UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

PRACTICA N 1 TEMA: Rectificacin Monofsica de media onda y RectificacinMonofsica de onda completa con puente de Graetz. OBJETIVOS Rectificar CA monofsica mediante un solo diodo y con cuatro diodos en configuracin Puente. Comprobar la teora y los clculos referentes a cada tipo de rectificacin. Simular los circuitos para verificar aun mejor sus resultados.

MATERIALES: Transformador 110/12 VCA. 1A. Cables de conexin con terminales tipo banana. Cable multipar. Sonda de interfaz para el osciloscopio. Project board. -1/2w 4 Diodos 1A-100v. O un puente de GRAETZ prefabricado 1A. Multmetro, osciloscopio.

MARCO TEORICO Un circuito rectificador convierte CA en CC pulsante, que luego puede filtrarse (alisarse) en corriente directa pura. Para rectificar, el circuito debe pasar corriente con el mnimo de resistencia en direccin hacia adelante y bloquear su flujo en direccin inversa. El diodo con sus caractersticas, es muy adecuado para la rectificacin. Es ms simple y econmico generar, transmitir y distribuir corriente alterna que corriente contina, por lo que las empresas de energa elctrica suministran potencia de CA. Sin embargo, muchas aplicaciones de la energa elctrica, tales como los circuitos electrnicos, los de carga de bateras, la operacin de motores elctricos, soldadura, electro plateado, procesos qumicos y otros, necesitan corriente directa (o continua). Por ello es necesario rectificar la energa de CA a voltajes de CC. La rectificacin puede ser de media onda u onda completa, la diferencia radica en la forma final de la onda continua pulsante obtenida por cada tipo de rectificacin. Seales Analgicas La seal analgica es aquella que presenta una variacin continua con el tiempo, es decir, que a una variacin suficientemente significativa del tiempo le corresponder una variacin igualmente significativa del valor de la seal (la seal es continua), s decir varia en forma proporcional.

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Semiconductores Es un elemento que funciona como un conductor o como un aislante dependiendo de algunos factores, como el campo elctrico o magntico, la radiacin, la presin o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Una aplicacin en la electrnica para este caso est en los Rectificadores (dispositivos de unin del tipo p-n): donde producen la unin de los semiconductores del tipo n y p, que forman una unin del tipo p-n; cundo ocurre esto los electrones se concentran en la unin del tipo n y los huecos en la unin p, este desequilibrio electrnico crea un voltaje mediante la unin. Tipos de semiconductores Se pueden clasificar en dos tipos: Semiconductores intrnsecos: poseen una conductividad elctrica fcilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta, pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Semiconductores extrnsecos: se forman al agregar a un semiconductor intrnseco sustancias dopantes o impurezas, su conductividad depender de la concentracin de esos tomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas habr dos tipos: Semiconductores de tipo N: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn ms en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos. Semiconductores de tipo P: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.

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Unin P-N En un semiconductor existe una unin P-N cuando existe una regin denominada unin metalrgica que separa una regin de semiconductor extrnseca de tipo P de una tipo N

Al extremo P, se lo denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona N, se le denomina ctodo, se lo representa por la letra K. Cuando no existe ninguna causa externa actuando sobre el diodo, se dice que el diodo esta en equilibrio. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo esta polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa. A esta unin se los conoce como diodos y como manifestamos se basan en la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. Polarizacin de un diodo Polarizacin directa El bloque PN en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin (Fig.). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Fig.

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Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente: 1. Electrones y huecos se dirigen a la unin. 2. En la unin se recombinan. Es decir, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de depleccin. La tensin aplicada se emplea en:

Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Polarizacin inversa Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Fig.). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Fig.

Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destruccin del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles). Osciloscopio Digital En la actualidad los osciloscopios analgicos estn siendo desplazados en gran medida por los osciloscopios digitales, entre otras razones por la facilidad de poder transferir las medidas a una computadora personal o pantalla LCD.

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Las caractersticas y procedimientos sealados para los osciloscopios analgicos son aplicables a los digitales. Sin embargo, en estos se tienen posibilidades adicionales, tales como el disparo anticipado (pre-triggering) para la visualizacin de eventos de corta duracin, o la memorizacin del oscilograma transfiriendo los datos a un PC. Esto permite comparar medidas realizadas en el mismo punto de un circuito o elemento. Existen asimismo equipos que combinan etapas analgicas y digitales. La principal caracterstica de un osciloscopio digital es la frecuencia de muestreo, la misma determinara el ancho de banda mximo que puede medir el instrumento, viene expresada generalmente en MS/s (millones de muestra por segundo). La mayora de los osciloscopios digitales en la actualidad estn basados en control por FPGA (del ingls Field Programmable Gate Array), el cual es el elemento controlador del conversor analgico a digital de alta velocidad del aparato y dems circuitera interna, como memoria, buffers, entre otros. Estos osciloscopios aaden prestaciones y facilidades al usuario imposibles de obtener con circuitera analgica, como los siguientes:

Medida automtica de valores de pico, mximos y mnimos de seal. Verdadero valor eficaz. Medida de flancos de la seal y otros intervalos. Captura de transitorios. Clculos avanzados, como la FFT para calcular el espectro de la seal. tambin sirve para medir seales de tensin.

Aplicacin del osciloscopio Su aplicacin est basada en lectura de seales en donde bsicamente se puede:

Determinar directamente el periodo y el voltaje de una seal. Determinar indirectamente la frecuencia de una seal. Determinar que parte de la seal es DC y cual AC. Localizar averas en un circuito. Medir la fase entre dos seales. Determinar que parte de la seal es ruido y como varia este en el tiempo.

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A: PROCEDIMIENTO. (MEDIA ONDA) 1A. Conectamos el primario del transformador a 120VCA de la red monofsicaexistente en el laboratorio; medimos el voltaje eficaz en el secundario deltransformador y con este valor de voltaje medido realizamos y detallamos los CALCULOS segn lo vimos en teora.

2A. Una vez realizados los clculos, procedemos a ARMAR el circuito de lafigura.

3A. Utilizar el osciloscopio para visualizar las ondas correspondientes: Graficar exactamente la forma de onda obtenida en el secundario del transformador, en el diodo y sobre la RC. En cada onda acotar los valores observados. (Tener en cuenta las escalas en tiempo y amplitud que se emplean en el osciloscopio).

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SECUNDARIO:

ESCALAS PARA LA MEDICIN EN EL SECUNDARIO: X: 5 ms Y: 10 V EN EL DIODO:

ESCALAS PARA LA MEDICIN EN EL SECUNDARIO: X: 5 ms Y: 5 V

SOBRE LA RC:

ESCALAS PARA LA MEDICIN EN RC: X: 5 ms Y: 5 V

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4A. MEDIR el Voltaje Medio sobre la RC (con un voltmetro CC en paralelo a RC) y la IRC (con un ampermetro CC en serie a la RC). VRC = 6.12 V IRC = 6.06 mA ANALISIS DE RESULTADOS Con los datos obtenidos en los puntos anteriores llenar el siguiente cuadro comparativo de resumen, analizar y explicar las diferencias en caso de haberlas. *(El periodo T y la frecuencia F, se obtendrn con relacin a la onda en RC, mida el periodo T en el grafico de RC y calcule F = 1/T). Resultados obtenidos en el CALCULO (punto 1A) Vef= 13.8 V Vp= 19.52 V Vmax= 18.92 V F = 60 Hz T = 16.66 ms (1/60 Hz) VRC =6.016 V IRC= 6.016 mA ID= 6.016 mA Resultados obtenidos en el LABORATORIO (punto 3A, 4A) Vef = 13.8 V Vp= 19.52 V Vmax= 18.92 V T = 16.66 ms F = 60 Hz VRC = 6.9 V IRC= 6.9 mA ID = 6.9 mA

Segn los resultados obtenidos en los diferentes puntos del procedimiento A se observa que VRC, IRC e ID varan; pero la razn ms opcional es por la medida que realiza nuestro multmetro que es un bsico y no muy completo, entonces sus lecturas tiene un valor significante de diferencia respecto a los multmetro efectivos, en cual esta diferencia podra ser por milsimas y no como este caso.

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B: PROCEDIMIENTO. (ONDA COMPLETA) 1B. Conectamos el primario del transformador a 120VCA de la red monofsica existente en el laboratorio; medimos el voltaje eficaz en el secundario del transformador y con este valor de voltaje medido realizamos y detallamos losCALCULOS segn lo vimos en teora.

2B. Una vez realizados los clculos, procedemos a ARMAR el circuito de lafigura.

3B. Utilizar el osciloscopio para visualizar las ondas correspondientes: Graficar exactamente la forma de onda obtenida en el secundario del transformador y sobre la RC. En cada onda acotar los valores observados. (Tener en cuenta las escalas en tiempo y amplitud que se emplean en el osciloscopio).

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SECUNDARIO:

ESCALAS PARA LA MEDICIN EN EL SECUNDARIO: X: 5 ms Y: 10 V

SOBRE LA RC:

ESCALAS PARA LA MEDICIN EN RC: X: 2.5 ms Y: 5 V 4B. MEDIR el Voltaje Medio sobre la RC (con un voltmetro CC en paralelo a RC)y la IRC (con un ampermetro CC en serie a la RC). VRC = 25 V IRC = 11.87 mA

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ANALISIS DE RESULTADOS Con los datos obtenidos en los puntos anteriores llenar el siguiente cuadro comparativo de resumen, analizar y explicar las diferencias en caso de haberlas. *(El periodo T y la frecuencia F, se obtendrn con relacin a la onda en RC, mida el T en el grafico de RC y calcule F = 1/T). Resultados obtenidos en el CALCULO (punto 1B) Vef =14 V Vp= 19.802 V Vmax= 18.602 V F = 120 Hz T = 8.33 ms VRC = 11.83 V IRC= 11.83 mA ID = 5.915 mA Resultados obtenidos en el LABORATORIO (punto 3B, 4B) Vef = 14 V Vp= 19.802 V Vmax= 18.602 V T = 8.33 ms F = 120 Hz VRC = 12.5 V IRC= 12.5 mA ID = 6.25 mA

Al igual que el procedimiento A para este se dira lo mismo que es, segn los resultados obtenidos en los diferentes puntos del procedimiento A se observa que VRC, IRC e ID varan; pero la razn ms opcional es por la medida que realiza nuestro multmetro que es un bsico y no muy completo, entonces sus lecturas tiene un valor significante de diferencia respecto a los multmetro efectivos, en cual esta diferencia podra ser por milsimas y no como este caso.

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CONCLUSIONES Podemos concluir que todos los objetivos planteados en esta prctica, se cumplieron con xito y no existi alguna dificultad para los mismos. Adems de cumplir con los objetivos, diramos que lo importante fue entender lo que se estaba queriendo y ms en la forma de la que se trataba hacer. Una experiencia de la prctica seria que tenemos que ir explorando los aparatos existentes en el laboratorio para poder manejarlos de acuerdo a cualquier tema que pueda ser planteado como practica y realizarla de una manera ms rpida y eficaz. Al centrarnos en el tema de rectificacin se ve que la razn es conseguir un Corriente Continua a partir de una Alterna, pero hay que especificar que esta CC no es como la CC de un acumulador sino el resultado de la rectificacin. BIBLIOGRAFIA Y DIRECCIONES ELECTRONICAS VERIFICABLES.
http://www.ecured.cu/index.php/Se%C3%B1ales_anal%C3%B3gicas_y_digitales http://www.ecured.cu/index.php/Semiconductores http://es.scribd.com/doc/8241535/Union-PN http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm http://es.wikipedia.org/wiki/Osciloscopio#Osciloscopio_digital http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Uso-del-osciloscopio.php

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ANEXO: Simulacin en EWB MULTISIM, con cada tipo de rectificacin * Procedimiento A Simulacin de media onda sobre RC

Voltaje sobre RC

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Intensidad sobre RC

* Procedimiento B Simulacin de onda completa sobre RC

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Voltaje sobre RC

Intensidad sobre RC

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