El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda. Funcionamiento Caracterstica idealizada de un transistor bipolar. En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin base-colector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo

elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones. Transistor de uninjuntura Un transistor de unijuntura o UJT (unijunction transistor en ingls) es un componente electrnico que acta como un interruptor sensible al voltaje. A diferencia de un transistor de unin estndar, ste no amplifica las corrientes y como tal no se usa en circuitos amplificadores. En vez de eso su accin de conmutacin lo vuelve til para aplicaciones de activacin y temporizacin. Diseo Un UJT tiene tres puntas llamadas base 1, base 2 y emisor que se usan para conectar el dispositivo a un circuito. Un transistor estndar tiene dos uniones de silicona pero un transistor de unijuntura solamente tiene una. Dentro del dispositivo el emisor se conecta a una pequea cuenta de silicona cargada positivamente. La cuenta se encuentra en un bloque ms grande de silicona cargado negativamente que conduce las dos puntas de base. Un empaque de plstico o metal contiene las partes de silicona protegindolas del dao y la contaminacin. Resistencia negativa La curva de corriente versus voltaje para un transistor de unijuntura exhibe una propiedad inusual llamada "resistencia negativa". Al principio el voltaje y la corriente incrementan juntos como lo hacen para la mayora de los dispositivos electrnicos. Sin embargo despus de que el voltaje llega a su pico ste disminuye mientras la corriente contina incrementando entre las terminales del emisor y la de base 2. La resistencia negativa le proporciona al UJT su comportamiento de activacin. Voltaje interbase Para hacer que el UJT funcione se necesita un voltaje positivo, llamado el voltaje interbase, a travs de las puntas base 2 y base 1. El transistor de unijuntura tiene un rango mximo de voltaje interbase, por lo que el circuito no puede excederlo sin daar el componente. El valor del voltaje interbase establece el voltaje de activacin emisor-base.

Oscilador de relajacin Un circuito llamado oscilador de relajacin aprovecha la resistencia negativa del UJT. En el oscilador un voltaje incrementa y luego baja en un ciclo que se repite indefinidamente. Adems del transistor el circuito necesita solamente un condensador y un par de resistencias. El circuito forma la base de los temporizadores electrnicos, generadores de tonos y generadores de ruido. Transistor de efecto campo JFET symbol P.png JFET symbol N.png P-channel N-channel

Smbolos esquemticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en

la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales. Tipo de transistores de efecto campo Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta: El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenajefuente de 1 a 200V. Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor.por eso tenemos lareferencia Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales . La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.