JFET

Esquema interno del transistor JFET canal P. El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto decampo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin. Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp. As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada. En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin. Ecuaciones del transistor J-FET[editar editar cdigo]

Grfica de entrada y de salida de un transistor JFET canal n. Las correspondientes al canal p son el reflejo horizontal de stas. Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas que permiten analizar matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento. Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:

Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la expresin:

Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturacin, mientras que los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica. Para |VGS| > |Vp| (zona de corte): Ecuacin de salida[editar editar cdigo] En la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente segn lo hace la tensin de salida VDS. Esta curva viene dada por la expresin: que suele expresarse como ,

siendo:

Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le denomina zona hmica. A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedndose fija en un valor al que se denomina ID de saturacin o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresin: caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresin: . Esta IDSAT,

Transistor JFET

Encapsulado de un JFET de baja potencia, similar a un BJT El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de efecto de campo) es un dispositivo electrnico activo unipolar. Contenido

[ocultar]

1 Introduccin
o o o

1.1 Historia 1.2 Funcionamiento bsico 1.3 Polarizacin y curvas caractersticas

2 Notacin 3 Ecuaciones y modelos fundamentales

o o o o

3.1 Transistor Canal N 3.2 Transistor Canal P 3.3 Modelo del transistor JFET a pequea seal 3.4 Modelo en SPICE

4 Aplicaciones
o o

4.1 Osciladores 4.2 Amplificadores

5 Referencias y enlaces

Introduccin[editar] Historia[editar] Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's. Funcionamiento bsico[editar]

Esquema interno del JFET El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente. Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms difucultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente Polarizacin y curvas caractersticas[editar] .

Polarizacin de un transistor JFET

Curvas caractersticas de un JFET canal n Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET. El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta a fuente modifican la regin de rarefaccin (deplexin) y causan que vare el ancho del canal. Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas caractersticas del transistor JFET. Las curvas caractersticas tpicas para estos transistores se encuentran en la imagen, ntese que se distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de corte y la zona de saturacin. Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de simulacin (como SPICE) permiten hacen barridos de CD bsicos para obtener las curvas, en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes. El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin embargo no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuracin para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc. Notacin[editar] Smbolo Unidades Descripcin A A A A V Corriente de compuerta Corriente de fuente Corriente de drenaje Corriente de drenaje en saturacin Voltaje drenaje-fuente en CD

V V V V V V A/V

Voltaje compuerta-fuente en CD Voltaje drenaje-fuente en el punto de operacin en CD Voltaje compuerta-fuente en el punto de operacin en CD Voltaje compuerta-fuente en CA Voltaje de ruptura (Pinch voltage) Voltaje de Early Transconductancia para el modelo de pequea seal Resistencia de salida para el modelo de pequea seal Modulacin de la longitud del canal

Como notacin estndar, las variables que se escriben en maysculas y con subndices en maysculas hacen referencia a valores determinados (o analizados) en corriente directa, aquellas se escriben en minsculas e igualmente sus subndices son valores determinados en corriente alterna; finalmente aquellas que se escriben en minsculas con subndices en maysculas es la suma de la variable en corriente directa ms la variable en corriente alterna. De manera general en todo circuito con comportamiento lineal es posible aplicar el principio de superposicin, en el caso de amplificadores a transistores, se hace uso frecuentemente de este principio, analizando primeramente en corriente directa (polarizacin del transistor) y posteriormente el anlisis en corriente alterna. Ecuaciones y modelos fundamentales[editar] Estos transistores poseen dos regiones de polarizacin fundamentales: la regin lineal (o de triodo) y la regin de saturacin (o de estrangulamiento). Transistor Canal N[editar]

Todas las regiones

Adems se cumple: Regin de corte

Regin de triodo

Entonces se puede despreciar dicho trmino en la ecuacin quedando:

Regin de estrangulamiento

Generalmente el valor de

se puede despreciar, quedando as la ecuacin:

Transistor Canal P[editar]

Todas las regiones

Adems se cumple: Regin de corte

Regin de triodo

Entonces se puede despreciar dicho trmino en la ecuacin quedando:

Regin de estrangulamiento

Generalmente el valor de

se puede despreciar, quedando as la ecuacin:

Modelo del transistor JFET a pequea seal[editar]

En la imagen se muestra el modelo del transistor JFET trabajando a pequea seal con corriente alterna.

Se observa que ste funciona como una fuente dependiente de corriente controlada por el voltaje compuerta-fuente. La impedancia de entrada de este dispositivo es lo suficientemente alta como para no incluirla en el modelo, a diferencia de lo que ocurre con el transistor BJT. Para que el modelo de pequea seal tenga validez, debe cumplirse la siguiente condicin:

Esta condicin, en general es utilizada para el diseo y anlisis de amplificadores, sobre todo para conocer el rango de valores en amplitud que puede soportar el amplificador en la entrada sin que haya distorsin en la seal de salida. Modelo en SPICE[editar] Archivo:JFET modelo spice.GIF Modelo manejado por el programa SPICE En la imagen se observa el modelo que maneja el programa SPICE al momento de realizar simulaciones. Ntese que, a diferencia del modelo de pequea seal, aqu se incluyen otros componentes que permiten determinar el comportamiento del JFET en un rango de frecuencias ms amplio, as como amplitudes de seal no necesariamente pequeas. Es de notarse que se agregan diodos al modelo. En el presente artculo no se pretende hacer un anlisis profundo sobre dicho modelo, simplemente se menciona como referencia para estudios posteriores por parte del interesado. Para una mejor comprensin de los parmetros que se utilizan vase Modelo del JFET en SPICE. Es importante recordar que los modelos slo simplifican el anlisis realizado por el programa correspondiente durante la simulacin de un circuito. Para el caso de los transistores JFET los modelos usados dan excelentes resultados, sin embargo existen otros dispositivos en los que no es posible obtener simulaciones precisas, principalmente por el tipo de curvas caractersticas que stos exhiben (si sus curvas presentan discontinuidades pronunciadas, sensibilidad al ruido, sensibilidad a los cambios de temperatura, etc.). Se considera trascendente indicar que, segn el fabricante del software a utilizar para la simulacin, est el modelo de los diversos dispositivos, particularmente del transistor JFET. Si se requiere de un anlisis ms minucioso es recomendable consultar el modelo previo a la simulacin. Aplicaciones[editar] Como se mencion con anterioridad, las aplicaciones con este tipo de transistores es muy variada, aqu se mostrarn slo dos aplicaciones bsicas, a saber, la construccin de osciladores para generacin de formas de onda cuadradas a determinadas frecuencias, y el anlisis y diseo de las configuraciones fundamentales de amplificadores con JFET's. Osciladores