Cours de dispositifs Semi-conducteurs

Chapitre 1
Notions de physique des semi-conducteurs
I- Dfinitions:
Trois tats de la matire : liquide, gaz et solide Les solides : Conducteurs (mtaux). Isolants (bois, plastique) Semi conducteurs (silicium: Si et germanium: Ge) Un SC est un solide cristallin dont les proprits de conduction des charges changent en fonction de plusieurs paramtres tels que la temprature, le nombre dimpurets introduits dans le volume et la densit de photons frappant sa surface. Cest un isolant 0K qui devient conducteur 300K.

II- Bandes dnergie:

1- Latome : Couche de valence ou Couche priphrique

Le noyau (protons +) K

Lnergie est quantifie. 2- Un solide ou cristal : - Bande de valence (BV) Totalement occupe 0K, elle est constitue par les couches profondes y compris la couche de valence. - Bande de conduction (BC) Compltement vide ou partiellement remplie, elle est constitue des couches externes. - Bande ou zone interdite (gap) 1

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Zone comprise entre le plus bas niveau dnergie de la BC et le plus haut niveau dnergie de la BV. Aucun lectron ne peut exister dans cette zone.

EC EV

Bande de conduction Zone interdite Bande de valence EG= EC-EV (eV)

3- Classification des solides :

BC EC EV Zone interdite BV EG

Conducteur

Semi conducteur

isolant

Pas de zone interdite

zone interdite trs troite ~ 1e

zone interdite trs lar!e "" 1e

Exp : T=300K (27C): EG(Si)=1.12eV ; EG(Ge)=0.67eV; EG(GaAs)=1.43eV

III- Effet de lagitation thermique: Notion de trou

Sous leffet de lagitation thermique, quelques liaisons covalentes sont rompues, ceci consiste fournir un priphrique une nergie suffisante pour le faire passer de la BV dans la BC. Le dpart de cet laissera un trou ou lacune de charge +e. L dans la BC devient alors un libre (mobile) porteur de charge e. Donc lagitation thermique cre par rupture de liaisons covalentes des paires -trou.
libre EC EV EC EV Trou

1- Effet dun champ lectrique externe : Sous laction dun champ lectrique extrieur, les libres et les trous vont se mettre en mouvement. Les se dirigent dans le sens contraire celui du champ et les trous se 2

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dplacent dans le mme sens que celui du champ lectrique. Ce double dplacement des porteurs de charges ( et trous) contribue au courant lectrique dans un SC.
Dplacement des

BC

E
BV

Dplacement de trous

IV- Statistique de Fermi-Dirac

Cette statistique permet de dterminer une temprature donne, la distribution des aux diffrents niveaux dnergie. Elle donne la probabilit f(E) pour quun occupe un niveau situ lnergie E. Cest la loi de probabilit doccupation des diffrents niveaux dnergie du SC, appele aussi fonction de distribution.

f ( E) =

dn = dN

1 E EF 1 + exp kT

dN: nombre de places disponibles dans lintervalle dnergie dE dn: nombre des qui occupent effectivement ces places la temprature absolue T. T: temprature absolue en K. T (K) = tC + 273. k: constante de Boltzmann, k = 1.38 10-23 J/K = 8.617 10-5 eV/K EF: Constante quon appelle niveau de Fermi, elle dpend de la temprature et de la distribution des niveaux possibles. Cest lnergie pour laquelle la probabilit doccupation est gale .

Lorsque T 0K si E = EF ; f(E = EF) = 1/2 EF correspond donc lnergie pour laquelle la probabilit doccupation dun niveau dnergie E par un est gale pour T 0K. 3

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Remarque : T= 0 K f(E) = 1 pour E < EF : tous les sont dans la BV f(E) = 0 pour E > EF : aucun dans la BC A la temprature du zro absolu, tous les tats dnergie situs au dessous du niveau de Fermi sont occups, et tous les tats dnergie situs au dessus sont vides. Le niveau de Fermi dlimite donc les tats occups et les tats vides du systme. Statistique de Boltzmann :

Lorsque E-EF ~ quelques kT, 1 devient ngligeable devant le terme exponentielle et la fonction de Fermi-Dirac se ramne la distribution de maxwell Boltzmann :

1 E EF = exp kT E EF exp kT Dans la plupart des SC, le niveau de Fermi est situ dans la bande interdite (SC non f (E) =
dgnr) EC-EF > 2kT et EF-EV > 2kT. Les fonctions de distribution se ramnent celles de Boltzmann. Fonction de distribution des trous :

La fonction de distribution fn(E) reprsente la probabilit pour quun occupe un tat dnergie E. Il en rsulte que la probabilit pour que cet tat ne soit pas occup par un est 1-fn(E). Cette fonction reprsente par consquent la fonction de distribution des trous dans le SC. f p (E) = 1 f n (E) = 1 E EF 1 + exp kT

V- Concentration des et des trous :

Soit dn le nombre d dans lintervalle dnergie E et E+ dE: dn = dNn fn(E) dE et dp = dNp fp(E) dE

Les densits totales d dans la BC et de trous dans la BV sont donnes par:

n = dN n (E)f n (E)dE et p = dN p (E)f p (E)dE

Ec E V min

E C max

EV

En utilisant les fonctions de distribution de Boltzmann:

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EV E EF E EF n = dN n (E) exp dE et p = dN p (E) exp dE kT Ec kT

En introduisant EC et EV ces expressions deviennent:

E EC E EF n = dN n (E) exp dE exp C kT kT Ec

EV E EV E EF p = dN p (E ) exp dE exp V kT kT

On en dduit les densits de porteurs libres dans chacune des bandes:

E EF p = N V exp V kT

et

E EF n = N C exp C kT

NC et NV reprsentent les densits quivalentes dtats respectivement dans la BC et dans la BV. Elles reprsentent aussi le nombre dtats utiles la temprature T dans la BC et dans la BV. Pour un SC donn, NC et NV varient en T3/2 :
2m c kT N C = 2 2 h
3/ 2

et

2m V kT N V = 2 2 h

3/2

Ces deux expressions (n et p) montrent que le produit nxp reste constant pour une temprature et un SC donns. E EC E n p = N C N V exp V = N C N V exp G = Cte kT kT

VI- SC lquilibre thermodynamique :

1- SC intrinsque SC extrinsque :
Un SC est intrinsque lorsquil est parfaitement pur, le cristal est form dun seul type datome. Un SC est extrinsque lorsquil prsente des impurets mme trs faible dose. On lappelle aussi SC dop possdant des atomes de nature diffrents par rapport ceux qui forment le rseau cristallin. Il existe deux types de SC extrinsques.

Exemple : Si pur
4 priphriques dans Chaque atome de Si

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4 liaisons covalentes

1- a - SC Type n :

non li

tome pentavalent

libre

C"ar#e positive $i%e

Latome dimpuret introduit dans le rseau cristallin est appel atome donneur puisquil fourni un libre. Chaque atome dimpuret introduit dans le rseau cristallin donne naissance un libre. Dans le SC de type n, les libres sont les porteurs majoritaires et les trous deviennent minoritaires. La conductivit est assure essentiellement par les . 1-b- SC Type p :
!acune tome trivalent C"ar#e n#ative $i%e

Trou

Latome dimpuret introduit dans le rseau cristallin est appel atome accepteur puisquil capte un libre. Chaque atome dimpuret introduit dans le rseau cristallin donne naissance un trou. Dans le SC de type p, les trous sont les porteurs majoritaires et les libres deviennent minoritaires. La conductivit est assure essentiellement par les trous.

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Conclusion: Le dopage fait crotre considrablement un type de porteur de charge; soit les soit les trous; et par suite fait augmenter la conductivit du SC par rapport au SC intrinsque. Dans le type n; les libres sont majoritaires n >> p. Dans le type p; les trous sont majoritaires p >> n. 2 - Concentration en porteurs Position du niveau de Fermi : a - Semi-conducteur intrinsque: Soit ni : concentration en porteurs ngatifs (lectrons) pi : concentration en porteurs positifs (trous) avec : E EC n i = N C exp Fi (1) kT et E E Fi p i = N V exp V kT
(2)

Dans un SC intrinsque, il est vident que lagitation thermique cre autant d libres que de trous. ni = pi (1)x(2) E n i2 = p i2 = N C N V exp G avec EG= EC - EV kT
n i = p i = [N C N V ]
1/ 2

E exp G 2 kT

Donc ni est de la forme: n i = p i = A[T ]

E exp G ou A est une Cte qui dpend du 2kT SC. Du fait que (1) = (2) et on considrant le rapport (1)/(2)
3/ 2

E FI =

E C + E V kT N V + Ln N 2 2 C

NV NC , ou lorsque T 0 et par consquent :

E FI =

EC + EV 2

Donc : Dans un SC intrinsque le niveau de Fermi est situ au milieu de la zone interdite.

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b- Semi-conducteur de type n : nn: concentration en porteurs ngatifs (lectrons) pn : concentration en porteurs positifs (trous) ND: concentration en atomes donneurs ioniss
La neutralit lectrique ou conservation de la charge, impose: N + D + p = NA + n

Puisque le type est n, donc NA 0 et n>> p. Donc : Dautre part :

E EC n n = N C exp Fn kT et

ND = n n

E E Fn p n = N V exp V kT

E EC exprims en fonction de ni , avec: n i = N C exp Fi kT

E E Fi donnent: n n = n i exp Fn kT
Le produit : n n p n = n i2 = p i2

et

E E Fn p n = n i exp Fi kT
n i2 n2 = i nn ND

pn =

Remarque : Le produit des concentrations en porteurs reste constant que le SC soit intrinsque ou extrinsque cest la loi daction de masse .
Le rapport :

nn nn E E Fi = exp Fn E Fn E Fi = kTLn n ni kT i

n n EC + EV ND E = E + kTLn = + kTLn Fi Do finalement : Fn n n 2 i i

Donc : Le niveau de Fermi dans un SC de type n est situ au dessus du niveau de Fermi intrinsque. Il est plus prs de la BC.

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Remarque : au zro absolu (T=0K), le niveau de Fermi est situ au milieu de la bande interdite, par consquent le SC reste intrinsque mme si il est dop. c - Semi-conducteur de type p: soit : np: concentration en porteurs ngatifs pp : concentration en porteurs positifs NA: concentration en atomes accepteurs ioniss

E Fp E Fi Avec n p = n i exp kT

et

E Fi E Fp p p = n i exp kT

On en dduit la position du niveau de Fermi :

pp EC + E V pp EFp = E Fi kTLn = kTLn n n 2 i i

Le niveau de Fermi, dans un SC de type p, est situ au dessous du niveau de Fermi intrinsque. Il est plus prs de la BV. La neutralit lectrique impose que: p p = N A + n p Puisque pp >> np N A = p p

Dautre part:

n p p p = n i2 = pi2

n i2 n i2 np = = pp NA

VII quilibre thermodynamique :

1- Courants dans le SC :

SC hors

Les courants dans le SC rsultent du dplacement des deux types de charges ( et trous) sous laction dune force. Cette force peut tre due soit un champ lectrique

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externe, dans ce cas le courant est dit courant de conduction, soit un gradient de concentration et dans ce cas le courant est dit courant de diffusion. a- Courants de conduction :

Si on applique un champ lectrique lintrieur dun SC, les porteurs libres prennent un mouvement densemble et acquirent une certaine vitesse dans la direction du champ appele vitesse de drive ou dentranement proportionnelle au champ E telle que :

v = E
est une Cte appele mobilit, cest une grandeur positive qui mesure laptitude des porteurs se dplacer dans le matriau sous laction du champ lectrique. Son unit est cm2/ Volt.Seconde.

Pour les :

vn = n E

et

pour les trous :

vp = p E

Au dplacement des charges correspond un courant dont la densit en A/m2 est dfinie par :

jn = nqvn = nqn E
j p = pq v p = pq p E
Le courant total rsultant du dplacement des et des trous sous laction du champ lectrique E (courant de conduction) scrit :

jc = jn + jp = q (n n + p p )E = E
o est la conductivit du matriau SC, son unit est : (.m)-1

Loi dOhm locale

= q(n n + p p ) = n + p
La rsistivit du matriau sera alors , exprime en .m:

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Cest linverse de la conductivit et cest une caractristique propre au matriau. Contrairement la rsistance qui dpend de la forme du matriau: Remarque: Pour un SC intrinsque, ni = pi :

i = qn i ( n + p )
et Type p :

Type n :

n =

1 qn ND

p =

1 qp NA

Exemple : A 300K :

(.m) Silicium Germanium b 0.5 2400

(m $% %s)
n 6

(m $% %s)
p 6

12 10
6

5 10
6

39 10

5 10

b- Courants de diffusion : Lorsque les porteurs libres ne sont pas distribus uniformment dans le SC, ils sont soumis au processus gnral de diffusion. Leur mouvement seffectue dans un sens qui tend uniformiser leur distribution spatiale. Le flux des porteurs est proportionnel au gradient de concentration. Il en rsulte un courant net dans la direction du gradient de concentration de charges.

Si nx reprsente le nombre d qui diffusent par seconde travers lunit de surface Ox, ce nombre sera donn par:

n x = Dn

dn dx

de mme pour les trous

p x = D p

dp dx

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Dn et Dp sont des constantes appels coefficients de diffusion respectivement des et des trous. Ils caractrisent le mcanisme de diffusion. Le signe (-) traduit le fait que les porteurs diffusent dans la direction de plus faible concentration. Lorsque la diffusion se fait suivant les trois directions :

n = Dnn et

p = Dp p

A ces deux dplacements de charges correspond un courant dit courant de diffusion :

jDn = qD n n et
Le courant total de diffusion scrit donc :

jDp = qDp p

j D = qD n n qD p p
Remarque : Les constantes de diffusion sont relies aux mobilits par:

Dn Dp kT = = n p q
c- Courant de dplacement :

Relation dEinstein

Ce courant nintervient quen rgime alternatif, il est de la forme :

jd =

D t

D = s E

D est le vecteur dplacement lectrique, s est la Cte dilectrique du SC avec s = 0 r . Ce courant est ngligeable dans le fonctionnement normal de tous les composants sauf ceux fonctionnant dans le domaine des hautes frquences ( GHz). Conclusion : La densit de courant total circulant dans un SC est la somme des courants de diffusion et de conduction (drive).

jtot = Jcond + Jdiff = nqn E + pqp E + qDn n qDp p

2- Gnration Recombinaison des porteurs :

)(

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On appelle gnration, la cration de porteurs dans le SC et on appelle recombinaison lorsquil y a une disparition de porteurs dans le SC. La gnration peut avoir lieu sous leffet dune agitation thermique ou par une excitation du SC par une source extrieure qui peut tre optique ou irradiation par des particules. La recombinaison dun avec un trou peut se produire soit directement par la rencontre de deux particules, soit indirectement par lintermdiaire dune impuret.

" vant pr&s vant pr&s vant pr&s

Gnration

'ecombinaison directe

'ecombinaison indirecte

Ces deux processus agissent sur le nombre de porteurs libres transports par le matriau et par consquent, ont une influence sur le courant circulant dans le SC.

dn = GR dt GR
3 - quations de continuit : Dans un semi-conducteur les phnomnes de conduction du courant par diffusion et par entranement cohabitent avec le phnomne de gnration recombinaison. L'quation, tenant compte de tous ces phnomnes, et qui rgit l'volution de la charge au cours du temps est appele quation de continuit.

Le bilan des charges apparues dans le volume lmentaire A.dx pendant le temps dt est : -q.n.A.dx = Jn(x).A.t Jn(x+dx).A.t - q.Gn.A.dx.t + q.Rn.A.dx.t En tenant compte de la dcomposition de Jn (x+dx) en srie de Taylor soit:

J n (x + dx) J n (x) J n (x) = x x

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L'quation de continuit pour les lectrons:

n 1 J n (x ) = + (G n R n ) t q x
Et pour les trous:

p 1 J p (x ) = + (G p R p ) t q x
Remarque : Ces quations constituent les quations fondamentales de fonctionnement des dispositifs semi-conducteurs. Elles seront associes l'quation de Poisson pour dterminer les courants et charges dans les dispositifs.

VIII- Interface entre deux matriaux diffrents :

A linterface dans les htro structures du type mtal-SC (MS), mtal-isolant-SC (MIS), ou SC-SC, existe une barrire de potentiel qui conditionne le passage dun ou dun trou dun matriau lautre. Cette barrire de potentiel est dtermine partir de chaque barrire que doit franchir l pour sortir de son propre matriau dans le vide.
(solant ou o%)de

*C

*C

*C,

*C+

(nter$ace # Barri&re de potentiel

1- Travail de sortie affinit lectronique : Dans le cas des mtaux, lnergie quil faut fournir pour extraire un du mtal est appele travail de sortie (e). Cest une quantit caractristique du mtal. Dans le cas des SC, cette nergie est appele affinit lectronique (e). Cest lnergie quil faut fournir un situ au bas de la bande de conduction pour lextraire du SC et lamener dans le vide sans vitesse initiale.

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Exemple : e (Al) = 4.3 eV e (Cu) = 4.4 eV e(Si) = 4.01 eV e(Ge) = 4.13 eV

Au niveau de linterface, la barrire de potentiel que doit franchir l pour passer du mtal vers le SC ou dun SC1 vers un SC2 est donne par :

Eb = e m - e 3- mission thermolectronique :

Eb = e1 - e2

A linterface entre deux matriaux diffrents, la barrire de potentiel constitue un obstacle au passage des dun matriau dans lautre. Au zro absolu, aucun ne peut passer par-dessus la barrire. Lorsque la temprature est diffrente de zro, lnergie thermique permet certains de franchir la barrire : Cest lmission thermolectronique (ou thermoonique). Ce phnomne existe une interface entre deux matriaux ou une interface mtal vide.

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