ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DEL LITORAL Facultad de Ingeniera en Electricidad y Computacin

TRABAJO DE INVESTIGACIN TRANSISTORES 3D Y TRI-GATE TECNOLOGAS DE FABRICACIN DE X NANOMETROS

PRESENTADO POR: Diego Xavier Villegas Redrobn Jos Enrique Dger Pacheco

GUAYAQUIL ECUADOR AO 2013

INTRODUCCIN
La ciencia de la microelectrnica, ha tenido un desarrollo muy importante en estos ltimos 30 aos, poniendo en evidencia que la tendencia ha sido y seguir la miniaturizacin de los dispositivos electrnicos que son cada vez ms sofisticados, potentes, y al mismo tiempo ms pequeos. Con lo dicho anteriormente, las empresas fabricantes de procesadores como lo son Intel y AMD han estado constantemente en la lucha para ver quien provee las nuevas y mejores tecnologas al mercado, con componentes ms potentes a la vanguardia de las tecnologas e investigaciones ms actuales, ya que estamos hablando de una de las innovaciones tecnolgicas ms importantes de la dcada en lo que se refiere a microprocesadores. Se espera de igual manera que los nuevos procesadores que incluyen este nuevo tipo de tecnologa de los transistores 3D, puedan regirse a la Ley de Moore que expresa que cada 2 aos se puede duplicar el nmero de transistores en un circuito integrado. Aunque debido a las dimensiones tan diminutas en las que son creados estos circuitos se llegara a pensar que se duplicara su capacidad cada 4 aos haciendo de esta nueva tecnologa ms duradera que sus predecesoras.

TRANSISTORES 3D
DEFINICIN
Creados por Intel y bautizados con el nombre de transistores Tri-Gate, esta nueva tecnologa que ha sido motivo de estudio desde el ao 2002, donde se trata de hacer dispositivos ms pequeos, ms rpidos, ms eficientes en el consumo de energa y con una mejor relacin costo/beneficio, que al parecer es uno de los puntos ms importantes entre los fabricantes de componentes electrnicos. Los transistores tridimensionales Tri-Gate son una reinterpretacin del transistor convencional. As los transistores tradicionales bidimensionales o planos se ven reemplazados por conducciones por tridimensionales de silicio de un grosor increblemente reducido. Estos nuevos transistores tridimensionales permiten a los chips basados en ellos operar a un voltaje menor con el que se presentan menores prdidas en comparacin a los transistores ms avanzados de la generacin anterior, con lo que se ofrece una combinacin de eficiencia energtica y prestaciones como nunca se ha visto antes.

Drenador

Fin Gate

Gate

Fuente

Canal de Conduccin

Fuente

Canal de Conduccin

Figura 1. Comparacin entre un transistor convencional y un transistor Tri-Gate

FUNCIONAMIENTO
En un esfuerzo por intentar incluir ms componentes en los chips de silicio, Intel ha comenzado la produccin masiva de procesadores basados en transistores 3D. La medida no solo extiende la vida de la Ley de Moore, sino que podra ayudar a aumentar significativamente la eficiencia energtica y la velocidad de los procesadores. El flujo constante de corriente en los chips convencionales es controlado por un campo elctrico generado por una puerta colocada en la parte superior de un canal ancho y poco profundo incrustado en un sustrato de silicio. En los transistores 3D, el canal de conduccin de corriente ha sido volteado en posicin vertical, saliendo de la superficie del chip. De ese modo, el material del canal puede estar en contacto con la puerta en ambos de sus lados y en su parte superior, dejando solo una pequea parte del canal expuesto a interferencias de cargas parsitas en el sustrato situado por debajo. En los anteriores transistores, estas cargas interferan con la capacidad de la puerta para bloquear la corriente, dando como resultado un flujo constante de corriente de fuga. Al no tener prcticamente ninguna corriente de fuga, un transistor se puede encender y apagar de forma ms limpia y rpida, y puede funcionar usando un menor consumo de energa, ya que los diseadores no tienen que preocuparse de que dicha corriente pueda confundirse con una seal de 'encendido'. Intel afirma que los nuevos transistores pueden conmutar hasta un 37 por ciento ms rpido que los anteriores, o consumir hasta la mitad de energa ya que al aumentar la velocidad de conmutacin, los chips son ms rpidos. Adems, gracias a su tamao ms pequeo, los transistores se pueden compactar an ms. Eso hace que las seales tarden menos tiempo en viajar entre ellas, acelerando el chip.

APLICACIONES
Los primeros procesadores basados en la tecnologa aparecern en breve en ordenadores porttiles. Sin embargo, la industria de la electrnica est especialmente interesada en la perspectiva de la conservacin de energa en dispositivos de mano. Eso proporciona a los diseadores la capacidad de mejorar el rendimiento de un dispositivo sin necesidad de usar bateras voluminosas, o reducir el tamao de la batera sin reducir el rendimiento. "Hace diez aos la gente solo se preocupaba por fabricar chips ms rpidos", seala Mark Bohr, director de tecnologa de proceso en Intel. "Hoy en da, el funcionamiento a bajo consumo es mucho ms importante", aade. Adems, Bohr asegura que el ahorro de energa y las mejoras en el rendimiento sern mayores en los dispositivos de mano puesto que los transistores de menor tamao hacen posible que un solo chip pueda manejar funciones como la memoria, las comunicaciones de banda ancha y el GPS, que solan requerir su propio chip. Con un menor nmero de chips y bateras ms pequeas, los aparatos sern capaces de realizar ms funciones en configuraciones an ms pequeas. El diseo del nuevo transistor deja bastante margen de mejora a lo largo de los prximos cinco aos. Los chips anteriores de Intel podan contener 4,87 millones de transistores por milmetro cuadrado. Los nuevos chips tienen 8,75 millones y, en 2017, debera ser posible incluir unos 30 millones de transistores por milmetro cuadrado, por lo que el silicio ser uno de los elementos ms importantes en la industria de los componentes electrnicos, como lo seala Mark Bohr.

CARACTERSTICAS
Entre las ventajas de este tipo de transistores, se pueden destacar las siguientes:

El consumo elctrico es considerablemente menor que el causado por el uso de transistores bidimensionales.

Este menor consumo de potencia se debe en su mayora a que existen menos fugas de electrones entre la fuente y el colector.

Tambin se consigue un mayor rendimiento de las operaciones de comunicacin entre transistores debido a que los caminos entre ellos se pueden acortar gracias a la nueva dimensin utilizada.

Un menor consumo de voltaje en el procesamiento de grficos, porque las GPU son extremadamente densas (en cuanto a transistores). Intel ha empezado a integrar GPUs en sus procesadores Sandy Bridge, por lo que es crtico tener una base que favorezca esa integracin.

TECNOLOGAS DE FABRICACIN DE TRANSISTORES

DESARROLLO DE TRANSISTOR DE GRAFENO CON NUEVO PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Irradiacin de Helio para introduccin de defectos cristalinos Top gate Electrodo fuente Capa aislante de SIO2

He+

Top gate Electrodo drenador Sustrato de Si

Figura 2. Ilustracin esquemtica de un prototipo de transistor de grafeno .

AIST investigadores han desarrollado un transistor de grafeno con un nuevo principio de funcionamiento. En el transistor desarrollado, dos electrodos y dos top gates de grafeno se colocan en grafeno, entre los top gates se irradia con un haz de iones de helio para introducir defectos cristalinos. Sesgos Gate se aplican a las dos top gates de forma independiente, lo que permite densidades de portadores en las regiones top gate de grafeno para ser controladas efectivamente. Una corriente elctrica de encendido / apagado de

aproximadamente cuatro rdenes de magnitud se demostr en 200 K (aproximadamente -73 C). Adems, su polaridad transistor se puede controlar y se invierte elctricamente, que hasta la fecha no ha sido posible para los transistores. Esta tecnologa puede ser utilizada en la tecnologa de produccin convencional de circuitos integrados basados en el silicio, y se espera que contribuya a la realizacin de la electrnica de ultra-bajo consumo de energa mediante la reduccin de tensin de operacin en el futuro.

Los detalles de esta tecnologa fueron presentados en la Reunin Internacional de Dispositivos de Electrones 2012 (IEDM 2012), celebrada en San Francisco, EE.UU., del 10 al 12 de diciembre de 2012. En los ltimos aos, el aumento en el consumo de energa asociado con la propagacin de terminales de informacin mviles y los avances en los dispositivos de TI se ha convertido en una preocupacin. La demanda social para la reduccin de la potencia consumida por los dispositivos electrnicos de informacin est aumentando. A pesar de los intentos de reducir la potencia consumida por la gran escala de circuitos integrados (LSI) ha ido avanzando, la estructura de transistor convencional se considera que tienen lmites

inherentes. Mientras tanto, la movilidad de electrones de grafeno, que representa la facilidad de movimiento de los electrones, es al menos 100 veces ms grande que la del silicio. Tambin se espera que el grafeno se pueda utilizar para resolver los problemas de los lmites inherentes de silicio y otros materiales. Por lo tanto, el grafeno tiene el potencial de eliminar el obstculo a la reduccin de la potencia consumida por LSI, y se espera que el grafeno se puede utilizar como un material para la ultra-baja potencia de consumo de los transistores de la edad post-silicio que utilizan nuevas capas funcionales atmicas.

Figura 3. Los principios del nuevo transistor de grafeno y los transistores convencionales de funcionamiento.

Sin embargo, cuando se utiliza grafeno en un transistor de conmutacin, la corriente elctrica puede no ser suficientemente interrumpida, porque el grafeno no tiene ninguna banda prohibida. Tambin, aunque no es la tecnologa para la formacin de separaciones de banda, la movilidad de electrones disminuye cuando se forma el intersticio de banda requerido para la conmutacin. Por lo tanto, se requiere un transistor de grafeno con un nuevo principio de funcionamiento que puede realizar eficazmente la operacin de conmutacin con un pequeo intervalo de banda.

El principio de funcionamiento del transistor de grafeno recientemente desarrollado se muestra en las figuras 1 (a) a 1 (c). Con el fin de crear un espacio de transporte en el grafeno en el canal entre las dos top gates, se utiliz un microscopio de iones de helio para irradiar iones de helio a una densidad de 6,9 x 10
15

iones /

cm 2 para introducir defectos cristalinos. La banda de energa del grafeno en ambos lados de la canal puede ser modulada por control electrosttico mediante la aplicacin de los sesgos de las puertas principales. La polaridad de los portadores en el grafeno se puede cambiar entre los de tipo n y de tipo p, dependiendo de la polaridad de los sesgos aplicados a las puertas principales. Cuando las polaridades en ambos lados del canal son diferentes, el transistor est en un estado apagado (Fig. 3 (b)). Cuando las polaridades son el mismo, el transistor est en un estado encendido (Fig. 3 (c)). Cuando un transistor convencional (Figs. 3 (d) a 3 (f)) se encuentra en un estado apagado, el transporte portador es bloqueado por una barrera formada en el extremo de la fuente-drenaje o del lado del canal que tenga la cmara de transporte. Sin embargo, como se muestra en la figura. 3 (e), la corriente de fuga del transistor en el estado de apagado es grande, porque slo se forma una pequea barrera. Mientras tanto, como la figura. 3 (b) muestra, la brecha de transporte en el transistor desarrollado funciona como una barrera ms grande que la de transistores convencionales (Fig. 3 (e)) y bloques de transferencia de carga. Como resultado, es posible obtener un estado apagado superior a la de los transistores convencionales.

TRANSISTORES DE ALTO RENDIMIENTO EN POLMERO SUPERIOR AL SILICIO

Figura 4. Polmero de Silicio

Investigadores del Instituto Nacional de Ciencia Industrial Avanzada y Tecnologa (AIST), han desarrollado tecnologas para la transferencia de semiconductores compuestos mediante un polmero como un adhesivo de unin y para la fabricacin de transistores de alto rendimiento en un polmero.

Los investigadores han desarrollado (1) un adhesivo de poliamida con una excelente resistencia al calor, (2) una tecnologa de transferencia para una capa de indio arseniuro de galio(InGaAs) de alta calidad sobre un sustrato de silicio usando como adhesivo polyimida, y (3) una tecnologa para la fabricacin de transistores a temperaturas por debajo de 400 C cuyo rendimiento supera la de los transistores de silicio . Estos son importantes pasos hacia la integracin de los dispositivos tcnicos de material post-silicio y circuitos integrados a gran escala (Si-LSI). Las tecnologas desarrolladas harn posible desarrollar alta perfomancia, dispositivos multifuncin integrando post-silicio materiales y Si-LSI y realizar la integracin ms densa en tres dimensiones de los dispositivos electrnicos y fotnicos. En consecuencia, la reduccin de consumo de energa, aumento de la velocidad, y la reduccin de las computadoras es posible.

Figura 5. Tecnologa de integracin de back-end para los materiales post-silicio.

Los semiconductores compuestos y el germanio, cuya movilidad del portador es superior a la del silicio, se llaman materiales post-silicio, y la investigacin sobre ellos est avanzando en varios pases como materiales canales de prxima generacin. Debido a que tales materiales post-silicio no reemplazan todas las funciones Si-LSI, despus de los dispositivos de silicio con el rendimiento requerido se deben montar y llevar a cabo una funcin especial en los lugares necesarios en Si-LSI. Por lo tanto, se necesita una nueva tecnologa conocida como la integracin de servicios de fondo, en el que se transfieren materiales postsilicio de alta calidad en un enlace Si-LSI fabricado, y a continuacin, los dispositivos se fabrican y se interconectan con los circuitos basados en Silicio. Debido a que muchos materiales post-silicio tienen excelentes propiedades pticas que el silicio no, la tecnologa de integracin de back-end se espera como una tecnologa de plataforma para la integracin funcional de los dispositivos fotnicos y Si-LSI.

NANOTUBOS DE CARBONO COMO SUCESOR DEL SILICIO Los cientficos han demostrado un nuevo enfoque de la nanotecnologa del carbono que abre el camino para la fabricacin comercial de, considerablemente, ms pequeos, ms potentes y ms rpidos chips de ordenador. Por primera vez, ms de diez mil transistores de carbono de trabajos hechos de tubos de tamao

nano han sido colocados con precisin y probados en un nico chip de semiconductores utilizando procesos estndar. Estos dispositivos de carbono estn a punto de reemplazar y superar a la tecnologa de silicio que permite la miniaturizacin de los componentes informticos y liderando el camino para la futura microelectrnica. Ayudado por la rpida innovacin de ms de cuatro dcadas, la tecnologa de microprocesadores de silicio se ha reducido constantemente en tamao y mejora en el rendimiento, impulsando as a la revolucin de la informtica. Los transistores de silicio, interruptores diminutos que llevan la informacin en un chip, se han hecho ao tras ao, ms pequeos, pero se estn acercando a un punto de limitacin fsica. Sus dimensiones son cada vez ms pequeas, llegando a la nanoescala, se prohbe cualquier aumento en el rendimiento y tamao debido a la naturaleza de silicio y las leyes de la fsica. Dentro de un par de generaciones ms, el escalamiento clsico y el encogimiento ya no producirn los beneficios considerables de energa ms baja, menor costo y procesadores de mayor velocidad que la industria se ha acostumbrado. Los nanotubos de carbono representan una nueva clase de materiales semiconductores, cuyas propiedades elctricas son ms atractivos que los de silicio, en particular para la construccin de dispositivos de transistores a nanoescala que son unas decenas de tomos de ancho. Los electrones en transistores de carbono pueden moverse con mayor facilidad que en los dispositivos basados en silicio, esto permite el transporte ms rpido de los datos. Los nanotubos tambin son perfectos para formar transistores a escala atmica, una ventaja sobre silicio. Estas cualidades son algunas de las razones para reemplazar los transistores de silicio tradicionales con carbono - y junto con las nuevas arquitecturas de diseo de chips - permitir la innovacin informtica a escala en miniatura para el futuro. El enfoque desarrollado en los laboratorios de IBM prepara el camino para la fabricacin de circuitos con un gran nmero de transistores de nanotubos de carbono en las posiciones predeterminadas de sustrato. La capacidad para aislar los nanotubos de semiconductores y colocar una alta densidad de los dispositivos

de carbono en una oblea es crucial para evaluar su idoneidad para una tecnologa - sern necesarios eventualmente ms de mil millones de transistores para su futura integracin en chips comerciales. Hasta ahora, los cientficos han sido capaces de colocar en la mayora de unos pocos cientos de dispositivos de nanotubos de carbono a la vez, no es suficiente para abordar cuestiones clave para las aplicaciones comerciales. "Los nanotubos de carbono, a cargo de la qumica, han sido en gran medida curiosidades de laboratorio en cuanto a las aplicaciones de microelectrnica se refiere. Estamos tratando los primeros pasos hacia una tecnologa de fabricacin de transistores de nanotubos de carbono dentro de una infraestructura convencional de fabricacin de obleas ", dijo Supratik Guha, Director de Ciencias Fsicas de IBM Research. "La motivacin de los transistores de nanotubos de carbono es que se puede trabajar en muy pequeas dimensiones nanomtricas, que superan a los transistores hechos de cualquier otro material. Sin embargo, existen retos para abordar, como la ultra alta pureza de los nanotubos de carbono y la colocacin deliberada en la nanoescala. Hemos estado haciendo grandes progresos en los dos. " Originalmente se estudi la fsica que surge de sus dimensiones atmicas y formas, los nanotubos de carbono estn siendo explorados por los cientficos de todo el mundo en aplicaciones que abarcan los circuitos integrados,

almacenamiento y conversin de energa, sensores biomdicos y secuenciacin del ADN.

TECNOLOGAS DE FABRICACIN DE X NANOMETROS

La tecnologa de fabricacin de procesadores ha avanzado tanto a tal punto que el fabricante ha sido capaz de utilizar tecnologa de varios nanmetros para la implementacin de nuevos chips.

Por ejemplo, la tecnologa Ivy Bridge de Intel permite al fabricante usar un transistor de 22 nanmetros, lo que le da la capacidad al procesador de soportar una mayor cantidad de estos transistores lo que lo hace ms eficiente. El transistor es un elemento de forma cuadrada por lo tanto la reduccin que se hace es cuadrtica. Por ejemplo pasar de 32 nanmetros a 22, permite pasar de 1024 nanmetros cuadrados a 484 es decir casi la mitad de tamao o el doble de elementos en la misma rea. Los beneficios que trae la mejora de las tecnologas de fabricacin son: Mayor densidad de transistores: Mientras ms pequeos son los transistores ms de estos se pueden incluir en la misma rea Menor consumo: Debido a que los transistores ocupan una menor cantidad de rea, esto hace que necesite una menor cantidad de corriente y voltaje para su funcionamiento, por ende conlleva a una reduccin en la potencia. Mejor Arquitectura: Un mayor nmero de transistores permite que el procesador sea capaz de realizar una mayor cantidad de tareas por cada ciclo de reloj. Mayor Velocidad: Un menor consumo al final hace que podamos alcanzar frecuencias de funcionamiento ms altas sin quemar el procesador.

Sin lugar a duda todas estas tecnologas de fabricacin permiten una evolucin de los chips y una mejora en el uso de los procesadores. En la siguiente tabla se muestra como ha sido la evolucin de los transistores a lo largo de esta dcada

TECNOLOGA

FECHA DE IMPLEMENTACIN

MTODO

EMPRESA

90 nanmetros 65 nanmetros 45 nanmetros 32 nanmetros 28 nanmetros 22 nanmetros

2003 2005 2007 2009 2010 2011

Strained Silicon Strained Silicon Strained Silicon High K Metal gate High K Metal gate Tri-Gate

Intel, AMD, Texas Instrument, TSMC Intel, AMD Intel, AMD Intel, AMD TSMC, AMD Intel

Tabla 1. Tecnologas de fabricacin de x nanmetros

TECNOLOGA DE PROCESO DE 65 nm
Este tipo de tecnologa que dispona de puertas (conmutadores que activan o desactivan un transistor) que medan 35 nm menos con respecto a la tecnologa de 90 nm. Este tipo de tecnologa incrementaba el nmero de transistores dentro de un nico chip, al igual que lo hacen los actuales dispositivos.

TECNOLOGA DE PROCESO DE 45 nm
La tecnologa de fabricacin de 45 nanmetros permiti la creacin de procesadores que reducan ms de cinco veces las fugas de energa, en comparacin con las unidades de 90 nanmetros, lo que se traduca en un mayor aprovechamiento de la energa ampliando la duracin de la batera de dispositivos mviles y aumentando las oportunidades para el desarrollo de plataformas ms pequeas y potentes. Esta tecnologa de 45 nanmetros permita montar el mismo nmero de circuitos de los microprocesadores en la mitad de superficie con respecto a sus predecesores.

TECNOLOGA DE PROCESO DE 32 nm
Gracias a esta tecnologa se logro el ordenador en un chip con el procesador, la grfica y la gestin de la memoria integrados. Esto nos permiti entrar en la era de los sistemas totalmente integrados, con tamao diminuto, coste reducido, consumo energtico mnimo y mximas prestaciones, lo que permiti a su vez disear productos realmente autnomos, pequeos, potentes y baratos.
PROCESADORES INTEL :

Esta tecnologa de 32nm, presente en los Core i7 incluy versiones de ocho ncleos para servidores, seis ncleos para escritorio, una disminucin de precios en cuatro ncleos para computadores porttiles y grficos integrados en el CPU para los modelos de doble ncleo.
PROCESADORES AMD:

Fue la evolucin de los actuales micros de 45 nanmetros, y dicha mejora nos llev lo de siempre: un menor consumo, un mayor rendimiento y una menor temperatura de funcionamiento.

TECNOLOGA DE PROCESO DE 22 nm
Siendo el actual SoC (sistema en un chip) de Intel de 32nm, aparece en el mercado un nuevo SoC de 22nm, un transistor con una estructura en tres dimensiones para empezar a fabricar microprocesadores ms eficientes. Este ltimo avance permitir que los chips tengan el doble de transistores cada dos aos o tal vez ms tiempo con lo que se cumple la Ley de Moore pero no como lo haca antes. Con la generacin de estos chips la tensin aplicada sobre estos debe ser muy baja para no quemarse con lo que no haba suficiente energa para atravesar el canal de comunicacin del transistor con suficiente rapidez. As que para resolverlo haban tres soluciones: cambiar el material por germanio o arseniuro de

galio en vez de silicio, crear un efecto tnel o aumentar la superficie de paso con mltiples puertas y pasillos elevados por lo que se opt por aumentar su superficie de paso dndole al transistor un efecto tridimensional

2003
90 nm

2005
65 nm

2007
45 nm

2009
32 nm

2011
22 nm

Invented SiGe

Invented SiGe

Invented Gate-Last

Invented Gate-Last

First to Implement

Strained Silicon
High K Metal gate Tri-Gate

Figura 6. Evolucin de los transistores Intel en la ltima dcada

CONCLUSIONES
Con las nuevas tecnologas de la creacin de transistores ms pequeos la eficacia de estos va en aumento y a pesar de que la tecnologa actual brinda una amplia gama de beneficios como velocidad, menor consumo de energa, etc., La nueva generacin es mucho ms pequea por lo que su rendimiento es mayor, por ende realiza una mayor cantidad de procesos en cada ciclo de reloj, consume menos recursos, brinda una mayor velocidad y evita la fuga de corriente, sobre todo en los transistores 3D, lo que convierte a este tecnologa en uno de los grandes avances de la dcada.

BIBLIOGRAFIA
[1]http://www.elpolitecnico.com/content/intel-y-los-transistores-3d-una-miradam%C3%A1s-cercana [2]http://www.nosinteresa.com/tecnologia/tri-gate-un-nuevo-transistor-conestructura-tridimensional-de-intel.html [3] http://www.technologyreview.es/read_article.aspx?id=40362 [4]http://computadoras.about.com/od/conoce-procesadores/a/Que-Es-LaTecnologia-De-Fabricacipn-De-Un-Procesador.htm [5] http://www.intel.com/cd/corporate/techtrends/emea/spa/209825.htm [6]http://elpais.com/diario/2006/02/02/ciberpais/1138851328_850215.html [7] http://www.joeshoulak.com/portfolio/71-intels-3d-chip/ [8] http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/39250.wss [9]http://phys.org/news/2013-02-high-transistors-polymer-superior-silicon.html [10] http://phys.org/news/2013-02-graphene-transistor-principle.html