UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

Instituto de Eletrnica de Potncia

REATOR ELETRNICO PARA DUAS LMPADAS
FLUORESCENTES DE 110W COM CONTROLE DE
LUMINOSIDADE E ALTO FATOR DE POTNCIA


Dissertao Submetida Universidade Federal de Santa Catarina
para Obteno do Grau de Mestre em Engenharia Eltrica
MESTRANDO : ANDERSON SOARES ANDR
ORIENTADOR : ARNALDO JOS PERIN







Florianpolis, outubro de 1997.


ii
REATOR ELETRNICO PARA DUAS LMPADAS FLUORESCENTES DE 110W COM
CONTROLE DE LUMINOSIDADE E ALTO FATOR DE POTNCIA

ANDERSON SOARES ANDR

E
STA
D
ISSERTAO
F
OI
J
ULGADA
A
DEQUADA
P
ARA
O
BTENO DO
T
TULO DE
M
ESTRE EM
E
NGENHARIA
, E
SPECIALIDADE
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NGENHARIA
E
LTRICA E
A
PROVADA EM SUA
F
ORMA
F
INAL
P
ELO
C
URSO DE
P
S
-G
RADUAO
.

_________________________
Prof. Arnaldo Jos Perin, Dr. Ing.
Orientador

__________________________
Prof. Adroaldo Raizer, Dr.
Coordenador do Curso de Ps-graduao
em Engenharia Eltrica

BANCA EXAMINADORA:

___________________________
Prof. Arnaldo Jos Perin, Dr. Ing.

___________________________
Prof. Enio Valmor Kassick, Dr.

___________________________
Prof. Ivo Barbi, Dr. Ing.

iii






























Deus.

iv





























meus pais, Antonio e Maria.
minha irm Andrea e
minha namorada Cintia.
v
AGRADECIMENTOS


- Ao professor Arnaldo Jos Perin pela orientao, estmulo e apoio que dele recebi durante todo
o transcorrer deste trabalho.

- Aos professores Alexandre Ferrari e Ivo Barbi por valiosas contribuies.

- Aos colegas engenheiros Eduardo Deschamps, Eduardo Romaneli, Roger Gules por sugestes e
opinies.

- UFSC, que atravs do Departamento de Engenharia Eltrica e do Instituto de Eletrnica de
Potncia possibilitaram a execuo deste trabalho.

- CAPES pelo apoio financeiro.

- Aos tcnicos Luiz M. Coelho e Antonio Luiz S. Pacheco pelo auxlio prestado.















vi
SUMRIO
SIMBOLOGIA ix

RESUMO xiii

ABSTRACT xiv

INTRODUO GERAL xv

CAPTULO I - Caractersticas da Lmpada de Descarga Fluorescente
I.1 - Introduo 1
I.2 - Detalhes Construtivos das Lmpadas Fluorescentes Tubulares 1
I.3 - Detalhes de Funcionamento 2
1.3.1 -Parmetros que Influem na Eficincia da Lmpada 3
1.3.2 - Estabilizao da Corrente 3
1.3.2.1 - Influncia da Corrente e da Forma de Onda da Corrente 4
1.3.3 - A Importncia do Gs Inerte 5
I.4 - Comportamento e Modelamento de Lmpadas Fluorescentes
em Alta Frequncia 5
I.4.1 - Modelamento da Lmpada Fluorescente Tubular 6
I.4.2 - Alterao das Caractersticas da Lmpada Fluorescente com
o Aumento da Frequncia 8
I.4.2.1 - Variao da Cor da Luz Emitida pela Lmpada com a Frequncia 8
I.4.2.2 - Variao da Tenso de Ignio com a Frequncia 8
I.4.2.3 - Variao da Vida til da Lmpada com a Frequncia 9
I.5 - Concluso 9


CAPTULO II - Estgio de Entrada com Correo de Fator de Potncia
II.1 - Introduo 10
II.2 - Fator de Potncia 10
vii
II.3 - Circuito Proposto 13
II.3.1 - Princpio de Operao 14
II.3.2 - Anlise Global 16
II.3.3 - Mxima Indutncia Boost 20
II.3.4 - Corrente de Entrada em um Intervalo de Comutao 21
II.3.5 - Corrente Mdia de Entrada para um Semi-ciclo da Rede 22
II.3.6 - Potncia de Entrada 22
II.3.7 - Corrente Eficaz na Entrada Durante um Semi-Ciclo da Rede 23
II.3.8 - Fator de Potncia 23
II.3.9 - Taxa de Distoro Harmnica 24
II.3.10 - Esforos nos Componentes 25
II.3.11 - Corrente Eficaz no Indutor de Boost 30
II.3.12 - Relao entre Corrente Mdia de Entrada e Corrente Mdia de Sada 31
II.4 - Filtro de Rede 32
II.5 - Metodologia de Projeto 34
II.6 - Projeto de um Prottipo e Simulao por Computador 35
II.6.1 - Dimensionamento Fsico dos Indutores 38
II.6.2 - Circuito de Comando 40
II.6.3 - Resultados de Simulao 47
II.7 - Resultados Experimentais 50
II.8 - Concluso 55


CAPTULO III - Estgio Inversor

III.1 - Introduo 56
III.2 - Caractersticas Ideais para um Reator Eletrnico 56
III.3 - Topologia Proposta 57
III.3.1 - Anlise Quantitativa e Qualitativa 60
III.3.2 - Descrio dos Componentes do Inversor 65
III.3.2.1 - Capacitor Ballast 65
III.3.2.2 - Capacitores de Ajuda a Comutao 66
viii
III.3.2.3 - Capacitores de Ponto Mdio 67
III.3.2.4 - Filtro de Harmnicas 67
III.3.2.5 - Transformador 72
III.3.2.6 - Dimensionamento do Indutor de Comutao Suave (ZVS) 72
III.3.2.7 - Corrente Eficaz nos Transistores 73
III.4 - Metodologia de Projeto Usando Indutor de Comutao Suave 74
III.5 - Projeto de um Prottipo Usando Indutor de Comutao Suave e
Simulao por Computador 75
III.5.1 - Dimensionamento Fsic o dos Indutores 84
III.5.2 - Resultados de Simulao 86
III.6 - Circuito de Comando 91
III.7 - Resultados Experimentais Usando Indutor de Comutao Suave 93
III. 8 - Inversor Operado no Modo ZCS 101
III.8.1 - Corrente Eficaz nos Transistores 104
III.8.2 - Clculo do Grampeador 105
III.9 - Metodologia de Projeto Usando Grampeador 107
III.10 - Projeto de Um Prottipo Usando Grampeador 107
III.11 - Resultados Experimentais Usando Grampeador 109
III.12 - Concluso 114


CAPTULO IV - Realizao de um Reator Eletrnico com Controle
de Luminosidade

IV.1 - Introduo 115
IV.2 - Caractersticas Adicionais 115
IV.2.1 - Controle Automtico de Presena 115
IV.2.2 - Controle de Luminosidade 117
IV.3 - Comparao Entre o Reator Eletrnico Desenvolvido e Um Reator
Eletromagntico com Alto Fator de Potncia 119
IV.4 - Concluso 127

ix
CONCLUSO GERAL 128

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 130
x

SIMBOLOGIA


AL - Fator de Indutncia
Ae - rea efetiva do ncleo
B - Densidade de fluxo magntico
D - Razo cclica do conversor boost
D
mx
- Mxima razo cclica do conversor boost
E - Tenso de alimentao do inversor
FP - Fator de potncia
f
p
- frequncia de transio do compensador boost
f
s
- frequncia de comutao
G - ganho do compensador boost
H
n
% - percentual de distoro das harmnicas de ordem superior na sada do filtro de harmnicas
I
ab
- Corrente entre os pontos a e b
I
carga
- Corrente de carga
I
D
- Corrente de dreno dos transistores
Id
b ef
(t)- Corrente eficaz no diodo D
b
para um perodo de comutao
Id
b eficaz
- Corrente eficaz no diodo D
b
para um perodo da rede
I
f
- corrente no filtro de harmnicas
I
f mx
- corrente de carga referida ao primrio
I
in
- Corrente mdia de entrada num perodo de comutao
I
ineficaz
- Corrente eficaz de entrada para um semi-ciclo da rede
I
inMEDIA
- Corrente mdia de entrada para um semi-ciclo da rede
I
Inmedia
- Corrente mdia de entrada normalizada
I
L
- Corrente na lmpada
I
Lb
(t) - Corrente no indutor boost
IL
beficaz
(t) - Corrente eficaz no indutor boost
I
lc
- Corrente no indutor de comutao suave
I
Lf
- Corrente no indutor de filtro da entrada
xi
I
mo
- Corrente mdia na sada
I
m1
- Corrente mdia no intervalo de crescimento da corrente de entrada
I
m2
- Corrente mdia no intervalo de decrescimento da corrente de entrada
I
p
- Corrente de pico no indutor boost
I
Sb eficaz
- Corrente eficaz normalizada no diodo D
b
para um perodo da rede
Le - Comprimento mdio do ncleo
I
S ef
- Corrente eficaz nos transistores do inversor
I
Sp
- Corrente de pico nos transistores do inversor
I
Sbef
(t)- Corrente eficaz no transistor S
b
para um perodo de comutao
I
Sbeficaz
- Corrente eficaz no transistor S
b
para um perodo da rede
I
Sb eficaz
- Corrente eficaz normalizada no transistor S
b
para um perodo da rede
I
Sb med
(t) - Corrente mdia no transistor S
b
para um perodo de comutao
I
Sb media
- Corrente mdia no transistor S
b
para um perodo da rede
I
Sb media
- Corrente mdia normalizada no transistor S
b
para um perodo da rede
I
o
- Mxima corrente mdia normalizada na sada
I
0
- Corrente mdia na sada para um perodo da rede
I
0max
- Mxima corrente mdia na sada
J
mx
- Mxima densidade de corrente
kew - fator de utilizao do ncleo
L
g
- comprimento do entreferro.
M - Relao entre V
0
e V
p

N
cond
- Nmero de condutores por espiras
N
Ln
- Nmero de espiras
P
cond
- Perdas de conduo nos transistores
P
comut
- Perdas de comutao nos transistores
P
cun
- Perdas no cobre
P
Rg
- Perdas no resistor do grampeador
P
in
- Potncia de entrada
Pmag - Perdas magnticas no ncleo
P
S
- Perdas totais nos transistores do inversor
Ptot - Perdas totais no transformador
xii
P
0max
- Mxima potncia na sada
Q - Fator de qualidade do filtro de harmnicas
R
eq
- Resistncia equivalente do estgio de entrada nos terminais de sada do filtro
R
eqc
- Resistncia de carga equivalente para o inversor
R
L
- Resistncia equivalente da lmpada
S
a
- Potncia entregue aos filamentos para aquecimento
S
aux
- Potncia da fonte de comando
S
fio
- Seco transversal do condutor
S
s
- potncia em um dos enrolamento secundrios principais
St - potncia aparente nominal do tranformador
T - Perodo de comutao do transistor S
b

t - Tempo
t
a
- temperatura ambiente
t
j
- temperatura de juno dos transistores
t
on
- tempo de conduo dos transistores do inversor
TDH - Taxa de distoro harmnica
w
c
- Frequncia de corte do filtro de entrada
w
r
- relao entre frequncia angular de comutao e de ressonncia do filtro de harmnicas
V
ab
- Tenso entre os pontos a e b do inversor
V
e
- Tenso para aquecimento dos eletrodos
Vcmx - Mxima tenso nos capacitores do grampeador
V
C1
,
C2
- Tenso nos capacitores de ponto mdio do inversor
V
ig
- Tenso de partida da lmpada
V
in eficaz
- Tenso eficaz na entrada CA
V
in min
- Mnima tenso eficaz na entrada CA
V
in max
- Mxima tenso eficaz na entrada CA
V
L
- Tenso na lmpada
V
lb
(t) - Tenso no indutor boost
V
out
- Tenso na sada do boost.
V
p
- Tenso de pico na entrada CA
Vp9
mx
- Mxima tenso aplicvel ao pino 9 do 3524
Vp9
permitida
- Tenso no pino 9 para razo cclica mxima
xiii
V
S
- tenso em um dos enrolamentos secundrios principais
V
S1
- Tenso no transistor S1 do inversor
V
S2
- Tenso no transistor S2 do inversor
V
0
- Tenso no barramento CC
x
r
- Relao entre os elementos dos ramos do filtro de harmnicas
- Relao entre V
p
e V
0

- Relao entre V
0
e V
p

c
-angulo de defasagem da carga
- ngulo de deslocamento entre tenso e corrente na rede CA

n
- Rendimento
- Profundidade de penetrao
T - Variao de temperatura
T
1
- Intervalo de conduo do transistor boost
T
2
- Intervalo de conduo do diodo boost

T
2max
- Mximo intervalo de conduo do diodo boost
V
b
- Queda de tenso no capacitor ballast
















xiv
RESUMO


Neste trabalho apresenta-se uma metodologia de projeto e realiza-se a
implementao de um conversor eletrnico de alta frequncia, com alto fator de potncia, para
alimentao de lmpadas fluorescentes tubulares.
Inicialmente descreve-se o funcionamento da lmpada e os parmetros que influem
no seu desempenho.
proposta uma metodologia de projeto para o estgio de entrada com alto fator de
potncia, efetuando-se a seguir a simulao por computador. Um prottipo foi implementado em
laboratrio a fim de se comprovar o funcionamento.
Finalmente, a partir dos parmetros determinados para as lmpadas a serem utilizadas,
uma topologia do conversor proposta buscando-se como caractersticas especficas, a
possibilidade de substituio de lmpadas com o circuito energizado, a continuidade de operao
das lmpadas quando uma delas falhar ou chegar ao fim de sua vida til, o controle automtico de
luminosidade a fim de se obter um nvel de luminosidade constante no ambiente e, ainda, o
desligamento automtico de todo o sistema quando no houver ningum no ambiente a ser
iluminado. Seguindo as especificaes e a metodologia propostas, construiu-se um prottipo que
opera em conformidade com as expectativas.












xv
ABSTRACT


This work presents a design procedure for an electronic ballast with high power factor,
for high frequency operation of tubular fluorescent lamps.
Initially, some general aspects of operation and parameters, which have influence on
the efficiency of fluorescent lamps, are discussed.
A design methodology for the high power factor input stage is suggested along with
digital simulation results. A prototype was implemented and experimental results are shown.
Finally, based on the lamp parameters, an inverter topology is proposed. The main
characteristic of this topology is the possibility of lamps replacement even when the system is
energized. In case of failure of one lamp of the system, the remaining one continues to operate.
Along the ballast, it was implemented a movement detector, and a LDR sensor. The
first one, based in an infrared sensor, ensures that lights are automatically switched off when offices
are unoccupied. The LDR sensor automatically dims the lights when the amount of daylight
increase.
According to the specifications and following the proposed procedure, a complete
prototype was built and experimental measurement are carried out.













xvi
INTRODUO GERAL


A utilizao racional de energia eltrica sem dvida alguma um tpico de constante
preocupao nos dias atuais em todo o mundo. Isto se deve ao esgotamento das fontes de energia
convencionais aliado aos crescentes custos de gerao de energia. Desta forma, cresce a busca de
alternativas, ou tecnologias, que levem ao melhor aproveitamento possvel das fontes de energia
existentes.
A iluminao artificial responsvel pelo consumo de uma frao considervel de toda
energia gerada. Estima-se que 25% de todo consumo mundial esteja diretamente ligado
iluminao.
Apesar de ainda no ser o tipo de iluminao mais utilizado nas residncias brasileiras,
h uma tendncia da substituio das lmpadas incandescentes, por lmpadas fluorescentes em
razo de sua alta eficincia e longo tempo de vida til, quando comparadas s primeiras. J em
instalaes em escritrios, recintos comerciais e indstrias, as lmpadas fluorescentes constituem a
principal fonte de luz.
Assim como toda lmpada de descarga, a lmpada fluorescente possui caracterstica
de corrente-tenso negativa, necessitando, para sua ignio, a aplicao de uma tenso maior que
a necessria para a sua operao normal. Para que se possa obter um bom rendimento,
necessrio que a lmpada opere com sua corrente nominal. Dessa forma, faz-se necessria a
utilizao de um dispositivo que fornea a tenso necessria para a ignio da lmpada e estabilize
a corrente na mesma.
Em baixa frequncia so utilizados os reatores convencionais, que atualmente so os
mais utilizados no Brasil. Estes dispositivos so constitudos de um auto-transformador e/ou
associao conveniente de elemento reativos. Este processo apresenta uma eficincia relativamente
baixa, alm de outros inconvenientes como a ocorrncia do efeito estroboscpico, alto nvel de
rudo audvel, grande peso e volume.
Atravs da utilizao de reatores eletrnicos pode-se minimizar todos os problemas
citados anteriormente, obtendo-se ainda uma substancial economia de energia. As lmpadas
fluorescentes apresentam um aumento no fluxo luminoso quando alimentadas em alta frequncia na
xvii
sua potncia nominal para 60Hz que, associado ao elevado rendimento dos conversores
eletrnicos, proporciona um aumento na eficincia global do sistema.
O objetivo deste trabalho o desenvolvimento de um reator eletrnico de elevada
eficincia, energizado pela rede C.A., para a alimentao de lmpadas fluorescentes tubulares. Em
sntese, pode-se dizer que o dispositivo desejado deve apresentar as seguintes caractersticas:
- possuir as menores perdas possveis;
- estabilizar de forma eficiente a corrente na lmpada;
- apresentar alto fator de potncia;
- propiciar uma partida rpida da lmpada;
- no apresentar efeito estroboscpico;
- ausncia de rudo audvel;
- possibilitar a troca de lmpadas com o circuito energizado;
- em caso de falha em uma das lmpadas, a outra(s) deve operar normalmente;
- desligar automaticamente as lmpadas quando no houver ningum no ambiente a ser iluminado;
- diminuir automaticamente o nvel de luminosidade com o aumento da luz do dia.

No captulo I apresenta-se uma descrio simplificada da estrutura da lmpada, do
mecanismo de descarga e dos parmetros de influem no seu desempenho.
No captulo II so apresentadas algumas definies referentes ao fator de potncia e
algumas tcnicas aplicveis sua correo. Opta-se ento pela utilizao de um estgio pr-
regulador constitudo basicamente por um conversor boost. As etapas de funcionamento so
determinadas, o equacionamento realizado, do qual so extrados bacos. Com as equaes e os
bacos, uma metodologia de projeto proposta. Faz-se um projeto cujo funcionamento validado
via simulao. Finalmente implementa-se um prottipo que testado em laboratrio e seus
resultados apresentados.
No captulo III uma topologia para o reator eletrnico com comutao ZVS
proposta, fazendo-se um projeto, validado via simulao. So apresentados resultados
experimentais obtidos a partir de um prottipo implementado. feita uma anlise do conversor
agora operando com comutao ZCS. Finalmente so feitas comparaes dos resultados obtidos
com o conversor operando nos 2 modos propostos.
No captulo IV, feito um estudo sobre os controles automticos de luminosidade e
auto-desligamento. Um prottipo final implementado e comparado com um reator convencional.


1
CAPTULO I
CARACTERSTICAS DA LMPADA DE DESCARGA FLUORESCENTE


I.1 - Introduo

Neste captulo introdutrio so apresentados alguns detalhes construtivos e de
funcionamento das lmpadas fluorescentes tubulares de baixa presso.
Inicialmente sero apresentados os detalhes construtivos e alguns conceitos bsicos.
So apresentados tambm alguns parmetros que influem no desempenho das lmpadas.


I.2 - Detalhes Construtivos das Lmpadas Fluorescente

Por serem as lmpadas de interesse para o desenvolvimento deste trabalho, somente
as lmpadas fluorescentes de ctodo quente sero analisadas.
As normas IEC [1] e NBR [2] definem a lmpada fluorescente tubular como uma
lmpada de descarga de mercrio de baixa presso de seo tubular, podendo ser reta, curva em
U ou circular na qual a maior parte da luz emitida por uma camada de material fluorescente
excitada pela radiao ultravioleta gerada na descarga.
A lmpada constituda por um tubo de vidro, suportando em suas extremidades o
conjunto coletor-emissor de eltrons. No interior do tubo, aps feito o vcuo, introduzido vapor
de mercrio baixa presso e uma mistura de gases inertes. O gs inerte utilizado porque, alm
de facilitar a ignio da lmpada, protege os filamentos contra o bombardeio excessivo de ons e
aumenta a eficincia do processo de emisso de radiao ultravioleta.
Os eletrodos tm como funo principal permitir a transferncia da corrente dos
condutores de alimentao para o gs. Quando a lmpada alimentada em corrente alternada, os
eletrodos alternam sua funo, operando como ctodo ou nodo a cada meio ciclo. Nas lmpadas
de ctodo aquecido, estes so constitudos por filamentos de tungstnio em forma de espiral


2
revestido com um xido ( de brio, estrncio e clcio). Geralmente emprega-se o tungstnio como
elemento de suporte devido ao seu elevado ponto de fuso.
As paredes internas do tubo so revestidas com um p, conhecido genericamente
como fsforo. O fsforo um composto orgnico que, quando excitado por uma determinada
banda de frequncia ultravioleta do espectro do mercrio, emite radiao na regio visvel com
uma cor especfica.


I.3 - Detalhes de Funcionamento

De modo geral, admite-se que em todo gs existem pares eltron-on que so
formados a partir da excitao de algum tomo pela radiao csmica. Nas lmpadas de descarga
de ctodo quente, uma quantidade adicional de eltrons produzida por efeito termoinico
durante o intervalo de pr-aquecimento dos eletrodos que antecede o incio da descarga. A
ignio da descarga ocorre quando um gradiente de potencial elevado aplicado entre as
extremidades da lmpada. Alm dos eltrons produzidos pela descarga existe a emisso no ctodo
por efeito termoinico, efeito fotoeltrico e pelo bombardeamento da superfcie do eletrodo por
ons positivos.
Os eltrons, acelerados em direo ao nodo, chocam-se com os tomos, excitando-
os ou at mesmo ionizando-os. Desta forma observa-se no gs a presena de eltrons, ons e
tomos nos seus diversos nveis de excitao. A emisso de radiao ocorre nas transies entre
estados de maior energia para nveis mais estveis dos tomos de mercrio.
O processo de converso da radiao ultraviole ta em luz visvel ocorre atravs da
absoro pelo revestimento de fsforo de ftons com energia especfica emitidos pela coluna
positiva de descarga. A coluna positiva, tambm conhecida como plasma, eletricamente neutra
e constitui a parte til da lmpada. Sua principal funo interligar as extremidades andicas e
catdicas da descarga.
Para garantir eficincia elevada no processo de converso da energia eltrica em
radiao ultravioleta, adiciona-se um gs inerte, normalmente argnio, ao vapor de mercrio. Sem
a presena do gs inerte, o livre caminho mdio dos eltrons seria muito elevado, excedendo at
mesmo o dimetro do tubo de descarga, assim, os mesmos atingiriam a parede do tubo sem


3
colidirem com outros tomos, produzindo apenas aquecimento da superfcie. A presena do gs
inerte aumenta a vida mdia dos portadores de carga eltrica, reduzindo as perdas por difuso e
aumentando a probabilidade de excitao dos tomos.


I.3.1 - Parmetros que Influem na Eficincia da Lmpada

O fluxo luminoso emitido e a eficincia da lmpada dependem da qualidade e
espessura do revestimento do p fluorescente e da intensidade da radiao incidente. A camada
fluorescente deve ter uma espessura que permita a absoro de toda a radiao ultravioleta
incidente e que ao mesmo tempo minimize a absoro da luz visvel emitida.
A intensidade da radiao incidente sobre o fsforo depende da presso de vapor de
mercrio, da presso e do tipo do gs inerte, da intensidade de corrente, das dimenses fsicas do
tubo e da forma de onda da corrente na lmpada.


I.3.2 - Estabilizao da Corrente

Ao se aplicar uma tenso conveniente nas extremidades de uma lmpada fluorescente,
os eltrons emitidos por um filamento previamente aquecido, operando como ctodo, sero
acelerados em direo ao outro filamento (nodo). Neste percurso haver a ionizao do gs e a
produo de pares ons-eltrons atravs de um processo de cascata, aumentando a condutividade
do meio at se atingir o limite de corrente que a fonte de alimentao pode fornecer e/ou at o
limite onde h a destruio da lmpada. O processo de emisso de luz pela lmpada exige que a
mesma opere com uma corrente preestabelecida para alcanar uma eficincia elevada. Assim
sendo, torna-se necessria a utilizao de um elemento estabilizador que propicie a limitao da
corrente [3].
No caso da corrente alternada, geralmente so empregados elementos reativos,
ligados em srie com a lmpada. A estabilizao reativa a mais difundida, sendo a sua principal
vantagem a reduo da regio escura, ou seja, reduo do intervalo de tempo em que no h
circulao de corrente porque a tenso aplicada sobre a lmpada inferior a tenso de arco, j


4
que a extino abrupta da corrente em um circuito indutivo provoca uma sobretenso que permite
a reignio quase instantnea da lmpada.


I.3.2.1 - Influncia da Corrente e da Forma de Onda da Corrente

Mantendo-se fixo todos os parmetros, com a elevao da corrente h uma reduo
na eficincia da emisso de radiao. Para correntes muito baixas a eficincia cai devido a reduo
excessiva da presso do vapor de mercrio [4].
Como a eficincia decresce com o aumento da densidade de corrente, quando a
lmpada alimentada por uma corrente com alto fator de crista, que a relao entre o valor de
pico e o valor eficaz, h uma sensvel reduo na eficincia da lmpada, que pode tambm ser
danificada. A figura I.1 representa dados experimentais da vida til da lmpada em funo do fator
de crista [4].
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4
Fator de Crista
Vida til
(%)

Fig. I.1 - Variao da Vida til da Lmpada com o Fator de Crista da Corrente.
Atravs do grfico da figura I.1 conclui-se que a mxima eficincia conseguida
quando a lmpada fluorescente alimentada em corrente contnua, porm, na prtica, no existe
diferena entre efetuar-se essa alimentao atravs de uma tenso contnua ou de uma tenso
alternada senoidal em alta frequncia.
A alimentao em corrente contnua pouco difundida porque os circuitos utilizados
na estabilizao da corrente na lmpada tornam-se complexos e tambm por que com este tipo de
alimentao os ons de mercrio movem-se para o ctodo, assim sendo, aps algum tempo de
operao, boa parte do mercrio que se encontrava prxima ao nodo fica concentrado no
extremo catdico. Desta forma, a emisso de radiao no la do andico cai por falta de tomos de


5
mercrio e esta parte do tubo fica sem luz. Por essa razo, segundo a referncia [5] a polaridade
da lmpada deve ser invertida a cada intervalo aproximado de 5 horas.


I.3.3 - A Importncia do Gs Inerte

O gs inerte encontrado nas lmpadas fluorescentes tem como funo principal regular
o processo de difuso permitindo uma maximizao da eficincia de produo de radiao pela
descarga e tambm garantir uma atmosfera condutora envolvendo os eletrodos, permitindo assim
que aproximadamente 90% do material evaporado retorne ao filamento por difuso, aumentando
assim a vida til da lmpada.


I.4 - Comportamento e Modelamento de Lmpadas Fluorescentes
em Alta Frequncia

A lmpada fluorescente, ao contrrio da lmpada incandescente, possui uma
quantidade muito limitada de eltrons livres, por isso, inicialmente a coluna gasosa tem que ser
condutora e um nmero suficiente de ons e eltrons devem ser gerados continuamente a fim de
garantir a manuteno da descarga.
Quando uma lmpada de descarga fluorescente alimentada por uma tenso alternada
de baixa frequncia, como por exemplo em 60Hz, o processo de ignio da lmpada repete-se
com uma frequncia de 120Hz, porque a descarga na lmpada descontinuada cada vez que a
tenso de alimentao cai abaixo do valor de arco. Este processo se repete ciclicamente a cada
semi-ciclo da rede, caracterizando assim o efeito estroboscpico [4] e [6].
Estando a lmpada alimentada por uma tenso alternada, os eletrodos dos dois
extremos da lmpada trocam de funo a cada semi-ciclo da rede.
O estabelecimento e extino peridicos da descarga retiram energia do processo de
emisso de luz. Como j foi citado anteriormente, um meio de se reduzir estas perdas alimentar a


6
lmpada com uma tenso contnua, porm isso acarretaria um desgaste desigual dos filamentos e a
necessidade de inverso peridica de polaridade tornaria o sistema complexo e invivel.
J a alimentao em alta frequncia apresenta a mesma eficincia luminosa da
alimentao em corrente contnua e garante a operao estvel da lmpada. Atravs da utilizao
de um conversor eletrnico consegue-se reduzir as perdas no processo de estabilizao da
lmpada resultando em um sistema de alta eficincia.
O aumento na eficincia depende de vrios fatores, entre eles a presso e o tipo do
gs inerte presente na lmpada. Sabe-se tambm que para frequncias acima de 6kHz a eficincia
luminosa estabiliza no seu valor final, no importando o quanto o valor dessa frequncia continue
subindo [4].


I.4.1 - Modelamento da Lmpada Fluorescente Tubular

A elaborao de um modelo que represente fielmente todas as caractersticas de uma
lmpada de descarga, trabalhando com qualquer frequncia de alimentao, sendo a lmpada de
descarga um dispositivo no linear com caracterstica tenso-corrente negativa, torna-se por si s
uma tarefa bastante complexa. Em baixa frequncia, como por exemplo 60Hz, a lmpada
fluorescente apresenta uma forma de onda de tenso com picos em seus terminais quando ocorre
a inverso de polaridade na tenso de alimentao, o que gera uma distoro harmnica na
corrente de linha, como pode-se ver na figura I.2, onde V
L
e I
L
representam respectivamente a
tenso e a corrente na lmpada.
V
L
I
L

Fig. I.2 - Comportamento da Lmpada Fluorescente em Baixa Frequncia.


7
J quando est sendo alimentada por uma tenso alternada de alta frequncia, os picos
de tenso no manifestam-se mais, como pode ser visto na figura I.3, onde pode-se observar que a
tenso e a corrente esto em fase e possuem formas quase senoidais.
0
V
I
L
L

Fig. I.3 - Comportamento da Lmpada Fluorescente em Alta Frequncia.
No sendo objetivo deste trabalho a elaborao de um modelo complexo para a
lmpada, esta foi modelada de forma simplificada como um resistor equivalente, j que trabalhar-
se- exclusivamente com alta frequncia. Vrios modelos so propostos na literatura, dentre eles
pode-se citar os apresentados nas referncias [4], [6], [7], [8], [9], [10] e com maior nfase o
modelo apresentado em [6] e [7] que representa de maneira eficiente a lmpada fluorescente
operando em baixa e em alta frequncia.


I.4.2 - Alterao das Caractersticas da Lmpada Fluorescente
com o Aumento da Frequncia

Como j foi discutido anteriormente, o aumento na frequncia de alimentao traz como
consequncias o aumento na eficincia luminosa e a eliminao do efeito estroboscpico. Alm
disso, outras alteraes ocorrem na operao da lmpada com o aumento da frequncia, como
ser verificado mais adiante.



8
I.4.2.1 - Variao da Cor da Luz Emitida pela Lmpada com a
Frequncia

Segundo a referncia [11], resultados de medidas experimentais mostram que a
reduo da temperatura ambiente, o aumento da intensidade da corrente, a reduo da presso do
gs inerte e a reduo da frequncia de operao provocam um desvio da cor em direo ao azul.
Tais dados mostram que quando se diminui a frequncia de 20kHz para 400Hz, ocorre um
aumento aproximado de 28% na intensidade da linha azul.


I.4.2.2 - Variao da Tenso de Ignio com a Frequncia

O aumento da frequncia tende a facilitar a ignio da lmpada. Uma luminria
metlica, que constitui o plano terra, e a lmpada formam um circuito complexo constitudo de
resistncias e capacitncias. Com o aumento da frequncia as reatncias capacitivas diminuem, de
forma que a tenso necessria para produzir o mesmo nvel de ionizao tambm diminui,
permitindo que a ignio da lmpada possa ser feita com uma tenso menor, o que contribui para o
aumento na vida til da lmpada. Mais informaes sobre a variao da tenso de ignio da
lmpada fluorescente podem ser obtidas em [4] e [12].


I.4.2.3 - Variao da Vida til da Lmpada com a Frequncia

A manuteno da eficincia durante a vida til da lmpada mais significativa do que
um valor inicial elevado. A vida til da lmpada determinada pela depreciao luminosa e pelo
desgaste dos eletrodos.
A depreciao do revestimento de fsforo diretamente proporcional potncia por
unidade de rea, independente da frequncia de operao, porm, sabe-se que com o aumento da
frequncia h um aumento no fluxo luminoso, permitindo que se opere a lmpada com seu fluxo
nominal, com uma potncia reduzida, o que aumenta a vida til da lmpada.


9
O desgaste do revestimento dos eletrodos depende do processo utilizado para ligar a
lmpada e do nmero de partidas a frio por horas de operao. Ainda segundo a referncia [11], a
cada partida da lmpada sem pr-aquecimento dos filamentos, h uma reduo mdia de 8 horas
na vida til da lmpada que costuma oscilar em torno de 7500 horas.


I.5 - Concluso

Neste captulo esto descritos de forma sucinta o mecanismo de funcionamento e os
parmetros que influem no desempenho da lmpada fluorescente tubular, dando nfase s
caractersticas das lmpadas de ctodo aquecido.
feita tambm uma anlise da influncia da frequncia de operao sobre o comportamento e a
eficincia da lmpada fluorescente.




10
CAPTULO II
ESTGIO DE ENTRADA COM CORREO DE FATOR DE POTNCIA


II.1 - Introduo

Neste captulo so apresentados detalhes construtivos e de funcionamento do estgio
de entrada, que deve atender algumas exigncias tais como elevado fator de potncia, baixa
distoro harmnica e tenso de barramento controlada, a fim de que se alcancem todos os
objetivos traados para o conjunto ballast.


II.2 - Fator de Potncia

Sabe-se que, quando conecta-se uma carga linear uma fonte senoidal, o fator de
potncia do conjunto pode ser medido em funo do ngulo de defasagem entre a tenso da fonte
e a corrente drenada pela carga. Assim sendo, o fator de potncia definido pelo coseno do
ngulo de defasagem entre as duas grandezas.
Porm, quando trabalha-se com cargas no lineares, como o caso do circuito
proposto neste trabalho, necessita-se de um estgio retificador que fornea uma determinada
tenso CC para o funcionamento do inversor, para que esse por sua vez alimente a lmpada; o
fator de potncia passa a ser dependente tambm da Taxa de Distoro Harmnica (TDH) da
corrente no-senoidal resultante. Assim, o fator de potncia total passa a ser definido
genericamente como sendo [13]:


( )
FP
TDH

+
cos
1
2
(2.1)
A preocupao com a correo do fator de potncia surge porque no caso da
utilizao de um estgio retificador convencional, como o ilustrado na figura II.1, que composto
por uma ponte retificadora e um filtro capacitivo, solicita-se da rede picos de corrente durante o


11
intervalo em que a tenso na entrada for superior ao valor da tenso no capacitor, como pode-se
ver na figura II.2.

Vac
D1 D2
D3 D4
C
Reator
Eletrnico

Fig. II.1 - Estgio Retificador Convencional.

A corrente representada na figura II.2 apresenta uma taxa de distoro harmnica
muito alta, o que leva a um fator de potncia extremamente baixo. Alguns resultados experimentais
demonstram que este tipo de estrutura apresenta TDH em torno de 120% e fator de potncia
prximo 0,6, o que justifica o investimento em um estgio de entrada mais sofisticado que
assegure melhor desempenho e que atenda s exigncias das normas internacionais que
regulamentam o funcionamento dos reatores eletrnicos.
400
200
0
-200
-400
Tenso CC
Tenso CA
Corrente

Fig. II.2 - Tenso e Corrente em um Retificador Convencional.
O cuidado com o fator de potncia sem dvida uma medida justificvel, basta que se
observe trabalhos como os apresentados nas referncias [9], [14], [15], [16], [17], [18], [19],
[20] e [21], onde h sempre a preocupao com a manuteno da qualidade da corrente na
entrada do reator.


12
Existem vrias tcnicas que podem ser usadas a fim de se obter melhores valores de
fator de potncia. Dentre elas pode-se citar:
a) Diminuio do capacitor do barramento CC : neste caso, o valor da capacitncia dever ser
tanto menor quanto possvel de tal forma que no influencie na tenso de entrada do conversor.
Apesar de simples, esta tcnica possui muitas limitaes como no operar com altas potncias, no
apresentar um resultado muito bom, com uma TDH ainda muito alta e poder operar com poucos
tipos de carga, devido grande ondulao da tenso do barramento CC [8].

b) Filtro Valley-Fill : tal filtro, ilustrado na figura II.3, representa uma grande melhora em relao
tcnica anterior, diminuindo o ripple do barramento CC e apresentando um fator de potncia mais
alto, porm, ainda assim, a taxa de distoro harmnica apresentada no atende s especificaes
exigidas [8].
Vac
D1 D2
D3 D4
Reator
Eletrnico
Df1
Df2
Df3
C1
C2

Fig. II.3 - Estgio Retificador Usando Filtro Valley-Fill.

c) Pr-Regulador : Esta tcnica consta da utilizao de um conversor elevador de tenso
colocado entre a ponte retificadora e o estgio de sada, a fim de se obter um fator de potncia
prximo da unidade [13]. Por ser a tcnica que apresenta melhor desempenho, esta foi a adotada.


II.3 - Circuito Proposto [13]

Baseado no que foi exposto anteriormente, optou-se pela utilizao de um pr
regulador utilizando o conversor boost operando em modo de conduo descontnuo, o que facilita


13
o projeto, uma vez que no h necessidade de se exercer qualquer tipo de controle sobre a
corrente.
Contudo, deve-se lembrar que dos trs modos de operao possveis para o
conversor Boost, descontnuo, contnuo e crtico, este o que apresenta o menor fator de
potncia, porm os resultados obtidos so satisfatrios [13],[22].
O estgio pr-regulador proposto mostrado na figura II.4.

Vca
D
1 2
3 4
L
S
C
0
b
D
D
D
b
b
D
Reator
Eletrnico

Fig. II.4 - Estgio de Entrada Usando Pr-Regulador.

A tcnica de conduo descontnua aplicada correo de fator de potncia no
conversor boost consiste na operao em conduo descontnua da corrente no indutor boost.
O conversor operar com frequncia de comutao constante. A corrente de pico no
indutor boost ser proporcional tenso de alimentao, variando de acordo com o valor da
senide no instante da comutao, assim, os picos da corrente de entrada seguiro naturalmente a
forma de onda da tenso de entrada.
Operando-se no modo de conduo descontnuo, diminui-se consideravelmente as
perdas de comutao, j que a corrente no diodo boost ir extinguir-se naturalmente, evitando
problemas com a recuperao reversa. Por outro lado, o elevado valor eficaz de corrente nos
semicondutores, aumenta a fadiga e as perdas de conduo sobre os mesmos.




14
II.3.1 - Princpio de Operao

A fim de simplificar a anlise do princpio de operao do conversor boost operando
no modo de conduo descontnuo, ser considerado o conversor boost em sua configurao CC-
CC. Tal simplificao vlida levando-se em conta o fato de que durante um perodo de
comutao a tenso da entrada varia muito pouco.
Todo o princpio de funcionamento pode ser sintetizado em trs etapas que podem ser
vistas na figura II.5.
Na primeira etapa (figura II.5a), no instante t
o
o interruptor S
b
entra em conduo e
o indutor L
b
armazena energia. A corrente no indutor cresce linearmente at atingir o seu valor de
pico, quando o interruptor aberto.
Na etapa seguinte (figura II.5b), aps a abertura do interruptor, o diodo boost D
b

entra em conduo, permitindo que a fonte e o indutor L
b
forneam energia para a carga,
desmagnetizando o indutor L
b
. A corrente em L
b
decresce linearmente, at anular-se.
A ltima etapa (figura II.5c) inicia -se quando aps a corrente no indutor anular-se, o
diodo bloqueia, no havendo assim mais transferncia de energia da fonte para a carga,
caracterizando a etapa descontnua. A corrente da carga ento suprida pelo capacitor C
0
. As
principais formas de onda podem ser vistas na figura II.6.
Vin
Lb Db
Sb
Co
Carga

Vin
Sb
Db Lb
Carga Co

(a) (b)
Vin
Lb Db
Sb Co Carga

(c)
Fig. II.5 - Etapas de Operao do Circuito Pr-Regulador.


15

I
p
V
in
Lb
(t)
(t)
t t t T
V
I
Lb
-(Vo-Vin)
1 2 0

Fig. II.6 - Principais Formas de Onda do Circuito Pr-Regulador.


II.3.2 - Anlise Global

Considera-se que a frequncia de comutao seja muito maior que a frequncia da
rede, assim pode-se assumir que para cada perodo de comutao as etapas de operao
descritas no item anterior so vlidas, porm com amplitudes de tenso e corrente variveis de
acordo com a tenso de entrada.
O tempo de conduo do transistor limitado; portanto os picos da corrente no
indutor boost sero modulados por uma senide em fase com a tenso de entrada. A frequncia de
comutao do conversor constante. Assim :

D
t
T

1
(2.2)
D : razo cclica do transistor S
b
.
t1 : perodo de conduo do transistor S
b
.

A corrente de pico no indutor definida como sendo:


16

( )
I
V wt
L
t
p
p
b

sen

1
(2.3)


A variao da corrente de entrada ser a mesma tanto para o intervalo de conduo
do transistor S
b
como para o intervalo de conduo do diodo D
b
. Portanto :

( ) ( )
i i
t t
1 2
(2.4)

( ) ( ) V wt
L
t
V V wt
L
t
p
b
p
b

sen sen

1
0
2
(2.5)


( )
( )
t
V wt
V V wt
t
p
p
2
0
1

sen
sen
(2.6)

Definindo-se:


V
V
p
0
(2.7)
Obtm-se:

( )
( )
t
wt
wt
t
2 1
1

sen
sen
(2.8)

Agora, considerando-se o pior caso, quando a conduo crtica, tem-se:


( ) t D T
2
1 (2.9)



17
A fim de se garantir que o conversor boost opere sempre no modo de conduo
descontnuo durante todo o perodo da rede, deve-se buscar a mxima razo cclica permissvel
para esta condio.
A mxima corrente no indutor boost ocorrer exatamente no momento do pico da
senide da tenso de entrada:

I
V
L
t
p
p
b

1
(2.10)

exatamente este o ponto crtico, quando a corrente no indutor levar mais tempo
para atingir o valor de pico e voltar a zero:

t
V
V V
t
max
p
p
2
0
1

(2.11)

Assumindo que no pico da senide a conduo crtica, tem-se:

D ( ) 1 (2.12)

Agora, a fim de determinar a caracterstica de sada, determina-se a corrente mdia na
sada como sendo:

I
I t
T
mo
p

2
2
(2.13)

Substituindo-se em (2.13) as equaes (2.3) e (2.8) e sabendo-se que t D T
on
:

( )
) ( 1 2
2
2
wt sin
wt sin
L f
D V
I
b s
p
mo

(2.14)

A corrente mdia na sada para um perodo da rede definida por:


18

I I dwt
O mo

1
0

(2.15)

Assim:

I
V
f L
D Y
p
s b
0
2
2

( ) (2.16)
Onde:

Y( ) tan

+

+

_
,

1
]
1
1

2
2
1
2
1
2
1
2
(2.17)

Normalizando-se :


I D Y
0
2
( )
(2.18)

Onde :

I
f L
V
I
s b
p
0 0
2

(2.19)

Define-se :

1
(2.20)

Finalmente, na figura II.7, tem-se representada a caraterstica de sada em funo de
para vrios valores de razo cclica.



19
1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
D=0,1
D=0,2
D=0,3
D=0,4
D=0,5

I
0

Fig. II.7 - Caracterstica de Sada em Funo de .

Atravs da figura II.17 pode-se tambm observar que a tenso na sada varia com a
carga.


II.3.3 - Mxima Indutncia Boost

A mxima indutncia boost que garante conduo descontnua tambm deve ser
determinada. A corrente de sada ser mxima quando a razo cclica for mxima. Assim, a
potncia processada tambm ser mxima.

I
V
f L
Y
max
p
s b
0
2
1
2

( )
( )

(2.21)

A potncia mxima na sada :


20


P V I
max max 0 0 0

(2.22)

A partir das duas equaes acima, chega-se a equao que define o valor da
indutncia boost :

( )
L
V
f P
Y
b
p
s max

2
0
2
2
1

( ) (2.23)

Que normalizada resulta em:

L Y
b

( )
( )
1
2

(2.24)
Onde :

L
P
V
f L
b
max
p
s b

0
2
2 (2.25)

Atravs das equaes (2.17) e (2.24) chega-se ao baco da figura II.8 que d a
variao da indutncia mxima normalizada em funo de .


21

1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
L

b

Fig. II.8 - Indutncia Boost Normalizada em Funo de .


II.3.4 - Corrente de Entrada em um Intervalo de Comutao

A corrente mdia no intervalo de crescimento da corrente de entrada (t
1
) definida
como sendo [13]:

I
V f wt
L
t
m
p s
b
1 1
2

sen( )
(2.26)
A corrente mdia no intervalo de decrescimento da corrente (t2) dada por:

I
I f L
V V wt
m
p s b
p
2
2
0
2

( sen( ))
(2.27)
A soma das duas parcelas I
m1
e I
m2
das equaes (2.26) e (2.27) representa a
corrente mdia num perodo de comutao, assim:

I
D V
f L
wt
wt
in
s b

2
0
2 1

sen( )
sen( )
(2.28)


22
II.3.5 - Corrente Mdia de Entrada para um Semi-Ciclo da Rede

Sendo a frequncia de comutao muito maior que a frequncia da rede, pode-se
considerar que a forma de onda da corrente de entrada ser constituda aproximadamente pela
integrao, em um semi-ciclo da rede, dos valores mdios da corrente de entrada em cada perodo
de comutao. Deste modo define-se:

I I dwt
in MEDIA in

1
0

(2.29)

I
D V
L f
in MEDIA
b s

_
,

_
,

1
]
1
1

2
0
2
1
2
2
2
1
2
1

tan (2.30)


II.3.6 - Potncia de Entrada

A potncia de entrada dada por :

0
1
dwt I V P
in in in
(2.31)

P
V D V
f L
in
p
s b

0
2
(2.32)


II.3.7 - Corrente Eficaz na Entrada Durante um Semi-Ciclo da
Rede

A corrente eficaz na entrada durante um semi-ciclo da rede definida por:


23

I I dwt
in eficaz b

1
2
0

(2.33)

I
D V
f L
Z
in eficaz
s b

2
0
2

( ) (2.34)

Onde :

( )
Z( )
( )
tan

+ +

_
,

1
]
1
1

2
1
2 1
1
2
1
2
1
2
2
2
2
1
2
(2.35)


II.3.8 - Fator de Potncia

A corrente de entrada no senoidal pura, devido distoro harmnica gerada pelo
tempo de desmagnetizao do indutor, distoro esta em funo da relao entre a tenso de pico
da senide de entrada e a tenso CC de sada [18]. Tal relao representada por:

M
V
V
p

0
(2.36)
Quanto maior for o valor de M, menor ser o contedo harmnico introduzido na
corrente de entrada.
O fator de potncia total definido pela expresso:


FP
P
V I
in
in eficaz in eficaz

(2.37)
Atravs do baco da figura II.9, pode-se observar a variao do fator de potncia em
funo do parmetro .


24
1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
0,94
0,95
0,96
0,97
0,98
0,99
1,00
FP

Fig. II.9 - Variao do Fator de Potncia em Funo de .


II.3.9 - Taxa de Distoro Harmnica

A taxa de distoro harmnica da corrente de entrada definida como:

TDH
FP

cos ( )
2
2
1

(2.38)



Considerando-se cos()=1, tem-se:
TDH
FP

1
1
2
(2.39)

Atravs da figura II.10 pode-se observar a variao da taxa de distoro harmnica
em funo de .


25
1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
TDH

Fig. II.10 - Variao da TDH em funo de .


II.3.10 - Esforos nos Componentes

Para que se possa dimensionar os componentes semic ondutores, deve-se determinar
os esforos em cada um deles. Para tanto, sero definidos os valores para as correntes mdias e
eficazes dos mesmos.
A corrente eficaz no interruptor S
b
para um perodo de comutao ser:


Is
T
V wt t
L
dt
b ef
p
b
t

_
,

1
2
0
1
sen( )
(2.40)
Assim:

Is
V wt
f L
D
b ef
p
s b

sen( )
3
3
(2.41)
Dessa forma, deduz-se que a corrente eficaz no interruptor S
b
, para um perodo da
rede, definida pela seguinte expresso:


26

Is Is dwt
b eficaz bef

1
2
0

(2.42)
Is
V
f L
D
b eficaz
p
s b

6
3
(2.43)
Agora, normalizando-se a corrente eficaz no transistor S
b
pela corrente de carga I
0
,
obtm-se:
Is
Is
I D Y
b eficas
b eficaz

0
2
6
1
( )
(2.44)
A figura II.11 fornece a variao da corrente eficaz normalizada no transistor S
b
em
funo de , para diferentes valores de D.
1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
0
1
2
3
4
5
6
IS

D=0,1
D=0,2
D=0,3
D=0,4
D=0,5 ef b

Fig. II.11 - Variao da Corrente Eficaz Normalizada no Transistor S
b
em Funo de .
J a corrente mdia no transistor S
b
para um perodo de comutao definida por:
Is t
T
V wt t
L
dt
bmed
p
b
t
( )
sen( )

1
0
1

(2.45)
Ao realizar-se a integrao da equao 2.45, no se integra o termo sen(wt), pois a
frequncia de comutao muito maior que a frequncia da rede. Chega-se ento a:


27
Is t
V D
f L
wt
bmed
p
s b
( ) sen( )



2
2

(2.46)

Dessa forma, a corrente mdia no interruptor S
b
para um perodo da rede fica definida
com sendo:

Is
V D
f L
wt dwt
b media
p
s b

1
2
2
0

sen( ) (2.47)

Is
V D
f L
b media
p
s b

2
2
(2.48)

Agora, normalizando-se a corrente mdia no interruptor S
b
pela corrente de carga I
0
,
obtm-se :

Is
Is
I Y
b media
b media

0
2
( )
(2.49)

Atravs da figura II.12, pode-se observar a variao da corrente mdia normalizada
no interruptor S
b
em funo de .



28
1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6

ISb
md

Fig. II.12 - Corrente Mdia Normalizada no Interruptor S
b
em Funo de .

Antecipando-se ao critrio de escolha de componentes, adotou-se como interruptor
um MOSFET por sua facilidade em trabalhar com alta frequncia de comutao.

Quanto aos esforos no diodo boost D
b
, sabe-se que a corrente eficaz no mesmo
durante um perodo de comutao definida por:

( )
Id t
T
I
V V wt t
L
dt
bef p
p
b
t
( )
sen( )

_
,

1 0
2
0
2

(2.50)
Que aps integrado:
Id t
V
f L
D wt
wt
bef
p
s b
( )
sen ( )
sen( )

3 3
3 1
(2.51)

A corrente eficaz no diodo boost para um perodo da rede dada por:
Id Id t dwt
beficaz bef

1
2
0

( ) (2.52)

Assim:


29

Id
V
f L
D
beficaz
p
s b

+

+

_
,

3
2
2 2
1
2
3 2
2 2
1
2
1

tan
(2.53)
Id
V
f L
D
Y
beficaz
p
s b

+
3
3 2
1

( ) (2.54)
Agora, normalizando a corrente eficaz no diodo D
b
, pela corrente de carga, obtm-se:
Id
Id
I
D
Y
Y
b eficaz
beficaz

+
0
4
3 2
1

( )
( )
(2.55)
A figura II.13 mostra a variao da corrente eficaz normalizada no diodo D
b
em
funo de para diferentes valores de razo cclica.

1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
0
0.5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
ID
ef

D=0,1
D=0,2
D=0,3
D=0,4
D=0,5
b

Fig. II.13 - Variao da Corrente eficaz Normalizada no Diodo Db em Funo de .

Quanto corrente mdia no diodo boost, esta ser igual corrente mdia na carga.




30
II.3.11 - Corrente Eficaz no Indutor Boost

Atravs da figura II.6 pode-se observar que a corrente eficaz no indutor boost,
composta pela soma das correntes eficazes no interruptor boost S
b
entre t
0
e t
1
e no diodo D
b

entre t
1
e t
2
, assim:
IL Is Id
beficaz beficaz b eficaz
+
2 2
(2.56)
IL
V
L f
D Y
beficaz
p
b s

3
3
( )

(2.57)
Normalizando a corrente eficaz no indutor boost pela corrente de sada, tm-se:
IL
IL
I D Y
b eficaz
b eficaz



0
4
3

( )
(2.58)
A figura abaixo mostra a corrente normalizada no indutor boost em funo .

1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
0
1
2
3
4
5
6
7
8

IL
ef
D=0,1
D=0,2
D=0,3
D=0,4
D=0,5
b

Fig. II.14 - Corrente Normalizada no Indutor Boost em Funo de .


31
II.3.12 - Relao entre Corrente Mdia de Entrada e Corrente
Mdia de Sada

A relao entre as correntes mdias de entrada e de sada deste estgio, ou seja, a
corrente mdia de entrada normalizada, definida como sendo:
I
I
I Y
in media
in media
+
0
1
2
( )
(2.59)

Desta forma, pode-se conceber o baco da figura II.15 que d a variao da corrente
mdia de entrada normalizada em funo de .

1,21,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6

I
md in

Fig. II.15 - Variao da Corrente Mdia de Entrada Normalizada em Funo de .


II.4 - Filtro de Rede

Em estruturas onde existe o fenmeno da comutao de semicondutores de potncia,
so geradas rdio-interferncias que podem ser transmitidas por radiao direta ou por conduo
atravs dos terminais de entrada e de sada.


32
A radiao direta facilmente eliminada colocando-se o equipamento em uma caixa
metlica.
Quanto as rdio -interferncias conduzidas, estas so mais difceis de serem
suprimidas. A maior preocupao com a interferncia que o equipamento pode produzir est
relacionada com os terminais de entrada. Estas interferncias acabam se propagando para outros
equipamentos, podendo provocar rudos e mau funcionamento.
Para reduzir ao mximo os problemas com interferncias geradas, alm de se obter um
fator de potncia realmente elevado, torna-se necessria a utilizao de um filtro de rede. Dentre as
diversas configuraes possveis, optou-se por utilizar um filtro LC, devido a sua simplicidade e
eficincia [13], [23]. A estrutura de tal filtro pode ser observada na figura II.16.
C
eq
Entrada
CA
L
f
I
R
f
Lf
+
-
F
N
Vout

Fig. II.16 - Topologia do Filtro de Rede.

A resistncia R
eq
vista na figura acima representa a resistncia equivalente do estgio
de entrada nos terminais de sada do filtro.
O ganho de tenso entre a entrada e a sada do filtro dado pela expresso
apresentada na equao a seguir:
Ganho w
V
V wc w wc jw
out
ac
( , )

+
1
2
2 2
(2.60)
Onde :



1
2 w R C
c eq f
(2.61)


33

w
L C
c
f f

1
(2.62)

Este um filtro com caracterstica passa-baixa, ou seja, h uma atenuao das
frequncias superiores frequncia de corte. Assim, conveniente adotar frequncias de corte no
mnimo 10 vezes menor que a frequncia de comutao e valores de maiores que 0,7,
conseguindo-se dessa forma atenuar de forma eficiente as altas frequncias e evitar oscilaes em
alta frequncia e deslocamento de fase em baixa frequncia.
A expresso (2.63) define a relao entre a corrente de entrada IL
f
e a tenso da rede
Vca. Esta expresso pode ser utilizada, se necessrio, para determinar a fase entre a corrente e a
tenso. Maiores detalhes sobre o filtro LC utilizado podem ser obtidos nas referncias [13] e [24].

ILf jw
Vca jw jw L wc w j wc w
( )
( )

_
,

1
1
1
2
2 2

(2.63)

conveniente lembrar tambm que devido ao fato do filtro apresentar uma fase
relativamente elevada, deve-se trabalhar com frequncias de corte pelo menos 50 vezes maior que
a frequncia da rede, evitando-se assim deslocamento da fase entre a tenso e a corrente na
entrada.


II.5 - METODOLOGIA DE PROJETO

Para que se possa executar o projeto do estgio de entrada, deve-se ter disposio
os seguintes dados:
1 - Tenso eficaz de entrada nominal; 4 - Frequncia de comutao;
2 Variao admissvel da tenso de entrada; 5 - Frequncia da rede;
3 - Tenso do barramento CC; 6 - Potncia de sada.

De posse desses dados deve-se calcular :


34
a) a mxima razo cclica admissvel para que se garanta a conduo descontnua;



V
V
p
0


D
max
1

b) atravs do baco da figura II.8 determina-se o valor da indutncia boost L
b
;
c) atravs dos bacos das figuras II.9 e II.10, determina-se o maior e o menor fator de potncia e
a taxa de distoro harmnica esperados;
d) finalmente, calcula -se os esforos nos componentes para que se possa efetuar o
dimensionamento dos mesmos;
e) para dimensionar o filtro de rede, determina-se a frequncia de corte;
f) verifica-se a relao entre a frequncia de corte e a frequncia da rede;
g) determina-se o valor de R
eq
;
h) determina-se o valor do capacitor C
f
;
i) determina-se o valor do indutor L
f
;


II.6 - Projeto de um Prottipo e Simulao por Computador

A fim de se realizar o projeto do estgio de entrada do ballast eletrnico, seguiu-se os
passos indicados no item II.5. Desta forma, determina-se os parmetros para que se possa realizar
os clculos.
V
in
= 220V f
s
= 50kHz
V
inmin
=187V f
r
= 60Hz
V
inmx
= 253V P
o
= 250W
V
0
= 400V

Inicia-se calculando o valor da mxima razo cclica que ocorrer quando o conversor
estiver operando com a mxima potncia de sada e com a mnima tenso eficaz de entrada.


35


V
V
inmin
2
0

0 661 ,

D
max
1

D
max
0 339 ,

Para que se possa determinar o valor da indutncia boost usando os dados do baco
da figura II.8, deve-se antes calcular o valor de , assim:

1
1513 ,
Agora, atravs do baco:
L
b
0 44 ,

E finalmente chega-se ao valor da indutncia boost:

( )
L
V
P
L
f
b
inmin
b
s

2
2
2
0



L H
b
3918 ,

O mximo fator de potncia ocorrer quando a tenso de entrada for mnima, ou seja,
ocorrer para =1,513. Assim, com esse valor de e os bacos das figuras II.9 e II.10 obtm-se
os valores do maior fator de potncia e da menor taxa de distoro harmnica.

FP
max
0 98 ,

TDH
min
20%


J o mnimo fator de potncia e a maior taxa de distoro harmnica ocorrero
quando a tenso de entrada for mxima. Assim, calcula-se o valor de e para esse ponto e
novamente com os bacos das figuras II.9 e II.10, obtm-se FP
min
e TDH
max
.

V
V
inmax
2
0

0 894 ,

1

1118 ,


FP
min
0 94 ,

TDH
max
37%




36
A fim de se determinar os esforos nos componentes, deve-se inicialmente calcular a
corrente mxima de carga.
I
P
V
0
0
0

I A
o
0 625 ,


Agora, atravs dos bacos das figuras II.11 e II.12 determina-se, respectivamente, as
correntes eficaz e mdia normalizadas no interruptor S
b
. Ento, para =1,513:

Is
b ef
1 8 ,
Is
b med
0 81 ,

Assim, pode-se determinar os esforos no interruptor:
Is Is I
b ef b ef

0

Is A
b ef
1125 ,
Is Is I
bmed b med

0

Is A
b med
0 506 ,

Analogamente, a fim de se determinar a corrente eficaz no diodo boost, com a ajuda
do baco da figura II.13, faz-se:

Id
b ef
2 2 ,

Id Id I
b ef b ef

0
Id A
b ef
1 375 ,

A corrente eficaz no indutor boost definida como:
IL Is Id
bef bef b ef
+
2 2


IL A
b ef
1777 ,


Agora, para o clculo dos componentes do filtro de rede, inicialmente determina-se o
valor da frequncia de corte:

f f
c s
01 ,
(2.64)

f kHz
c
5



37
Pode-se verificar facilmente que a relao entre a frequncia de corte do filtro e a
frequncia da rede maior que 50, garantindo assim um defasamento mnimo entre a tenso e a
corrente na entrada.
Agora, determina-se, atravs das equaes (2.10) e (2.65), o valor da resistncia
equivalente vista dos terminais de sada do filtro :

I A
p

311
390 10 6
8 10 6 4
6
,

R
V
I
eq
p
p

311
6 4
48 6
,
, (2.65)
Adota-se =1,0 e assim, atravs das equaes (2.61) e (2.62) determina-se os
valores dos componentes do filtro:
C
R wc
nF
f
eq

1
2
327

L
wc C
mH
f
f

1
3
2



II.6.1 - Dimensionamento Fsico dos Indutores [23]

Para o indutor boost, adota-se:

J
max
300
(A/cm
2
) B = 0,12T kew 0 5 ,
Assim :
AeAw
L I I
kew B J
cm
b p Lbef

10
2 45
4
4
max
, (2.66)
Onde:
kew : fator de utilizao.
B : densidade de fluxo magntico.

Adotou-se um ncleo E42/15 IP6 da THORTON cujos dados so :
AeAw cm 2 84
4
, Ae cm 181
2
,


38
NL
L I
B Ae
b
b p

10
4
(2.67)
NL esp
b
114

L
NL Ae
L
cm
g
b
b

2 7 2
4 10 10
0 006

,
(2.68)

Para determinar a bitola do fio a ser utilizado, tem-se que:
S
IL
J
cm
b ef
max
0 006
2
, (2.69)
Com relao profundidade de penetrao, deve-se garantir que o dimetro do
condutor seja igual ao dobro da profundidade de penetrao.


7 5
0 034
,
,
f
s
(2.70)
Assim, adota-se o fio 22AWG.
S
fio
0 003255 ,
N
S
S
cond
fio
1 81 , (2.71)
Adota-se N
cond
2 .

Para o indutor Lf, foi utilizado um ncleo toroidal do tipo NT23 da THORTON, cujos
dados so mostrados abaixo:
AL nH 1700 (fator de indutncia)
Le mm 5 58 , (comprimento mdio)
Ae mm 353
2
, (rea efetiva)
Assim, com o valor da indutncia em nH, calcula -se o nmero necessrio de espiras
atravs da equao 2.72:

NL
L
AL
f
f

3000000
1700
(2.72)
NL esp
f
42



39
II.6.2 - Circuito de Comando

O circuito de comando do transistor S
b
baseado no CI 3524, que um circuito
integrado de controle PWM completo que pode ser alimentado com uma tenso CC entre 8 e
40V. No prottipo a ser implementado, todo o circuito de comando, com exceo do sensor
passivo de infravermelho, ser alimentado com 24V.
O 3524 possui duas sadas independentes em coletor aberto que podem fornecer
uma corrente mxima de 100mA. Por isso, se faz necessria a colocao de um resistor que
polarize e limite a corrente no transistor de sada. O sinal do 3524 tratado, a fim de se obter um
sinal de comando eficiente no gate do MOSFET. A finalidade deste tratamento fazer com que a
partir de um sinal do tipo visto na figura II.17a, obtenha-se um sinal do tipo apresentado em II.17b.

Sinal do 3524
Sinal no Gate
+24V
+17V
-7V
(a)
(b)

Fig. II.17 - Sinal de Gate.

Dessa forma, ataca-se o gate com uma tenso adequada, j que o mesmo no pode
ser atacado com uma tenso superior a 20V e ao mesmo tempo aplica-se uma tenso negativa
durante o bloqueio do MOSFET, garantindo assim a no ocorrncia de disparos intempestivos que
podem aparecer devido oscilaes oriundas do circuito de potncia do inversor [25],
principalmente quando este estiver trabalhando no modo ZCS, como ser analisado mais a frente.
O circuito utilizado pode ser visto na figura II.18.


40
15
13
12
11
14
3
8
22k
1k CI
3524 1nF
BC550
12k
BC327
1N4148
1N4148
22R
680R
6,8V
10uF
16V/0,5W
7,5V/0,5W
Gate
Source
+Vcc
2k2

Fig. II.18 - Circuito Driver para o MOSFET.
Os transistores utilizados para atacar o gate so transistores bipolares de uso geral,
sendo um BC550 e um BC327, que responsvel pela aplicao da tenso negativa no gate do
MOSFET.
Para garantir que a tenso no barramento CC permanea o mais constante possvel,
implementou-se um controlador PI utilizando-se o amplificador operacional interno do 3524. Tal
controlador est representado na figura II.19.
R17
R18
R19
R7
C6
Ref
+
-

Fig. II.19 - Controlador PI.
No CI 3524 o pino 1 corresponde entrada inversora, o pino 2 entrada no
inversora e o pino 9 sada. O circuito concebido utilizando este CI mostrado na figura II.20.


41
16
2
3
1 9
R5
R6
R18 R19
R7
R17
C6
400V
GND
CI
3524

Fig. II.20 - Controlador PI usando 3524.
Para obter uma tenso constante na entrada no inversora, utiliza-se um divisor
resistivo, no qual se aplica a tenso do pino 16 do CI, que estabilizada internamente. Esta tenso
(2,5V), comparada com uma amostra da tenso de entrada. Esta amostra obtida atravs de um
outro divisor resistivo formado pelos resistores R17 e R18. Para obter os valores de ambos os
resistores, inicialmente arbitrou-se para R17 o valor de 560k. Para que a tenso na entrada
inversora supere a tenso na entrada no inversora, deve-se obter uma queda de tenso em R18
ligeiramente superior a 2,5V quando a tenso no barramento CC tender a 400V, assim obtm-se:
R
V R
Vo V
R
R
18
17
18
18

( )
(2.73)
R k 18 3 664 ,

A fim de se obter um valor de resistncia prxima a calculada para R18, associou-se
em srie dois resistores, sendo um de 3,3k e outro de 330.

Para o clculo dos demais componentes do compensador, arbitrou-se o ganho
esttico G0,2, a frequncia de transio f
p
60Hz e o valor de R19 em 10k. Assim:

R
G
R
7
19
10000
0 2

,
(2.74)
k R 50 7


42
f
R C
p


1
2 7 6
C
R f
p
6
1
2 7

(2.75)
C nF 6 56 4 ,

No prottipo implementado foram adotados R19=10k, R7=47k e C6=47nF.
Maiores detalhes sobre o compensador adotado podem ser obtidos na referncia [23].
Um outro artifcio que se fez necessrio, foi o de limitar a razo cclica mxima do
interruptor Sb, a fim de se garantir que o conversor boost nunca opere no modo de conduo
contnua, nem que o controlador tente impor razo cclica 1,0, caso a tenso de sada caia abaixo
do valor estipulado no projeto, o que colocaria o interruptor em curto-circuito.
O circuito utilizado para que se possa obter a limitao da razo cclica mostrado na
figura II.21.
R30
16
1N4148
CI
R31
9
3524
GND

Fig. II.21 - Circuito para Limitao da Razo Cclica.

O funcionamento do circuito de limitao de razo cclica baseado no fato de que
no interior do CI 3524, o sinal de erro proveniente da sada do amplificador de erro do pino 9
aplicada a um comparador, ento, pode-se aplicar externamente um nvel de tenso que seja
proporcional razo cclica mxima desejada.
Desta forma, quando o sinal de erro interno for menor que a tenso sobre R31, o
diodo 1N4148 estar bloqueado, fazendo com que a tenso na entrada do comparador interno
no seja afetada por VR31. Quando o sinal de erro tender a um valor superior queda de tenso
em R31 somado queda de tenso direta sobre o diodo, este entrar em conduo limitando a
razo cclica.


43
Sabendo-se que a razo cclica mxima j calculada 0,33 e que a tenso no pino 9
pode variar entre 0,5V e 3,8V, pode-se determinar o valor da tenso no pino 9 para a razo
cclica desejada, assim:
Vp Vp Dmax
permitida max
9 9 (2.76)
Vp V
permitida
9 1 254 ,
Com este valor, calcula-se a tenso VR31, que corresponde a esta tenso menos a
queda de tenso direta sobre o diodo:
VR Vp Vd
permitida
31 9 (2.77)
VR V 31 1 254 0 7 0 554 , , ,
Agora, sabendo-se tambm que a tenso no pino 16 regulada em 5V, arbitra-se o
valor de R30, para ento chegar-se a:

R k 30 22


R
VR R
Vp VR
31
31 30
6 31

(2.78)
R k 31
0 554 22000
5 0 554
2 7

,
,
,

Com relao frequncia de sada do CI, esta determinada pela combinao dos
valores do resistor ligado ao pino 6 (Rt) e do capacitor ligado ao pino 7 (Ct).
O valor desta capacitncia pode variar entre 1nF e 100nF, e a resistncia conectada
ao pino 6 pode variar entre 1,8k e 100k.
A frequncia, no caso do prottipo implementado onde conecta-se as duas sadas do
CI em paralelo, pode ser calculada por:

fs
Rt Ct

118 ,
(2.79)
Assim, pode-se arbitrar o valor de Rt (10k) e, sabendo-se que a frequncia
desejada 50kHz, tem-se:
Ct
fs Rt

118 ,
(2.80)
Ct nF 2 3 ,



44
Feito isso, chega-se finalmente ao circuito de comando completo que mostrado na
figura II.22.
Vo
R17
R18
R19
R7
C6
D1
R31 R30
R1 R2
Ct Rt
R10
R15
R14
R12
R11
R13
Z1
Z2
Z3
C1
D2
D3
1
2
3 4 5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CI
3524
D4
+24V
BC550
BC327
Gate
Source

Fig. II.22 - Circuito de Comando do Estgio de Entrada.

A relao de componentes do circuito de comando do estgio de entrada :
C6 - Capacitor de poliester metalizado 47nF
C1 - Capacitor cermico 1nF
Ct - Capacitor cermico 2,2nF
C2 - Capacitor eletroltico 10F/25V
D1, D2, D3, D4 - Diodo de uso geral 1N4148
R1, R2, R19, R12, Rt - Resistor 10k/0,25W
R7 - Resistor 47k/0,25W
R10, R13 - Resistor 1k/0,25W
R11, R15 - Resistor 2,2k/0,25W
R14 - Resistor 12k/0,25W
R17 - Resistor 560k/0,25W
R18 - Associao de dois resistor 3,3k+330/0,25W
R30 - Resistor 22k/0,25W
R31 - Resistor 2,7k/0,25W
Z1 - Diodo Zener 6,8V/0,5W
Z2 - Diodo Zener 7,5V/0,5W


45
Z3 - Diodo Zener 16V/0,5W


II.6.3 - Resultados de Simulao

De posse dos dados apresentados no item anterior, realizou-se algumas simulaes
mostradas a seguir.
Na figura II.23 v-se o comportamento da corrente de entrada no pior caso possvel,
ou seja, quando o circuito energizado exatamente no pico da senide da tenso de entrada.
Assim, pode-se observar o maior pico de corrente que os diodos da ponte retificadora podem ter
que suportar com um capacitor Co de 23,5uF (dois capacitores de 47F/250V associados em
srie). Sabendo-se que os diodos da srie 1N400X suportam surtos de at 33A de pico durante
8,3ms com temperatura de juno mxima, pode-se, atravs da simulao apresentada, concluir
que tais diodos esto perfeitamente adaptados ao funcionamento da estrutura. Dessa forma, pode-
se utilizar quatro diodos 1N4007 para constituir a ponte retificadora.

0.0ms 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms 6.0ms 7.0ms
15A
10A
5A
0A
-5A

Fig. II.23 - Corrente de Entrada Durante o Transitrio de Partida.



46
A figura II.24 apresenta a forma de onda da corrente na entrada do circuito, atravs
da qual pode-se observar que com a alta frequncia de comutao, os picos de corrente seguem
naturalmente a forma de onda da tenso de entrada.
4,0
3,0
2,0
1,0
0,0
-1,0
Fig. II.24 - Corrente na Entrada do Indutor Boost.

Na figura II.25 v-se a tenso no capacitor de sada, que ficou prxima aos 400V.
Este valor s no corresponde ao desejado porque a simulao apresentada foi realizada em
malha aberta, com razo cclica fixa.
20.0ms 20.5ms 21.0ms 21.5m
s
22.0ms
500V
400V
300V
200V
100V
0V

Fig. II.25 - Tenso no Barramento CC.

Finalmente na figura II.26 pode-se observar a tenso e a corrente de entrada da rede.
Pode-se observar que no h defasamento entre as duas grandezas, embora haja uma certa
distoro harmnica na corrente de entrada, como j era previsto.


47
8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms 22ms 24ms
400
200
0
-200
-400
Tenso
Corrente

Fig. II.26 - Tenso e Corrente na Entrada.

Apesar da existncia desta pequena distoro na forma da corrente (TDH28%), esta
no compromete o fator de potncia da estrutura, cujo valor obtido por simulao foi de 0,96.


II.7 - Resultados Experimentais

A partir de agora, so apresentados os resultados experimentais obtidos com o
prottipo, operando independentemente do circuito inversor de sada, alimentando uma carga
resistiva que corresponde a uma pequena sobrecarga de aproximadamente 10% da carga nominal,
a fim de se comprovar o princpio de funcionamento. A primeira aquisio feita pode ser
observada na figura II.27 onde possvel observar o sinal de gate do MOSFET.



48
Tempo(5us/div) Tenso(5V/div)
V
g

Fig. II.27 - Sinal de Comando do Mosfet.

Atravs da figura II.27 pode-se observar que no h aplicao de tenso negativa no
gate do MOSFET como foi proposto no item II.6.2, porque durante este experimento utilizou-se
uma fonte de 15V e modificou-se o circuito de comando.
Na figura II.28 pode-se observar o sinal de gate e a corrente no indutor boost durante
o pico da senide de entrada, que o caso crtico para garantir -se a conduo descontnua.
Tenso(5V/div)
Corrente(2A/div)
Vg
ILb
Tempo(5us/div)

Fig. II.28 - Tenso de Gate e Corrente no Indutor Boost.

Para que se possa observar com maior nitidez a descontinuidade da corrente no
indutor boost, a forma de onda desta corrente mostrada novamente na figura II.29.


49
Corrente (2A/div) Tempo(5us/div)
Fig. II.29 - Corrente no Indutor Boost.

Na figura II.30 novamente mostrada a corrente no indutor boost, porm em um
valor instantneo menor da senide da tenso de entrada a fim de se comprovar que exatamente
no pico da senide que se localiza o ponto crtico para se garantir descontinuidade da corrente.
Corrente(2A/div)
Tempo(5us/div)
Fig. II.30 - Corrente no Indutor Boost.

A figura II.31 mostra a corrente na entrada do boost, agora para o intervalo de tempo
correspondente a alguns semi-ciclos da rede. Atravs da figura II.24, pode-se comprovar a
validao dos resultados obtidos por simulao.


50
Corrente(2A/div)
Tempo(2ms/div)

Fig. II.31 - Corrente no Indutor Boost.

Nas figuras II.32 e II.33, so mostradas a tenso no interruptor e a corrente no
indutor boost em dois pontos distintos da senide de entrada. Como pode-se observar, quando a
corrente no diodo extingue-se, ocorrem oscilaes na tenso sobre o interruptor causadas pela
recuperao do diodo boost.

ILb
Vs
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(5us/div)

Fig. II.32 - Tenso no Transistor e Corrente em Lb.




51

ILb
Vs
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(5us/div)

Fig. II.33 - Tenso no Transistor e Corrente em Lb.


Na figura abaixo, v-se a variao da tenso na sada do boost, em funo da
variao da tenso da rede.
Vac
Vcc
Tenso(100V/div) Tempo(2ms/div)
Fig. II.34 - Tenso na Entrada e no Barramento CC.

Finalmente, na figura II.35, ve-se a tenso da rede e a corrente drenada pelo boost.
Como pode-se observar, devido sobrecarga aplicada ao circuito, o filtro de linha no consegue
filtrar com eficincia a alta frequncia proveniente de comutao do MOSFET Sb, porm, ainda
assim o circuito apresenta um desempenho satisfatrio.


52
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(2ms/div)
Iac
Vac

Fig. II.35 - Tenso e Corrente de Entrada


II.8 - Concluso



Neste captulo foi apresentada uma metodologia de projeto para um estgio de
entrada com correo de fator de potncia, o que reduz as harmnicas, melhorando assim a
qualidade da forma de onda da corrente solicitada do sistema eltrico.
A tcnica utilizada foi a do conversor boost em modo de conduo descontnuo.
Foram realizadas simulaes por computador e um prottipo foi implementado em laboratrio,
comprovando a validade da metodologia.
Tal tcnica mostrou-se bastante interessante para a potncia desejada e tem como
principais vantagens a simplicidade de comando e as pequenas perdas de comutao, j que as
perdas causadas pela recuperao do diodo boost so desprezveis.
As principais desvantagens so as maiores perdas de conduo devido ao valor de
corrente eficaz mais elevado e um menor fator de potncia total quando comparado aos resultados
que se pode obter com o boost operando em conduo contnua ou crtica.



53
CAPTULO III
ESTGIO INVERSOR


III.1 - Introduo

Os reatores convencionais que utilizam bobinas e ncleo magntico, operando a 60Hz
so os mais utilizados atualmente no mercado brasileiro. As principais desvantagens desses
dispositivos so as perdas excessivas, que oscilam entre 20% e 30% da potncia da lmpada, o
baixo fator de potncia de entrada e a ocorrncia do efeito estroboscpico.
Com o objetivo de sanar estes problemas surgiram os reatores eletrnicos, que ainda
apresentam outras caractersticas de grande interesse que sero discutidas no decorrer deste
captulo, onde tambm utilizada uma topologia para o estgio inversor do reator eletrnico para
duas lmpadas fluorescentes tubulares de 110W.


III.2 - Caractersticas Ideais Para um Reator Eletrnico

No captulo I foi feita uma breve anlise sobre o comportamento das lmpadas
fluorescentes tubulares de baixa presso operando em baixa e em alta frequncia, atravs da qual
conclui-se que as lmpadas apresentam um aumento considervel no fluxo luminoso quando
alimentadas em alta frequncia. Tambm foi visto que o aquecimento dos eletrodos possibilita a
partida em baixa tenso. conveniente lembrar que a tenso de ignio deve ser a mnima
necessria, pois tenses excessivas aceleram o desgaste dos eletrodos.
Quanto forma de onda da corrente na lmpada, esta deve ser a mais prxima
possvel de uma senide, tendo em vista que as correntes circulantes nas harmnicas de ordem
superior diminuem a vida til da lmpada [6], alm de interferir no funcionamento de outros
equipamentos.
Baseado no que foi exposto, pode-se determinar como sendo caractersticas ideais
para o reator eletrnico desejado:


54
01 - Apresentar pequeno volume e peso para diminuir a quantidade de material nas luminrias.
02 - Ser de baixo custo para poder concorrer com os sistemas tradicionais.
03 - Possuir as menores perdas possveis.
04 - Estabilizar a descarga da lmpada de maneira eficiente.
05 - Operar com alto fator de potncia.
06 - Propiciar uma partida rpida e sem cintilamento da lmpada.
07 - No apresentar rudo audvel.
08 - Operar em alta frequncia.
09 - Permitir a troca de lmpada com o circuito energizado.
10 - Ter isolamento galvnico entre o circuito e a carga.
11 - Operar normalmente uma nica lmpada, caso a outra chegue ao fim de sua vida til, ou
mesmo sem as duas lmpadas.


III.3 - Topologia Proposta

Baseado nas caractersticas supracitadas, escolheu-se dentre as configuraes
possveis (ver referncias [16], [26],[27], [28], [29] e [30]) a configurao meia ponte para o
inversor, por ser esta de tecnologia dominada e tambm bastante adaptada para trabalhar com
potncias da ordem de 50 a 500W. O estgio de potncia de tal estrutura pode ser observado na
figura III.1.
E
S
2
1
D C
m1
I
ab
F
I
L
T
R
O
L

M
P
S
1
D
2
C
m2
C
b
Trafo
b a
V
ab

Fig. III.1 - Circuito de Potncia do Inversor.


55
No circuito apresentado na figura III.1, identifica-se:
E - Fonte de alimentao CC.
S
1
,S
2
- Transistores de potncia.
D
1
,D
2
- Diodos de roda livre.
C
m1
,C
m2
- Capacitores de ponto mdio.
C
b
- Capacitor ballast.
Trafo - Transformador para isolamento galvnico e adequao da tenso de partida da lmpada.
LMP - Lmpada de descarga fluorescente.
FILTRO - Filtro de harmnicas.
Tendo sido escolhida a topologia, pode-se observar ainda atravs da figura III.1 a
presena do capacitor ballast C
b
, cuja funo propiciar uma queda de tenso adequada, de
modo a estabilizar e limitar a corrente na lmpada aps a sua ignio, j que antes disso
praticamente no h circulao de corrente. A princpio, qualquer elemento passivo pode realizar
estas funes, porm o capacitor adotado por ser pequeno, econmico e no apresentar perdas
por aquecimento.
O uso deste capacitor traz como grande inconveniente o fato de que da forma como
representada a estrutura, tem-se uma corrente de carga com caracterstica capacitiva, ou seja, tem-
se uma corrente adiantada em relao tenso, o que por sua vez provoca sobretenses nos
MOSFETs no momento em que se processam seus bloqueios, j que durante o processo de roda
livre a corrente de carga circula pelos diodos intrnsecos dos MOSFETs que possuem
caracterstica de comutao dissipativa. Para solucionar este problema foram propostas duas
tcnicas, que sero expostas no decorrer deste captulo. A primeira delas consiste na utilizao de
um indutor L
C
, aqui denominado indutor de comutao suave (figura III.2), que com um valor
ajustado adequadamente, torna a corrente I
ab
atrasada em relao tenso V
ab
, propiciando dessa
forma uma comutao do tipo ZVS nos interruptores. A comutao ZVS ainda vantajosa na
medida em que reduz o nvel de interferncia eletromagntica e de rdio interferncia [6].


56
E
S
D C
1
2
m1
m2
I
V
ab
f
Lc
L
c
b
S
1
D
2
1
C
2
C
C
a
ab
I
I
C
b
F
I L
T
R
O
L
M
P
Trafo

Fig. III.2 - Circuito de Potncia do Inversor Usando Indutor Lc.

Onde :
L
c
- Indutor de comutao suave.
C
1
, C
2
- capacitores de ajuda a comutao.


III.3.1 - Anlise Quantitativa e Qualitativa

A anlise feita iniciando-se com a apresentao das etapas de operao e das
principais formas de onda.
Sero feitas algumas consideraes a fim de simplificar a anlise da estrutura:
a) O conversor est operando em regime permanente.
b) Os capacitores C
m1
e C
m2
so considerados como uma fonte de tenso constante e igual a E/2.
c) Todos os semicondutores so ideais. Seus tempos de comutao e elementos parasitas so
desprezados, as resistncias de bloqueio so infinitas e as de conduo so nulas.
d) O transformador ideal.
e) A corrente I
ab
constante durante o perodo de comutao.
f) O filtro se comporta como uma fonte de corrente senoidal.



57
Sero descritas as etapas de operao para meio perodo de funcionamento da
estrutura, j que o mesmo simtrico. Os estados topolgicos das etapas de operao podem ser
vistos na figura III.3.
Na primeira etapa (figura III.3a), o diodo D
1
conduz a corrente I
ab
. O MOSFET S
1

comandado, porm s entrar em conduo quando houver inverso no sentido da corrente.
Durante este intervalo : V
S1
=0, V
S2
=V
C2
=E, V
ab
=E/2.
Na etapa seguinte (figura III.3b), aps a inverso na corrente I
ab
, ocorre o bloqueio
natural do diodo D
1
e o MOSFET S
1
entra em conduo sob tenso nula, caracterizando assim a
comutao ZVS. Durante este intervalo : V
S1
=0, V
S2
=V
C2
=E, V
ab
=E/2.
Finalmente a ltima etapa que est representada na figura III.3c, inicia-se quando o
transistor S
1
comandado a bloquear, assim a corrente que circulava por S
1
imediatamente
transferida para os capacitores C
1
e C
2
. A tenso sobre o capacitor C
1
cresce linearmente de 0
at E, enquanto a tenso sobre o capacitor C
2
decresce na mesma proporo de E at 0. Esta
etapa dura at o instante em que finaliza este semi-ciclo. A corrente I
ab
neste instante deve ser
suficientemente grande para assegurar uma transio completa de tenses nos capacitores. Durante
esta etapa ocorre tambm a inverso da polaridade da tenso V
ab
. O semi-ciclo seguinte inicia-se
quando as correntes no capacitores C
1
e C
2
se anulam, transferindo assim a corrente para o diodo
D
2
e repetindo-se todo o processo.
(a) (b) (c)
V
I
+
+
_
_
+
_ V
+
_
+
_
+
_
I
E/2
E/2
E/2
E/2
+
_
+
_
V
+
_
I
E/2
E/2
ab
ab
ab
ab
ab
ab
V
c1
V
c2
V
c1
V
c1
V
c2
V
c2
S
1
D
1
S
2
D
2
S
1
S
1
S
2
S
2
D
1
D
1
D
2
D
2
Fig. III.3 - Etapas de Operao do Circuito Inversor Usando Indutor de Comutao Suave
Para Meio Perodo de Funcionamento.
As principais formas de onda que representam o funcionamento da estrutura so
apresentadas na figura III.4.


58
IS1(t)
IS1
ID1(t)
ID1
Corrente no transistor S1
Corrente no diodo D1
VC1(t)
VC2(t)
Tenso nos capacitores de ajuda Comutao
VC2 VC1
IC1(t)
IC2(t)
IC2
IC1
Corrente nos capacitores de ajuda Comutao
Vab
Iab
Vab
Iab
E/2
-E/2
Comando do transistor S1
. .
. . .
t1' t1''
t1 t2 t3
t
Tenso e corrente entre os pontos "a" e "b"

Fig. III.4 - Principais Formas de Onda Para Meio Perodo de Funcionamento do Inversor.

Como pode ser visto na figura III.5, a corrente I
ab
fornecida pelo inversor pode ser
decomposta em duas outras correntes distintas; a corrente I
f
que atravessa o filtro em direo


59
carga e a corrente I
Lc
que atravessa o indutor de comutao suave. A corrente I
Lc
est atrasada em
relao tenso V
ab
e a corrente I
f
est adiantada em ralao V
ab
, haja visto que a carga tem
caracterstica capacitiva pela contribuio de C
b
.
V
ab
I
Lc
I
f
c
j
0
p 2p

Fig. III.5 - Correntes If e ILc referidas no tempo pela tenso Vab.

A funo que representa a onda triangular (I
Lc
(t)), em srie de Fourier :

f t A
n
nwt
n
( ) cos

8 1
2
1

(3.1)
Onde:
n = ordem da harmnica (somente mpar)
A = amplitude da onda
w= frequncia angular [rad/s]
Deste modo, a corrente I
Lc
fica definida no tempo por:
i t
I
wt wt wt
Lc
Lcmax
( ) cos cos cos .. .

+ +

_
,

8
1
9
3
1
25
5
2

(3.2)

Onde a corrente I
Lcmax
dada por:


60
I
E
L f
A
Lc
c s
max
[ ]
8
(3.3)

Onde:
f
s
- freqncia de comutao [Hz]
L
c
- indutncia de comutao suave [H]
E - tenso de alimentao [V]
A corrente I
ab
fica ento definida no tempo como:

i t i t i t
ab f Lc
( ) ( ) ( ) + (3.4)

i t I wt
I
wt wt wt
ab fmax c
Lc max
( ) sen( ) cos cos cos . .. +

+ +

_
,

8
1
9
3
1
25
5
2
(3.5)

Onde :

c
= ngulo de defasagem da carga [rad/s]


III.3.2 - Descrio dos Componentes do Inversor

Neste item feita uma anlise da funo de cada um dos componentes constituintes do
inversor proposto utilizando o indutor de comutao suave L
C
.



61
III.3.2.1 - Capacitor Ballast

O capacitor ballast usado com a finalidade de propiciar uma queda de tenso
adequada, realizando assim a estabilizao do funcionamento da lmpada e limitando a corrente
que circula atravs da mesma aps sua ignio. Como j foi citado anteriormente, qualquer
elemento passivo poderia ser utilizado para realizar esta funo, mas opta-se pelo uso do capacitor
porque ele apresenta algumas vantagens com relao aos outros componentes que poderiam
substitu-lo [6].
O valor da queda de tenso no capacitor ballast deve ser:
V V V
b ig L
(3.6)
Onde :
V
b
: queda de tenso no capacitor [V]
V
ig
: tenso de ignio da lmpada [V]
V
L
: tenso nominal de operao da lmpada [V]

As tenses de ignio e de operao variam conforme o tipo e a potncia da lmpada.
Para as lmpadas de 110W operando em 60Hz, a tenso de ignio pode aproximar-se dos 500V
eficazes. Quando a lmpada alimentada em alta frequncia, sua tenso de ignio fica entre 250V
e 350V, estando os eletrodos pr-aquecidos/no pr-aquecidos. Segundo a NBR 5115 [2], a
tenso sobre as lmpadas de 110W deve ficar entre 135 e 165V e a corrente nominal deve ser de
800mA.
Substituindo-se V
b
na equao (3.6) pelos parmetros do circuito e isolando-se o
valor de C
b
, chega-se a:
C
ws R
V
V
b
L
ig
L

1
1
2
2
(3.7)
Onde :
R
L
: resistncia equivalente da lmpada []
ws : frequncia angular de comutao[rad/s]



62
III.3.2.2 - Capacitores de Ajuda a Comutao

Durante o intervalo t
3
representado na figura III.4, o circuito pode ser representado
pela Figura III.6. Como esta etapa muito rpida (ns), devido frequncia de comutao e os
valores das capacitncias envolvidas, pode-se considerar a corrente I
ab
constante.

I
c1
I
c2
E
E
0
0
E/2
E/2
I
ab
(t3)
1
2
C
C

Fig. III.6 - Circuito Equivalente Para o Intervalo t
3
.

O dimensionamento de C
1
e C
2
dado por:
C C
I t t
E
ab
1 2
3 3
2
>

( )
(3.8)

Onde:
I
ab
(t
3
) - valor da corrente I
ab
no instante t
3


III.3.2.3 - Capacitores de Ponto Mdio

Como o prprio nome diz, os capacitores de ponto mdio, so capacitores divisores
de tenso utilizados a fim de que se possa obter o funcionamento da estrutura. Mais informaes
sobre o dimensionamento destes capacitores podem ser obtidas na referncia [6].
O valor das capacitncias necessrias dado por:

C C
I t
V f
m m
ab
s
1 2
3
8


( )

(3.9)
Onde :


63
V : variao da tenso mdia sobre o capacitor.


III.3.2.4 - Filtro de Harmnicas

Para a escolha da topologia ideal para o filtro, diversos fatores devem ser levados em
conta, porm os principais so:
1
o
- Uma boa atenuao das harmnicas de ordem superior, principalmente a de 3
a
ordem, haja
visto que na entrada do filtro tem-se uma forma de onda quadrada sem modulao. Como foi
abordado anteriormente, quanto mais livre de harmnicas estiver a corrente da lmpada, maior ser
a sua vida til.
2
o
- Garantia de uma tenso constante mesmo com a variao da carga. Esta caracterstica
fundamental para que em sistemas com vrias lmpadas, na falta de uma delas, as restantes operem
normalmente e, ainda, quando uma lmpada chegar ao fim de sua vida til tenha-se a possibilidade
de substituio com o circuito energizado. Isto acarreta num maior conforto ao usurio, que no
corre o risco de fic ar em ambiente mal iluminado e, ainda, reduz o tempo de manuteno.
Estes aspectos demonstram que o filtro tem uma funo primordial no desempenho da
topologia proposta. Maiores detalhes sobre topologias de filtros podem ser observadas na
referncia [24] e especificamente sobre o filtro adotado neste trabalho na referncia [6].
A topologia proposta vista na figura III.7. Trata-se de um filtro LCLC srie -paralelo,
que atende as caractersticas desejadas e, ainda, tem-se a vantagem de poder usar a indutncia de
magnetizao do transformador como elemento do filtro.


L
C
C L R
eq
s s
p p

Fig. III.7 - Topologia do Filtro de Harmnicas.



64
A funo de transferncia do filtro dada pela equao (3.10) :


( )
V s
V s
L C S
C L L C S
L C L
R
S L C C L L C S
L
R
S
o
i
p s
s s p p
p s s
eq
p p s s p s
p
eq
( )
( )

+ + + + + +
2
4 3 2
1
(3.10)
Onde:
L
S
- indutor do ramo srie [H]
C
s
- capacitor do ramo srie [F]
L
p
- indutor do ramo paralelo [H]
C
p
- capacitor do ramo paralelo [F]
R
eq
- resistncia de carga equivalente []


O ganho de tenso do filtro dado pela expresso abaixo.
G
V S
V S
x
w
w
Q
w
w
o
i
r

_
,

1
]
1
+

_
,

( )
( )
1
1 2
1 1 1
2
2
2
2
2
(3.11)

Onde:
V
i
o valor da fundamental da tenso de sada.
V
o
o valor da fundamental da tenso de entrada. Como tem-se uma onda quadrada de amplitude
E/2, V
o
fica definido por:
V
E
0
2
2

(3.12)
Q o fator de qualidade do filtro dado por:
Q= w C R
s eq r
(3.13)
x
r
a relao entre os elementos dos ramos, dada por:


65
x
L
L
C
C
r
s
p
p
s
(3.14)
w a relao entre a frequncia angular de comutao e de ressonncia:
w
w
w
s
r
(3.15)
w
r
dada por:

w
L C
rad s
r
s s

1
[ / ]
(3.16)
O percentual de distoro das harmnicas de ordem superior dado por:
H
V nS
V S
x
w
w
Q
w
w
x
n w
w
Q
nw
nw
n
n
o
o
r
r
%
( )
( )

_
,

1
]
1
+

_
,

_
,

1
]
1
+

_
,

1 2
1 1 1
1 2
1 1 1
100
2
2
2
2
2
2 2
2
2
2
2
(3.17)

Atravs das equaes (3.11) e (3.17) pode-se traar os bacos das figuras III.8 a
III.11.
Atravs do baco da figura III.8, pode-se observar que, operando com w=1, ou seja,
a frequncia de comutao igual frequncia de ressonncia do filtro (w
s
= w
r
), mesmo com uma
grande variao de Q, o ganho de tenso do filtro continua sendo unitrio. Assim, pode-se manter
a tenso constante na sada do filtro mesmo variando-se a carga.


66

G

x =0,5 - constante
Q=1,2
0,8
0,6
0,4
r

Fig. III.8 - Relao Entre Ganho de Tenso e w.

G

Q=0,6 - constante
x =0,9
0,7
0,5
0,3
r

Fig. III.9 - Relao Entre Ganho de Tenso e w.


67
H (3)%
w
x =0,5 - constante
Q=0,4
0,6
0,8
1,2
n
r

Fig. III.10 - Relao Entre Percentual de Distoro Harmnica e w.

H (3)%
w
Q=0,6 - constante
x =0,3
0,5
0,7
0,9
n
r

Fig. III.11 - Relao Entre Percentual de Distoro Harmnica e w.

importante salientar que tal filtro, quando operando com w
r
=1, no afeta a fase da
corrente que o atravessa.


68
III.3.2.5 - Transformador

Na topologia proposta na figura III.1, o transformador responsvel por cinco
funes distintas:
1 - Realiza o isolamento galvnico entre o circuito de potncia e a carga.
2 - Adapta a tenso disponvel na sada do filtro de harmnicas tenso necessria para realizar a
ignio da lmpada.
3 - Sua indutncia magnetizante aproveitada como um elemento do filtro de harmnicas, como
ser visto mais adiante.
4 - Possibilita a ligao de mais de uma lmpada atravs da adio de enrolamentos secundrios,
tantos quantos forem necessrios, havendo assim independncia de funcionamento das lmpadas.
5 - Atravs de enrolamentos auxiliares, o transformador pode fornecer a tenso necessria para o
aquecimento dos eletrodos da lmpada e para a fonte de comando dos interruptores.


III.3.2.6 - Dimensionamento do Indutor de Comutao Suave (ZVS)

Da equao (3.5), o valor de L
c
, para que a corrente I
ab
tenha caracterstica indutiva,
deve ser tal que, para i
ab
(t)=0 wt>0. Assim, fazendo-se uma composio das equaes (3.5) e
(3.3) e isolando-se L
c,
chega-se a:
L
E wt wt wt
I wt f
c
fmax c s

+ +

_
,

+
cos cos cos
sen( )
1
9
3
1
25
5
2

(3.18)
I
f max
a corrente de carga referida ao lado primrio do transformador. Assim:
I
I
a
f
c a
max
arg

2
(3.19)
Onde:
a : relao de transformao.
Desta maneira a indutncia L
C
fica caracterizada pelos parmetros do circuito e em
funo apenas de wt. O seu valor ser crtico quando para i
ab
(t)=0 wt=0. Neste caso,


69
substituindo-se o valor de wt=0 (ngulo crtico) na equao (3.18), encontra-se o valor da L
c

crtica:
L
E
I sen f
c
crtica
f c s

1 15
2
,
max

(3.20)


III.3.2.7 - Corrente Eficaz nos Transistores

Antecipando-se ao critrio de escolha dos componentes do circuito, consideram-se os
transistores S
1
e S
2
como transistores MOSFETs. Assim a corrente que atravessa esses
transistores a soma de I
s1
e I
d1
, pois, os MOSFETs possuem um diodo intrnseco em anti-
paralelo.
A contribuio das harmnicas de ordem superior na corrente eficaz dos interruptores
muito pequena. Portanto, a contribuio de I
Lc
na corrente eficaz dada principalmente pela sua
fundamental, que segundo a equao (3.2) est sob a forma:
i t
I
wt
Lc
Lcmax
( )
( ) cos
1 2
8

(3.21)
A corrente sobre os transistores fica ento expressa da seguinte maneira:
i t i t i t I wt
I
wt
s Lc f fmax c
Lcmax
( ) ( ) ( ) sen( ) cos
( )
+ +

1 2
8

(3.22)
A corrente eficaz dada por:

Is I wt
I
wt dwt
ef fmax
Lcmax
c
+

_
,

1
2
8
2
2
0

sen( ) cos
(3.23)
Desenvolvendo a equao (3.23) chega-se a:
Is I I I I sen ef
f Lc f Lc c
+
1
2
64 16
2
2 4 2 2

max max max max
(3.24)




70
III.4 - Metodologia de Projeto Usando Indutor de Comutao
Suave

Para determinar todos os componentes do circuito inversor utilizando a estrutura aqui
proposta, deve-se:

1 - Encontrar o ponto de Operao da Lmpada (V
L
e I
L
), a fim de calcular a resistncia
equivalente R
L
.
2 - Calcular o valor do capacitor ballast.
3 - Calcular o ngulo de deslocamento da carga.
4 - Calcular os parmetros do transformador.
5 - Calcular o indutor L
C
.
6 - Calcular os valores dos elementos do filtro.
7 - Dimensionar os interruptores.
8 - Dimensionar os capacitores de ponto mdio e de ajuda comutao.


III.5 - Projeto de um Prottipo Usando Indutor de Comutao
Suave e Simulao por Computador

Seguindo os passos indicados no item anterior, inicia-se determinando em laboratrio
os valores de corrente e de tenso na lmpada para o ponto de operao na potncia nominal.
Assim, sabendo-se que para a lmpada a ser alimentada, V
L
=135V e I
L
=800mA, tem-se:
R
V
I
L
L
L
16875 , (3.25)

Para que se possa determinar o valor do capacitor ballast, deve-se antes arbitrar o
valor da frequncia de comutao a ser utilizada no inversor. Existe uma tendncia mundial em
operar os reatores eletrnicos numa faixa entre 20kHz e 50kHz. Esta faixa de frequncia
bastante extensa porque as caractersticas de desempenho da lmpada no mudam em alta


71
frequncia, porm, segundo a referncia [31], deve-se evitar a faixa entre 33kHz e 45kHz porque
a operao de reatores eletrnicos nestas frequncias, em ambientes onde existam aparelhos com
controle remoto por infravermelho, pode causar interferncia nos comandos do controle remoto, j
que este aparelhos costumam trazer um ou dois filtros na entrada do seu sensor infravermelho
sintonizados nessas frequncias. Baseado nisso, escolheu-se a frequncia de 20kHz e, assim,
pde-se calcular o valor do capacitor ballast conforme a equao (3.7):

C
b


1
2 20000 168 75
310
135
1
2
2
,


C nF
b
22 813 ,


Calculado C
b
, pode-se calcular o ngulo de defasamento entre a tenso V
ab
e a
corrente I
f
(ver figura III.5):

c
b L
tg
ws C R

_
,

1
1
(3.26)

c
o
112 64 1 , ,

Seguindo os passos indicados no item anterior, deve-se agora calcular os parmetros
do transformador, para tanto, necessita-se dos seguintes dados:

S
t
[VA] : potncia aparente nominal.
f
s
[Hz] : frequncia nominal de operao.
T [
o
C] : variao de temperatura estimada.
V
s1
=V
s2
[V] : tenso nos enrolamentos dos secundrios principais.
V
a1
=V
a2
=V
a3
=V
a4
[V] : tenso nos enrolamentos de aquecimento dos eletrodos.
V
aux
[V] : tenso no enrolamento da fonte de comando.

A potncia aparente do transformador (S
t
) dada pelo somatrio das potncias de
todas as sadas, assim:
S V I V I VA
S S L ig L
310 0 8 248 , (3.27)


72

S V I VA
a e e
3 0 0 3 0 9 , , ,
(3.28)

S V I VA
aux aux aux
26 0 350 9 1 , ,
(3.29)
Onde :
S
S
: potncia em um dos enrolamentos secundrios principais.
V
S
: tenso em um dos enrolamentos secundrios principais, que deve fornecer a tenso de ignio
da lmpada.
S
a
: potncia entregue aos eletrodos para realizar o aquecimento dos mesmos.
V
e
: tenso para aquecimento dos eletrodos.
I
e
: corrente para aquecimento dos eletrodos.
S
aux
: potncia da fonte de comando.
V
aux
: tenso fornecida ao circuito de comando.
I
aux
: corrente drenada pelo circuito de comando.

S S S S VA
t s e aux
+ + 2 4 508 7 ,
(3.30)
Adota-se fator de utilizao ke=0,3, densidade de fluxo magntico B=0,20T e
densidade de corrente J
max
=300A/cm
2
; assim:
AeAw
S
ke J f B
t
s

10
2
4
max
(3.31)
AeAw cm 7 065
4
,
Assim sendo, adotou-se o ncleo EE 55 - IP6 da THORTHON, cujos dados so
mostrados a seguir:
Ae =3,54cm
2
Aw =2,50cm
2
AeAw = 8,85cm
4


Atravs da equao (3.12), chega-se ao valor da tenso eficaz no primrio do
transformador:

V V
p

2 400
2
180 06

,


De posse destes dados pode-se calcular o nmero de espiras dos enrolamentos:
Np
Vp
Ae B fs

10
2
4
(3.32)

Np esp 63



73

Ns Ns Np
Vs
Vp
1 2
1
(3.33)

Ns Ns esp 1 2 108


Na Np
Va
Vp
(3.34)

Na esp 1


Naux Np
Vaux
Vp
(3.35)

Naux esp 10


A relao de transformao dada por:
a
Vp
Vs

1 2
180 06
310
0 581
,
,
, (3.36)
Para evitar perdas excessivas nos enrolamentos devido ao efeito skin, deve-se
calcular o nmero de condutores que compor cada espira. Adota-se ento um condutor com um
dimetro correspondente ao dobro da profundidade de penetrao, assim:

7 5 7 5
20000
0 053
, ,
,
fs
(3.37)

Itotal IL Ie Iaux A + + ( ) , , 2 4 0 581 5 5
(3.38)
Conciliando a profundidade de penetrao com a capacidade de corrente do
condutor, optou-se pelo fio 22AWG, sendo usados dois fios no enrolamento primrio e apenas um
nos demais enrolamentos. Desta forma procede-se o clculo das perdas envolvidas. Inicialmente
calcula-se as perdas nos enrolamentos que compem o transformador :
Pcup
R Np lm i
Nf
W
c efp
p

_
,

2
2
0 0007 63 116
0 92
0 581
2
0 641
, ,
,
,
, (3.39)
Pcus
R Ns lm i
Nf
W
c efs
s

2
2
0 0007 108 116 0 92
1
2 148
, , ,
, (3.40)


74
Pcua
R Na lm i
Nf
W
c efa
a

2
2
0 0007 1 11 6 0 3
1
4 0 002
, , ,
, (3.41)
Pcuaux
R Naux lm i
Nf
W
c efaux
aux

2
2
0 0007 10 11 6 0 35
1
0 09
, , ,
, (3.42)
Onde:
Pcuk : perdas nos enrolamentos.
Rc : resistncia trmica do fio escolhido.
Ni : nmero de espiras.
lm : comprimento mdio de uma espira.
iefi : corrente eficaz que atravessa o enrolamento
Nfi : nmero de fios por espira.

Agora calcula-se as perdas no ncleo:

Pmag cm fs B Vn W
x y

_
,

69 63 20000
0 20
2
42 50 10 1 45
1 18
2 34
6
,
,
, ,
,
,
(3.43)
Onde :
Pmag : perdas relativas no ncleo.
cm, x, y : constantes referentes ao tipo de material que compem o ferrite (ver referncias [23] e
[32])
Vn : volume do ncleo.
Agora, de posse das perdas totais no ncleo, pode-se determinar a variao na
temperatura do transformador.
Ptot=3,663W
Rc AeAw C W

23 10 26
0 37 0 ,
, / (3.44)
T Rc Ptot C
o
37 5 , (3.45)
Onde :
T : variao de temperatura estimada
Como a indutncia magnetizante do transformador, referida ao primrio, um
elemento do filtro de harmnicas, este deve ser construdo antes do projeto do filtro.
Afim de obter-se o menor volume de filtro, pode-se inserir um pequeno entreferro no
transformador, reduzindo-se assim o valor necessrio para L
s
, porm, isto traz como consequncia


75
um aumento na corrente magnetizante do trafo. No prottipo implementado, este artifcio no foi
adotado. O valor de indutncia magnetizante medida foi:
Lp=14,8mH
Para o clculo da resistncia de carga equivalente (Reqc), opta-se como critrio de
simplificao, a carga como uma resistncia pura, referida ao primrio do transformador. Assim :
Reqc=55,6
Desejando-se uma distoro harmnica em torno de 4% e sintonizando a frequncia
de ressonncia na frequncia de comutao (w=1), tem-se:
xr=0,2 Q0,15
L xr L mH
s p
2 96 , (3.46)
C
ws L
nF
s
s

1 1
2 20000 2 96 10
21 39
2 2 3
( ) ,
,

(3.47)
Da equao 3.10 obtm-se a relao entre os elementos que compem o filtro, ento:
C C xr nF
p s
4 27 , (3.48)
Q C ws R
s eqc
0 145 ,
Dessa forma, os elementos do filtro ficam definidos:
Lp = 14,8mH
Ls = 2,96mH
Cp = 4,27nF
Cs = 21,39nF
Para o clculo do indutor de comutao suave, parte-se da equao (3.20), atravs
da qual pode-se calcular o valor da indutncia crtica.
L critica
sen
H
C




115 400 0 581
0 8 2 2 11398 20000
606
2
, ,
, ,


Adotando-se um atraso de 1s na corrente i
ab
(t) em relao a tenso V
ab
(t). Da
equao (3.18), calcula-se o valor de L
C
:

L H
C
619

Adotar-se- um indutor de 500H.
Quanto ao dimensionamento dos transistores, optou-se pelo uso do tipo MOSFET, j
que assim pode-se fazer uso de suas caractersticas intrnsecas, ou seja, pode-se aproveitar o fato


76
do transistor MOSFET possuir um diodo intrnseco e uma capacitncia parasita entre dreno e
source. Isto posto, so dados necessrios para o seu dimensionamento a corrente eficaz que o
atravessa, a corrente de pico e a mxima tenso reversa.
A mxima corrente eficaz no transistor dada pela equao (3.24):
Is sen mA
ef

+
1
2
389 64 5 16 5 3 89 112 890
2 4 2 2

, , ( . )


Como o circuito proposto apresenta uma caracterstica atpica, onde a corrente eficaz
nos transistores maior vazio, do que a plena carga, faz-se necessrio o clculo da corrente para
este ponto de operao (maiores detalhes podem ser vistos na referncia [6]).
Is
IL
A
ef
c

max
,
6
2 04

A corrente de pico mxima ocorre quando o circuito estiver sem carga, quando a
corrente de pico no transistor ser a mesma do indutor de comutao suave, assim:
Isp= 5,0A
E, finalmente, determina-se a tenso reversa mxima, que em condies normais de
operao no deve superar a tenso de barramento CC preestabelecida.
Com estes dados, por disponibilidade de componentes, optou-se pelo uso do
transistor MOSFET IRFP460 com as seguintes caractersticas:
Corrente de dreno mdia(T
j
= 25C) - I
D
= 20A
Tenso reversa : 500V
Resistncia de conduo (110C) -R
ds :
0,47
Resistncia trmica juno-cpsula - R
jc
: 0,45C/W
Resistncia trmica cpsula-dissipador - R
cd
: 0,24C/W
Resistncia trmica juno-ambiente - R
ja
: 40C/W
Capacitncia de sada - C
oss
: 870pf
Para a clculo das perdas nos transistores pode-se dividi-las em duas partes: as
perdas de conduo e de comutao.
A perda em conduo dada por:
P
t
T
R I W
cond
on
ds D

2 2
0 5 0 47 2 04 1 , , , (3.49)


77
Onde :
P
cond
: perda em conduo(W).
t
on
: tempo de conduo do transistor (s).
T : perodo de comutao.
ID : corrente de dreno
Este clculo feito considerando-se a razo cclica igual 0,5 durante o pior caso
para o transistor (circuito vazio).
A perda de comutao dada pela equao (3.50). Como a comutao do tipo
ZVS, releva-se somente as perdas no bloqueio. Considerando-se o tempo de bloqueio superior ao
tempo estipulado em catlogo devido ao atraso introduzido pelo circuito de comando, tem-se :
P
f
t I E W
comut
s
r D

2
2 1 , (3.50)
Onde :
t
r
: tempo de bloqueio do MOSFET.
A perda total para cada transistor dada por:
P P P W
s cond comut
+ 3 1 , (3.51)

A resistncia trmica entre a juno e o ambiente tem seu valor mximo dado por:
R
t t
P
ja
j a
s

(3.52)
Onde:
t
j
: Temperatura de juno do componente
t
a
: Temperatura ambiente.

Considerando o fato de que o reator deve ficar dentro de um caixa metlica fechada,
adota-se uma temperatura ambiente ta=50C e a temperatura de juno de 110C. Dessa forma:
R
ja
=19,35C/W.

Como este valor menor que a resistncia trmica juno-ambiente do componente,
opta-se por usar um pequeno dissipador por medida de segurana, mesmo sabendo-se que o


78
transistor em questo poderia operar com uma temperatura de juno maior que a estipulada no
projeto.
No sendo alvo do estudo aqui apresentado, o clculo do dissipador ser omitido. O
dissipador a ser utilizado dever possuir uma resistncia trmica menor ou igual a 18,66C/W.
Optou-se ento por um pequeno dissipador fabricado pela Fischer Elektronik, modelo SK129,
cuja resistncia trmica Rda=4,83871C/W.
Finalmente, calcula -se os capacitores de ponto mdio e de ajuda comutao.
Com a ajuda da equao (3.9) e adotando-se um valor de V=2V, chega-se a :
C C F
m m 1 2
0 52
8 2 50000
1 6 >


,
,
Adota-se o valor comercial de :
C
m1
=C
m2
=2,2F/400V.
Para os capacitores de ajuda comutao, com o auxlio das equaes (3.5) e (3.8),
considerando-se t
3
mnimo igual ao tempo de bloqueio dos transistores :
C1 = C2 = 36pF
Como a capacitncia de sada do MOSFET maior que este valor, fica dispensado o
uso de capacitores auxiliares.


III.5.1 - Dimensionamento Fsico dos Indutores

Para o clculo do indutor LS, deve-se inicialmente calcular as corrente eficaz e de pico
no indutor. A corrente eficaz a mesma do primrio do transformador, dada por:
IL
S
V
A
Sef
t
p
4 71 , (3.53)
Como a forma de onda senoidal, a corrente de pico fica determinada por:
IL IL A
s p sef
2 6 66 , (3.54)

Adotando-se : B=0,3(T) , J
max
=300(A/cm
2
) e Kew=0,6 , assim:
AeAw
L IL IL
B J kew
s S p S ef
max

10
4
(3.55)


79
AeAw cm 1719
4
,

Assim, adota-se o ncleo EE65/26 - IP6 da THORTHON, cujos dados so os
seguintes:
AeAw=19,68cm
4
Ae=5,37cm
2
Aw=3,7cm
2


Agora, de forma anloga ao indutor boost calculado no item II.6.1, calcula-se o
nmero de espiras e o entreferro necessrios na construo do indutor. Dessa forma obtm-se:
N
LS
=126esp e Lg
LS
=0,0028 cm, usando-se 4 condutores 22AWG por
espira.
Procedendo-se de forma anloga ao clculo do indutor L
S
, pode-se calcular as
caractersticas fsicas do indutor de comutao suave, levando-se em considerao os seguintes
aspectos:
- a corrente de pico dada pela equao (3.3);
- sendo a corrente neste indutor uma corrente triangular, o seu valor eficaz dado por :
ILc
ILc
ef
p

3
(3.56)

Desta forma chega-se ao indutor L
C
que ser construdo usando um ncleo EE42/15
IP6 da THORTHON, com um entreferro de 0,003cm, no qual sero enroladas 72 espiras
compostas de 2 fios de bitola 22 AWG.


III.5.2 - Resultados de Simulao

Com as simulaes realizadas, cujos resultados so mostrados a partir de agora,
busca-se comprovar a metodologia proposta para o equacionamento da topologia. Na figura III.12
pode-se observar o comportamento da tenso e da corrente sobre as lmpadas, onde percebe-se
uma linearidade que no corresponde exatamente realidade, j que foi utilizado o modelo resistivo
para a lmpada.


80
1.00ms 1.05ms 1.10ms 1.15ms
200
0
-200
1.20ms
V
L
Tempo
1.00ms 1.05ms 1.10ms 1.15ms
200
0
-200
1.20ms
V
L
I x 30
L
I x 30
L

Fig. III.12 - Corrente e Tenso nas duas Lmpadas.

Nas figuras III.13 e III.14 v-se respectivamente, as tenses de entrada e de sada do
filtro e a seguir a tenso e a corrente de sada do filtro. Pode-se aqui destacar a qualidade da
tenso de sada do filtro.


1.00ms 1.05ms 1.10ms 1.15ms
300V
200V
100V
-0V
-100V
-200V
-300V
V
p
ab
V
1.20ms
Tempo
Fig. III.13 - Tenses Antes e Aps o Filtro de Harmnicas.




81
1.00ms 1.05ms 1.10ms 1.15ms
300
200
100
0
-100
-200
-300
1.20ms
Tempo
V
p
I x 30
f

Fig. III.14 - Tenso e Corrente na Sada do Filtro.

Na figura abaixo tem-se a tenso e a corrente na transistor S1, onde a conduo do
diodo em anti-paralelo com o transistor fica evidenciada, garantindo dessa forma uma comutao
do tipo ZVS.
1.00ms 1.02ms 1.04ms 1.06ms 1.08ms 1.10ms
Tempo
500
400
300
200
100
0
-100
V
S1
I x 30
S1

Fig. III.15 - Tenso e Corrente no Transistor S1.

Na figura III.16 observa-se a tenso e a corrente entre os pontos a e b.


82
1.42ms 1.44ms 1.46ms 1.48ms 1.50ms
Tempo
200
100
-0
-100
-200
V
I x 30
ab
ab

Fig. III.16 - Tenso e Corrente Entre os Pontos a e b.

A partir de agora, so mostrados resultados de simulao com o circuito operando
com apenas uma das lmpadas. Na figura III.17 pode-se observar que a lmpada restante continua
operando normalmente.
3.70ms 3.75ms 3.80ms 3.85ms 3.90ms 3.95ms 4.00ms
Tempo
200
100
0
-100
-200
V
I x 30
L
L

Fig. III.17 - Tenso e Corrente na Lmpada Com Meia Carga.

Na figura III.18, observa-se a corrente no transistor S1, que mantm seu
comportamento normal.


83
1.75ms 1.80ms
Tempo
0.000A
-4.290A
4.208A
I
S1

Fig. III.18 - Corrente no Transistor S1 Com Meia Carga.

Nas figuras III.19 e III.20, v-se, respectivamente, o comportamento do filtro (tenso
na sada do filtro) e da corrente no transistor S1 quando o circuito operado vazio.
3.95ms 4.00ms 4.05ms 4.10ms
Tempo
200V
100V
-0V
-100V
-200V
V
p

Fig. III.19 - Tenso na Sada do Filtro Vazio.

Pode-se observar que mesmo na condio de operao vazio, as tenses e
correntes mantm seu nvel normal de operao. Pode-se observar tambm que com a diminuio
da carga, a corrente que circula pelos transistores torna-se maior, j que esta formada pela soma
das correntes I
f
e I
lc
; com a diminuio de I
f
, a corrente eficaz no transistor torna-se maior.


84
1.7ms 1.8ms
Tempo
4.0A
0.0A
-4.0A
I
S1

Fig. III.20 - Corrente no Transistor S1 Vazio.


III.6 - Circuito de Comando

Como no estgio de entrada, o circuito de comando baseado em um CI 3524,
porm aqui, as duas sadas (pinos 11 e 14) no so interligadas a fim de que se possa obter dois
sinais de comando complementares. O circuito de comando completo pode ser visto na figura
III.21.
+24V
1 2 3 4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
13
15
16
C20
P5
R47
C21
P6
C22
R52
R54
C24
Z14
D26
Tp1
R53
Q7
D29
D24
Q8
Z13
D27
R50
R48
R49
D25
R51
D28
Z12
Z13
C25
G
G
S
S
R40
R42
R41
R43
R44
R45
R46
+24V
C23
C26
D21
D22
D20
D23
Z8 Z9
Z10
Q5 Q6
CI

Fig. III.21 - Circuito de Comando do Estgio Inversor.


85
Assim como no estgio de entrada (item II.6.2), os transistores so atacados com um
sinal positivo prximo aos 15V e bloqueados mediante a aplicao de uma tenso negativa
prxima aos 7V. A aplicao de tenso negativa fez-se necessria porque quando o circuito operar
com comutao ZCS no bloqueio e comutao dissipativa na entrada em conduo, como ser
mostrado mais adiante, h o risco do aparecimento de picos de tenso no sinal de comando
durante o bloqueio dos MOSFETs, causando assim disparos intempestivos.
Relao de componentes do circuito de comando do inversor:
CI - Circuito integrado 3524
C20 - Capacitor eletroltico 47F/25V
C22 - Capacitor de poliester metalizado 2,2nF/63V
C21 - Capacitor de poliester metalizado 33nF/63V
C24, C23 - Capacitor cermico 1,5nF
C25, C26 - Capacitor eletroltico 10F/25V
D20 a D29 - Diodo de sinal 1N4148
P5, P6 - Trimpot multi-voltas 20k
Q5, Q7 - Transistor NPN de uso geral tipo BC550
Q6, Q8 - Transistor PNP de uso geral tipo BC327
R40, R54 - Resistor 22k / 0,25W
R41 - Resistor 10k

/ 0,25W
R42, R46, R53, R51 - Resistor 1k / 0,25W
R43, R50 - Resistor 2,2k / 0,25W
R44, R49 - Resistor 12 / 0,25W
R45, R48 - Resistor 2,7 / 0,25W
R47 - Resistor 10 / 0,25W
Tp1 - Trafo de pulso (80 espiras primrio e 80 espiras secundrio, fio 25AWG em ncleo EE20)
Z8, Z13 - Diodo zener 6V8/0,5W
Z9, Z11 - Diodo zener 16V/0,5W
Z10, Z12 - Diodo zener 7V5/0,5W
Z14 - Diodo zener 18/1W



86
III.7 - Resultados Experimentais Usando Indutor de Comutao
Suave

A partir de agora, apresenta-se as principais formas de onda adquiridas em
osciloscpio digital em um prottipo implementado em laboratrio, cujo circuito de potncia pode
ser visto na figura abaixo.
E
S
S
C
R
m1
m2
1
2
L
c p
s
C
m2
m1
R
L
s
L
p
C
C
L

M
P
L

M
P
C
b1
b2
C
L
L
L
L
e1
e2
e3
e4
Sec
Sec

Fig. III.22 - Circuito de Potncia do Estgio Inversor.

A relao de componentes do circuito de potncia do inversor usando valores
comerciais fica definida como:
S1, S2 - Transistor MOSFET IRFP460
Cm1, Cm2 - Capacitor de poliester metalizado 2,2F/400V
R
m1
, R
m2
- Resistores 150k/0,25W
L
C
- 500H
L
S
- 2,96mH
L
P
- 14,8mH
CS - 22nF


87
C
P
- 3,9nF
C
b
- 18nF
Le e Sec - so respectivamente os secundrios principais e de aquecimento do transformador.

Adotou-se um valor ligeiramente inferior ao calculado para o capacitor ballast, pois
como j foi comentado, estando a lmpada alimentada em alta frequncia, h um aumento
substancial no fluxo luminoso emitido, por isso muitas vezes trabalha-se com potncias at 30%
menores que a nominal. Com o capacitor de 18nF, a potncia medida sobre a lmpada foi de
106,4W.
A primeira aquisio mostrada na figura III.23, que mostra o sinal de comando dos
dois transistores. Pode-se observar a aplicao de uma tenso negativa durante o blo queio.
Tenso (5V/div)
Tempo(10us/div)
Vg1
Vg2

Fig. III.23 - Sinal de Comando dos Mosfets.

Na figura abaixo observa-se a tenso e a corrente em uma das lmpadas, onde pode-
se observar a no linearidade do seu comportamento.



88
Tenso(100V/div)
Corrente(500mA/div)
Tempo (10us/div)
V
I
L
L

Fig. III.24 - Tenso e Corrente em uma das Lmpadas.

Na figura III.25 pode-se observar a tenso e a corrente na sada do filtro de
harmnicas.
V
I
f
p
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)

Fig. III.25 - Tenso e Corrente na Sada do Filtro de Harmnicas.

Na figura III.26 pode-se observar as tenses na entrada e na sada do filtro. Destaca-
se aqui a qualidade da tenso na sada do filtro.


89
Tenses(100V/div) Tempo(10us/div)
V
ab
p
V

Fig. III.26 - Tenses Vab e Vp.

Na figura III.27, v-se a tenso V
ab
e a corrente no indutor L
C
, atrasada em relao
V
ab
.
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)
I
Lc
-V
ab

Fig. III.27 - Tenso V
ab
Corrente no Indutor de Comutao Suave.

Na figura III.28 observa-se a tenso V
ab
e a corrente I
ab
.


90
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)
-V
I
ab
ab

Fig. III.28 - Tenso V
ab
e Corrente I
ab
.
Nas figuras a seguir, v-se, respectivamente, a tenso sobre os dois transistores,
tenso e corrente sobre o transistor S1 e tenso e corrente sobre o transistor S2.
Tenso(100V/div) Tempo(10us/div)
V
S1
V
S2

Fig. III.29 - Tenso Sobre os Dois Transistores.




91
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)
I
V
S1
S1

Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)
V
I
S2
S2

Fig. III.30 - Tenso e Corrente
no Transistor S1.
Fig. III.31 - Tenso e Corrente
no Transistor S2.

Finalmente na figura III.32 v-se a tenso da rede e a corrente drenada pelo estgio
de entrada. O fator de potncia medido atravs do medidor de potncia WT110 da Yokogawa foi
de 0,938.
Tenso(100V/div)
Corrente(1A/div)
Tempo(2ms/div)
Vca
Ica

Fig. III.32 - Tenso e Corrente na Entrada.

Com a configurao aqui apresentada foram feitas medidas, tambm atravs do
WT110, para obter-se o rendimento da estrutura. Com isso obteve-se os seguinte rendimentos:

boost
93 5% ,
inversor
9388% ,
ballast
87 78% ,
A partir de agora so apresentados os resultados obtidos com o circuito operando
com apenas uma das lmpadas. Na figura III.33 pode-se observar a tenso e a corrente na
lmpada restante.


92
Tenso(100V/div)
Corrente(500mA/div)
Tempo(10us/div)
V
L
I
L

Fig. III.33 - Tenso e Corrente em Uma das Lmpadas.

Na figura III.34 apresenta-se a tenso na sada do filtro, que como pode-se observar
no sofreu modificaes relevantes.
V
p
Tenso(100V/div) Tempo(10us/div)
Fig. III.34 - Tenso na Sada do Filtro de Harmnicas.

Na figura III.35 pode-se observar a corrente no MOSFET S
1
que comportou-se da
forma esperada, ou seja, sofreu um pequeno aumento.


93
Corrente(2A/div) Tempo(10us/div)
I
S1

Fig. III.35 - Corrente no Transistor S1.

Finalmente, so apresentados os resultados obtidos com o circuito operando sem
lmpadas. Na figura III.36 observa-se a tenso na sada do filtro e na figura III.37 a corrente no
MOSFET S1.
Tenso(100V/div) Tempo(10us/div)
V
p

Corrente(2A/div) Tempo(10us/div)
I
S1

Fig. III.36 - Tenso na Sada do Filtro de
Harmnicas.
Fig. III.37 - Corrente no Transistor S1.


Como pde-se observar, a corrente eficaz nos transistores aumenta com a diminuio
da carga, como foi comentado no item III.5.




94
III.8 - Inversor Operando no Modo ZCS

Como j foi citado no item III.3, a corrente de carga do inversor possui caracterstica
capacitiva devido ao capacitor ballast. Com a utilizao do indutor de comutao suave possvel
tornar a corrente I
ab
atrasada em relao tenso V
ab
obtendo-se assim comutao ZVS na
entrada em conduo dos transistores.
Com o objetivo de se diminuir o peso e o volume do reator, aqui ser analisado o
caso em que dispensado o uso do indutor L
C
e o inversor passa a operar naturalmente com
comutao ZCS. Sem a presena de L
C
, ocorrem alteraes nas etapas de operao. As etapas
de operao para o inversor nesta nova condio esto sintetizadas na figura III.38.
E
S1
S2
D1
D2
C1
C2
E
S1
S2
D1
D2
C1
C2
Iab
Iab
(a)
(b)

E
S1
S2
D1
D2
C1
C2
E
S1
S2
D1
D2
C1
C2
Iab
Iab
(c) (d)

Fig. III.38 - Etapas de Operao para o Circuito de Potncia do Inversor.


95
Inicialmente supe-se que o MOSFET S
2
esteja conduzindo a corrente I
ab
(figura
III.38a), adiantada em relao V
ab
, como podemos ver na figura III.39. Esta etapa mantm-se at
que ocorra a inverso no sentido da corrente I
ab
, que passa a circular atravs do diodo D
2
,
caracterizando assim a comutao ZCS.
A segunda etapa de operao mostrada na figura III.38(b) caracterizada pela
conduo do diodo D
2
.
Iab
Vab
S1
S2
D1
D2
Comando
Transistores S2 S1

Fig. III.39 - Formas de Onda para o Estudo da Comutao do Circuito de Potncia do
Inversor.
A terceira etapa inicia-se quando o transistor S
1
comandado a conduzir, desviando
para si a corrente que circulava atravs de D
2
, ocorrendo a uma comutao dissipativa. De forma
semelhante ao que ocorre na primeira etapa, na ltima etapa, ilustrada na figura III.38(d), I
ab
muda
novamente de sentido sendo transferida naturalmente de S
1
para D
1
(comutao ZCS).
O fato do diodo intrnseco do MOSFET no ser suficientemente rpido limita a
frequncia de operao em relao a que se pode obter com os MOSFETs, pois no momento da
entrada em conduo dos transistores (figura III.38c), devido ao grande tempo de recuperao
reversa dos diodos intrnsecos dos MOSFETs, acabam gerando-se grandes perdas e
sobretenses, por isso faz-se necessria a utilizao de alguma tcnica que amenize estes
problemas.


96
Uma maneira de suprimir os diodos intrnsecos, o que permite que se opere os
MOSFETs com frequncias maiores sem grandes problemas com a recuperao dos diodos
mostrada na figura III.40.
O diodo D
S1
inibe o diodo intrnseco do MOSFET e o diodo D
S2
um diodo ultra
rpido com caracterstica de recuperao suave.
D
D
S1
S2
G
S
D

Fig. III.40 - Supresso de Diodo Intrnseco do Mosfet.

Apesar de apresentar bons resultados em alguns ensaios realizados, esta tcnica
mostrou-se pouco prtica e economicamente invivel devido ao aumento no nmero de
componentes necessrios.
Para o inversor operando no modo de comutao ZCS sem a utilizao de diodos
rpidos, torna-se necessria a utilizao de um grampeador a fim de evitar que as sobretenses
geradas destruam os transistores. O circuito grampeador escolhido mostrado na figura III.41,
onde o capacitor C
g1
, o diodo D
g1
e o resistor R
g1
formam o circuito grampeador do transistor S
1
e
os componentes C
g2
, D
g2
e R
g2
formam o grampeador do transistor S
2
.



97
E
R
g1
g2
C
D
m1
m2
a b
g1
g1 C
C
C
g2
g2
D
R
S
S
1
2

Fig. III.41 - Circuito Grampeador.

Maiores detalhes sobre o funcionamento e o dimensionamento do circuito grampeador
podem ser vistos na referncia [33].


III.8.1 - Corrente Eficaz nos Transistores

Novamente, antecipando-se ao critrio de escolha de componentes, considera-se os
transistores S
1
e S
2
como transistores MOSFETs.
Tambm aqui, desprezar-se- a contribuio das harmnicas de ordem superior de
corrente do filtro para a corrente eficaz dos transistores e, no havendo mais a presena do indutor
L
C
, a corrente nos transistores fica ento expressa da seguinte maneira:
i t i t I sen wt
S f f C
( ) ( ) ( )
max
+ (3.57)

A corrente eficaz dada por:

( )
I I sen wt dwt
Sef f C
+

1
2
2
0

max
( ) (3.58)
Desenvolvendo-se a equao (3.58) chega-se a:
I
I
Sef
f

max
2
(3.59)



98
III.8.2 - Clculo do Grampeador

Para que se possa realizar o clculo dos componentes do grampeador, so
necessrios os seguintes valores:
1 - Tenso no barramento CC; 5 - Corrente de carga mxima;
2 - Mxima sobretenso admissvel;
6 - Corrente de carga eficaz;
3 - Frequncia de comutao; 7 - Mxima corrente de pico suportada pelo
transistor.
4 - Indutncias de cablagem e intrnsecas
(componentes);


Considerando-se que a indutncia de cablagem mdia do circuito seja de 1H/m e
conhecendo-se as indutncias internas dos componentes atravs de dados de catlogo, pode-se
ento determinar a indutncia total envolvida no processo.
A sobretenso que aparece no momento da comutao pode ser calculada a partir de:

( )
Vcmax E
Lcir
Cg
ILs
p

2
(3.60)
Onde :
VCmx : mxima sobretenso admissvel (tenso no capacitor).
Lcir : indutncia total do circuito.
C
g
: capacitor do grampeador.

Definindo-se :
x
V E
E
C

max
(3.61)
Das equaes (3.60) e (3.61) obtm-se:
C L
I
x E
g cir
f

_
,
2
2
max
(3.62)
Denomina-se:

k
x

_
,
ln
, 0 01
(3.63)
O valor da resistncia do resistor R
g
dada por:


99
R
T
C k
g
S
g

2
(3.64)

O valor escolhido para R
g
deve necessariamente ser menor ou igual ao encontrado
atravs da equao (3.64) para o bom funcionamento da estrutura.
A potncia dissipada em R
g
dada por:

P L I fs
Rg cir f

max
(3.65)


III.9 - Metodologia de Projeto Usando Grampeador

A metodologia de projeto aqui proposta faz uso dos mesmos procedimentos
apresentados no item III.4, diferindo apenas quanto ao indutor ZVS que no se faz mais
necessrio, corrente eficaz nos transistores e ao clculo dos componentes do grampeador. Dessa
forma, para determinar o valor dos componentes que compem o circuito inversor, deve-se:
1 - Encontrar o ponto de Operao da Lmpada (V
L
e I
L
), a fim de calcular a resistncia
equivalente R
L
.
2 - Calcular o valor do capacitor ballast.
3 - Calcular os parmetros do transformador.
4 - Calcular os valores dos elementos do filtro.
5 - Dimensionar os interruptores.
6 - Dimensionar os capacitores de ponto mdio.
7 - Dimensionar os componentes do grampeador.




100
III.10 - Projeto de um Prottipo Usando Grampeador

Apresentar-se-o apenas os clculos dos componentes que diferem dos j calculados
no item III.5, omitindo-se os demais, cujos resultados j so conhecidos.
A corrente eficaz nos transistores pode ser obtida atravs da equao (3.59), assim:
I A
Sef

3 89
2
1 945
,
,
Pode-se tambm calcular as perdas nos transistores (ver referncia [25]), cujos
valores so:
P
comt
19,2W P
cond
= 1W
Adotando-se os mesmos valores de temperatura indicados no item III.5, o dissipador
exigido dever apresentar uma resistncia trmica menor que 2
o
C/W.
Convm lembrar que embora tenha sido utilizado o mesmo prottipo implementado
segundo o item III.5, houve a necessidade de se utilizar um bom dissipador, devido as grandes
perdas de comutao apresentados pela estrutura.
Admitindo-se uma sobretenso mxima de 30V. Calcula-se ento o parmetro x
atravs da equao (3.61):
x

430 400
400
0 075 ,
Sabendo que a indutncia L
cir
aproximada de 450mH(somatrio de todas as
indutncias parasitas envolvidas), pode-se ento calcular o valor do capacitor C
g
:
Cg F

_
,


2 450 10
3 89
0 075 400
1513 10
9
2
9
,
,
,

Finalmente para determinar R
g
, calcula -se :
k

_
,

ln
,
,
,
0 01
0 0715
2 0149
Rg

50 10
2 15 13 10 2 0149
820 06
6
9
, ,
,

P W
Rg

450 10 3 89 20 10 0 035
9 3
, ,


101
III.11 - Resultados Experimentais Usando Grampeador

A partir de agora, apresenta-se as principais formas de onda adquiridas em
osciloscpio digital em um prottipo implementado em laboratrio, cujo circuito de potncia pode
ser visto na figura III.42.
E
R
D
C
S
g1
g2
1
m1
m1
p
s
L
e1
e2
e3
e4
Sec
L

M
P
g1
g1
R
C
C
D
g2
g2
S
2
C
C
m2
R
R
m2
L
s
C
L
L
L
L
P
L

M
P
C
C
b1
b2
Sec

Fig. III.42 - Circuito de Potncia do Inversor Usando Grampeador.
A relao de componentes do circuito de potncia do inversor usando valores
comerciais fica definida como:
S
1
, S
2
- Transistor MOSFET IRFP460
C
m1
, C
m2
- Capacitor de poliester metalizado 2,2F/400V
R
m1
, R
m2
- Resistores 150k/0,25W
L
r
- 2,96mH
L
p
- 14,8mH
C
s
- 22nF
C
p
- 3,9nF
C
b1
, C
b2
- 18nF/400V
R
g1
,
Rg2
- 820/ 0,5W
C
g1
, C
g2
- 18nF/630V
D
g1
, D
g2
- diodo 1N4937
Convm lembrar que o circuito de comando aqui utilizado o mesmo do item III.6.


102
A seguir so apresentados os resultados obtidos com o prottipo implementado. Na
primeira aquisio feita, que pode ser observada na figura abaixo, observa-se o sinal de comando
dos transistores.
Vg1
Vg2
Tenso(5V/div) Tempo(10us/div)
Fig. III.43 - Sinal de Comando dos Mosfets.
Na figura III.44, observa-se a tenso e a corrente na lmpada, que no sofreu
alteraes substanciais, comprovando assim que a mudana das etapas de funcionamento do
inversor no influi de maneira significativa no desempenho da lmpada.
Tenso(100V/div)
Corrente(500mA/div)
Tempo(10us/div)
V
I
L
L

Fig. III.44 - Tenso e Corrente em Uma das Lmpadas.
Nas figuras III.45 e III.46 so mostradas respectivamente a corrente I
f
, que neste caso
corresponde corrente I
ab
, junto a tenso no primrio do transformador e junto tenso V
ab
.


103
V
p
I
f
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(2A/div)

Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)
V
ab
I
f

Fig. III.45 - Tenso e Corrente na Sada do
Filtro de Harmnicas.
Fig. III.46 - Tenso V
ab
e Corrente na Sada
do Filtro de Harmnicas (Iab).

A corrente I
ab
adiantada em relao V
ab
propicia a comutao ZCS.
A figura III.47 mostra as tenses Vab e Vp, atravs da qual pode-se observar a
qualidade da tenso no primrio do trafo, comprovando assim que a alterao do modo de
funcionamento tambm no influi no comportamento do filtro, que continua atenuando de forma
eficiente as harmnicas de ordem superior.
Tenses(100V/div)
Tempo(10us/div)
V
ab
p
V

Fig. III.47 - Tenso e Corrente na Sada do Filtro de Harmnicas.
Na figura III.48 apresenta-se as tenses sobre os dois transistores MOSFETs.


104
Tenses(100V/div) Tempo(10us/div)
V
S1
S2
V

Fig. III.48 - Tenso Sobre os Dois Transistores.

Nas figuras III.49 e III.50 pode-se observar a tenso e a corrente no transistor S1
para o inversor alimentando duas e uma lmpada respectivamente. Nestas figuras fica evidenciada
a comutao ZCS. Pode-se notar tambm que para duas lmpadas a corrente eficaz nos
transistores maior do que quando o inversor trabalha no modo ZVS e que ocorrem picos de
corrente no momento das comutaes, aumentando assim as perdas de conduo e comutao nos
transistores. Os picos de corrente chegam a aproximadamente 10A quando o inversor opera com
as duas lmpadas.
Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)
V
I
S1
S1

Tenso(100V/div)
Corrente(2A/div)
Tempo(10us/div)
V
I
S1
S1

Fig. III.49 - Tenso e Corrente em S1 Com
Duas Lmpadas.
Fig. III.50 - Tenso e Corrente em S1 Com
Apenas Uma das Lmpadas.
Finalmente, na figura III.51 so mostradas a tenso e a corrente na entrada do
conjunto ballast, onde pode-se observar o comportamento da corrente. O fator de potncia aqui


105
obtido atravs de medida realizada usando o WT110 foi de 0,935. Como foi mencionado no item
II.3.8, o melhor fator de potncia ocorre para a tenso de entrada mnima, assim, ao aplicar-se
uma tenso eficaz de 185V na entrada do prottipo, obteve-se um fator de potncia de 0,975,
Tenso(100V/div)
Corrente(500mA/div)
Tempo(2ms/div)
Vac
Iac

Fig. III.51 - Tenso e Corrente de Entrada.

O medidor de potncia WT110 tambm foi usado a fim com a finalidade de medir as
potncias de entrada e sada dos estgios de entrada e inversor. Com isso obteve-se os seguinte
rendimentos:

boost
92 34% ,
inversor
812% ,
ballast
74 98% ,


III.12 - Concluso

Neste captulo foi apresentada a topologia de um inversor para alimentar a lmpada
em alta frequncia. Com a utilizao do filtro proposto e do transformador, obteve-se a
possibilidade de substituio de lmpadas com o circuito energizado e, ainda, ter seu
funcionamento normal na falha de uma das lmpadas.
A estabilizao da lmpada foi conseguida de maneira eficiente com o uso de um
capacitor e sua ignio facilitada pelo aquecimento dos eletrodos.
Foram propostas duas tcnicas para melhorar o desempenho do inversor com relao
s comutaes. Obteve-se bons resultados com o inversor operando no modo ZVS, que possui
uma caracterstica atpica, aumentando a corrente eficaz nos transistores e consequentemente as


106
perdas, com a diminuio da carga. Quando o inversor operado no modo ZCS h um aumento
nas corrente eficaz plena carga e o aparecimento de picos de corrente devido recuperao
reversa dos diodos que aumentam muito as perdas totais no transistor, tornando necessria a
utilizao de grandes dissipadores, o que inviabilizaria totalmente o conversor.
A tentativa de se retirar o indutor L
C
, que pesado e volumoso traz consequncias de
implementao prticas que no tornam interessante o uso do inversor operando no modo ZCS.
Pode-se dizer que a operao no modo ZVS permite utilizar diodos no muito rpidos
no inversor e ainda assim operar em frequncias bem mais elevadas que com a operao no modo
ZCS. A tcnica de melhor resultado, e por isso mais indicada a que utiliza o indutor de
comutao suave.
Para diminuir o indutor utilizado para a comutao suave no modo de operao ZVS,
sugere-se que se aumente a frequncia de operao do inversor ao mximo que os interruptores
puderem suportar, observando-se que no ocorra aumento excessivo nas perdas de comutao,
que exigiro um dissipador maior.




107
CAPTULO IV
REALIZAO DE UM REATOR ELETRNICO
COM CONTROLE DE LUMINOSIDADE


IV.1 - Introduo

Neste captulo so apresentadas outras caractersticas desejadas para o reator
eletrnico proposto neste trabalho. So apresentados detalhes prticos para a confeco de um
prottipo final que comparado com um reator convencional atravs de medidas realizadas e das
caractersticas apresentadas por ambos.


IV.2 - Caractersticas Adicionais

Alm das caractersticas j mencionadas para o reator eletrnico, deseja-se ainda que
o mesmo desligue-se automaticamente, quando o ambiente a ser iluminado no estiver sendo
ocupado e que a potncia entregue lmpada seja diminuda, diminuindo assim a luminosidade
emitida, com o aumento da luminosidade natural do ambiente.


IV.2.1 - Controle Automtico de Presena

O sistema de controle automtico de presena baseado num sensor comercial, aqui
denominado sensor passivo, que contm num mesmo invlucro um receptor de raios
infravermelhos e um circuito auxiliar que mantm em sua sada um sinal alto quando no h
deteco de movimento no ambiente e que automaticamente levado zero quando algum entra
no campo de atuao do sensor.


108
O princpio de operao semelhante ao mostrado em [34], ou seja, baseado numa
comparao entre duas varreduras diferentes, ou seja, o sensor faz uma varredura do ambiente
medindo a quantidade de radiao infravermelha emitida pelos objetos em seu campo de ao,
armazenando este valor. Aps um determinado perodo feita uma nova varredura e se no
houver movimentao o sinal lido se manter constante, no havendo assim acionamento do
sensor. A movimentao de um objeto ou pessoa dentro do campo de ao do sensor causar
uma alterao no sinal captado pelo sensor, causando a ativao do mesmo.
O sinal de sada do sensor passivo aplicado ao pino 10 dos CIs que controlam o
conversor boost do estgio de entrada e o inversor, ativando-os somente quando houver algum
no ambiente a ser iluminado.
O circuito utilizado para proporcionar a ativao/desativao do 3524 via sensor
passivo pode ser visto na figura IV.1.
1 2 3 4 5 6
Sensor Passivo
+15V
R C
S S CI
3524
10
8
7
5

Fig. IV.1 - Circuito Para Controle Automtico de Funcionamento

O resistor R
S
necessrio para polarizar o transistor em coletor aberto presente na
sada do sensor. O capacitor C
S
foi utilizado para evitar que durante o processamento de potncia
ocorram interferncias que desativem o 3524. O valor adotado para R
S
foi de 22k e para C
S
de
470nF.





109
IV.2.2 - Controle de Luminosidade

A variao da luminosidade de uma lmpada fluorescente abaixo de 30% do seu valor
nominal uma tarefa bastante complexa, j que a lmpada normalmente perde a estabilidade a
partir deste ponto. Existem algumas tcnicas que podem ser utilizadas para que se possa operar a
lmpada fluorescente numa ampla faixa de potncias sem que se perca a estabilidade, como pode-
se ver em [35] que propem um circuito onde uma pequena corrente CC superposta tenso de
alta frequncia e em [36] onde adiciona-se um transistor e um indutor auxiliar. Com estas tcnicas
pode-se obter nveis de luminosidade inferiores 5% do nvel nominal, porm, como o que se
deseja neste trabalho um controle que varie automaticamente a potncia da lmpada em funo
da luminosidade ambiente, julgou-se desnecessria a aplicao de tcnicas que tornassem muito
complexo o funcionamento do reator para que o mesmo pudesse operar numa faixa de potncia de
pouca importncia.
Dessa forma optou-se por controlar a luminosidade atravs de um LDR (resistor
dependente da luz), que atua no circuito de controle do conversor boost, variando a tenso do
barramento CC, propiciando assim uma variao da potncia entregue lmpada.
O LDR um componente normalmente constitudo por sulfato de cadmium que
contm poucos eltrons livres quando no iluminado, o que torna sua resistncia bastante elevada.
Quando ele absorve luz, eltrons so liberados e a condutividade do material aumenta. A relao
aproximada entre a resistncia e o nvel de luminosidade dado por [37]:


R A Lu
LDR


(4.1)
Onde :
R
LDR
: resistncia do componente ().
Lu : nvel de luminosidade (lux)
A e : constantes caractersticas do material.

A temperatura pode afetar a resistncia sob iluminao, porm, na prtica, em
temperaturas ambiente normais, o coeficiente de temperatura pequeno e pode ser desprezado.


110
O controle da luminosidade atravs do uso do LDR feito inserindo-o no controlador
do estgio de entrada alterando o valor da tenso de referncia do pino 2 do CI3524. Com a
variao da luminosidade consegue-se a variar a tenso do barramento CC, propiciando uma
variao na potncia entregue a lmpada. Sabe-se que para o valor de tenso de barramento CC
adotado, a variao obtida no ser muito grande, j que em alta frequncia o fluxo luminoso das
lmpadas bastante grande e a tenso CC poder variar somente entre 400V e 311V, porm, a
potncia entregue lmpada variar entre 265,4W e 123,2W, o que comprova o princpio de
funcionamento.
Na figura IV.2 pode-se observar o circuito utilizado para o controle de luminosidade.
1 2 3 45 6
Sensor Passivo
+15V
22k
470nF
1k
22k
+15V
10k
100uF
1k
20k LDR
100uF
3k3
100nF
8 10
2
16
CI
3524
C
L1
L2
L3
Q
C
C
Q
L1
L2
Fig. IV.2 - Circuito de Controle de Luminosidade.

O capacitor C
L1
usado para que os transistores Q
L1
e Q
L2
impeam o LDR de
interferir na tenso de referncia quando o sensor passivo ativar o reator. Assim, com o valor
adotado, a tenso de referncia depender apenas do valor ajustado atravs do trimpot de 22k
durante aproximadamente cinco segundos, tempo suficiente para que se processe a ignio da
lmpada.
O capacitor C
L2
se faz necessrio para evitar que a rpida resposta do LDR cause
instabilidade no controle do transistor boost. E, finalmente, o capacitor C
L3
usado por
recomendao do fabricante para evitar possveis variaes na tenso regulada do CI.
Dessa forma deve-se proceder o ajuste da tenso de referncia atravs do trimpot
para que, quando o LDR no estiver ativo a tenso no barramento, corresponda tenso nominal


111
(400V), para que esta seja diminuda de acordo com a intensidade da luminosidade incidente sobre
o LDR quando este estiver habilitado.


IV.3- Comparao entre o Reator Eletrnico Desenvolvido e Um
Reator Eletromagntico com Alto Fator de Potncia.

No prottipo final que foi comparado com o reator eletromagntico, utilizou-se a
tcnica de comutao ZVS do inversor devido aos melhores resultados quando comparada
tcnica de comutao ZCS. Com relao ao que foi exposto nos captulos anteriores, foram feitas
algumas alteraes:
1 - Os transistores IRFP460 usados no inversor podem ser substitudos por transistores do tipo
IRF840 que possuem um custo menor, porm optou-se em manter os mesmos transistores para
poder usar os dissipadores calculados no item III.5.
2 - A associao de capacitores que formava o capacitor C
0
do estgio de entrada foi substituda
por uma outra formada por dois capacitores de 680F/250V com a finalidade de diminuir a
variao da tenso no barramento CC. Isto traz como consequncia a necessidade de utilizar-se
uma ponte de diodos de maior capacidade (1N5404) e de um NTC para limitar a corrente na
partida. Utilizou-se a alterao do valor do capacitor e no da resposta do controlador para
diminuir a variao de tenso no barramento CC, porque a segunda tcnica traz como
consequncia um aumento na distoro harmnica da corrente de entrada.
3 - Implementou-se os controles de presena e de luminosidade segundo o que foi indicado no
item IV.2.

Dessa forma, o circuito final correspondente ao reator eletrnico pode ser visto nas
figuras IV.3 e IV.4, onde mostra-se os estgios de entrada e do inversor respectivamente.



112
1 2 3 4 5 6
Rede CA
NTC L1
C12
D13 D14
D15 D16
L2 D17
C14
C15
Sensor Passivo
R10
R9
C13
D2
R1 C1
R6
Led
R13
P1
R15
Q3
D3
R16
R12
R14
R8
R7
C4
D1
R2
R3
C2
Q1
R4
R5
Q2
C3
LDR
U1
C5
P2
+400V
+15V
a
+15V
4
1
2
3 5 6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16

Fig. IV.3 - Estgio de Entrada.



113
a
C9
P3
P4
R17
D4
D5
D6
D7
D8
Q5
R23
R22
C10
Q4
R18
R21
R19
D9
M1 Tr1
R25
R24
C11
Q6
Q7
R28
D10
R26 R29
D12
M2 C17
C16
R30
R31
L3
L4
Tr2
C20
C21
C22
D11
U2
F1
F2
C19
+15V
+400V
+15V
1
2
3 4
5
6
7
8
9
10
11
12 13
14
15
16

Fig. IV.4 - Estgio do Inversor.

A relao final de componentes do reator eletrnico fica definida como:

C1 - Capacitor cermico 470nF/63V.
C2, C3 - Capacitor eletroltico 100F/25V.
C4 - Capacitor de poliester metalizado 47nF/63V.
C5, C9 - Capacitor de poliester metalizado 2,2nF/63V.
C10 - Capacitor cermico 1,5nF.
C11 - Capacitor cermico 1nF.
C12 - Capacitor MKT 330nF/400V.
C13 - Capacitor de poliester metalizado 150nF/400V.
C14, C15 - Capacitor eletroltico 680F/250V.
C16, C17 - Capacitor de poliester metalizado 2,2F/250V.
C19 - Associao de capacitores 2 x 47nF/1,6kV. M1 - Transistor mosfet IRFP460.


114
C20 - Capacitor de poliester metalizado 3,9nF/250V.
C21, C22 - Capacitor de poliester metalizado 18nF/630V.
D1, D3, D5, D6, D7, D8, D10, D11 - Diodo 1N4148.
D2, D4 - Diodo zener 18V/0,5W.
D9, D12 - Diodo zener 16V/0,5W.
D13, D14, D15, D16 - Diodos 1N5404.
D17 - Diodo MUR460.
L1 - Indutor de filtragem 3mH.
L2 - Indutor boost 390uH.
L3 - Indutor L
C
500H.
L4 - Indutor L
S
2,96mH.
M1 - Transistor mosfet IRFP460.
M2 - Transistor mosfet IRFP460.
M3 - Transistor mosfet IRFP460.
P1 - Trimpot 10k.
P2, P3, P4 - Trimpot 20k.
Q1, Q2, Q4, Q6 - Transistor BC550.
Q3, Q5, Q7 - Transistor BC327.
R1, R4, R12, R23, R24 - Resistor de 22k

/0,25W.
R2, R5, R6, R21, R25, R29 - Resistor de 1k/0,25W.
R3, R8 - Resistor de 10k/0,25W.
R7 - Resistor de 47k/0,25W.
R9 - Resistor de 560k/0,25W.
R10, R13, R22 - Resistor de 3,3k/0,25W.
R14 - Resistor de 6,8k/0,25W.
R15, R17 - Resistor de 10/0,25W.
R16 - Resistor de 2,2k

/0,25W.
R18 - Resistor de 820/0,25W.
R26 - Resistor de 12k/0,25W.
R19, R28 - Resistor de 12/0,25W.
R30, R31 - Resistor de 150k/0,25W.


115
Tr1 - Transformador de pulso.
Tr2 - Transformador do inversor.
U1, U2 - Circuito Integrado 3524.

A figura IV.5 mostra uma fotografia do prottipo implementado em laboratrio.


Fig. IV.5 - Foto do Prottipo

A figura IV.6 mostra uma fotografia do prottipo implementado ao lado de um reator
eletromagntico. O reator utilizado para a comparao um reator da marca Keiko para duas
lmpadas fluorescentes de 110W partida rpida com alto fator de potncia, modelo FR1102-
226A com as seguintes especificaes:
Tenso de entrada : 220Vef
Frequncia de operao : 60Hz
Potncia nominal : 250W
Corrente nominal : 1,18A
Fator de potncia : 0,95
Variao de Temperatura : 65C



116

Fig. IV.6 - Foto do Prottipo ao Lado de um Reator Eletromagntico.
O reator eletrnico desenvolvido pesa, sem caixa metlica aproximadamente 1545g;
j o reator eletromagntico pesa aproximadamente 3855g. Estima-se que uma caixa confeccionada
em alumnio para as dimenses do reator deva pesar em torno de 150g, o que elevaria o peso total
do reator eletrnico para aproximadamente 1700g. Quanto ao volume ocupado, o reator
eletrnico ocupa aproximadamente 1590cm
3
e o eletromagntico 1480cm
3
.
Finalmente, feita uma comparao entre o desempenho dos dois reatores atravs de
aquisies e medidas realizadas.
Nas figuras IV.7 e IV.8 pode-se observar a tenso de ignio da lmpada para os
reatores convencional e eletrnico respectivamente.


117

Tenso(750V/div) Tempo(5ms/div)
V
L

Tempo(10us/div) Tenso(200V/div)
V
L

Fig. IV.7 - Tenso de Ignio da Lmpada no
Reator Convencional.
Fig. IV.8 - Tenso de Ignio da Lmpada no
Reator Eletrnico.

Nas figuras IV.9 e IV.10 pode-se observar a tenso e a corrente na lmpada para os
reatores convencional e eletrnico respectivamente.
Tenso(100V/div)
Corrente(1A/div)
Tempo(5ms/div)
VL
IL

Tenso(100V/div)
Corrente(500mA/div)
Tempo (10us/div)
V
I
L
L

Fig. IV.9 - Tenso e Corrente na Lmpada
para o Reator Convencional.
Fig. IV.10 - Tenso e Corrente na Lmpada
para o Reator Eletrnico.

Finalmente nas figura IV.11 e IV.12 apresenta-se a tenso e a corrente na entrada dos
dois reatores. Pode-se observar o bom desempenho do reator eletrnico que corrige de maneira
eficiente o fator de potncia.


118
Tenso(100V/div)
Corrente (1A/div)
Tempo(2ms/div)
Vac
Iac

Tenso(100V/div)
Corrente(1A/div)
Tempo(10ms/div)
V
I
ac
ac

Fig. IV.11 - Tenso e Corrente na Entrada do
Reator Eletromagntico.
Fig. IV.12 - Tenso e Corrente na Entrada do
Reator Eletrnico.

O rendimento e o fator de potncia dos dois reatores foi medido com o auxlio do
WT110 da YOKOGAWA e os resultados so mostrados na tabela IV.1 :
Medida Reator Eletromagntico Reator Eletrnico
Potncia entregue a lmpada (W) 96,2 105,3
Rendimento (%) 82,43 86,1
Fator de potncia 0,949 0,941
Variao de temperatura em uma
hora de operao com a
temperatura ambiente em 26C
(C).

67,5
Transistor : 74,5
Indutor Ls : 25,5
Indutor Lc : 44,6
Trafo : 23,4
Tab. IV.1 - Tabela Comparativa Entre os Reatores.


IV.4- Concluso


Neste captulo foram apresentados os dados necessrios sobre a montagem de um
prottipo do reator eletrnico, incluindo-se nele as caractersticas de controle de presena e
luminosidade cujas tcnicas utilizadas mostraram-se eficientes. Quanto ao controle de
luminosidade, mesmo variando-se a tenso de barramento apenas entre 400V e 311V, obteve-se


119
uma variao de 54% na potncia consumida pelo reator, o que trouxe como consequncia uma
variao de 39% na luminosidade emitida pela lmpada.
Finalmente foram feitas comparaes entre o reator desenvolvido e um reator
eletromagntico comercial atravs de medidas e ensaios, atravs dos quais pode-se observar que o
reator eletrnico apresenta vrias vantagens. Dentre elas pode-se citar:
1 - A ausncia quase total de rudos audveis.
2 - Alto fator de potncia, equivalente ao do reator eletromagntico.
3 - Maior nvel de iluminao, para o mesmo consumo de energia.
4 - Forma de onda de tenso na lmpada sem picos com forma prxima a de uma senide, o que
aumenta a vida til da mesma.
5 - Maior economia de energia atravs dos controles de presena e de luminosidade.



120
CONCLUSO GERAL


O presente trabalho foi constitudo pelo estudo terico e implementao experimental
de uma estrutura destinada alimentar duas lmpadas fluorescentes de 110W com correo do
fator de potncia na entrada, controle da luminosidade baseado na luminosidade do ambiente e
controle de presena desligando o reator quando no houver pessoas no ambiente a ser iluminado.
Foi feita uma anlise do mecanismo de funcionamento e dos principais parmetros que
influem na eficincia da lmpada com a finalidade de definir-se as caractersticas necessrias ao
reator.
Optou-se pela utilizao de um estgio de entrada com correo de fator de potncia
com um boost operando no modo de conduo descontnua, porque este apresenta melhores
resultados do que outras tcnicas, como por exemplo o filtro Valley-Fill, e um comando mais
simples quando comparado aos outros modos de operao do boost.
Tal estgio de entrada apresentou bons resultados com relao ao fator de potncia, a
taxa de distoro harmnica na corrente da entrada e ao controle da tenso de barramento, que
varia de acordo com a luminosidade detectada pelo sensor do tipo LDR.
Por outro lado, a correo do fator de potncia com o boost operando em conduo
descontnua no mostrou-se muito segura quanto ao controle da tenso para o reator operando
vazio, ou seja, quando as lmpadas so retiradas, a tenso no barramento CC sobe muito,
aproximando-se dos 490V. Este valor est muito prximo do limite dos transistores utilizados. Por
isso, para um prottipo comercial, sugere-se a utilizao do conversor boost operando em outro
modo de conduo para evitar a possibilidade da destruio dos transistores por sobretenso, ou
ainda, para manter-se a tcnica utilizada poderia-se substituir os transistores MOSFET pelos de
tecnologia IGBT, que permitem a utilizao de tenses mais elevadas no barramento CC.
O controle automtico de presena foi obtido utilizando-se um sensor infravermelho
comercial fabricado pela Heimann System da Alemanha que desativa os dois estgios do reator.
Tal tcnica mostrou-se interessante porque os capacitores do barramento CC mantm-se sempre
carregados com o valor da tenso mxima de entrada, diminuindo assim o transitrio de partida.


121
Na ltima etapa de estudos utilizou-se uma topologia de meia ponte para o inversor
com transformador de isolamento. Tal estrutura mostrou-se eficiente, com pequenas perdas nos
transistores quando operando com o indutor L
C
. O mesmo no ocorre quando o inversor
operado no modo ZCS, apresentando perdas excessivas nos transistores, inviabilizando assim o
emprego desta estrutura.
O filtro adotado tambm mostrou-se eficiente permitindo que o inversor opere
normalmente mesmo sem uma ou as duas lmpadas. Neste ltimo caso, com o inversor operando
vazio no modo ZVS, ocorre um aumento nas perdas por conduo nos transistores, j que nesta
condio que registra-se a maior corrente eficaz devido a presena do indutor L
C
. Embora isto
comprometa o rendimento, nesta situao a potncia solicitada da rede eltrica baixa.
Por fim, um prottipo final elaborado integrando numa mesma placa os dois estgios
de tratamento de energia, ou seja, os estgios de entrada com correo de fator de potncia e do
inversor operando no modo de comutao ZVS, sendo acrescido a ele as caractersticas de
controle de luminosidade e autodesligamento automticos. Tal prottipo foi comparado com um
reator eletromagntico comercial com partida rpida e apresentou melhores caractersticas.
O rendimento do reator eletrnico e a potncia entregue s lmpadas quando
alimentadas pelo reator eletrnico so superiores ao que ocorre com o reator eletromagntico.
Constatou-se tambm que o fluxo luminoso emitido pelas lmpadas quando alimentadas em alta
frequncia sensivelmente superior ao emitido pelas mesmas lmpadas em baixa frequncia. No
mediu-se esta variao por no se dispor de equipamento adequado. Segundo a norma NBR
5115, o reator deve partir em no mximo 10 segundos. No reator eletromagntico este tempo de
aproximadamente 3 segundos e no eletrnico de aproximadamente 2 segundos quando acionado
pelo sensor automtico de presena.
O reator eletrnico apresenta a caracterstica de possibilitar economia de energia
eltrica uma vez que possui maior rendimento que os reatores magnticos e, para a mesma
intensidade luminosa nas lmpadas consome menos energia da rede eltrica.
Pde-se observar tambm que o uso do reator eletrnico pode trazer uma economia
substancial de energia eltrica devido aos controles de presena e luminosidade automticos,
dependendo do ambiente a ser iluminado.



122
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