Informe de laboratorio 1: Tiempo de recuperacin en inverso de diodos de potencia.

Christian David len 20042005048 Juan David Chacn Len 2008200507 Jorgue Luis Castillo Orduz 20071005062

Objetivos: Medir el tiempo de recuperacin inversa de diodos de potencia. Utilizar diodos semiconductores de potencia como rectificadores. Comprender el funcionamiento bsico de un transistor MOSFET como elemento de conmutacin en un circuito de potencia.

Procedimiento: Lo primero a implementar es una fuente de alimentacin DC a partir de 120 Vrms, utilizando para esto un puente rectificador de diodos y su correspondiente filtro RC. Luego se debe implementar un circuito con el cual se pueda medir el tiempo de recuperacin en inverso de diferentes diodos, utilizando un transistor MOSFET como elemento de conmutacion. La corriente en directo antes de la conmutacin debe ser como mnimo 3 A. Se sugiere un circuito con una carga inductiva, alimentada por la fuente DC, donde el diodo acte como diodo de marcha libre. Marco terico: FUENTE DC: Se obtiene a partir de la rectificacin de onda completa de una seal de 120 Vrms a 60 Hz, por medio de un puente de diodos. Esta seal obtenida se inyecta a un filtro RC con el fin de proveer un voltaje constante a la salida. El circuito de la fuente se muestra a continuacin:

El voltaje de salida Vo esta dado por:

Si se toma una constante de tiempo RC, mucho mayor que el periodo de la seal de la fuente alterna, entonces se puede hacer la aproximacin de que el rizado de voltaje pico a pico de la seal de salida es:

CIRCUITO DE CONMUTACION: El circuito de control para la conmutacin del transistor de potencia se implementara con un oscilador Miller-Schmitt (ver figura 1) y un comparador con el fin de variar el ciclo til de la seal, y asi tener una corriente promedio lo menor posible circulando por el diodo. La ecuacin para el periodo de la seal del oscilador est dada por: ( ) es la

Donde es el voltaje pico a pico de la seal triangular obtenida en el integrador, y ventana de salida definida por la polarizacion.

Fig. 1: Circuito oscilador Miller-Schmitt. CIRCUITO DE EXCITACIN: Debido a que el MOSFET es un dispositivo controlado por tensin, se utilizan dos transistores con una configuracin ttem-pole para suministrar y absorber las corrientes de puerta necesarias para cargar y descargar la capacitancia de entrada parasita, y asi poner al transistor en los estados de encendido y apagado respectivamente. En la figura 2 se muestra el esquema mencionado, donde Vi es la seal de control proveniente del oscilador MillerSchmitt.

Fig. 2: Circuito de excitacin ttem-pole. CARGA: Se utilizara una carga inductiva en paralelo con un diodo de marcha libre para darle un camino a la corriente almacenada en la inductancia cuando el transistor de potencia este apagado. La corriente en la inductancia esta dada por la siguiente expresin:

Despejando de este sistema obtenemos los siguientes valores para las corrientes:

( { Donde k es el ciclo til de la seal de control.

Fig. 3. Circuito con diodo de marcha libre.

Fig 4. Corriente que circula a travs de la inductancia.

Pruebas y datos experimentales: Se debe medir el tiempo de recuperacin inversa a diodos de propsito general (1BH62), conmutacin rpida (1N5392) y schottky (10BQ015). Para el filtro de la fuente se uso Para el diseo del circuito oscilador se tiene que: Con esta frecuencia de trabajo se tiene un periodo . La ecuacin que rige el disparador de Schmitt es:

Con lo que se llega a que

Ahora de la ecuacin para el periodo de oscilacin se establece un valor de C y luego se despeja R. Para nuestro caso se escogi un capacitor de 22 , con lo que resulta una resistencia de 4,88 A continuacin se muestra el circuito de control para la conmutacin (implementado con OP AMP LF351) y las formas de onda resultantes:

Fig. 5. Circuito oscilador con ciclo til variable. Para el circuito de excitacin se utilizo un transistor 2N2222 y un 2N3906. Para la inductancia se utilizo un nucleo blanco-amarillo de ferrita y su valor estimado es de 170 H aproximadamente. Con el fin de obtener la corriente que circula por el diodo de marcha libre se coloca una resitencia en serie de 10 para hacer la medicion. A continuacion se muestran las simulaciones correspondientes a los tiempos de recuperacion en inverso de los 3 tipos de diodos.

Fig. 6. Forma de onda para la corriente en el diodo de proposito general.

Fig. 7. Forma de onda para la corriente en el diodo de conmutacion rapida.

Fig. 8. Forma de onda para la corriente en el diodo schottky. Por ultimo se muestra el circuito completo y las formas de onda del circuito de conmutacion, la tension en la carga y la corriente en el diodo de marcha libre.

Fig. 9. Circuito final.

Fig. 10. (1)Seal de control, (2)Seal de Gate,(3)Voltaje de la fuente.

Fig. 11. (1)Corriente en el diodo, (2) Voltaje de la inductancia.

Conclusiones Bibliografa APONTE, Gua Laboratorio 1 electrnica de potencia. P 1-2.