Alumno: Vzquez Barragn Nicols Enrique Cuestionario A

Grupo: 5MM3

1.- Explique mediante el tomo de Bohr que es un material conductor Los cuerpos conductores son aquellos cuyos tomos permiten fcilmente el paso de electrones a travs de ellos, o sea que permiten el paso de la corriente elctrica, esto se debe a que los buenos conductores poseen un electrn en su ltimo nivel de energa el cual pueden ceder sencillamente a causa de la poca atraccin que ejerce el ncleo sobre l. 2.- Explique mediante el tomo de Bohr que es un material aislante Son aquellos materiales que difcilmente pueden donar un electrn de su ltimo nivel de energa, es decir que no permiten el paso de la corriente elctrica. 3.- Defina con sus propias palabras lo que es un material semiconductor Son elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, lo que los puede convertir en uno u otro segn sea el caso en el que se requiere. 4.- Qu es una resistencia hmica? Se denomina resistencia hmica a aquellas resistencias que, a cualquier temperatura dentro de su rango de operacin, mantienen una resistencia constante. 5.- Cuales son los elementos qumicos que se utilizan en los semiconductores? Boro, aluminio, silicio, fosforo, azufre, galio, germanio, arsnico, selenio, cadmio, indio, antimonio y telurio. 6.- Qu diferencia existe entre una estructura de tomo de cobre con una estructura de silicio? La valencia del cobre tiene uno y el silicio tiene cuatro, lo que hace al silicio semiconductor y al cobre un conductor. 7.- Defina con sus propias palabras un material intrnseco, un coeficiente de temperatura negativo, una unin covalente. Material intrnseco. Se le llama as al cristal del semiconductor que es qumicamente puro, y que adems no presenta defectos en su red cristalina.

Coeficiente de temperatura negativo. Es cuando el valor de una resistencia vara dependiendo de la temperatura, la resistencia baja cuando la temperatura aumenta. Unin covalente. Es la unin que como resultado de la comparticin de uno o ms pares de electrones se establece entre dos tomos para alcanzar el octeto estable. 8.- Qu es un material extrnseco tipo P y tipo N? Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Dopado: Es el hecho de aadir impurezas controladas (donadoras o aceptoras) a un semiconductor puro. Mediante el dopado se consigue que aumente la concentracin de electrones libres o de huecos en el semiconductor. 9.- Qu diferencia existe entre un material semiconductor tipo P y tipo N? Estos se caracterizan por tener 4 electrones en su banda de valencia. Cuando estos materiales se "dopan" o se les aade otro elemento, se rompen los enlaces y se puede tener un exceso de electrones (material tipo N) o un exceso de huecos dnde se depositen estos electrones (material tipo P). 10.- Enumere las diferencias entre las impurezas donadoras y aceptoras. Las impurezas donadoras son aquellas que tienen en su rbita externa 5 electrones: fosforo, antimonio, arsnico y bismuto. Tambin se les llama impurezas pentavalentes. Las impurezas aceptoras son aquellas que poseen tres electrones en su orbita externa: boro, aluminio, galio e indio. Tambin se les llama impurezas trivalentes. 11.- Explique las diferencias entre los portadores mayoritarios y los minoritarios Se denominan portadores mayoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que se encuentran en exceso en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P.

Se denominan portadores minoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que se encuentran en menor proporcin en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P. 12.- Dibuje la estructura atmica del silicio con un tomo de arsnico y explquese como funciona esta red. Esta red funciona como un semiconductor ya que se le agregaron impurezas.

Electrn libre

As

O O O O

X X X X

Si
Electrones

Cuestionario B 1.- Dentro de los grupos de la tabla peridica de qumica cada elemento tiene un coeficiente de resistencia, compare cada valor de un conductor, aislante, semiconductor.

2.- Si se rompe un enlace covalente en una red cristalina de un semiconductor. Cuntos portadores de corriente se producen? Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares electrn librehueco. 3.- Con el mnimo de palabras explique que es un termistor. Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variacin de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura.

4.- Cul es el efecto que produce al incrementar la temperatura en un material semiconductor intrnseco? En un semiconductor al suceder esto, aumenta la conductividad debido a que se liberan mas pares electro-hueco, aumentando la concentracin intrnseca de portadores. 5.- Explique como un material intrnseco puede tener ambos tipos de portadores de corriente, los mayoritarios y los minoritarios. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares electrones - huecos (e-h), y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante.

6.- Defina que es un diodo rectificador de corriente en estado slido. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. 7.- Qu efecto produce la unin de dos cristales semiconductores NP? Es la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores, generalmente es la unin de silicio y germanio.

8.- Que efecto se produce cuando un electrn cuza la unin de los cristales. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexin". 9.- Dibuje mediante dos bloques que representa a un diodo la simulacin de flujo elctrico.

10.- Que efecto se produce cuando a los cristales PN se les aplica una fuente de energa externa. Cuando se aplica una tensin externa entre los extremos de la unin NP de forma que el potencial positivo coincida con la zona P y el negativo con la N, la polarizacin recibe el nombre de directa y la unin se comporta favoreciendo el paso de la corriente elctrica.

11.- Explique mediante un dibujo el flujo de corriente de los cristales PN, cuando tienen una polarizacin directa y tambin cuando esta inversa.

12.- Que sucede polariza el diodo?

con las barreras de potencial del diodo cuando se

Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial de una unin NP se va reduciendo, incrementando ligeramente la corriente elctrica.

13.- Explique que es la resistencia de los diodos en Corriente directa (dc) y corriente alterna(ac). Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero en directa y luego en inversa. Se toman los valores con un Ampermetro y un Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el comportamiento de la resistencia.

Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las tensiones son negativas. 14.- Los diodos semiconductores se pueden representar con tres circuitos equivalentes, explique cada uno de ellos con sus respectivos dibujos.

15.- Explique cmo podra hacer la prueba de conduccin de un diodo. Prueba de Diodos Zener: Se conecta el Zener a probar junto con el voltmetro, se aplica el voltaje, presionando ambos pulsadores, y se observa la indicacin del instrumento. Si el Diodo Zener est en buen estado, en sentido "directo" la lectura ser la misma de un diodo normal en sentido de conduccin (aprox. 0.6 a 0.7V). En sentido inverso, la lectura ser la correspondiente a la tensin de "Zener" del diodo en prueba. (Pueden presentarse pequeas diferencias. La tolerancia en la mayora de los diodos zener, suele ser del 5%)

Prueba de diodos rectificadores: Se conecta el diodo a probar junto con el voltmetro, se aplica el voltaje, presionando ambos pulsadores, y se observa la indicacin del instrumento. Si el Diodo est en buen estado, en sentido "directo" o de conduccin (nodo al terminal + y ctodo al terminal -) la lectura ser aproximadamente 0.5 a 0.7V, que corresponde a la cada de voltaje en la juntura del diodo y depende del tipo y caractersticas del diodo. En sentido inverso o de no conduccin, la lectura ser la correspondiente a la tensin del propio dispositivo (entre 300 a 500V dependiendo del instrumento usado). Si conectado el diodo de esta forma, el voltaje no alcanza el mismo nivel de la fuente sin el diodo, es indicio de que el mismo presenta fugas.

16.- Dibuje la curva caracterstica de un diodo semiconductor y explique dentro de los cuatro cuadrantes la funcin de cada uno de ellos.

Cuestionario C 1.- Qu es la recta de carga en los diodos? 2.- Qu es la recta de carga? La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles para los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms detallada acerca de ellas.

3.- Cul es la ley que se utiliza para determinar la ecuacin de los diodos? El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente). q es la carga del electrn. T es la temperatura absoluta de la unin. k es la constante de Boltzmann. 1) n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

2) El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C). 4. Cul es la ecuacin que rige a la salida de un diodo de silicio?

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y V D la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente ) q es la carga del electrn T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C). 5- Analizar los problemas resueltos del captulo 2 del boylestad . 6.- Cuales son las aproximaciones del diodo( ver hoja 59 del Boylestad.)