REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIN UNIVERSITARIA UNIVERSIDAD MARTIMA DEL CARIBE

TRANSISTORES

Realizado por: Nelson Curbelo

Profesor: Gregory Patio

Catia la Mar, julio de 2013

ndice de contenido
Introduccin ..................................................................................................................1 Transistor.......................................................................................................................2 Transistor bipolar......................................................................................................3 Polarizacin del transistor........................................................................................4 Experiencia en el laboratorio.........................................................................................5 Conclusiones..................................................................................................................8

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INTRODUCCIN El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trminotransistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.

TRANSISTOR El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inici una autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial. Con el transistor vino la miniatura de los componentes y se lleg al descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales. Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y antiguas vlvulas de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de calor de los equipos.

Transistor bipolar

Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre s. Segn como se coloquen los cristales hay dos tipos bsicos de transistores bipolares. Transistor NPN: en este caso un cristal P est situado entre dos cristales Transistor PNP: en este caso un cristal N est situado entre dos cristales P N. Son los ms comunes.

La capa de en medio es mucho ms estrecha que las En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metlico, lo que da origen a tres terminales: Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga. Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.

Base (B): Controla el paso de corriente a travs del transistor. Es el cristal de en medio. El conjunto se protege con una funda de plstico o metal.

Polarizacin del transistor Se entiende por polarizacin del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente. Si se conectan dos bateras al transistor como se ve en la figura, es decir, con la unin PN de la base-emisor polarizada directamente y la unin PN de la base-colector polarizado inversamente. Siempre que la tensin de la base-emisor supere 0,7 V, diremos que el transistor est polarizado, es decir, que funciona correctamente

EXPERIENCIA EN EL LABORATORIO Se realiza el siguiente circuito:

Esta experiencia se llama colector comun. El transistor est en funcionamiento significa que es capaz de conducir la corriente desde el terminal colector hasta el terminal emisor. Se cumplen dos expresiones para este caso: I E=I B+I c IE es la corriente que recorre el terminal emisor. I C es la corriente que recorre el terminal colector. IB es la corriente que recorre el terminal base. Como la corriente de base resulta siempre muy pequea, se puede decir que la corriente del colector y la del emisor prcticamente coinciden. En pocas palabras coinciden con la relacin:
I CI B

Al pasar la corriente por el transistor se genera un elemento amplificador que llamaremos A

I C =AI B

Donde A es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia que puede valer entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000). La ganancia de un transistor nos habla de la capacidad que tiene para amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, ms puede amplificar la corriente. Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es proporcional a la corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor corriente en el colector.
Segn estas dos expresiones el transistor bipolar puede pasar por 3 situaciones diferentes de funcionamiento: Corte En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir, I B por lo tanto IC= AIB= p0 = 0 si y solo si I C= 0 En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No est funcionando. Se dice que el transistor se comporta como un interruptor abierto.

Activa En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresin IC= AIB. La corriente del colector es directamente proporcional a la corriente de la base. Ejemplo: Si A = 100, la corriente del colector es 100 veces la corriente de la base. Por eso se dice que el transistor amplifica la corriente.

Saturacin En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta como un interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por la base IB alcanza un valor alto. En este caso la expresin I C= AIB ya no tiene sentido pues, por mucho que aumente el valor de la corriente de base IB, no aumenta el valor de la corriente de colector. Si se organiza estos datos en una tabla se puede observar mejor estos 3 estados en relacion al Vx que es el voltaje que aporta la pila al circuito

Corte VCE IC IB siempre que IB<IC No conduce Interruptor abierto VCE=Vx Ic IB 0

Activa 0VCEVx Ic AI B IB Ic IB>0

Saturacion VCE0 IB Ic IB es el valor mximo de la intensidad en la Base Conduce totalmente Interruptor cerrado

Conduce parcialmente

Donde VCE es la tensin que existe entre el colector y el emisor. Si la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso, la base del transistor debe protegerse siempre con una resistencia de una valor alto.

CONCLUSIONES Aparte de ello nosotros utilizamos una reticencia de 10 K, aplicndole la ley de Ohm, se entiende que I= V R a medida que la resistencia va aumentando el valor

de la intensidad va disminuyendo por tanto a medida que aumenta la corriente en la base aumenta la corriente en el colector hasta alcanzar el valor de 0 o corriente minima en la base que para nuestra experiencia es cuando el valore resistivo alcanza los 200 K en la base si disminuimos la corriente por debajo de 1K se nos daa la base del transistor porque aumentara la intensidad de tal forma que el pasara la permisividad de la base del transistor el valor de saturacion lo encontramos cuando el valor de la intensidad que entra a la base aumenta sin pasar el limite permisible de la base y eso ocurre cuando la resistencia es de 8 K. Por tanto aplicaramos lo que organizamos en el cuadro anterior.