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Historia.

Todo comenz con este ilustre personaje Fujio Masuoka en el ao de 1984, quien fue el inventor de este avance tecnolgico, en aquel entonces existan la EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory. Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada elctricamente), y que con la llegada de las memorias flash, las EEPROM fueron prcticamente reemplazadas. La primera empresa que comercializ este tipo de memorias flash fue Intel, aunque este mismo quiso atribuirse como el creador de las memorias flash, no lo logr. Entre los aos 1994-1998, se desarrollaron las primeras memorias flash, tal como las conocemos hoy en da. En 1994 SanDisk empez a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en circuitos, y desde ah, la evolucin ha llegado tan lejos y a pequeos dispositivos de mano de la electrnica, estos productos son por ejemplo: reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas, capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalmbricas, entre otros. Incluso, cabe mencionar tambin que ah llegado a la aeronutica espacial. Antecedentes. De acuerdo a su funcin de las operaciones, se pueden clasificar en tres categoras: 1. Memorias de slo lectura: ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM.

2. Memorias de sobre todo lectura: EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip). EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM. Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa.

3. Memorias de Lectura/Escritura (RAM): DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras.

Futuro. El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se utilizan en computadoras y electrodomsticos inteligentes, por esa razn, la demanda de memorias como ya sabemos que son, pequeas, baratas y flexibles; seguir creciendo hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas como en precio. En apariencia, esto pareciera ser que nunca vaya a pasar, pero con la aparicin del memristor el futuro de las memorias flash comienza a opacarse. El uso de las memorias flash en comparacin, a comparacin de otros tipos de memoria, es sorprendentemente rpido tanto en capacidad como en velocidad. Grandes empresas de la informtica de consumo como AMD y Fujitsu, forman nuevas empresas dedicadas exclusivamente al producto de este tipo de memorias como lo es Spansion. Es curioso que esta nueva empresa est dando la vuelta a la moneda respecto a las velocidades con una tcnica tan sencilla. Pero ms sin embargo, la memoria flash seguir especializndose fuertemente, aprovechando las caractersticas de cada tipo de memoria para funciones concretas. En el caso de una Arquitectura Harvard para un pequeo dispositivo como un PDA; la memoria de instrucciones estara compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la tecnologa MirrorBit de segunda generacin) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecera velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura, pera tambin a la vez, implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podramos emplear sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente accesible. Slo quedara reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondramos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas prestaciones que hoy en da sera la envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles. Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las tecnologas basadas en NOR u ORNAND, sin embargo, la electrnica de consumo personal seguir apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad, como lo son los reproductores porttiles de MP3 o ya, incluso, reproductores de DVD porttiles. La reduccin del

voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems de un menor consumo, permitir alargar la vida til de estos dispositivos sensiblemente. Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante CVS (Concurrent Version System) y cdigo abierto permiten un desarrollo realmente rpido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas que andan interesadas en un proyecto de esta categora. El uso de las memorias con sistemas inalmbricos permitir unas condiciones favorables para una mayor integracin y propagacin de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueo de muchos desde la dcada de 1980. Pero no slo eso, la tecnologa ha llegado tan lejos como es el caso de la Agencia Espacial Brasilea, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseos; la NASA ya lo hizo y demostr en Marte su funcionamiento en el Spirit (rover de la NASA, gemelo de Opportunity), donde se almacenaban incorrectamente las rdenes como bien se puede recordar. Esto slo es el principio. Y ms cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PC, cerca del 90% de los mviles, el 50% de los mdems, etc., en 1997 ya contaban con este tipo de memorias.