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L'ELECTROLUMINESCENCE SES APPLICATIONS EN ELECTRONIQUE*

par 0. DEUTSCHBE IN et
Inge nieur

C. PAUTRAT

Ingenieur des Telecommunications an Departement P. C. M.

I. GENERALITES.

L'effet d'electroluminescence &convert par G. Destriau en 1936 ( 1 ), consiste en une emission de lumiere de certaines substances luminescentes (par exemple ZnS active au Cu ou au Mn) sous l'action d'un champ electrique. En particulier, l'effet Destriau designe une emission lumineuse de substances luminescentes enrobees dans une matiere isolante provoquee par un champ electrique alternatif. Sans entrer dans les details, le mecanisme de ce phenomene comprend 3 parties. 1 0 Production de porteurs libres par liberation d'electrons pieges dans des niveaux donneurs relativement profonds (dE ,---, 0,5 eV), sous l'influence du champ electrique. 2 Acceleration de ces porteurs par des champs electriques &eves, en particulier dans les charges d'espace d'une couche d'arret. 3? Excitation de la luminescence par chocs des porteurs libres sur des centres de luminescence. La luminance est environ proportionnelle a la puissance 2 du champ electrique, et lineairement proportionnelle a la frequence, au moms dans les domaines utilises pratiquement. En realite, ces relations sont de nature plus compliquee et la formule de G. Alfrey et J. Taylor : L = A. e-Blvi'a e$t valable dans une gamme plus large de tensions. L etant l'intensite lumineuse, V la tension appliquee, A et B des parametres fonction de la frequence.
Premier manuscrit rein is le 20 juillet 1962. (1) G. DESTPIAU, Journ. Chim. Phys., vol. 88, 1936, 620.

Les cellules electroluminescentes (E. L.) sont des condensateurs dont le dielectrique est constitue par la substance electroluminescente enrobee dans une matiere isolante d'une epaisseur de l'ordre de 5011 et dont au moms une electrode est conduttrice et transparente a la lumiere. -

d
C

.c---- a

a: Support mitallique b D electriqu e el ectrolurninescent C: Couche transparente conductrice d : Couche transparente de protection
FIG. 1.

Schema d'une cellule electroluminescente.

La figure 1 represente une coupe schematique d'une cellule electroluminescente. La figure 2 montre les caracteristiques de la brillance en fonction de la tension, pour differentes frequences. Ces cellules permettent done de moduler le flux lumineux par variation de la tension appliquee. La forme de ce flux depend fortement de la frequence de in tension appliquee et, de la temperature. Les figures 3a et 3b representent des exemples
33
3

LICH DES RECHERCHES

100

75

0 40 80' 120 160 200 240 2801 Volts

300

Tensions ef ficaces
Fm. 2. Caracteristiques luminance-tension.

d'enregistrements simultanes de la tension sinusoldale appliquee et du flux lumineux emis. La frequence de cette tension etait de 500 Hz, et la temperature etait de 20 0 pour la figure 3a et de 95 0 pour ld. figure 3b. On assiste a un doublement et meme un quadruplement de frequence. Le spectre du flux lumineux emis depend de la composition de la poudre et en particulier de ses activateurs ainsi que de la frequence. La figure 4 represente, a titre d'exemple le spectre d'emission d'une cellule electroluminescente a base de ZnS dope au Cu et au Cl, aliment& a 50 Hz, (courbe en trait plein) et a 20 kHz (courbe en pointille). L'examen de la figure montre que le maximum d'emission se &place vers les courtes longueurs d'onde, lorsque la frequence d'alimentation augmente. D'autre part, les cellules photoresistantes (PR.) ont des resistances electriques qui varient fortement 'avec l' eclairement, par exemple de plusieurs centaines de megohms a l'obscurite

FIG.

3a.

Fm. 3b.

Releves oscilloscopiques du flux lumineux d'une cellule electroluminescente.

34

VECHO DES RECHERCHES

quelques kilo-ohms pour un eclairement de 50 lux, dans le cas de cellules de CdS ou CdSe actives au Cu et au Cl. La conductance est environ proportionnelle au carre de reclairement a faibles inten100
Ie ss `

75

56 az

20 kHz

50

miroirs. De tels dispositifs ont ete concus et etudies en laboratoire depuis quelques annees ), mais ils n'avaient pas trouve des applications pratiques. Cependant, les progres obtenus pendant les dernieres annees dans la technologie de la fabrication des cellules E L., surtout au point de vue luminosite, de rendement lumineux et de longevite, ont conduit a la fabrication industrielle de panneaux electroluminescents dans plusieurs pays, et de dispositifs opto-electroniques aux ntats-Unis des 1960 (Sylvania et Westinghouse par exemple). Les possibilites de leur utilisation pour la commutation electronique dans les circuits logiques et pour la realisation de points de connexion clones de memoires, ont amene le Centre National d'Etudes des Telecommunications a etudier les elements opto-electroniqu es.
(
2

PC
1
!

25

EL

Lumiere
5000

4000

6-

000

7000

Flo. 4. nnergie emise (en unites relatives) en fonction de la longueur d'onde du rayonnement emis en A.

PC

sites et directement proportionnelle a hautes intensites. De ce fait, par association d'une cellule electroluminescente (EL.) a. une ou plusieurs cellules PR., on peut realiser de nombreux dispositifs electroniques de commutation appeles dispositifs opto-electroniques. Ces combinaisons permettent de transmettre des signaux d'un circuit electrique d'autres circuits completement isoles du premier et d'effectuer des couplages optiques de reaction ou de contre-reaction. De plus, ces couplages optiques peuvent etre modifies aisement, par exemple par un systeme de cartes perforees ou de
p. 1897.

PC1
des dispositifs optoelectroniques.
FIG. 5a. Circuit de principe

(2) Par exemple : E. E. LOERNER, PiRE, vol. 48, 1955, no 12,

Parmi le tres grand nombre de circuits possibles, nous allons d'abord discuter le circuit de principe represente (fig. 5a) ; la figure 5b montre les caracteristiques I(V) de cc circuit compose d'une cellule EL. branchee en serie avec une cellule PC. couplee optiquement avec la premiere. Un tel systeme est regeneratif, car la lumiere emise par la cellule EL. baisse la resistance de la cellule PC., et augmente ainsi la tension appliquee a la cellule E L. A. faibles tensions, la cellule EL. n'est pas 35

V ECHO DES RECHERCHES

lumineuse, et par consequent, la resistance de la cellule PC. est tres grande et determine la pente de la courbe OA. Au point A, pour la tension V,, la cellule devient lumineuse ce qui fait baisser la
1(mA

memoires opto-electroniques. Le basculement peut etre provoque, soft par des impulsions electriques, soit par des impulsions lumineuses qui eclairent une cellule PC., pour l'inscription et une cellule PC. E pour l'effacement (fig. 5a). La lecture de l'information inscrite peut 8tre effectuee avec ou sans effacement de l'information.
H. APPLICATIONS GENERALES.

Avec des circuits analogues, on peut realiser des systemes transmetteurs, inverseurs, des elements sou et et , des traducteurs de nombres binaires en nombres decimaux et des registres a decalage. Ainsi la figure 6 montre quelques circuits simples et fondamentaux.
VA 300

VE

Volts (err)

/E

Fm. 5b. Caracteristique". I(V).

resistance de PC., le courant augmente a tension constante, jusqu'a B. Une augmentation de la tension appliquee, au dela de V, fait croitre le courant suivant l'arc de courbe BC dont la pente est determinee par l'impeclance de la cellule EL. Si l'on fait ensuite decroitre la tension, la variation de courant decrit l'arc de courbe CBD jusqu'au point D oii la cellule s'eteint, et on le courant &croft a la valeur E, par suite de l'accroissement de la resistance de PC. Les valeurs correspondant aux differents points A, B, D, E dependent des dimensions de la cellule EL et des caracteristiques du photoconducteur. La courbe est approximativement representee par l'equation :
V [ 2 (02

EL P

a) Transmetteur

A Bc
.

b) Inverseur

c E/iment "OU

Etimen)

E T"

1
C

+(

R, 1 + R. K.1

\ 1

1 2

Fm. 6. Circuits simples optoelectroniques.

31012 G312)]

: 6.) = pulsation du courant, C = capacite de EL., .R0 = resistance d'obscurite de PC., K = facteur dependant du couplage entre EL. et PR. Dans la gamme de tensions comprises entre V, et VE, le systeme est bistable, il a une impedance negative entre les points A et D. De tels dispositifs peuvent done servir de basculeurs et de 36

La figure 6a represente un element transmetteur : la cellule EL., en serie avec une cellule photoconductrice (PC.), s'allume quand cette derniere recoit de la lumiere, mais elle s'eteint des que P. n'est plus eclairee. Donc E A, on E est la lumiere emise par EL., et Ala lumiere reeue par P. L'inverseur (fig. 6b) comprend une cellule EL. branchee en parallele avec une cellule PC., avec une resistance de protection R en serie. La cellule EL. est lumineuse tant que in cellule PC.

VENN DES RECHERCHES

n'est pas eclairee, mais elle s'eteint pendant l'illumination de PC.:


E 1 A.

est lumineuse uniquement quand PC., et PC. 2 et PC. 3 sont eclairees simultanement :
E A.B.C.

Plusieurs cellules PC. branchees en parallele entre elles et en serie avec une cellule EL. constituent un element OU (fig. 6c): EL. devient lumineuse quand PC. ou PC. 2 ou PC., sont eclairees :
E-. A-EB-1- C.

L'element Et est constitue de plusieurs cellules PC. branchees en serie entre elks et en serie avec une cellule EL. (fig. 6d). Dans cc cas, EL.

, Par combinaison de ces circuits f ondamentaux, on pelt realiser un tres grand nombre de circuits logiques. La figure 7a montre 3 cellules PC. branchees en serie entre elles et paralleles a une cellule EL. Dans cc cas, E 1 A.B.C. Pour le circuit de la figure 7b, on obtient :
E (A B) 2
.

La figure 8 montre le schema d'un traducteur de

e, s.0

A. B. C. a

A B) 2

FIG. 8. Traducteur de nombres binaires en nombres decimaux,

37

L'ECHO DES RECHERCHES

nombres binaires en nombres decimaux. Ii est constitue de 8 bandes EL. (d'entree) correspondantes aux valeurs 0 et 1 des 4 chiffres binaires, et de 10 bandes EL. (de sortie) correspondantes aux 10 chiffres decimaux. Chacune des 10 bandes est branch& en serie avec une rang& comprenant 4 cellules PC. branchees en serie. Ces 4 cellules sont placees de telle facon qu'elles sont eclairees simultanement quand la combinaison de chiffres binaires correspondant au chiffre deciA 5 B
C

mal est lumineuse. Dans ce cas, les 4 cellules PC. sont conductrices, et la bande EL. de sortie correspondante devient lumineuse. Dans la pratique, cc schema peut etre simplifie et le nombre de cellules PC. necessaires reduit A la moitie (20 au lieu de 40). Le traducteur de nombres decimaux en nombres binaires est construit d'une facon analogue. Enfin, la figure 9 represente le schema d'un registre A decalage. L'inscription se fait sur la
EL EL C EL

ENTREE,.

EL

EL <----

EL

'SORTIE PC P.0 P.0 P.0

4137C

P.0

El

'1) ETAGE 1 Fm. E TAGE 2

9.

Registre a decalage.

4lectrodeslignes

electrodescolonnes

substance electroluminescente

support

Fm. 10. Schema de matrice electroluminescente.

3$

L'tCHO DES RECHERCHES ,

cellule PC. / , a gauche du schema, et on deplace l'information vers la sortie situee A droite en appliquant successivement les tensions E l , E 2 E, qui peuvent etre commandees a leur tour par des cellules PC. Les cellules electroluminescentes realisees sous forme de matrices (fig. 10) sont susceptibles de nombreuses applications dans le domaine des memoires et de la lecture des cartes perforees. Dans ce cas, on explore sequentiellement les points de la
,

couche transparento et conductrice couche electrolundnescente . couche opaque couche photo cond.ctrice avec, sillons \ verse

faieeeeu de rayon X

emission de

FIG.

11.

Convertisseur pour rayons X.

matrice, en appliquant une tension aux differentes combinaisons de lignes et colonnes successivement. On peut encore citer comme exemple d'utilisation de felectroluminescence la realisation de convertisseurs d'image et d'amplificateur d'image. La figure 11 represente le schema d'un

convertisseur pour rayons X ( 3), qui donne des images tres contrastees, d'une brillante excellente (environ quelques candela/m 2 (*). Les rayons X rendent conductrice la couche photosensible aux endroits o ils la frappent, ce qui, localement augmente le potentiel appliqu A la couche electroluminescente, et la rend ainsi lumineuse a ces endroits. Dans le cas des amplificateurs de lumiere, oil la couche photoconductrice est frappee par de la lumiere visible, le flux lumineux emis par ecran peut etre 50 fois plus intense que le flux incident. Les dispositifs opto-electroniques peuvent executer les memes fonctions que d'autres elements (tubes A vide, tubes A gaz, transistors, par exemple), mais ils ont les avantages que leur fabrication, surtout en grande serie, et peu coilteuse, qu'ils occupent des volumes tres reduits et qu'ils consomment tres peu d'energie. En effet, les cellules EL et les cellules PC. peuvent etre realisees avec des poudres agglomerees (ZnS active au Cu ou au Mn pour les cellules EL, CdS active au Cu et Cl pour les cellules PC. par exemple), on par &pet sous vide ou pression reduite. Les epaisseurs actives sont de l'ordre de 50 chacune, et le volume total pour une surface de 1 mm 2 environ 1 mm 3 principalement occupe par le support. La consomniation d'energie est de l'ordre de 10 watt pour une surface de 1 mm 2 , et la capacite environ 2 pF. La luminance des cellules EL. commerciales est de l'ordre de 100 candela/m 2 (*), bien qu'en laboratoire, dans des conditions optimales, on puisse atteindre 10 000 candela/m 2 . Le rendement lumineux pratique est environ 10 lumens/watt (jusqu'a 15 lumens/watt en laboratoire). Quant a la longevite, elle est fonction de la tension et de la frequence. Pour des conditions norniales elle est de l'ordre de 24 000 heures done d'environ 3 annees. Le temps de reponse des cellules EL est assez court, de l'ordre de 10 [IS environ, mais Celui des cellules PC au CdS ou au CdSe est assez long, compris entre 0,1 et 0,01 s, suivant le niveau d'eclairement. Pour des dispositifs opto-electro(3) KAZAN, RCA Review, vol. 19, 1959, p. 19, (C) 1 candela/m 2 ---- 10 -1 stilb --= 1 nit,

39

L'ECHO DES RECHERCHES

niques necessitant un temps de reponse plus court, on doit utiliser d'autres elements photoelectriques (photodiodes, multiplicateurs d'electrons, etc...). Les tensions necessaires sont assez elevees, de l'ordre de 110 V A 220 V, pour les cellules fabriquees industriellement pour l'eclairage. Au laboratoire, nous avons realise des cellules fonctionnant sous 20 A 40 V, mais leur fabrication est plus delicate, en raison des epaisseurs tres minces (de l'ordre de 5 1./.) necessaires.
III. RECHERCHES DU C. N. E. T. DANS LE DOMAINE DE L'ELECTROLUMINESCENCE.

couches d'oxyde d'etain transparentes et conductrices presentant une faible absorption A la lumiere et une resistance superficielle assez faible : de l'ordre de 100 ohms par carre. 1.1.2. Realisation des couches electroluminescentes.

En janvier 1961, une etude fut ouverte au C. N. E. T. (departement P. C. M.) avec le programme suivant : Etude des applications possibles du phenomene d'electroluminescence aux telecommunications, en particulier pour la realisation : de memoires, de point de connexion pour reseau de commutation. Ce laboratoire traite aussi les problemes technologiques poses par la realisation des divers dispositifs examines, mais les recherches sur les materiaux et sur leurs preparations sont exclues de l' etude. L'activite de ce laboratoire peut se diviser en deux classes : etudes technologiques, mises au point de dispositifs opto-electroniques.
1. Problemes technologiques.
1.1. Rialisation de cellules electrolumines= centes fonctionnant a basse tension.

La couche electroluminescente, doit etre mince et d'epaisseur homogene, pour fonctionner avec securite A de faibles tensions. Nous avons obtenu de bons resultats en deposant la poudre electroluminescente par sedimentation, apres avoir effectue un tri des cristaux par une presedimentation. Le solvant servant a la mise en suspension contient un certain pourcentage de vernis se polymerisant a chaud afin de fixer les grains sur la plaque o ils se sont deposes. Pour diminuer les risques de claquage, sans augmenter trop la tension de fonctionnement on depose sur la couche electroluminescente proprement dite une couche de materiau A haute constante dielectrique : de l'oxyde de titane par exemple. La seconde electrode est, en general, une couche d'aluminium ou d'argent deposee par metallisation sous vide. 1.1.3. Resultats obtenus. Les cellules ainsi realisees fonctionnent parfaitement, jusqu'a des frequences superieures 100 kHz avec une tension de l'ordre de 20 volts. Mais leur utilisation en haute frequence pose malgre tout des problemes ; en effet lorsque la frequence augmente, la longueur d'onde moyenne de la lumiere emise par la cellule diminue et s'eloigne du domaine de sensibilite des photoresistances au CdS utilisees (fig. 4).
1.2. Cellules photoresistantes.

1.1.1. Fabrication des lames conductrices el transparentes.

L'une des deux electrodes devant etre transparente, nous la realisons par le depot sur une lame de verre d'une couche d'oxyde stanneux, cc depOt est obtenu par pulverisation sur la lame placee dans un four a 600 0 , d'une solution alcoolique de chlorure stannique. On obtient ainsi des
40

Les cellules photoresistantes utilisees actuellement sont realisees par frittage ou par evaporation sous vide de la matiere photoresistante sur un support isolant ; suivant le procede de fabrication un traitement d'activation est eventuellement effectue ; enfin des electrodes en formes de peignes sont ensuite deposees sur

VtCH0 DES RECHERCHES

in surface. Ces cellules presentent l'avantage d'avoir une tres grande resistance d'obscurite, et de presenter un rapport : resistance d'obscurite sur resistance sous illumination, tres &eve, meme pour des eclairements de l'ordre de la dizaine de lux. Mais, en contre partie, les cellules du type commercial presentent un temps de reponse eleve (compris entre 10 ms et une seconde) et d'autre part, pour une surface active de l'ordre du cm 2 et des peignes conducteurs au pas de 400 microns, leur resistance, sous un eclairement de l'ordre de 10 lux, n'est guere inferieure A 1 ka Si l'on vent pouvoir appliquer certains dispositifs optoelectroniques, A la commutation de circuits telephoniques, dont l'impedance est generalement de 600 S-2, il est indispensable d'abaisser notablement la valeur de la resistance, sous illumination, des photoresistances. On peut obtenir ce resultat, sans augmenter les dimensions des cellules, soit par une amelioration des caracteristiques du materiau photoresistant, soit en realisant des cellules d'une geometrie plus appropriee. Une premiere methode consiste a realiser sur le materiau photoresistant, de peignes les plus fins possibles. 11 semble, qu'A l'heure actuelle, des peignes au pas de 100 microns (pour une longueur de l'ordre de 7 A 8 mm) soient A la limite des possibilites, ce qui permet d'aboutir A des cellules ayant une resistance sous illumination de l'ordre de 200 ohms. Une seconde methode consisterait en la realisation de cellules photoresistantes suivant un procede voisin de celui utilise pour la fabrication de cellules electroluminescentes, le sulfure de cadmium etant deposes entre 2 electrodes, l'une au moms transparente. Cette methode, plus interessante theoriquement necessite la resolution de difficiles pro blemes technologiqu es.
2. Realisations de dispositifs opto-eleetroniques.

stable qui nous a permis d'etudier l'influence des divers parametres du systerne, 2-4. divers relais bistables a memoire.

FIG. 12a. Cellule de base d'un relais optoeleetronique.

La figure 12a represente le schema de la cellule de base d'un relais etudie. Son principe est celui d'un pont de Wheatstone. En se reportant aux figures 5a et 5b on voit que le systeme, dans une ceitaine gamme de tension, est bistable, par suite du branchement en serie de cellules electroluminescentes et de cellules photoresistantes conplees optiquement. Sa caracteristique pour une frequell& de 8 kHz est represent& figure 12b. Sur
1 1

10

1 j

0,1

Nous avons effectue, en particulier, les realisations suivantes : 2-1. des matrices semblables a celle representee figure 10, 2-2. systeme d'affichage numerique A partir d'une simple grille, 2-3. une maquette de basculeur optique hi-

0,01

1
U

t S1

,
50 TICIIIi011 en volts

k l'entrde du relaid

80 100 110 130 150

1T

FIG. 1210. Caracteristiques electriques.

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VtCH0 DES RECHERCHES

in surface. Ces cellules presentent l'avantage d'avoir une tres grande resistance d'obscurite, et de presenter un rapport : resistance d'obscurite sur resistance sous illumination, tres &eve, meme pour des eclairements de l'ordre de la dizaine de lux. Mais, en contre partie, les cellules du type commercial presentent un temps de reponse eleve (compris entre 10 ms et une seconde) et d'autre part, pour une surface active de l'ordre du cm 2 et des peignes conducteurs au pas de 400 microns, leur resistance, sous un eclairement de l'ordre de 10 lux, n'est guere inferieure A 1 ka Si l'on vent pouvoir appliquer certains dispositifs optoelectroniques, A la commutation de circuits telephoniques, dont l'impedance est generalement de 600 S-2, il est indispensable d'abaisser notablement la valeur de la resistance, sous illumination, des photoresistances. On peut obtenir ce resultat, sans augmenter les dimensions des cellules, soit par une amelioration des caracteristiques du materiau photoresistant, soit en realisant des cellules d'une geometrie plus appropriee. Une premiere methode consiste a realiser sur le materiau photoresistant, de peignes les plus fins possibles. 11 semble, qu'A l'heure actuelle, des peignes au pas de 100 microns (pour une longueur de l'ordre de 7 A 8 mm) soient A la limite des possibilites, ce qui permet d'aboutir A des cellules ayant une resistance sous illumination de l'ordre de 200 ohms. Une seconde methode consisterait en la realisation de cellules photoresistantes suivant un procede voisin de celui utilise pour la fabrication de cellules electroluminescentes, le sulfure de cadmium etant deposes entre 2 electrodes, l'une au moms transparente. Cette methode, plus interessante theoriquement necessite la resolution de difficiles pro blemes technologiqu es.
2. Realisations de dispositifs opto-eleetroniques.

stable qui nous a permis d'etudier l'influence des divers parametres du systerne, 2-4. divers relais bistables a memoire.

FIG. 12a. Cellule de base d'un relais optoeleetronique.

La figure 12a represente le schema de la cellule de base d'un relais etudie. Son principe est celui d'un pont de Wheatstone. En se reportant aux figures 5a et 5b on voit que le systeme, dans une ceitaine gamme de tension, est bistable, par suite du branchement en serie de cellules electroluminescentes et de cellules photoresistantes conplees optiquement. Sa caracteristique pour une frequell& de 8 kHz est represent& figure 12b. Sur
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Nous avons effectue, en particulier, les realisations suivantes : 2-1. des matrices semblables a celle representee figure 10, 2-2. systeme d'affichage numerique A partir d'une simple grille, 2-3. une maquette de basculeur optique hi-

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FIG. 1210. Caracteristiques electriques.

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L'tCHO DES RECHERCHES

cette figure on voit que Si on alimente les bornes d'entree de ce relais avec une tension alternative constante, dite de preexcitation , egale 110 volts, la tension A la sortie du relais pourra prendre deux valeurs environ 100 v dans l'etat passant, de l'ordre de 10 my ou moms dans l'etat bloque. Ce type de reseau permet un equilibrage pousse dans l'etat bloque au moyen de capacites variables, done une tension residuelle tres faible. Une comparaison avec la figure 5b montre que grace au montage en pout, l'affaiblissement dans

aux bornes du circuit de commande du relais, par un gen erateur U. La frequence de cette alimentation etant 8 kHz, les frequences vocales ne subissea pas de distorsion, bien que les signaux lumineux des cellules electroluminescentes soient surtout formes des harmoniques 2 et 4 (cf. fig. 3a et 3b). La figure 14a represente le schema d'un autre type de relais bistable ; il possede de bonnes caracteristiques electriques et il est d'une realisation simple. II ne necessite ni transformateur, ni equilibrage. Les bornes A 1 et A 2 sont alimentees

s,

/ - -

:mem/
S2

53

L_ - - - - - - - - - - FIG. 13.

Relais optoelectronique utilisant la cellule de base de la figure 12a.

retat bloque est nettement ameliore. (de 70 dB au moms). La figure 13 represente l'application de ce dispositif A la realisation d'un relais bistable A memoire possedant des circuits d'utilisation, electriquement separes, equivalents A deux contacts de travail et un contact de repos d'un relais electromecanique. Les variations d'affaiblissement, pour les frequences vocales, entre les entres E 1 et E 2 et les sorties S 1 et S2 sont superieures A 120 dB entre l'etat bloque et l'etat passant. Une tension alternative dite de preexcitation constante est appliquee en permanence, 42

/E
FIG.

14a. Relais optoelectronique : schema.

en permanence par une tension alternative constante de preexcitation . On peut commander le basculement du relais de plusieurs facons, en particulier de la maniere suivante : un shunt

L'ECHO DES RECHERCHES

passager sur la cellule photoresistante PR,. provogue le passage de l'etat bloque a l'etat passant ; un shunt passager sur la cellule electroluminescente EL 1 . provoque la modification inverse. Les cellules PR 3 . et PR 4 . jouent ici le meme role que des contacts de travail d'un relais electromecanique classique. Au stade actuel, les inconvenients principaux de ces relais sont leur temps de reponse et leur affaiblissement dans l'etat passant. La figure 14b represente un prototype de ce relais. Nous avons mis en evidence le bon fonctionnement de ces relais en realisant un reseau de connection entre 4 postes telephoniques, permettant deux liaisons simultanees. La realisation des cellules electroluminescentes et de ces dispositifs a ete effectuee avec la collaboration de Mme Gauthier (agent technique contractuel au departement PCM) et de M. Pomies (Inspecteur au departement PCM).

FIG. 14b. Relais optoelectronique :

realisation prototype.

43