UNIVERSIDAD POLITCNICA DE TLAXCALA

Programa Educativo de Ingeniera Mecatrnica Asignatura: Electrnica Analgica

Profesor: M.C. Irma Flores Nava

Practica: Transistores BJT Alumno: Pacheco Daz Francisco Cuatrimestre: Mayo-Agosto Grado y Grupo: 3 B

Introduccin
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea por la unin de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. En el primero de los casos, se habla de un transistor npn, en tanto que el segundo recibe el nombre de transistor pnp. La abreviatura BJT (Bipolar Junction Transistor = transistor de unin bipolar) se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material polarizado opuestamente. Un transistor consta de tres terminales: emisor, base y colector. En esencia, se puede interpretar, por su estructura fsica, como dos diodos en serie conectados entre s por uno de sus terminales (el nodo o el ctodo). La caracterstica principal del transistor es que su resistencia interna variar segn la seal de entrada. As que se puede decir que el transistor regular el paso de corriente a travs suyo y, por tanto, que podr amplificar proporcionalmente a la salida, la seal que se aplica en su entrada Como se ya se ha dicho, existen de dos tipos, NPN o PNP.

Marco terico:
Qu son los Transistores: Definicin Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin, con muchsimas ventajas. Elementos de un transistor o transistores: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP. EMISOR: que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. BASE: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. COLECTOR: que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. Ventajas de los transistores electrnicos El consumo de energa es sensiblemente bajo. El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco. Una vida larga til (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en depsito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la fotosensibilidad.

Procedimiento
Actividad 1. Realice el anlisis matemtico de los circuitos A, B y C, obtenga los voltajes en todos los nodos y las corrientes de todas las ramas. Suponga una = 200 para los transistores npn y una = 120 para los transistores pnp.

RC 10k VCC 20 V RB 1M VBB 10 V npn

2N2222

Circuito A

Clculos: Para VB

Para IB

Para IC

Para IE

Par VC

R4 1k npn2 R3 10k 2N2222 R5 2.2k V4 5V V3 5V

Circuito B

Clculos:

S i:

Obtenemos:

Despegando obtenemos:

Se obtiene de

Si = 200 Se obtiene

Y para IB

Para VB

Se despeja VB y se obtiene ( ((
Para VC

Se despeja VC se obtiene ( Para VE ( ) )

Se despeja VE ( )

Los resultados obtenidos para los voltajes conforme a la simulacin son los siguientes.

Y para las corrientes se obtiene:

V6 10 V

R6 330 Q3

R7 10k BC212AP R8

470

V5 10 V
Circuito C

Clculos: Para IE

Para IC

Para VC ( )

Para VB

Resultado de la simulacin obteniendo los voltajes.

Simulacin de las corrientes

Actividad 2. Realice la simulacin de los circuitos de las figuras 1 y 2, adems obtenga los datos que se solicitan en la tabla 1 y llnela.
R4 1k Q2

R1 10k Q1 R2 10k 2N2222 R3 330 V1 5V

R5 1k

V2 12 V

R6 1k

2N2222 R7 1k

Figura 2 Figura 1

Tabla 1

Circuito
Figura 1 Figura 2 Actividad 3.

IC

VCE

IB

VBE

Regin de trabajo

1.- realice la simulacin de los circuitos de las figuras 3 y 4, adems obtenga los datos que se solicitan en la tabla 2 y llnela para cada una de las figuras. 2.- para el circuito 5. Utilice una seal de 10Vpp a 50 Hz.

LED1

R1 1k V1 10 V

J1 R2 Tecla = A 1k

Q1

2N2222

Figura 3

LED1

R1 1k V1

Cuando el interruptor esta abiertos obtiene esos voltajes

Tabla 2

Circuito
Figura 3 con j1 abierto Figura 3 con j1 cerrado
XFG1

IC
Lectura inestable 6.628 mA

VCE
7.699V

IB
lectura inestable 9.224 mA

VBE
2.56mv

Regin de trabajo

9.856 mV

776.599 mV

LED2

XFG1

LED2

R4 1k J2 R3 Tecla = A 1k Q2 V2 12 V
J2 R3 Tecla = A 1k

R4 1k V2 12 V

Q2

2N2222

2N2222

Figura 4

{{{

Corriente cuando est cerrado

Circuito
Figura 4 con j2

IC

VCE

IB

VBE

Regin de trabajo

abierto Figura 4 con j2 cerrado 3.- conteste las siguientes preguntas de acuerdo a lo observado. A. Cundo se enciende el LED? Cuando la base es alimentada de voltaje y el diodo internet del transistor de la parte de VBE est en directo el led enciende como se ve en la simulacin con el osciloscopio.

B. Cambie la seal de entrada para la Figura 4 por una seal triangular de 10Vpp a 50Hz. Qu sucede? Tiene un comportamiento similar a la seal sinodal solo que cambia el periodo el que el led esta encendido Cundo enciende el LED?. Exactamente igual que la seal seorial solo enciende cuando su periodo es positivo y el diodo del transistor es polarizado en directo. Como se muestra en la siguiente imagen.

Conclusiones:
De las simulaciones y clculos realizados. Podemos concluir lo siguiente: El funcionamiento de un transistor BJT. Ya sea npn o pnp, depende de la polarizacin que se le aplica en sus terminales, ya que una mala polarizacin podra funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique o el usuario no podra tener los resultados satisfactorios. Durante el experimento podemos comprobar la teora que fue asimilada en el saln de clases, por ejemplo. Que la corriente del colector despus de cierto voltaje se aproxima a la corriente del emisor. Tambin se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y la base se puede obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base as se puede comprobar que este tipo de dispositivos se pueden utilizar como amplificadores.