TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Los transistores de efecto de Campo o FET (Field Effect transistor) se denomina as porque durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el paso de la corriente a travs del dispositivo. Estos ttransistores tambin se denominan unipolares para distinguirlos de los transistores bipolares de unin y para descartar el hecho de que solo un tipo de portadores huecos o electronesintervienen en su funcionamiento. Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba mediante una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente. La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico. Son muy empleados en circuitos digitales y analgicos. Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS (Metal Oxide Semiconductor) respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Los FET tienen la particularidad de ser de fabricacin ms simple y de ocupar menos espacio que los BJT. Se pueden encontrar chips de hasta 100.000 MOSFET en su interior. Otra ventaja que tienen los MOSFET es que los resistores y condensadores se suplir con dispositivos MOS, por lo que la fabricacin de circuitos integrados con sta tecnologa se ha difundido tanto. Bsicamente se lo puede considerar formado por un canal semiconductor dopado con alguna impureza, a los extremos de ese canal se depositan sendos conductores a los que se les aplicar un a diferencia de potencial que acelera los electrones en un sentido determinado. Sobre y por debajo del canal se deposita un material semiconductor de distinto tipo que el del canal y a stos se les adosa un conductor para polarizar la unin de semiconductores en inversa. En la siguiente figura vemos este diseo para un canal tipo n con el nombre de los terminales y el smbolo electrnico del mismo.

Queda entonces definida la fuente (S) , el Drenaje (D) y la puerta (G) y las corrientes y tensiones asociadas a cada borne o par de ellos. De forma anloga se realiza la misma representacin para un FET de canal tipo p en la figura siguiente:

CURVA CARACTERSTICA Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N

Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes: Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS. Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula. Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares. Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificacin de seales dbiles.

CARACTERSTICAS DE SALIDA

Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima. CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.