LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

EXPERIMENTO N 4 POLARIZACION Y ESTABILIZACION OBJETIVO: -Comprobar experimentalmente el funcionamiento de la polarizacin del transistor bipolar para un punto de operacin (punto Q) determinado. -Analizar el comportamiento para las variaciones del hfe con respecto a los cambios de temperatura. -Comprobar las especificaciones tcnicas del transistor y sus pruebas de funcionamiento.
NOTA : El profesor debe realizar una breve introduccin del experimento y sus objetivos. As mismo debe permanecer durante toda la sesin del experimento, para responder y formular las preguntas necesarias.

EQUIPOS Y MATERIALES:
- Fuente de alimentacin doble - Multmetro digital - 1 Transistor NPN BC548 - 9 Resistencias (W) : 1K , 3.9K, 5.6K, 6.8K, 10K, 22K, 100K, 1M, 1.5M. - 1 Foco de 12Vdc - Tablero de conexin - Alicate

DESCRIPCION BASICA: Se entiende por polarizacin a la aplicacin de potenciales a un punto del circuito con respecto a otro de referencia, con el objeto de satisfacer condiciones adecuadas de trabajo. Se le conoce con el nombre de punto de trabajo del transistor o punto de reposo (punto Q). El transistor como todos los dispositivos activos no lineales funcionan en forma lineal cuando esta operando en su regin activa normal. Para establecer un punto de operacin en esta regin es necesario proporcionar un voltaje (V CEQ) y una corriente (ICQ) apropiados, usando fuentes externas de CC. La polarizacin es el procedimiento de diseo de un circuito para establecer y mantener un punto de operacin predeterminado. El punto de operacin debe permanecer estable dentro de ciertos lmites prescritos a pesar de las variaciones causadas por: a. Diversidad de produccin (tolerancias) en resistencias (0.01, 0.1, 1, 5, 10 y 20%); transistores (h FEmx, hFEmn) y fuentes de poder (12V 5%).
PAGINA 1

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

EXP.4

b.

Efectos de temperatura en resistencias y en los transistores dados por variaciones de VBE, hFE y ICBO. Las variaciones de temperatura hacen que el punto de operacin cambie a lo largo de la lnea de carga de CC. Por lo general en amplificaciones de seal pequea, se escoge el punto de operacin simtrica mxima en la corriente colector.

PROCESO OPERATIVO: 1. Verifique los terminales del transistor utilizado en la experiencia y comprobar su estado. 2. Arme el circuito de la Fig. 4-1.

Fig. 4-1 Observe y mida los sgtes. valores : VE= .. VC= VBE= .. VCE= . IE= IC= . Igualmente debe medir los valores exactos de las resistencias usadas en cada experiencia.

3.

Fig. 4-2 Coloque el foco (Fig. 4-2) cerca del transistor y transcurridos 30 seg. vuelva a observar y anote : VCE= .. IC= .. Toque el transistor para apreciar su temperatura. Arme el circuito de la Fig. 4-3 y repita las medidas del paso 2.

PAGINA 2

LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

Fig. 4-3 VE= .. VBE= .. IE= con el foco : VCE= .. IC= .. 4. Arme el circuito de la Fig. 4-4 y repita las medidas del paso 2. VC= VCE= . IC= .

Fig. 4-4 VE= .. VBE= .. IE= con el foco : VCE= .. IC= .. 5. Arme el circuito de la Fig. 4-5 y repita el paso 2.
PAGINA 3

VC= VCE= . IC= .

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

EXP.4

Fig. 4-5 VE= .. VBE= .. IE= con el foco : VCE= .. IC= .. 6. Arme el circuito de la Fig. 4-6 y repita el paso 2. VC= VCE= . IC= .

Fig. 4-6 VE= .. VBE= .. IE= con el foco : VCE= .. IC= ..

PAGINA 4

VC= VCE= . IC= .

LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

7.

Arme el circuito de la Fig. 4-7 y repita el paso 2.

Fig. 4-7 VE= .. VC= VBE= .. VCE= . IE= IC= . con el foco : VCE= .. IC= . 8. Para la figura 4.6 adicione un parlante de w. en serie con 0.1 uF entre el colector y tierra . Un condensador 0.1 uF y generador serie, 1Kh y 100 mVpp a la base del transistor .Verifique la amplificacin. CUESTIONARIO: 1. Haga el anlisis terico de la fig. 4-1 y compare con los valores experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q.

PAGINA 5

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

EXP.4

2.

Repita el paso 1 para la fig. 4-3.

PAGINA 6

LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

3.

Repita el paso 1 para la fig. 4-4.

PAGINA 7

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

EXP.4

4.

Repita el paso 1 para la fig. 4-5.

PAGINA 8

LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

5.

Repita el paso 1 para la fig. 4-6.

PAGINA 9

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

EXP.4

6.

Repita el paso 1 para la fig. 4-7.

PAGINA 10

LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

7.

Justifique porqu un cambio de provoca un desplazamiento del punto de trabajo.

8.

Razone porqu las condiciones de corte y saturacin determinan la recta de carga para un circuito concreto.

PAGINA 11

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

EXP.4

9.

Indique el tipo de polarizacin que ofrece la mayor y peor estabilidad del punto de reposo frente a variaciones de y temperatura.

10. Cul es la ventaja de usar una resistencia en el emisor de un circuito Emisor Comun?.

11. Es la polarizacin por realimentacin de corriente por colector tan eficaz como la polarizacin tipo H?.

PAGINA 12

LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

12. Explique en forma resumida el comportamiento del circuito de polarizacin universal ante un posible incremento de .

13. Disee el circuito de la fig. 4-6 polarizndolo correctamente, asuma: ICQ=1mA si Vcc = 12V, 50 < < 150 y ICBO = 0.

PAGINA 13

LABORATORIO DE ELECTRONICA I

EXP.4

14. Encuentre en un manual las caractersticas del transistor usado.

15. Anote algunas observaciones y conclusiones del experimento.

PAGINA 14

LABORTATORIO DE ELECTRONICA I 4

EXP.

PAGINA 15