IEES-2 Abril de 2013, Cali, Valle del Cauca, Colombia Paper No.

AMPLIFICADOR DE TENSION
ANALISIS AC DE TRANSISTOR NPN COMO DIVISOR DE TENSION
Melissa Romero, Armando Uribe
Universidad Autnoma de Occidente mrm023@hotmail.com, a.uribe91@hotmail.com

Abstract in this document we will show and

describe the process that we followed to plan and perform the necessary calculations for the respective assembly of a voltage amplifier. It was necessary to check that there was a good fit in order to ensure a good amplification.

I. INTRODUCCIN Una de las aplicaciones ms tpicas de los transistores BJT son su uso como amplificadores de corriente alterna, la aplicacin consiste en un sistema capaz de amplificar la seal de entrada en un factor de ganancia determinada, lo que ser la relacin de salida sobre la entrada. En trminos de seales del voltaje, se habla de ganancia de voltaje dada por Av = . Es necesario saber con anterioridad que para que un transistor logre amplificar una seal, debe estar trabajando en la zona activa. Lo anterior significa que simultneamente conviven elementos de corriente continua y corriente alterna. El montaje del circuito expuesto en clase, corresponde a un amplificador de tensin, siendo ms especficos, a un amplificador PDT mostrado en la figura 1,
Figura 2: Seal original como base a amplificar (10mV RMS @ 1KHz) Figura 1: Circuito montado.

Este amplificador es un ejemplo de amplificador de emisor comn, esto se puede notar debido a que su emisor es por decirlo as, una masa para la seal. Es necesario saber que en este tipo de amplificadores, la seal alterna de entrada (figura 2) se acopla a la base y la seal amplificada aparece en el colector.

II. CIRCUITO BASE En clase se recibieron los datos de un circuito (figura 3) que se deba montar y a su vez realizar el respectivo anlisis para lograr encontrar los valores de cada condensador con el fin de lograr una amplificacin de la seal de entrada.

Se hall la impedancia de entrada mediante la ecuacin: Zin = R1||R2|| Por otro lado se tiene: = Con esto se encontr que = 22.93 Y la impedancia de entrada Zin = 955.82 Ahora segn un anlisis previo, realizado en clase, se encuentran los siguientes valores para las resistencias thvenin de cada condensador, por lo que: Para el condensador 1: Rth = Re Rth = 1000 = 1k Para el condensador 2: Rth = Rg + Zin Rth = 1005.82 = 1k

Figura 3: Circuito Bsico del Amplificador de Tensin

III. CLCULOS Para llevar a cabo una buena obtencin de datos tericos, es necesario inicialmente realizar un anlisis del circuito en corriente continua, para de este modo saber si el transistor est trabajando o no en la regin activa, por lo que inicialmente se mont el circuito, sin condensadores de aqu se tomaron los siguientes valores: Vcc=10V Vce = 4.997 V Ic = 1.10mA Ie = 1.09mA Ib =12.4A =88.7 Ve =1.13V Vb = 1.83V La resistencia de la fuente tambin cuneta como parte del circuito, pero esta no se mide, sino que ya se encuentra indicada pues Rg = 50.

Para el condensador 3: Rth = Rc + RL Rth = 13600 = 13.6k El paso siguiente es hallar el valor de los condensadores, se sabe que la Reactancia est dada por: Xc = Partiendo de ah igualamos Xc al valor de la resistencia thvenin del circuito en CC, por lo que: Rth = Se divide por 0.1, pues al realizar una investigacin previa, se encontr que la estabilidad que brinda el transistor no es tan ideal. Con lo anterior se logra encontrar el valor de cada condensador: C1 = 1.59f C2 = 1.59f C3 = 15.90uf Para lograr mejores resultados, se manejan valores superiores: C1 = C2 = 3uF y C3 = 30uF

IV. SIMULACIN Se realiz la simulacin del circuito de la figura 3 bajo el software LiveWire, a travs del cual se analiza el comportamiento de la seal base (ver Figura 2) y su resultado en el transistor en los puntos Base, Emisor y Colector. Finalmente se analiza sobre la carga. La figura 4 ilustra la seal original montada sobre el voltaje base del transistor (1.83V). Esto debido a que cuando la seal pasa por el Condensador C1, se acopla para que pueda ser amplificada posteriormente. La figura 6 ilustra la seal sobre el Emisor del transistor. Claramente se evidencia muy baja respecto a la seal original, esto para que la mayor parte sea amplificada y se refleje en Colector.

Figura 6: Seal medida en la Emisor

Figura 4: Seal medida en la Base

Finalmente se mide en la carga y se obtiene la seal de la figura 7. La ganancia aproximada es de 106 (Original: 28Vpp, Resultante: 3Vpp). De aqu se analiza que la seal esta invertida dado que se toma por el Colector.

Por otro lado, la figura 5 ilustra la seal en el Colector del transistor. Se puede observar que ya est amplificada debido a la accin natural del transistor. El voltaje de Colector segn los clculos equivale a 6.13V, por lo tanto, dicha seal se monta sobre ese nivel DC, solo resta entonces desacoplarla para eliminar el componente DC.

Figura 7: Seal medida en la Carga

La figura 8 ilustra la comparacin entre la seal de entrada respecto a la de salida. Se puede observar claramente el eficaz efecto del transistor pues se obtiene una considerable ganancia.
Figura 5: Seal medida en Colector

VI. CONCLUSIONES El uso de transistores no est centrado nicamente en circuitos DC donde particularmente se manejan estados de Saturacin y Corte. Es realmente en el anlisis AC donde se puede encontrar el gran poder que tienen los transistores como amplificadores. Configurando el transistor como Divisor de Tensin y ubicando el punto Q de manera ptima en la recta de carga, es posible conseguir el mayor rgimen de amplificacin, esto debido a que la seal debe moverse de semiciclos positivos a negativos y viceversa, por lo tanto si el punto Q est ubicado en la zona de saturacin, la amplificacin se realizara nicamente sobre los semiciclos positivos de la seal.
Figura 8: Comparacin de Seal Original (Azul) con Seal Amplificada Resultante (Rojo)

V. RESULTADOS Y ANLISIS Para el montaje de laboratorio se tuvo en cuenta el mismo circuito presentado en la figura 3 y se procede a realizar el anlisis DC y se verifica que el transistor est trabajando sobre el punto Q Optimo, por tanto, se conectan los condensadores de acople y desacople para inyectar la seal de prueba (figura 2) y medir con el osciloscopio en los puntos mencionados con anterioridad (Base, Colector, Emisor y Carga). La seal de entrada se proporciona a travs de un Generador de Seales y se ajusta de manera adecuada y con ayuda del osciloscopio se verifica que el voltaje RMS sea 10mV y su frecuencia sea se 1KHz. De manera exitosa se obtienen resultados similares a la simulacin y a lo esperado, con mrgenes de error casi nulos y gran estabilidad.

Para efectos prcticos de aplicacin, se encuentra que la impedancia de entrada no es lo suficientemente alta, como para conseguir buena estabilidad, por lo cual en dichos casos se recurre al uso de transistores tipo FET o Amplificadores Operacionales. Sin embargo si se trata de amplificar una seal simple y con bajas perturbaciones el BJT no deja de ser una buena opcin. Finalmente, se comprueba la gran variedad de aplicaciones que puede tener un BJT como amplificador de tensin, en el campo de la Electrnica, ampliando as el panorama sobre las grandes posibilidades que brinda un elemento que en el mercado se consigue a un muy bajo costo. VII.BIBLIOGRAFA:
- MALVINO, Albert P. Principios de Electrnica, Editorial McGraw-Hill, 6 Edicin, 2000. Pginas 81 95. - Aplicaciones de los transistores como circuitos amplificadores. Fundamentos de electrnica, fsica y microelectrnica. Captulo IX, pginas 258-266. ltima visita (Abril 14 de 2013) (http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electr onica/9%20Circuitos%20Amplificadores.pdf).