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*
e
m
(
*
h
m
)eslacorres-
pondientemasaeIectivayelsegundotrminoesel
potencial de confnamiento dado por:
( )
>
<
=
R para V
R para
V
2
0
(3)
AcontinuacionvamosasolucionarelHamiltoniano
ecuacion (1) para el sistema ilustrado en la fgura
1,porsimplicidadvamosaobviarlossubindices.
Paralasoluciondelhamiltonianodelproblemacon-
siderado,laecuaciondeSchrodingerestacionaria
vienedadapor:
). , , ( ) , , ( ) , (
2
) , , (
2
*
2
z E z z V
m
z H + = +
(
+ V = +
=
(4)
Debido a la simetria, en coordenadas cilindricas
ecuacion (4) se reescribe de la siguiente Iorma,
+ = + +
(
c
c
+
c
+ c
+
|
|
.
|
\
|
c
+ c
c
c
E z V
z m
) , (
1 1
2
2
2
2
2
2 *
2
=
(5)
Deacuerdoalmtododeseparaciondevariables,
podemosescribirlaIunciondeondacomo:
). ( ) ( ) ( ) , , ( | _ z z = +
(6)
Reemplazando ecuacion (6) en la ecuacion (5),
obtenemoslasecuacionesdiIerencialesquerigen
ladependenciadecadaunadelasIuncionesdela
ecuacion (6) y se obtiene la ecuacion (7), (8) y (9),
0 ) (
2 1
2
2
2
*
=
(
'
+
|
|
.
|
\
|
c
c
c
c
_
E
m
V
m
=
(7)
| | 0 ) (
2
2
2
*
2
= +
c
c
z
E z V
z m
=
(8)
0
2
2
*
2
2
=
'
+
c
c
|
|
=
m m
(9)
Enlasecuacionesanteriores,
E y
z
E representan
respectivamentelasenergiasenlaparteradial
yenladireccionzdecrecimientodelaestructura,
paraellodebemostenerlascondicionesdadasporla
ecuacion (2) y la ecuacion (3). Ademas, defnimos a
m' comounaconstantedeseparacion,paraelcaso
de inters trabajaremos en el estado Iundamental
donde 0 = ' m , por lo tanto las soluciones de la
ecuacion (9) seran de la Iorma ( ) 1 = =
'
|
m i
e
.Facilmenteseencuentraquelassolucionesdelas
ecuaciones diIerenciales ecuacion (7) y ecuacion
(8) vienen dadas por:
(10)
(11)
Siendo ) (
0
k J ' y ) (
0
k K las Iunciones de
Bessel de primera y segunda especie respectiva-
mente,A, B, C, D, F, G, H, M, NyLconstantes,
mientras que , , ,
3 2 1
k k k k' y k vienen determi-
nadasporlaecuacion(12):
) (
2 2
, ) (
2
, ) (
2
,
2
2
2
*
2
*
2
2
*
3 1
2
*
2
2
*
1
V E
m
k y E
m
k
E V
m
k E V
m
k E
m
k
z z z
= = '
= = =
= =
= = =
(12)
37
Aplicacin de la ecuacion de Schrodinger en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad
FrancisArmandoSegovia
investigacin
Las anteriores Iunciones de onda nos permitiran
determinarlaenergiadelestadobaseparaelectron
(hueco)enelsistemaconsiderado.
Acontinuacionpresentamoslosresultadosquese
obtienenparalasenergiasdelestadoIundamental
delelectron(hueco),paraelloseaplicanlascondi-
cionesusualesdecontinuidadparalasIuncionesde
ondaysusderivadasencadaunadelasIronteras
(fgura 1). Los resultados numricos presentados en
lasiguienteseccionseobtienenmedianteelusodel
paquete matematico Mathematica 5.0.
LasenergiasenelestadoIundamentaldeloselec-
trones(huecos)sedeterminanapartirdelasolucion
delasecuacionestrascendentalesen yz,quese
consiguendelaecuacion(10)ylaecuacion(11),al
aplicarlascondicionesdeIronterasobrecadauna
delasIuncionesdeonda,sedemuestraquelasecua-
cionestrascendentalesaresolversondelaIorma:
) (
) (
) (
) (
0
1
1
0
kR K
kR K
R k J
k R k kJ
'
' = '
(13)
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) . 0
2
3
cos
2
3
cos
2
3
sin
2
cos
2
3
sin 2
2
sin
2
sin 2
2
cos
1 2
1
2
2 2
1 2
1
2
2 2
1
1
1 2
1 2
2
2
1
1 2 1
1
1
1
1 2 1
1 2
1 2
2
2
= |
.
|
\
|
+ + |
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+ |
.
|
\
|
+ + |
.
|
\
|
+ |
.
|
\
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
b k
k k k Z
b k
k k k Z
b k
k Z
b k
k k k Z
b k
k k k Z
b k
k Z
b k
k k k Z
b k
k k k Z
X Y
Y Y X
Y X X
(14)
En la ecuacion (14) hemos utilizado las siguientes
substituciones, dadas por ecuacion (15),
( )
d k
X
e k k Z
2
2 3
+ =
,
( )
d k
Y
e k k Z
2
2 3
) ( ) (
) ( 2
3 2
2
3 2
3 2 2
2
k k e k k
k k k
a k
+ +
=
(15)
En defnitiva, el problema planteado en este trabajo
seresuelvemediantelassolucionesdelaecuacion
(13) y la ecuacion (14).
3. RESULTADOS
En la fgura 2 presentamos la energia del estado
baseenunpuntocuanticodeGaAsconradiode
100AcomoIunciondelalongituddelpuntopara
diIerentes espesores de las barreras de potencial.
La fgura 2(a) representa la energia del estado base
paraelectrones,mientrasqueparaloshuecosviene
representado por la fgura 2(b).
Figura 2.Energiadelestadobaseenunpuntocuantico
deGaAsinmersoenunsistemadeGa
0,6
Al
0,4
Ascomo
IunciondelalongituddelpuntoparadiIerentesespe-
sores de las barreras: ab10, 20, 50A.
Fuente:elaboracionpropia.
38 Tecnura Vol. 17 No.37 Julio - Septiembre de 2013
investigacin
Lalineasolidaeslaenergiatotal,mientrasquela
lineapunteadaeslaenergiaenladireccionz.
De la fgura anterior se muestra que la energia del
electron(hueco)disminuyesilalongituddelpunto
cuanticoaumenta,ademasseobservaquelaenergia
para el confnamiento total (linea solida) es mayor
que cuando se considera el confnamiento 1D (direc-
cionz).OtrohechoIundamentalestarelacionadocon
lapresenciadelasbarrerasdepotencial,seobserva
que su infuencia es mayor para valores menores del
ancho de las barreras con potencial de confnamiento
2
V .Estasituacionessimilartantoparalasenergias
deelectronescomoparaloshuecos.
En la fgura 3 presentamos la energia para el electron
enunpuntocuanticodeGaAsderadio100Ainmerso
en un sistema de Ga
0,7
Al
0,3
As como Iuncion de la
posiciondelpuntodentrodelsistemaGa
0,6
Al
0,4
As.
Observamosquelaenergiadisminuyeamedidaque
elpuntoseacercaalabarreradepotencial
1
V .Es
importante recalcar que para pequeas longitudes
del punto cuantico (L _ 10 A) la energia del estado
Iundamentalpresentauncomportamientosimilarala
energiaquepresentaunaimpurezahidrogenoideen
unpozocuantico,alambrecuanticoypuntocuantico.
Figura 3. EnergiadelelectronenunpillboxdeGaAsconR100A
inmerso en un sistema de Ga
0,6
Al
0,4
As como Iuncion de la posicion
del pillbox dentro de la estructura de Ga
0,6
Al
0,4
As, para diIerentes
longitudes.
Fuente:elaboracionpropia.
Para tener en cuenta los eIectos de la presion y la
temperaturasobrelosestadosenergticosdelosporta-
dores(electron-hueco),elHamiltonianorepresentado
por las ecuaciones (1) y (4) puede ser escrito como:
), , , (
) , ( 2
2
*
,
2
T P z V
T P m
H
b w
+ V =
=
(16)
En la ecuacion (16) los subindices wybrepresentan
losmaterialesdelpozocuanticoylasbarrerasde
lascapas,respectivamente.
Las masas eIectivas parabolicas de conduccion
) , (
*
T P m
wc
y ) , (
*
T P m
bc
como Iuncion de la
Presion(P)yTemperatura(T)vienendeterminados
porlaecuacion(17):
( )
( ) ( )
.
341 , 0 ,
1
,
2
51 , 7 1 ,
0
1
m
T P E T P E
T P m
g g
c w
(
(
|
|
.
|
\
|
+
+ + =
(17)
Enlaecuacion(17),
g
E eselgapdeenergiadependiente
delapresionsobreelsemiconductordeGaAspara
bajas temperaturas en el punto I, el cual viene
expresadoasi:
(18)
LadependenciadelamasaeIectivadelabarrera
conlaconcentraciondealuminioxes:
0
083 , 0 m x m m
c w c b
+ =
(19)
De la ecuacion (18) se debe tener en cuenta que
cuando la temperatura y la presion hidrostatica
aplicadavanasertomadasencuenta,elpotencialde
confnamiento dependera de estas cantidades Iisicas,
estoes
) , , ( T P z V V =
.Ademastantoelanchodel
39
Aplicacin de la ecuacion de Schrodinger en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad
FrancisArmandoSegovia
investigacin
pozocomoelradiodelpuntocuanticodependendel
esIuerzoaplicado,elcualpuedeserdeterminadopor
sucambioIraccional,teniendoencuentaquepara
unaestructuraZinc-Blendaesecambioes,
( ). 2 3
12 11
S S P
V
V
+ =
o
(20)
En la ecuacion (20) los coefcientes
y sonlasconstanteselasticaspara
elGaAs.
Acontinuacionpresentamoslosresultadosdelos
eIectos que tiene la presion hidrostatica aplicada
enelrgimendebajastemperaturassobrenuestra
estructura; para ello hemos utilizado los siguientes
valores:
0
*
0665 , 0 m m
e
= ,
0
*
3 , 0 m m
h
= yelvalor
delaconstantedielctrica .Hemosasu-
midoqueladiscontinuidadenelgapdeGaAs-Ga
1-
x
Al
x
Asdelpuntocuanticoestadistribuidocercade
40 sobre la banda de valencia y a un 60 sobre
la banda de conduccion, con una diIerencia en
el gap
g
E A entre GaAs y Ga
1-x
Al
x
As dado como
unaIunciondelaconcentraciondeAluminio para
,por .
En la fgura 4 se representa el comportamiento de
laenergiadelelectroncomoIunciondelapresion
hidrostatica,paradosvaloresdelanchodelpozo,
L10 A (fgura 4 (a)) y L50 A (fgura 4 (b)). Se
observaqueestasenergiasdecrecenconlapresion
hidrostatica,principalmentedebidoaladisminu-
ciondelaalturadelabarrera
2
V conlapresion.
De acuerdo con estos resultados, un importante
hechoesquelabarreradepotencial
2
V modifca
la energia de los portadores en los regimenes de
confnamiento Iuerte y dbil de los portadores.
Figura 4.EnergiadelelectroncomoIunciondelapresion
hidrostaticaaplicadasobreunpuntocuanticode
GaAs- GaAs-Ga
1-x
Al
x
As inmersoenunsistemade Ga
1-y
Al
y
As con
x=0,3 (
2
V
) y=0,4 (
1
V
), paradoslongitudesde
(a) L=10 y (b) L=50.
Fuente:elaboracionpropia.
4. CONCLUSIONES
Enestetrabajo,usandolaaproximaciondelamasa
eIectiva, se ha calculado la energia del estado
Iundamentaldelelectronydelhuecoenunpunto
cuanticodeGaAs-Ga
1-x
Al
x
As,inmersoenunaba-
rreradeGa
1-y
Al
y
AsenIunciondelalongituddel
punto cuantico cuando el espesor de las barreras
depotencialpermanececonstante,enIunciondel
espesordelabarreradepotencialparaunalongitud
del punto cuantico fja y en Iuncion de la posicion
delpuntocuanticodentrodelmaterialhospedero,
Ga
1-y
Al
y
As,paradiIerentesconcentracionesxey
dealuminio.
40
investigacin
Seencontroquelasbarrerasdepotencialdelmaterial
hospedero, Ga
1-y
Al
y
As, originan un aumento en la
energiadelosportadores(electronyhueco)amedida
queestasseaproximanalpuntocuanticodeGaAs-
Ga
1-x
Al
x
As y tambin que para alto confnamiento
cuanticoelsistemanopresentaestadosligados.
Porotraparte,cuandoseaplicapresionhidrosta-
ticaalaestructura,seencontroquelaenergiadel
estadoIundamentaldelelectrondecrecedebidoa
la disminucion de los potenciales de confnamiento
1
V
y
2
V .
Secomproboqueenpuntoscuanticos,aligualque
enpozoscuanticos,laenergiadetransicionelectron-
huecoligero(e-lh)yelectron-huecopesado(e-hh)
aumentaconlapresionhidrostatica.Seencontrouna
excelente concordancia con los resultados experi-
mentalesreportadosenpozoscuanticoscuandose
hizoellimitedenuestropuntocuanticoalaestruc-
turadepozocuantico.
REFERENCIAS
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negative diIIerential conductivity in semi-
conductors,IBM J. Res. Dev., vol. 14, pp.
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Revista Tecnura Volumen 17 Numero 37 paginas 33 - 40 Julio - Septiembre de 2013