Tema 2

Escuela de Ingeniera de Telecomunicacin de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica
Diodos
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEMA 2
DIODOS
Tema 2 - 1
Diodos
En la primera parte de la asignatura se presentan los dispositivos electrnicos ms importantes: el diodo, el transistor bipolar y el transistor de efecto de campo. En este tema, estudiaremos el diodo: se vern las caractersticas externas de los diodos, sus aplicaciones bsicas en circuitos y tcnicas de anlisis tiles. Tambin se presentan varios ejemplos de la utilizacin de PSpice para analizar circuitos con diodos.
Tema 2 - 2
Diodos
Inventor primer diodo: John Ambrose Fleming, 1904 (empresa Marconi). Vlvula termoinica constituida por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. Se bas en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
John Ambrose Fleming (1849-1945)
Diodo de alto vaco Tema 2 - 3
Diodos
Diodos utilizados en la actualidad: Diodos de estado slido (uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n tambin reciben la denominacin de unin pn) Principio de funcionamiento: descubierto en 1874 por el cientfico alemn, Karl Ferdinand Braun.
Karl Ferdinand Braun (1850-1918)
Tema 2 - 4
Diodos
OBJETIVOS Conocer las caractersticas del diodo de unin. Conocer la tcnica de anlisis de circuitos con diodos mediante la recta de carga. Conocer el modelo del diodo ideal. Conocer los modelos de pequea y gran seal del diodo. Conocer los circuitos bsicos con diodos: circuitos rectificadores, circuitos conformadores de onda, circuitos lgicos y circuitos reguladores de tensin. Disear circuitos rectificadores sencillos. Disear circuitos recortadores y limitadores sencillos. Disear circuitos reguladores sencillos. Utilizar los diodos Zener en circuitos. Utilizar PSpice para analizar circuitos con diodos Conocer los conceptos bsicos sobre semiconductores y fsica del diodo de unin.
Tema 2 - 5
Diodos
CONTENIDOS
Primera parte: Caractersticas y Circuitos bsicos. 1. Caractersticas del diodo 2. Anlisis de la recta de carga 3. El modelo del diodo ideal 4. Circuitos rectificadores 5. Circuitos conformadores de onda 6. Circuitos lgicos con diodos 7. Circuitos reguladores de tensin 8. Circuitos lineales equivalentes en pequea seal
Tema 2 - 6
Montaje y Simulacin
Diodos
CONTENIDOS
Segunda parte: Funcionamiento interno.
9. Conceptos bsicos sobre semiconductores 10. Fsica del diodo de unin
BIBLIOGRAFA BSICA
ELECTRONICA (2 edicin) Allan Hambley (Prentice Hall) Captulo 3
Tema 2 - 7
Diodos
Primera parte DIODOS I: Caractersticas y Circuitos bsicos
Tema 2 - 8
Diodos
1. CARACTERSTICAS DEL DIODO

a) Smbolo del Diodo:
La corriente fluye a travs del diodo en la direccin que indica la flecha.
b) Curva caracterstica tensin-corriente:

Para valores moderadamente negativos de vD, iD es muy pequea.
Si vD > 0 pasa un flujo de corriente grande incluso con pequeas tensiones. Esta condicin se denomina POLARIZACIN DIRECTA.
Si se aplica una tensin de polarizacin suficientemente grande al diodo, permite el flujo de una corriente.
ZONA DE AVALANCHA
REGIN DE POLARIZACIN INVERSA
REGIN DE POLARIZACIN DIRECTA
Tema 2 - 9
Diodos
1.1. Diodos de pequea seal

Para fabricar diodos, se utilizan diversos materiales y estructuras. Por el momento, limitaremos nuestro estudio diodos de silicio de pequea seal, que pueden encontrarse comnmente en circuitos electrnicos de baja y media potencia.
Ejemplo:
Diodo
discreto
1N4148,
distribuido por varios fabricantes.
Nota: Diodos en circuitos integrados: caractersticas similares a diodos discretos de pequea seal.
Tema 2 - 10
Diodos
Curva caracterstica tensin-corriente para un DIODO TPICO DE SILICIO DE PEQUEA SEAL a una temperatura de 27C (temp. ambiente) REGIN DE POLARIZACIN DIRECTA: Diodo conduce muy poca corriente (<< 1mA) hasta que se aplica una tensin directa de 0,6 a 0,7 V. vD > 0.6 a 0.7V, iD aumenta muy rpidamente a medida que se sigue incrementando la tensin.
Tener en cuenta los cambios de escala !!

Escalas para tensin y corriente en Regin de Polarizacin Directa (PD) Regin de Polarizacin Inversa (PI). Objeto: Presentar con claridad los detalles de la curva caracterstica ya que los valores de corriente son mucho ms pequeos, y los de tensin mucho ms grandes en regin PI que en regin PD.
La curva caracterstica de polarizacin directa presenta un codo sobre los 0,6 V. A medida que aumenta la temperatura, la tensin de codo disminuye a razn de aproximadamente 2 mV/C
vD (T ) vD (T0 )
2mV (T T0 ) C
Tema 2 - 11
Diodos
Curva caracterstica tensin-corriente para un DIODO TPICO DE SILICIO DE PEQUEA SEAL a una temperatura de 27C (temp. ambiente)
REGIN DE POLARIZACIN INVERSA: Corriente tpica 1 nA. A medida que aumenta la temperatura, la corriente inversa tambin aumenta.
REGIN DE POLARIZACIN INVERSA
Una regla emprica dice que la corriente inversa se dobla para cada incremento de temperatura de 10C.
iD (T ) iD (T0 ) 2 10 C
(T T0 )
Tema 2 - 12
Diodos
Curva caracterstica tensin-corriente para un DIODO TPICO DE SILICIO DE PEQUEA SEAL a una temperatura de 300K (temp. ambiente) RUPTURA INVERSA: La corriente aumenta de valor rpidamente. La tensin para la que ocurre esto se llama tensin de ruptura. Ejemplo: Tensin de ruptura de la curva caracterstica del diodo de la figura -100 V. Tensiones de ruptura: pueden oscilar entre unos pocos voltios y centenares de voltios. En algunas aplicaciones se necesitan diodos que operen en las regiones de polarizacin directa y polarizacin inversa no conductora sin entrar en la regin de ruptura. Los diodos para estas aplicaciones precisan una tensin de ruptura mayor que la mayor tensin inversa que vayan a soportar.
Tema 2 - 13
RUPTURA INVERSA
Diodos
Ejercicio 1 (Propuesto para casa): Recordar que las tensiones directas de los diodos de silicio de pequea seal disminuyen unos 2 mV/C. Un diodo de este tipo tiene una tensin de 0,600 V, con una corriente de 1 mA a una temperatura de 25C. Hallar la tensin del diodo a 1 mA y una temperatura de 175C. (Solucin: 0.3V)
Ejercicio 2 (Propuesto para casa) Considerar el circuito de la figura. Suponer que la corriente inversa del diodo es independiente de la tensin inversa. Si vo=0,5 V a una temperatura de 70 C, averiguar su valor a 50C y a 100C. (Pista: Se puede considerar que la corriente inversa se duplica por cada incremento de temperatura de 10C).
Tema 2 - 14
Diodos
1.2. Diodos zener

Diodos que trabajan en la zona de ruptura: diodos zner o diodos de avalancha
Smbolo:
Fabricantes: intentan optimizar diodos zner para obtener una curva caracterstica con prcticamente vertical en la regin de ruptura disponibles diodos zner discretos tensiones de ruptura especificadas con una tolerancia de 5%.
Los diodos Zener se utilizan en aplicaciones para las que se necesita una tensin constante en la regin de ruptura.
Tema 2 - 15
Diodos
Existen dos mecanismos que pueden causar la ruptura inversa: 1) Para diodos con una tensin de ruptura superior a 6 V, el responsable es un efecto conocido como avalancha. Por ello, los diodos con tensiones de disrupcin ms elevadas se llaman, consecuentemente, diodos de avalancha. 2) Por debajo de los 6 V, un fenmeno de la mecnica cuntica, conocido como efecto tnel, es el responsable de la ruptura. Hablando estrictamente, los diodos zner son aqullos que se encuentran en el margen inferior de valores de ruptura. Sin embargo, en la prctica, ambos trminos se utilizan de manera indistinta para todos los diodos de ruptura.
Tema 2 - 16
Diodos
Ejercicio 3: Trazar i en funcin de v a escala, para los circuitos de la figura. Los diodos son dispositivos de silicio normales de seal a 27C (300K). Se muestran las tensiones de avalancha de los diodos zner. Suponer 0,6 V para todos los diodos (incluso los zner) en la regin de polarizacin directa.
Tema 2 - 17
Diodos
Ejercicio 4 (Propuesto para casa): Cierto diodo est a una temperatura de 25C. De repente, se le aplica una corriente directa de 100 mA y la tensin pasa a ser de 0,65 V. Tras varios minutos, el diodo se calienta debido a la disipacin de potencia y la tensin es de 0,45 V. Averiguar la temperatura del diodo.
Ejercicio 5 (Propuesto para casa): En ocasiones, puede que queramos obtener una tensin de referencia combinando en serie varios diodos normales, en lugar de usar un diodo zner. Cuntos diodos debemos colocar en serie para obtener una tensin de referencia de 3 V? Suponer que cada diodo tiene una cada de tensin directa de 0,6 V. En qu porcentaje cambia esta tensin al aumentar la temperatura 10C?
Tema 2 - 18
Diodos
2. ANLISIS DE LA RECTA DE CARGA

La curva caracterstica tensin-corriente de los diodos no es lineal. Los MTODOS GRFICOS constituyen un enfoque para analizar este tipo de circuitos. Punto de trabajo: representa la solucin simultnea de la recta de carga y de la caracterstica del diodo.
Ejemplo:
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO
RECTA DE CARGA
VSS y R conocidos, iD y vD incgnitas se necesita otra relacin entre iD y vD para hallar una solucin CURVA CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE DEL DIODO
interseccin : PUNTO DE TRABAJO RECTA DE CARGA
Tema 2 - 19
Diodos
En los prximos temas, veremos que las curvas caractersticas de otros dispositivos electrnicos tampoco son lineales. A causa de esta no linealidad, muchas de las tcnicas aprendidas en los cursos bsicos de teora de circuitos para trabajar con circuitos lineales no se pueden aplicar a circuitos que empleen diodos. De hecho, la mayor parte de nuestros estudios sobre electrnica consistirn en tcnicas para analizar circuitos con elementos no lineales.
Tema 2 - 20
Diodos
Ejercicio 6. Construccin de la lnea de carga en un circuito con diodo

a) Si el circuito de la figura tiene VSS=2 V, R=1 k, y un diodo con la curva caracterstica indicada, encontrar la tensin y la corriente en el diodo en el punto de trabajo. b) Repetir para VSS=10 V, R=10 k.
Localizar dos puntos en la lnea de carga y trazar una recta que pase por ellos.
RECTA DE CARGA para ejemplo b)
RECTA DE CARGA para ejemplo a)
Tema 2 - 21
Diodos
Ejercicio 7 (Propuesto para casa):

Hallar el punto de trabajo para el circuito indicado si la curva caracterstica del diodo es la mostrada en la figura, y: a) VSS=2 V y R=100 b) VSS=15 V y R=1 k c) VSS=1,0 V y R=20
Tema 2 - 22
Diodos
3. EL MODELO DEL DIODO IDEAL

Aunque el anlisis de la recta de carga de los circuitos con diodos nos proporciona resultados precisos y reveladores, necesitamos modelos ms simples para analizar con rapidez circuitos que contengan varios diodos. Muy til: MODELO DEL DIODO IDEAL Un conductor perfecto con una cada de tensin cero en conduccin directa. En conduccin inversa, el diodo ideal es un circuito abierto.
Utilizaremos esta presuncin de diodo ideal si podemos considerar la cada de tensin del diodo en directa y la corriente inversa como despreciables, o si preferimos una comprensin bsica a un anlisis exacto de un circuito.
Tema 2 - 23
Diodos
3.1. Suposicin de estados para el anlisis de circuitos con diodos ideales

Al analizar un circuito con diodos ideales, puede que inicialmente no sepamos qu diodos estn en conduccin y cules al corte debemos hacer una suposicin inicial. Luego, analizamos el circuito para encontrar las corrientes en los diodos que hemos supuesto que estn en conduccin, y las tensiones en los que hemos supuesto que estn al corte. Si iD es positiva en los diodos supuestamente en conduccin y si vD es negativa en los supuestamente al corte, nuestras presunciones son correctas, y ya hemos resuelto el circuito
nodo). (estamos suponiendo que iD se referencia como positiva en conduccin directa y vD es positiva en el
Si no es as, debemos hacer otros supuestos respecto a los diodos y comenzar de nuevo.
Despus de algo de prctica, nuestra primera presuncin ser casi siempre correcta, al menos en circuitos simples.
Tema 2 - 24
Diodos
Paso 1: Suponer unos estados para los diodos. Paso 2: Resolver el circuito hallando iD para los diodos que se suponen en conduccin y vD para los que se suponen al corte. Paso 3: Comprobar si iD es positiva en los diodos que se suponen en conduccin, y si vD es negativa en todos los que se suponen al corte. Si lo son, ya tenemos la solucin. Si no, volver al paso 1.
Ejercicio 8. Analizar el circuito de la figura utilizando el modelo de diodo ideal.
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Diodos
Ejercicio 9 (Propuesto para casa): Demostrar que las condiciones D1 corte y D2 corte, y D1 en conduccin y D2 en conduccin no son vlidas para el circuito anterior.
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Diodos
Ejercicio 10: Determinar los estados de los diodos de los circuitos mostrados en la figura. Suponer diodos ideales.
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Diodos
Ejercicio 11 (Propuesto para casa): Suponiendo diodos ideales, hallar los valores de I y V para los circuitos de la figura.
Tema 2 - 28
Diodos
Ejercicio 12: Suponiendo diodos ideales, hallar los valores de I y V para los circuitos de la figura.
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Diodos
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Diodos
Ejercicio 14 (Propuesto para casa): Dos diodos ideales estn conectados en serie, apuntando en direcciones opuestas. Cul es el circuito equivalente? Repetir el problema para el caso de que los diodos estn en paralelo.
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Diodos
Ahora que ya conocemos el diodo y 2 mtodos para analizar circuitos con diodos, vamos a considerar algunos circuitos prcticos: 1. Circuitos rectificadores 1.1. Rectificador de media onda 1.2. Rectificador de doble onda (onda completa) 2. Circuitos conformadores de onda 2.1. Circuitos recortadores 2.2. Circuitos limitadores 3. Circuitos lgicos con diodos 4. Circuitos reguladores de tensin
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Diodos
4. CIRCUITOS RECTIFICADORES
Convierten la corriente alterna en corriente continua Aplicaciones tpicas:
1. Los rectificadores son la base de las fuentes de alimentacin electrnicas y de los circuitos de carga de bateras. 2. Tambin se utilizan en procesado de seales (por ejemplo, para demodular algunas seales de radio) 3. Conversin de precisin de una tensin alterna a una continua en un voltmetro electrnico.
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Diodos
4.1. Circuito rectificador de media onda

4.1.1. Rectificador de media onda con una fuente de onda senoidal y una carga resistiva
1. vs(t) positiva: Diodo polarizacin directa Si diodo ideal, aparecer en la carga la tensin de la fuente. (Diodo real tpico: tensin de salida algo menor que la de la fuente en una cantidad igual a la cada de tensin en el diodo, 0,7 V en diodos de silicio a temperatura ambiente) 2. vs(t) negativa: Diodo polarizado en inversa no fluye corriente por la carga. (Incluso para diodos reales tpicos, solo fluye una corriente inversa muy pequea).
As, tan slo los semiciclos positivos de la fuente de tensin pasarn por la carga.
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Diodos
Rectificador de media onda con condensador de filtrado

A menudo, se desea convertir una tensin alterna en una tensin continua casi constante, que se utilizara como fuente de alimentacin para circuitos electrnicos. Una manera consiste en situar una GRAN CAPACIDAD EN LOS TERMINALES DE SALIDA DEL RECTIFICADOR.
1. Cuando fuente alterna llega a un pico positivo condensador queda cargado con tensin de pico (suponiendo un diodo ideal). 2. Cuando tensin fuente cae por debajo de la almacenada en el condensador diodo PI no pasa corriente por l. El condensador contina proporcionando corriente a la carga, descargndose hasta el siguiente pico positivo en la tensin alterna.
la corriente fluye por el diodo en forma de pulsos que recargan el condensador.
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Diodos
RIZADO
A causa del ciclo de carga-descarga, la tensin de la carga tiene una pequea componente de alterna, llamada rizado (Vr).
En general, es aconsejable minimizar el rizado, por lo que elegimos el valor de capacidad ms grande posible. En este caso, el condensador estar descargndose durante casi todo el tiempo (o el periodo).
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Diodos
Capacidad de filtrado
1. Carga que desaparece del condensador durante un ciclo de descarga:
IL : corriente media en la carga T: perodo de la tensin alterna.
2.
Como la carga que se extrae del condensador es el producto del cambio de tensin y la capacidad:
Vr : tensin de rizado de pico a pico C : capacidad
Ecuacin Ecuacin para para el el clculo clculo de de la la capacidad capacidad de de filtro filtro que que se se necesita necesita en en un un rectificador de media rectificador de media onda. onda.
Ecuacin aproximada, ya que corriente carga puede variar con t y, adems, C no se descarga durante todo el T. Sin embargo, en el diseo de fuentes de alimentacin, esta ecuacin proporciona un valor inicial de capacidad. Podemos utilizar la simulacin por computador para refinar el valor de capacidad.
Tensin media proporcionada a la carga:

(est aproximadamente a medio camino entre las tensiones mnima y mxima.)
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Diodos
Tensin Inversa de Pico en los diodos Aspecto importante de circuitos rectificadores La especificacin de tensin de ruptura de los diodos debe ser de mayor valor que la tensin inversa de pico.
1. Circuito de media onda con carga resistiva :Vm 2. Aadiendo condensador de filtrado en paralelo con la carga: aproximadamente 2Vm
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Diodos
4.2. Circuitos rectificadores de onda completa o de doble onda

4.2.1. Transformador con toma intermedia y dos diodos
Formado por: 2 rectificadores de media onda con fuentes de tensin desfasadas y una carga comn. Diodos: conducen en semiciclos alternos. Transformador: Suministra desfasadas. Permite q. diseador elija valor para la entrada del rectificador.
(ajustar valor Vm seleccionando relacin de espiras, importante ya que la tensin alterna disponible no suele tener amplitud adecuada para rectificarla directamente: normalmente, se requiere una tensin de continua ms baja).
tensiones
de
alterna
Asla a la carga de la lnea de corriente alterna. Tema 2 - 39
Diodos
4.2.2. Rectificador de onda completa con puente de diodos

1. Cuando tensin alterna positiva en el extremo superior del devanado secundario: corriente fluye por el diodo A, luego pasa por la carga, y vuelve por el
r po e y la flu 2. Con tensin inversa a la anterior: corriente fluye por en e t e n pr ri e r los diodos D y C. m ie . co as in La c g r c ca i re d a l a sm i m
Diodos A y B en conduccin Diodos C y D en conduccin
diodo B.
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Diodos
Rectificadores de onda completa con condensador de filtrado
Si se desea filtrar la tensin sobre la carga, se puede poner un condensador en paralelo con la carga, como en el circuito de media onda.
En circuitos de onda completa, el condensador se descarga slo durante un semiciclo antes de recargarse. La capacidad requerida en el circuito de onda completa ser slo la mitad de la necesaria en el circuito de media onda.
Ecuacin para el clculo de la capacidad de filtro que se necesita en un rectificador de onda completa.
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Diodos
Ejercicio 15: Se necesita que una fuente de alimentacin proporcione a una carga una corriente media de 0,1 A y una tensin media de 15 V. La fuente de alterna de que disponemos es de 220 Vrms, con una frecuencia de 50 Hz. Suponer que se va a utilizar el circuito de onda completa de la figura con un condensador de filtro en paralelo con la carga. La tensin de rizado de pico a pico ser de 0,4 V. Suponer 0,7 V de cada de tensin del diodo en directa. Hallar la relacin de espiras n que se necesita, y el valor aproximado del condensador de filtro. (Recomendacin: Para conseguir una tensin de carga media de 15 V con un rizado de 0,4V, disear para una tensin de carga de pico de 15,2 V.)
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Diodos
Ejercicio 16 (Propuesto para casa): Repetir el ejercicio anterior utilizando el circuito de la figura con un condensador de filtro en paralelo con RL. Calcular la relacin de transformacin, que es la proporcin entre el nmero de vueltas del primario y el nmero de vueltas del secundario entre la toma intermedia y un extremo.
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Diodos
Ejercicio 17 a): Trazar la funcin de transferencia (vo en funcin de vin) para el circuito de la figura. Trazar tambin a escala vo en funcin del tiempo para vin(t)=10 sen (200t), Suponer diodo ideal.
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Diodos
Ejercicio 17 b) (Propuesto para casa) Trazar la funcin de transferencia (vo en funcin de vin) para el circuito de la figura. Trazar tambin a escala vo en funcin del tiempo para vin(t)=10 sen (200t), Suponer diodo ideal.
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Diodos
Ejercicio 18 (Propuesto para casa): (a) Demostrar que el valor medio de una onda senoidal con rectificacin de media onda es el valor de pico dividido por . (b) Determinar el valor medio de una onda senoidal con rectificacin de onda completa. Pista: El valor medio de una tensin peridica v(t) viene dado por
donde T es el periodo.
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Diodos

a) Diseo de un rectificador de media onda. Como alimentacin, se dispone de una fuente de alterna de 220V rms y 50 Hz. Disear una fuente de alimentacin rectificadora de media onda que suministre a una carga una tensin media de 9 V con un rizado de pico a pico de 2 V. La corriente media de la carga es de 100mA. Suponer que los diodos y transformadores disponibles son ideales. Dibujar el diagrama de circuito del diseo. Especificar los valores de todos los componentes utilizados. Asegurarse de especificar la relacin de espiras del transformador.
1. Determinar la tensin de pico de la carga que se necesita para conseguir la tensin media de carga deseada con el rizado especificado. 2. Determinar la relacin de espiras. 3. Calcular la capacidad necesaria.
b) Diseo de un puente rectificador de onda completa. Repetir el problema utilizando un puente rectificador de onda completa.
Tema 2 - 47
Diodos
(continuacin del ejercicio 19):

c) Diseo de un rectificador de onda completa. Repetir el problema utilizando dos diodos y un transformador con toma central en el devanado secundario para construir un rectificador de onda completa. d) Diseo de un rectificador con diodos no lineales. Repetir el problema suponiendo que los diodos tienen cadas de tensin directas de 0,8 V.
1. Determinar la tensin de pico de la carga que se necesita para conseguir la tensin media de carga deseada con el rizado especificado. 2. Tener en cuenta las cadas de tensin de los diodos y determinar la tensin de pico del secundario que se necesita. 3. Determinar la relacin de espiras. 4. Calcular la capacidad que se necesita.
Tema 2 - 48
Diodos
5. CIRCUITOS CONFORMADORES DE ONDA

Circuitos que transforman una forma de onda en otra.
En los sistemas electrnicos, se utilizan muchos circuitos conformadores de onda: 1. Se emplean en generadores de funciones utilizados para generar seales de prueba elctricas.
Normalmente, oscilador genera onda cuadrada que se pasa por un integrador onda triangular. Despus, esta onda triangular se pasa por un circuito conformador de ondas cuidadosamente diseado para producir una onda senoidal y las tres formas de onda quedan disponibles para el usuario.
2. Se pueden encontrar numerosos ejemplos de circuitos conformadores de onda en transmisores y receptores de televisin o radar.
Tema 2 - 49
Diodos
5.1. Circuitos recortadores

Los diodos pueden utilizarse para construir circuitos recortadores, en los que una porcin de la onda de la seal de entrada se recorta.
Ejemplo: Circuito que recorta cualquier parte de la onda de entrada por encima de 6 V o por debajo de -9 V, suponiendo diodos ideales. Si -9 V vin +6 V Ambos diodos en corte no pasa ninguna corriente por ellos no hay cada de tensin en R vo = vin. Si vin > 6 V Diodo A conduce vo = 6 V (el diodo conecta la fuente de 6 V a los terminales de salida). Si vin < -9 V Diodo B en conduccin vo = -9 V.
Tema 2 - 50
Diodos
Onda de salida obtenida a partir de una onda de entrada senoidal de 15 V de pico
Curva de la funcin de transferencia
R se elige lo bastante grande como para que la corriente por el diodo en conduccin directa se encuentre dentro de unos lmites razonables (normalmente, unos pocos miliamperios), pero lo bastante pequea como para que la corriente del diodo en inversa d lugar a una cada de tensin despreciable. Con frecuencia, en un circuito dado, se puede encontrar un amplio margen de R que ofrezcan un resultado satisfactorio. Tema 2 - 51
Diodos
5.2. Cambio de fuentes de tensin por diodos zner

En el circuito anterior se han supuesto diodos ideales. Si se utilizan diodos de silicio de pequea seal, debemos esperar una cada de tensin de 0,6 a 0,7 V, por lo que deberamos reducir la tensin de la fuente para compensar. Es ms, no es recomendable el uso de fuentes de continua mientras sea posible ya que puede que necesiten un mantenimiento peridico.
En la regin de ruptura, la tensin inversa en un diodo zner es casi constante. As, en un circuito recortador, podemos utilizar diodos zner en lugar de fuentes (por
supuesto, un diodo zner se comporta como una fuente de tensin nicamente en la regin de ruptura).
Circuitos reales equivalentes al anterior:

a) Circuito con fuentes sustituidas por diodos zner, donde se tiene en cuenta una cada de tensin directa del diodo de 0,6 V b) Circuito ms simple
A los diodos zner se les denomina por sus tensiones de ruptura.
Tema 2 - 52
Diodos
1. Si -9 vin +6 V Diodos no conducen, y vo=vin. 2. Si vin > +6 V Diodo A polarizado directamente, y Diodo B en avalancha vo es la cada de tensin en conduccin directa del diodo A, ms la tensin de avalancha del diodo B, vo = 0,6 V + 5,4 V = 6,0 V. 3. Si vin < -9 V Diodo D en conduccin directa, y Diodo C en avalancha vo = -9V.
1. Diodos no conducen y vo=vin, a menos que uno de los diodos est en avalancha. 2. Si vin > 6 V, Diodo E en polarizacin directa, Diodo F en avalancha vo = 6 V. 3. Si vin = -9 V, Diodo F polarizado en directa, y Diodo E en avalancha vo = -9 V.
Tema 2 - 53
Diodos
Ejercicio 22 (Propuesto para casa): Qu es un circuito recortador? Dibujar un diagrama de circuito tpico que incluya el valor de los componentes, forma de onda de entrada y la correspondiente forma de onda de salida.
Tema 2 - 54
Diodos
Ejercicio 23: Dibujar a escala la curva de transferencia caracterstica de los circuitos de las figuras (a) y (b). Suponer en los diodos una cada de tensin en conduccin directa de 0,6 V. Dibujar a escala las formas de onda de salida si vin(t)=15 sen t.
Tema 2 - 55
Diodos
Ejercicio 24 (propuesto para casa): Disear circuitos recortadores que tengan las curvas caractersticas de transferencia que se muestran en las figuras (a) y (b). Suponer cadas de tensin en conduccin directa en los diodos de 0,6 V. (Recomendacin para la parte b: incluir una resistencia en serie con los diodos que empiezan a conducir con vin = 3 V para conseguir la pendiente necesaria para la seccin entre vin = 3 V y 6 V.)
Tema 2 - 56
Diodos
Ejercicio 25: Disear un circuito recortador para recortar las partes de una tensin de entrada que estn por encima de 3 V o por debajo de -5 V. La tensin de entrada va de -10 V a +10 V. Suponer que se dispone de diodos con una cada de tensin directa de 0,7 V. Tambin se dispone de diodos zner ideales con la tensin de avalancha que se necesite. Utilizar valores de resistencia con una tolerancia estndar del 5%, y disear para una corriente de pico de aproximadamente 1 mA en los diodos.
Tema 2 - 57
Diodos

Disear un circuito con las curva caracterstica de transferencia que se muestra en la figura. Suponer que vin vara entre -10 y 10 V. Usar diodos, diodos zner y valores de resistencia de tolerancia estndar del 5%. Suponer una cada de tensin directa en los diodos de 0,6 V, y suponer que los diodos zner tienen una curva caracterstica ideal en la zona de avalancha.
4,5
Tema 2 - 58
Diodos
5.3. Circuitos limitadores

Circuitos conformadores de onda utilizados para aadir una componente continua a una onda de entrada de corriente alterna, de manera que se obligue a que los picos positivos (o negativos) tengan un valor especificado. En otras palabras, los picos de la onda se limitan a un valor de tensin especificado.
Ejemplo de circuito fijador, en el que los picos positivos se limitan a -5 V:
C valor elevado: se descarga muy lentamente y se puede considerar que VC=cte. impedancia muy pequea para la seal de entrada de alterna vo(t) = vin (t) - VC
Tema 2 - 59
Diodos
Si el recorrido positivo de la seal de entrada intenta forzar un valor de tensin superior a -5 V, Diodo conduce, incrementando el valor de VC. C se carga a valor tal que valor mximo de vo = -5 V. VC = Vpico VBB = Vpico (-5V) Una vez terminado el transitorio: vo(t) = vin(t) - VC
VBB -
Se incluye una R grande para permitir que el condensador se descargue
lentamente. Esto es necesario para que el

circuito pueda ajustarse si la onda de entrada Forma de onda de salida para vin = 5 sen t cambia su amplitud a un valor ms pequeo.
Tema 2 - 60
Diodos
Podemos cambiar la tensin de limitacin del circuito cambiando la tensin de la fuente constante.
Al invertir la direccin del diodo, hacemos que se limite el pico negativo en lugar del positivo.
Si la Tensin de Limitacin deseada hace que el diodo est siempre polarizado en inversa sin que el condensador pueda cargarse (ejemplo: entrada con valor de pico < tensin de limitacin), es necesario conectar la resistencia de descarga a una fuente de tensin continua adecuada, para asegurarse de que el diodo conduce en el transitorio inicial y el circuito realiza correctamente la funcin de limitacin (Vase ejercicio 28)
A menudo es ms conveniente utilizar diodos zner que fuentes constantes.

Tema 2 - 61
Diodos
Ejercicio 27 (Propuesto para casa): Qu es un circuito limitador? Dibujar un diagrama de circuito tpico que incluya el valor de los componentes, forma de onda de entrada y la correspondiente forma de onda de salida.
Tema 2 - 62
Diodos
Ejercicio 28: Considere el circuito de la figura. Suponer que el condensador es lo suficientemente grande para que la tensin en l no provoque una descarga apreciable a travs de R durante un ciclo de la corriente de entrada. (a) (b) (c) Cul es la tensin de salida en rgimen permanente si vin(t)=0? Dibujar a escala la salida en rgimen permanente en funcin del tiempo si vin(t) = 2 sen (t). Suponer que la resistencia se conecta a masa en lugar de a -15 V. En este caso, dibujar a escala la salida en rgimen permanente en funcin del tiempo si vin(t)=2 sen (t).
Tema 2 - 63
Diodos
Ejercicio 29 (propuesto para casa): Disear un circuito que fije los picos negativos de una seal de corriente alterna a +6 V. Se pueden utilizar fuentes de tensin, resistencias y condensadores de cualquier valor, adems de diodos zner o convencionales (o ambos). Tener en cuenta una cada de tensin en directa en el diodo de 0,6 V. Ejercicio 30 (propuesto para casa): Repetir el ejercicio para un circuito que fije los picos positivos a +6 V.
Tema 2 - 64
Diodos
Eleccin de R y C
Elegir los valores de R y C para un circuito limitador, requiere adoptar un cierto compromiso: 1. Por una parte, queremos que C tenga impedancia muy pequea comparada con la de la R para la seal de corriente alterna (necesario, porque se desea que la parte alterna de la onda de salida sea idntica a la de entrada). 2. Por otra parte, si hacemos la constante de tiempo RC demasiado grande, al circuito le cuesta tiempo ajustase a reducciones en la amplitud de la onda de entrada.
Por ahora, podemos hacer que R: valor bastante grande, entre 10 k a 100 k, para que las corrientes de pico en los diodos no tengan que ser muy elevadas (no ms de unos pocos mA). Luego, elegimos C tal que RC sea grande comparada con el T de la seal alterna de entrada, por ejemplo en un orden de magnitud. Esto nos proporciona un circuito limitador con una accin limitadora cercana a la deseada. Despus, podemos simular el circuito y ajustar los valores hasta que su rendimiento sea satisfactorio.
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Diodos
Ejercicio 31: Disear un circuito limitador que fije el extremo positivo de una onda de entrada peridica a +5V. Utilizar diodos, diodos zner y valores de resistencia estndar del con 5 la %. tolerancia
Suponer una cada de tensin directa en los diodos de 0,6 V, y suponer que los diodos zner tienen una curva caracterstica ideal en la zona de avalancha. Se dispone de fuentes de
Tema 2 - 66
alimentacin de 15 V.
Diodos
6. CIRCUITOS LGICOS CON DIODOS

6.1. Construccin de una puerta lgica OR utilizando diodos
Supongamos que los niveles lgicos de entrada son de +5 V para el 1 lgico, y de 0 V para el 0 lgico.
1. Salida nivel alto (vo = +5 V) si cualquiera de las entradas est a nivel alto. 2. Si todas las entradas estn a nivel bajo salida a nivel bajo (vo=0).
Diodos ideales: niveles lgicos salida = entrada. Diodos reales salida a nivel alto: tensin ms baja que la entrada (debido a cada de tensin en conduccin directa) Si tenemos cierto n puertas en cascada, al final, la tensin de salida para el estado alto ser demasiado baja como para ser reconocida como un 1 lgico. ESTE SERIO PROBLEMA ES EL QUE HACE QUE LOS CIRCUITOS LGICOS BASADOS SOLAMENTE EN DIODOS NO SEAN AMPLIAMENTE UTILIZADOS.
Tema 2 - 67
Diodos
Ejercicio 32: Suponiendo diodos ideales con cadas de tensin directa de 0,6 V y niveles lgicos de entrada de 0 V y 5 V, cuntas puertas OR de diodos se pueden poner en cascada si la tensin de salida que se pide para el nivel alto ha de ser superior a 3,5 V?
Tema 2 - 68
Diodos
6.2. Construccin de una puerta lgica AND utilizando diodos
Salida a nivel alto (+5 V) slo si todas las entradas estn a nivel alto.
No es posible construir un inversor lgico usando diodos normales. ste es otro serio inconveniente de la lgica de diodos. Sin embargo, las puertas de diodos pueden resultar tiles en ocasiones.
Tema 2 - 69
Diodos
7. CIRCUITOS REGULADORES DE TENSIN

A veces, se necesita suministrar tensin en continua a una carga (normalmente, cualquier circuito electrnico, como un amplificador), pero las fuentes primarias de energa elctrica tienen tensiones variables.
Ejemplo: Circuitos rectificadores generan salidas con rizado. Adems, las tensiones de salida del rectificador cambian cuando la tensin de la lnea de corriente alterna flucta.
Para eliminar esas fluctuaciones en la tensin, colocamos un regulador de tensin entre la fuente y la carga.
Tema 2 - 70
Diodos
REGULACIN DE ENTRADA: medida de cunto cambia la tensin de la carga segn va cambiando la tensin de la fuente.
Vcarga: cambio en la tensin de la carga
resultante de cambiar VSS en la fuente de entrada.
REGULACIN A PLENA CARGA: medida del cambio en la tensin de la carga a medida que cambia la corriente en la carga.
Vsin-carga : tensin en la carga para corriente cero en la carga (Icarga=0) Vplena-carga : tensin de la carga para la corriente de carga nominal.
Idealmente, la regulacin a plena carga y de entrada deberan ser cero para la mayora de aplicaciones. Tema 2 - 71
Diodos
7.1. Regulador de tensin con un diodo zener
Circuito que proporciona una tensin de salida casi constante a partir de una fuente variable.
Diodo zner: debe tener una tensin de ruptura igual a la tensin de salida que se desea. R: limita la corriente en el diodo a un valor seguro para que el diodo no disipe demasiada potencia. (para un correcto funcionamiento, es necesario que el valor mnimo de la tensin de alimentacin variable sea mayor que la tensin de salida deseada).
Tema 2 - 72
Este circuito es muy utilizado cuando se necesita una tensin de referencia constante.
Diodos
Suponiendo que disponemos de la curva caracterstica del zner, podemos utilizar la lnea de carga para analizar el
funcionamiento del circuito regulador. Leyes de Kirchhoff ecuacin que
relacione vD e iD. (En este circuito, el diodo

trabaja en la regin de avalancha con valores negativos de vD e iD).
Lnea recta situando dos puntos cualquiera, podemos construir la lnea de carga. La interseccin de la lnea de carga con la curva caracterstica del diodo nos muestra el punto de trabajo.
Tema 2 - 73
Diodos
Ejercicio 33: Anlisis de un circuito regulador con diodo zner En el circuito regulador de tensin de la figura, R=1k, y se utiliza un zner con las caractersticas mostradas. Encontrar la tensin de salida para VSS=15 V. Repetir el ejercicio para VSS=20 V. Determinar el porcentaje de regulacin de entrada.
Tema 2 - 74
Diodos Al cambiar la tensin de alimentacin, la recta de carga cambiar su posicin, pero no su pendiente.
Pendiente de la lnea de carga: -1/R Tensiones Tensiones de de salida: salida: v =10,0 V para VSS =15 V vo o=10,0 V para V SS=15 V v =10,5 V para VSS =20 V vo o=10,5 V para V SS=20 V
Cambio de 5 V en tensin alimentacin cambio de slo 0,5 V en tensin salida regulada
Regulacin de entrada:
Tema 2 - 75
Diodos
Los diodos zner reales son capaces de exhibir unas prestaciones mucho mejores que stas. La pendiente de las curvas caractersticas se ha acentuado en la figura en aras de la claridad, pero los DIODOS ZNER REALES POSEEN UNA PENDIENTE CASI VERTICAL EN LA REGIN DE AVALANCHA.
Tema 2 - 76
Diodos
Las tensiones de avalancha de los zner dependen de la temperatura. En general, en diodos de silicio: 1. 2. 3. Tensiones de avalancha < 6 V: valor tensin de ruptura al temperatura Tensiones de avalancha > 6 V : valor al temperatura Tensiones de avalancha en torno a 6 V: Valor tensin de avalancha prcticamente independiente de temperatura. Curva caracterstica ms vertical.
... los diodos zner con tensiones de ruptura de 6 V nos proporcionan el mejor comportamiento como referencias de tensin estables.
Tema 2 - 77
Diodos

Considerar el circuito siguiente. Suponer que la curva caracterstica en la zona de avalancha es vertical, como se ve en la figura. Hallar la tensin de salida vo para (a) iL=0; (b) iL=20 mA; (c) iL=100 mA. (Pista: A partir del circuito, tenemos 15=100(iL-iD)-vD. Construir una lnea de carga diferente para cada valor de iL.)
Tema 2 - 78
Diodos
Ejercicio 35 (Propuesto para casa) Dibujar el diagrama de un circuito regulador de tensin simple. Definir los conceptos de regulacin de la fuente y regulacin de la carga.
Tema 2 - 79
Diodos
Ejercicio 36: Diseo de un regulador de tensin Disear un circuito regulador de tensin que proporcione a una carga una tensin constante de 5 V a partir de una fuente de tensin variable. La corriente de la carga vara entre 0 y 100 mA y la tensin de la fuente vara entre 8 y 10 V. Se supone que disponemos de diodos zner ideales. Las resistencias sern de un valor de tolerancia estndar del 5%. Dibujar el diagrama de circuito del regulador, y especificar el valor de cada componente. Hallar tambin la potencia disipada en el peor caso (la mxima) en cada componente del regulador. Intente aplicar el sentido comn en el diseo.
Tema 2 - 80
Diodos
Ejercicio 37 (Propuesto para casa): Diseo de un regulador de tensin a) Repetir el ejercicio anterior suponiendo que la fuente de tensin vara de 6 a 10 V. b) Repetir el ejercicio anterior suponiendo que la corriente de carga vara de 0 a 1 A
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Diodos
Ejercicio 38 (propuesto para casa): Un circuito regulador con un diodo zner de 6 V trabaja a partir de una fuente que vara entre 10 y 14 V, con una resistencia en serie de 100 y la carga consume una corriente que vara entre 0 y 30 mA. Determinar la disipacin de potencia en el diodo zner en el peor caso (es decir, la disipacin de potencia ms elevada).
Tema 2 - 82
Diodos
Ejercicio 39 (Propuesto para casa): Queremos disear un regulador de tensin con un diodo zner de 5 V que trabaje a partir de una fuente que vara entre 10 y 14 V. La corriente de la carga va de 0 a 10 mA. Determinar el valor de la resistencia en serie necesaria para que el valor mnimo de la corriente del diodo zner sea de 5 mA. Solucin: R 333
Tema 2 - 83
Diodos
8. CIRCUITOS LINEALES EQUIVALENTES DE PEQUEA SEAL

Vamos a encontrar muchos ejemplos de circuitos electrnicos (especialmente amplificadores), en los que las tensiones continuas (DC) de alimentacin se utilizan para polarizar un dispositivo no lineal en un punto de trabajo y en los que se inyecta al circuito una pequea seal de alterna (AC).
Tema 2 - 84
Diodos
Frecuentemente, el anlisis de esos circuitos se divide en 2 partes: 1. : :Anlisis 1. Primera Primeraparte parte Anlisisde delas lascondiciones condicionesde depolarizacin. polarizacin. Se Seanaliza analizael elcircuito circuitode deDC DCpara parahallar hallarel elpunto puntode detrabajo. trabajo. Hay Hayque quetener teneren encuenta cuentalos losaspectos aspectosno nolineales linealesdel deldispositivo. dispositivo.
2. : :Anlisis .. 2. Segunda Segundaparte parte Anlisisde depequea pequeaseal sealde dealterna alterna Como Como las las caractersticas caractersticas dispositivo dispositivo son son casi casi lineales lineales si si se se consideran consideran regiones regiones de de trabajo trabajo lo lo suficientemente suficientemente pequeas pequeas posible posible hallar hallar circuito circuito lineal lineal equivalente equivalente en en pequea pequea seal seal para para el .. eldispositivo dispositivono nolineal linealyyutilizarlo utilizarloen enel elanlisis anlisisAC AC
Tema 2 - 85
Diodos
A menudo, la principal preocupacin en el diseo de estos circuitos es lo que sucede con la seal de alterna. Las tensiones continuas de alimentacin simplemente polarizan el dispositivo en el punto de trabajo adecuado.
Ejemplo: RADIO PORTTIL Primordial que la seal sea recibida, demodulada, amplificada y transferida al altavoz. Las corrientes continuas proporcionadas por las bateras son slo necesarias para que los dispositivos realicen su trabajo con las seales de alterna. La mayor parte de los esfuerzos de diseo se centran en hacer que las pequeas seales de alterna sean procesadas.
Tema 2 - 86
Diodos
El circuito lineal equivalente de pequea seal es una aproximacin analtica importante que puede aplicarse a muchos tipos de circuitos electrnicos.
En esta seccin demostraremos los principios con un circuito simple con diodo. En los siguientes cursos, se emplearn tcnicas similares para los circuitos amplificadores con transistores.
Tema 2 - 87
Diodos
8.1. Notacin de corrientes y tensiones en circuitos electrnicos

vd e id (smbolos minsculas, subndices minsculas): representan las (pequeas) seales de corriente alterna. Si se desea enfatizar su naturaleza variable en el tiempo, se utilizar vd(t) e id(t)
vD(t) = VDQ + vd(t) iD(t) = IDQ + id(t)
VDQ
IDQ
(smbolos
maysculas, representan la
subndices
maysculas):
corriente y la tensin de corriente continua del diodo en el punto Q.
vD
iD
(smbolos minsculas, subndices maysculas): corriente y
tensin totales instantneas en el diodo. A veces, para enfatizar la naturaleza variable en el tiempo de estos valores vD(t) e iD(t)
Tema 2 - 88
Diodos
8.2. Resistencia dinmica

En el caso de un diodo, el circuito equivalente de pequea seal es una resistencia
Suponemos que la tensin continua de
alimentacin hace que el circuito trabaje en el punto de reposo, o punto Q, indicado en la curva caracterstica. Entonces, una pequea seal alterna que se inyecte al circuito desplaza el punto de trabajo instantneo ligeramente por encima y por debajo del punto Q. Para una seal de alterna lo suficientemente pequea, la curva caracterstica es casi una recta:
iD: pequeo cambio en la corriente del diodo a partir del valor del punto Q, causado por la seal de alterna. vD :cambio en la tensin del diodo a partir del valor del punto Q (diD/dvD)Q: pendiente de la curva caracterstica del diodo, evaluada en el punto Q. Tema 2 - 89
Curva caracterstica del diodo
Diodos
Se define la resistencia dinmica del diodo como: La resistencia equivalente del diodo para la pequea seal de alterna (resistencia
dinmica), es la inversa de la pendiente de su curva caracterstica evaluada en el punto Q.
Vamos a eliminar el smbolo , y vamos a designar a los cambios de corriente y tensin, a partir de los valores del punto Q, como vd y id. Por tanto, para esas pequeas seales de alterna, escribimos:
Tema 2 - 90
Diodos
8.3. La ecuacin de Shockley

Tericamente, bajo ciertas suposiciones simples, podemos escribir la siguiente relacin entre corriente y tensin en un diodo:
ECUACIN DE SHOCKLEY
Is: corriente de saturacin (~10-14 A diodos de unin de pequea seal a 300K). n: coeficiente de emisin (valores entre 1 y 2). VT: tensin trmica o potencial equivalente de temperatura. T: Temperatura en grados kelvin. k: constante de Boltzmann. q: carga elctrica del electrn. A una temperatura de 300 K, tenemos que:
Tema 2 - 91
Diodos
ECUACIN DE SHOCKLEY
La pendiente de la curva caracterstica del diodo se puede hallar derivando la ecuacin de Shockley:
Sustituyendo la tensin en el punto Q:
En polarizacin directa con VDQ al menos varias veces ms grande que VT (por ejemplo, para VDQ 0,1 V), el -1 de dentro del parntesis de la Ecuacin de Shockley es despreciable. As, se puede escribir:
Ecuacin clave para la resistencia dinmica del diodo.
Tema 2 - 92
Diodos
En resumen:
Para seales que causen pequeos cambios del punto Q, podemos considerar el diodo como una resistencia lineal. Siempre que el diodo est polarizado en directa, el valor de la resistencia es el que nos da la ecuacin:
Tema 2 - 93
Diodos
Ejercicio 40 (Propuesto para casa): Calcular la resistencia dinmica de un diodo de unin pn con n=1 a una temperatura de 300 K, para IDQ = (a) 0,1 mA; (b) 1 mA; (c) 10 mA.
Tema 2 - 94
Diodos
8.4. Atenuador controlado por tensin

Ejemplo de anlisis de un circuito lineal equivalente para un circuito simple de un atenuador controlado por tensin:
Este tipo de anlisis ser muy importante al analizar circuitos con transistores.
Entrada del circuito: pequea tensin alterna vin(t) Salida vo(t): versin atenuada de la entrada. Vamos a ver que la cantidad de atenuacin depende del valor de la tensin de control de continua VC. Tema 2 - 95
Diodos
CONDENSADORES DE ACOPLAMIENTO
La seal alterna que vamos a atenuar est unida al circuito por medio de un condensador de acoplamiento. La tensin de salida est conectada a la carga RL mediante un segundo condensador de acoplamiento.

Se eligen valores que se asimilen a cortocircuitos para la seal de alterna. Sin embargo, son circuitos abiertos para la continua Punto Q diodo no afectado por la fuente de seal ni por la carga. Esto puede ser importante para circuito que deba funcionar con fuentes y cargas diferentes que podran afectar al punto Q. Ms an, los condensadores de acoplamiento evitan que las (a veces no deseadas) corrientes de continua fluyan a travs de la fuente o la carga.
Tema 2 - 96
Diodos
ANLISIS DC A causa de los condensadores de acoplamiento, slo hemos de considerar VC, RC y el diodo, para hacer el clculo de la polarizacin y encontrar el punto Q. Utilizar cualquiera de las tcnicas vistas anteriormente para hallar Q. Una vez conocido, podemos utilizar la corriente IDQ en el punto Q para calcular la resistencia dinmica del diodo.
Tema 2 - 97
Circuito de continua:
Diodos
ANLISIS AC
Fuente VC : La fuente de seal alterna hace que fluya una corriente alterna a travs de la fuente VC. Sin embargo, VC : fuente de tensin continua y, por definicin, la tensin en bornes de la misma es constante. Como la fuente de tensin continua tiene una componente alterna de corriente, pero no de tensin alterna, se comportar como un cortocircuito para seales alternas.
Circuito equivalente para seales alternas:
La fuente de control y los condensadores se han sustituido por cortocircuitos y el diodo se ha sustituido por su resistencia dinmica.
Tema 2 - 98
Diodos
Circuito = Divisor de tensin
Paralelo de RC, RL y rd:
Atenuacin del circuito:
Por supuesto, Av es menor que uno.
Tema 2 - 99
Diodos
Ejercicio 41 (Propuesto para casa): Suponer que en el circuito de la figura, R = 100 , RC = 2 k, y RL= 2 k. El diodo tiene n=1, y est a una temperatura de 300K. Para analizar el punto Q, supondremos una tensin constante en el diodo de 0,6 V. Hallar el valor de la corriente del diodo y Av en el punto Q para VC=(a) 1,6 V; (b) 10,6 V.
Solucin: Av=0.331, Vc=1.6V (IDQ = 0.5 mA) Av=0.049, Vc=10.6V (IDQ = 5 mA)
Tema 2 - 100
Diodos
Ejercicio 42 (Propuesto para casa): A una temperatura de 300K, un diodo de unin dado tiene un valor de iD = 0,1 mA para vD = 0,6 V. Suponer que n es la unidad, y usar VT=0,026 V. Hallar el valor de la corriente de saturacin Is. Calcular a continuacin la corriente del diodo para vD=0,65 V y 0,70 V. (Pista: Como vD>0,1 V, tenemos iD Is exp (vD/nVT))
Tema 2 - 101
Diodos
Ejercicio 43 (Propuesto para casa) Consideremos un diodo con polarizacin directa, de manera que iD Is exp (vD / nVT). Suponer que VT = 0,026 V, y n = 1. (a) Qu incremento debemos aplicar a vD para doblar la corriente? (b) Y para incrementar la corriente en un factor de 10?
Tema 2 - 102
Diodos
Segunda parte: DIODOS II: Funcionamiento interno
Tema 2 - 103
Diodos
En esta parte del tema se trata la fsica bsica de semiconductores y el funcionamiento interno del diodo. El estudio de la fsica de dispositivos ser breve y, en su mayor parte, de forma cualitativa. Se intentar ofrecer un marco para la comprensin del comportamiento del diodo y del transistor. Existen varios materiales vlidos para la fabricacin de dispositivos electrnicos de estado slido; los ms destacables son: silicio (Si), germanio (Ge) y arseniuro de galio (GaAs). A causa del amplio uso del silicio, basaremos en l la mayor parte de nuestro estudio. La fsica de otros semiconductores es, al menos bajo un punto de vista cualitativo, similar a la del silicio.
Tema 2 - 104
Diodos
CO
S: O D NI NTE
10. Conceptos bsicos sobre semiconductores 11. Fsica del diodo de unin
Tema 2 - 105
Diodos
10. CONCEPTOS BSICOS SOBRE SEMICONDUCTORES

10.1. tomo de silicio aislado. Modelo de Bhr
Ncleo con 14 protones y la mayor parte de la masa del tomo, con 14 electrones rodeando al ncleo en rbitas especficas agrupadas en capas. Capa ms interior (la de menor energa): 2 orbitales. Siguiente capa: 8 orbitales. Cada orbital puede tener como mximo un solo electrn. As, para un tomo de silicio en su estado de
a) b)
energa ms bajo, la capa ms interna contiene 2 electrones, la siguiente capa contiene 8, y los 4 que restan ocupan orbitales en la capa exterior, tambin llamada capa de valencia. Son estos electrones de valencia exteriores, los que proporcionan los portadores de carga en el estado slido del material.
a) Modelo completo. b) Representacin simplificada resaltando la zona de inters.

(zona sombreada figura 2 : representacin simplificada de zona sombreada figura 1)
Tema 2 - 106
Diodos
10.2. Silicio intrnseco
En un cristal de silicio intrnseco (puro), cada tomo se posiciona formando una retcula (red cristalina), con 4 tomos cercanos. Cada par de tomos cercanos forma un enlace covalente, consistente en 2 electrones que orbitan alrededor del par. Cada tomo aporta un electrn a cada uno de los cuatro enlaces con sus vecinos.
Tema 2 - 107
Diodos
La energa trmica puede romper un enlace, creando un hueco y un electrn libre, pudiendo moverse ambos con libertad por todo el cristal.
Temperatura de cero absoluto: electrones en los menores estados de energa disponibles todos los electrones de valencia forman parte de enlaces covalentes, y no son libres de moverse por el cristal. Silicio = AISLANTE ELCTRICO. Temperatura ambiente (300 K):
algunos electrones alcanzan la suficiente energa trmica como para liberarse de sus enlaces electrones libres. Si aplicamos tensin, fluir una corriente. Sin embargo, el n de electrones libres es relativamente pequeo comparado con el que encontramos en un buen conductor. Silicio = SEMICONDUCTOR.
Tema 2 - 108
Diodos
10.3. Conduccin por huecos

Los electrones libres no son la nica manera en la que la corriente fluye por el silicio intrnseco. Un electrn de un enlace cercano puede rellenar un enlace roto. Aunque son los electrones del enlace los que realmente se mueven, es mejor centrarnos en el vaco que dejan en los huecos. Podemos imaginar un hueco como un portador de carga positiva que se mueve libremente por el cristal. Semiconductor intrnseco: (n huecos = n electrones libres):
ni: concentracin de electrones libres pi: concentracin de huecos
Cuando se aplica un campo elctrico al cristal, ambos tipos de portadores contribuirn al flujo de corriente
Tema 2 - 109
Diodos
10.4. Generacin y recombinacin

1. Generacin
Electrones libres y huecos: son generados por la energa trmica, que causa la ruptura de los enlaces covalentes a una velocidad que depende mucho de la temperatura. temperatura velocidad de generacin
2. Recombinacin
Cuando un electrn libre encuentra un hueco, se puede para producirse formar un una enlace recombinacin: el hueco y el electrn libre combinan covalente. concentracin huecos y electrones velocidad de recombinacin
A una temperatura determinada: velocidad de recombinacin = velocidad de generacin. Al temperatura: concentracin de portadores de carga mayor capacidad al material para conducir la corriente elctrica.
La conductividad de un semiconductor intrnseco aumenta con la temperatura.

Tema 2 - 110
Diodos
10.5. Material semiconductor tipo n

Aadir al cristal pequeas cantidades de las impurezas apropiadas, afecta de manera espectacular a la concentracin relativa de huecos y electrones SEMICONDUCTOR EXTRNSECO
Ejemplo: Si aadimos fsforo, que tiene 5 electrones de valencia, los tomos de fsforo se posicionan en la estructura cristalina y forman enlaces covalentes con sus cuatro vecinos. El quinto electrn de valencia slo est dbilmente unido al tomo de fsforo.
A temperaturas de trabajo normales, este electrn extra rompe su enlace con el tomo de impureza electrn libre.
Tema 2 - 111
Diodos
La carga positiva que equilibra al electrn libre est bloqueada en el ncleo inico del tomo de impureza.
Sin embargo, el tomo de impurezas no crea un hueco
Podemos aadiendo
crear al
electrones silicio
libres
impurezas
pentavalentes, llamadas DONANTES. Al material resultante, se le conoce como material de TIPO N. Estructura cristalina del silicio de tipo n
En un material de tipo n: Conduccin debida principalmente a los numerosos electrones libres. As, a los electrones libres se les llama PORTADORES MAYORITARIOS, mientras que a los huecos se les llama PORTADORES MINORITARIOS.
Tema 2 - 112
Diodos
Temperaturas de trabajo normales: Casi todos los tomos donantes aportan su quinto electrn Donantes ionizados Cada tomo donante ionizado tiene asociada una carga positiva. Carga neta en el material = cero. La carga positiva de los donantes ionizados (y huecos) se equilibra con la carga negativa de los electrones libres. Estructura cristalina del silicio de tipo n
Concentracin de electrones libres = suma de las concentraciones de huecos y donantes:
Tema 2 - 113
Diodos
10.6. Ley de accin de masas

No slo concentracin de electrones libres por la adicin de tomos donantes; la concentracin de huecos a su vez, porque la mayor concentracin de electrones hace ms probable la recombinacin. El producto de la concentracin de huecos por la concentracin de electrones libres es constante (para una temperatura dada). A esto se le llama LEY DE ACCIN DE MASAS
pi: concentracin huecos en el material intrnseco ni: concentracin electrones en el material intrnseco
Como la concentracin de huecos y electrones es igual en los materiales intrnsecos:
Tema 2 - 114
Diodos
Vida media de los portadores minoritarios

Los huecos se van generando continuamente a causa de la energa trmica. Cada hueco recorre el material hasta que se combina con un electrn libre. Vida media de los portadores minoritarios: parmetro importante en el comportamiento en conmutacin de los diodos y otros dispositivos semiconductores. Llamaremos p :vida media de los huecos en un material tipo n.
Tema 2 - 115
Diodos
10.7. Material semiconductor tipo p

Aadiendo al silicio puro una impureza trivalente, como el boro, se produce un material de tipo p.
Cada tomo de impureza ocupa una posicin en la retcula cristalina y forma enlaces covalentes con 3 tomos de silicio vecinos. El tomo de impureza no tiene el cuarto electrn que se necesita para completar el enlace con su cuarto vecino. A temperaturas de trabajo normales un electrn de un tomo de silicio cercano se puede desplazar para llenar el cuarto enlace de cada tomo de impureza Hueco que se mueve libremente por el cristal. El electrn se enlaza con el tomo de impureza ionizado
Tema 2 - 116
Diodos
Material de tipo p: La conduccin se debe mayoritariamente a los huecos Huecos : portadores mayoritarios Electrones: portadores minoritarios
Estructura cristalina del silicio de tipo p
Las impurezas de valencia tres se denominan ACEPTADORES, porque aceptan un electrn extra.
Tema 2 - 117
Diodos
Con cada tomo aceptador ionizado, se asocia una carga negativa: hay presentes cuatro electrones enlazados, pero slo hay la suficiente carga positiva en el ncleo inico como para equilibrar la carga de tres electrones.
Concentracin de carga neta del material = cero.
Estructura cristalina del silicio de tipo p
NA : concentracin de tomos aceptadores Carga negativa tomos aceptadores ionizados + Carga electrones libres = Carga positiva huecos
Tema 2 - 118
Diodos
10.8. Deriva
Portadores de carga: se mueven al azar en el cristal debido a la agitacin trmica. Sin Las colisiones con la retcula provocan que los portadores de carga cambien de direccin con frecuencia. ningn campo elctrico
aplicado, la velocidad media de los portadores de carga en cualquier direccin es cero.
La direccin del desplazamiento tras una colisin es aleatoria.
Tema 2 - 119
Diodos
Si se aplica un campo elctrico: Se ejerce fuerza en los portadores (huecos: mismo sentido que campo; para electrones: sentido opuesto). Entre colisin y colisin, los portadores de carga se aceleran en la direccin de la fuerza. Cuando los portadores chocan con la red, su direccin de desplazamiento vuelve a ser aleatoria. As, los portadores de carga no Velocidad media constante en la direccin de las fuerzas
continan acelerando
Tema 2 - 120
Diodos
DERIVA: Movimiento medio de los portadores de carga debido a la aplicacin de un campo elctrico.
Velocidad de deriva media: proporcional al vector de campo elctrico E.

(valores n p aproximados; los valores exactos dependen de las concentraciones de impurezas y de los defectos del cristal.)
a) Vector de velocidad de deriva de los electrones (Vn): n: movilidad de los electrones libres (Si a 300K: ~1500 cm2/(Vs))
Signo menos direccin velocidad de deriva contraria a la del campo elctrico.

Para un determinado E aplicado, los electrones se mueven unas tres veces ms rpido que los huecos en el silicio. Para circuitos digitales de gran velocidad y circuitos analgicos de alta frecuencia, los dispositivos en los que la conduccin se debe a los electrones son preferibles a aqullos en los que la conduccin Tema 2 - 121 se debe a los huecos.
b) Vector de velocidad de los huecos (Vp): p: movilidad de los huecos (Si a 300K: ~ 475 cm2/(Vs))
Diodos
10.9. Difusin
Veremos que existen varios mecanismos para crear una concentracin mayor de lo normal de huecos electrones en una regin concreta de un cristal semiconductor.
A causa de su velocidad trmica aleatoria, la concentracin de portadores de carga tiende a dispersarse con el tiempo. Esto provoca un flujo de corriente conocido como CORRIENTE DE DIFUSIN.
A menos que se contine produciendo un exceso de portadores en una regin concreta del cristal, la concentracin de portadores tiende a convertirse en uniforme, y cesa la corriente de difusin.
Tema 2 - 122
Diodos
11. FSICA DEL DIODO DE UNIN

11.1. La unin pn no polarizada
Unin pn: cristal de material semiconductor dopado para producir material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro.
Se pueden aadir impurezas al cristal a medida que va creciendo, o aadirlas ms tarde, ya sea por difusin de tomos de impureza en el cristal, ya sea por implantacin de iones. En la red cristalina, es importante que en la unin de la parte n con la parte p no haya ninguna interrupcin. Esto slo ser posible si la unin se construye como un solo cristal. Sin embargo, resulta instructivo imaginar la formacin de una unin pn juntando un cristal de tipo p y un cristal de tipo n.
Tema 2 - 123
Diodos
Antes de unir las dos mitades de la unin: Material n: alta concentracin de electrones libres, baja concentracin de huecos. Material p: condicin inversa. Inmediatamente despus de unir ambos materiales: elevado gradiente de concentracin de huecos y electrones a lo largo de toda la unin
Tema 2 - 124
Diodos
Los portadores de carga se difunden siempre que exista un gradiente de concentracin (a menos que algn tipo de fuerza se oponga a la difusin). Despus de formarse la unin: Huecos: se difunden del lado p al lado n. Electrones: en el sentido contrario.
carga negativa neta en el lado p

(estn saliendo huecos cargados positivamente y entrando electrones).
carga positiva en el lado n
Se crea un campo elctrico en el cristal que apunta del lado n al lado p. Campo: se opone a que contine la difusin, la cual pronto cesa por completo. (Despus de difundirse a travs de la unin, los portadores se convierten en minoritarios rapidez).
Tema 2 - 125
que
se
recombinan
con
Diodos
Se forma una ZONA DE CARGA ESPACIAL en la unin, que se extiende una corta distancia hacia ambos lados. Prcticamente, no existe ningn portador de carga libre en la zona de carga espacial: 1. Lado p zona de carga espacial: capa de cargas negativas enlazadas (carga asociada con los tomos aceptadores ionizados) ionizados . Algunos de los huecos que
equilibraban originalmente esta carga negativa, han cruzado al lado n y algunos se han combinado con electrones que cruzaron desde el lado n.
2.
Lado n zona de carga espacial: capa de cargas positivas enlazadas (carga positiva asociada con los tomos donantes ionizados). ionizados
Los tomos aceptadores se extienden por todo el material p, pero fuera de la zona de carga espacial, su carga negativa se equilibra con la carga positiva de los huecos. De igual forma, los tomos donantes se extienden por todo el material n y, fuera de zona de carga espacial, su carga positiva se equilibra por la carga negativa de los electrones libres.
Tema 2 - 126
Diodos
Concentracin de huecos
Carga y campo elctrico: confinados a la zona de carga espacial.
Concentracin de electrones libres
Cristal elctricamente neutro: la carga positiva lado n zona de carga espacial se equilibra con la carga negativa en el lado p.
Efecto principal del campo elctrico: evitar que contine la difusin de mayoritarios a travs de la unin. Ejemplo:
Un hueco del lado p que intente cruzar la unin, experimentar una fuerza que le empujar de vuelta al lado p. Se dice que existe una BARRERA DE POTENCIAL mayoritarios. Tema 2 - 127 electrosttico para los portadores
Diodos
Un electrn que cruza del lado n al lado p pierde energa en la zona de carga espacial a causa del campo elctrico. As, el electrn ve en la unin una barrera de potencial de aproximadamente 1eV (electrn voltio). De igual manera, los huecos del lado p tienen menos energa potencial que los huecos del lado n.
Tema 2 - 128
Diodos
Si no se aplica ninguna tensin externa a la unin: 2 corrientes iguales, pero opuestas, cruzan la unin, de manera que el flujo de corriente neta es cero.
Concentracin de huecos
1.
Corriente minoritaria (debida a minoritarios de ambos lados que entran en la zona de carga espacial): a) Los huecos del lado n que entran en la zona de carga
Concentracin de electrones libres
espacial se ven arrastrados por el campo elctrico hacia el lado p. b) Los electrones del lado p que entran en la zona de carga espacial se ven arrastrados hacia el lado n. Corriente que fluye del lado n al lado p. 2. Corriente mayoritaria (mayoritarios particularmente
energticos que pueden cruzar la zona de carga espacial en direccin opuesta al campo). Corriente que fluye desde el lado p al lado n.
Tema 2 - 129
Diodos
11.2. La unin pn en polarizacin inversa Una unin pn est polarizada en inversa si se aplica una fuente de tensin externa con la polaridad positiva aplicada al lado n respecto al lado p.
Tensin aplicada: ayuda al campo de la barrera de potencial en la zona de carga espacial Los mayoritarios se ven sujetos an ms firmemente a sus lados respectivos de la unin. Como los portadores mayoritarios se ven apartados de la unin, la zona de carga espacial se hace mayor.
Tema 2 - 130
Diodos
Aplicando una tensin superior a unas pocas dcimas de voltios: Corriente debida a mayoritarios 0. Slo los minoritarios contribuyen a la corriente. La corriente inversa es: Pequea (pocos minoritarios libres). Prcticamente independiente del valor de tensin inversa (limitada por n minoritarios) con temperatura ( temperatura concentracin de minoritarios, pues se generan termicamente).
Tema 2 - 131
Diodos
La corriente a travs de una unin pn se relaciona con la tensin aplicada mediante la ecuacin de Shockley:
En polarizacin inversa, vD es negativa, y si vD es lo suficientemente grande en magnitud, la ecuacin puede escribirse como iD = -Is.
iD
vD
Podemos identificar la corriente de saturacin Is como la corriente aportada por los portadores minoritarios al atravesar la unin.
Tema 2 - 132
Diodos
11.3. La unin pn en polarizacin directa

Si se aplica una tensin positiva al lado p respecto del lado n, la unin pn se polariza directamente. Polarizacin directa: se opone al campo de la zona de carga espacial, que se hace ms estrecha mientras el campo elctrico Barrera de potencial para mayoritarios, y fluye corriente elevada por la unin.
Prctica: existe barrera de potencial incluso con polarizacin directa. Si se aplicara suficiente polarizacin directa para reducir la barrera de potencial a cero, fluira una corriente excesivamente elevada y la unin se destruira por sobrecalentamiento.
Despus de atravesar la unin, los portadores se difunden alejndose de ella, hasta que se combinan con los portadores mayoritarios.
Ejemplo: Los electrones del lado n superan la barrera y cruzan al lado p, donde se convierten en portadores minoritarios. Estos electrones se difunden en el lado p, y al final se combinan con huecos.
Tema 2 - 133
Diodos
Concentraciones de electrones y huecos en funcin de la distancia en una unin con polarizacin directa
Concentracin de huecos (p): Ms alta en material tipo p, y decrece rpidamente al cruzar la zona de carga espacial Lado n: una densidad de huecos decreciente con la distancia, porque los huecos se combinan con electrones a medida que se difunden. Al alejarse de la unin en el lado n, la concentracin de huecos viene determinada por nivel de dopaje del donante.
Concentracin de electrones (n): anlogo

Tema 2 - 134
Diodos
Corriente que atraviesa la unin

Parte de la corriente que atraviesa la unin se debe a los huecos, y parte a los electrones. Se puede dividir la corriente en: Corriente de huecos y Corriente de electrones. Corriente total = suma de las 2. Al alejarse de la unin: Lado n concentracin huecos predomina corriente de electrones. Lado p concentracin electrones predomina corriente de huecos.
Diseador: Seleccionando apropiadamente los niveles de dopaje en los 2 lados de la unin puede controlar la parte de la corriente debida a electrones y huecos que atraviesa la unin:
Ejemplo: Si lado n muy dopado comparado con lado p corriente que cruza la unin mayoritariamente de electrones. Si lado p ms dopado Corriente unin predominantemente de huecos. (Esto cobrar importancia
en transistores bipolares).
Tema 2 - 135

Tema 2

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1. CARACTERSTICAS DEL DIODO

b) Curva caracterstica tensin-corriente:

REGIN DE POLARIZACIN INVERSA

REGIN DE POLARIZACIN DIRECTA

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1.1. Diodos de pequea seal

distribuido por varios fabricantes.

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Tener en cuenta los cambios de escala !!

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REGIN DE POLARIZACIN INVERSA

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1.2. Diodos zener

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2. ANLISIS DE LA RECTA DE CARGA

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

interseccin : PUNTO DE TRABAJO RECTA DE CARGA

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Ejercicio 6. Construccin de la lnea de carga en un circuito con diodo

RECTA DE CARGA para ejemplo b)

RECTA DE CARGA para ejemplo a)

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Ejercicio 7 (Propuesto para casa):

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3. EL MODELO DEL DIODO IDEAL

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3.1. Suposicin de estados para el anlisis de circuitos con diodos ideales

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Ejercicio 8. Analizar el circuito de la figura utilizando el modelo de diodo ideal.

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4.1. Circuito rectificador de media onda

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Rectificador de media onda con condensador de filtrado

la corriente fluye por el diodo en forma de pulsos que recargan el condensador.