 Dislocaciones y epitaxia

II.1.1 Dislocaciones en slidos cristalinos

Las dislocaciones son defectos de lnea que delimitan una parte del cristal que ha sido distorsionada. Se caracterizan por la magnitud y direccin del vector de Burgers, b, el cual, est asociado a la direccin y desplazamiento de los planos atmicos deformados por la dislocacin. El vector de Burgers se define como la magnitud ms pequea del vector de translacin de la red (proporcional al valor del parmetro de red de la celda unitaria del cristal). Las dislocaciones se originan principalmente por accidentes en el crecimiento del cristal o por esfuerzos y deformaciones que actan en el cristal. Segn la deformacin producida en el cristal, las dislocaciones pueden ser de tipo borde o tipo tornillo, o ms generalmente una combinacin de ambas componentes: tipo mixta. La dislocacin de borde consiste en la deformacin del cristal debido a la presencia de un semiplano extra en medio de otros dos planos. Se representa por el smbolo y la lnea puede ser negativa o positiva segn el lugar, con respecto al espacio de ejes coordenados del cristal, que haya sido deformado por la insercin del semiplano extra. El plano que contiene al vector de Burgers y a la lnea de dislocacin se conoce como plano de deslizamiento (y es

perpendicular al borde del semiplano extra). El plano de deslizamiento es el plano sobre el cual la dislocacin corta al cristal al deslizarse La dislocacin de borde trae como consecuencia una ligera rotacin en las columnas paralelas a la lnea que corresponden a las celdas unitarias del cristal, esquemticamente

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ilustrado en la figura 9(a). En una dislocacin de borde el vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.

Desviacin Semiplano extra Lnea de dislocacin Lnea de dislocacin

[0001]

Bt

Bb

(a)

(b)

Figura 9. (a) Una dislocacin de borde produce una rotacin de los dominios cristalinos paralelos a la lnea de dislocacin. Su vector de Burgers caracterstico Bb es perpendicular a la lnea de dislocacin. (b) Una dislocacin de tornillo genera una inclinacin de los dominios cristalinos, con respecto a la lnea de dislocacin. En la superficie emerge un escaln con movimiento helicoidal alrededor de la lnea de dislocacin. Su vector de Burgers caracterstico Bt es paralelo a la lnea de dislocacin.

La dislocacin de tornillo consiste en la deformacin del cristal por medio de un desplazamiento relativo de una seccin del cristal con respecto a otra, a travs de un corte en un plano paralelo comn, consiguiendo la formacin de una superficie de naturaleza helicoidal (figura 9(b)). Este desplazamiento ocasiona una ligera inclinacin de las columnas que corresponden a las celdas unitarias del cristal paralelas a la lnea de dislocacin, manifestndose la desviacin como un escaln en la superficie. La lnea de dislocacin de tornillo puede ser positiva o negativa, estructuralmente segn el sentido de crecimiento de la espiral. En una dislocacin de tornillo el vector de Burgers es paralelo a la lnea de dislocacin. Y caso contrario a una dislocacin de borde, en una dislocacin de tornillo no existe el plano de deslizamiento, pues el vector de Burgers y la lnea de dislocacin son paralelos. La dislocacin mixta posee ambas componentes, y la deformacin del cristal es una combinacin provocada por ambos tipos de dislocacin. En la figura 10, la curvilnea que

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atraviesa el cristal ilustra una dislocacin mixta AB. En la parte izquierda del cristal, A, la dislocacin es de tipo tornillo, pues forma un escaln en la superficie y su vector de Burgers es paralelo a la lnea de dislocacin. En la parte derecha del cristal, B, la dislocacin es de tipo borde, pues existe un semiplano extra y su vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin. Dentro del cristal la lnea de dislocacin posee ambas componentes y es de tipo mixto.

Circuito de Burgers

Esfuerzo de corte

Figura 10. Representacin de una dislocacin mixta en un cristal. En este esquema la lnea de dislocacin AB es una dislocacin de tornillo al entrar por la superficie izquierda del cristal (A), y de borde al salir por la superficie la derecha del cristal (B). Dentro del cristal, la lnea tiene un carcter mixto (Smith, 1998). Las flechas pequeas que se ilustran alrededor de la dislocacin, indican el circuito de Burgers utilizado para determinar el vector de Burgers de una dislocacin. Las flechas grandes sealan un esfuerzo de cizalla o de corte necesario para producir la dislocacin.

Si la dislocacin posee alguna componente de borde y es sometida a esfuerzos que la saquen de su configuracin de equilibrio, la dislocacin puede moverse a travs del cristal por medio de un deslizamiento o un escalamiento. Como se observa en la figura 11(a), el movimiento por deslizamiento ocurre sobre plano de deslizamiento de la dislocacin a travs de un reacomodo atmico en el ncleo de la dislocacin. Slo se rompe un enlace

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por cada plano cristalogrfico surcado por la dislocacin. El movimiento por deslizamiento de una dislocacin es conservativo pues no se requiere de alguna difusin atmica.

(a)

(b)

Figura 11. Esquema de un cristal cbico simple representando en (a) el deslizamiento: la dislocacin de borde se desliza hacia la derecha, en (b) el escalamiento: la dislocacin de borde escala absorbiendo vacancias o absorbiendo tomos. La difusin de tomos ocurre de los alrededores; por ejemplo, el tomo que se encuentra encuadrado puede aadirse al borde del semiplano extra que conforma la dislocacin.

El escalamiento de una dislocacin (figura 11(b)) ocurre cuando una dislocacin con componente de borde se mueve fuera de su plano de deslizamiento en una direccin normal al vector de Burgers (Hull y Bacon, 1984). El escalamiento es no-conservativo; pues para completar el movimiento deben aadirse o restarse tomos a la lnea de dislocacin.

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En una dislocacin, el vector de Burgers se conserva a lo largo de su lnea, es decir, b posee la misma magnitud y direccin a lo largo de toda la trayectoria de la lnea de dislocacin. Como consecuencia de esto, las lneas de dislocacin slo pueden terminar en la superficie y/o en las fronteras de grano, pero nunca dentro del volumen del cristal, al menos que interacten formando circuitos cerrados (dislocation loops por su nombre en ingls) o ramificaciones en otras dislocaciones dentro del cristal. Dos dislocaciones se consideran estructuralmente opuestas si su vector de Burgers es opuesto y ambas poseen el mismo sentido en la lnea de dislocacin, o viceversa, si su lnea de dislocacin es opuesta y ambas poseen el mismo vector de Burgers. En este caso dos dislocaciones opuestas pueden aniquilarse si son atradas entre si, dando lugar a la restauracin de la periodicidad del cristal (Hull y Bacon, 1984). La mayora de los cristales, naturales o sintetizados en el laboratorio, contienen cierto nmero de dislocaciones distribuidas a lo largo de su volumen. La densidad de dislocaciones, , est definida como el nmero de dislocaciones que intersectan una unidad de rea del cristal. La densidad de dislocaciones comnmente se describe en unidades de cm-2.

II.1.2 Circuito de Burgers

El circuito de Burgers es un permetro trazado alrededor de la lnea de dislocacin sobre el plano del cristal por el cual la lnea de dislocacin emerge. El circuito adquiere cierta longitud al trazarlo punto por punto sobre el plano de la red del cristal hasta el punto de partida (figura 10). ste mismo circuito se traza sobre un cristal perfecto (sin dislocacin). En el cristal perfecto el ltimo trazo no termina en el punto de partida y el vector necesario para completar el circuito es precisamente el vector de Burgers. Por convencin se toma el sentido de las manecillas del reloj en el circuito y por consistencia se escoge un sentido positivo del vector de Burgers.

II.1.3 Energa de una lnea de dislocacin

La distorsin que sufren los enlaces en una dislocacin por el desplazamiento de los tomos fuera de sus posiciones relativas de equilibrio aade energa al cristal (Hull y Bacon,

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1984). Esta energa es almacenada en la regin distorsionada de la red en torno a la lnea de dislocacin. La distorsin de los enlaces atmicos disminuye de manera radial a la lnea de dislocacin. En este rgimen, cuando las distorsiones no son muy grandes, la energa de una dislocacin puede ser interpretada por la teora elstica, mediante parmetros mecnicos del volumen del cristal. Por el contrario, en la regin cercana al ncleo de la dislocacin los desplazamientos de los tomos son demasiado grandes para ser interpretados por la teora elstica. De esta manera, la energa total de una dislocacin se define por la suma de la energa almacenada en el ncleo de la dislocacin, Enuc, ms la energa elstica almacenada fuera del ncleo de la dislocacin, Eel. No obstante, la magnitud de Enuc es una fraccin pequea de Eel. Sin embargo, en contraste con la energa elstica, la energa del ncleo cambia conforme la dislocacin se mueve a travs del cristal. Por lo tanto, para fines prcticos, generalmente slo se considera la contribucin de la energa elstica almacenada fuera del ncleo de la dislocacin para estimar la energa total de una dislocacin (Hull y Bacon 1984). La energa elstica de una dislocacin de borde por unidad de longitud est dada por:

Eborde =
Para una dislocacin tipo tornillo:

R Gb 2 ln 4 (1 ) r0

(1)

Etornillo =
Y para una dislocacin tipo mixta:

Gb 2 R ln 4 r0

(2)

E mixta =

R Gb 2 ln (1 cos 2 ) 4 (1 ) r0

(3)

Donde G es el modulo de corte, es la razn de Poisson, b es la magnitud del vector de Burgers de la dislocacin, es el ngulo entre la lnea de dislocacin y el vector de Burgers, ro y R son el radio interno y externo de la dislocacin, los cuales corresponden a

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la regin de deformacin plstica (unas cuantas distancias atmicas para ro) y a la regin de deformacin elstica (aproximadamente la mitad de la distancia de separacin promedio entre dislocaciones, R), respectivamente.

II.1.4 Crecimiento epitaxial y desacople de red

Al crecimiento ordenado y orientado de un cristal sobre la superficie de otro se le llama epitaxia (tomado del griego epi "encima" y taxis "en orden" que puede traducirse como "ordenado sobre). La orientacin epitaxial se define mediante una relacin de alineacin establecida por los ndices de Miller de las direcciones paralelas y los planos en contacto de ambos cristales (Markov, 2003). Si el cristal crece epitaxialmente sobre la superficie de un sustrato del mismo material, se le conoce como homoepitaxia. Si la superficie del sustrato es de un material diferente se le conoce como heteroepitaxia. En el crecimiento heteroepitaxial de pelculas delgadas generalmente existe una diferencia entre el parmetro de red del sustrato y la pelcula. El desacople de red am entre la pelcula y el sustrato se define por:
am = 2 (a f a s ) (a f + a s ) (4)

donde as es el espaciamiento de la red en el plano de contacto del sustrato y af es el espaciamiento de la red en el plano de contacto de la pelcula. En un crecimiento epitaxial, existen tres tipos de interfaz: coherente, semi-coherente e incoherente (Hull y Bacon, 1984). Una interfaz es coherente si existe una continuidad en los planos cristalinos que cruzan la frontera de ambos materiales (an con la posibilidad de cambiar de orientacin). Esta configuracin slo es posible cuando las distancias interplanares de las caras en contacto de ambos cristales son muy similares ( as af). Cualquier diferencia entre el espaciamiento de los planos perpendiculares a la cara de contacto de ambos materiales resulta en deformaciones elsticas llamadas deformaciones coherentes o de acomodamiento. Cuando las deformaciones son demasiado grandes para acomodar los planos de manera continua a travs de la interfaz, se crea una interfaz semicoherente. Estas deformaciones se ajustan mediante la introduccin de planos extra en uno

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de los cristales. Si por el contrario no existe un acople simple entre ambas redes y el acomodamiento entre los planos de ambos materiales es imposible, la coherencia en la interfaz se pierde por completo y se da lugar a una interfaz incoherente. En la figura 12 se ilustran los diferentes esfuerzos uniformes ocasionados por el desacople de red entre ambos materiales cuando la pelcula crece de manera coherente sobre un sustrato (Mei, 2007).

(a) Esfuerzo de
compresin

(b)

Esfuerzo de tensin

as < af

as > af

Figura 12. Representacin esquemtica de los dos diferentes esfuerzos presentes en la red cristalina durante un crecimiento epitaxial. La pelcula de interfaz coherente estar en (a) compresin si el parmetro de red del sustrato es menor que el parmetro de red de la pelcula as<af, ya que la pelcula realiza un esfuerzo de compresin para ajustarse al parmetro de red del sustrato. Por el contrario, en (b) si el parmetro de red del sustrato es mayor que el parmetro de red de la pelcula as> af, la pelcula estar en tensin, pues la pelcula realiza un esfuerzo de tensin al ajustarse con el parmetro de red del sustrato. Las flechas indican la direccin de los esfuerzos. Ntese que al haber un esfuerzo de tensin (o compresin), el material se comprime (o se expande) en la direccin de crecimiento c (Mei, 2007).

En el caso donde exista un esfuerzo biaxial isotrpico, el esfuerzo en la pelcula est dado por (Andrews et al. 2002):
2D biaxial = 2G

1+ v m 1 v

(5)

donde m es la deformacin uniforme por desacople de red (misfit strain por su nombre en ingls) que se define como:

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m =

as a f af

(6)

si adems el material es elsticamente isotrpico con modulo de corte G y razn de Poisson (cociente de deformaciones axiales: vertical y horizontal), la energa elstica almacenada por unidad de rea en la interfaz pelcula/sustrato asociada con el esfuerzo, descrito por la ecuacin (5), es: (1 + ) 2 m h (1 )

E = 2G

(7)

donde h es el grosor de la pelcula. La energa almacenada se incrementa conforme aumenta el grosor h de la pelcula, sin embargo, esto sucede slo hasta un grosor crtico hc de la pelcula (Andrews et al. 2002). Durante el crecimiento, la pelcula se deforma elsticamente para ajustar la continuidad de los planos a lo largo de la interfaz. El proceso de relajacin de la red comienza cuando la pelcula alcanza el grosor crtico hc, y

posteriormente la energa elstica almacenada se libera mediante deformacin plstica (Mathews y Blakeslee, 1974 y Rigby, 1997), introduciendo dislocaciones de desacople en la interfaz (misfit dislocations por su nombre en ingls). Este proceso se ilustra en la figura 13.

af as

A B

(a)

(b)

(c)

Figura 13. (a) Pelcula A y sustrato B con diferentes parmetros de red af y as (no hay interaccin). (b) Acomodo elstico de la red en la interfaz por un crecimiento pseudomrfico (ambos materiales se ajustan a un mismo parmetro de red ). (c) Relajacin de la red por dislocaciones de desacople en la interfaz despus de alcanzar el grosor crtico (Kubin, 2001 y van der Merwe et al. 1986).

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II.1.5 Modos de crecimiento

Durante el crecimiento heterostructural pueden ocurrir tres modos de crecimiento (figura 14): crecimiento por capas o en 2D (Frank-van der Merwe FM), crecimiento en 2D junto con islas (Stranski-Krastanow SK) y crecimiento por islas o 3D (Vollmer-Weber VW).

FM

SK

VW

2D
Menor deformacin

2D/3D

3D
Mayor deformacin

Figura 14. Ilustracin de los tres modos de crecimiento que ocurren durante el crecimiento de semiconductores con varios niveles de deformacin uniforme por desacople de red (Biefeld, 2008).

El modo de crecimiento FM es caracterstico en un crecimiento heteroepitaxial con desacople de red bajo, y es conocido tambin como crecimiento de capa por capa. Comnmente, cuando existe una epitaxia coherente en los semiconductores se asume un crecimiento tipo FM. En cambio, en un crecimiento heteroepitaxial con desacople de red moderado (~7%), los otros dos modos de crecimiento se ven favorecidos dependiendo de los materiales, la magnitud del desacople y los detalles experimentales del crecimiento. El modo de crecimiento SK ocurre frecuentemente en el crecimiento de materiales que presentan deformacin por desacople. En estos sistemas existe un valor crtico del grosor de la pelcula a partir del cual se forman islas o dislocaciones en la capa epitaxial provocando un crecimiento no planar de la superficie. Para el caso de sistemas con desacople de red muy alto (~15%) y dependiendo de los materiales y de los parmetros

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utilizados durante el crecimiento, como temperatura, presin en la cmara de crecimiento, etc., el modo de crecimiento comnmente observado es el modo VW (Biefeld, 2008).

II.2 Sistema de Depsito por Vapores Qumicos de Metal-Orgnicos (MOCVD)

El mtodo de Depsito por Vapores Qumicos (CVD, por sus siglas en ingls Chemical Vapor Deposition) es un proceso en el cual los precursores en fase gaseosa reaccionan qumicamente sobre la superficie de un sustrato a una cierta temperatura, para lograr el crecimiento de un material en forma de pelcula delgada. Los gases precursores (reactivos) son alimentados a la cmara de crecimiento del sistema CVD mediante gases acarreadores inertes. La cmara del sistema CVD puede trabajar desde presiones atmosfricas (760 Torr) hasta presiones de 10-3 Torr. La temperatura del porta-sustratos es controlada generalmente por un calefactor de grafito y en algunos casos mediante radiacin infrarroja. La temperatura de crecimiento puede variar hasta por encima de los 1000 C para algunos materiales. Se acostumbra a etiquetar con siglas adicionales al mtodo de CVD dependiendo de las caractersticas de los precursores o de los accesorios utilizados para iniciar el proceso de CVD. Las siglas MOCVD se refieren al mtodo de CVD cuando se utiliza compuestos complejos que contienen metales y ligandos orgnicos como precursores del material a formarse (estos compuestos son conocidos como metal-rganicos, MO, por sus siglas en ingles Metal-Organic). El mtodo MOCVD se emplea ampliamente para el crecimiento de semiconductores II-VI, III-V y xidos metlicos. El mtodo MOCVD tambin es conocido como Epitaxia por Fase Gaseosa de Metal-rganicos (MOVPE, por sus siglas en ingls Metal Organic Vapor Phase Epitaxy).

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II.2.1 Crecimiento de nitruros del grupo III por MOCVD

En el crecimiento de pelculas delgadas de nitruros del grupo III, el mtodo MOCVD involucra el trasporte y la mezcla de fases gaseosas de Trimetil-M ((CH3)3M), donde M puede ser aluminio (Al), galio (Ga) o indio (In), y de hidruros NxHy, como el amoniaco (NH3), para la fuente de nitrgeno. Para introducir los precursores a la cmara de crecimiento se utilizan gases acarreadores inertes, como el hidrogeno (H2) o el argn (Ar). Las reacciones qumicas ocurren sobre la superficie caliente del sustrato, donde se crece la pelcula delgada de nitruro (figura 15).

Figura 15. Diagrama esquemtico de un sistema MOCVD para el depsito epitaxial de pelculas de GaN y AlN. Los precursores empleados para el crecimiento de GaN y AlN son trimetil-galio (CH3)3Ga y trimetilaluminio (CH3)3Al, respectivamente. Como gas acarreador para transportar a los precursores, se utiliza hidrogeno en fase gaseosa, H2. Como fuente de nitrgeno se utiliza amoniaco, NH3. Para dopar tipo p al GaN se emplea como fuente de Mg al Bis-ciclopentadienil-magnesio, (MeCp)2Mg, y para el dopaje tipo n se utiliza un flujo de silano, SiH4. Los precursores metal-orgnicos y el NH3 son esparcidos sobre la superficie de un sustrato calentado a una temperatura por encima de 1000 C (Ambacher, 1998).

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En la industria de los semiconductores, el mtodo MOCVD es mayormente utilizado sobre otras tcnicas de crecimiento de pelculas delgadas debido a las bajas presiones a las que opera. El sistema MOCVD puede fcilmente reproducir detalles del modo de crecimiento, adems cuenta con la capacidad para depositar estructuras de capas, que es esencial en la fabricacin de dispositivos semiconductores como diodos lser y diodos emisores de luz. Las pelculas crecidas por este mtodo presentan uniformidad tanto en grosor como en composicin. Por estas caractersticas, el mtodo MOCVD es empleado en el crecimiento de semiconductores a gran escala, manteniendo al mismo tiempo un alto grado de calidad cristalina en el material. En la actualidad, es posible conseguir sistemas MOCVD con capacidad de porta-sustrato para una oblea de 2 pulgadas de dimetro, incluso existen sistemas con capacidad para 19 obleas del mismo tamao (figura 16).

Figura 16. Fotografa de un sistema MOCVD comercial con capacidad para 19 obleas de 2 pulgadas de dimetro (Thomas Swan Scientific Equipment Ltd.).

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II.2.2 Crecimiento de pelculas delgadas de GaN sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa amortiguadora de AlN expuestas al SiH4
Una serie de pelculas delgadas de GaN:Si se crecieron en un reactor AIX200/4 RFS mediante la tcnica de MOCVD sobre sustratos de Si(111). Los sustratos se limpiaron por medio de un ataque qumico utilizando una solucin de H2SO4:H2O2:H2O (3:1:1) y una solucin de HF (5%) para lograr una superficie de silicio saturada en hidrgeno, este procedimiento elimina el xido del sustrato y vuelve innecesario el calentamiento previo a alta temperatura del sustrato (Grundmann et al. 1991). Para evitar la nitruracin del sustrato de silicio, primero se depositaron unas cuantas monocapas de Al utilizando el precursor TMAl (Trimetil-aluminio) a 720 C. En seguida, se creci la capa amortiguadora de AlN dopada con Si sobre la superficie de Si(111) a la misma temperatura, utilizando TMAl y NH3 como precursores, H2 como gas acarreador y SiH4 como fuente para el dopaje de Si. Despus de 25 nm de grosor, el crecimiento se detuvo, se increment la temperatura en el sustrato a 1100 C y se introdujo un flujo de SiH4 de 0.11 mol/min para distintos tiempos: 0 s, 30 s, 60 s, 75 s, 90 s, y 105 s, manteniendo el flujo de amoniaco constante. Posteriormente, en una interrupcin de 10 segundos, se ajust el flujo de SiH4 para el dopaje de Si y se creci la pelcula de GaN:Si utilizando los precursores de NH3 y TMGa (Trimetil-Galio). Despus de 2 minutos de crecimiento, se increment el flujo de NH3 al doble y la temperatura del sustrato a 1165 C durante 12 minutos para forzar la coalescencia en la pelcula. Finalmente el flujo se redujo a las condiciones normales de crecimiento por 8 minutos. Los parmetros de crecimiento fueron idnticos en todas las muestras a excepcin del tiempo de flujo de SiH4. Un esquema de la estructura se ilustra en la figura 17. Para el crecimiento de las pelculas con las especificaciones requeridas para el trabajo de tesis, se solicit la colaboracin del grupo del Profesor Armin Dadgar de la Universidad de Magdeburg, Alemania.

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750nm GaN:Si

SiH4

0s-150s 25nm AlN:Si Si(111)

Figura 17. Ilustracin esquemtica de la serie de muestras de pelculas delgadas de GaN:Si/Si(110) crecidas por MOCVD. El SiH4 se insert sobre la superficie de AlN.

II.2.3 Crecimiento de pelculas de GaN sobre sustratos Si(110)

Las pelculas de GaN se crecieron por la tcnica de MOCVD sobre sustratos de silicio (110) en un reactor horizontal AIXTRON AIX-200/4 RF-S. Los sustratos de silicio se limpiaron previo al depsito mediante un ataque qumico utilizando H2SO4:H2SO2:H2O (3:1:1) y HF (%5) con el fin de remover la capa de xido y as producir una superficie de silicio saturada en hidrgeno H (Grundmann et al. 1991). Una vez en la cmara, y despus de haber expuesto la superficie del sustrato al TMAl durante 10 segundos (creacin del wetting layer), la capa de AlN se creci utilizando TMAl y amoniaco (NH3) a una temperatura de 1160 C utilizando H2 como gas acarreador hasta un grosor de 280 nm. Posteriormente una capa de 100 nm de AlxGa1-xN se deposit a 1165 C con un contenido de Al del 10%. La subsecuente capa de GaN dopada con Si se creci utilizando TMGa y amoniaco a una temperatura de 1150 C utilizando SiH4 como fuente para el dopaje de Si. Finalmente se depositaron dos capas ms de GaN de diferentes grosores intercaladas con capas delgadas de baja temperatura de AlN crecidas bajo las mismas condiciones (figura 18). Igualmente en esta etapa, para cumplir con el segundo objetivo, se cont con la

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colaboracin del grupo del Profesor Armin Dadgar de la Universidad de Magdeburg, Alemania.

580nm 15nm 470nm 15nm 400nm 100nm 2800nm

GaN:Si AlN GaN:Si AlN GaN:Si AlGaN:Si AlN Si(110)

1050 C 630 C 1050 C 630 C 1050 C 1065 C 1060 C

Figura 18. Ilustracin esquemtica de la estructura de capas de GaN/Si(110) crecidas por MOCVD.

II.3 Microscopa de Fuerza Atmica (AFM)

El microscopio de fuerza atmica (AFM, por sus siglas en ingls Atomic Force Microscopy) es uno de los miembros de la familia de microscopios llamados microscopios de barrido por punta. Estos microscopios proporcionan informacin acerca de las propiedades de la superficie de los materiales al recorrer o barrer la superficie con una pequea punta (figura 19). La informacin acerca de la interaccin de la punta con la superficie es transmitida por medio de una unidad de interfase electrnica a una computadora en donde se genera la imagen digital en 3D de la superficie (Perea-Lpez, 2002 y West, 2007).

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Foto-detector Detector y unidad de interfaz electrnica Punta Lnea de barrido Superficie Haz laser Mnsula o Cantilever

tomos de la punta Piezo-motor en x,y,z Fuerza

tomos de la superficie

Figura 19. Esquema ilustrativo del principio de operacin de un AFM y las partes principales que lo conforman (Agilent Technologies, 2000-2008).

La punta del microscopio se sita cerca de la superficie, donde interacta con campos de fuerza asociados a la superficie misma (Binnig, 1986 y West, 2007). Mientras la punta recorre el rea, la fuerza entre la punta y la superficie se mantiene constante (~10-9 Newtons) utilizando un circuito de retroalimentacin que controla el posicionamiento en la altura Z mediante una cermica piezoelctrica (el movimiento en X-Y a travs de la superficie tambin es controlado por cermicas piezoelctricas). La manera de medir el campo de fuerza se realiza mediante la alineacin de un haz lser enfocado a un espejo que se encuentra en la parte posterior de la mnsula o cantilever1, y es reflejado hacia un fotodetector sensible a la posicin del lser para monitorear el movimiento de la punta. Cuando

La parte ms delicada en el diseo del AFM es la mnsula o cantilever. Es la pieza sobre la cual se encuentra montada la punta, debe tener una alta sensibilidad y a la vez ser inmune al ruido de vibraciones (Perea-Lpez, 2002).

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la punta en el extremo final de la mnsula interacta con la superficie, sta se flexiona y la posicin del haz lser se modifica, ocasionando un cambio en el foto-detector (figura 19). As, la salida electrnica del sensor es proporcional a la fuerza entre la punta y la superficie (West, 2007).

II.3.1 Modos de operacin del AFM

El AFM tiene dos modos de medir la topografa (Pacific Nanotechnology, Inc., 2007): el modo de contacto y el modo de vibracin. En el modo de contacto, la punta se coloca cerca de la superficie para provocar una flexin en la mnsula por la fuerza de interaccin de acuerdo a la ley de Hook (Perea-Lpez, 2002). El modo de contacto puede hacer el barrido (x,y) en dos modalidades: (1) Manteniendo la fuerza constante. En este modo, el piezo-motor de Z sube y baja la punta de tal forma que se mantenga una flexin constante en la mnsula. Este mtodo se usa para reas grandes en las que la topografa puede cambiar varios micrmetros de un punto a otro. Y (2) con flexin variable de la mnsula. En este modo se efecta el barrido sobre el plano (x,y) permitiendo que la flexin de la mnsula se altere con la posicin, i.e., la flexin de la mnsula sigue la topografa de la superficie. Este mtodo es conveniente para reas de barrido pequeas en las que la superficie no cuente con valles o crestas muy prominentes. En el modo de contacto, las fuerzas de interaccin son del orden de nano-Newtons, y debido a esto, la punta puede encontrarse en un mnimo contacto con la superficie (Pacific Nanotechnology, 2007). En el modo de vibracin la mnsula se pone a vibrar, y segn la frecuencia de vibracin puede denominarse: modo de no-contacto o modo de contacto intermitente (tapping mode). En el caso del modo de no-contacto, la mnsula se hace vibrar a una frecuencia cercana a su frecuencia de resonancia natural (~50 500 kHz), y se mide el cambio en la frecuencia y en la amplitud de oscilacin ocasionado por la interaccin de las fuerzas entre la punta y la superficie. En el caso del modo de contacto intermitente, la amplitud de oscilacin (de 10 a 100 nm) es mayor que la del modo de no-contacto, logrando hacer contacto entre la punta y la superficie en la parte ms baja de cada ciclo de oscilacin.

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Este modo de operacin presenta varias ventajas. Una de ellas es la reduccin del dao por friccin y distorsin, puesto que la punta llega a tocar la superficie de la muestra por un tiempo muy corto (Perea-Lpez, 2002). Por ello es utilizado preferentemente en muestras donde la superficie puede ser daada fcilmente.

II.3.2 Interacciones entre la punta y la muestra

Las fuerzas de mayor magnitud entre la punta y la superficie suceden cuando los tomos de la punta interactan fsicamente con los tomos de la superficie (Pacific Nanotechnology, 2007). En modo contacto las fuerzas de interaccin se deben principalmente a las fuerzas de Coulomb. Sin embargo existen otras fuerzas, aunque de menor magnitud, entre la punta y la superficie que pueden modificar la imagen de AFM. Estas pueden ser generadas por contaminacin superficial, fuerzas electrostticas y algunas otras propiedades de la superficie del material. Dentro de estas ltimas entran en consideracin las fuerzas de tensin superficial y las de Van der Waals.

II.3.3 Resolucin en un AFM

Un AFM tiene dos medidas de resolucin (Pacific Nanotechnology, 2007): en el plano de medicin y en la direccin perpendicular a la superficie. Resolucin en el plano: La resolucin en el plano depende de la geometra de la punta que se utilice para el barrido. En sentido general, en cuanto ms aguda sea la punta mayor ser la resolucin de la imagen de AFM (figura 20). El material de la punta en el AFM comnmente es Si3N4 y/o Silicio. El dimetro de la punta puede variar desde 5 nm a 50 nm en dimetro (segn las especificaciones del fabricante). La resolucin horizontal puede llegar a ser de 0.2 nm (West, 2007). Resolucin vertical: La resolucin vertical en el AFM se establece mediante vibraciones relativas de la punta sobre la superficie. Las fuentes de vibracin son el ruido acstico, vibraciones terrestres y trmicas. Para lograr una mxima resolucin vertical se

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requiere minimizar las vibraciones del instrumento. La resolucin vertical puede estar en el orden de angstroms (~0.05 nm).

Figura 20. Resolucin en un AFM. La imagen de la derecha tendr mayor resolucin debido a la geometra de la punta (Pacific Nanotechnology, 2007).

Dependiendo del modo de operacin y del motor piezoelctrico, el rea de una imagen obtenida por AFM en el plano horizontal pude ser del orden de 1 nm2 hasta de 10,000 m2; y la altura en el eje vertical menor de 20 m (West, 2007).

II.3.4 Medicin de rugosidad

La rugosidad es una medida de la textura de la superficie. Se cuantifica mediante las desviaciones verticales de una superficie real a una superficie ideal. Si las desviaciones son grandes, se dice que la superficie es rugosa; si son pequeas, la superficie es suave. Existen varios parmetros para determinar la rugosidad. El parmetro Ra en AFM, se define como el valor promedio de los valores absolutos de las alturas zj de la superficie medida con respecto a un plano medio z (Nanoscope Software III, 2001):

Ra =

1 n zj z n j =1

(8)

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Por otro lado, el valor estadstico de las alturas, i.e., la desviacin estndar de los valores z, denominado RMS Rq , se calcula mediante la siguiente ecuacin:

Rq =

(z

z)2

(9)

donde se mide el valor de zi con respecto al plano medio z , y n es el nmero de puntos.

II.4 Microscopa Electrnica de Transmisin (TEM)

La microscopa electrnica de transmisin (TEM por sus siglas en ingls Transmission Electron Microscopy) ha sido la tcnica ms utilizada para la observacin directa de dislocaciones y otros defectos cristalinos. Puede aplicarse a una gran variedad de materiales si es posible preparar una seccin muy delgada de las muestras que soporte y permita, en condiciones de vaco, el paso del haz de electrones energticos. En un microscopio convencional los electrones pueden tener una energa de 200 keV a 400 keV. La dispersin inelstica que sufren los electrones al atravesar el material pone un lmite superior al grosor de la muestra. Para elementos pesados (de un nmero atmico elevado) el lmite es de alrededor de 100 nm y para elementos ligeros puede ser de hasta ~500 nm. Los lmites del grosor logran superarse slo para microscopios de alto voltaje que pueden acelerar electrones a energas de 1 MeV. El TEM utiliza lentes electromagnticas para enfocar el haz de electrones y producir una imagen (figura 21). Esto sucede de manera anloga como su contraparte ptica, ya que los electrones se comportan como ondas de De Broglie. Un esquema del diagrama de rayos a travs de una lente objetiva en el microscopio electrnico de transmisin se ilustra en la figura 22.

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Can de electrones nodo

Muestra Lente Objetiva Plano focal anterior Diafragma de la Objetiva Primer Plano-Imagen Intermedio Diafragma SAD Lente Intermedia

Segundo Plano-Imagen Intermedio Lente Proyectora

Pantalla Imagen Patrn de difraccin

Figura 21. Lentes principales y diagrama de rayos en un microscopio electrnico de transmisin en modo difraccin y en modo imagen (Krumeich, 2008 y Williams y Carter, 1996).

La longitud de onda del electrn, , est determinada por su energa cintica de la siguiente forma (Williams y Carter, 1996):

[2m eV {1 + (eV / 2m c )}]

2

1/ 2

(10)

donde h es la constante de Planck, mo es la masa en reposo del electrn, e es la carga del electrn y V es el potencial elctrico de aceleracin.

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Lente Objetiva Plano Objeto 2 Plano focal anterior (espacio reciproco) Plano imagen (espacio real)

Haz de electrones

2 Muestra (espacio real) Patrn de difraccin Imagen del microscopio electrnico

Figura 22. Diagrama de rayos pticos en un microscopio electrnico de transmisin. Se muestra el principio de formacin de una imagen mediante una lente objetiva (Shindo y Hiraga, 1998).

Segn la ecuacin (10), los electrones con una energa cintica de 200 keV poseen una longitud de onda de 0.025 . En principio, estos valores de longitud de onda pondran un lmite terico del mismo orden de magnitud a la resolucin del instrumento. Pero en la prctica, al igual que en un microscopio ptico, las aberraciones (provocadas por las inestabilidades elctricas de las lentes electromagnticas) ponen un lmite de resolucin mayor. En un TEM, los electrones emergen de un filamento y son acelerados a travs de la columna por una diferencia de potencial. El haz de electrones es entonces proyectado por la lente condensadora hacia la muestra, la cual se monta en un disco de ~3 mm de dimetro. En un material cristalino, los electrones incidentes que logran atravesar la muestra pueden ser difractados en direcciones especificas correspondiendo a cada familia de planos del cristal (dependiendo de su orientacin con respecto al haz electrnico incidente). Estos haces que logran ser difractados satisfacen los requisitos geomtricos de la Ley de Bragg (Figura 23):
2d sin = n

(11)

41

donde d es la separacin de los planos que difractan el haz de electrones incidente, n es un nmero entero y es el ngulo entre el haz incidente y plano de difraccin.

Figura 23. Ilustracin de la ley de Bragg. Difraccin de electrones en planos de un cristal. La diferencia de camino entre las ondas incidentes 1 y 2 es abc=2 d sin (Thomas y Goringe, 1979). Para un microscopio de 200 keV, est en el orden de dcimas de grado.

II.4.1 Modo difraccin

Para operar el microscopio electrnico de transmisin en modo difraccin, el haz transmitido y los haces difractados por el cristal se llevan a foco por las lentes objetivas al plano focal anterior, donde se forma el patrn de difraccin (figura 21). El plano focal anterior a la lente objetiva acta como el plano objeto de la lente intermedia. Una serie subsecuente de lentes de amplificacin (intermedias y de proyeccin) proyectan el patrn de difraccin magnificado en la pantalla fluorescente. Un diafragma de rea selecta o de

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campo (SAD, por sus siglas en ingls Selected Area Difraction) puede introducirse en el primer plano imagen intermedio (figura 21) para limitar el campo del cual se desea obtener informacin en el modo difraccin. El uso de este diafragma permite obtener patrones de difraccin de porciones pequeas de la muestra y es importante tambin para establecer un mejor contraste en la imagen (Thomas y Goringe, 1979).

II.4.2 Modo imagen

Si el plano imagen de la lente objetiva acta como el plano objeto de la lente intermedia, el microscopio se encuentra en modo imagen y produce una imagen real y magnificada de la regin en observacin mediante la lente proyectora (figura 21). La magnificacin final del objeto puede variar entre 102 y 106 aumentos. Una imagen en TEM puede formarse utilizando el haz transmitido y alguno o todos los haces correspondientes a los electrones difractados (Thomas y Goringe, 1979). Mediante la introduccin de un diafragma en el plano focal anterior a la lente objetiva, puede elegirse cuales haces del patrn de difraccin contribuirn a formar la imagen (figura 21).

II.4.2.1 Campo Claro y Campo Oscuro

Para formar la imagen en campo claro, el diafragma de la objetiva se coloca en el plano focal anterior para permitir slo el paso del haz transmitido (figura 24(a)). Para formar la imagen de campo oscuro, el diafragma de la objetiva se coloca en el plano focal anterior para permitir slo el paso de un haz difractado (figura 24(b)). El contraste en estas imgenes (campo claro y campo oscuro) se debe al cambio de la amplitud del haz transmitido o el haz difractado a consecuencia de la absorcin y la dispersin en la muestra. El contraste en la imagen es conocido como contraste de amplitud (Shindo y Hiraga, 1998).

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Haz Haz difractado

Diafragma de la objetiva

Figura 24. Tres modos de observacin en el microscopio electrnico utilizando el diafragma de la objetiva. Los puntos representan un patrn de difraccin y el crculo el diafragma. Idealmente, el centro del diafragma de la objetiva se encuentra en el eje ptico (Shindo y Hiraga, 1998): (a) Modo de campo claro; (b) Modo de campo oscuro; (c) Microscopa electrnica de alta resolucin: iluminacin axial por haz mltiple (Bendersky y Gayle, 2001).

II.4.2.2 Microscopa electrnica de transmisin de alta resolucin (HRTEM)

Al seleccionar ms de dos haces por un diafragma mayor en el plano focal anterior, la imagen formada corresponder al modo de microscopia electrnica de transmisin de alta resolucin (HRTEM, por sus siglas en ingls High Resolution Electron Microscopy). El contraste se forma debido a las diferencias de fase de los haces difractados y el haz transmitido. El contraste en la imagen es conocido como contraste de fase (Shindo y Hiraga, 1998). A la observacin de imgenes en alta resolucin, bajo la condicin de iluminacin donde el haz transmitido es paralelo al eje ptico de las lentes objetivas se le llama mtodo de iluminacin axial. Cuando el haz transmitido se encuentra inclinado a cierto ngulo con respecto al eje ptico, se llama mtodo de iluminacin fuera del eje. Las imgenes de alta resolucin resultan de la interferencia de la funcin de onda del haz de electrones que es dispersado por la muestra y que a la vez es perturbado por las aberraciones de las lentes electromagnticas. Si la resolucin puntual del microscopio es

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suficiente para discernir la estructura, y la muestra puede ser orientada a lo largo de uno de sus ejes de zona, entonces es posible obtener imgenes de alta resolucin. De esta forma la estructura atmica de un material puede ser investigada directamente. Para ello es imprescindible la correcta alineacin del microscopio. Despus de atravesar la muestra, la funcin de onda emergente contiene informacin de su estructura. Sin embargo, como se mencion anteriormente, las imperfecciones en las lentes, el astigmatismo, la aberracin esfrica, Cs, y la aberracin cromtica, Cc, reducen la calidad de la imagen. La distribucin de la intensidad de la funcin de onda emergente se describe por la funcin de transferencia (Williams y Carter, 1996),

T (u ) = 2 A(u ) sin (u )

(12)

donde A(u) es la funcin asociada al diafragma y el termino (u) est dado por:

(u ) = f u 2 + C s 3 u 4

1 2

(13)

donde u es la frecuencia espacial, f es el valor del desenfoque que se escoge para formar la imagen, depende del voltaje de aceleracin, y Cs se relaciona con la calidad de la lente. Cuando T(u) es negativa, se obtiene un contraste de fase positivo, en este caso los tomos aparecern oscuros contra el fondo blanco. Cuando T(u) es positiva, se obtiene un contraste de fase negativo, y los tomos aparecern brillantes contra un fondo oscuro. Cuando T(u) =0, no hay detalle en la imagen para el valor de u (Williams y Carter, 1996).

II.4.3. Anlisis de dislocaciones por TEM

Para el anlisis de defectos en modo imagen, se requiere informacin de las condiciones de difraccin, las cuales se obtienen en modo difraccin. Dentro del anlisis de

45

dislocaciones es de particular importancia el vector de difraccin g (vector de la red reciproca perpendicular a los planos de difraccin). Una dislocacin produce una distorsin en la red, la cual ocasiona un desplazamiento de los tomos fuera de su posicin regular de equilibrio. Dicho desplazamiento se representa por el vector:

R = Rx +Ry +Rz

(14)

Como consecuencia de esto, en la funcin de onda asociada al haz de electrones, se genera un cambio de fase. En la imagen de la dislocacin se observa un contraste de fase debido al rompimiento de la periodicidad en la red cristalina. Tomando a R como el desplazamiento, la amplitud cinemtica resultante de la dispersin del haz por el cristal est dada por (Thomas y Goringe, 1979):

dt exp[2 i (g + s) (r
crystal

+ R )]

dt exp[2 i s r ] exp[2 i g R]
i
crystal

(15)

donde s es el error de excitacin ( s = k - g ) y ri representa las posiciones de los tomos con respecto al origen de la celda unitaria. El desarrollo de la ecuacin (15) permite reescribir la amplitud como la dispersin del haz ocasionada por un cristal perfecto modificada por un factor de fase, que se expresa como,

= 2 i g R

(16)

es la diferencia de fase que sufre el electrn al atravesar el espacio que ocupa el defecto
cristalino, con respecto aquel que atraviesa al cristal perfecto. En el caso obvio cuando R=0, no hay cambio en la fase; pero en general 2i gR=n2i, donde n puede ser un nmero racional (Thomas y Goringe, 1979). La visibilidad de estos defectos puede entenderse entonces en trminos de un criterio simple: gR.

46

II.4.3.1 Criterio de invisibilidad gb

En el caso particular cuando gR = 0, con R0, no se observar contraste en la imagen, i.e. R es perpendicular a g. En este caso R est sobre el plano (hkl) y la diferencia de caminos entre los electrones transmitidos y difractados no se ve afectada por el desplazamiento R (figura 25).

Figura 25. Condicin de Bragg y la esfera de Ewald (Thomas y Goringe, 1979). Si R se encuentra en el plano de difraccin, d no se altera, y la diferencia de caminos no se ve modificada por R, por lo que no hay cambio en la fase. La condicin de mnimo contraste debido a R es, g R =0, donde el vector g es normal al plano (hkl). KO y Kg son los vectores de onda correspondientes al haz incidente y al haz difractado, respectivamente. es el ngulo de Bragg y g es el vector de la red reciproca. El punto O* es el origen y B es un punto de la red recproca.

En el caso cuando gR = n, con n entero, una funcin de fase constante se introduce en la imagen. Esta condicin se aplica para una dislocacin con R igual a un vector de desplazamiento de la red cristalina. La dislocacin se identifica por su correspondiente vector de desplazamiento: el vector de Burgers b. En el caso gR = n, con n fraccional, el

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vector de desplazamiento R en la dislocacin no coincide con un vector de traslacin de la red, y debe asociarse a fallas parciales. Para poder apreciar la dislocacin mediante un cambio en el contraste, la magnitud del producto gR asociado a la dislocacin debe ser lo suficiente grande para cambiar la intensidad en el fondo de la imagen ~ gb > 0.333 (Thomas y Goringe, 1979). Para dislocaciones de tornillo, los desplazamientos R son paralelos al vector de Burgers b; por lo tanto, cuando gb = 0, no hay contraste en la imagen, y las dislocaciones de tornillo son invisibles. En el caso de dislocaciones de borde, las componentes de R son Rn y Rb, correspondientes a los desplazamientos normal y paralelo a b, respectivamente. Para una dislocacin de borde con el semiplano-extra paralelo al haz, sucede que gb = n (incluyendo cero), mientras que gRb = 0. Por otro lado, si la dislocacin de borde se encuentra orientada con el semiplano-extra normal al haz incidente, entonces gb = 0 y gRn = m (incluyendo cero). Debido a los desplazamientos Rn las dislocaciones de borde no necesariamente salen por completo de contraste con la condicin gb = 0, a excepcin de cuando tambin gRn = 0. Por ello en el caso de dislocaciones de borde se requiere la condicin g(b x ), donde es un vector tangente a lo largo de la lnea de dislocacin. Sin embargo, si g(b x ) <= 0.64, el contraste en la imagen es muy tenue y la dislocacin no se observar (Williams y Carter, 1996). En resumen, si el vector de Burgers b es perpendicular a la condicin de difraccin definida por g, es decir si gb = 0, el contraste en la imagen de la dislocacin no se observar debido a que no se produce algn cambio en la fase de la ecuacin (16). Este hecho es conocido como el criterio de invisibilidad.

II.4.3.2 Observacin de dislocaciones

Considrese la ley de Bragg en trminos del vector de difraccin g (figura 25). Para que la radiacin del haz incidente KO sea difractada en una direccin particular Kg, los vectores de onda deben satisfacer la ecuacin:

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KO Kg = g

(17)

y en una dispersin elstica se tiene:

K O = K g = 1/

(18)

donde 1/ es el radio de la esfera de Ewald. Todos los puntos del espacio reciproco que toquen la esfera de Ewald satisfacen la ley de Bragg. La ley de Bragg toma la forma de la ecuacin (11) si se utilizan las ecuaciones (17) y (18) con la geometra de la figura 25:

sin

g 2

(19)

g es el vector de la red reciproca normal a los planos (hkl) de la figura 25. En un campo de deformacin, como lo es el caso de una dislocacin en una regin del cristal, los planos se deforman un ngulo , cambiando g y s. Por un lado g sufre un incremento g y una rotacin , y por otro, s sufre una ligera modificacin (Williams y Carter, 1996). Para tener una idea intuitiva de por qu se observa el contraste en las dislocaciones, considrese la geometra mostrada en la figura 26 para dislocaciones con vector b paralelo al plano recproco (considere Rz = 0). La imagen de la figura 26(a) ilustra una dislocacin de borde en una muestra ligeramente inclinada para introducir los planos distorsionados a la condicin de Bragg (ecuacin (17)). La distorsin ocasionada por la dislocacin, desva los planos cercanos al ncleo de la dislocacin fuera de la condicin de difraccin de Bragg (hay un cambio en g y s). Al inclinar la muestra unos cuantos grados con respecto al haz, los planos cercanos al ncleo se introducen a una de las condiciones de difraccin g + g, ilustrado como G en la figura 26(a). El sistema entonces se encuentra en la condicin de

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difraccin de dos haces excitados, otorgndole un contraste mayor a la dislocacin, como

lo indica la curva de intensidad de la figura 26(b).

Figura 26. (a) Planos distorsionados alrededor de una dislocacin de borde. Es necesario inclinar la muestra ligeramente para incluir a los planos distorsionados dentro de la condicin de Bragg. (b) Perfil esquemtico del cambio de contraste en la imagen de la dislocacin y del desplazamiento que sufre la posicin de proyeccin (Williams y Carter, 1996).

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Captulo III

Resultados y Discusiones III.1 Reduccin de dislocaciones por efecto de la exposicin al SiH4 de la capa buffer de AlN en el crecimiento de pelculas de GaN sobre sustratos de Si(111)

III.1.1 Anlisis de la superficie por AFM

La morfologa de la superficie de cada una de las muestras de GaN/Si(111) cuya capa buffer de AlN se expuso al SiH4 por distintos tiempos, se caracteriz por microscopa de fuerza atmica utilizando un microscopio de modelo Nanoscope III en modo contacto. Para el anlisis de AFM se utiliz una punta de nitruro de silicio de la serie DNP-S de Veeco de 10 nm de radio (Veeco, 2006). En la figura 27 se ilustra una serie de imgenes individuales obtenidas por AFM en un rea de 25 m2 de la superficie de GaN/Si(111) cuya capa buffer de AlN se expuso al SiH4 por tiempos de 0 s, 30 s, 60 s, 75 s, 90 s y 105 s. La serie de muestras revela la evolucin en la morfologa de la superficie de las pelculas. En la muestra-referencia (0 segundos de exposicin al SiH4) la superficie de GaN presenta una morfologa corrugada y provista de una alta densidad de hoyos (nmero de hoyos por cm-2), los cuales se identifican (dada la escala de referencia en z) como pequeas manchas oscuras en la figura 27(a). En la figura 27(b), el nmero de hoyos que aparecen en la superficie de la pelcula de GaN se ve disminuido de manera notable. En esta muestra, previo al crecimiento de GaN, la superficie de la capa buffer de AlN ha sido expuesta al flujo de SiH4 por 30 segundos. Es probable que algunos de los hoyos asociados a dislocaciones de

51

tornillo comiencen a sufrir los efectos del Si en la microestructura (Contreras et al. 2002 y Ruiz-Zepeda, 2004). El dimetro de los hoyos que aparecen en la figura 27(a) y 27(b) comprende de los 20 nm a los 240 nm de dimetro.

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

Figura 27. Imgenes de AFM de 5 m x 5 m de la superficie de las muestras de GaN con distintos tiempos de exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4: (a) 0 s, (b) 30 s, (c) 60 s, (d) 75 s, (e) 90 s y (f) 105 s. Conforme aumenta el tiempo de exposicin, la densidad de hoyos en la superficie disminuye. La morfologa de la superficie de GaN se ve modificada por los cambios en el modo de crecimiento, ocasionados por el depsito de SiH4 en la capa buffer de AlN.

Conforme se aumenta el tiempo de exposicin, se observa una morfologa distinta en la superficie de las pelculas de GaN, y para tiempos de exposicin de 75, 90 y 105 segundos los hoyos de dimetro mayor a 100 nm desaparecen de la superficie. Algunos hoyos de menor tamao (20-40 nm) prevalecen en menores cantidades (figuras 27 y 28). Dadas las dimensiones de la punta utilizada en el AFM, la imagen formada por la punta no resuelve por completo el detalle de un hoyo de dimetro menor a 20 nm, debido a esto, el contraste no puede ser apreciado claramente en las imgenes de la figura 27.

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(a)
25

(b)
25

(c)
25

20

20

20

No. de hoyos

No. de hoyos

15

15

No. de hoyos

15

10

10

10

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280

Dimetro del hoyo(nm)

Dimetro del hoyo (nm)

Dimetro del hoyo (nm)

(d)
25 20

(e)
25 20

(f)
25 20

No. de hoyos

No. de hoyos

No. de hoyos
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260

15

15

15

10

10

10

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260

Dimtro del hoyo(nm)

Dimetro del hoyo (nm)

Dimetro del hoyo (nm)

Figura 28. Estadstica del dimetro estimado de los hoyos que aparecen en la superficie de las pelculas de GaN, correspondientes a las imgenes presentadas en la figura 27: (a) 0 s, (b) 30 s, (c) 60 s, (d) 75 s, (e) 90 s, (f) 105 s.

Con estas observaciones puede resaltarse que uno de los efectos de la exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4 es la reduccin en la densidad de hoyos en la superficie de GaN. La figura 29 revela el comportamiento cualitativo de este proceso en funcin del tiempo de exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4. Los hoyos que se observan en la superficie de GaN estn relacionados con dislocaciones extendidas de ncleo abierto (figura 30), las cuales provienen desde la interfaz y en algunos casos se abren en la superficie en forma de conos huecos para relajar elsticamente el esfuerzo en la red (Heying et al. 1999). Este fenmeno ha sido observado como uno de los mecanismos de relajacin cuando en la pelcula, las dislocaciones extendidas no pueden deslizarse, por lo que en su lugar tienden a formar hoyos tipo V como defectos en la superficie para relajar los esfuerzos de tensin en la red. La densidad y el

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tamao de estos hoyos dependen de la cantidad de esfuerzo presente en la pelcula (Song 2005).

3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0 20 40 60 80 100 120

Densidad de hoyos x10 cm

-2

Tiempo de exposicin al flujo de SiH4 (s)

Figura 29. Densidad de hoyos sobre la superficie de la serie de muestras de GaN/Si(111) en funcin del tiempo de exposicin de la capa buffer al SiH4.

30 s

250 nm
Figura 30. (a) Imagen obtenida por AFM de un hoyo en la superficie de GaN con capa buffer expuesta al SiH4 por 30 segundos. (b) Imagen obtenida por TEM vista en planta de la superficie de GaN(0001) inclinada ligeramente para visualizar la dislocacin abierta con terminacin cnica y algunas otras dislocaciones de borde (Cherns, 2002).

54

Cuando la dislocacin emerge a la superficie libre, da lugar a depresiones sobre la superficie misma. Estas depresiones pueden ser identificadas por AFM y en ocasiones se les puede asignar el tipo de dislocacin (Gibart, 2004): borde, tornillo o mixto. El tamao y la profundidad son distintos para las tres tipos de dislocaciones extendidas, dado que cada una sufre de distintos esfuerzos asociados en la red. En una dislocacin de borde por ejemplo, debido a la relajacin del esfuerzo que ocurre en la superficie, se forman una protuberancia y una depresin causadas por la contraccin y expansin de Poisson de ambos lados de la dislocacin, que se encuentra en compresin y en tensin, respectivamente (Beam et al. 1990 y Han et al. 2008). Este efecto se observa en la asimetra del perfil de uno de los hoyos (figura 31). Para una dislocacin mixta el perfil topolgico es tambin asimtrico, pero de mayor profundidad. Mientras que para una dislocacin de tipo tornillo el perfil topolgico es simtrico generalmente (Han et al. 2008).

30 s

250 nm

Figura 31. Misma imagen de AFM de la figura 30(a). Se muestra la traza y la grfica del perfil de intensidades de la imagen del hoyo en la superficie. Ntese la asimetra en el perfil obtenido. La grfica del perfil se obtuvo con el programa WSxM 5.0 (Horcas et al. 2007).

55

El cambio en la morfologa de la superficie de la capa de GaN es otro efecto importante ocasionado por la exposicin de la capa buffer de AlN al flujo de SiH4 (figura 32). La morfologa es tambin un indicativo del cambio en el modo de crecimiento. Conforme se aumenta el tiempo de exposicin a 75 s se observa una superficie suave caracterizada la coalescencia y el crecimiento por flujo de escalones. Posteriormente al incrementar el tiempo de exposicin a 105 s, la superficie se torna menos suave y con mayores corrugaciones. A este tiempo de exposicin, la superficie tambin comienza a mostrar grandes espacios, huecos con tamaos de hasta ~1 m de dimetro (figura 32(d)). Este resultado puede deberse a la falta de coalescencia en la pelcula.

100 m

100 m

(a)

(b)

100 m

100 m

(c)

(d)

Figura 32. Imgenes de AFM en 3D de la superficie de GaN de 15 m x 15 m de (a) 0 s, (b) 30 s, (c) 75 s y (d) 105 s de exposicin de la capa buffer al SiH4. Las flechas en (d) ilustran algunos de los huecos (~1 m de dimetro) ocasionados por falta de coalescencia.

56

En la figura 33 se ilustra una grfica de la rugosidad definida por la ecuacin [9] y calculada1 sobre regiones de 25 m2 para cada una de las superficies de las muestras de la figura 34.

3.5

3.0

Rugosidad RMS (nm)

2.5

2.0

1.5

1.0 0 20 40 60 80 100 120

Tiempo de exposicion al flujo de SiH4 (s)

Figura 33. Rugosidad de la superficie de la serie de muestras de GaN en funcin del tiempo de exposicin de la capa buffer al SiH4.

La rugosidad de la superficie (RMS) de las pelculas de GaN se ve afectada por el tiempo de flujo de SiH4 sobre la capa buffer de AlN. Inicialmente, como se observa en la figura 33, la rugosidad tiene un valor de 1.6 nm en la pelcula de referencia. El valor aumenta a 2.37 nm para la pelcula con tiempo de flujo de SiH4 de 30 segundos. Posteriormente, disminuye de manera gradual hasta un valor mnimo de 1.2 nm para el tiempo de flujo de 75 segundos. Finalmente para la muestra con tiempo de exposicin de 105 segundos se observa que el valor de RMS se incrementa considerablemente hasta 3.2 nm en comparacin con las dems muestras (figura 32).

La altura promedio entre los montes y valles de la superficie, con excepcin de las dislocaciones huecas.

57

(a)

(d)

(b)

(e)

(c)

(f)

Figura 34. Imgenes de AFM de 5 m x 5 m en modo topogrfico 3D de la superficie de GaN para (a) 0 s, (b) 30 s, (c) 60 s, (d) 75 s, (e) 90 s y (f) 105 s de tiempo de flujo de exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4. La escala en z se conserva para todas la imgenes (5 nm).

58

El cambio en la morfologa y la reduccin en la densidad de hoyos pueden deberse inicialmente a una mayor incorporacin del silicio en la microestructura de GaN, y posteriormente, debido a los tiempos largos de exposicin al flujo de SiH4, a la formacin de mascarillas de SiNx sobre la capa buffer de AlN. El Si en altas concentraciones (mayores a los niveles de dopaje de 1018 atomos/cm3) se segrega en la superficie durante el crecimiento de GaN y prefiere enlazarse a sitios que se encuentran en los escalones (Munkholm et al. 2000). Cuando las cantidades de Si exceden la capacidad para incorporarse dentro de la estructura de GaN durante el crecimiento, el Si tiende a flotar y a segregarse sobre la superficie, lo que impide la incorporacin de ms tomos de Ga que contribuyan al crecimiento de los escalones en el cristal de GaN. Este proceso induce un cambio en el modo de crecimiento 2D (modo Frank-van der Merwe) a un modo de crecimiento 3D (modo Vollmer-Weber) mediante la formacin de islas. La creacin de espacios en la superficie a causa de la falta de coalescencia es una evidencia caracterstica del modo de crecimiento en 3D (figura 32(d)). Por otro lado, un incremento abrupto en la rugosidad puede ser un indicativo de una transicin de un modo de crecimiento a otro (Levi et al. 2002). En este rgimen las islas pueden crecer de manera relajada sobre la superficie tratada de AlN. Es importante considerar las caractersticas morfolgicas de la superficie en el crecimiento de pelculas delgadas ya que estn relacionadas de manera directa con la microestructura de los materiales.

III.1.2 Microestructura de pelculas de GaN: anlisis de dislocaciones por TEM por seccin transversal.
En esta seccin se analiza el efecto de la exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4 mediante el estudio por TEM de la seccin transversal de la pelcula delgada de GaN. Para el anlisis de la microestructura de las pelculas de GaN se utiliz un microscopio JEOL-2010 con una energa del haz de electrones de 200 keV. Las muestras se prepararon

59

para el anlisis por seccin transversal por el mtodo de cua, que consiste en el pulido mecnico de la muestra utilizando un trpode (Benedict et al. 1990) y posteriormente un desgaste inico (Contreras-Lpez, 1999) mediante el sistema de pulido inico (PIBS, por sus siglas en ingls Pulsed Ion Beam System). En la figura 35(a) y 35(b) se observa la microestructura de la pelcula de referencia (0 segundos de exposicin al SiH4) para condiciones de difraccin g= [ 1 1 00 ] y g= [0001],
respectivamente. Las imgenes se tomaron en el modo de haz dbil (campo oscuro). El contraste brillante en las regiones de las imgenes indica regiones donde existe una distorsin en la red. Las dislocaciones extendidas que aparecen en la estructura nacen en la interfaz de AlN/Si(111) y se extienden hasta la superficie de la pelcula. La mayora de los defectos corresponden a dislocaciones extendidas verticalmente, perpendicular a la interfaz, sin embargo, tambin aparecen algunas dislocaciones extendidas con cierto grado de inclinacin. Para las muestras cuya capa de AlN se expuso al SiH4, se observa una conglomeracin de dislocaciones en la pelcula de GaN por encima de la interfaz de GaN/AlN. La figura 36 ilustra una imagen de TEM de la seccin transversal de la muestra de 75 segundos y la figura 37 ilustra una imagen de TEM de la seccin transversal de la muestra de 105 segundos. En las imgenes se observa que algunas dislocaciones se doblan propagndose sobre el plano basal en los primeros 200 nm de la pelcula; otras se aniquilan formando lazos de dislocacin (figura 36). Este fenmeno ocasionado por la exposicin al SiH4 de la capa buffer de AlN, provoca una reduccin en la densidad de dislocaciones de manera efectiva en la pelcula de GaN. La densidad de dislocaciones en el GaN disminuye hasta en un orden de magnitud para las muestras con mayor tiempo de exposicin a los 75 segundos (figura 38). Estas observaciones coinciden para dislocaciones con ambas componentes, aquellas que son visibles con g=< 1 1 00 >, i.e. tipo a con vector de Burgers b=1/3< 11 2 0 >, y tambin para aquellas dislocaciones que son visibles con g=<0001>, i.e. tipo c con vector de Burgers b=1/2<0001>.

60

GaN

AlN Si

GaN

AlN Si
Figura 35. Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de referencia de GaN (0 s de exposicin de la capa de AlN al flujo de SiH4). Las imgenes fueron obtenidas en el eje de zona [ 11 2 0 ] para condiciones (a) de borde g=[ 1 1 00 ] y (b) de tornillo g=[ 0001 ]. Ambas imgenes representan la misma regin.

61

GaN

Si-AlN Si

GaN

Si-AlN Si
Figura 36. Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de GaN con capa buffer de AlN expuesta al flujo de SiH4 por 75 segundos. Las imgenes fueron obtenidas en el eje de zona [ 11 2 0 ] para condiciones (a) de borde g=[ 1 1 00 ] y (b) de tornillo g=[ 0001 ]. Ambas imgenes representan la misma regin. Las flechas de lnea punteada indican la conglomeracin de dislocaciones cerca de la interfaz, ocasionada por el efecto del flujo de SiH4 sobre la superficie de AlN. En las imgenes, las flechas de lnea continua sealan la formacin de un lazo de dislocacin (dipolo de dislocacin) generado por segmentos con vector de Burgers opuesto, que corresponden a dislocaciones mixtas.

62

GaN

Si-AlN Si

GaN

Si-AlN Si
Figura 37. Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de GaN con capa buffer de AlN expuesta al flujo de SiH4 por 105 segundos. Las imgenes fueron obtenidas en el eje de zona [ 11 2 0 ] para condiciones (a) de borde g=[ 1 1 00 ] y (b) de tornillo g=[ 0001 ]. Ambas imgenes representan la misma regin. Las flechas de lnea punteada indican la conglomeracin de dislocaciones cerca de la interfaz, provocadas por el efecto flujo de SiH4 sobre la superficie de AlN. En ambas imgenes las flechas blancas y negras indican la formacin de segmentos de dislocacin horizontales y segmentos de dislocacin con inclinacin perpendicular hacia la faceta de crecimiento, la cual puede apreciarse por el espacio libre (sealado con una F) que hay entre los dos frentes de isla debido a la falta de coalescencia en la pelcula.

63

Densidad de dislocaciones (cm-2 )

1.2x10

10

1.0x10

10

8.0x10

6.0x10

4.0x10

2.0x10

0.0 0 20 40 60 80 100 120

Tiempo de exposicin al flujo de SiH4 (s)

Figura 38. Densidad de dislocaciones (mixtas) con ambas componentes b=1/2<0001> y b=1/3<11 2 0 >, en funcin del tiempo de exposicin de la capa buffer de AlN al flujo de SiH4 .

Aun cuando la densidad de dislocaciones disminuye para la muestra de GaN con 105 segundos de exposicin de la capa buffer de AlN al SiH4, la pelcula se ve afectada por la presencia de huecos y una alta rugosidad en la superficie. En la figura 37 puede apreciarse un espacio libre en la pelcula, producto de la falta de coalescencia entre dos frentes de islas. El espacio estimado entre estos dos frentes de isla es aproximadamente de 1 m, y es observado en las imgenes de AFM (correspondientes a esta muestra) como un hueco en la superficie de GaN. La posibilidad de que este espacio sea producto de un pedazo removido durante el proceso de preparacin de la muestra queda descartada por varias razones. En ninguna otra muestra preparada bajo el mismo proceso se observ un espacio similar a ste. El dimetro medido por TEM es comparable a los dimetros

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medidos por AFM. El ngulo de la faceta de la derecha de la abertura que se muestra en la imagen de la figura 37 tiene un valor cercano a ~58 que corresponde a las facetas { 11 2 2 } del GaN que normalmente se observan durante el crecimiento lateral (Venngus et al. 2000). La otra faceta (la de la izquierda) corresponde al crecimiento de superficies de alto ndice que se generan a partir del transporte de masa durante el crecimiento del material despus de la formacin de una faceta { 1 1 01 } del GaN (Nita et al. 2000). Las facetas { 1 1 01 } del GaN son energticamente estables (Kato et al. 1994), por lo que es natural pensar que una baja energa de superficie de las facetas { 1 1 01 } comparada con la de otros planos cristalinos de lugar a la formacin de dicha faceta. Otro indicio de que existe un crecimiento lateral, son las dislocaciones observadas cerca de la superficie libre, que poseen la direccin perpendicular a la faceta de crecimiento. Las dislocaciones tienden a doblarse hacia la superficie libre para minimizar la energa (Liliental-Weber et al. 1999). Esto puede entenderse a partir del concepto de dislocacin imagen (Venngus et al. 2000 y Hirth y Lothe, 1982). Finalmente, cabe recalcar que, la observacin de este espacio en la pelcula
est limitada por la difcil tarea de hacer coincidir uno de estos huecos con la delgada regin

de la muestra preparada para TEM. La fortuna de cortar el hueco por seccin transversal se debi a un acierto durante el proceso de preparacin.

III.1.2.1 Mecanismo de reduccin de dislocaciones

Por encima de la capa buffer de AlN algunas dislocaciones se doblan formando lazos y otras se doblan propagndose sobre el plano basal del GaN. Los segmentos horizontales, con vector de Burgers ba =1/3< 11 2 0 > y bc = 1/2<0001>, correspondientes a dislocaciones de borde y de tornillo respectivamente, pueden explicarse como resultado de la formacin de una mascarilla de SiNx en la vecindad de los ncleos de dislocaciones (Tanaka et al. 2000). La mascarilla de SiNx interrumpe la propagacin vertical de las dislocaciones y cuando el GaN crece de manera lateral sobre la mascarilla, algunas lneas de dislocacin se ven forzadas a propagarse horizontalmente, unas por debajo y otras por encima de la mascarilla mientras el crecimiento sobre-lateral contina. Slo cuando la

65

mascarilla es muy gruesa y no guarda relacin con la estructura base, la dislocacin termina justamente en esa frontera. En nuestro caso para tiempos cortos se asume que las mascarillas se encuentran en el rgimen semi-coherente (seccin II.1.4). Esto puede comprobarse por la conglomeracin de dislocaciones formada en la vecindad de la interfaz. Para la muestra con poco tiempo de exposicin (30 s), se asume que, si existe una dislocacin de tornillo o mixta que ha sido decorada con Si y se encuentra en la vecindad de otra dislocacin con vector de Burgers opuesto a bc o bm , se crear un lazo de dislocacin que aniquilar a las dislocaciones mutuamente, generando un segmento horizontal, como se muestra en la figura 39(a). De esta manera, menos dislocaciones logran atravesar y llegar a la superficie de la pelcula. Si las dislocaciones extendidas, al momento de doblarse, no coinciden con algn segmento opuesto, la dislocacin se curva de nuevo hacia arriba y comienza a propagarse en la direccin de crecimiento (figura 39(b)).

(a)
SiNx

(b)
bc bc
SiNx

bc

bc

bc

bc

Figura 39. Modelo de una dislocacin de tornillo bajo la influencia del SiNx. (a) Lazo de dislocacin formado por dos dislocaciones opuestas. (b) Dislocacin con doblez en la regin del SiNx, que se extiende en la direccin de crecimiento.

66

Para las muestras con moderada dosis de SiH4, se observa que algunas dislocaciones se doblan por encima de la interfaz a 200-300 nm (figura 36). En este rgimen pueden coexistir dos mecanismos de reduccin: 1) La segregacin de silicio, provocando aniquilacin de dislocaciones por encima de la interfaz y 2) la creacin de mascarillas de SiNx , provocando el doblez de dislocaciones por efecto de crecimiento lateral. Algunos ejemplos de aniquilacin de dislocaciones se observan en las imgenes de la figura 36 para dislocaciones con componente mixta. Para las muestras con altas dosis de SiH4, se observa que algunas dislocaciones se doblan a distintas y mayores distancias por encima de la interfaz y de manera

perpendicular a la faceta de crecimiento (figura 37). En este rgimen se espera que el efecto que la exposicin de la capa buffer de AlN al flujo de SiH4 provoque la creacin de mascarillas de mayor tamao y con esto ocasione un cambio en la morfologa de la superficie y un cambio en el comportamiento de las dislocaciones tanto en la interfaz como en la pelcula. Si el tamao de la mascarilla es mayor, aparecen sobre la superficie de AlN menos centros de nucleacin y ms distanciados entre ellos (figura 40A). Esto lleva a la creacin de cristales ms grandes y por lo tanto a la formacin de menos fronteras de grano, sin embargo, se sacrifica el grosor necesario para obtener una coalescencia en los cristales, pues ste aumenta. Un modelo de aniquilacin de dislocaciones que sigue este comportamiento se presenta en la figura 40B.

67

(a)

(b)

SiNx AlN
Figura 40A. Modelo de cobertura de SiNx sobre AlN. En (a) el SiNx tiene una cobertura parcial de superficie de AlN. En (b) el SiNx tiene una cobertura mayor, y los sitios de nucleacin para el GaN encuentran distanciados. Si a cierto grosor en la pelcula el crecimiento lateral de las islas de GaN no suficiente o si los sitios de nucleacin se encuentran muy retirados entre si, la falta de coalescencia manifestar como huecos en la superficie. la se es se

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(a)
GaN SiNx A AlN B E

(b)

Figura 40B. Un modelo propuesto para la aniquilacin de dislocaciones en la capa buffer de AlN expuesta al SiH4. (a) En tiempos moderados la formacin de SiNx tiene su origen alrededor de una dislocacin A en la superficie de AlN. Otras dislocaciones B se extienden hasta la superficie. Aquellas dislocaciones (C y D) que son momentneamente bloqueadas por la mascarilla, si sta no es muy gruesa, se doblan por debajo mientras el crecimiento sigue en curso. Si alguna dislocacin C se encuentra con su opuesta, se aniquila dejando un lazo de dislocacin. Las dislocaciones E que penetran la interfaz se doblan siguiendo el crecimiento lateral del GaN. Este fenmeno es promovido por el crecimiento lateral y la coalescencia de las islas de GaN si la capa de SiNx es ms gruesa. (b) Durante mayores tiempos de exposicin la formacin de SiNx puede aumentar y formar capas extensas y ms gruesas. Conforme se forma el SiNx, la isla de GaN comienza a crecer lateralmente por la abertura. Las dislocaciones siguen la faceta de crecimiento. Algunas pueden llegar a aniquilarse si hay coalescencia de las islas. Sin embargo, en algunos casos, debido a la disminucin y a la lejana de los sitios de nucleacin, la falta de coalescencia a un cierto grosor se vuelve una caracterstica de la pelcula (indicada por la flecha negra punteada).

69

III.1.3 Aspectos sobre el efecto de las dislocaciones en las propiedades pticas del GaN
El mtodo de Si -doping ha probado ser un mtodo efectivo en la reduccin de dislocaciones y por lo tanto en el aumento de la calidad cristalina. Se ha observado que como consecuencia de esto, las propiedades pticas de las pelculas de GaN mejoran; en particular la eficiencia de la luminiscencia (Wang et al. 2004; Pan et al. 2006 y Riemann et al. 2006). Al utilizar este mtodo por distintos intervalos de tiempo y sobre la capa buffer de AlN, se ha encontrado que puede disminuirse la densidad de dislocaciones desde su origen en la interfaz, provocando la aniquilacin de ellas. Otro efecto que se ha observado es la influencia de este proceso en el modo de crecimiento de las pelculas y en su morfologa. Se ha encontrado que es necesario un tiempo ptimo de exposicin de la capa

buffer de AlN al SiH4 para obtener una calidad de pelcula aceptable para el crecimiento
ulterior del dispositivo luminiscente LED. El primer modelo descrito sobre la influencia de las dislocaciones en la eficiencia de los LEDs construidos a base de GaN, apuntaba a que las dislocaciones no actuaban como centros de recombinacin no-radiativa en los materiales nitruros del grupo III (Lester et al. 1995). Este modelo era soportado por el hecho de que a pesar de la alta densidad de dislocaciones en el GaN, el material mostraba una alta eficiencia y una alta brillantez en los LEDs y LDs de nitruros del grupo III. Posteriormente se discrimin a las dislocaciones con componente de borde y se culp a las dislocaciones de tornillo por este hecho (figura 41). Sin embargo, estudios por CL (ctodo-luminiscencia) con resolucin espacial muestran a todas las dislocaciones como centros de recombinacin no-radiativa. Concluyendo que tambin las dislocaciones de borde actan como centros de recombinacin no-radiativa (Miyajima, 2007). Este tema ha sido un debate durante los ltimos aos en el campo de los materiales nitruros del grupo III. Los centros de recombinacin no radiativa, reducen la eficiencia de los LEDs y LDs compitiendo con centros de recombinacin radiativa. Estos centros en algunos casos pueden migrar durante la operacin del dispositivo acortando la vida media de los portadores y limitando el tiempo de vida medio de los dispositivos pticos.

70

Intensidad integrada (u.a.)

Densidad de dislocaciones de tornillo y mixtas (cm-2)

Figura 41. Variacin de la intensidad (integrada) de la emisin de la banda ancha obtenida por fotoluminiscencia a temperatura ambiente (u.a.) y la densidad de dislocaciones de tornillo y mixtas en una muestra de GaN:Si (Miyajima, 2007).

El principal reto de la tecnologa actual es la optimizacin en la eficiencia de salida ptica del material y en la estabilidad de los contactos metlicos. Debido al alto desacople de red entre los sustratos utilizados y el GaN, una alta densidad de defectos cristalinos se encuentran presentes en la regin activa de las capas de GaN. Entre los cuales se hallan las dislocaciones extendidas que atraviesan el material desde la interfaz hasta la superficie. Las dislocaciones forman caminos de fuga de corriente en la regin activa de los LEDs y LDs restringiendo su tiempo de vida media (Mukai et al. 1998b y Cao et al. 2004). Y por otro lado, la degradacin de los contactos est asociada con las dislocaciones en el GaN, la formacin de islas en las capas de los contactos y la descomposicin del GaN.

71

III.2 Estudio microestructural de pelculas de GaN crecidas sobre sustratos de Si(110) III.2.1 Anlisis de la interfaz AlN/Si(110) por microscopia electrnica de alta resolucin
En esta seccin se estudia el arreglo atmico de la interfaz AlN/Si mediante el anlisis de la naturaleza de las capas atmicas de ambos cristales. Las muestras de GaN sobre Si(110) se prepararon por el mtodo de cua (descrito anteriormente) para ser observadas por HRTEM en seccin transversal. Las muestras se prepararon escogiendo dos direcciones de observacin: < 11 2 0 >AlN/< 1 1 0 >Si y < 1 1 00 >AlN/<001>Si. Para el anlisis
de alta resolucin de la interfaz se utiliz un microscopio JEM-4000EX cuyo voltaje de 400 kV permite una resolucin punto a punto de ~0.17 nm en la red atmica. Las figuras 42(a) y 42(b) muestran imgenes de alta resolucin de la interfaz AlN/Si(110) obtenidas por microscopia electrnica de transmisin de alta resolucin en las dos proyecciones ortogonales, < 11 2 0 >AlN/< 1 1 0 >Si y < 1 1 00 >AlN/<001>Si ,

respectivamente. En la figura 42(a) se observa un enlace atmico directo entre el AlN y el Si. El crecimiento cristalogrfico es apreciable gracias al alineamiento de las columnas de tomos de las estructuras de silicio y AlN. En la figura 42(b) se resuelve claramente la distancia interplanar 0.384 nm de los planos {110} de la red del silicio observada en la direccin [001], sin embargo, la distancia interplanar 0.155 nm de los planos { 11 2 0 } de la red de AlN queda fuera del lmite de resolucin del instrumento. No obstante, la

informacin es suficiente para corroborar la existencia de una interfaz abrupta en la heteroepitaxia de AlN sobre Si.

72

[110]

Figura 42. Imgenes de la seccin transversal de la interfaz AlN(0001)/Si(110) obtenidas por microscopia electrnica de transmisin de alta resolucin (HRTEM). Las imgenes muestran una interfaz abrupta (sealada con flechas blancas). (a) Imagen de la red cristalina en el eje de zona [ 11 2 0 ]. Un acople de red casi perfecto de la red cristalina de AlN(0001) con Si(110) mostrando una alta coherencia entre los planos { 1 1 00 }AlN y {001}Si. (b) Imagen de la red cristalina en el eje de zona [ 1 1 00 ]AlN que muestra fielmente la frontera entre ambas estructuras, AlN y silicio, con gran desacople de red (-19%).

A travs de la simulacin de imgenes de HRTEM se calcul el modelo correspondiente a la estructura de AlN[ 11 2 0 ] y Si[ 1 1 0 ] de manera independiente (figuras 43 y 44). El grosor de la muestra se increment de 30 a 150 y el desenfoque del microscopio se vari de 0 a 640 para cada una de las imgenes utilizando el programa EMS OnLine (Stadelmann y Jouneau, 1995-1998).

73

Figura 43. Simulacin de imgenes de HRTEM en el eje de zona [ 11 20 ] del AlN, variando el grosor y el desenfoque en unidades de . El cuadro individual a la derecha corresponde a una seccin de una imagen real de HRTEM de AlN.

Figura 44. Simulacin de imgenes de HRTEM en el eje de zona [ 1 1 0 ] del Si, variando el grosor y el desenfoque en unidades de . El cuadro individual a la derecha corresponde a una seccin de una imagen real de HRTEM de Si.

74

La imagen simulada con mayor aproximacin a la imagen obtenida por HRTEM se encontr para un grosor de 30 y un desenfoque de 320 . La simulacin de imgenes de HRTEM permite dar una idea precisa y certera de la estructura que se observa. Para el anlisis de la interfaz, de las capas atmicas entre ambos cristales, se utiliz una celda unitaria rectangular centrada para el plano (0001)AlN para el AlN, en lugar de una celda unitaria hexagonal, ya que la superficie de silicio (110) posee una simetra rectangular (figura 45).

(A1)
m= -0.7 %

[0001]

(B1)
Superficie Si(110) [001]

[1-100] [11-20] a=5.388 a a=5.431 [1-10]

b a
a = a= 5.431 b = a (2)/2 = 3.84

(A2)

m= -19 %

[110]

(B2)

Primera capa de AlN(0001) en conctacto con la superficie de Si(110) [001] [1-10] b=3.111 b b=3.84

[1-100]

[11-20]

b
Al N Si

a = a3 = 5.388 b = a = 3.111

Figura 45. Los esquemas (A1) y (A2) muestran el modelo atmico ideal de la interfaz para la epitaxia de AlN sobre Si en la direccin < 11 2 0 >AlN/< 1 1 0 >Si y < 1 1 00 >AlN/<001>Si, respectivamente. Los esquemas (B1) y (B2) muestran los planos en contacto de ambos materiales, Si y AlN, respectivamente. En ambas estructuras se define una celda rectangular sobre los planos en contacto (0001)AlN y (110)Si .

75

Un desacople de red del -19% (segn la ecuacin (4)) a lo largo de la direccin < 11 2 0 >AlN/< 1 1 0 >Si requiere de la existencia de planos extra en el AlN y por lo tanto la presencia de dislocaciones en la interfaz. Las dislocaciones poseen carga elctrica libre debido a la ruptura de enlaces, por otro lado, la densidad de carga depende de la composicin qumica y de la coordinacin atmica en el ncleo de la dislocacin. Sin embargo, para lograr la estabilidad de la interfaz es esencial la neutralidad de la carga local (Harrison et al. 1978). En la figura 46(a) se muestra un acercamiento de la interfaz AlN(0001)/Si(110).

Figura 46. Imagen HRTEM de la interfaz AlN/Si(110) en el eje de zona [ 11 2 0 ]AlN//[ 1 1 0 ]Si. (a) La interfaz qumica est sealada por la lnea punteada, siguiendo el contorno de los surcos en la superficie de silicio. (b) Diagrama esquemtico de la configuracin de enlaces en la interfaz. Las mancuernas de tomos Al-N y Si-Si del diagrama esquemtico representan los puntos brillantes de la imagen de HRTEM. Los crculos blancos con signos de interrogacin pueden representar tomos de Al, N o Si.

El enlace atmico entre el nitruro de aluminio y el silicio es directo como se aprecia claramente en la imagen. No hay formacin alguna de SixNy en la interfaz, que por su naturaleza tiende a ser amorfa (Kaiser et al. 1999). Esta evidencia prueba el xito que se obtiene al evitar la formacin de SixNy mediante la previa exposicin del sustrato de silicio

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al flujo de TMAl (Liu et al. 2003). En la imagen tampoco se observa la formacin de alguna capa de Al debido a este proceso, la cual, en caso de formarse, podra distinguirse del AlN debido a la intensidad en la proyeccin de las mancuernas, sta puede verse modificada por el nmero atmico de los elementos constituyentes (Spence, 2003) y por la longitud del enlace en las mancuernas de tomos (para Al-N es 1.89 y para Al-Al es 2.86 ). Este acontecimiento puede explicarse por dos situaciones: (1) la capa de Al se nitrura por completo por la difusin de los tomos de N durante el proceso de crecimiento y (2) existe la posibilidad de difusin de tomos de Al hacia el sustrato de Si (Liu et al. 2003). En la figura 46(a) los puntos brillantes que aparecen en la parte inferior y superior de la imagen representan la red cristalina, estn relacionados con las mancuernas de tomos de Si-Si y Al-N proyectadas a lo largo de <110>Si y < 11 2 0 >AlN , respectivamente. En la regin del AlN los puntos brillantes aparecen alineados verticalmente sin algn desplazamiento significativo (a excepcin de una parte de la primera hilera horizontal del AlN, que puede deberse a efectos de relajacin). Por otro lado, los puntos oscuros de la regin del AlN se encuentran ligeramente desplazados en relacin con otros planos atmicos horizontales. Esto puede apreciarse tambin en la parte del cristal que corresponde al AlN de la figura 45(a). En esta proyeccin, tal caracterstica corresponde a las mancuernas de tomos de Al-N asociadas a los puntos brillantes (Ponce et al. 1996 y Ponce et al. 1996a). Esto puede entenderse si se observa en el modelo de la figura 46(a), como los centros de los espacios entre mancuernas se encuentran desplazados entre cada plano horizontal. Las mancuernas de tomos, por otro lado, descansan verticalmente una sobre otra. La distribucin de carga en el Si y en el AlN es simtrica en la proyeccin de las mancuernas de tomos. Para el silicio se tiene Z=14 y para el AlN se tiene Z=10 si se asume la transferencia de tres electrones del Al al N. Esto proviene de la suma de los nmeros atmicos de los elementos que constituyen las columnas atmicas. Para las mancuernas de silicio (Si+Si) se tiene 14+14 y para las mancuernas de nitruro de aluminio (Al+N) se tiene 13+7. Los puntos brillantes de menor dimensin que se observan entre los surcos que existen sobre la superficie de silicio (110), representan hileras de tomos que pueden estar compuestas por tomos de aluminio, nitrgeno y/o silicio que se acomodan

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sobre los surcos de la superficie de silicio (110). La primer monocapa de AlN (sealada en la figura 46(b) con una flecha negra) se enlaza con la superficie (110)Si mediante los tomos que se encuentran en los surcos. Los tomos de N de la primer monocapa de AlN, que se ubican justo encima de las mancuernas de tomos de Si-Si no encuentran tomo al cual enlazarse, por lo que quedan con un enlace roto o suelto como se ve en la figura 46(b).

III.2.1.1 Sobre la naturaleza del arreglo atmico en la interfaz AlN/Si(110)

La calidad estructural de la pelcula se encuentra estrechamente relacionada con las propiedades y las caractersticas de la capa buffer (capa amortiguadora), en particular, con el enlace atmico en la interfaz pelcula/sustrato. Es por ello que el estudio de la interfaz es de gran importancia para comprender la microestructura de la pelcula. Los tomos de Al y N en la estructura cristalina wurzita de AlN poseen una coordinacin tetradrica. Cada tomo de Al de la estructura cristalina wurzita de AlN puede ubicarse en el centro de un tetraedro, con sus cuatro tomos de N vecinos cercanos definiendo las cuatro esquinas del tetraedro. Cada tomo de aluminio se coordina con cuatro tomos de nitrgeno. Y recprocamente, cada tomo de nitrgeno se coordina con cuatro tomos de Al. Cada enlace con hibridizacin sp3 de Al-N se construye con la aportacin de 5/4e de densidad de carga electrnica por parte del tomo de N y 3/4e de densidad de carga electrnica por parte del tomo de Al. El enlace completo, entre tomo y tomo, debe poseer un total de densidad de carga electrnica de 2e. El silicio tambin posee enlaces con hibridizacin sp3 y de coordinacin tetradrica pero su estructura cristalina es tipo zincblenda; comparte adems, en cada enlace 1e de densidad de carga electrnica por tomo. En el silicio, cada uno de los tomos de la superficie no reconstruida (110)Si posee un enlace suelto (incompleto) a un ngulo de 54.7 de la horizontal (a temperatura ambiente, la superficie de Si(110) normalmente muestra una reconstruccin (16x2) que se transforma en (1x1) a los 790 C en vaco, segn Yamamoto et al. 1986). Esta geometra dibuja los surcos limitados en forma de zigzag (figura 45(B1)) a lo largo de la direccin

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[ 1 1 0 ]. Debido a la orientacin preferencial de los enlaces con hibridizacin sp3 de silicio (apuntando hacia los surcos en este caso) existe la posibilidad de que, durante las primeras etapas de crecimiento del AlN, tomos adsorbidos en la superficie se enlacen a estos sitios. Los sitios se muestran como crculos blancos con un signo de interrogacin en la figura 46(b). Dependiendo de su naturaleza qumica, cada tomo adsorbido se enlazar a uno o dos tomos de silicio, proporcionando as los sitios de enlace para el crecimiento de la capa de AlN. En el caso de que tomos de nitrgeno adsorbidos en la superficie ocuparan las posiciones sobre los surcos, el crecimiento del cristal ocurrira a lo largo de la direccin [000 1 ] y tendra una polaridad negativa o terminacin en N. El crecimiento en esta direccin se evita mediante la previa exposicin de la superficie del sustrato de silicio al TMAl, favoreciendo el crecimiento de AlN con polaridad positiva o con terminacin en Al (a lo largo del eje +c). As para que esto ocurra, la estructura en la interfaz AlN/Si puede explicarse mediante algunas posibles configuraciones de enlace, detalladas en los tres modelos de la figura 47. La carga acumulada en la interfaz puede ser sorteada mediante la introduccin de algn rgimen de mezcla atmica en la interfaz (Harrison et al. 1978). Los modelos ms sencillos implican la mezcla de slo una capa atmica en la interfaz, esta mezcla minimiza la acumulacin de carga; por lo que diferentes tipos de mezclas producen diferentes corrimientos segn la carga en la interfaz (Ponce et al. 1996). Las posibles configuraciones de enlace en la interfaz entre AlN y Si estn restringidas por el requerimiento de una neutralidad de la carga local. En la configuracin de la figura 47(a), el enlace de un tomo de Al a dos tomos de Si constituye la unin de la capa de AlN con la superficie de silicio. La carga neta en esta configuracin es -1/2e de densidad de carga electrnica, la cual, proviene de dos contribuciones. La primer contribucin proviene del tomo de Al, que con dos enlaces completos de Al-Si y un enlace completo de Al-N, posee un excedente de 1/4e de densidad de carga electrnica; la carga acumulada en este caso es positiva, +1/4e. La segunda contribucin proviene del enlace suelto del tomo de N que pertenece a la capa de AlN y que se encuentra contiguo al tomo de Al. Al tomo de N le hacen falta 3/4e de densidad de carga electrnica para completar su enlace, por lo que la carga acumulada en este caso es

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negativa, -3/4e. La suma de estas dos aportaciones da como resultado la carga neta local de -1/2e.

Al

Si

Figura 47. Diagramas esquemticos de las tres posibles configuraciones de enlace en la interfaz AlN/Si(110), vistos en la direccin [ 11 2 0 ]AlN//[ 1 1 0 ]Si. La carga neta local se ilustra en cada caso. Una distribucin adecuada de estas estructuras atmicas en la interfaz puede lograr un balance en la carga total.

Por otro lado, la configuracin del enlace que se muestra en la figura 47(b) puede favorecerse si el tomo de Al se enlaza slo a un tomo de la superficie de silicio. La carga neta que se genera en esta configuracin es de +1/2e de densidad de carga electrnica. En el tomo de Al se acumula un excedente de 5/4e de densidad de carga electrnica despus de formar los enlaces completos Al-N y Al-Si, mientras que al tomo de N vecino le hacen falta 3/4e de densidad de carga electrnica para completar su enlace. El tomo de Al, bajo estas circunstancias, se encuentra enlazado de manera ms prxima al tomo de Si de uno de los lados de la orilla del surco, puesto como se mencion anteriormente, los tomos de

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Si en la superficie siguen el arreglo de zigzag. Por esta misma razn, el tomo de Si sealado en la figura 47(b) con una lnea de enlace punteada, se encuentra enlazado a un tomo de Al que pertenece a la configuracin atmica vecina, mostrada la figura 47(a). As, mediante estas dos configuraciones, una hilera de tomos de Al puede acomodarse a lo largo de los surcos. Por ltimo, un tercer arreglo atmico puede favorecerse tambin para la configuracin del enlace en la interfaz, si un tomo de Si se enlaza a un tomo de N de la capa de AlN y a dos tomos de silicio del sustrato. Esta configuracin se muestra en la figura 47(c) y posee una carga neta de +1/2e densidad de carga electrnica. Esto se debe a que en el tomo de Si existe un excedente de 5/4e de densidad de carga electrnica y en el tomo de N vecino hacen falta 3/4e de densidad de carga electrnica. Al alternar las estructuras mostradas en las figuras 47(a) y 47(b), o las figuras 47(a) y 47(c), se logra conseguir la neutralidad de la carga en la interfaz. En la figura 48, un modelo atmico de la interfaz ilustra como los arreglos atmicos de la figura 47 se acomodan para conseguir la neutralidad de la carga local a lo largo de la interfaz. El grupo de arreglos atmicos de las figuras 47(a) y 47(b) (indicados con cuadrados punteados en la figura 48) a lo largo de la direccin [ 11 2 0 ]AlN/[ 1 1 0 ]Si favorece el enlace de AlN con Si. Sin embargo, debido al desacople de red del 19% a lo largo de esta direccin, debe incluirse en el modelo de distribucin atmica de la interfaz la combinacin de las estructuras atmicas de las figuras 47(a) y 47(c) cada cuatro estructuras atmicas formadas por las figuras 47(a) y 47(b) (figura 48). En conclusin, este arreglo atmico de una celda unitaria establecida en la interfaz, formada por los cinco recuadros punteados (cada uno con carga neutra), resulta favorable para el enlace qumico entre las superficies de AlN(0001) y Si(110).

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Figura 48. Vista superior del modelo propuesto para lograr una neutralidad de la carga local en la interfaz. En l, se muestra la distribucin atmica de Al y Si (y sus enlaces) sobre los surcos de la superficie de Si(110). En la imagen aparecen dibujados slo los tomos de N de la primera capa de AlN que poseen un enlace suelto. Los tomos restantes de N de la primera capa de AlN que no aparecen, se encuentran enlazados (por encima) a los tomos de Al o Si, distribuidos sobre los surcos (ver figura 47 mostrada a un lado). La combinacin de arreglos delimitados por los cuadros y rectngulos punteados, representa una composicin de los arreglos atmicos presentados en la figura 47 (mostrada a un lado).

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III.2.2 Anlisis de la microestructura de pelculas de GaN crecidas sobre sustratos de Si(110)

En la figura 49 se muestra la imagen de la seccin transversal de la pelcula de GaN/Si(110) en el eje de zona [ 11 2 0 ]. La estructura de capas de la pelcula corresponde a
la que se muestra en la figura 18 del capitulo II. En la seccin anterior (III.2.1) se mostr que la capa buffer de AlN crece epitaxialmente sobre el sustrato de Si(110) y presenta una interfaz abrupta. En la imagen de la figura 49, la capa subsiguiente de AlGaN, muestra una alto contraste y una densidad de dislocaciones del orden ~ 1010 cm-2. Mientras que la estructura restante de la pelcula muestra una densidad del orden de 109 cm-2 en las primeras capas y en algunos casos 108 cm-2 en la ltima capa. La estructura de la pelcula est compuesta por capas de GaN crecidas de manera intercalada con capas ultradelgadas de AlN de baja temperatura (BT-AlN) para compensar el esfuerzo de tensin intrnseco y el esfuerzo de tensin trmico en la pelcula (Blsing et al. 2002). La imagen de la micrografa que aparece en la figura 49(a) se tom utilizando la componente g=[ 1 1 00 ] del patrn de difraccin del GaN. Las dislocaciones extendidas que aparecen en la microestructura muestran un arqueo y un doblez lateral sobre el plano basal, y como consecuencia generan segmentos horizontales a diferentes alturas de la pelcula. Las dislocaciones que son visibles en esta imagen poseen una componente del vector de Burgers b=1/3 < 11 2 0 > y se conocen como tipo a o de borde. La imagen que aparece en la figura 49(b) se tom utilizando la componente g=[0001] del patrn de difraccin del GaN. Bajo esta condicin en la imagen, nicamente pueden observarse las dislocaciones con componente del vector de Burgers b=[0001], ya que las dislocaciones que poseen

exclusivamente componente de borde estn fuera de contraste en la imagen debido a la restriccin gb (Ponce et al. 1996b). Las dislocaciones con componente del vector de Burgers paralelo a la direccin [0001] son conocidas como dislocaciones tipo c o de

tornillo. En la microestructura de GaN/Si(110) las dislocaciones extendidas de tornillo se

propagan libremente de manera vertical a lo largo de la direccin [0001] de la pelcula, como se muestra en la imagen 49(b). Se observa tambin que no sufren ningn cambio o doblez al cruzar por la interfaz GaN/AlN.

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(a)

(b) GaN BT-AlN

m

GaN BT-AlN GaN

Figura 49. Imagen obtenida por TEM de la seccin transversal de la pelcula de GaN en el eje de zona [11 20 ]. Para visualizar las dislocaciones con componentes de borde en (a) se utiliz g=[ 1 1 00 ] y para visualizar las dislocaciones con componente de tornillo en (b) se utiliz g=[0001]. Las flechas negras indican el arqueo de dislocaciones. Las flechas de lnea punteada sealan dislocaciones mixtas que muestran un ligero doblez en el plano horizontal. Algunos segmentos de dislocacin aparecen truncados debido al corte que se le dio a la muestra durante la preparacin por seccin transversal.

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El arqueo pronunciado en las lneas de dislocacin de borde que se exhibe en la figura 49(a) es una configuracin inestable en la ausencia de un esfuerzo en la pelcula. Las dislocaciones deben entonces experimentar un esfuerzo producto de una fuerza conducida, la cual debe causar el arqueo y el doblez de las dislocaciones de borde sobre el plano basal. Si existe un esfuerzo uniforme actuando sobre el ncleo de la dislocacin, la fuerza por unidad de longitud est dictada por la ecuacin de Peach-Koheler F/L=b, donde es el

esfuerzo, es la lnea de dislocacin, y L la longitud de dislocacin (Hirth y Lothe, 1982).

De ah que debe hallarse una componente Fgl/L= b actuando en la direccin del doblez. Por otro lado, la tensin en la lnea de dislocacin pondr una resistencia al incremento de la longitud L de la dislocacin. La configuracin final de la microestructura se lograr cuando ambas fuerzas encuentren el equilibrio (sin olvidar que existe tambin una contribucin de la interaccin de las dislocaciones con los campos de esfuerzo de otras dislocaciones). En el caso del crecimiento de AlN sobre Si(110), el desacople de red entre ambas estructuras, presenta una asimetra en los esfuerzos de los ejes perpendiculares, xx yy , donde:

xx =
y

2G ( xx + yy ) 1

(20)

yy =

2G ( yy + xx ) 1

(21)

Donde xx =0.007 y yy =0.23 evaluados por la ecuacin (6) son las deformaciones a lo largo de [ 1 1 00 ] y [ 11 2 0 ], respectivamente, G es el mdulo de corte y es el coeficiente de Poisson. Si asumimos que slo actan los esfuerzos que se deben al desacople de red, entonces zz =0. En el caso equibiaxial ( xx = yy y xx = yy , de la ecuacin (5)), la geometra no favorece a los esfuerzos de corte resultantes, y estos se cancelan. Los planos prismticos de la estructura del prisma hexagonal permanecen inactivos ante un esfuerzo equibiaxial en el plano. Los planos piramidales son los nicos con la posibilidad de

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activarse bajo estas circunstancias y dar lugar al deslizamiento de dislocaciones. En particular, el plano piramidal que se ha observado activo es el plano { 11 2 2 } de la estructura wurzita (Srinivasan et al. 2003). El plano basal puede activarse si en la vecindad de la microestructura se encuentra con una superficie lateral libre (Mei et al. 2007). La figura 50 muestra un esquema de los sistemas de deslizamiento para la estructura tipo wurzita.

Figura 50. Sistemas de deslizamiento para la estructura tipo wurzita, (a) plano basal, (b) y (c) planos prismticos, (d), (e) y (f) planos piramidales (Srinivasan et al. 2003).

Sin embargo en el caso anisotrpico (no equibiaxial), el esfuerzo de corte resultante en los planos prismticos y en las direcciones de deslizamiento del cristal hexagonal no es cero,

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salvo en una direccin, y esto podra activar los sistemas de deslizamiento que normalmente no se activan bajo un esfuerzo equibiaxial en la interfaz (como en el caso de GaN/Si(111)). Para conocer las resultantes de la fuerza que actan en la dislocacin, la ecuacin de Peach-Koehler puede escribirse utilizando sus dos componentes, la de deslizamiento y la de escalamiento (Hirth y Lothe, 1982), respectivamente:

Fgl L
y

[(b ) ] [ (b )] | b |

(22)

Fcl [(b ) ] (b ) = L | b |

(23)

Empleando los vectores correspondientes para b, y se encuentra que existe un esfuerzo de corte resultante en los planos prismticos ( 01 1 0 ) y ( 1 010 ) con vectores de Burgers 1/3[ 2 110 ] y 1/3[ 1 2 10 ], respectivamente. Esto por supuesto ocasiona una fuerza de deslizamiento Fgl / L = ( xx yy ) / 4 en el plano ( 01 1 0 ) y Fgl / L = ( xx yy ) / 4 en
el plano ( 1 010 ). Tambin acta una fuerza de escalamiento igual en ambos planos Fcl / L = (3 xx + yy ) / 4 3 . En contraste, para el plano ( 1 1 00 ) con vector de Burgers 1/3[ 11 2 0 ] el esfuerzo de corte resultante es cero y por lo tanto no existe un fuerza de deslizamiento que se aplique en este plano. Sin embargo, existe una componente de escalamiento que acta Fcl / L = yy / 3 . Ya que el deslizamiento no es posible para las dislocaciones en este plano, las dislocaciones pueden extenderse de manera vertical y seguir su camino desde la interfaz hasta la superficie, a excepcin de que su trayectoria se vea afectada por la componente de la fuerza de escalamiento. Puede notarse que si hacemos xx = yy , como en el caso equibiaxial, observamos que todas las componentes de deslizamiento se anulan, y sobreviven slo las componentes de escalamiento, como en el caso de la microestructura de GaN/Si(111). En la estructura con

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geometra hexagonal, bajo condiciones equibiaxiales de esfuerzo en la red, las dislocaciones no pueden deslizarse sobre los planos prismticos (Srinivasan et al. 2003). En las dislocaciones de borde el vector de Burger se encuentra sobre el plano basal y al doblarse horizontalmente las dislocaciones introducen un semi-plano extra que relaja el esfuerzo en el plano basal. Por el contrario, el doblez de las dislocaciones de tornillo no relaja el esfuerzo en el plano basal, puesto que las dislocaciones de tornillo no poseen componente del vector de Burgers en el plano basal, y por lo tanto, no se ven afectadas por la asimetra de la heteroepitaxia. En la figura 49(b) las dislocaciones permanecen casi paralelas a la direccin [0001] sin sufrir cambio alguno. En el caso de dislocaciones mixtas con vector de Burgers b=c+a=1/3[ 11 2 3 ], las dislocaciones poseen ambas componentes y muestran un ligero doblez, probablemente debido a la componente de borde. En la figura 51 se muestra una imagen obtenida por vista en planta (eje de zona [0001] para GaN) de la heterostructura GaN/Si(110). En la imagen pueden apreciarse los segmentos horizontales alineados a lo largo de la direccin [ 1 1 00 ]. La orientacin de los segmentos se dedujo a partir de un patrn de difraccin de electrones, el cual corresponde a una imagen obtenida por vista en planta de una regin de la muestra de GaN con corte geomtrico conocido (figura 52). El espacio no regular entre el arreglo paralelo de dislocaciones horizontales es un indicativo de que la relajacin de la pelcula no es uniforme. Sin embargo, este arreglo particular de dislocaciones define fronteras de material cristalino de baja densidad de dislocaciones, como se aprecia en la figura 51. La densidad de dislocaciones obtenida por vista en planta slo es caracterstica de la regin cercana a la superficie de la ltima capa de GaN. Todos los defectos, que son revelados por seccin transversal pero que no se propagan a la superficie, no son visibles por vista en planta, excepto aquellos que se encuentren en la regin cercana a la superficie. Se espera que al menos, la muestra haya sido adelgazada a menos de media micra para poder ser vista por un TEM de 200 keV. La ltima capa de GaN observada por seccin transversal posee un grosor de 600 nm, por lo que no se espera la visibilidad de segmentos horizontales formados en la interfaz GaN/AlN generados a causa del desacople de red entre ambas capas.

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[ 1 1 00 ]

Figura 51. Imagen de TEM vista en planta [0001] de la heterostructura GaN/Si(110). Los segmentos de dislocacin originados por el doblez estn alineados a lo largo de la direccin [1 1 00 ] de GaN y se encuentran sealados por las flechas de lnea punteada. Una regin de baja densidad de dislocaciones est indicada por el margen blanco rectangular.

Por otro lado, la longitud de proyeccin de los segmentos en vista en planta coincide con la longitud de proyeccin horizontal (medida por seccin transversal) del doblez de las dislocaciones extendidas. Por estas razones y tomando en cuenta la uniformidad en el contraste en los segmentos, podemos asegurar que los segmentos observados por vista en planta son tambin los segmentos horizontales observados por seccin transversal (figura 51). En la imagen obtenida por vista en planta, algunas dislocaciones que terminan en la superficie tienden a apilarse en otras direcciones, as como tambin algunas otras

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dislocaciones con un contraste no uniforme se distribuyen aleatoriamente, estas dislocaciones corresponden a dislocaciones extendidas.

[1120]

[1100] EZ=[0001]

[ 1 100]

5m

Figura 52. Imagen de TEM vista en planta de una orilla de la muestra (los segmentos se sealan con la letra S), junto con su patrn de difraccin en el eje de zona [0001]. La orientacin de los segmentos corresponde a la direccin de mnimo desacople [ 1 100 ] de GaN/AlN con Si(110).

Es sabido que durante el crecimiento epitaxial de pelculas con desacople equi-biaxial, un desacople menor ocasiona una deformacin menor en la red, y dependiendo de los detalles del sistema y de los parmetros de crecimiento, puede inducir un modo de crecimiento 2D o de capa por capa. Sin embargo si el desacople es relativamente alto, la deformacin en la interfaz provocada por el desacople aumenta y puede inducir un modo de crecimiento 3D (Biefeld, 2008). En el caso de un desacople asimtrico en la red, la deformacin por desacople en la interfaz puede promover el crecimiento de estructuras uniaxiales (Chen D. et al. 2002). Para minimizar la energa acumulada por la deformacin

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anisotrpica en la interfaz, los cristales crecen preferencialmente a lo largo del eje sometido a una deformacin menor, provocando el crecimiento de dominios alargados en esta direccin favorecida. Esto promueve el crecimiento lateral del material y la aparicin de dislocaciones horizontales que relajan la deformacin en el plano. Las dislocaciones horizontales han sido observadas como una caracterstica en el crecimiento lateral del GaN (ZhiYuan et al. 2009). No obstante, las dislocaciones extendidas eventualmente aparecern para reducir la deformacin ocasionada durante la coalescencia, lo que pudiera dar lugar a la fragmentacin de las islas. De las observaciones hechas por vista en planta y por seccin transversal, se propone que las dislocaciones de borde se doblan a lo largo de la direccin [ 1 1 00 ] para relajar el esfuerzo en la estructura. Una combinacin de un mecanismo de deslizamiento ms un movimiento de escalamiento debe actuar sobre la dislocacin, puesto que la direccin del doblez se encuentra fuera del plano de deslizamiento de la dislocacin extendida (figura 53). El origen del esfuerzo proviene de la asimetra en el desacople de red entre la pelcula y el sustrato. Las dislocaciones con b=1/3[ 2 110 ] y b= 1/3 [ 1 2 10 ] son geomtricamente equivalente al esfuerzo presente en la pelcula, por lo que deben sufrir las mismas consecuencias bajo el esfuerzo cortante. Dada la imposibilidad de las dislocaciones con b=1/3[ 11 2 0 ] para relajar eficientemente la estructura, las dislocaciones con

b=1/3[ 2 110 ] y b=1/3[ 1 2 10 ] se doblan a lo largo de [ 1 1 00 ] para introducir el equivalente

a un semiplano extra asociado a la dislocacin que relaje la estructura (Figura 54). El escalamiento de dislocaciones ha sido observado en las estructuras de nitruros del grupo III como un escalamiento efectivo debido a la imposibilidad que sufren las dislocaciones para deslizarse, provocando la inclinacin de las dislocaciones fuera de su plano de deslizamiento (Romanov et al. 2003 y Kuwano et al. 2007). Este mecanismo de escalamiento de las dislocaciones de borde tambin ha sido observado en el crecimiento de GaN con ELOG de ventanas circulares (Ruterana et al. 1999). El movimiento de una dislocacin por escalamiento en el GaN es factible cuando existen altas temperaturas de crecimiento y un dopaje de Si en la pelcula, ya que el movimiento de una dislocacin fuera de su plano de deslizamiento involucra el traslado colectivo de vacancias.

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Relajacin del esfuerzo

[1120]

[1100]
De sl iza mi en to

Ga

Figura 53. Trazo de la dislocacin, descrito por un mecanismo de deslizamiento ms un movimiento de escalamiento en la estructura de GaN. Este movimiento es necesario para relajar el esfuerzo en la direccin perpendicular [ 11 2 0 ] de GaN. La lnea de dislocacin es paralela a la direccin [1 1 00 ].

Es

[12

10]

cal am ie n

to

[ 10 10]

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Direccin de trazo de la dislocacin

b=1/3 [2110] b=1/3 [1210]

[1100]

Plano normal a la direccin de mayor desacople

[0001]

yy [1120]

xx [1100]

Figura 54. Planos prismticos de la estructura de GaN sombreados en gris, en donde existe un esfuerzo de corte resultante debido a la anisotropa en al desacople de red. El plano normal a la direccin de mayor desacople idealmente relajara el sistema. La direccin [ 1 1 00 ] del trazo de la dislocacin introduce un semiplano extra debido al doblez de la dislocacin.

Como se mencion anteriormente, la asimetra en la deformacin de la red debido al desacople, puede favorecer el crecimiento lateral de islas longitudinales a lo largo de la direccin de menor desacople [ 1 1 00 ]. Este tipo de crecimiento lateral puede influir en la aparente migracin y el trazo de los segmentos horizontales de dislocacin a lo largo de la direccin del eje de menor desacople. El crecimiento alargado de los dominios permite una disminucin en el giro de los dominios cristalinos puesto que el rea de contacto entre los dominios durante la coalescencia es mayor en una direccin (Figura 55). Las dislocaciones de borde acomodan el giro durante la coalescencia de los dominios y sufren un doblez por

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causa del esfuerzo conducido; el segmento generado en el plano horizontal tiene una componente mixta y el plano extra generado por el segmento horizontal relaja la estructura de la tensin en la que se encuentra. Esto concuerda con las reportes de Reiher et al. (2009), quienes han mostrado que el giro en el plano se reduce hasta en una tercera parte y el esfuerzo residual hasta en una orden de magnitud cuando se crece GaN sobre sustratatos de Si(110), en comparacin con el crecimiento de GaN sobre sustratos de Si(111).

(a)
[11 2 0]GaN

(b)

[0001]GaN

[1 1 00]GaN

Figura 55. Modelo de dominios cristalinos en el crecimiento de (a) GaN/Si(110) y (b) GaN/Si(111). El incremento en el tamao de los dominios reduce el giro de las columnas. En el caso del crecimiento de GaN sobre Si(110) los dominios tienden a ser alargados, mientras que en el caso del crecimiento de GaN sobre Si(111) los dominios tienden a ser hexagonales.

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Conclusiones
Del estudio sobre las muestras de GaN crecidas sobre sustratos de Si(111) con capa buffer de AlN expuesta al silano (SiH4) se concluye lo siguiente: a) El tratamiento con flujo de silano de la capa buffer de AlN modifica notablemente la microestructura y la morfologa de la superficie de la subsecuente capa de GaN. b) Las dislocaciones observadas en las pelculas de GaN crecidas bajo estas condiciones, son en su mayora del tipo mixto. c) El efecto del tratamiento con silano promueve la aglomeracin de dislocaciones por encima de la capa buffer de AlN. Debido a esto, la densidad de dislocaciones en la pelcula de GaN disminuye hasta en un orden de magnitud. d) Se ha propuesto que a tiempos cortos de exposicin al silano, la reduccin de dislocaciones se promueve por efecto de anclaje debido a la segregacin del exceso de Si durante el proceso de crecimiento del GaN, y que a tiempos largos de exposicin, el mecanismo de aniquilacin se debe a la formacin aleatoria de mascarillas de SiNx a diferentes alturas, las cuales inducen un crecimiento sobre lateral del GaN y propician el doblez de las dislocaciones. e) Para un tiempo ptimo de exposicin, la superficie de la pelcula de GaN resulta con una mnima rugosidad y de carcter escalonado. f) El tratamiento de la capa buffer de AlN con silano es un mtodo efectivo para mejorar la cristalinidad de la pelcula de GaN crecida sobre sustratos de Si(111). Sin embargo, es necesario ajustar la cantidad de silano para obtener el mejor provecho, ya que si se incrementa ms el tiempo de exposicin de la capa buffer al silano, aunque se disminuya la cantidad de dislocaciones en la pelcula, a cierto grosor puede favorecerse la falta de coalescencia y manifestarse un aumento en la rugosidad de la superficie de la pelcula.

Del estudio de las muestras de GaN crecidas sobre sustratos de Si(110) se concluye lo siguiente: En cuanto a la interfaz:

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a) Se observ que la exposicin previa de la superficie de Si(110) al TMAl evita la nitruracin del silicio y ayuda a la formacin de una interfaz abruta con una epitaxia congruente a lo largo de las direcciones < 1 1 00 >AlN/<001>Si y < 11 2 0 >AlN/< 1 1 0 >Si. b) Se ha propuesto un modelo del arreglo atmico de la interfaz, gracias a la
informacin obtenida de las imgenes de HRTEM y a la necesidad de una neutralidad local de la carga para garantizar una interfaz estable.

Y en cuanto a la microestructura:

a) El esfuerzo anisotrpico generado en las dos direcciones perpendiculares de la

estructura, se reduce de manera plstica por el arqueo preferencial de las dislocaciones de borde en la direccin de menor desacople [ 1 1 00 ] de GaN/AlN/Si(110).

b) Debido a la geometra de los esfuerzos, slo las dislocaciones de borde con

componente del vector de Burgers paralelo a la direccin [ 1 1 00 ] del GaN sufren un doblez en el plano horizontal.

c) El proceso de relajacin que se ha propuesto consiste en la combinacin de un

deslizamiento y un escalamiento de la dislocacin. El resultado final provoca que la dislocacin avance en zigzag hacia la direccin de menor esfuerzo, proyectndose como un segmento a lo largo de la direccin [ 1 1 00 ] del sistema GaN/AlN/Si(110).

d) Se ha propuesto tambin, que la anisotropa de los esfuerzos en la interfaz

ocasiona la creacin de pequeos dominios alargados (en algunos casos libres de dislocaciones). Otros autores observan esto como una disminucin en la medida de rotacin de los dominios presentes en las heteroestructuras GaN/AlN/Si(110).

Prospectos
La calidad de la microestructura de las pelculas de GaN es de suma importancia para la fabricacin de LEDs. Tener un control sobre la calidad cristalina del material es un reto que se ha planteado la comunidad cientfica de este campo. Gracias al estudio realizado sobre este tipo de muestras de GaN sobre sustratos de Si, es posible ahora proponer otros

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medios o mtodos para mejorar la calidad cristalina de las pelculas de GaN. En la primera parte de esta tesis se comprendi que el silicio como dopante en exceso juega un papel importante en el crecimiento de la pelcula y en los esfuerzos presentes en ella. Podra proponerse utilizar esa ptima cantidad de Si en la vecindad de la interfaz para crecer estructuras de diodos sin la necesidad de implementar un mtodo ex-situ, como lo es el mtodo ELOG, y medir sus propiedades pticas junto con la evolucin de su calidad cristalina. Otro aspecto importante sera el de correlacionar la densidad de dislocaciones con otras propiedades del material, como el de la densidad de corriente y el estudio de difusin de impurezas o su contenido dentro de las dislocaciones. En la segunda parte pudo describirse la microestructura de GaN/Si(110) y en comparacin con GaN/Si(111) ofrece mejores cualidades para el crecimiento de diodos. Esto tambin ha sido sealado por otros grupos (Cordier et al. 2008 y Reiher et al. 2009) quienes han reportado la fabricacin de LEDs en Si(110). Sera interesante combinar ambos efectos estudiados: la relajacin por anisotropa en la interfaz de un crecimiento de GaN sobre Si(110) y el efecto del Si -doping junto con nano-mascarillas de SiNx. Ya que el Si -doping afecta slo a las dislocaciones de tornillo, las nano-mascarillas de SiNx reduce las dislocaciones mixtas, y el efecto de la relajacin anisotrpica slo influye en las dislocaciones con componente de borde.

Trabajos derivados de esta tesis

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