Semiconductor en Equilibrio.

SECCIN 4.1 TRANSPORTADORES DE CARGA EN SEMICONDUCTORES En un material semiconductor particular, la funcin de densidad de estados efectiva esta dada por Nc=Nco(T)3/2 y Nv=Nvo(T)3/2 donde Nvo y Nco son constantes independientes de la temperatura. La concentracin de portadores intrnseca como una funcin de la temperatura esta dada en la tabla 4.5. Determine el producto NcoNvo y Eg (asuma que Eg es independiente de la temperatura).

Solucin [ 8.62X10-5 eV/K ]

a)

Si ( ) ( )

+ considerando que la

aproximacin de Boltzmann es vlida; calculando la derivada del producto ( ) ( ) e igualndola a cero, podemos obtener el mximo. ( ( ( ) ( )) ( ) ( )) 0
( )

{ { ; *
(

*
)

+(

};

+[

]}; ahora, esto es cero si: as que cuando

El producto

( ) ( )es mximo.

b) Ahora, considerando que ( )[ ( )]

( )

+esto es as

si asumimos como vlida la aproximacin de Boltzmann. As que, utilizando el mismo ( )]) razonamiento que en a) debemos determinar cuando ( ( )[ ; entonces ( ( ( )[ ( )[ ( )]) ( )])
( ( )

{ *
( )

* +{

};

}; as que para determinar

cuando esta derivada es cero, tenemos que:

esto es

; ( )[

; ( )] es mximo

Entonces, cuando

el producto

Ejercicio 4.6 Asumir que la aproximacin de Boltzman en un semiconductor es vlida. Determinar la relacin de ( ) ( ) ( ) a y para .

Solucin Usando la aproximacin de Boltzman la ecuacin queda: ( ) * ( ) + [

(
( )

En este ejercicio tenemos dos energas y nos piden calcular la relacin entre ambas por lo tanto llamaremos E1 a y E2 a , para diferenciarlas. Ahora establecemos la relacin de la siguiente forma: ( ( ) ) * *
( ( ) )

+ [ + [

( (

) )

] ]
( )

Aqu vemos que podemos eliminar el trmino entonces la ecuacin queda: ( ( ) ) [ [ ] [ ] [

( (
( )

porque son exactamente iguales,

) )

] ]

Ahora sustituimos los valores de E1 y E2, para obtener: ( ( ) ) [ [ ] [ ] [

( (
( )

)
)

]
)

Reducimos trminos ( ( ( ( ( ( ( ( ) ) ) ) ) ) ) ) [ [ ] [ ] [
(
(

( (

]
)

]
)

( ) ( ) 4.16 calcule la energa de ionizacin y el radio del electrn donador en el germanio utilizando la teora de Borh. (Use la densidad de estados de masa efectiva como una primera aproximacin)

Para poder calcular el radio del orbital donador podemos utilizar la siguiente expresin

El radio de Bohr esta definido como

Si consideramos el estado de mnima energa n=1

La energa de ionizacin del tomo de hidrogeno en estado de mnima energa es E=-13.6 eV

Tenemos que

+y

+ si T=300K, entonces =0.22eV y Eg=1.12eV,

Nc=2.8x1019cm-3 y Nv=1.04x1019cm-3; ahora, sabemos que as que [ [ ] ]

4.21.-El valor de y .

para el silicio a una temperatura T=300 K es de

. Determinar

Solucin Primero calculamos el valor de

*
( ( )

, despejndolo a partir de la frmula de

( (

) )

( ( )

Sustituyendo valores tenemos: ( )

Con este valor podemos obtener , si sabemos que expresin despejamos , para despus sustituirlo en siguiente:

, de esta ,obteniendo lo

Por ltimo nos piden calcular el valor de , con , por lo tanto lo nico que tenemos que hacer es sustituir el valor de en la frmula de
*
( )

Sustituimos lo valores para finalmente encontrar el valor de ( )

* +

Sabemos que *
( )

+;

Pero esto no nos sirve, ya que lo que queremos es saber cual es el nivel de energa por encima de Ec y debajo de Ev donde la concentracin es mxima, como vemos en el dibujo, no la total, ( ) que es lo que nos entregan las ecuaciones anteriores, as que, considerando que ( ) ( ) y considerando vlida la aproximacin de Boltzman: ( ) De acuerdo al dibujo ( )

) +

El mximo se obtiene cuando y considerando que as que ( ) ( )

) +

) (

* +
)

( (

+
)

} *

=
(

*
)

+(

)
( )

entonces si

+(

o(

por lo que

y esto es cuando

Para el caso de po es un procedimiento similar, considerando que y si es vlida la aproximacin de Boltzman: ( )

( )

( )

( )(

( ))

+;con ( ) +

( )

as que el mximo se obtiene cuando

( )

por lo que
)

*
(

};

*
(

+{

}entonces si * .
( )

+{

} si

esto es

SECCIN 4.5

NEUTRALIDAD DE CARGA

4.27 la aproximacin de Boltzman puede es valida para un semiconductor, el nivel de Fermi debe ser al menos 3kT por debajo del nivel donador en un material tipo n y al menos 3kT por arriba del nivel aceptor en un material tipo p. si T=300 K, determine la mxima concentracin de electrones en un semiconductor tipo n y la mxima concentracin de huecos en un semiconductor tipo p para que la aproximacin de boltzman sea valida a) silicio, b)GaAs

4.29.- considere un semiconductor de germanio a T=300K calcule la concentracin de equilibrio trmico de para a) y b) . Solucin: (a) Primero consideraremos el valor de para el Germanio.

Entonces

Ahora para

Entonces tenemos que:

Ahora para

4.31 Determine la concentracin de electrones y huecos en el silicio para las siguientes condiciones.

4.36.- En una muestra de GaAs a T=200 K, hemos determinado experimentalmente que y que . Calcular , y . Solucin Tenemos que este material GaAsvaria en funcin de la temperatura de la siguiente forma:

Ahora

Finalmente

Sabemos que

as que, asumiendo ionizacin completa, tenemos que

Se puede escribir (

as que )

esto es

y as que: a) El material es tipo p, ya que p0>>n0 pero es compensado.

b) Los portadores mayoritarios p son y los portadores minoritarios n son c) Hay impurezas tipo n e impurezas tipo p, la concentracin de impurezas tipo n es y la concentracin de impurezas tipo p es .
4.45 Un dispositivo de GaAs esta dopado con una concentracin de donadores de 3X1015 cm-3. Para que el dispositivo funcione apropiadamente, la concentracin de portadores intrnseco debe permanecer menor del 5 % del total de concentracin de electrones. Cual es el mximo de temperatura de operacin del dispositivo?.

Seccin 4.6 Posicin y nivel de fermi.

Considerando que

(8.62x10-5)(300)ln(10);

As que: a) el nivel de Fermi intrnseco esta 45meV por encima del punto medio del ancho de banda prohibida del semiconductor. b) i) si ahora EF est 0.450eV por debajo del Emidgap, es claro que son aceptoras las impurezas agregadas, ya que el nivel de Fermi se aproxima a la banda de valencia. ii) si *
( )

+; como ; entonces *

;
( )

;ahora como +;

4.50.-

El silicio a T=300K es dopado con una concentracin de tomos aceptores de a) Determine Ef - Ev b) Calcular la concentracin de tomos aceptores adicional que se debe agregar para mover el nivel de Fermi a una distancia kT mas cerca del lmite de la banda de valencia. Sol. A) de la ecuacin 4.67 tenemos que: [ ] * +

] ( )

Por lo tanto:

4.51 (a) Determine la posicin del nivel de fermi con respecto al nivel de fermi intrnseco del silicio a T=300K que esta dopado con tomos de fosforo a una concentracin de (b) repita (a) si el silicio esta dopado con tomos de boro a una concentracin (c) Calcule la concentracin de electrones en el silicio para la parte (a) y (b). Solucin: (a)Usando la ecuacin (4.65) ( )

para un semiconductor tipo n, la cual nos muestra la diferencia de la posicin entre el nivel intrnseco y el nivel de fermi respecto a la concentracin de donadores. Si y . Sustituyendo valores tenemos ( ) ( )

(b) de la misma forma usando la ecuacin (4.66) para un semiconductor tipo p, la cual nos muestra la diferencia de la posicin entre el nivel intrnseco y el nivel de fermi respecto a la concentracin de aceptores. Si y .

( )

( ) (c) Para (a)

Para (b) usando la ley de accin de masas tenemos: Entonces (

( )