Captulo 8

Amplicacin ptica y ptica integrada

En el transcurso de esta asignatura hemos visto el sistema de transmisin, sus caractersticas y el emisor y el receptor. Cuando una conexin tiene una longitud tal que la atenuacin hace que la seal est por debajo del lmite de recepcin se necesita amplicar la seal, con nuestros conocimientos actuales parece que la solucin a esto sera la recepcin de la seal con un fotodetector, la amplicacin de la seal de forma elctrica y su reemisin. El mtodo descrito se utiliza, pero es un factor limitante en el desarrollo de los sistema de bra. La conversin de la seal de ptica a elctrica y viceversa suele ser un cuello de botella y restringe tanto el ancho de banda operativo como la calidad de la seal. Si estas operaciones pudieran realizarse sin transformar la seal ptica parece claro que sera de gran importancia para este campo. De hecho hay numerosos componentes, aunque algunos en estado de desarrollo, que cumplen las premisas anteriores. La idea de este captulo es hacer un resumen de estos componentes y su forma de funcionamiento y uso.

8.1 Amplicadores pticos

Los amplicadores pticos como su nombre indica operan haciendo uso slo de fotones, sin necesitar la interaccin de electrones. De esta forma no es necesario colocar amplicadores optoelectrnicos entre tramos de bra, los amplicadores pticos consiguen una amplicacin lineal de la seal ptica en determinados tramos de longitudes de onda. El amplicador ptico proporciona una solucin ms simple al problema de la atenuacin y puede ser usado independientemente del tipo de modulacin y del ancho de banda, adems es un dispositivo bidireccional y permite el trabajo en sistemas con multiplexacin de longitud de onda. Particularizando en sistemas monomodo donde la dispersin temporal es pequea la simple amplicacin es suciente para un enlace de bra, sin embargo, para sistemas con dispersiones elevadas puede que la amplicacin no sea suciente y se necesite la regeneracin de la seal y en este caso ya ser necesario el interfaz optoelectrnico. Los amplicadores pticos han resultado tener ms tilidades que su uso como repetidores lineales y se estudia su uso como preamplicadores de recepcin, como puertas lgicas pticas, conformadores de pulsos y direccionadores. Los dos sistemas ms utilizados para amplicacin ptica son los basados en lseres de semiconductor que utilizan la generacin estimulada por la luz que deseamos amplicar y los basados en bra 82

8.2. AMPLIFICADORES BASADOS EN LSERES DE SEMICONDUCTOR

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Figura 8.1: Caractersticas de amplicadores pticos para la banda de 1.5 m

1 . Ambos tipos de amplicadores utilizando la ganancia suministrada por la dispersin Raman o Brillouin producen ganancias elevadas para anchos de banda pticos elevados lo que los hace muy tiles. En la gura 8.1 podemos ver las caractersticas de amplicacin de un amplicador de onda viajera basado en lser semiconductor (TWSLA), el amplicador de bra dopada con Erbio, el amplicador de bra de efecto Raman y el de efecto Brillouin. Los tres primeros tienen anchos de banda grandes y el ltimo pequeo. Los amplicadores Brillouin se utilizan para aplizaciones especcas como ltro pasobanda, por ejemplo, en la salida de acopladores WDM.

8.2 Amplicadores basados en lseres de semiconductor

Los SLAs (Semiconductor Laser Amplier) se basan en la estructura convencional de un lser con reectividades en los espejos menores de lo habitual. Pueden utilizarse tanto en modo lineal como no lineal. Hay varios tipos dentro de los SLAs entre los que cabe destacar los de cavidad resonante (Fabry-Perot o FPA), los de onda viajera (travelling wave o TWA) y los cuasi onda viajera (near traveling wave o NTWA) que son amplicadores sin cavidad resonante. Estos dispositivos son capaces de amplicar la seal ptica (entre 15 y 35dB) con poco consumo de potencia y son adecuados para uso con bra monomodo. La clasicacin de los amplicadores lser se basa en las reectividades de sus espejos, por ello se dividen en los FPA por un lado y los TWA y NTWA por otro.

8.2.1 Amplicadores Fabri-Perot

Cuando los espejos que forman una cavidad lser tienen unas reectividades de alrededor del 30% se obtiene un FPA. Como la reectividad es suciente se produce resonancia ptica en su interior, pero slo para las longitudes de onda que cumplen q = 2Ln (8.1) por lo que las caractersticas de transmisin tienen la forma de la gura 8.2 donde el espaciado entre
Las vimos durante la descripcin de motivos para la dispersin (nodeseada) espacial en bras a partir de determinados niveles de potencia.
1

8.3. AMPLIFICADORES DE FIBRA

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Figura 8.2: Bandas pticas amplicadas en un FPA, el modo 0 es el de mayor ganancia. El eje x representa frecuencias de emisin. las bandas amplicadas puede obtenerse con la ecuacin 8.1. Las condiciones de trabajo del FPA son la inyeccin de corriente por debajo de Ith , no hay generacin ptica interna para emisin lser aunque ya hay inversin de poblacin y por tanto la emisin estimulada es generada por los fotones que penetran en la estructura desde la bra. La luz es amplicada aunque adems de la amplicacin se genera un ruido debido a la emisin de luz propia de FPA. Otro aspecto que cabe resaltar es el ltrado de longitudes de onda que aunque til en determinadas aplicaciones tiene el problema de que ser muy sensible a uctuaciones trmicas.

8.2.2 Amplicadores de onda viajera

Uno de estos dispositivos se consigue eliminando la reectividad de los espejos al aplicar capas antirreectantes sobre stas. Depositando una capa delgada de dioxido o nitruro de silicio se puede reducir la reectividad por debajo de 10 3 . La eliminacin de la cavidad resonante convierte a estos dispositivos en sistemas en que los fotones atraviesan la estructura estimulando la emisin de nuevos fotones coherentes con ellos y al llegar a la otra cara de la estructura la atraviesan. Este tipo de dispositivo tendr una ganancia menor ya que no se aprovecha la resonancia de la cavidad, pero la eliminacin de la resonancia tambin consigue que su amplicacin sea prcticamente plana en funcin de la frecuencia del fotn evitando lo que se aprecia en la gura 8.2. Tambin se elimina la dependencia frente a la temperatura o cualquier otro factor externo. As pues los TWA son superiores a los FPA en aplicaciones lineales y en cuanto a menor ruido. En estos dispositivos al reducir tan fuertemente la resonancia de la cavidad la Ith se incrementa con lo que el punto de trabajo est muy lejos del inicio de la emisin lser propia.

8.3 Amplicadores de bra

8.3.1 Amplicadores de bras dopadas con tierras raras
Los amplicadores de bra se basan en lseres de bombeo ptico. Este tipo de emisores funcionan consiguiendo la inversin de poblacin apartir de la energa cedida por fotones en lugar de por electrones.

8.3. AMPLIFICADORES DE FIBRA

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Figura 8.3: Aplicaciones de un amplicador de bra: (a) amplicador de potencia para el emisor; (b) repetidor ptico; (c) preamplicador en receptor.}

Supongamos una estructura que tenga tres niveles energticos, los electrones en su estado relajado estn en el inferior, cuando se excitancon la energa suciente pueden pasar al nivel superior, en este nivel los electrones tienen un tiempo de vida corto y se relajan cayendo al nivel intermedio (idealmente de forma no radiativa), el tiempo de vida en este nivel intermedio es elevado con lo que tenemos muchos electrones en el nivel intermedio y pocos en los otros dos niveles. Si hay una cavidad lse rpodemos conseguir resonancia y por tanto amplicacin ptica en la energa que separa el nivel intermedio y el inferior, ya que el tiempo de vida para radiacin estimulada es pequeo. Podemos apreciar que el modo de funcionamiento de este tipo de amplicadores es muy similar al de los TWA. Consideremos una bra monomodo en la que se intercala un trozo de bra (10m) con una estructura fuertemente absorbente a una determinada longitud de onda y transparente a la longitud de onda de transmisin. Sino hay ms elementos tenemos una transmisin normal, ahora en este trozo de bra pongamos un acoplador para multiplexacin en longitud de onda (gura 8.3) e inyectemos por la entrada de bombeo fotones conla energa necesaria para llevar los electrones del nivel inferior al superior, el acoplador har que parte de la luz de bombeo pase a la bra de transmisin donde ser absorbida, ahora el funcionamiento es idntico al de un TWA. Se pueden conseguir ganancias muy grandes, superiores a los 40dB, aunque no en cualquier banda, bien es verdad que en la actualidad se han conseguido para las bandas de inters. Este tipo de bras son bras de silice normales salvo que dopadas con Er o Nd, que suministran los niveles de inters para la generacin de emisin estimulada.

8.4. PTICA INTEGRADA

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8.3.2 Amplicadores de bra a partir de los efectos Raman o Brillouin

La apariencia de estos amplicadores es similar a los dopados con tierras raras, aunque el esquema de funcionamiento es distinto. Recordemos los efectos Raman y Brillouin. Son efectos no lineales con la potencia, en este caso no se produce una excitacin electrnica en el interior de la bra sino debido a la interaccin con fonones. Cuando la potencia supera una determinada magnitud los fotones pueden ceder parte de su energa a las vibraciones de la red (fonones) o bien capturar esa energa. Si la energa cedida es pequea (50GHz de frecuencia, o sea, 0,2meV) tenemos el efecto Brillouin, si es grande (10meV) tenemos el efecto Raman. Para pasar de energas a longitudes de onda primero habr que sumar (o restar) las energas a la del haz. El funcionamiento de estos sistemas exige el bombeo con luz de una longitud de onda que este separada de la que nos interesa amplicar la energa citada en el parrafo anterior, cuando esto sucede la luz se genera estimulada por la que ya hay en esas longitudes de onda amplicndola. Esta deduccin nos indica cual debe ser la longitud de onda del bombeo y cual es el esquema de funcionamiento. Los amplicadores Raman tienen anchuras espectrales de hasta 40nm para las longitudes de onda de inters y ganancias que alcanzan los 40dB. Las aplicaciones de estos amplicadores pueden llegar a los sistemas de WDM. La potencia ptica de bombeo necesaria para producir a ganancia est alrededor de 1W (una potencia ptica muy elevada) aunque para ganancias menores (5dB) puede bajar hasta los 50mW. La otra variable es el tamao del amplicador, para ganancias pticas respetables se hacen necesarias longitudes de bra del orden de 50Km (es la zona en la que an no se ha absorbido totalmente la potencia del lser de bombeo). Por el contrario los amplicadores basados en la dispersin Brillouin tienen caractersticas muy distintas. Los anchos de banda de amplicacin tpicos son de 50MHz (para una longitud de onda de emisin de 870nm es una anchura de 10 4 nm, esto limita la aplicacin a comunicaciones de baja velocidad y con espectros de emisin muy estrechos, la ventaja es que con una potencia de bombeo de 10mW se pueden conseguir ganancias de 20dB. Cul es la utilidad de este tipo deamplicadores?, pues la de ltros pticos abruptos para WDM.

8.4 ptica integrada

La multitud de aplicaciones potenciales en el campo de las comunicaciones pticas empuj el desarrollo de la ptica integrada y a su vez de los circuitos integrados optoelectrnicos. El concepto de ptica integrada implica la existencia de dispositivos pticos y electro-pticos que puedan hacerse en gran nmero en un sustrato nico. De momento lo que vamos a ver es que tipo de dispositivos existen y a describir su forma de funcionamiento, entre ellos vamos a analizar

     

Las guas pticas planas Los divisores de potencia Los acopladores direccionales Los interruptores Los moduladores Los biestables

8.4. PTICA INTEGRADA

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Figura 8.4: Corte transversal de una gua onda plana: (a) gua externa (b) gua interna (c) sobregua Con este conjunto de dispositivos y los vistos anteriormente se podra realizar cualquier funcin que pudiera llevarse a cabo mediante un circuito electrnico convencional. La ventaja sera que las frecuencias de reloj alcanzables seran mucho mayores ya que la limitacin fsica impuesta por los desplazamientos electrnicos pierde aqu su sentido.

8.4.1 Guas pticas planas

Son el sustituto de las pistas metlicas en los circuitos electrnicos. Ya hemos visto sus caractersticas cuando analizamos las bras pticas, la gran diferencia es la forma, ya que las bras son cilndricas, y adems las guas planas que se pueden conseguir en un circuito son asimtricas. Sin entrar en anlisis electromagnticos debemos decir que la diferencia geomtrica implica cambios en las consideraciones para la bra ptica, ya que en sta el modo fundamental se transmite independientemente del radio del ncleo, recordemos que cuando en una bra cilndrica el radio del ncleo disminua V disminua y el nmero de modos guiados disminua hasta que por debajo de V=2.405 slo se transmita el modo fundamental. En las guiaondas planas asimricas no sucede esto y hay un lmite inferior para el espesor del ncleo por debajo del cual no se transmite nada por la gua. Como dato estimativo el espesor efectivo 26 lmite para la transmisin es heff = h + x2 + x3 = 1: donde h es el espesor del ncleo y x2 y x3 los espesores de los campos evanescentes, para una longitud de onda de 0.8m se necesita un espesor mnimo de 1m, y mayor para longitudes de onda mayores. Esto ja una limitacin inexistente en los circuitos elctricos. El siguiente problema es que una gua plana slo conna la luz en una direccin por lo que habr que limitar una de las otras dos direcciones, de hecho la forma nal de una gua es como se aprecia en la gura 8.4 Otro problema viene en los cambios de direccin. Cual es la curvatura mnima posible para una atenuacin aceptable? Este problema tambin es debido a que tenemos una gua plana asimtrica. Para que nos hagamos una idea los radios varan entre 1mm para cambios de ndice entre compuestos n1 y n2 de 0.1 hasta 1cm para cambios de 0.01. Esta es otra importante limitacin que nos aleja de los circuitos integrados para componentes electrnicos.

8.4.2 Divisores de potencia

Los divisores de potencia son dispositivos bsicos que ya hemos descrito en captulos anteriores a partir de bra ptica. Su paso a ptica integrada tiene los mismos condicionantes que las guas, un divisor pasivo tiene la forma de la gura 8.5 este tipo de dispositivo tiene su funcin en la divisin pasiva de potencia al 50%. Su fabricacin con prdidas pequeas necesita que el semingulo de apertura nosupere los 0.5o lo que diculta la separacin de los brazos, de hecho se necesita para que estos estn a una distancia de 30m (suciente para que puedan utilizarse de forma independiente) una longitud de 3.5mm. Este tamao abunda en los problemas de integracin ya citados.

8.4. PTICA INTEGRADA

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Figura 8.5: Divisor de potencia pasivo del tipo Y

Figura 8.6: Direccionador electro-ptico tipo Y

8.4.3 Acopladores direccionales e interruptores

Adems de los divisores de potencia se necesitan mecanismos de direccionamiento del haz, lo que sera el equivalente a un demultiplexor elctrico. Estos dispositivos son guas con una forma igual que los divisores de potencia con la salvedad que llevan acoplados unos dispositivos que pueden de forma externa modicar el ndice de refraccin de uno de los brazos forzando a que la luz slo tome uno de los caminos. En la gura 8.6 se aprecia la estructura del dispositivo. Hay dos electrodos metlicos que van a generar un campo elctrico que modicarn el ndice de refraccin, como simple curiosidad est modicacin est ligada a la siguiente frmula

n =

1 3 2 n1rE

(8.2)

donde n1 es el ndice de refraccin inicial de la gua, r es el coeciente electro-ptico y E el campo elctrico aplicado. Se suelen utilizar guas de niobatio de litio y las tensiones aplicadas son de unos 30V. Los interruptores pticos son una variante de los acopladores direccionales ya que si uno utiliza como va de transmisin el ramal superior (gura 8.6) y dirige la luz hacia el inferior equivale a una desconexin de un interruptor.

8.4.4 Moduladores
Otro apartado importante es la modulacin de la luz, es posible generar un buen lser con grandes caractersticas de emisin pero que no pueda variar sus caractersticas con frecuencia elevada, para ello se utilizanlos moduladores. Son dispositivos que siguiendo con el apartado anterior son capaces de modicar su ndice de refraccin. Al cambiar el ndice de refraccin y como la transmisin es lineal (ver gura 8.7) el nico efecto es la variacin de la velocidad de la onda. Esta variacin de velocidad equivale

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Figura 8.7: Modulador de fase para gua onda plana a modicar la fase de la onda, esta modicacin es linealmente dependiente de la longitud de la zona en la que se produce el cambio segn VL   = n3 (8.3) 1r  d donde L es la longitud de los electrodos, d la separacin entre ellos (ver gura 8.7) y V la tensin aplicada. Se pueden conseguir desfases de 180o (modulacin DPSK) para longitudes del modulador de centimetros.

8.4.5 Biestables
Para conseguir lgica mediante circutos pticos lo que necesitamos es un dispositivo biestable, a partir del cual podemos conseguir puertas lgicas y memoria. Un dispositvo biestable se basa en conseguir que el material tenga alguna de sus propiedades que no sea lineal, por ejemplo el ndicede refraccin respecto a la potencia ptica que haya que se bombee hacia el dispositivo de forma que al cambiar esta de forma brusca cambiase la potencia ptica que sale del dispositivo (ver gura 8.8). Vamos a describir el proceso, supongamos un ndice de refraccin del material no lineal n1 de forma que el camino ptico en la cavidad no es el adecuado para que se produzca amplicacin ptica y por tanto la salida de potencia es pequea (rama inferior de la gura 8.8), cuando la potencia de entrada supera un determinado valor cambia el ndice de refraccina n2 y cambia el camino ptico de forma que ya hay amplicacin subiendo fuertemente la potencia ptica de salida. Ahora y partiendo del extremo superior izquierdo empezamos a disminuir la potencia de entrada hasta que el ndice de refraccin vuelve a cambiar a n1 y volviendo a la situacin inicial (rama inferior de la gura 8.8). Si los puntos de conmutacin son para una potencia de entrada ja tendremos la gura tpica de un amplicador entre corte y saturacin, si como en el caso de la gura 8.8 los puntos de cambio son a potencias pticas distintas tenemos un dispositivo con histresis (lo ms normal). A partir de estos dispositivos se puede realizar cualquier puerta lgica, recordemos el lgebra de Boole que nos dice que con una puerta NAND se puede hacer cualquier funcin lgica. Aunque todos estos dispositivos existen y parece factible la realizacin de computacin ptica esta no es factible por que no es posible (al menos de momento) conjuntar todas estas funciones en una escala lo sucientemente grande como para que sea realmente til.

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Figura 8.8: Dispostivo ptico biestable generalizado: (a) estructura en forma esquemtica; (b) curva de transferencia.