TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (JFET, MOSFET, MESFET)

Los transistores de efecto de campo o FET1 se denominan as por que durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el paso de la corriente a travs del dispositivo. Estos transistores tambin se denominan unipolares para distinguirlos de los transistores bipolares de unin y para destacar el hecho de que solo un tipo de portadores electrones o huecos- intervienen en su funcionamiento. Los transistores de efectos de campo de unin (JFET) fueron primero propuestos por Schockley en 1952 y su funcionamiento de basa en el control de paso de la corriente por el campo aplicado a la puerta, constituida por una o varias uniones p-n polarizadas en inverso. Los transistores de efecto de campo de unin metal-semiconductor (MESFET), propuestos en 1966, tienen un funcionamiento muy similar al JFET, pero en ellos el control del flujo de corriente se realiza por una unin metal-semiconductor de tipo Schottky. Finalmente, existen tambin otro tipo de transistor denominados genricamente MOSFET (metal-oxido-semiconductor), de desarrollo ms reciente, en los que el control de la corriente a travs del semiconductor se realiza mediante un contacto separado del semiconductor por una capa aislante (normalmente, oxido de silicio). Este tipo de transistores se utiliza preferentemente en la electrnica digital. . En comparacin con los transistores bipolares, Los FET presentan una impedancia entrada muy elevada y adems consumen muy poca potencia, por lo cual su uso se extendido sobre todo en los circuitos integrados. Tambin encuentran aplicaciones circuitos de altas frecuencia (microondas), especialmente los MESFET de arseniuro galio, los cuales tienen un tiempo de respuesta muy rpido debido a la alta movilidad los electrones de este material. de ha en de de

El acrnimo FET proviene del nombre en ingls: Field Effect Transistor Asimismo JFET procede del nombre: Juntion Field Effect Transistor:

1. EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN (JFET). 1.1 DESCRIPCIN DEL TRANSISTOR. .

La estructura bsica de un JFET est formado por un semiconductor, de tipo n por ejemplo, con dos contactos hmicos en sus extremos, uno de ellos S denominado fuente o surtidor y el otro D conocido por el nombre de drenador o sumidero. El tercer electrodo G, denominado puerta, est constituido por dos regiones p difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma as en el contacto de puerta dos uniones p-n, las cuales estn conectadas entre s y polarizadas en inverso, de forma que la corriente que pasa a travs de ellas es prcticamente nula. Generalmente la unin de puerta es del tipo -n, lo cual significa que la regin p de la puerta est mucho ms dopada que la regin n del semiconductor. . El semiconductor est formado por una capa de carcter n (capa epitaxial 2) depositada sobre un substrato de silicio u otro semiconductor de tipo p , Una rea pequea de la superficie de esta capa esta difundida con impurezas tambin de tipo p, y forman, el contacto de puerta. Los electrodos metlicos de fuente y sumidero se depositan directamente a ambos lados del contacto superior de puerta. Si el semiconductor es de tipo n, la polarizacin se hace de forma que la corriente de electrones (portadores mayoritariamente) fluya desde el contacto del surtidor, S al de drenador, D. Esto quiere decir que la tensin debe ser positiva. Se dice entonces que el semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los electrones, estando limitado el canal por las paredes que forman las dos regiones de carga espacial adyacentes a las uniones p-n de la puerta. En las regiones de carga espacial la concentracin de carga libre es muy baja y por tanto su resistividad es muy alta. .

1.2 ESTRUCTURA DE LOS JFET.

Barra semiconductora con contactos hmicos en los extremos. . Puerta o elemento de control muy impurificado con portadores distintos a los de la barra. Elementos: Fuente o surtidor (S), Drenador (D), Puerta (G), y Canal (regin situada entre las dos difusiones de puerta). . La tensin puerta surtidor (VGS) polariza inversamente las uniones. La corriente entre Drenador (D) y Fuente (S) se controla mediante el campo creado por la polarizacin inversa aplicada a la puerta (G). .
2

procesos en la fabricacin de circuitos integrados. A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este .

Figura 1.

1.3 JFET: ESQUEMAS CARACTERSTICOSS.

Figura 2. Smbolos de los JFET.

Figura 3. Esquema bsico de polarizacin canal n

1.4 DISPOSITIVO DE CANAL n.

En la figura 4 se aplica un voltaje positivo A travs del canal y la compuerta conectada directamente a la fuente para establecer la condicin de El resultado es una compuerta y una fuente al mismo potencial y una regin de empobrecimiento en el extremo bajo de cada material p. En el instante en que se ( ), los electrones zona trados hacia el drenaje y se establece la aplica corriente convencional Con la direccin definida en la figura 3. La trayectoria del flujo de cargas revela claramente que las corrientes a travs del drenaje y la fuente ). El flujo de cargas es limitado solo por la resistencia del son equivalentes ( canal n entre la fuente y el drenaje. Suponiendo una resistencia constante en el canal n, se puede descomponer la resistencia del canal en las divisiones que aparecen en la figura 4. . La corriente establecer los niveles de voltaje a travs del canal. El resultado es que la regin superior del material tipo p se polariza en inversa alrededor de 1.5V, con la regin inferior polarizada en inversa con solo 0.5V. Cuanto ms grande es la polarizacin en inversa aplicada, ms ancha es la regin de empobrecimiento. El hecho de que la unin p-n se polarice en inversa a lo largo del canal produce una corriente de cero amperes en la ssssssssssssssssssssssssssssssssss compuerta, y esto es una caracterstica importante en los JFET. . Conforme el voltaje aumente de 0V a algunos volts, la corriente tambin lo har de acuerdo con la ley de Ohm. La pendiente constante relativa revela que en la regin de valores bajos de , la resistencia en esencia es constante. A medida que se incrementa y se aproxima a un nivel conocido como , las regiones de empobrecimiento se ensanchan, lo que reduce notablemente el ancho del canal. La ruta reducida de conduccin hace que la resistencia se incremente, cuanto ms horizontal sea la curva, ms alta ser la resistencia

Figura

5.

A medida que aumenta ms all de , la longitud de la regin del encuentro cercano entre las dos regiones de empobrecimiento crece a lo largo del canal, pero el nivel de permanece igual. En esencia, por consiguiente, una vez que , el JFET tiene las caractersticas de una fuente de corriente. La corriente se mantiene fija en el valor , pero la carga aplicada determina el (para niveles ). La notacin se deriva del hecho de que es la corriente del drenaje a la fuente con una conexin de cortocircuito desde la compuerta hasta la fuente. Es la corriente de drenaje mxima para un JFET y est definida por la condicin . | | . El voltaje de la compuerta a la fuente, denotado , es el voltaje de control de JFET. Para el dispositivo de canal n el voltaje de control se vuelve ms y ms negativo a partir de su nivel La compuerta se establecer a niveles de potencial cada vez ms bajos al compararla con la fuente. . El efecto de de polarizacin negativa es establecer regiones de empobrecimiento similares a las obtenidas con , pero con niveles ms bajos de , permitindole a la compuerta es alcanzar el nivel de saturacin a un nivel ms bajo de . . . El nivel de que induce est definido por , con

convirtindose en un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje positivo para JFET de canal

Figura 6. Caractersticas de un JFET de canal n

1.5 RESISTOR CONTROLADO POR VOLTAJE.

La regin hmica o de resistencia controlada por voltaje, el JFET se puede emplear como resistor variable, cuya resistencia la controla el voltaje aplicado de la compuerta a la fuente. . La resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente con , son una funcin del voltaje aplicado . A medida que se vuelve ms negativo, la pendiente de cada curva se hace cada vez ms horizontal lo que corresponde a una resistencia cada vez ms grande. Una aproximacin al nivel de resistencia en funcin del voltaje aplicado es: .

( Donde es la resistencia con y

) .

en la resistencia a un nivel particular de

1.6 DISPOSITIVO DE CANAL P. Se constituye de igual manera que el dispositivo de canal n con los materiales p y n invertidos

Figura 7. Caracteristicas de un JFET de canal p

Figura 8.

REGION OHMICA Valores pequeos de

Resistencia hmica:

||

||.

Valores usuales de las resistencias: de 100 a 100 ( ada )

define un valor de resistencia distinto.

| || | | ||.

REGION DE CONTRACCION |

Al elevar deja de crecer linealmente se entra a la zona de contraccin Clculo de la tensin de contraccin Vp