Iee3923 A1 Apuntes Puente H 12

tica - Prof. M. Torres T.
IEE3923 Sensores y Actuadores para Robo ctrica Departamento de Ingenier a Ele lica de Chile Pontificia Universidad Cato
Actividad 1: Apuntes Puente H

Circuitos B asicos
1.
Introducci on
En clases se estudio el esquema general del puente H. Si bien el principio de operaci on y su construcci on es relativamente sencilla, en la pr actica existen una variedad de opciones que se distinguen principalmente en dos aspectos: 1. Tipo de transistor de potencia: BJT o MOSFET. 2. Simplicidad y robustez del circuito. La implementaci on de un puente-H utilizando transistores BJT, y en especial BJT tipo Darlington, es la m as simple, puesto que en principio podr a utilizarse las se nales de un microcontrolador est andar para activar los transistores, sin la necesidad de componentes adicionales. Sin embargo, esto no es lo ideal, puesto que una sobredemanda de corriente o una sobretensi on pueden da nar el microcontrolador. La sobretensi on es habitual dada la naturaleza inductiva de la carga. Por otro lado, una l ogica de control mal implementada puede resultar en estados en que se activa en forma simult anea la totalidad del puente, lo cu al puede destruir los transistores por la sobrecorriente de corto circuito que se produce. Por estas razones, se requieren medidas adicionales que garanticen la integridad tanto de la electr onica de control como de potencia. En las siguientes secciones se presentar an diversos dise nos, partiendo desde lo m as simple aunque tal vez poco eciente y robusto, hasta lo m as avanzado. Los dise nos que se presentan han sido seleccionados en base a los siguientes criterios: 1. Simplicidad: Menor n umero de componentes posible. 2. Robustez: Tolerancia a fallas y sobredemandas. 3. Eciencia: Menores p erdidas posibles en los transistores. 4. Efectividad: Mayor resoluci on posible. 5. Generalidad: Aplicables a un amplio rango de motores DC y de f acil integraci on con la l ogica de control. 6. Costo e implementaci on: Componentes f aciles de conseguir a precios razonable en el mercado. No todos los circuitos presentados son ecientes o previenen las fallas mencionadas. Algunos circuitos se incluyen solo por su simplicidad. Para facilitar la decisi on de implementaci on y dise no de un puente H, se resume a continuaci on la lista de problemas m as frecuentes y como evitarlos. Considerar estos aspectos en la etapa de dise no puede evitar complicaciones posteriores en la etapa de implementaci on o de operaci on del dispositivo. 1. El microcontrolador se da na f acilmente y deja de funcionar: Aisle los transistores de potencia del puente H de la electr onica de control mediante buers u optocuplas. De esta manera evitar a sobretensiones que se propaguen hasta el microcontrolador y sobreconsumos de corriente que exceden la capacidad del microcontrolador. 2. El circuito produce ruido audible: Conmute los transistores idealmente a 16-20 kHz. 3. El circuito no puede conmutarse a frecuencias sobre los 3 kHz: debe dise nar el circuito empleando MOSFET en vez de BJT, as como emplear optocuplas r apidas o utilizar buers CMOS de alta velocidad en vez de optocuplas. Los integrados MGD (MOSFET Gate Driver) pueden resolver este problema utilizando un solo chip. 2012.08.06 1
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4. El circuito tiene una resoluci on baja o limitada: Debe utilizar una PWM de 16-20 kHz. Si emplea BJT y optocuplas lentas nunca podr a alcanzar frecuencias de conmutaci on ideales entre 16-20 kHz, especialmente si emplea transistores BJT tipo Darlington que operan razonablemente bien hasta los 3 kHz.
5. Los transistores del puente se queman repentinamente: Verique que la l ogica de control no est e activando todo el puente o todo un lado en forma simult anea, esto corresponde a un cortocircuito de la fuente. Para evitar que se enciendan los transistores simult aneamente debe implementar l ogica de protecci on a nivel del microcontrolador o bien emplear un dise no circuital con l ogica que bloque la falla. La otra causa de da no de los transistores puede ser una sobretensi on por desconexi on brusca o una sobredemanda de corriente por cambio de giro repentino. Para evitar los spikes de sobretensi on debe colocar diodos yback adicionales en forma antiparalela con los transistores de potencia. Para evitar las sobrecorrientes, evite en lo posible aceleraci ones grandes, especialmente los cambios repentinos en el sentido de giro del motor.
2.
Puente-H BJT
2..1
Puente-H BJT B asico
Un puente-H b asico se compone de cuatro transitores como se muestra en la g. 1. Cuando se activan los transistores superior izquierdo e inferior derecho, la carga queda energizada con el voltaje de la fuente V S en el terminal izquierdo y el potencial de tierra en el terminal derecho. En cambio, cuando se activan los transistores superior derecho e inferior izquierdo, el terminal derecho ahora recibe el voltaje de la fuente, mientras que el terminal izquierdo tendr a el potencial de tierra. De esta manera, la polaridad de la carga, como un motor se invierte, cambi andose el sentido de giro. Los posibles estados del puente se resumen en la tabla 1. En esta tabla, A.in, B.in representan los niveles l ogicos en los terminales de entrada del circutio, X.out e Y.out, representan los terminales de salida izquierdo y derecho, respectivamente. El t ermino V S representa el voltaje de la fuente de alimentaci on y x es un estado indeterminado (el terminal est a otando sin estar conectado a la fuente o a tierra). Si bien este circuito es sencillo, tiene algunos problemas. En primer lugar, una activaci on del puente entero (A.in=B.in=1) produce un corto circuito que puede destruir el puente. Por otro lado, la eciencia del puente es limitada porque los transistores son todos NPN y tal conguraci on no permite llevar a conducci on plena los transistores del lado superior del puente, puesto que el emisor del lado superior no se encuentra a potencial de tierra, sino a potencial de 2 4 V correspondientes a la caida de tensi on Vce en los transistores del lado inferior, y luego puede requerise un voltaje Vbe mayor en el lado superior para saturar el transistor. Por esta raz on, conviene utilizar transitores complementarios PNP en el lado superior del puente como se explica en la siguiente secci on. A continuaci on se resumen las caracter sticas del puente-H de la g. 1: 2012.08.06 2
Notas Puente-H g. 1: Las resistencias en la base de los transistores son para limitar la demanda de corriente sobre el microcontrolador por parte del transitor. En la pr actica el valor de la resistencia puede encontrarse colocando un valor alto y reduci endolo progresivamente hasta encontrar el punto en el que el transistor entra en conducci on. El valor exacto puede calcularse empleando el valor de ganancia colector-base F y la corriente por la carga (F = Ic /Ie ). Los transistores pueden ser TIP41 (Ic = 6 A, Vce = 40 V , P = 65 W ), TIP35C (Ic = 25 A, Vce = 100 V , P = 125 W ), u otros, como el 2N3055/2N2955 o los BJT Darlington TIP120 y TIP142. Si el requerimiento de corriente del transistor es muy alto, debe emplearse un buer o un transistor de se nal, tipo 2N2222 entre la compuerta del microcontrolador y el transistor de potencia del puente. Los transistores de potencia deben ubicarse en una placa aparte de la placa de circuitera l ogica, idealmente aislados mediante optocuplas y montados sobre disipadores de calor. Debe tenerse presente que en la mayora de transistores, el terminal colector corresponde al exterior del encapsulado. Por lo tanto, debe cuidarse de aislar o montar transistores cuyo colector no es comn en disipadores independientes.
A.in 1 0 0 1
Tabla 1: L ogica de control del puente-H de la g. 1. B.in X.out Y.out Descripci on 0 VS 0 FWD (giro adelante) 1 0 VS REV (giro reverso) 0 x x free coasting (giro libre) 1 !!! !!! corto circuito V S -GN D (da no de los transistores!)
2..2
Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios
En un puente-H con transistores complementarios, la parte superior del puente emplea t picamente transitores tipo PNP, en una conguraci on llamada conguraci on de fuente como se muestra en la g. 2. En esta conguraci on el transistor actua como una fuente de corriente para la carga. La resistencia de 10 k actua como pull-up asegurando que el transistor se mantega apagado (en corte sin conducir corriente) mientras no se conecte el switch. La resistencia de 1 k se emplea para limitar la corriente que sale de la base cuando la base se lleva a tierra mediante el switch. Cuando el switch se cierra, la juntura emisor-base se polariza en forma directa, haciendo que cierta corriente salga hacia afuera de la base. Si la bater a es de 12 V y la ca da de 120.7 a saliendo de tensi on Veb = 0.7 V , la corriente por la base ser a Ib = 1000 = 11.3 mA (negativo porque est la base). Dada la constante Hf e para el TIP107, este nivel de corriente es suciente para encender el transistor manteni endolo saturado en un nivel de corriente que depender a de la resistencia de la carga. De manera similar, la parte inferior del puente puede implementarse empleando un transistor complementario en conguraci on de sumidero como se muestra en la g. 3. Esta conguraci on recibe este nombre porque el transitor actua como un sumidero permitiendo a la corriente entrar al nodo de tierra una vez que ha pasado por la carga. En este caso la resistencia de 10 k actua como pull-down para mantener el transitor apagado 2012.08.06 3
Figura 1: Puente-H b asico empleando BJTs tipo NPN.
Figura 2: Transistor PNP conectado en conguraci on de fuente.
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mientras no se cierre el switch. Al igual que en el caso anterior, la resistencia de 1 k tiene por nalidad limitar la corriente que entra por la base cuando se cierra el switch y la juntura base-emisor se polariza en forma directa.
Figura 3: Transistor NPN conectado en conguraci on de sumidero. Ciertamente tener un switch no ayuda a resolver el problema de conectar y desconectar la carga utilizando el transistor. En tal caso, simplemente deber a emplearse el switch directamente en serie con la carga. Para la conguraci on sumidero (g. 3) la activaci on podr a realizarse aplicando 5 V (se nal l ogica) del microcontrolador directamente a la resistencia en la base del transistor para polarizar en forma directa la juntura base-emisor seg un 50.7 se muestra en la gura 4. Si la caida de tensi on Vbe = 0.7 V , la corriente de base ser a Ib = 1000 = 4.3 mA, suciente para hacer que el transistor entre en conducci on sin sobrecargar al microcontrolador.
Figura 4: Transistor NPN conectado en conguraci on de sumidero a salidas de microcontrolador. La soluci on anterior no puede aplicarse para reemplazar el switch en la conguraci on fuente por una conexi on directa al microcontrolador. Si bien en el caso de la conguraci on fuente, el pull-up puede llevarse a tierra colocando una se nal 0 V en alguna salida del microcontrolador, haciendo que el transistor empiece a conducir, el problema est a en que el microcontrolador no puede poner en su salida un voltaje igual a V S , para llevar el voltaje en la resistencia de 1 k en la base a un voltaje igual al de la fuente, y as interrumpir la conducci on de 2012.08.06 5
corriente por el transistor. En algunos microcontroladores es posible poner la salida del microcontrolador en tri-state dej ando que la base suba al voltaje de la fuente libremente a trav es de la resistencia de pull-up. Sin embargo, esto tiene el riesgo de que al exponer el pin del microprocesador a un voltaje mayor al que estaba dise nado para soportar el microcontrolador simplemente se queme. Una soluci on simple es utilizar un transistor de se nal que funcione como pull-down, seg un se muestra en el circuito de la gura 5. El transistor pull-down permite llevar el pull-up del transitor de potencia a tierra cuando se necesita encenderlo completamente, e interrumpir el pull-down cuando se requiera apagar el transistor de potencia dejando que su base vuelva al voltaje de la fuente a trav es del pull-up.
Figura 5: Transistor PNP conectado en conguraci on de fuente a salidas de microcontrolador mediante un transistor pull-down.
Aplicando las ideas mencionadas puede implementarse un puente-H como el que se muestra en la gura 6, basado en el circuito propuesto por [4]. Los posibles estados del puente se resumen en la tabla 1. Las principales caracter sticas de este puente-H (g. 6) son: 2012.08.06 6
Notas Puente-H g. 6: El transistor TIP120 puede reemplazarse por TIP102, TIP122 o TIP142. El transistor TIP125 puede reemplazarse por TIP107, TIP127 o TIP147. El voltaje de alimentaci on para este circuito puede ser V s = 6 40 V , con una corriente Is = 5 A (nom), Is = 8 A (peak). Los colectores de los transistores en el lado izquierdo son comunes. Por lo tanto, pueden compartir un disipador de calor. Esto tambi en es v alido para los transistores en el lado derecho. El circuito esta dise nado para funcionar a menos de 3 kHz . Valores entre 50 300 Hz son ideales para reducir las p errdidas en este circuito. Si se desea hacerlo funcionar a una frecuencia mayor se requieren resistencias de pinch-o de 1 k colocadas entre la base y el emisor de cada transistor TIPxxx. Para reducir las emisiones RF deben mantenerse los cables entre el puente y el motor lo m as cortos posibles. Los diodos yback no se requieren, ya que est an incorporados en los TIPxxx tipo Darlington. Este circuito no tiene limitaci on de corriente. Inversi on del sentido de giro a altas velocidades puede causar un consumo considerable de corriente. Las entradas requieren un voltaje l ogico de 5 V . Voltajes mayores puede sobrecalentar las resistencias R4.
A.in 1 0 0 1
Tabla 2: L ogica de control del puente-H de la g. 6. B.in X.out Y.out Descripci on 0 VS 0 FWD (giro adelante) 1 0 VS REV (giro reverso) 0 x x free coasting (giro libre) 1 VS VS breaking (frenado)
2..3
Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios y Optocuplas
El circuito anterior (ver g. 6 tiene dos desventajas. En primer lugar es menos simple que otros circuitos, y por otro lado, el circuito de control y la parte de potencia comparten la misma tierra, lo cual puede causar que el ruido en la electr onica de potencia afecte el funcionamiento de la circuiter a de control. Una circuito m as conveniente se presenta en la g. 7, basado en el circuito propuesto por [5]. En vez de utilizar transistores para el lado superior del puente, este circuito emplea optocuplas como la NEC PS2504-4 que viene en un encapsulado DIP. La ventaja de este circuito radica en que la optocupla conformada por el para LED-fototransistor, permite aislar totalmente la electr onica de control de la parte de potencia reduciendo la posibilidad de que una sobrecarga da ne el microcontrolador e impidiendo que el ruido el ectrico de conmutaci on en la carga pase a la fuente que alimenta al microcontrolador. De hecho, para el microcontrolador la optocupla aparece simplemente como un LED, y la tierra de microcontrolador es independiente de la tierra de potencia! 2012.08.06 7
Figura 6: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington.
Figura 7: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington con optocuplas.
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La desventaja principal de utilizar optocuplas es que la conmutaci on de estos es m as lenta que la de un transistor com un. En muchas optocuplas el tiempo de encencido es de alrededor de 4 s. Esto implica que si uno la enciende y apaga tan r apido como sea posible, en el mejor de los casos la optocupla entregar a una onda cuadrada con un duty cycle de 50% y una frecuencia de 125 kHz . Dado que el tiempo m nimo de apagado o encendido es de 4 s, si uno desea pasos iguales de PWM de 1% a 100%, se requerir a un intervalo de 100 4 s, de manera de tener todas los incrementos posibles (desde un intervalo de 4 s encendido y 99 intervalos iguales apagados, hasta 99 intervalos encendidos y un intervalo apagado). Esto limita la frecuencia de la PWM a fP W M < 1/400 s = 2500 Hz . Si uno no est a interesado en tener uniformidad, particularmente a velodicidades bajas o altas, entonces podr a jarse el periodo en 1 s, y aumentar la frecuencia de la PWM a 10 kHz , pero con brechas de velocidad que ir an en tramos 0%, 4%-96% y luego 100%. Las brechas bajo 4% y sobre 96% corresponden a los 4 s de conmutaci on m nima. En este caso el periodo base ser a de 100 s. Si no se requiere precisi on de posicionamiento, puede sacricarse la resoluci on de velocidad en la parte baja de la escala. Los diodos que se muestran en la g. 7, denominados diodos de yback, no son extrictamente necesarios si se emplean transistores BJT tipo Darlington, puesto que estos traen un transistor incorporado. Sin embargo, es conveniente a nadir diodos como una protecci on adicional. Incluso en algunos casos se a nade una red snubber, que b asicamente es un condensador y una resistencia en paralelo con la carga, y cuya funci on, al igual que los diodos yback es la de absorber los impulsos de corriente que se producen al conmutar los transistores. En efecto, mientras m as alta es la frecuencia de conmutaci on, mayor es la amplitud de los impulsos, pueso que el voltaje en la carga, que es principlamente de tipo inductivo en el caso de un motor, estar a dada en el instante de conmutaci on por V = Ldi/dt. Si se considera una inductancia de 1 mH , y una corriente de 10 A, con un periodo de conmutaci on de 4 s, V = 103 10/(4 106 = 2500 V . Ciertamente no se alcanzar a esta tensi on ya que parte de la energ a se disipar a antes en la resistencia del motor y de los transistores, pero a un as el peak de voltaje puede ser suciente como para da nar el transistor si no se cuenta con una protecci on adicional. La l ogica de control de este puente es muy similar a la del anterior, como se muestra en la tabla 3. La diferencia yace en el hecho de que en vez de tener dos canales de entrada y la tierra, este puente tiene los canales A y B, y un canal de habilitaci on (EN, enable). Este tercer canal se puede utilizar para enviar la se nal PWM mientras que los canales A y B solo determinan la direcci on de giro. De esta manera el puente solo requiere una se nal PWM en vez de dos se nales PWM en los canales A y B. Esto es particularmente conveniente en microcontroladores peque nos que poseen solo una se nal PWM o en los cuales el costo de generar interrupciones tiene un impacto alto sobre la velocidad de desempe no del c odigo. Algunas caracter sticas y observaciones importantes sobre este puente-H de (g. 7) se resumen en el cuadro que se presenta a continuaci on. Tabla 3: L ogica de control del puente-H de la g. 7. B.in EN X.out Y.out Descripci on 0 0 VS 0 FWD (giro adelante) 0 1 VS x Q4 OFF. PWM en EN regula la velocidad FWD 1 0 0 VS REV (giro reverso) 1 1 x VS Q3 OFF. PWM en EN regula la velocidad REV 0 0 x x Todos los transistores OFF, free coasting (giro libre) 0 1 x x Todos los transistores OFF, free coasting (giro libre) 1 0 VS VS Q3 y Q4 ON, breaking (frenado) 1 1 VS VS Q3 y Q4 ON, breaking (frenado). PWM en EN, regula la velocidad de frenado. 9
A.in 1 1 0 0 0 0 1 1
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Notas Puente-H g. 7: El transistor TIP102 puede reemplazarse por TIP120, TIP122 o TIP142 El transistor TIP107 puede reemplazarse por TIP125, TIP127 o TIP147 El voltaje de alimentaci on para este circuito puede ser V s = 6 40 V , con una corriente Is = 5 A (nom), Is = 8 A (peak). Los colectores de los transistores en el lado izquierdo son comunes. Por lo tanto, pueden compartir un disipador de calor. Esto tambi en es v alido para los transistores en el lado derecho. El circuito esta dise nado para funcionar a menos de 3 kHz . Valores entre 50 300 Hz son ideales para reducir las p errdidas en este circuito. Si se desea hacerlo funcionar a una frecuencia mayor se requieren resistencias de pinch-o de 1 k colocadas entre la base y el emisor de cada transistor TIPxxx. Para reducir las emisiones RF deben mantenerse los cables entre el puente y el motor lo ms cortos posibles. Los diodos yback no se requieren, ya que est an incorporados en los TIPxxx tipo Darlington. Los diodos en este diagrama son de respuesta rpida, y se incluyen para proteccin adicional de los transistores. Este circuito no tiene limitaci on de corriente. Inversi on del sentido de giro a altas velocidades puede causar un consumo considerable de corriente. Este circuito tiene la ventaja de que no permite entradas invalidas, que activen un lado completo del puente cortocircuitando la fuente. Adems tiene la ventaja de aislar las seales de potencia de las seales de control mediante las optocuplas. Las optocuplas pueden ser del tipo PS2501-4 (Quad optocoupler). Los canales A, B, pueden conectarse directamente a la salida de un PIC. Los LEDs internos de la optocuplas t picamente generan una caida de tensi on de 1.2 V , la corriente m axima que entrega un PIC es de 20 mA, y por lo tanto, se requiere de una resistencia para limitar la corriente al valor m nimo de encendido del LED IL = 6.8 mA = (5 1.2)/R, de donde R = 530 .
3.
Puente-H MOSFET
Al igual que en el caso del puente-H con transistores BJT es posible implementarpuente-H con transistores MOSFET. Los transistores MOSFET requieren de electr onica adicional, puesto que requieren niveles de tensi on Vsg entre el gate y el source sobre los 12 V para su activaci on y los transistores TTL (5 V ) no pueden generar o trabajar a estos niveles. Por esta raz on los MOSFET no pueden conectarse directamente a las salidas TTL de los microcontroladores comunes. A pesar de esta desventaja y el hecho de que su construcci on tipo CMOS los hace muy vulnerables a descargas est aticas, los benecios que tienen los hacen los convierten en la primera opci on de todo puente de alto desempe no. Las ventajas de los MOSFETs se resumen en sus bajas p erdidas (menos de 10 20 W frente a p erdidas de 100 W para un transistor de capacidad media similar), y su alta 2012.08.06 10
velocidad de conmutaci on (permite generar un mayor n umero de niveles en la PWM). En la gura 8 se muestra un esquema b asico del puente-H implementado con MOSFETs de canal N. La l ogica de control para este circuito es equivalente al de la versi on BJT que se muestra en la tabla 1. A diferencia del puente-H b asico implementado con BJTs, en este puente se requieren 4 compuertas NAND que vienen en un Quad NAND como el CMOS 4011. Estas compuertas tienen por nalidad realizar la conversi on de nivel TTL a CMOS. Algunos circuitos para la conversi on TTL a CMOS y viceversa se presentan en la siguiente secci on. Otras caracter sticas de este puente-H se resumen en el siguiente cuadro. Notas Puente-H g. 8: Las compuertas NAND forman parte de un IC CMOS Quad NAND 4011. Estas pueden reemplazarse por optocuplas como se explicar a a continuaci on. Los diodos son necesarios para proteger los transistores MOSFET, los cuales pueden ser transistores de canal N como el IRF 530N, IRF Z48N o IRF 1405 de International Rectier. Este u ltimo ha sido reemplazado por uno de menores p erdidas, el IRF B3006. Este puente, al igual que la versi on b asica empleando BJTs, no considera mecanismos que eviten la activaci on del puente completo y el cortocircuito de la fuente.
Figura 8: Puente-H b asico empleando MOSFETs de canal N.
3..1
Puente-H con MOSFETs Complementarios
El utilizar transistores MOSFETs complementarios puede lograrse el encendido completo de los transistores y de esta manera reducir las p erdidas en el transistor. Las razones del por qu e no puede lograrse un encencido completo cuando los transistores son del mismo tipo son las mismas que las mencionadas en el caso del 2012.08.06 11
puente BJT con transistores complementarios. Un puente-H muy similar al anterior pero con compuertas complementarias se muestra en la g. 9. Para este circuito tambi en son v alidas las observaciones mencionadas para el puente-H b asico de la secci on anterior. Estas y otras observaciones se incluyen a continuaci on. Notas Puente-H g. 9: Las compuertas NAND forman parte de un IC CMOS Quad NAND 4011. Estas pueden reemplazarse por optocuplas como se explicar a a continuaci on. Los diodos son necesarios para proteger los transistores MOSFET, los cuales pueden ser transistores de canal N como el IRF 530N, IRF Z48N o IRF 1405 de International Rectier. Este u ltimo ha sido reemplazado por uno de menores p erdidas, el IRF B3006. Este puente, al igual que la versi on b asica empleando BJTs, no considera mecanismos que eviten la activaci on del puente completo y el cortocircuito de la fuente. El uso de MOSFETs de canal complementario (tipo P en la parte superior del puente en vez de N) permite un encendido completo de los transistores. Si bien los dispositivos de canal N son preferibles por sus bajas p erdidas, el problema que tienen es que para operar correctamente el terminal source debe estar conectado al borne del motor y el terminal drain a la fuente (ver g. 8). Cuando se utiliza un dispositivo tipo P, su terminal source estar a conectado a la fuente y el terminal drain al borne del motor (ver g. 9). El problema est a en que ambos dispositivos se controlan mediane el voltaje VGS . Para dispositivos de canal P (ver g. 9), si el gate est a conectado a V S (el voltaje de la fuente), el transistor estar a cerrado (voltaje VGS = 0 V ) y si el gate se conecta a tierra el transistor se abrir a (si el voltaje V S de la fuente es suciente para abrir el transistor, dado que el voltage VGS = V S ). Para el dispositivo de canal N del lado superior del puente (ver g. 8) la situaci on es m as complicada. Si se conecta el terminal gate a tierra o la fuente, el dispositivo se mantendr a cerrado porque VGS ser a 0V o superior V S (por la caida de tensi on en los tansistores del lado inferior del puente). y no tendr a un valor negativo, como se requiere para abrirlo. La pregunta es d onde conectar el gate del transistor de canal N para abrirlo, dado que el voltaje de la fuente V S puede ser insuciente, pues cuando el dispositivo est a cerrado, VDS 0. Como el drain est a conectado a V S , entonces VS V S , pero se requiere VGS > VT H + VS para abrirlo, con el voltaje de threshold VT H 5 V para MOSFETs llamados de nivel l ogico (logic level MOSFETs) y VT H 10 15 V para los MOSFETs t picos. En la mayor a de los casos se requiere una bomba-de-carga (charge pump) en conguraci on stand alone o boot-strapped [8]. En la pr actica esto se traduce en que los drivers del lado superior presentan un tiempo de encendido/apagado mayor que en el lado inferior, porque los drivers del lado superior no pueden entregar tanta corriente como los de la parte inferior del puente (menores corrientes implican un mayor tiempo para la carga de las capacitancias de gate de los transistores). La operaci on a altas frecuencias, donde las perdidas por conmutaci on son un factor importante, el uso de MOSFETs de canal P puede ser m as conveniente por las razones anteriores. A bajas frecuencias, para las cuales las p erdidas por conmutaci on son despreciables, la operaci on de los drivers con corrientes mayores es deseable. En esta situaci on, las p erdidas por la resistencia del canal son m as importantes que aquellas por conmutaci on, y por lo tanto los MOSFETs de canal N son una mejor soluci on de compromiso. Existen otros puente-H basados en MOSFETs que emplean optocuplas como mecanismos de conversi on de la l ogica TTL a CMOS, y a la vez como medio de aislaci on de la circuiter a de potencia de aquella de control. Estos 2012.08.06 12
Figura 9: Puente-H b asico empleando MOSFETs de canal P y N. circuitos son muy similares al de la g. 7 y pueden encontrarse en [1, 3, 7, 6, 8]. El problema de estos circuitos es que algunos utilizan optocuplas lentas, y por lo tanto la ventaja de operaci on r apida de los MOSFETs se pierde. Una alternativa a las optocuplas son los MOSFET Gate Drivers o MGDs como los ICs Intersil HIP 4081 (para MOSFETs de canal N), el International Rectier IRS2110 o el L6390 de ST Microelectronics, cuyos valores se muestran en la tabla 4. Estos integrados contienen la circuiter a necesaria para controlar el apagado y encencido de los transistores del puente en forma segura a partir de se nales TTL. En la siguiente secci on se presentan algunas ideas adicionales para realizar la conversi on TTL a CMOS y viceversa. Algunos de estos circuitos pueden utilizarse para controlar la activaci on de los MOSFETs.
3..2
Puente-H con MOSFETs y Optocuplas
Existen varias alternativas para implementar un puente-H con MOSFETs comandados mediante optocuplas de manera muy similar al puente-H con BJTs. En la g. 10 se muestra el puente-H con MOSFETs de canal N y una manera simple de garantizar que la activaci on completa de todo el puente nunca ocurra. Esta conguraci on requiere de dos se nales A y B para controlar el sentido de giro. Si se agrega una tercera se nal de ENABLE como en el circuito de la g. 11, se puede utilizar la se nal ENABLE para la PWM, mientras que A y B denir an el sentido de giro. En realidad, solo son necesarios el ENABLE y A o B, ya que B puede generarse negando A, aunque en este caso el puente no tendr a la capacidad ed frenado (A y B en 1), ni de giro libre (A y B en 0). Por u ltimo, un puente-H con MOSFETs complementarios y optocuplas con canal A, B y ENABLE se muestra en la g. 12. Esta es una conguraci on ideal para conmutaci on a alta frecuencia, y probablemente la conguraci on que deber a considerarse como primera opci on por su eciencia y simplicidad. Para nalizar esta secci on se presentan algunos ejemplos de puentes-H basados en MOSFETs que conforman un grupo representativo de las mejores soluciones que pueden encontrarse en Internet. Estos puentes recogene de un modo u otro, las recomendaciones presentadas en estos apuntes. En la g. 13 se muestra el puente-H de McManis [6], en la g. 14 se muestra el puente-H Devantech MD22 [9] y nalmente en la g. 15 se muestra un puente-H que forma parte de un circuito con adaptadores de se nal PWM de servos de radiocontrol (R/C) a PWM de comando para el puente [10].
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13
Figura 10: Puente-H b asico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas independientes.
4.
Conversi on de nivel TTL a CMOS, CMOS a TTL y optocuplas
Los circuitos de las guras 16 y 17 muestran circuitos para convertir los niveles de se nal TTL a nivel CMOS. Estos circuitos tambi en pueden emplearse como buers de protecci on de la electr onica de control o drivers de transistores MOSFET. Al emplearlos debe considerarse la capacidad de corriente y voltaje de los transistores 2N2222. En casos que la carga presente un gran consumo y opere a tensiones elevadas estos circutios deber an modicarse adecuadamente. Las compuertas negadoras son buers que deben ser de la l ogica apropiada, ya sea CMOS o TTL. En el caso CMOS un buer negador puede implementarse con un Quad two-input NAND 4011, colocando la misma se nal en ambas entradas o bien con un buer NOT 4069 de seis negadores. Los buer TTL pueden construirse de similar manera con un Quad two-input NAND 7400 o negadores 7404 de seis entradas, o el equivalente al 7404, los 7414 que poseen inputs con Schmitt triggers, los cuales tienen una mejor inmunidad al ruido y son ideales para se nales que cambian lentamente o que son ruidosas. Otra alternativa a los circuitos de conversi on TTL a CMOS y viceversa son las optocuplas. Estas b asicamente son un par LED emisor-fototransistor como se muestra en la g. 18. Las optocuplas son u tiles por su simplicidad y la capacidad de aislar distintas partes de un circuito, de modo que si una parte contiene se nales ruidosas, estas no contaminen otras partes a trav es de la tierra compartida. Algunas optocuplas t picas son la Vishnay 4N35 (tswitching = 10 s), CEL PS2501 (tswitching = 5 s), Toshiba TLP250 (tswitching = 1.5 s) o Fairchild Semiconductor 6N135 (tswitching = .5 s) (esta u ltima permitir a una PWM de 20 kHz ).
5.
Informaci on Adicional Recomendada
En adici on a las referencias mencionadas, existen diversas notas de aplicaci on [11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19] que describen en mayor profundidad aspectos concernientes al dise no de puentes-H. Algunos de los componentes 2012.08.06 14
Figura 11: Puente-H b asico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas con se nal ENABLE.
Figura 12: Puente-H b asico empleando MOSFETs de canal P y N, y optocuplas con se nal ENABLE. 2012.08.06 15
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Figura 13: Puente-H con MOSFETs McManis Speed Controller, [6].
16
Figura 14: Puente-H con MOSFETs Devantech MD22, [9]. 2012.08.06 17
Figura 15: Puente-H con MOSFETs Speed H-Bridge, [10]. 2012.08.06 18
Figura 16: Conversi on TTL a CMOS.
Figura 17: Conversi on CMOS a TTL.
Figura 18: Optocupla utilizada como switch e aislaci on de circuitos.
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19
m as utilizados se resumen en la tabla 4.
Transistores MOSFET
Transistor IRF 9530N IRF 530N IRF 5305 IRF IZ48V IRF Z48N IRF 1405 IRF B3006 Canal P N P N N N N Vds [V] -100 100 -55 60 55 55 60 Id [A] @ Vgs = 10 V, 25 C -14 17 -31 39 64 169 195 Vgs [V] 20 20 20 20 20 20 20 Precio [USD] 4.32 6.86 4.29 Rds [m ] 200 90 60 12 14 5.3 2.1 Pd [W] @ 25 C 79 70 110 43 130 330 375 Encapsulado TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220FP TO-220AB TO-220AB TO-220AB Precio [USD] 0.98 1.97 2 2 2.15 3.72 7.32 Aplicacin Robotics Bonanza Robotics Bonanza Devantech P3-AT Roboteq Remplazar IRF 1405
MOSFET Gate Drivers (MGDs) IRS2110 International Rectifier - High and Low Side MOSFET Driver Up to 500 HIP4081 Intersil - N-channel 80V MOSFET Driver L6390 ST Microelectronics - High and Low Side N-channel MOSFET Driver Optocupla Rapida TLP250
Transistores BJT
Transistor TIP 41 TIP 41C / 42C TIP 142 / 147 TIP 35C / 36C Tipo NPN / PNP NPN / PNP NPN / PNP Darlington NPN / PNP Vce [V] 40 100 100 100 Ic [A] (DC) 6 6 10 25 Veb [V] 5 5 5 5 Vce [V] 1.5 1.5 3 4 Pc [W] @ 25 C 65 65 125 125 Encapsulado TO-220 TO-220 TO-247 TO-247 Precio [USD] 1.08 / 1.04 0.95 / 0.86 2.35 / 2.68 2.44 / 2.44 Aplicacin Robotics Bonanza Robotics Bonanza Robot Schweinchen
Tabla 4: Cuadro comparativo de transistores para puente-H.
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20
Referencias
[1] Miguel Torres Torriti. Ejemplo Circuitos Microcontroladores. Apuntes del curso Sensores y Actuadores para Rob otica. Ponticia Universidad Cat olica de Chile, noviembre, 2006. [2] Miguel Torres Torriti. Tutorial Microcontroladores PIC Iniciaci on R apida . Ponticia Universidad Cat olica de Chile, abril, 2007. [3] Jos e Luis Peralta Cabezas, Felipe Haro Schapper, Miguel Torres Torriti. Ejemplos del Programa para Actividad Servomotor basados en el Application Note 696 de Microchip. Ponticia Universidad Cat olica de Chile, noviembre, 2006. [4] Bob Blick. 2002. HBbridge. http://www.bobblick.com/techref/projects/hbridge/hbridge.html,
[5] Chuck McManis. H-Bridges: Theory and Practice. http://www.mcmanis.com/chuck/robotics/tutorial/h-bridge/index.html. Diciembre 23, 2006. [6] Chuck McManis. PIC Based Speed Controller. http://www.mcmanis.com/chuck/robotics/tutorial/h-bridge/index.html. Diciembre 23, 2006. [7] Vincent Sieben. A High Power H-Bridge. Alberta, Canada, septiembre, 2003. [8] Andras Tantos. The H-Storm Web. http://www.modularcircuits.com/index.htm, 2007. [9] Gerry Coe, Devantech Ltd. MD22 - Dual 24Volt 5Amp H Bridge Motor Drive MD22 Technical Documentation. http://www.robot-electronics.co.uk/images/md22sch2.gif, ver. 9, marzo 2006. Ver tambi en, el proyecto TamuBot ver. 3.0 (Parker01), http://sites.google.com/a/tamu.edu/parker01/motor-controller. [10] Speed H-Bridge. Revista Enciclopedia Electr onica. [11] Duncan Grant. Using HEXFET III in PWM Inverters for Motor Drives and UPS Systems. International Rectier AN-967. [12] Vrej Barkhordarian. Power MOSFET Basics. International Rectier AN-1084. [13] HV Floating MOS-Gate Driver ICs. International Rectier AN-978. [14] HIP4081A, 80V High Frequency H-Bridge Driver. Intersil Application Note AN9405.5, December 11, 2007. [15] Tim Regan. A DMOS 3A, 55V, H-Bridge: The LMD18200. National Semiconductor Corp. Application Note AN-694. [16] Tim Bucellla. Servo Control of a DC-Brush Motor. Application Note AN532, Microchip Technology Inc., AZ, USA, 1997. 2012.08.06 21
[17] Chris Valenti. Implementing a PIC Controller Using a PIC18 MCU. Application Note AN937, Microchip Technology Inc., AZ, USA, 2004. [18] Microchip Tips n Tricks. DS40040B, Microchip Technology Inc., AZ, USA, 2003. [19] IRMCK203 Design Solutions. Design Tips DT04-2, International Rectier, CA, USA, marzo, 2004.
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tica - Prof. M. Torres T.

Actividad 1: Apuntes Puente H

Actividad 1: Apuntes Puente H

Puente-H BJT B asico

Actividad 1: Apuntes Puente H

Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios

Actividad 1: Apuntes Puente H

Figura 1: Puente-H b asico empleando BJTs tipo NPN.

Figura 2: Transistor PNP conectado en conguraci on de fuente.

Actividad 1: Apuntes Puente H

Actividad 1: Apuntes Puente H

Actividad 1: Apuntes Puente H

Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios y Optocuplas

Actividad 1: Apuntes Puente H

Figura 6: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington.

Actividad 1: Apuntes Puente H

Actividad 1: Apuntes Puente H

Actividad 1: Apuntes Puente H

Figura 8: Puente-H b asico empleando MOSFETs de canal N.

Puente-H con MOSFETs Complementarios

Actividad 1: Apuntes Puente H

Actividad 1: Apuntes Puente H

Puente-H con MOSFETs y Optocuplas

Actividad 1: Apuntes Puente H

Figura 10: Puente-H b asico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas independientes.

Conversi on de nivel TTL a CMOS, CMOS a TTL y optocuplas

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Actividad 1: Apuntes Puente H

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Figura 16: Conversi on TTL a CMOS.

Figura 17: Conversi on CMOS a TTL.

Figura 18: Optocupla utilizada como switch e aislaci on de circuitos.

Actividad 1: Apuntes Puente H

m as utilizados se resumen en la tabla 4.

Tabla 4: Cuadro comparativo de transistores para puente-H.

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