UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniera y Agrimensura Escuela de formacin bsica

Departamento de fsica y qumica Ctedra de fsica IV

Tema: Transistor bijuntura

Prof.: Susana Marchisio

Alumnos: Schulze Jonathan S-4848/8 Naldini Lucas N-1069/3

Julio de 2013

Transistor bijuntura
El transistor bijuntura es un dispositivo semiconductor que consta de tres terminales de conexin. Las tres zonas que lo componen se llaman emisor, base y colector. El emisor es una zona tipo p (o n) muy dopada, por lo que se designa p++ (o n++). La base tiene un dopaje dbil tipo n (o p), mientras que el colector tipo p (o n) no es crtico en ese aspecto. El funcionamiento del transistor bjt viene determinado por las formas de conexin de las junturas que lo componen. Para que se manifieste interaccin entre las junturas, es necesario que el ancho de la base del transistor sea de muy pequeas dimensiones, tal que sea menor que la longitud de difusin de los portadores. De esta manera, se posibilita que una cantidad de portadores que atraviesen una de las junturas, lleguen a la otra sin recombinarse. Los elementos que lo componen son la juntura JE con sus parmetros correspondientes IE y VBE, y la juntura JC con sus parmetros IC y VCB.

En el siguiente informe se compararn las formas de conexin: Emisor comn y Base comn. Existen distintos modos de montaje de un transistor cuando es empleado en un circuito. De acuerdo a cul de sus tres terminales es conectado al potencial de referencia o masa, se tienen las conexiones: emisor comn, base comn y colector comn. Base Comn: Entrada: Emisor Salida: Colector Emisor Comn: Entrada: Base Salida: Colector Colector Comn: Entrada: Base Salida: Emisor Una forma prctica de brindar la informacin del funcionamiento del BJT es 1

recurriendo a grficas donde se muestran como vara un determinado parmetro en funcin de los otros. Es as que podemos definir tres caractersticas bsicas: Caracterstica de Entrada: Ientrada=f(Ventrada) - a una tensin de salida determinada. Caracterstica de Salida: Isalida=f(Vsalida) - a una corriente o tensin de entrada determinada. Caracterstica de Transferencia: Isalida=f(Ientrada) - a una tensin de salida determinada Conexin Base comn: el terminal de la base se encuentra conectado a masa.

La caracterstica de salida viene dada por IC = f(VCB) a una determinada IE (corriente de emisor) constante. La juntura JC, con emisor abierto, funciona como un diodo en inversa. Los minoritarios atraviesan la juntura produciendo una corriente saliente del colector, la llamada corriente de saturacin Ico.

Dado que en el modo activo de funcionamiento de un transistor dicha juntura 2

est polarizada inversamente, la caracterstica de salida corresponde el tercer cuadrante. Cuando la tensin base-emisor adquiere valor mayor que la barrera de potencial creada en dicha juntura, los portadores mayoritarios se inyectan en la base y se difunden hacia la otra juntura, donde son acelerados hacia el colector favorecidos por el campo elctrico generado en la JC, provocando un incremento de la corriente inversa del colector. Por lo tanto, dada una tensin VBE>V, la corriente de colector aumentar a medida que dicha tensin aumente, debido que ser mayor el paso de los portadores mayoritarios del emisor. Dicha corriente ser prcticamente independiente de la tensin VCB. Se dice entonces que el parmetro de control del transistor bjt en base comn es la tensin VBE (o IE). La corriente que sale del colector es ahora: IC = .IE + Ico con 0.96 a 0.99 Donde se denomina ganancia de corriente en conexin base comn y es igual a =IC/IE Resulta entonces que el transistor en este caso acta como un amplificador de corriente, ya que aumenta la corriente de salida por el colector segn la corriente que ingrese por el emisor. Pero lo principal es que la IC aumenta con IE la cual aumenta demasiado con un pequeo aumento de VBE. Si consideramos la juntura JE, la corriente inversa de la juntura JC lo que hace es disminuir el valor de la tensin de umbral, es decir la corriente crece rpidamente para un valor menor de tensin en directa de la juntura JE. Esto se debe a que se aumenta la concentracin de mayoritarios en la base debido a la corriente inversa en la juntura JC entonces disminuye la barrera de potencial de la juntura JE. La conexin base comn utiliza como parmetro de control la corriente de emisor a travs de la polarizacin con tensin VBE. Caracterstica de salida base comn: (corresponde al tercer cuadrante)

Conexin Emisor comn: el terminal del emisor se encuentra conectado a masa.

La caracterstica de salida viene dada por IC = f(VCE) a una determinada IB (corriente de base) constante. Si no hay polarizacin en la juntura JE, es decir si IB=0, la tensin colector emisor lleva los portadores mayoritarios desde el emisor hacia el colector a travs de la base. Al estar localizada la tensin VCE en la JC (en inversa), la tensin VBE es casi nula por lo que no existe ms que una pequea corriente de emisor, y por lo tanto, de colector.

La aplicacin de una tensin VBE, polarizando directamente la juntura JE, produce un crecimiento de IE y por lo tanto de IC, as como la aparicin de una corriente de recombinacin en la base (IB). Esta IB se comporta como parmetro de control. Se puede encontrar experimentalmente que, en un cierto rango, la corriente de colector aumenta proporcionalmente a la corriente de base resultando: IC = .IB + Ico recibe el nombre de ganancia de corriente en conexin emisor comn. Dada la relacin entre las corrientes IE, IC e IB que expresa la conservacin de la carga (IE = IC + IB ), pueden relacionarse y obtenindose: /(1-) En condiciones normales, ser siempre menor que 1, por lo tanto tomar valores altos entre 30 y 200. Caracterstica de salida emisor comn:

Cuando VCE=0, la juntura JE se comporta como un diodo con tensin VBE y corriente IB. El aumento de VCE, polarizando inversamente la JC, manteniendo VBE constante, provoca una disminucin del ancho de la base y da como resultado una disminucin de la corriente de recombinacin de base, pero a su vez un aumento de la corriente IC (Efecto Early). Efecto Early: En un transistor bipolar, un incremento en la tensin colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha unin. Este aumento provoca una disminucin de la anchura efectiva de la base. Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para la recombinacin en base. A partir de la polarizacin de la juntura JE, con la tensin VBE, la conexin emisor comn utiliza como parmetro de control, la corriente de base IB, as como en la conexin base comn lo haca la corriente de emisor a travs de la polarizacin con tensin VBE. En lo que respecta a las caractersticas de salida con base comn comparndolas con las que corresponden a la configuracin emisor comn, puede observarse que estas ltimas presentan un aumento en la pendiente que relaciona IC con VCE para IB (parmetro) crecientes. Este no es el caso de las caractersticas de salida en base comn donde se observa una marcada horizontalidad en las grficas IC vs. VCB con IE (parmetro) para todas las curvas. Este hecho se debe a que en la conexin emisor comn se produce el efecto Early debido a que a medida que aumenta la tensin en la juntura JC, el ancho de la regin neutral de la base se 6

reducir, y as el gradiente de los portadores minoritarios inyectados ser ms pronunciado en la regin neutral de la base y la corriente de colector aumentar. La corriente de base sin embargo, no cambiar significativamente debido a que ella es debida primordialmente a los fenmenos que ocurren en las proximidades de la regin de juntura B-E.