AO DE LA INVERSION PARA EN DESARROLLO RURAL Y LA SEGURIDAD ALIMENTARIA

FACULTADAD DE INGIENIERIA Y ARQUITECTURA

CARRERA TEMA

: INGIENERIA DE SISTEMAS E INFORMTICA : UNION P-N

DOCENTE

: RAUL ROJAS REATEGUI

NOMBRE

: CABRERA MELENDEZ C.

CICLO

: IV

LIMA, DICIEMBRE DE 2013

PRIMERA SIMULACIN:
Se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

En la parte superior hay parmetros para poder activar y desactivar con el texto "Parmetros ciscuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales. Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los

nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la zona espacial de carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin). En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los tros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada. Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo. Este parmetro no podr ser modificado por el usuario.

SEGUNDA SIMULACIN
Descripcin cualitativa del flujo de corriente en una unin

Proceso de recombinacin

Circulacion de la corriente de acuerdo a los parametros selecionados.

TERCERA SIMULACIN Conmutacin del diodo