09b+10+TBJ+parte+1 2011+2

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
AULAS 09b e 10
Transistores Bipolares de Juno (TBJ)

Parte 1
Prof. Roberto Jacobe Rodrigues roberto.rodrigues@ufabc.edu.br 2o Quadrimestre de 2011

1
Contedo
Breve histrico Aplicaes do Transistor (Motivao) Princpio Introduo Polarizao Ponto Quiescente ou de Operao Anlise por Reta de Carga Recapitulao para a P1 Exerccios
2
Transistores TBJ Breve Histrico

Entre 1904 e 1947: utilizao de vlvulas (equipamentos pesados e de baixo rendimento).
Em 1947/48: Walter Brattain e John Bardeen demonstraram a funo de

amplificao do primeiro transistor nos laboratrios da Bell Telephone. A partir disto houve um grande impacto nas indstrias e na sociedade.
A partir de ento:
- circuitos integrados; - componentes optoeletrnicos;
- microprocessadores.
- muitos outros... O transistor revisou a indstria dos computadores. Eles ocupavam uma sala inteira, mas agora cabem numa escrivaninha.
3
Apenas para pensar a respeito...
Em 2005, a produo mundial de transistores foi maior e mais barata do que todos os gros de
arroz produzidos no mundo.

Fonte: BussinessWeek (Ethevaldo Siqueira do Jornal Estado de So Paulo)
Aplicaes de Transistores
Amplificadores de Pequenos Sinais Amplificadores de Potncia (Ex. de aplicao: Telecomunicaes)
Amplificadores Diferenciais (Ex. de aplicao: Instrumentao)

Chaveamento
- acionamento de rels (Ex. de aplicao: motores e alarmes)
- portas lgicas
Osciladores (Ex. de aplicao: geradores de sinais) Fontes de Alimentao

no serve para comer...
5
Transistores TBJ Construo

Os Transistores Bipolares de Juno (TBJ) ou BJT (Bipolar Junction Transistors) so formados por cristais tipo-n e tipo-p formando estruturas npn ou pnp. Emissor fortemente dopada. Tem a funo de emitir ou injetar eltrons na base.
Base
levemente dopada e muito fina. Permite controlar a passagem dos eltrons do emissor at o coletor. Coletor Tem dopagem intermediria. Coleta os eltrons que vm da base. a regio mais extensa das trs e a que dissipa mais calor.
6
Transistores TBJ Construo
Coletor: dopagem intermediria.
Base: levemente dopada e fina.

Emissor: densamente dopada.
Transistores TBJ Estrutura Simplificada (npn)
Simbologia
Transistores TBJ Estrutura Simplificada (pnp)
Simbologia
Transistores TBJ Junes (Diodos Coletor e Emissor)

O transistor tem duas junes: a) entre o emissor e a base; b) entre a base e o coletor. O transistor assemelha-se a dois diodos. O diodo da esquerda chama-se diodo emissor-base ou diodo emissor. O diodo da direita chama-se diodo coletor-base ou diodo coletor.
10
10
Operao do TBJ No Polarizado Relembrando do estudo de diodos (ver Aulas iniciais):
a) A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de

depleo (falta de portadores).
b) o potencial da barreira aproximadamente 0,7 V (25C) para um TBJ de

silcio e 0,3 V para um TBJ de germnio. c) As camadas de depleo no possuem a mesma largura em razo dos diferentes nveis de dopagens. d) a camada de depleo do emissor tem espessura inferior camada de depleo do coletor.
11
11
Operao do TBJ Polarizao

O fluxo de corrente de um transistor npn quando o mesmo est polarizado na regio ativa representado na figura abaixo. - O diodo emissor diretamente polarizado. - O diodo coletor inversamente polarizado.
A corrente no coletor tem valor prximo da corrente no emissor, sendo muito

superior corrente na base.
12
12
Operao do TBJ Polarizao

Se VBE > 0,7 V muitos eltrons do emissor penetram na regio da base.
Devido condutividade eltrica reduzida da base (regio levemente dopada e estreita)

e a tenso de coletor, os eltrons fluem, predominantemente, para o coletor. No coletor, os eltrons livres so atrados da sua regio interna para o terminal
positivo da fonte, VCB.

A corrente de coletor controlada pela corrente de base.
13
13
Correntes no Transistor
O ganho de corrente do coletor com relao base conhecida como DC ou hFE. O ganho de corrente pode variar entre 20 e 400.
Fluxo convencional Fluxo de eltrons
IE = I C + I B acc = IC IE cc = IC IB
Se,
IB << IC
ento:
IC @ IE
14
14
Correntes no Transistor
ALFA CC O aCC indica o quanto as correntes de emissor e coletor tm valores prximos. Exemplo Se IC = 4,9 mA e IE = 5 mA, determine aCC:
a CC
BETA CC
4,9mA 0,98 5mA
O CC relaciona a corrente do coletor com a corrente de base.
Exemplo
Se IC = 5 mA e IB = 0,05 mA, determine CC:
CC
5mA 100 0,05mA
15
15
Correntes no Transistor Ligao Emissor Comum (EC)

Relembrando: - Quando VBE > 0,7 V, o emissor injeta esses eltrons na base. - A base fina e pouco dopada permite que os eltrons consigam se difundir atravs da camada de depleo do coletor. - A polarizao reversa do diodo coletor atrai os eltrons para o coletor, de onde fluem para a fonte de alimentao.
16
16
Correntes no Transistor Relao entre aCC e CC

Pela Lei de Kirchhoff para correntes, tem-se:
I E IC I B
IE IB 1 IC IC
a CC
CC
CC
CC
Exemplo
a CC 1 a CC
a CC
CC 1
Considere aCC = 0,98. Qual o valor de CC? Exemplo Considere CC = 100. Qual o valor de aCC? Resp.: CC = 49. Resp.: aCC = 0,99.
17
17
Relao entre as Correntes no Transistor

Relembrando: A corrente de emissor a soma da corrente do coletor mais a corrente de base.
I E IC I B
A corrente do coletor aproximadamente igual corrente do emissor.
IC @ I E
A corrente da base muito menor do que as outras duas.
I B I C
I B I E
18
18
Curvas Caractersticas Configurao Emissor Comum

Relaciona a corrente no coletor com a tenso eltrica entre coletor e emissor.
Cada curva caracterstica depende do valor da corrente na base do transistor.
Portanto, obtida uma famlia de curvas parametrizadas pela corrente na base.

19
19
Curvas Caractersticas Configurao Emissor Comum

Note que na famlia de curvas abaixo, para cada valor de IB apresentado uma nova curva.
20
20
Curvas Caractersticas Regies de Operao

- Ativa: a juno emissor-base est polarizada diretamente (VBE > 0,7 V) e a juno base-coletor est polarizada reversamente (VCB > 0). - Corte: as junes base-emissor e base-coletor esto polarizadas reversamente
(VBE < 0,7 V ou VBE < 0 e VCB > 0). Neste caso IC = 0.
- Saturao: as junes base-emissor e base-coletor so polarizadas diretamente (VBE > 0,7 V e VCB < 0).
21
21
Curvas Caractersticas Curvas da Base

A seo base-emissor um diodo. Portanto, a curva da corrente de base em funo da tenso da base-emissor se comporta como uma curva de diodo.
Questo: Explique a dependncia observada de IB com VCE para um VBE fixado.
22
22
Curvas Caractersticas Curvas de ganho de Corrente

A uma temperatura fixa, CC aumenta at um valor mximo quando a corrente do coletor aumenta.
Nota: Veremos mais adiante que existem circuitos polarizadores que compensam esta dependncia do ganho de corrente com a corrente de coletor.
23
23
Especificaes
Os transistores de pequeno sinal podem dissipar 0,5 W ou menos. Todas as tenses so reversas e de ruptura. VCEO: tenso de coletor para o emissor com a base aberta. VCBO: tenso entre o coletor e a base com o emissor aberto. VEBO: tenso do emissor para a base com o coletor aberto. IC: corrente mxima CC do coletor. PD: potncia mxima do componente. Exemplo: Especificaes mximas do 2N3904: VCEO = 40 V; VCBO = 60 V; VEBO = 6 V; IC = 200mA (CC); PD = 310 Mw
24
24
Especificaes Potncia
A potncia de um transistor pode ser calculada pela equao abaixo.
PD VCE I C
Exemplo: Se um 2N3940 tiver um VCE = 20 V e IC = 10 mA, determine a potncia deste componente. Resp.: 200mW
25
25
Polarizao Circuitos Polarizadores

o Transistor como chave funcionamento nas regies de corte e Transistor como amplificador funcionamento na regio ativa. Na amplificao de um sinal a nica mudana deve ser na amplitude
saturao aplicaes em circuitos digitais.

o o
da tenso ou da corrente ou de ambos (amplificador de potncia)

ausncia de distores. o Para sinal peridico (ex.: CA) a freqncia do sinal de entrada
mantida aps amplificao.
Importante: Antes de aplicar o sinal na entrada, necessrio determinar o ponto de operao do transistor, tambm conhecido como ponto quiescente (Q) do transistor.
26
26
Polarizao Pontos de Operao

A: ausncia de polarizao e, portanto no funcionamento do circuito. B: variao da tenso e da corrente distante das regies de corte e de saturao.
C: idem anterior, mas

prxima das regies de corte e de sarturao. D: regio muito prxima da regio de ruptura ou
27 queima do transistor.
27
Polarizao Definio
Define-se polarizao como sendo o estabelecimento dos valores das
correntes de coletor, de base e tenso VCE, ou seja, o Ponto de Trabalho.
Escolha de Transistor, Tenses, Correntes e Resistncias
Funcionamento do Transistor em uma das regies da famlia de curvas caractersticas (slide anterior)
POLARIZAO
28
28
Polarizao Circuito Amplificador de pequenos sinais

O circuito da Figura abaixo apresenta duas componentes para o sinal aplicado base do transistor e presente no seu coletor: - Componente CC - Componente CA Nota: a configurao ao lado instvel devido dependncia do ganho () com IC e a temperatura. Devido validade do Teorema da Superposio possvel analisar o funcionamento deste circuito separando-se os efeitos produzidos pelos dois componentes (CC e CA). Os capacitores C1 e C2 impedem que a componente CC esteja presente nos terminais de entrada e de sada do amplificador.
29
29
Polarizao
Exemplo 1:
Determine o nvel de saturao do circuito da Figura abaixo, ou seja, o valor

de IC considerando o transistor trabalhando na regio da saturao (ICsat).
Resp.: 5,45 mA
30
30
Polarizao
Observe, na Figura abaixo, que a d.d.p. entre Coletor e Emissor igual a d.d.p.
no ponto C (medida com respeito referncia), ou seja, VCE = VC, pois VE = 0.
Questes: porque a d.d.p. VCE = VCC para o caso da base estar aberta? Em
que regio de sua polarizao est o transistor?
31
31
Polarizao Linha de Carga

Utilizando a polarizao pela base, tem-se:
Observao: a expresso acima obtida aplicando-se a Lei de Kirchhoff na

malha de sada.
32
32
Polarizao Como obter a Linha de Carga

Parte 1: Determinar a mxima corrente de coletor (Saturao):
33
33
Polarizao Como obter a Linha de Carga

Parte 2: Determinar a d.d.p. VCE quando a corrente de coletor nula (Corte):
34
34
Polarizao Linha de Carga Caractersticas do circuito.
35
35

Linha de carga para polarizao fixa.
36
36

Movimento do ponto Q com valores crescentes de IB.
37
37

Efeito do aumento no valor de RC na reta de carga e no ponto Q.
38
38

Efeito da variao de VCC na reta de carga e no ponto Q.
39
39

Exemplo: Dada a linha de carga e o ponto Q da Figura abaixo, determine os valores exigidos de VCC, RC e RB para uma configurao fixa.
40
40

Soluo:
41
41
Polarizao Resistor de Emissor

Apartir da Figura abaixo e usando a malha de sada (ou do coletor), tem-se:
VCE I E RE VCC I C RC 0
I E @ IC
VCC VCE IC @ RC RE
VCC I Csat RC RE
Circuito da malha coletor-emissor.
VCEcorte VCC
42
42
Polarizao Resistor de Emissor
Circuito de polarizao do TBJ com resistor de emissor.
43
43

Linha de carga caractersticas do circuito.
44
44
Polarizao Linha de Carga Exemplo:

Para o circuito da Figura abaixo, determine IB; IC; VCE; VC; VE; VB e VBC.
45
45

Soluo:
20 0,7 IC @ 2,01mA 3 3 1.10 430.10 50

2,01.103 IB 40,2A 50
46
46

Soluo:
47
47

Exemplo:
Calcule o valor da corrente de saturao do coletor na Figura abaixo. A

seguir, calcule a corrente do coletor para os valores CC = 100 e CC = 300.
48
48

Soluo: A corrente saturada do coletor
15 I Csat 14,9mA 910 100

Quando CC = 100:
IC
15 0,7 3,25mA 3 100 430.10 / 100
Quando CC = 300:
15 0,7 IC 9,33mA 3 100 430.10 / 300

49
49
Recapitulao para a P1
Aula 1 Semicondutores - Dopagem - Impurezas - Ionizao - Recombinao - Influncia da temperatura - Portadores de carga - Semicondutores e condutores - Potencial trmico
Aula 2 Prtica 1
- Circuito RC - Determinao experimental da capacitncia
- Fontes de erro experimental

- Influncia da resistncia interna do gerador de sinais - Divisores de tenso e de corrente
50
50
Aula 3 Diodos - Barreira de Potencial - Camada de depleo - Correntes no diodo Aula 4 Prtica 2 - Polarizaes direta e reversa - LED e sensores de luminosidade - Curva caracterstica
- Modelos (ou aproximaes) - Tenso de ruptura
- Significado das d.d.p.s medidas pelo multmetro (modos AC e DC)

- Influncia de R e C no retificador com filtro RC - Influncia da barreira de potencial sobre o sinal retificado Aula 5 Aplicaes de diodos parte 1 - Retificadores - Filtro RC - Ondulao - PIV
51
- Tenses e correntes no diodo: especificaes tcnicas

51
Aula 6 Prtica 3 - Regulador: critrio para verificao do funcinamento - Duplicador de tenso eltrica e dependncia da carga
- Grampeador
Aula 7 Aplicaes de diodos parte 2 - Reta de carga e Ponto Quiescente
- Projeto de regulador simples

- Diferentes aplicaes: circuitos, formas de onda e especificao(es) do(s) diodo(s) Aula 8 Prtica 4 - Levantamento de curva caracterstica de transistor - Tenses e correntes em circuito polarizado por diviso de tenso na base - Dependncia com a temperatura - Porta lgica a transistor
52
52
Aulas 9a 9b e 10 Lista de exerccios, Introduo aos transistores e Recapitulao - Curvas caractersticas - Princpio - Ponto de Operao
- Regies de operao
- Correntes e tenses em circuito polarizado - Capacitores de acoplamento
- Polarizao (significado)
- Especificaes tcnicas Importante:
- Mais tpicos abordados devem ser verificados nas demais apresentaes das aulas.
- Encontrar e estudar os captulos correspondentes na Bibliografia bsica. - Existem exerccios propostos e resolvidos nos livros textos (ou com a resposta). 53
53
Exerccios
Para os exerccios 1 e 2, assinale a alternativa correta. 1) O ganho de corrente de um transistor definido como a razo da corrente do coletor pela a. Corrente de base. b. Corrente do emissor. c. Corrente da fonte. d. Corrente do coletor. 2) Se o valor do resistor da base for muito baixo, o transistor operar na a. Regio de corte. b. Regio ativa. c. Regio de saturao.
d. Regio de ruptura.
54
54
Exerccios
3) Quais so os valores da corrente de saturao e da tenso de corte na Figura abaixo?
Resp.:
ICsat = 10 mA;
VCEcorte = 30 V.
55
55
Exerccios
4) Na Figura abaixo, qual ser a tenso entre o coletor e o terra se o ganho de corrente for de 200?
Resp.:
VCE = 13,86 V.
56
56
Exerccios
5) Qual a tenso no coletor na Figura abaixo? E a tenso no emissor?
Resp.: VC = 10 V;
VE = 1,8 V.
57
57
Exerccios
6) Para o circuito ao lado, determine, IB, RB, RC, IE e RE. Dados do Transistor VBE = 0,7 V Dados do Projeto VCC = 10 V VCE = 50% de VCC VRE = 10% de VCC IC = 20 mA
= 100
58
58
Exerccios
12) A configurao com polarizao do emissor da Figura a seguir tem as seguintes especificaes ICQ = 0,5.ICsat , com ICsat = 8 mA, VC = 18 V e = 110. Determine RC , RE e RB.
Resp.:
RC = 2,5 kW
RE = 1 kW RB = 639,8 kW
59
59

09b+10+TBJ+parte+1 2011+2

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

09b+10+TBJ+parte+1 2011+2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Transistores Bipolares de Juno (TBJ)

Prof. Roberto Jacobe Rodrigues roberto.rodrigues@ufabc.edu.br 2o Quadrimestre de 2011

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Transistores TBJ Breve Histrico

Em 1947/48: Walter Brattain e John Bardeen demonstraram a funo de

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Apenas para pensar a respeito...

arroz produzidos no mundo.

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Amplificadores de Pequenos Sinais Amplificadores de Potncia (Ex. de aplicao: Telecomunicaes)

Amplificadores Diferenciais (Ex. de aplicao: Instrumentao)

Osciladores (Ex. de aplicao: geradores de sinais) Fontes de Alimentao

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Transistores TBJ Construo

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Transistores TBJ Construo

Coletor: dopagem intermediria.

Base: levemente dopada e fina.

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Transistores TBJ Estrutura Simplificada (npn)

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Transistores TBJ Estrutura Simplificada (pnp)

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Transistores TBJ Junes (Diodos Coletor e Emissor)

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Operao do TBJ No Polarizado Relembrando do estudo de diodos (ver Aulas iniciais):

a) A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de

b) o potencial da barreira aproximadamente 0,7 V (25C) para um TBJ de

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Operao do TBJ Polarizao

A corrente no coletor tem valor prximo da corrente no emissor, sendo muito

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Operao do TBJ Polarizao

Devido condutividade eltrica reduzida da base (regio levemente dopada e estreita)

positivo da fonte, VCB.

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

4,9mA 0,98 5mA

O CC relaciona a corrente do coletor com a corrente de base.

5mA 100 0,05mA

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Correntes no Transistor Ligao Emissor Comum (EC)

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Correntes no Transistor Relao entre aCC e CC

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Relao entre as Correntes no Transistor

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Curvas Caractersticas Configurao Emissor Comum

Cada curva caracterstica depende do valor da corrente na base do transistor.

Portanto, obtida uma famlia de curvas parametrizadas pela corrente na base.

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Curvas Caractersticas Configurao Emissor Comum

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Curvas Caractersticas Regies de Operao

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Curvas Caractersticas Curvas da Base

Questo: Explique a dependncia observada de IB com VCE para um VBE fixado.

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Curvas Caractersticas Curvas de ganho de Corrente

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica