UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR

CAMPUS UNIVERSITRIO DE TUCURU

FACULDADE DE ENGENHARIA ELTRICA





DISCIPLINA: LABORATRIO DE ELETRNICA ANALGICA II
PROFESSOR: GUILHERME


EXPERIMENTO: REALIMENTAO




ALUNOS:
IVANIL LIMA 09134001018
LIEL NEVES 10134001518
WESLEI RAMOS 10134004418







TUCURU-PA,
2013
1 Resumo
Observar o efeito da realimentao em circuitos amplificadores.
2 Objetivos
A realimentao a ser vista aqui a negativa. Ela usada para se conseguir maior
estabilidade para o circuito. Quando realimentado degenerativamente ocorre uma reduo do
ganho de malha, no entanto, na mesma proporo que isso ocorre h uma dessenbilidade no
ganho, a reduo na distoro no-linear, a reduo do efeito do rudo, o controle das
impedncias de entrada e sada (aumento ou reduo, dependendo da topologia) e a extenso
da faixa de passagem do amplificador. Todas essas so caractersticas muito desejadas para
amplificadores, o que acaba compensando a queda do ganho.
Fazendo as combinaes possveis entre entrada/sada e srie/paralelo, tem-se as
quatro configuraes:
Amplificadores de Tenso: configurao srie- paralelo, apresenta alta resistncia de
entrada e baixa resistncia de sada.
Amplificadores de Corrente: configurao paralelo-srie, apresenta baixa resistncia
de entrada e alta resistncia de sada.
Amplificadores de Transresistncia: paralelo-paralelo, apresenta baixa resistncia de
entrada e baixa resistncia de sada.

TOPOLOGIA SRIE PARALELO:
3 - Abordagem terica
Tambm conhecido como amplificador de tenso, apresenta alta resistncia de entrada
e baixa resistncia de sada (R
if
e R
of
, respectivamente). Como a entrada e a sada so tenses,
o ganho em malha direta A adimensional (V/V). Como o produto A x deve ser
adimensional, temos o ganho de realimentao tambm adimensional, e a amostra para a
realimentao dada por uma tenso V
f
, isto , = V
f
/Vo. O ganho em malha fechada A
f

dado por V
o
/V
f
.

Figura 1: topologia srie paralelo.
4 Materiais
Componentes: Resistores: R
1
= R
S
= R
L
= 1k, R
2
= 27k, amp op 741.
Equipamentos: 2 fontes de tenso DC, 1 multiteste, protoboard, 1 osciloscpio, 1 gerador de
sinais.

5- Resultado e Discusses
Com o auxlio de um multiteste ajustou-se as fontes de tenso para V
1
=+15V e
V
2
=-15V, em seguida montou-se o circuito como mostra a figura 1.
Usando os osciloscpio mediu-se V
0
=0,95V
rms
, V
S
=47,1mV
rms
e V
f
=34,3mV
rms
.
Calculou-se A
f
, beta () e A, como mostrado abaixo:

f
f
V
V
A
0
= Equao 1
3
10 3 , 34
93 , 0

=
x
A
f

11 , 27 =
f
A

0
V
V
f
= | Equao 2
93 , 0
10 3 , 34
3
=
x
|
036 , 0 = |


|
f
f
A
A
A

=
1
Equao 3
V kV A / 13 , 1 =
CIRCUITO AMPLIFICADOR DE TENSO
Mediu-se a corrente de entrada I
S
=0,07A, em seguida calculou-se a resistncia R
f

utilizando a equao 4.

S
S
if
I
V
R = Equao 4

6
3
10 07 , 0
10 1 , 47

=
x
x
R
if

O = k R
if
86 , 672

Com um potencimetro ligado na sada do circuito, diminuiu-se o sinal de entrada at
que este fosse reduzido pela metade, isso foi feito para se determinar a resistncia R
of
que foi
de 89,8.
Com os valores em mos montou-se a tabela 1:
Tabela 1: valores calculados
Config.
Srie-
paralelo
Valores prticos
R
if
(k)

R
of
() A (kV/V) A
f

672,86 89,9 1,13 0,036 27,11

TOPOLOGIA PARALELO - PARALELO:
6 - Abordagem Terica
Chamados amplificadores de transresistncias, apresentam baixa resistncia de entrada
e baixa resistncia de sada. A entrada uma corrente (I
S
) e a sada uma tenso (V
0
), logo o
ganho em malha direta A dado em (V/A) e a amostra para a realimentao dada por ama
corrente I
f
.

Figura 2: topologia paralelo paralelo.
7 Materiais
Componentes: Resistores: R
1
=4,7k, R
S
=10k, R
2
=47k, transistor: BC546BP;
Capacito=10F; potencimetro de 1K.
Equipamentos: 1 fonte de tenso DC, 1 multiteste, protoboard, 1 osciloscpio, 1 gerador de
sinais.

8- Resultado e Discusses
Ajustou-se a fonte de tenso DC para 12V, e com o circuito montado mediu-se V
B
e
V
S
e V
0
, listado na tabela 2, em seguida calculou-se A
f
utilizando as equaes 5 e 6.
Tabela 2: valores medidos de tenso.
V
0
V
B
V
S
4,01V 651mV 109mV


| A
A
A
f
+
=
1
Equao 5

) // // )( // ( /
t
r R R R R g I V A
f S C f m i o
= = Equao 6
A kV A / 7 , 358 =

Substituindo o valor de A na equao 5, tm-se:

) 10 7 , 358 (
10 47
1
1
10 7 , 358
3
3
3
x
x
x
A
f

|
.
|

\
|
+

=
O = k A
f
6 , 41

De posse desses valores, calculou-se I
S
, utilizando a equao 7.

( )
S
B S
S
R
V V
I

= Equao 7

( )
3
3 3
10 10
10 651 10 109
x
x x
I
S

=
A I
S
2 , 54 =
Com o valor de I
S
foi possvel calcular R
if
, utilizando a equao 8.

S
B
if
I
V
R = Equao 8

6
3
10 2 , 54
10 651

=
x
x
R
if

O = k R
if
01 , 12
Para obter a resistncia de sada (R
of
), conectou-se um capacitor em srie com o
potencimetro tambm ligado srie com a sada do circuito. Ajustou-se o potencimetro de
modo a se obter V
0
/2, em seguida mediu-se a resistncia no potencimetro, esta foi de
R
0f
=267.
Tabela 3: valores medidos.
Config.
Paralelo-
paralelo
Valores prticos
R
if
(k)

R
of
() A A
f

12,01 267 -358,7k -1/47k -41,6k

TOPOLOGIA PARALELO - SRIE
9- Abordagem Terica
Chamados amplificadores de corrente apresentam baixa resistncia de entrada e alta
resistncia de sada. Como a entrada e a sada so correntes, o ganho em malha direta A
adimensional (A/A). O produto A x deve tambm ser adimensional, assim como o ganho de
realimentao e a amostra para a realimentao dada por uma corrente I
f
.

Figura 3: topologia paralelo - srie.
10- Materiais
Componentes: Resistores: R
C1
=10k, R
C2
=10k, R
B1
=100k, R
B2
=15k, R
S
=100k,
R
E1
=820, R
E2
=3,3k e R= 10k, 2 transistores: BC238BP; 3 capacitores de 10F e 1 de
100F e 1 potencimetro de 1K.
Equipamentos: 1 fonte de tenso DC, 1 multiteste, protoboard, 1 osciloscpio, 1 gerador de
sinais.

11- Resultado e Discusses
Ajustou-se a fonte de tenso DC para 12V, e com o circuito montado mediu-se V
B1
,
V
S
, V
0
e V
E1
, sabendo-se que R
f
=10k calculou-se A, A
f
e . Os valores medidos esto
mostrados na tabela 4.
Tabela 4: valores simulados de tenso e corrente.
V
0
V
B1
V
S
V
E1
V
E2
I
0
0,38mV 12V 11,9V 11,9 11,9 0,38A

b
I
I
A
0
= Equao 9

f S b
I I I = Equao 10

f
E B
f
R
V V
I
2 1

= Equao 11
A I
f
10 =

S
B S
S
R
V V
I
1

= Equao 12
A I
S
10 =
Substituindo I
S
e I
f
na equao 10, tm-se:
A I
b
20 =
Substituindo I
b
na equao 9, tm-se:
A mA A / 19 =
Calculou-se o beta utilizando a equao 13:

o f
I I / = | Equao 13
31 , 26 = |


Substituindo o valor de e de A na equao 4, tm-se:

| A
A
A
f
+
=
1
Equao 4
m A
f
66 , 12 =
A partir dos valores obtidos acima, calculou-se a resistncia R
if
como mostrado
abaixo:

S
B
if
I
V
R
1
=
Equao 15
O = M R
if
2 , 1

Tabela 5: valores simulados.
Config.
Paralelo-
Srie
Valores Simulados
R
if
(M)

A A
f

1,2 -19m 26,31 -12,66m

De posse dos valores obtidos nos circuitos de realimentao, montou-se a tabela 6,
onde podemos observar uma comparao dos parmetros calculados em cada circuito.

Tabela 6: comparao entre simulao e prtica.
Configurao
Valores Simulados
R
if
()

R
of
( ) A (V/V) A
f
Paralelo-Srie 1,2M ___ -19m -1/47k -12,66m
Configurao
Valores Prticos
R
if
(k) R
of
( ) A (kV/V) A
f
Srie-paralelo 672,86 89,9 1,13 0,036 27,11
Paralelo-Paralelo 12,01 267 -358,7 -1/47k -41,6k





12 Concluso
Analisando os resultados obtidos, podemos observar que os resustados obtidos em
laboratrio esto coerentes com a teoria. Porm com algumas discrepncias nos valores de
resistncia, capacitncia e nos valores dos betas dos transistores.































13- Referncias Bibliogrficas
Livro
1- Sedra Smitch, Microeletrnica, 5 Edio.

Software:
Proteus ISIS PROFESSIONAL.