FOTODIODO Cuando el diodo absorbe fotones cuya energa es mayor que la del intervalo de energa, se generan pares electrn-hueco.

La ventaja que nos puede traer el dopado es la introduccin de impurezas que forman electrones o huecos que se aproximan a la banda de conduccin, es por eso que se necesita menos energa para excitar los estados agregados hasta la banda de conduccin.

Dependiendo de la energa de los fotones y de la naturaleza de los materiales se van a formar pares en diferentes profundidades. Los materiales InP poseen una alta eficiencia radiactiva, en este material se presenta un acto de absorcin de interbanda, este no termina con el fotn luminiscente, al contrario crea un nuevo portador minoritario y un nuevo fotn en una direccin aleatoria [1]. En la regin desierta no hay electrones electrones libres. El campo electroesttico principal exista dentro de la regin desierta y cualquier par electron-hueco tendera a separarse en direcciones opuestas, el cual es separado por la atraccin de la combinacin de la tensin en la regin desierta y la tensin de polarizacin inversa. Gracias a esto vemos que las polaridades de estas dos tensiones son del mismo sentido. Es decir, si se producen pares electron-hueco fuera de la zona desierta, hay una probabilidad de que halla una recombinacin en donde no se va observar una fotocorriente. Cuando se producen excitaciones mltiples simultneamente en la unin, se reduce fuertemente la respuesta de fotocorriente, debido a la recombinacin electrnhueco [2]. Con esto se puede decir que se necesita que la parte superior de la capa P sea delgada y la regin desierta efectiva sea ancha, para que al tener esto tengamos al mximo el rendimiento cuntico. La regin desierta puede ampliarse para as ir aumentando la polarizacin inversa del diodo. Gracias a

que se aumenta la polarizacin inversa se puede disminuir el tiempo que tardan los electrones y los huecos en alcanzar los extremos.

Las respuestas espectrales relativas. El corte, para una longitud de onda para el silicio es de una longitud de onda de 1,100 y de 1,800 nm y para el germanio es de 1,1 y 0,69 eV. Con esto se puede decir que cuanto sea mayor la longitud de onda, los fotones tienen menos energa y pueden pasar a travs del fotodiodo sin que sean absorbidos, para que as no se produzca un par electron-hueco. La respuesta cae para longitudes de alta energa es decir que sean de onda corta, al lado del pico de respuesta porque la radiacin ultravioleta de alta energa busca crear pares ms cerca de la parte superior de la superficie P, hasta en la regin P delgada, el par nunca difundirse a la regin desierta antes de recombinarse.

En la imagen anterior se observa que encontramos una capa intrnseca entre los extremos P y N. la regin desierta se extiende mas all del rea dopada, con esto obtenemos una regin desierta mas ancha con la estructura PIN. Cuando aumenta el ancho de la capa intrnseca se puede decir que hay un aumento de la separacin de las placas en un condensador; por lo tanto, la capacidad que tiene la unin disminuye, porque la capacidad varia inversamente con la separacin. es por eso que decimos que un diodo PIN es mas rpido que un diodo PN. Con la estructura ya descrita tiene menor ruido y corriente de oscuridad, con esto tenemos un rendimiento mayor a la longitud de onda ms larga.

Las caractersticas voltaje-corriente de un fotodiodo que se observan en la grafica anterior, son caractersticas de polarizacin inversa, que son invertidas segn las convencionales. Se puede decir que se observa la fotocorriente es dependiente de la tensin inversa en el que el dispositivo presenta una alta resistencia dinmica. De igual forma, a una polarizacin inversa constante, la fotocorriente de la salida es lineal. Por lo tanto en la grafica se observa que el dispositivo puede tambin operar sin polarizacin externa. La tensin en circuito abierto puede servir como una indicacin de la radiacin incidente. Con esto tenemos el modo de tensin, en el cual tenemos una polarizacin de corriente constante y tensin sensible a las variaciones de luz. El funcionamiento en el modo de corriente produce menos distorsin y falta de linealidad, variacin de polarizacin y muy sensible al ambiente.

El circuito equivalente de un fotodiodo. Observamos la fuente de seal y las fuentes de ruido no deseadas y de corriente de saturacin inversa, la cual le decimos corriente oscura. Los valores de corriente oscura determinan el lmite inferior de sensibilidad del dispositivo. En la grafica que se presenta a continuacin se puede apreciar la reduccin de la capacidad de la unin del diodo que pude obtenerse aumentando la polarizacin inversa.

La corriente del fotodiodo cuando su funcionamiento se encuentra en tensin constante , es igual a:

Esto nos permite observar que la corriente inducida vara slo con el rendimiento cuntico, siendo constantes las otras magnitudes. Algunas mediciones indican que la fuga de portador es difusivo en polarizacin directa y el tiempo de escape disminuye [2] El detector homodino equilibrado (HD) es una herramienta til en la ptica cuntica y procesamiento de informacin cuntica con las variables continuas, ya que pueden ser utilizados para medir cuadraturas de campo de un modo electromagntico. Estas mediciones proporcionan informacin para la reconstruccin completa de los estados cunticos en el dominio ptico (tomografa ptica de homodino) [4].

El diseo de HD para el dominio del tiempo cuntica tomografa se basa en cuatro criterios de actuacin principales: un ancho de banda) de altura y un perfil de amplificacin plana dentro de ese ancho de banda, b) la alta proporcin de la cuanta de ruido medido en el ruido electrnico, c) el modo comn de alta relacin de rechazo (CMRR), d) la eficiencia cuntica de los fotodiodos [4]. Para obtener una tensin proporcional a la irradiancia incidente, se puede utilizar polarizacin inversa del diodo, y detectar o amplificar la tensin inducida por la luz (Ifoto R1). El nico inconveniente es que la polarizacin del diodo variar cuando vare el nivel de luz. Como se puede observar la polarizacin no es constante.

Para lograr una polarizacin inversa constante, se puede utilizar un amplificador operacional inversor con una alta impedancia de entrada y ruido y desplazamiento bajos. Dado que el amplificador posee impedancia de entrada infinita, la corriente de salida del diodo fluye en el elemento de realimentacin. Tambin la polarizacin del fotodiodo es prcticamente constante, esto permitir que la salida se invierta.

En el fotodiodo, la corriente de seal y la capacidad de la unin aumentan casi linealmente con el rea efectiva.

Durante su escape de la unin, los electrones y los huecos generados en el centro del dispositivo debe recorrer una distancia L con una velocidad de arrastre del campo elctrico; con esta velocidad es posible obtener una expresin para el tiempo de escape de electrones y los huecos de la unin:

Donde E=V/L el campo elctrico resultante de una tensin V aplicada en una distancia L. La tensin total aplicada es:

L es la mitad de la longitud del dispositivo ya que los electrones y los huecos se generan en el centro.

La movilidad en la regin intrnseca esta dada por:

Tambin es posible establecer el limite superior de la longitud de difusin de portadores, dado que:

Esta longitud de difusin es comparable a la longitud L regin intrnseca, lo que indica que el transporte se presenta en la frontera entre difusiva y balstica.

FOTODIODO DE AVALANCHA Es un foto diodo especial que trabaja en la regin de ruptura en avalancha para as obtener una amplificacin de corriente interna. La avalancha trabaja en la nano escala, y presenta el uso de nanocables semiconductores [3]. Cuando los electrones se encuentran separados se desplazan hacia la regin de avalancha en donde se observa que hay un campo electroesttico elevado hay una velocidad muy elevado. Como resultado, los fotones individuales pueden ser detectados con eficacia [3].Cuando los electrones que se encuentran acelerados se recombinan o se chocan hay una posibilidad de que se cree un nuevo par por ionizacin por impacto. El segundo par por lo tanto se separa y estos nuevos electrones repiten el todo el proceso. El proceso continua hasta que todos los portadores abandonan la regin de avalancha, con esto se forman un nmero considerable de portadores por la absorcin de un solo fotn.

Estos fotodiodos se fabrican con un rendimiento cuantico de 100 a 1 GHz. Presenta una respuesta espectral muy similar a la de los fotodiodos y fototransistores, son probablemente los ms rpidos, los ms sensibles y los de banda ms ancha entre los fotodetectores disponibles. El fotodiodo de avalancha tambin tiene sus desventajas; entre ellas est que la ganancia es sensible a la temperatura; microplasma o pequeas zonas de ruptura; el ruido aumenta ms rpidamente que la ganancia a la seal, y existen problemas de polarizacin debido ala dependencia de la ganancia. Es bien sabido que

fotodiodos de avalancha operados en el modo de Geiger por encima del voltaje de ruptura ofrecen una sensibilidad y precisin virtualmente infinito tiempo en el intervalo picosegundo que se puede utilizar para la deteccin de un fotn [5].

REFERENCIAS

[1] S. LURYI, ARSEN SUBASHIEV, Levy Flight of Holes in InP Semiconductor Scintillator [2] NATHANIEL. M. GABOR, Ultrafast photocurrent measurement of the escape time of electrons and holes from carbon nanotube PN junction photodiodes [3] GABRIELE Bulgarini, MICHAEL E. Reimer, Avalanche amplication of a single exciton in a semiconductor nanowire. [4] RANJEET Kumar, ERICK Barrios, ANDREW MacRae, E. Cairns, E. H. Huntington, A. I. Lvovsky Versatile Wideband Balanced Detector for Quantum Optical Homodyne Tomography. [5] E. Vilella, O. Alonso, J. Trenado, A. Vil, M. Vos, L. Garrido, A. Diguez, Geiger-Mode Avalanche Photodiodes in Particle Detection. [6] MICHAEL M. Cirovic, Electronica Fundamental: Dispositivos, Circuitos y Sistemas. [7] RAMON P. Areny, Sensores y Acondicionadores de seal.