Dispositivos Tarea2

UNIVERSIDAD LA SALLE NOROESTE. A.C.
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA MECATRNICA
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS TAREA 2 INVESTIGACIN
LUIS ALBERTO POMPA
JESS ENRIQUE OSUNA VALENZUELA 119064
03 DE SEPTIEMBRE DEL 2013

SEAL ANALOGICA: Una seal analgica es un tipo de seal generada por algn tipo de fenmeno
http://electronicavm.files.wordpress.com/2010/10/simbolos-electricos.jpg
electromagntico y que es representable por una funcin matemtica contina en la que es variable su amplitud y periodo (representando un dato de informacin) en funcin del tiempo. Algunas magnitudes fsicas comnmente portadoras de una seal de este tipo son elctricas como la intensidad, la tensin y la potencia.
SEAL DIGITAL:
Las seales digitales, en contraste con las seales analgicas, no varan en forma continua, sino que cambian en pasos o en incrementos discretos. La mayora de las seales digitales utilizan cdigos binarios o de dos estados
COMPONENTES PASIVOS
Elementos pasivos son aquellos componentes de los circuitos, que disipan o almacenan energa elctrica o magntica y constituyen por ello los receptores o cargas de un circuito. Estos elementos son modelos matemticos lineales e ideales de los elementos fsicos del circuito que, individualmente, pueden presentar las siguientes propiedades: Disipacin de energa elctrica (R: resistencia); Almacenamiento de energa en campos magnticos (L: coef. de autoinduccin); Almacenamiento de energa en campos elctricos (C: capacidad).
Resistencia El resistor es el ms comn y mejor conocido de los componentes pasivos. La funcin de un resistor es bsicamente resistir o limitar el flujo de corriente elctrica en un circuito. Los resistores tambin se utilizan para atenuar seales, dividir voltajes y actuar como fusibles. La ley de Ohm es una ecuacin simple que muestra la relacin entre resistencia, voltaje y corriente a travs de un alambre de metal o de cualquier tipo de material resistivo. La ley de Ohm se escribe como:
donde la I es la corriente (amperes), V es el voltaje (volts) y R es la resistencia (Ohms). La ley de Ohm permite obtener tambin la relacin entre resistencia, voltaje y potencia del resistor utilizando la siguiente ecuacin:
donde P es la potencia en watts.
GRFICA CORRIENTE-VOLTAJE
Tipos de Resistores En general, los resistores se pueden clasificar en tres diferentes categoras o clases:
Resistores Fijos: Un resistor fijo es aquel en que el valor de su resistencia no puede cambiar.
Resistores Variables: Un resistor variable es un resistor cuyo valor se puede ajustar al girar una perilla o deslizar un control. Son conocidos tambin como potencimetros o restatos.
Resistores No Lineales: Un resistor no lineal es un resistor que tiene una resistencia que vara de manera significativa con el voltaje aplicado, temperatura o luz. Algunos ejemplos de resistores no lineales son los termistores y los fotoresistores. Condensadores
Bsicamente un condensador es un dispositivo capaz de almacenar energa en forma de campo elctrico. Est formado por dos armaduras metlicas paralelas (generalmente de aluminio) separadas por un material dielctrico. Tiene una serie de caractersticas tales como capacidad, tensin de trabajo, tolerancia y polaridad, que deberemos aprender a distinguir. En la versin ms sencilla del condensador, no se pone nada entre las armaduras y se las deja con una cierta separacin, en cuyo caso se dice que el dielctrico es el aire.
GRAFICA CORRIENTE-VOLTAJE DE LA CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR
Tipos de Condensadores
Vamos a mostrar a continuacin una serie de condensadores de los ms tpicos que se pueden encontrar.
1. Electrolticos. Tienen el dielctrico formado por papel impregnado en electrolito. Siempre tienen polaridad, y una capacidad superior a 1 F. Arriba observamos claramente que el condensador n 1 es de 2200 F, con una tensin mxima de trabajo de 25v. (Inscripcin: 2200 / 25 V).
2. Electrolticos de tntalo o de gota. Emplean como dielctrico una finsima pelcula de xido de tantalio amorfo, que con un menor espesor tiene un poder aislante mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad superior a 1 F. Su forma de gota les da muchas veces ese nombre. 3. De polister metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 F y tensiones de trabajo a partir de 63v. Ms abajo vemos su estructura: dos lminas de policarbonato recubierto por un depsito metlico que se bobinan juntas 4. De polister. Son similares a los anteriores, aunque con un proceso de fabricacin algo diferente. En ocasiones este tipo de condensadores se presentan en forma plana y llevan sus datos impresos en forma de bandas de color, recibiendo comnmente el nombre de condensadores "de bandera". Su capacidad suele ser como mximo de 470 nF. 5. De polister tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma normal, sin aplastar. 6. Cermico "de lenteja" o "de disco". Son los cermicos ms corrientes. Sus valores de capacidad estn comprendidos entre 0.5 pF y 47 nF. En ocasiones llevan sus datos impresos en forma de bandas de color. 7. Cermico "de tubo". Sus valores de capacidad son del orden de los picofaradios y generalmente ya no se usan, debido a la gran deriva trmica que tienen (variacin de la capacidad con las variaciones de temperatura).
INDUCTORES Los inductores o bobinas son elementos lineales y pasivos que pueden almacenar y liberar energa basndose en fenmenos relacionados con campos magnticos. Una
aplicacin de los inductores, consistente en bloquear ("choke" en ingls) las seales de AC de alta frecuencia en circuitos de radio, dio origen a que con dicho trmino (choque) se haga referencia a los inductores que se emplean en aplicaciones donde su valor no es crtico y que por lo tanto admiten grandes tolerancias. Bsicamente, todo inductor consiste en un arrollamiento de hilo conductor. La inductancia resultante es directamente proporcional al nmero y dimetro de las espiras y a la permeabilidad del interior del arrollamiento, y es inversamente proporcional a la longitud de la bobina. Smbolos
CLASIFICACIN 2.1 Segn el ncleo o soporte: Ncleo de aire: el devanado se realiza sobre un soporte de material no magntico (fibra, plstico). En los casos donde no se utiliza soporte, la bobina queda conformada slo debido a la rigidez mecnica del conductor. Ncleo de hierro: como tiene mayor permeabilidad que el aire (10 a 100), aumenta el valor de la inductancia. Sin embargo, slo se emplea en bajas frecuencias porque a altas frecuencias las prdidas son elevadas. Aplicaciones: fuentes de alimentacin y amplificadores de audio. Ncleo de ferrita: las ferritas son xidos de metales magnticos, de alta permeabilidad (10 a 10000) que adems son dielctricos. Existe una gran variedad en el mercado en funcin de la frecuencia de trabajo.
Nota: radiofrecuencia (100kHz a 100GHz) <> audiofrecuencia (20Hz a 20kHz). 2.2 Segn la forma constructiva: Solenoides: Toroides:
2.3 Segn la frecuencia de la corriente aplicada: Alta frecuencia: de reducido tamao y nmero de espiras Baja frecuencia: de mayor tamao y nmero de espiras
2.4 Segn el recubrimiento: -, plstico, resina, metal (apantalladas). 2.5 Segn la caracterstica de su valor: fijos y ajustables.
COMPONENTES ACTIVOS Los componentes activos son aquellos que son capaces de controlar los circuitos o de realizar ganancias . Fundamentalmente son los generadores elctricos y ciertos componentes semiconductores. Estos ltimos, en general, tienen un comportamiento no lineal, esto es, la relacin entre la tensin aplicada y la corriente demandada no es lineal.
Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia).Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc 3. Transistor de unin bipolar (BJT) El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico dela unin.
4. Transistor de efecto de campo. (JFET)
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenado. Aplicando tensin positiva entre el drenado y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenado con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal- xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido. Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible. 5. Regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn); Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).Transistores y electrnica de potencia Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores),aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL
Los diodos detectores tambin denominados diodos de seal o de contacto puntual, estn hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin se denomina deteccin.
DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal. Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema americano, la referencia consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie, por ejemplo: 1N4004. La N significa que se trata de un semiconductor, el 1 indica el nmero de uniones PN y el 4004 las caractersticas o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la B indica el material (silicio) y la Y el tipo (rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias referencias, por ejemplo: ECG581
DIODO ZNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia mxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ) DIODO VARACTOR El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como condensadores variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los hace muy tiles como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.
DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs) Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.
Los LEDs se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la cada de voltaje directa (VF), el mximo voltaje inverso (VR), la mxima corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs con valores de IF desde menos de 20 mA hasta ms de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta ms de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y mximo para LEDs azules. Los LEDs deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente a travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima. Tambin deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a 5V causa generalmente su destruccin inmediata del LED.
DIODO LSER Los diodos lser, tambin conocidos como lseres de inyeccin o ILDs. Son LEDs que emiten una luz monocromtica, generalmente roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos compactos (CDs) que contienen datos, msica, pelculas, etc., as como en sistemas de comunicaciones
para enviar informacin a travs de cables de fibra ptica. Tambin se emplean en marcadores luminosos, lectores de cdigos de barras y otras muchas aplicaciones.
DIODO ESTABILIZADOR
Est formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una cada de tensin correspondiente a su tensin umbral. Trabajan en polarizacin directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los diodos Zner.
DIODO TNEL
Los diodos tnel, tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una regin de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta ltima propiedad los hace muy tiles como detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta frecuencia.
DIODO PIN
Su nombre deriva de su formacin P(material P), I(zona intrnseca)y N(material N) Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. Tambin se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes est limitada por su tiempo de trnsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unin PN. Los ms conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.
DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarizacin inversa una zona de resistencia negativa similar a las de los diodos tnel.
DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de portadores calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una cada de voltaje directa muy pequea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rpidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.
Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de conduccin prcticamente igual a cero, pero tambin un voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual lo limita su uso a aplicaciones muy especiales. FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.
BATERIAS
Las bateras de nquel cadmio (que suelen abreviarse "NiCd") son bateras recargables de uso domstico e industrial (profesionales). Cada vez se usan menos (a favor de la NiMH), debido a su efecto memoria y al
cadmio (que es muy contaminante). Sin embargo, poseen algunas ventajas sobre el NiMH, como por ejemplo los ciclos (1 ciclo = 1 carga y descarga) de carga, que oscilan entre los 1.000 y 1.500 ciclos (+ vida). En condiciones estndar dan un potencial de 1,3 V.(Tensin de trabajo nominal 1,2). Una batera de nquel-hidruro metlico (Ni-MH) es un tipo de batera recargable que utiliza un nodo de oxidrxido de nquel (NiOOH), como la batera de nquel cadmio, pero su ctodo es de una aleacin de hidruro metlico. Esto permite eliminar el cadmio, que es muy caro y, adems, representa un peligro para el medio ambiente. Asimismo, posee una mayor capacidad de carga (entre dos y tres veces ms que la de una pila de NiCd del mismo tamao y peso) y un menor efecto memoria. Por el contrario, presentan una mayor tasa de autodescarga que las de NiCd (un 30% mensual frente a un 20%), lo cual relega a estas ltimas a usos caracterizados por largos periodos entre consumos (como los mandos a distancia, las luces de emergencia, etc), mientras que son desplazadas por las de NiMH en el de consumo continuo.
Puerta Lgica
Una puerta lgica, o compuerta lgica, es un dispositivo electrnico con una funcin booleana. Suman, multiplican, niegan o afirman, incluyen o excluyen segn sus propiedades lgicas. Se pueden aplicar a tecnologa electrnica, elctrica, mecnica, hidrulica y neumtica. Son circuitos de conmutacin integrados en un chip.
Puerta S o Buffer
La puerta lgica S, realiza la funcin booleana igualdad. En la prctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensin, para adaptar impedancias (buffer en ingls).
Smbolo de la funcin lgica S: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado
Puerta AND
Smbolo de la funcin lgica Y: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica Y, ms conocida por su nombre en ingls AND ( ), realiza la funcin booleana de producto lgico. Su smbolo es un punto (), aunque se suele omitir. As, el producto lgico de las variables A y B se indica como AB, y se lee A y B o simplemente A por B.
Puerta OR
Smbolo de la funcin lgica O: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado
La puerta lgica O, ms conocida por su nombre en ingls OR ( operacin de suma lgica.
), realiza la
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta OR es:
BIBLIOGRAFIA http://www.slideshare.net/Naren05/transistor-y-tipos-de-transistores-13676180 https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos http://www.dte.upm.es/material/Generalidades_componentes.pdf http://es.wikipedia.org/wiki/Puerta_l%C3%B3gica http://circuitos-de-electronica.blogspot.mx/2007/10/elementos-pasivos.html http://hagamoselectronica.blogspot.mx/2010/05/tipos-de-resistores.html http://www.ing.unp.edu.ar/electronica/asignaturas/ee016/tutoriales/inductores/inductores.htm

Dispositivos Tarea2

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Dispositivos Tarea2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

UNIVERSIDAD LA SALLE NOROESTE. A.C.

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA MECATRNICA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS TAREA 2 INVESTIGACIN

LUIS ALBERTO POMPA

JESS ENRIQUE OSUNA VALENZUELA 119064

03 DE SEPTIEMBRE DEL 2013

donde P es la potencia en watts.

GRAFICA CORRIENTE-VOLTAJE DE LA CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR

4. Transistor de efecto de campo. (JFET)

DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL

Smbolo de la funcin lgica S: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado

Smbolo de la funcin lgica O: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado

La puerta lgica O, ms conocida por su nombre en ingls OR ( operacin de suma lgica.

La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta OR es:

You might also like