Sistemas Electrnicos de Potencia

Convertidores: Rectificadores, Reguladores, Inversores, Cicloconvertidores, Cambiadores de Potencia

Diodo

Encapsulado Diodo

Caractersticas estticas bloqueo

-U de trabajo -U pico repetitivo 1ms cada 10ms -U pico nico 10ms cada 10 m -U ruptura

Caractersticas estticas conduccin

-U de trabajo -U pico repetitivo 1ms cada 20ms -U pico nico 10ms cada 10 m -U ruptura

Caractersticas Dinmicas Recuperacin Inversa

Caractersticas Dinmicas Recuperacin Directa

Transistor BJT de potencia

Transistor MOS-FET de potencia

Tiristor SCR Dopado

Caractersticas Elctricas

Perdidas en conduccin

Estado de bloqueo directo

Estado de bloqueo inverso

Estado de conduccin

Formas de disparo tiristor - Tensin directa - Deriva de tensin - Luz - Puerta

Disparo Puerta

Disparo sobre circuito resistivo

Disparo sobre circuito inductivo

Bloqueo esttico

Bloqueo dinmico

Bloqueo por F.I.T.

Bloqueo por F.I.I.

Triac (caractersticas elctricas)

Triac (Modos de funcionamientos)

Integrated Gate-Commutated Thyristor -Introducido recientemente por ABB (1995) -Control de apagado por puerta -Caractersticas dinmicas superiores al GTO -Monolito con diodos en antiparalelo -Snubberless, menos proteccin -6,5 kV en inversa 4000 A (IGCT comerciales) -Permites montajes series y paralelos -Mucho futuro en aplicaciones de potencia

-Incluye condensadores de bloqueo. -Desaparece el clculo de circuitos de bloqueos por FIT FIC. -Tiempo bloqueo 3 veces menor que un GTO de similar potencia

Transistor IGBT
-Baja cada de Tensin en Saturacin (BJT) -Excitacin por tensin de puerta (MOS-FET)

Tendencias de los semiconductores en accionamientos elctricos

-Evolucin de los semiconductores discretos -Mayor potencia -Mayor frecuencia de conmutacin -Menor proteccin externa - Gradual obsolescencia de los controles de fase, tiristor y triac. - Obsolescencia del GTO - Dominan los semiconductores de puerta aislada (IGBT, power MOS-FET) - Power MOS-FET dominar en aplicaciones de pequea potencia con alta frecuencia - Se espera que los IGBT soporten mas tensin en corte (6,5kV) y que se minimicen sus cadas en conduccin. -Futuro prometedor del IGCT (choppers, auto-sequential-commutated-inverter)

Desacoplo del circuito de potencia y mando

Optoacoplamiento

Desacoplo del circuito de potencia y mando

Acoplamiento magntico

Desacoplo del circuito de potencia y mando

Disparo de un tiristor con transformador de impulsos

Asociacin de semiconductores Conexin serie Ecualizacin con resistencias serie

Asociacin de semiconductores Conexin paralelo Ecualizacin con resistencias paralelo

Proteccin semiconductores

-Trmica; clculo de disipadores o radiadores

-Cortocircuitos; fusibles ultrarrpidos y redes RC

-Sobretensiones; Limitadores de Tensin y redes RC

Analoga trmica - Ley de Ohm

intensidad ( I ) tensin ( V ) resistencia ( R ) V = IR calor ( W ) temperatura ( T ) resist. trmica ( R ) T = WR

Las unidades son W (watios), T (C, grados centgrados) y R (C/W)

T = Tj-Ta = W (Rjc + Rcd + Rda) Tj = temp. de la unin Ta = temp. ambiente Rjc = resist. trmica unin-cpsula Rcd = resist. trmica cpsula-disipador Rda = resist. trmica disipador-ambiente

Coeficientes de seguridad normalmente utilizados

Temperatura de trabajo de la unin entre - !"C y #$$"C % & $'! para un diseo normal con temperatura moderada' % & $' para economi(ar en tamao de disipador' % & $') cuando el disipador permane(ca en posicin *ertical y en el e+terior (mejora de con*eccin)'

T & % Tj - Ta & w (Rjc , Rcd , Rda)

-Resistencia unin-cpsula (Rjc)' .iene dado en manuales y tablas, y depende de la construccin de la cpsula' /abricante del semiconductor'

-Resistencia cpsula-disipador (Rcd)' 0epende del encapsulado y del aislamiento, si lo 1ay, entre el componente y el disipador' 2l aislante puede ser mica, pasta de silicona y otros medios' Cada uno presenta di3erente resistencia trmica' Tambi4n tabulado -Resistencia disipador-ambiente (Rda)' 2ste es el 5ue tratamos de elegir'

TO-218

TO-220

TO-247

TO-5

TO-92

Clculo para potencias mayores de 50w

-Transferencia de calor muy no lineal -Clculo de la Rda mediante catalogo del fabricante Semikron. modedo P39

SNUBBERS Proteccin contra sobretensiones y derivas de tensin

Clculo de redes RC
i(t) LS

RS Vm(t) uC(t) CS u(t)

di(t) 1 + Ri(t) + u C (0) + i(t)dt dt C di(t) u(t) = Vm L S dt Vm = L S

Solucin ecuacin diferencial

I u(t ) = Vm ( Vm RIR )cos( t ) sen( t ) e t + R e t sen( t ) C

donde: =

R 2L

O =

1 LC

(frecuencia natural)
= R C = O 2 L

Factor de amortiguamiento:

Frecuencia natural amortiguada:

2 2 = 2 O = O 1

Derivando se obtiene dv/dt:

I 2 2 du( t ) = ( Vm RIR ) 2 cos( t ) + sen( t ) e t + R cos( t ) sen( t ) e t dt C

Derivando se obtiene dv/dt:

du (t ) 2 2 I = (Vm RI R ) 2 cos(t ) + sen(t ) e t + R cos(t ) sen(t ) e t dt C

Y para t=0; donde U(t=0)= R * IR ; Dado que el condensador est descargado

du (t = 0) IR 2 = (Vm RI R )2 + = Vs 0 (2 4d + d ) dt C

Donde:

d=

IR Vs

L IR = C Ip

Dato de entrada relacin entre tensiones Vp/Vs

Vp: valor del pico mximo del semiconductor Vs: valor de la tensin de trabajo

Proteccin contra sobretensiones

Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra transitorios de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relmpagos, conmutaciones o ruido elctrico en lneas de potencia de CC o CORRIENTE ALTERNA.

Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que, al igual que ellos pueden absorber energas transitorias (incluso ms altas) pero adems pueden suprimir los transitorios positivos y negativos.

Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito.

Los varistores se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio)

CARACTERISTICAS

Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. Bajo consumo cundo por debajo de la tensin de ruptura - virtualmente nada. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en conmutacin digital. Alto grado de aislamiento.

Proteccin contra sobreintensidades: fusibles ultrarrpidos

Tiempo de arco y fusin

Funcin I2t

Efecto limitador del fusible en funcin de la corriente de c.c. disponible

Valor de la funcin I2t en funcin de la Icc disponible

Eleccin del fusible: -Calcular la Iefc que circula por el semiconductor -Calcular la Icc disponible -Elegir un fusible con una Iefc mayor -Calcular la I2t del fusible; dato del fabricante -Calcular el ts que dura la fusin del fusible para un pulso triangular -Calcular el I2t del semiconductor para el tiempo ts con el valor del pico mximo (dato del fabricante) - El I2t del semiconductor debe ser superior al del fusible.