DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LEOPOLDO PARRA REYNADA

RED TERCER MILENIO

AVISO LEGAL
Derechos Reservados 2012, por RED TERCER MILENIO S.C. Viveros de Ass 96, Col. Viveros de la Loma, Tlalnepantla, C.P. 54080, Estado de Mxico. Prohibida la reproduccin parcial o total por cualquier medio, sin la autorizacin por escrito del titular de los derechos. Datos para catalogacin bibliogrfica Leopoldo Parra Reynada Dispositivos electrnicos ISBN 978-607-733-186-5 Primera edicin: 2013 Revisin pedaggica: Germn Adolfo Seelbach Gonzlez Revisin editorial: Ma. Eugenia Buenda Lpez

DIRECTORIO

Brbara Jean Mair Rowberry Directora General Rafael Campos Hernndez Director Acadmico Corporativo Luis Carlos Rangel Galvn Director Corporativo de Mercadotecnia

Jess Andrs Carranza Castellanos Director Corporativo de Administracin Hctor Ral Gutirrez Zamora Ferreira Director Corporativo de Finanzas Ximena Montes Edgar Directora Corporativo de Expansin y Proyectos

NDICE
Introduccin Objetivo general de aprendizaje Mapa conceptual general 4 6 7

Unidad 1. Introduccin Mapa conceptual Introduccin 1.1 Antecedentes histricos 1.2 Aplicaciones 1.3 Conceptos bsicos 1.3.1 Seal elctrica 1.3.2 Transductor 1.3.3 Seal analgica 1.3.4 Seal digital 1.3.5 Acoplamiento 1.3.6 Amplificacin 1.3.7 Proceso de seal Autoevaluacin

8 9 10 11 15 17 17 18 18 19 20 21 21 23

Unidad 2. Concepto de fsica de semiconductores Mapa conceptual Introduccin 2.1 Modelos de bandas 2.2 Semiconductores intrnsecos y extrnsecos 2.3 Conduccin elctrica en semiconductores

26 27 28 30 34 38

2.4 Unin P-N y caractersticas asociadas: densidad de carga, campo elctrico, potencial electroesttico, capacitancia y relacin I-V 2.5 Unin PIN Autoevaluacin 40 46 48

Unidad 3. El diodo semiconductor y modelos Mapa conceptual

53 54

Introduccin 3.1 Diodo semiconductor 3.2 Modelos: ideal, exponencial, de seal grande y de seal pequea Autoevaluacin

55 56 63 70

Unidad 4. El transistor de efecto de campo (FET) Mapa conceptual Introduccin 4.1 Estructura, funcionamiento y curvas caractersticas de un FET 4.2 Modelos y polarizacin 4.3 El MOSFET como elemento de conmutacin 4.4 El amplificador bsico 4.5 Especificaciones de fabricante Autoevaluacin

73 74 75 78 82 86 90 92 97

Unidad 5. El transistor bipolar de juntura (TBJ) Mapa conceptual Introduccin 5.1 Estructura, funcionamiento y curvas caractersticas 5.2 Modelos y polarizacin 5.3 El TBJ como inversor y compuertas lgicas 5.4 El amplificador bsico 5.5 Especificaciones del fabricante Autoevaluacin

101 102 103 105 109 114 117 120 126

Unidad 6. El amplificador operacional Mapa conceptual Introduccin 6.1 Modelo ideal

130 131 134 134

6.2 Anlisis de circuitos lineales: inversor, no inversor, sumador, diferencial, integrador, derivador, convertidores de voltaje a corriente y corriente a voltaje 136

6.3 Anlisis de circuitos no lineales: el rectificador de precisin, comparadores y amplificadores logartmicos 148 2

Autoevaluacin

145

Unidad 7: Reguladores de voltaje Mapa conceptual Introduccin 7.1 El regulador de aire 7.2 Reguladores integrados y especificaciones del fabricante 7.3 Fuente de poder 7.3.1 Fuente regulada simple positiva 7.3.2 Fuente regulada simple negativa 7.3.3 Fuente mltiple 7.3.4 Fuente regulada variable 7.3.5 Fuente simtrica Autoevaluacin

160 161 162 164 166 176 180 181 181 182 183 186

Unidad 8: Otros dispositivos electrnicos Mapa conceptual Introduccin 8.1 Tubos al vaco 8.2 SCR, triac y diac 8.3 Dispositivos optoelectrnicos 8.3.1 Diodos emisores de luz o LED 8.3.2 Diodo lser 8.3.3 Fotodetectores 8.3.4 Optoacopladores Autoevaluacin

190 191 192 193 197 205 205 208 208 211 217

Glosario Bibliografa

221 225

INTRODUCCIN
Sera muy difcil imaginar qu sera del mundo actual si no existiera la tecnologa electrnica. No habra televisores para disfrutar de programas internacionales, ni radio para escuchar las noticias; para lograr la comunicacin con familiares o amigos, se usara un telfono convencional, el telgrafo o el correo normal; no habra

reproductores MP3 para escuchar msica; en fin, una gran parte del trabajo, del entretenimiento, de los medios etctera, de comunicacin, no

simplemente

existiran o seran remplazados por alternativas incmodas y poco accesibles. Resulta evidente entonces que la electrnica ha revolucionado al mundo, permitiendo la masificacin del entretenimiento, de la informacin, de las comunicaciones, etctera, incluso est invadiendo campos en los que hasta hace poco no se empleaban dispositivos electrnicos, como la iluminacin, el control de aparatos

electrodomsticos, el manejo de grandes cantidades etctera. Pero todo esto tuvo un inicio, y el edificio de la electrnica en general descansa sobre los cimientos de gran cantidad de aos de investigacin y desarrollo, que permitieron la elaboracin de diversos componentes y dispositivos bsicos, que constituyen los ladrillos funcionales con los que est construido desde un reloj de cuarzo hasta la computadora ms avanzada. de voltaje y corriente,

A lo largo de este libro se distinguir que, en realidad, estos dispositivos son fciles de entender y de aplicar, y al concluir su lectura, se tendrn las bases para enfrentar el diseo y construccin de circuitos ms complejos y especializados.

OBJETIVO DE APRENDIZAJE GENERAL

Ofrecer una introduccin a los principios de la electrnica, a sus fundamentos ms importantes, a los dispositivos bsicos, a sus aplicaciones y a la manera de combinarlos para obtener el resultado esperado.

MAPA CONCEPTUAL

UNIDAD 1

INTRODUCCIN
OBJETIVO El estudiante conocer los fundamentos bsicos de la tecnologa electrnica, as como sus orgenes y principales ramas de aplicacin en la actualidad, adems de los diferentes conceptos principales de la tcnica, como una seal elctrica, un transductor, las diferencias entre seal analgica y digital, etctera.

TEMARIO 1.1 ANTECEDENTES HISTRICOS 1.2 APLICACIONES 1.3 CONCEPTOS BSICOS 1.3.1 Seal elctrica 1.3.2 Transductor 1.3.3 Seal analgica 1.3.4 Seal digital 1.3.5 Acoplamiento 1.3.6 Amplificacin 1.3.7 Proceso de seal

MAPA CONCEPTUAL

INTRODUCCIN
Dice la sabidura popular: el viaje ms largo comienza por un primer paso; y este refrn puede aplicarse perfectamente al desarrollo de la tecnologa electrnica, que descansa sobre el trabajo de gran cantidad de investigadores que, cada uno por su lado, contribuy con su grano de arena para la edificacin de una tecnologa que ha revolucionado por completo la forma de trabajar, de descansar, as como de comunicacin, de diversin, etctera, de la mayora de las personas. Los inicios de la electrnica fueron muy modestos, y seguramente nadie imagin que se convertira en la industria multimillonaria que es actualmente. Precisamente en esta primera unidad, se tratarn los primeros pasos en el desarrollo de la tecnologa electrnica, y cmo fue evolucionando hasta llegar a lo que se tiene en la actualidad. Adems, se tratarn algunos conceptos bsicos fundamentales para la correcta comprensin de los temas tratados en unidades posteriores, por lo que una lectura cuidadosa es importante para entender adecuadamente los conceptos que se describirn a lo largo del presente libro.

10

1.1 ANTECEDENTES HISTRICOS De manera estricta, y considerando el sentido amplio del trmino electrnica como la ciencia de la manipulacin de seales elctricas, se tiene que esta tecnologa es muy antigua. Se remonta a finales del siglo XIX, cuando apenas se encontr que el tomo no era tan indivisible como se haba pensado originalmente, y se fueron descubriendo sus tres partculas ms importantes; a saber, protones, neutrones y electrones. Estos ltimos llamaron la atencin de muchos investigadores, quienes intentaron aprovecharlos aplicaciones, considera el para diversas se

pero el que primer

artilugio

electrnico de la historia, es el tubo de Crookes, desarrollado en

William Crookes invent el que se considera el primer artilugio electrnico de la historia: el tubo que lleva su nombre. (Imgenes cortesa Museo de la Ciencia).

1895

por

el

cientfico

ingls

William Crookes. Este tubo es una especie muy primitiva de

cinescopio, y precisamente aprovecha los electrones para crear una imagen burda sobre una superficie recubierta de fsforo. Dos aos despus, el cientfico alemn Karl F. Braun desarroll el primer osciloscopio, adaptando un tubo de Crookes de modo que produjera un haz delgado de electrones, y colocando placas de deflexin horizontal y vertical, con lo que en la pantalla del tubo apareca un trazo equivalente a la seal elctrica que se estuviera estudiando. La aparicin de este aparato fue pieza clave para acelerar el desarrollo de la tecnologa electrnica, ya que por primera vez se tena una forma confiable de observar el comportamiento de ciertos fenmenos, a pesar de que ocurrieran a muy altas frecuencias. Sin embargo, tanto el tubo de Crookes como el osciloscopio aprovechan los electrones producidos por un electrodo, pero no los manipulan en sentido estricto. El primer dispositivo electrnico que s modifica el comportamiento de una seal elctrica aplicada, se produjo a raz de una investigacin completamente distinta, y en un principio, ni siquiera se apreci el potencial que tena.

11

En 1873, el investigador ingls Frederick Guthrie descubri que un electrodo caliente cargado positivamente, poda descargarse si se le acercaba una laminilla con polaridad negativa, pero no suceda lo mismo si la laminilla tena polaridad positiva. Esto demostr que la corriente slo fluye en una direccin; pero en ese momento no se encontr ninguna aplicacin prctica para el fenmeno. De forma

independiente, en la dcada de 1880, cuando Toms Alva Edison estaba haciendo

investigaciones para mejorar su bombilla, en uno de sus

El efecto Edison sirvi como base para la creacin del primer dispositivo electrnico: el diodo rectificador. (Imagen cortesa Fundacin Edison).

experimentos laminilla proximidad

coloc en

una la

metlica del

filamento

incandescente, y encontr que cuando se aplicaba un voltaje positivo al filamento y uno negativo a la laminilla, se estableca un flujo de corriente entre ambos elementos, pero si el voltaje se inverta no pasaba nada. Edison tampoco encontr aplicacin a este fenmeno, pero como buen comerciante que era, lo patent y se olvid de l. Aos ms tarde, en 1904, un grupo de investigadores de la compaa Marconi, comandado por John A. Fleming, rescat este principio para la elaboracin del que se considera el primer dispositivo electrnico de la historia: el diodo rectificador. Este dispositivo se cre con el

objetivo de servir como pieza fundamental en la recepcin y recuperacin de seales de radio en amplitud modulada, ya que su caracterstica de slo conducir en una direccin y no en la opuesta, lo haca ideal para recortar la seal de AM recibida, por lo que bastaba colocar un filtro a su salida, para recuperar la seal de audio transmitida. Esto permiti la fabricacin de receptores de radio ms precisos, lo que le dio un impulso muy importante a esta industria. 12
Diodo tradicional tpico de principios del siglo XX. (Foto: Museo de la electrnica).

Tambin, a principios de siglo, apareci el primer dispositivo

electrnico de estado slido: el diodo de cristal, desarrollado alrededor de 1906 con base en las investigaciones hechas por Karl F. Braun con cristales de un material denominado galena.
Radio de galena, muy popular durante el primer cuarto del siglo XX. (Foto: Museo de la radio).

Las radios de galena fueron muy populares en el primer cuarto del siglo XX, ya que no necesitaban fuente de

energa adicional para funcionar, recuperando la seal que llegaba a travs de las ondas de radio, y con su misma energa alimentaban un altavoz pequeo, normalmente en un audfono. Sin embargo, un problema al que se enfrentaban los productores de radio es que la seal que se reciba en las antenas era de muy baja intensidad, por lo que se requera con urgencia, alguna forma de aumentar su potencia. Los experimentos realizados con los diodos de vaco demostraron que, si se coloca una rejilla entre los electrodos del mismo, y en esta rejilla se aplica una seal de
Durante bastante tiempo, los triodos fueron los amplificadores de seal por excelencia. (Foto: Museo del tubo).

bajo nivel, a travs de los electrodos principales aparece la de este dispositivo seal, pero

misma

amplificada. As surgi el triodo, inventado por Lee DeForest en 1907,

Portada de la revista Electronics, donde se anuncia oficialmente el desarrollo del transistor. (Foto: revista
Electronics).

considerado

el

primer

amplificador electrnico y que es la base para una enorme cantidad de circuitos, que incluso en la

actualidad se siguen utilizando.

13

Durante la primera mitad del siglo XX, los tubos de vaco (diodo, triodo y dems variantes) dominaron la tecnologa electrnica, al grado que las primeras computadoras estaban formadas por cientos o miles de estos dispositivos; sin embargo, esto cambi radicalmente a partir de 1947, cuando tres cientficos que trabajaban en los laboratorios Bell, Bardeen, Shockley y Brattain, descubrieron el primer triodo de cristal, que despus recibira el nombre de transistor. A partir de ese momento, la tecnologa electrnica ha evolucionado a pasos agigantados, pasando de grandes y estorbosos tubos de vaco, a componentes semiconductores discretos, luego a los circuitos integrados, y finalmente a la situacin actual, donde existen chips que incluyen en su interior cientos de millones de transistores individuales, trabajando en conjunto para hacer ms cmoda la vida diaria, tanto en el trabajo como en el entretenimiento. En la actualidad, es difcil encontrar algn aparato o mecanismo que no utilice algn tipo de dispositivo electrnico; ya sea en labores de control, de rectificacin, en el encendido o apagado de seales, en el proceso de las mismas, etc., la electrnica est invadiendo todas las ramas de la tecnologa, como se describir a continuacin.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 1A
Responde las siguientes preguntas: a) Quin invent el que se considera el primer artilugio electrnico de la historia? b) En qu consiste el efecto Edison? c) Qu personaje invent el primer diodo rectificador? d) De qu material se hacan los primeros diodos de cristal para los receptores de radio? e) Quin invent el triodo? f) Cul fue la principal aplicacin de los triodos? g) Cules cientficos desarrollaron el primer transistor?

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1.2 APLICACIONES En la actualidad, la tecnologa electrnica es tan popular, que es difcil llegar a algn sitio en donde no se encuentren varios aparatos que la aprovechan ampliamente para su funcionamiento. A continuacin se muestran algunos ejemplos:

La electrnica est presente en prcticamente todos los aparatos que se utilizan de forma cotidiana, tanto para el trabajo como para el entretenimiento.

En el hogar, la electrnica est detrs de dispositivos tan simples como el reloj despertador, en una calculadora electrnica, en un receptor de radio, en el reproductor de discos compactos, en el equipo de sonido, en el televisor, en la computadora, en el telfono (ya sea fijo o mvil), incluso ya invadi aplicaciones que tradicionalmente se controlaban con elementos electromecnicos, como la lavadora de ropa, el refrigerador, la cafetera, los ventiladores y el aire acondicionado, etc. En realidad, resulta difcil encontrar algn sitio en el hogar donde no se apliquen circuitos electrnicos. En la oficina, las tradicionales mquinas de escribir han sido reemplazadas por computadoras e impresoras, las cuales tambin sirven para llevar la contabilidad, mantener comunicacin con los amigos a travs de correo electrnico o mensajera instantnea, compartir fotos y una amplia variedad de usos. Tambin se puede encontrar electrnica en el reloj 15

checador de la entrada hasta en las lmparas fluorescentes que iluminan el rea de trabajo. La calculadora, el interfono, el telfono sobre el escritorio, el horno de microondas, la copiadora, en fin, prcticamente todos los aparatos que se encuentran en una oficina moderna estn impulsados por circuitos electrnicos. Incluso al caminar por la calle, difcilmente se puede estar ajeno a la electrnica que nos

rodea. Los semforos, los

Desde una lamparita de LED hasta la computadora ms poderosa, requieren de componentes electrnicos para funcionar. (Fotos: IBM y Victorinox).

anuncios

luminosos de

las tiendas, las lmparas de iluminacin urbana

que se encienden automticamente al atardecer y se apagan cuando amanece, los mltiples circuitos electrnicos que invaden los automviles modernos, los sistemas de control del transporte pblico, los cajeros de los bancos, las cajas registradoras de los comercios, las cmaras de seguridad, el reloj de la esquina, todo eso est controlado por circuitos electrnicos. Incluso, los aviones y aeronaves se controlan mediante circuitos

electrnicos; y los satlites artificiales, de los cuales dependen en gran parte las comodidades que tenemos, tampoco podran existir si no existiera esta tecnologa. Entonces, resulta obvio que la electrnica est por todos lados, interactuando de forma sutil o directa con las personas, y permitindoles realizar actividades que, de otra forma, seran mucho ms complejas, tardadas o costosas.

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ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE 1B
a) Realiza un inventario rpido de todos los artculos que utilicen circuitos electrnicos que tengas a tu alcance en este momento. No olvides incluir el telfono celular, el reloj de cuarzo, el reproductor MP3 y en general, cualquier objeto que use componentes electrnicos para funcionar. Te sorprender la cantidad de electrnica que tienes disponible cotidianamente sin darle mayor

importancia.
b) Repite lo anterior en la sala de tu casa, y trata de imaginar qu pasara si no contaras con todos esos aparatos electrnicos. c) Ahora imagina cmo sera el trabajo en una oficina sin equipo electrnico. El objetivo es que consideres la importancia que tiene la electrnica en el mundo moderno. 1.3 CONCEPTOS BSICOS Antes de comenzar con el estudio de los dispositivos electrnicos propiamente, es conveniente establecer ciertos conceptos bsicos, que se utilizarn desde este momento para explicar el comportamiento de estos elementos. Estos conceptos bsicos son de aplicacin general en el rea de la electrnica, as que es muy importante comprenderlos perfectamente, para que a su vez los conceptos derivados de ellos tambin queden lo ms definidos posible.

1.3.1 Seal elctrica As se denomina a un flujo de corriente elctrica o a la variacin de un voltaje, a travs del cual se est transmitiendo algn tipo de

informacin o parmetro. Esto significa que, por ejemplo, en una lnea de CA (corriente
La caracterstica principal de una seal elctrica, es que lleva aparejada cierta informacin relevante, misma que se desea aprovechar de una u otra forma.

alterna) comn como la que llega a los hogares, est circulando electricidad, pero no se

considera seal elctrica, porque no lleva una informacin aparejada; por el contrario, una seal de radio de 17

amplitud modulada s es una seal elctrica, ya que una vez que ha sido captada y procesada, puede recuperarse de ella la informacin de audio transmitida. Esto es lo que hace especiales a las seales elctricas: su capacidad de transportar cierta informacin en ellas; y de ah surge la necesidad darles un manejo especial para que la informacin viaje de un punto a otro, se almacene, se despliegue de alguna forma, etc.

1.3.2 Transductor Un transductor es un dispositivo capaz de tomar algn parmetro fsico en uno de sus extremos, y expedir como salida una seal elctrica que, de alguna forma u otra, representa al parmetro que se est monitoreando. Por ejemplo, dispositivo conductividad un termistor electrnico vara es un cuya

conforme

cambia la temperatura ambiente; una fotocelda capta la luz que incide sobre ella y produce a su salida un voltaje equivalente a la cantidad micrfono de luz recibida; los un

percibe

sutiles
Ejemplos de transductores: de luz, de sonido, de presin y de temperatura. (Banco de imgenes).

cambios en la presin de aire que provocan las ondas sonoras, y las transforma en una variacin

elctrica que represente fielmente a ese sonido; en resumen, un transductor sirve para captar el fenmeno que se desea medir, y producir a su salida una seal elctrica equivalente, misma que ya puede ser manejada como mejor convenga.

1.3.3 Seal analgica Una seal elctrica puede tomar varios aspectos, pero a grandes rasgos, se pueden dividir estas seales en dos grandes grupos: seales analgicas y seales digitales. Las seales analgicas se caracterizan porque siempre estn presentes (esto es, son continuas en el tiempo), y pueden tomar un nmero de valores infinito, dentro de sus rangos de operacin. Por ejemplo, 18

si se tiene un termistor monitoreando temperatura de la cierta

regin, su voltaje de salida siempre

Una caracterstica fundamental de una seal analgica es que es continua en el tiempo, y puede tomar cualquier valor dentro de su rango de operacin. (Foto: Superlux).

est

presente,

indicando la temperatura en ese preciso momento; no importa si se toma la lectura a cierta hora, o con algunos segundos o minutos de retraso, siempre habr un voltaje a su salida representando la temperatura detectada. Si se coloca un micrfono captando los sonidos del ambiente, tambin se tendr siempre una salida, que puede ser tan animada o tan aburrida como lo sea el sonido que capta el dispositivo, pero siempre habr una salida que observar. No slo eso, una seal anloga puede tomar cualquier valor dentro de su rango de operacin, incluyendo valores fraccionarios. Esto significa que una seal anloga es la representacin ms fiel del comportamiento de un fenmeno que se pueda tener.

1.3.4 Seal digital Debido a la popularidad del

procesamiento digital de seales, en la actualidad se prefiere transmitir,

almacenar, manejar y expedir una seal en forma digital y no en forma analgica. Una seal digital slo est presente en momentos muy precisos, y slo puede tomar un cierto nmero de valores, determinados por la resolucin (en bits) que se est manejando. Un ejemplo de esto es el audio grabado en un disco compacto, que se capt como una seal
En la actualidad, resulta ms conveniente manejar las seales en forma digital, lo que requiere un proceso de conversin.

analgica, pero despus se transform en una seal digital con una frecuencia de muestreo de poco ms de 40KHz, y una resolucin de 16 bits, 19

para as ser grabada en la superficie del disco. Esto significa que al momento de recuperar esta informacin, se captan los unos y ceros almacenados en el CD, se procesan, se reconstruye la seal digital primigenia, y a partir de ella se reproduce la seal anloga original, misma que se enva hacia el amplificador de audio y hacia las bocinas. Resulta indudable que en el proceso de transformar una seal de anloga a digital se pierde parte de la informacin original, pero esta prdida se compensa por la facilidad y precisin con que se puede almacenar y manejar una seal digital.

1.3.5 Acoplamiento As se llama a la forma como se transmite una seal elctrica de un punto a otro. En la mayora de los casos, se tienen acoplamientos de tipo elctrico directo, esto es, los

electrones de un circuito fluyen de forma directa hacia el circuito siguiente, a travs de conductores
Se llama acoplamiento al mtodo empleado para enviar una seal de un punto a otro, y aunque el ms comn es el elctrico, tambin existen acoples magnticos, luminosos, etctera. (Fotos: Toyo y Dow Corning).

colocados con ese fin; sin embargo, existen otros

tipos de acoplamiento muy empleados en tecnologa

electrnica, y se usan para garantizar la mejor transmisin de la informacin que se desee manejar; por ejemplo:

Acoplamiento magntico: cuando una seal elctrica se convierte en un flujo magntico, que a su vez induce una corriente elctrica en otra parte del circuito. Para ello se usan los transformadores de acoplamiento.

Acoplamiento ptico: una seal elctrica se convierte en un flujo luminoso, que es captado por un sensor especial, y vuelto a convertir en seal elctrica. Es el caso tpico de las transmisiones a travs de fibra ptica.

20

Acoplamiento piezoelctrico: una seal elctrica se convierte en una serie de vibraciones mecnicas inducidas en un cristal piezoelctrico, para que unas terminales en el otro extremo capten esas vibraciones y las conviertan nuevamente en seal elctrica. Es el principio de funcionamiento de los filtros cermicos, muy usados en prcticamente todas las aplicaciones que usen ondas de radio para transmitir informacin. Como estos ejemplos, hay algunos otros tipos de acoplamiento entre

circuitos que se describirn ms adelante conforme sea necesario.

1.3.6 Amplificacin Casi siempre, cuando se obtiene una seal elctrica de un transductor, sta resulta demasiado dbil como para aplicarse directamente a otros circuitos. Esto implica que uno de los primeros bloques que deber encontrar en su camino esta seal es un

amplificador, que como su nombre lo indica, toma a su entrada una seal con una magnitud muy dbil, y la
Un amplificador es capaz de tomar una seal con una magnitud muy dbil a su entrada, y expedirla como una seal fuerte y de la amplitud adecuada para su manejo posterior. (Foto: Superlux).

expide a su salida sin haber cambiado en absoluto su

forma, pero aumentando su voltaje, su corriente, su

potencia o lo que sea necesario para su posterior manejo. La amplificacin de seales fue uno de los principales retos que se tuvieron en los inicios de la electrnica, y hasta la fecha sigue siendo una de las aplicaciones ms utilizadas en los mbitos ms diversos.

1.3.7 Proceso de seal Se ha mencionado bastante el trmino manejo de seal; pero qu significa este manejo? Una vez que se tiene una seal representando un fenmeno, por lo general es necesario modificarla de alguna forma para hacerla ms adecuada para lo que se requiera; por ejemplo, en el caso de 21

un micrfono, si se desea captar el audio del ambiente, y sabiendo que el odo

humano slo capta sonidos entre los 20 y los 20,000 Hz, sera conveniente aplicar un
Se denomina proceso de seal a todas las transformaciones que se aplican a una seal original, para que a partir de ella, se obtenga el resultado deseado.

filtrado a la seal resultante para eliminar cualquier

sonido por debajo de 20 y

por arriba de 20,000 Hz, ya que de todos modos casi nadie puede escucharlos. Cuando se recibe una seal de radio AM, se debe sintonizar por medio de un proceso de heterodinacin, luego se filtra para obtener slo la seal de la estacin deseada, se recorta la mitad de la seal y se aplican una serie de filtros paso-bajos, para finalmente recuperar la seal de audio transmitida. Pues bien, a todos estos pasos que hay desde la obtencin inicial de una seal elctrica y su aprovechamiento final, se denominan proceso de seal, y este proceso puede ser tan simple o tan complejo como lo amerite el caso en particular. Estos son los conceptos bsicos que se deben considerar al estudiar los dispositivos electrnicos; conviene tenerlos presentes, porque se mencionarn constantemente de aqu en adelante.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 1C
a) Cul es la principal caracterstica que distingue a una seal elctrica? b) Qu es un transductor y para qu sirve? c) Define una seal analgica: d) Define una seal digital: e) Por qu se acostumbra convertir una seal de analgica a digital? f) Qu es el acoplamiento de seales? g) Indica tres ejemplos de acoplamientos de seales: h) Por qu se necesita la amplificacin de seales? i) A qu se llama proceso de seal? 22

AUTOEVALUACIN
1. Cul fue el primer artilugio electrnico y quin lo invent?

2. Quin invent el primer dispositivo electrnico, y en qu efecto se bas?

3. Menciona el nombre

del primer dispositivo

de

amplificacin

electrnica, y quin fue su creador:

4. Quines inventaron el primer transistor?

5. Qu es una seal elctrica, y cul es su principal caracterstica?

6. Qu es un transductor?

7. Define una seal analgica y una seal digital:

8. Por qu en la actualidad se prefiere convertir las seales analgicas en seales digitales?

9. Qu es el acoplamiento de seal? Menciona dos ejemplos: 10. A qu se llama proceso de seal?

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RESPUESTAS
1. El tubo de Crookes, inventado por William Crookes.

2. John A. Fleming desarroll el diodo, basado en el efecto Edison.

3. El triodo, inventado por Lee DeForest.

4. Brattain, Bardeen y Shockley.

5. Es un flujo elctrico que lleva aparejado consigo cierta informacin necesaria para el usuario.

6. Es un dispositivo que transforma un fenmeno fsico en una seal elctrica.

7. Las seales analgicas estn presentes todo el tiempo y pueden tomar cualquier valor dentro de su rango de operacin, mientras que las seales digitales slo estn presentes en momentos especficos, y pueden tomar nicamente ciertos valores predeterminados,

dependiendo del nmero de bits empleado.

8. Porque el proceso digital de seales ha mostrado muchas ventajas sobre el proceso anlogo de las mismas.

9. Es el mtodo que se usa para transmitir una seal de un circuito a otro. Existen acoplamientos elctricos, magnticos, pticos,

piezoelctricos, etc.

10. A toda transformacin que se aplica a una seal, desde su punto de entrada a un circuito hasta la obtencin del resultado deseado.

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RESPUESTAS A LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

Actividad de aprendizaje 1A: a) El cientfico ingls William Crookes. b) Si se coloca una laminilla metlica en la cercana de un filamento incandescente, y se aplica un voltaje negativo a esa laminilla, habr flujo de electrones entre el filamento y la laminilla, pero si se aplica un voltaje positivo, no existir flujo. c) John A. Fleming. d) De galena. e) Lee DeForest. f) Como amplificador electrnico de seales. g) Brattain, Bardeen y Shockley.

Actividad de aprendizaje 1C: a) Que lleva aparejada cierta informacin til para el usuario. b) Es un dispositivo que toma algn fenmeno fsico (temperatura, sonido, presin, etc.) y lo convierte en una seal elctrica a su salida. c) Es aquella que es continua en el tiempo y que puede tomar cualquier valor posible dentro de su rango de operacin. d) Es aquella que slo est presente en momentos muy especficos, y slo puede tomar cierto nmero predefinido de valores, dependiendo del nmero de bits empleado. e) Porque el proceso digital de seales ha demostrado ser ms efectivo, veloz, flexible y econmico que el procesamiento analgico. f) Es la transmisin de una seal de un circuito a otro, procurando siempre que esa seal se reciba de la mejor forma posible. g) Elctrico, magntico, luminoso, piezoelctrico, etc. h) Porque muchas veces, la seal original tiene una magnitud muy pequea, lo que implica que se necesita ampliar para poderla manejar adecuadamente. i) A todas las transformaciones que se aplican a una seal, desde su inicio hasta obtener el resultado final deseado.

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UNIDAD 2

CONCEPTO DE FSICA DE SEMICONDUCTORES

OBJETIVO El estudiante comprender el concepto de semiconductor y los principios fsicos que existen detrs de su comportamiento elctrico, analizando sus propiedades bsicas, la forma como conducen, y cmo se obtienen los semiconductores P y N, y as tener los cimientos necesarios para el posterior estudio de los principales dispositivos electrnicos.

TEMARIO 2.1 MODELOS DE BANDAS 2.2 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS 2.3 CONDUCCIN ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES 2.4 UNIN P-N
Y CARACTERSTICAS ASOCIADAS: DENSIDAD DE CARGA, CAMPO

ELCTRICO, POTENCIAL ELECTROESTTICO, CAPACITANCIA Y RELACIN I-V

2.5 UNIN PIN

26

MAPA CONCEPTUAL

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INTRODUCCIN
Antes de comenzar con el estudio detallado de los dispositivos electrnicos, es conveniente conocer el material del que estn hechos y sus peculiares propiedades elctricas, sin las cuales la electrnica tal y como se conoce no existira. Se trata de los materiales

semiconductores, que son pieza clave en el desarrollo de diodos, transistores, circuitos integrados y dems componentes que se utilizan
Los materiales semiconductores son pieza clave para el desarrollo de la tecnologa electrnica. (Foto: DHD galleries).

en

los

modernos

circuitos electrnicos. Qu son y cules son las propiedades de

los principales semiconductores, es lo que se describir en esta unidad. Por qu es importante estudiar el comportamiento de los semiconductores? Precisamente, porque es debido a las propiedades fsicas tan particulares que tienen estos materiales, que se pueden construir dispositivos diminutos que funcionen como interruptores de paso,

amplificadores,

rectificadores,

sensores, indicadores, etctera. Los dispositivos semiconductores marcan un cambio en el desarrollo de la electrnica, ya que antes de ellos prcticamente todo se tena que hacer con voluminosas, frgiles y poco

eficientes vlvulas de vaco o bulbos, lo que limitaba seriamente las

Antes del desarrollo de los dispositivos semiconductores, la electrnica se basaba casi en su totalidad en vlvulas de vaco o bulbos. (Foto: National).

aplicaciones en que podan utilizarse estos elementos. Con los dispositivos semiconductores, ahora esos bulbos

han sido sustituidos por pequesimos transistores o circuitos integrados, y

28

esto ha permitido que la electrnica invada prcticamente todas las actividades humanas, desde el trabajo ms complejo hasta el

entretenimiento. Para comprender de forma adecuada cmo es que los dispositivos electrnicos pueden hacer todo lo que realizan, es necesario profundizar en el mundo de las propiedades fsicas de la materia, entender cmo se lleva a cabo la conduccin elctrica, y qu es lo que hace tan especiales a los materiales conocidos como semiconductores.

29

2.1 MODELOS DE BANDAS Una de las propiedades fsicas intrnsecas de todo material, es su conductividad elctrica; y es bien sabido que bsicamente, los materiales se dividen en dos grandes grupos, dependiendo de su capacidad para transportar o no energa

elctrica. Se tienen as por un lado a los conductores, que son materiales capaces de transmitir sin problemas la corriente

elctrica con mnimas prdidas; y en el extremo opuesto estn los aislantes, cuya capacidad de
En un cable elctrico se combinan conductores y aislantes para transportar la electricidad de forma segura. (Foto: Sheng Hua Wire).

conducir electricidad es casi nula. Casi todos los materiales

en la naturaleza pueden clasificarse en uno u otro grupo, pero existen algunos cuyo comportamiento no est tan definido, as que resulta un poco difcil ubicarlos como un conductor o como un aislante. As est por ejemplo el carbono; desde que se comenzaron a hacer experimentos con la electricidad, se encontr que ciertas variedades de carbono, como el grafito, presentaban algunos comportamientos curiosos, como tener distinta conductividad elctrica dependiendo de en qu sentido circulara la corriente. Tiempo despus se encontr que el grafito en realidad est formado por una serie de capas superpuestas, y que la electricidad flua distinto si corra en el sentido de las capas o si trataba de pasar a travs de ellas. Por este comportamiento, se considera al carbono como el primer material de conductividad variable conocido, pero no fue el nico. A finales del siglo XIX se hicieron importantes descubrimientos en el rea de la electricidad, y entre ellos estn las investigaciones de W. Smith, que en 1873 descubri que la conductividad elctrica del silicio variaba si se le aplicaba una iluminacin intensa; esto significa que el material conduca mejor si estaba iluminado que si estaba a la sombra, lo cual result muy curioso si se compara con el resto de los metales, que conducen bien sin importar las condiciones de iluminacin.

30

Poco tiempo despus, en 1874, Karl Ferdinand cuando Braun ciertos con la

descubre metales algunos galena,

que hacen

contacto como de

materiales, conducan

forma

distinta si se polarizaban en un sentido o en otro; surgen as los primeros diodos de galena,

Las curiosas propiedades de la galena sirvieron para elaborar los primeros diodos rectificadores de cristal. (Foto: Fabre minerals).

usados extensivamente en los

primeros receptores de radio, y que se consideran por algunos el primer dispositivo semiconductor; sin embargo, en realidad aqu se estaban aprovechando algunas propiedades de la galena sin comprender muy bien qu estaba sucediendo, as que estrictamente, an no se llega al primer dispositivo semiconductor. Uno de los estudios ms importantes sobre estos materiales, lo realiz E. H. Hall en la dcada de 1930, cuando descubre que ciertos elementos, como el germanio y el silicio, tienen una cantidad muy baja de portadores elctricos, pero que eso poda modificarse cambiando

ligeramente las condiciones del material, por ejemplo, incrementando su temperatura externa. Esto origin diversos estudios sobre esos elementos, lo que finalmente result en el descubrimiento de sus propiedades

semiconductoras, y su aprovechamiento para el desarrollo de la electrnica. Por qu el germanio y el silicio se comportan como

semiconductores? En primer lugar, se debe mencionar que los materiales metlicos, que en su mayora son excelentes conductores, tienen algo en

El germanio y el silicio fueron los primeros elementos que demostraron propiedades semiconductoras. (Fotos: Wikimedia).

31

comn entre ellos: las rbitas de valencia de sus tomos tienen muy pocos electrones libres, lo que permite que un incremento en el potencial elctrico externo fcilmente haga que estos electrones comiencen a saltar de tomo en tomo, establecindose una corriente elctrica. Conviene recordar de los cursos de qumica que, para que un elemento se considere como estable, en su rbita de valencia debe tener 8 electrones; si se tienen unos cuantos (entre 1 y 2), estos electrones fcilmente pueden saltar al tomo colindante, y es esta propiedad de que sus electrones viajen fcilmente, lo que distingue a los buenos conductores elctricos. En el caso del germanio y el silicio, existe una situacin muy peculiar: cada uno tiene 4 electrones en su rbita de valencia, tendra en lo que que

tericamente convertirlos

aceptables

conductores elctricos; el problema es que ambos materiales de forma natural tratan de acomodarse en cristales, lo que significa que cada tomo se rodea de otros 4 iguales,
Al crear cristales, los tomos de silicio comparten sus electrones con los adyacentes, logrando una estructura muy estable.

y aparece un fenmeno interesante: los tomos colindantes comparten sus electrones de modo que, vindolos de forma instantnea, cada uno parece tener 8 electrones en su rbita de valencia, lo que le da una gran estabilidad a la estructura, evitando que los electrones salten de forma espontnea de un tomo a otro, e impidiendo casi por completo la circulacin de electricidad; sin embargo, bajo ciertas condiciones esto puede reducirse o eliminarse, haciendo que el material comience a conducir. Este fenmeno puede explicarse por medio del concepto de bandas de energa, segn el cual un material puede clasificarse dependiendo del nmero de electrones libres que tenga disponibles para el transporte de electricidad. Por ejemplo, los aislantes poseen muy escasos electrones libres, lo que hace que la circulacin de corriente elctrica a travs de ellos sea casi nula. Los semiconductores poseen una mayor cantidad de electrones libres, y esta cantidad puede variar por influencias externas, como aadir otros elementos, la presencia de luz o calor, etctera, esto quiere 32

decir que los semiconductores pueden funcionar como aislantes o como conductores, dependiendo de factores adicionales. Finalmente, los

conductores poseen una gran cantidad de electrones libres, lo que facilita la circulacin de corriente en ellos.

El concepto de bandas de energa permite reconocer a simple vista si un material es aislante, semiconductor o conductor. Los primeros poseen una banda prohibida muy amplia, en los segundos esta zona se ha reducido bastante, y en los conductores desaparece por completo.

Esta situacin puede representarse por medio de un grfico con tres bandas, como se muestra en la figura anexa: se tiene una banda de conduccin, una banda prohibida y una banda de valencia. Se puede observar que los aislantes tienen bandas de conduccin y de valencia reducidas, separadas por una muy amplia zona prohibida; esto significa que se necesitara una tensin muy alta para hacer que este material entrara en su modo de conduccin, as que para fines prcticos, impide el flujo de corriente elctrica. Los semiconductores, por su parte, poseen amplias bandas de conduccin y valencia, separadas por una zona prohibida muy reducida; esto implica que a estos materiales no se les dificulta saltar de modo conductor a modo aislante, dependiendo de distintos factores internos y/o externos. Si se habla de los materiales semiconductores ms conocidos, es decir, el germanio y el silicio, el primero tiene una banda prohibida de apenas 0.7eV, mientras que el segundo tiene una banda prohibida de 1.1eV, lo que significa que basta con aplicar cierto voltaje o reunir algunas caractersticas especiales, para que el material entre en estado de conduccin. 33

Finalmente, los conductores poseen bandas muy amplias de conduccin y valencia, tan grandes que se superponen entre s, eliminando la zona prohibida; esto significa que en un conductor no se necesita prcticamente de ningn esfuerzo para hacer que el material conduzca la electricidad. Este modelo de las bandas de energa, permite visualizar de forma rpida y directa si un material es aislante, conductor o semiconductor.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2A
a) Cul fue el primer elemento de conductividad variable conocido? b) Cul es el primer indicio sobre la semiconductividad del silicio? c) Cuntos electrones posee el silicio y el germanio en su rbita de valencia? d) Qu sucede cuando estos materiales forman cristales? e) Cules son las tres bandas de energa que maneja el modelo de bandas? f) De qu valor es la banda prohibida del silicio? y del germanio?

2.2 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS Sabiendo que el silicio es uno de los elementos ms comunes en el planeta, y que los investigadores que sentaron las bases para el desarrollo de la tecnologa elctrica y electrnica experimentaron con toda clase de materiales, incluso los ms exticos, cmo fue que las propiedades semiconductoras de este elemento no se descubrieron antes? Si bien

algunos fenmenos relacionados si fueron encontrados (como el hecho de que conduce mejor en presencia de luz que en su ausencia), la verdad es que el silicio metlico es un elemento difcil de localizar en la naturaleza, ya que normalmente est combinado con
A pesar de ser uno de los elementos ms abundantes en el planeta, el silicio normalmente est mezclado con otros elementos. (Foto: Pacific Agregates).

otros elementos para formar distintas sustancias, de las cuales la ms

34

abundante es la arena comn. Adems, las propiedades semiconductoras del silicio se manifiestan en plenitud cuando est en forma cristalina, pero incluso cuando el silicio se separa y se refina, normalmente forma micro-cristales que se mezclan entre s para crear una masa algo amorfa, donde no se
El silicio metlico normal (en lingotes) se comporta ligeramente distinto al silicio monocristalizado (en cilindros). (Foto: China
Rectifier).

manifiestan

al

100%

las

curiosas propiedades elctricas de este material. Fue hasta que se comenz a experimentar con

silicio fabricado artificialmente en forma de un cristal uniforme y continuo, que las caractersticas especiales de este elemento salieron a la luz. Entonces se concluye que existen dos tipos de semiconductores segn si se encuentran o no en forma natural: los semiconductores intrnsecos son materiales que por s mismos tienen propiedades semiconductoras. El silicio y el germanio son buenos ejemplos, aunque el efecto semiconductor no sea tan pronunciado debido al crecimiento desordenado de sus cristales en forma natural. Esto significa que en una barra de silicio o germanio puro, si se aplica un voltaje entre sus extremos, lo ms probable es que s circule una corriente elctrica, la cual depender de factores como la temperatura externa, si hay una fuente luminosa cerca, etctera. Por tanto, y en forma general, un semiconductor intrnseco es aquel material que, tal y como se encuentra en la naturaleza, puede comportarse como aislante o como conductor, dependiendo de las caractersticas de la prueba. Estos materiales por s mismos ya representan un gran avance en el manejo de la energa elctrica, pero su propia naturaleza poco predecible los hace no muy convenientes al tratar de construir dispositivos que presenten siempre el mismo comportamiento ante casi cualquier circunstancia. Es por ello que se desarrollaron los semiconductores extrnsecos, que son materiales a los cuales se les obliga a comportarse como semiconductores 35

por medios externos, el ms comn de ellos es la adicin de pequeas cantidades de impurezas de otros elementos.

Fragmento de la tabla peridica de los elementos. Se puede observar que tanto el silicio como el germanio poseen cuatro electrones en su rbita de valencia, mientras que el boro o el indio tienen tres, y el fsforo y el arsnico poseen cinco.

Por ejemplo, para fabricar los transistores y circuitos integrados modernos, se utilizan cristales de silicio de enorme pureza, al grado que se considera que los residuos no deseados en estos cristales equivaldran a menos de una cucharada de sal mezclada con un vagn de ferrocarril lleno de azcar; sin embargo, y como ya se mencion, el silicio cristalino no es un buen conductor elctrico, as que durante el proceso de fabricacin de los dispositivos electrnicos se aaden algunas impurezas de elementos como el arsnico o el boro, para que el material resultante se comporte de forma muy especfica. Si se consulta la tabla peridica de los elementos, se puede observar que el boro posee slo tres electrones valencia, en su rbita que de el

mientras

arsnico posee cinco electrones. Cuando se mezclan estos

tomos en la estructura cristalina del silicio, como se observa en el primer caso, queda un hueco que fcilmente puede atraer a un electrn adyacente, haciendo
Al aadir impurezas de boro a la estructura del silicio, queda un hueco en la rbita de valencia del primero, y se convierte en un portador elctrico positivo.

36

que circule corriente al momento en que ese hueco comienza a pasar de un tomo al contiguo conforme es atrado por algn campo elctrico externo. Debido a que este hueco implica la ausencia de un electrn, para fines prcticos se considera que es una carga positiva, y al silicio al que se la han aadido impurezas de boro se le conoce entonces como semiconductor tipo P. Por su parte, si ahora se aaden impurezas de arsnico, al tener ste cinco electrones en su rbita de valencia, esto significa que al entrar a la estructura cristalina del silicio, un electrn queda volando, y fcilmente se le puede hacer circular de tomo en tomo,
Al aadir impurezas de arsnico, ahora queda volando un electrn en la rbita de valencia, que se convierte en un portador elctrico negativo.

para

establecer

una

corriente elctrica. Debido a que en este material se

puede decir que hay un electrn que sobra, al silicio con impurezas de arsnico se le conoce como semiconductor tipo N, debido a la carga negativa de los electrones sobrantes. Este tipo de materiales que son diseados por el ser humano, no se encuentran de forma natural en el planeta, sino que son elaborados por medio de complejos procesos industriales; de ah su nombre de semiconductores extrnsecos, ya que sus propiedades semiconductoras han sido potenciadas debido a la intervencin humana. En la prctica, todos los dispositivos electrnicos estn elaborados con semiconductores extrnsecos, ya que la adicin de cantidades controladas de impurezas externas le da al silicio (o al germanio, u otras sustancias semiconductoras) propiedades muy particulares, que se aprovechan para la construccin de un simple diodo hasta el ms avanzado circuito integrado.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2B
a) Qu es un semiconductor intrnseco?

37

b) A qu se le llama semiconductor extrnseco? c) Cules son los semiconductores ms usados en la electrnica moderna? d) Qu elementos se utilizan regularmente como impurezas para fabricar semiconductores? e) Cul es la caracterstica que hace especiales a estos elementos?

2.3 CONDUCCIN ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES Ahora que se conoce la estructura de un cristal de silicio al que se le han aadido impurezas de otros elementos (a este proceso se le denomina dopado), ha llegado el momento de identificar cmo se establece una corriente elctrica dentro de un semiconductor de este tipo. En la figura anexa se muestra un cristal de silicio con una impureza de arsnico, lo que implica que se trata de un material tipo N. Es evidente que en el tomo de arsnico, uno de sus electrones no establece un enlace molecular con los tomos adyacentes, as que se puede considerar que se trata de un electrn libre, con poca atraccin a su tomo original, por lo que basta con un pequeo impulso externo para obligarlo a salir de esa posicin, y empezar a viajar a travs del material.

Al aplicar un voltaje externo a un material semiconductor tipo N, se establece una

Ese impulso externo generalmente aparece en forma de una diferencia de potencial (un voltaje externo aplicado), con lo cual el electrn es rechazado por el extremo negativo del voltaje y atrado por el positivo, con lo que comienza a saltar de tomo en tomo de la estructura cristalina, pero como en cada tomo que llega sigue teniendo el pap el de electrn 38

libre, es difcil que pueda mantenerse demasiado tiempo en una posicin, as que contina su viaje hasta alcanzar el extremo positivo del voltaje aplicado. Una vez que sucede esto, se podra pensar que el material se queda sin electrones libres y se tendra que convertir en un aislante, pero como la fuente de voltaje por lo general est inyectando ms electrones al material, entonces se establece un flujo constante de corriente, aunque la magnitud de ese flujo estar limitada por factores como el porcentaje de dopado, la temperatura del material, la iluminacin externa, etctera. Si el material es tipo P, esto es, un cristal de silicio con impurezas de boro, entonces se tiene lo que se muestra en la figura adyacente: es obvio aqu que en la posicin del tomo de boro se tiene una situacin no estable donde slo se tienen siete electrones en la rbita de valencia; y como ya se mencion, para lograr la estabilidad es necesario que hayan ocho electrones en esta rbita; esto significa que en este tomo existe un hueco en esa rbita.

Si se tiene un material tipo P, la situacin es similar, pero lo que circulan son los huecos, convertidos en portadores de carga positiva.

En condiciones normales, no habra circulacin de corriente, pero cuando se aplica un estmulo externo en forma de un voltaje, entonces el tomo de boro trata de robar un electrn a los tomos contiguos, para lograr la estabilidad en su rbita de valencia; pero este robo a su vez deja con siete electrones al tomo afectado, el cual tambin tratar de arrebatarle un electrn al que sigue, y as sucesivamente; establecindose una circulacin de huecos que viajan desde el extremo positivo hacia el negativo del voltaje aplicado. De ah la denominacin de material tipo N o material tipo P: en el tipo N, los portadores de electricidad son los 39

electrones negativos, mientras que en el tipo P los portadores son los huecos positivos. Se debe tener esto en cuenta, ya que resulta muy importante para comprender el principio de operacin de los dispositivos semiconductores.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2C
a) Menciona la caracterstica de los materiales semiconductores tipo N: b) Seala las caractersticas de los materiales semiconductores tipo P: c) Cmo se establece una corriente elctrica dentro de un semiconductor N? d) Cmo se denominan los portadores elctricos en un semiconductor tipo P?

2.4 UNIN

P-N Y CARACTERSTICAS ASOCIADAS: DENSIDAD DE CARGA, CAMPO

ELCTRICO, POTENCIAL ELECTROESTTICO, CAPACITANCIA Y RELACIN I-V

Si ya se tienen dos materiales semiconductores distintos, uno tipo P y otro tipo N, qu sucede si se juntan? Se forma lo que se conoce como una unin P-N, y esta zona donde hacen contacto ambos materiales posee caractersticas muy particulares, que se describirn enseguida.

Cuando se une un cristal P con un cristal N, en el punto de unin se crea, desde el material N, un flujo natural de electrones que tratan de llenar los huecos del material P,

En la figura anexa se presenta un diagrama simplificado de lo que sucede en una zona de unin P-N; es importante recordar que el material P tiene exceso de huecos o cargas positivas disponibles, mientras que el N 40

tiene un exceso de electrones o cargas negativas. En condiciones de reposo, y dado que un cristal con huecos trata naturalmente de atraer a electrones libres para cubrir esos huecos, algunos de los electrones del cristal N pasan al P, logrndose un equilibrio de potencial en esa zona de contacto, que recibe el nombre de zona de transicin, en la cual no habr portadores libres, y que para fines prcticos se comporta como una delgada capa aislante. Esta capa es tan amplia como lo sea el dopado de los materiales N y P (a mayor dopado, ms amplia ser la zona de transicin), pero llega un momento en que se alcanza el equilibrio y ya no existe ms traslado de cargas de un cristal al otro. Sin embargo, aqu se presenta un problema: esos huecos y electrones que viajaron hacia el material contiguo, dejaron en sus respectivos cristales ncleos con exceso o falta de protones (esto es, tomos ionizados), lo que significa que aparece una pequea diferencia de potencial (un voltaje) en esa zona de transicin. Este campo elctrico se opone a la difusin de los electrones y huecos en el material adyacente, y es lo que impide que todos los huecos libres del material P se vayan al cristal N y viceversa. Esto significa que en una unin P-N en reposo, se tiene una capa amplia de material P aun con sus portadores positivos intactos, luego aparece la capa de transicin neutra, que impide el viaje de nuevos electrones o huecos hacia el material adyacente, y finalmente se tiene una capa de material N con sus electrones libres listos para comenzar a transportar carga. Este equilibrio se consigue cuando el campo elctrico provocado por los tomos ionizados en los cristales, es suficiente para impedir el traslado de ms electrones o huecos de un cristal a otro; esto es, la densidad de carga en las zonas de contacto P y N se contraponen entre s, creando una zona de no conduccin.

41

Cuando se alcanza el punto de equilibrio, los electrones que viajaron hacia el cristal P dejaron iones positivos en el cristal N, y los tomos que aceptaron los electrones en P se convirtieron en iones negativos. Esto crea un campo elctrico que impide el flujo de ms electrones de N a P.

Qu sucede si se desea hacer circular una corriente a travs de la unin PN? Para lograrlo, es necesario eliminar la condicin de reposo y aplicar un estmulo externo que movilice a los portadores de carga internos, siendo generalmente este estmulo un voltaje aplicado entre los extremos P y N del material. Para lograr que los huecos del material P y los electrones del material N salten la zona de tran sicin, es necesario aplicar un voltaje mnimo, ligeramente superior al campo elctrico formado por los tomos ionizados de esa zona intermedia. Este voltaje vara dependiendo del material semiconductor empleado; por ejemplo, para el germanio es de aproximadamente 0.3 voltios, mientras que para el silicio es de alrededor de 0.7 voltios; mientras no se alcance ese voltaje entre los extremos P y N, el material no podr entrar en conduccin; y este voltaje no se puede aplicar en cualquier direccin, tiene que conectarse el extremo positivo de la fuente hacia el cristal P y el negativo hacia el N, ya que de lo contrario el material tampoco dejar fluir la corriente elctrica.

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Si se aplica un voltaje externo a la unin PN, con la polaridad mostrada en la figura, el potencial positivo empuja a los huecos hacia el cristal N, mientras el potencial negativo hace lo mismo con los electrones hacia el cristal P, eliminando la zona de transicin y estableciendo una corriente elctrica.

Cuando se aplica un voltaje de modo que el extremo positivo de la fuente vaya a P y el negativo a N, se produce el fenmeno ilustrado en la figura anexa: el potencial positivo de la fuente empuja a los huecos del material P hacia el material N, y el potencial negativo aplic ado a N empuja a los electrones hacia el material P; si el voltaje es suficiente como para romper el campo creado en la zona de transicin, se establecer un flujo de huecos desde P hacia N y un flujo de electrones de N hacia P, con lo que la corriente elctrica podr fluir desde el extremo positivo hacia el negativo de la fuente externa, establecindose un circuito elctrico. Qu ocurre si se invierte la polaridad del voltaje aplicado? En la figura anexa se muestra qu sucede si se aplica el extremo negativo de la fuente al cristal P y el positivo al N; los huecos del material P sern atrados por el potencial negativo de la fuente, y los electrones lo sern por el extremo positivo, pero una vez que los huecos y electrones se concentren en los extremos del cristal, ya no habr ms portadores en el resto del material para llevar carga de un extremo a otro, y la zona de transicin no conductora en la unin PN crecer de forma considerable. Esto significa que si se polariza en este sentido una unin PN, no existir circulacin de corriente dentro del material, ya que todos los portadores de carga se concentran en sus extremos y no fluyen de un lado a otro.

43

Si se polariza la unin PN en sentido contrario, el potencial positivo atrae a los electrones del cristal N, mientras el potencial negativo atrae a los huecos del material P, creando una zona de transicin muy amplia, y evitando la circulacin de corriente en el material.

Este comportamiento puede representarse en una grfica de voltaje aplicado contra corriente circulando (grfica I-V), la cual se muestra enseguida. Se tienen aqu las grficas ideal y real: se puede observar que en la ideal no importa el valor del voltaje negativo aplicado, la unin PN nunca conducir, mientras que basta que el voltaje sea ligeramente positivo, para que la unin entre en conduccin de forma ilimitada.

Curva ideal

Curva real

El comportamiento de una unin de semiconductores PN puede graficarse como se muestra: en el eje horizontal se tiene el voltaje aplicado, y en el vertical la corriente que circula por el dispositivo. El comportamiento ideal sera como se muestra a la izquierda, con cero conduccin para voltajes negativos, y conduccin infinita sin prdida de voltaje para polarizacin positiva. El comportamiento real se muestra a la derecha, con una conduccin mnima para polarizacin negativa hasta que se llega al voltaje de ruptura, cuando el dispositivo comienza a conducir; mientras que en el lado positivo se requiere de una pequea polarizacin para que la unin deje circular la corriente.

En la realidad, el comportamiento es ligeramente distinto: en la zona negativa, por lo general una unin PN s permite cierta circulacin de 44

corriente, pero es tan pequea, que para fines prcticos se considera despreciable; sin embargo, si el voltaje aplicado es demasiado alto, ocurre un fenmeno llamado avalancha, en el cual los portadores internos de la unin PN comienzan a circular rompiendo el potencial opuesto de la zona de transicin. Esto normalmente implicara la destruccin del material, aunque el fenmeno de avalancha tambin puede aprovecharse dopando

cuidadosamente los materiales P y N. En el extremo positivo del voltaje aplicado, se puede observar que la unin PN no comienza a conducir de inmediato, sino que es necesario aplicar un voltaje de polarizacin capaz de cancelar el campo elctrico intrnseco de la zona de transicin. Una vez alcanzado este voltaje, el material comienza a conducir, pero entre ms corriente conduce, mayor voltaje se necesita para mantener ese flujo. De este modo, se tienen un par de comportamientos muy peculiares de una unin PN: puede funcionar como un interruptor que slo deje pasar corriente cuando el voltaje aplicado sea en un cierto sentido, bloquendola cuando se polarice en sentido contrario; esto es, sirve para rectificar un voltaje a su entrada. Por otra parte, la imagen de un par de capas metlicas con carga elctrica, separadas por una zona aislante, recuerda de inmediato la estructura bsica de un condensador, y de hecho, las uniones PN tambin poseen una capacitancia intrnseca, la cual se puede aprovechar para ciertos dispositivos. Todo esto se detallar en la siguiente unidad al describir a los diodos.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2D
a) Qu sucede cuando se unen un material P y un material N? b) Cmo se le denomina a la zona de no conduccin entre ambos materiales? c) Qu es lo que impide que los electrones del material N sigan viajando hacia el material P? d) Qu ocurre si se aplica un voltaje positivo al cristal P y uno negativo al cristal N? e) Qu sucede cuando se invierte la polaridad?

45

f) Para qu sirve la grfica I-V?

2.5 UNIN PIN Es importante tambin mencionar un tipo de unin muy particular, que fue la que se utiliz cuando comenzaron a producirse los primeros dispositivos electrnicos semiconductores comerciales; se trata de la unin PIN, que son las siglas de P-intrnseco-N, y que significa que se tiene un material que posee una zona P en un extremo, una zona N en el opuesto, pero en su centro se tiene una delgada capa de material que no es ni P ni N, sino que es cristal sin dopaje o intrnseco (I). Este tipo de uniones fueron comunes al principio de la electrnica, ya que el proceso de fabricacin implicaba hacer delgadas lminas de silicio o germanio, y colocarlas en una cmara donde se aplicaba vapor de arsnico o boro para inducir las impurezas, pero esto provocaba que a veces se creara precisamente una estructura P-I-N, en lugar de una unin PN estricta. A continuacin se indican las caractersticas especiales de este tipo de unin. En la figura anexa se muestra: un material con una capa de cristal tipo P, una capa de

material sin dopar, y una capa de material N. En este caso, se produce un

Cuando se elabora un dispositivo con una capa de material N y otra de material P, divididas por una delgada capa de material intrnseco (I), se tiene lo que se conoce como unin PIN, la cual posee propiedades especiales.

fenmeno

similar

al

explicado en la unin PN, de huecos viajando hacia el material N y electrones

viajando hacia el P, pero en este caso, al tener una capa de cristal sin dopar entre ambos tipos de material, la zona de transicin se hace mucho ms amplia. Esto crea una concentracin de cargas elctricas en los extremos de la unin, la cual se encuentra en estado inestable, dispuesta a saltar ante cualquier estmulo externo. ste puede darse de distintas formas: un aumento en la temperatura o, de forma ms comn, una exposicin a una luz brillante. Cuando sucede 46

esto, los portadores internos de los materiales P y N se incrementan y tratan de alcanzarse uno al otro, pero al existir una zona de transicin tan amplia, no pueden viajar de forma directa a travs de la unin P-I-N; pero qu ocurre si se coloca un conductor externo entre los

materiales P y N?, suceder que los huecos de P tratarn de llegar a N a travs de ese conductor, lo mismo que los electrones de N tratarn de alcanzar a P. Esto significa que se establece una corriente elctrica entre ambos, producida por la excitacin que provoca la exposicin a la luz de la unin P-I-N; y este es precisamente el principio bsico de operacin de las fotoceldas. Este fenmeno tambin se aprovecha en algunos otros dispositivos electrnicos. De este modo, el estudio de los materiales semiconductores y su funcionamiento interno resulta fundamental para comprender cmo trabajan los distintos dispositivos electrnicos, lo cual se describir a partir de la siguiente unidad.
Las caractersticas tan especiales de la unin PIN permiten por ejemplo que se utilice como generador de voltaje a travs de la luz solar (fotocelda), entre otros usos.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2E
a) Qu significado tienen las siglas PIN? b) Por qu eran comunes estas estructuras en los primeros procesos de fabricacin de semiconductores? c) Qu sucede si se da una excitacin externa a una unin PIN? d) Por qu es necesario colocar un conductor externo entre los extremos P y N de esta estructura? e) Cmo se le llama al dispositivo semiconductor que convierte la luz en electricidad?

47

AUTOEVALUACIN
1. Por qu se le denominan semiconductores a los materiales base para la electrnica?

2. Cul fue el primer semiconductor descubierto?

3. Qu es el modelo de bandas de energa?

4. Cules son los elementos ms empleados en la electrnica moderna?

5. Menciona la diferencia entre un semiconductor intrnseco y uno extrnseco: 6. Menciona las caractersticas especiales de los materiales tipo P y tipo N:

7. Qu sucede cuando se une un material P con uno N?

8. Qu ocurre si se aplica un voltaje (+) en el extremo P y uno (-) en el extremo N?

9. Qu pasa si se invierte la polaridad?

10. Qu tiene de especial la unin PIN y para qu puede servir?

48

RESPUESTAS
1. Porque pueden comportarse como conductores o como aislantes, dependiendo de caractersticas internas y externas.

2. El silicio.

3. Es un modo de visualizar rpidamente si un material es aislante, semiconductor o conductor, trazando sus bandas de conduccin, prohibida y valencia.

4. El silicio y el germanio.

5. El intrnseco se encuentra en la naturaleza tal cual es, y el extrnseco requiere de manipulacin humana para potenciar sus propiedades semiconductoras.

6. En los materiales tipo N, por el elemento usado como dopaje se tienen algunos electrones libres, mientras que en el material P, por falta de electrones, se tienen huecos; ambos tipos de portadores son capaces de transportar corriente elctrica, si se dan las condiciones adecuadas.

7. Se establece un intercambio de electrones desde N hacia P hasta alcanzar una condicin de equilibrio.

8. El campo elctrico entre (x) y (-) obliga a los portadores dentro de los cristales a desplazarse, estableciendo una corriente elctrica.

9. El campo elctrico tiende a concentrar a los portadores de los cristales en sus extremos, impidiendo el flujo de corriente.

49

10. Que puede usarse para convertir alguna excitacin externa en energa, como en el caso de las fotoceldas.

50

RESPUESTAS A LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

Actividad de aprendizaje 2A: a) El carbono o grafito. b) Que conduce mejor cuando est iluminado que en la oscuridad. c) Cuatro electrones. d) Comparten sus electrones con los tomos adyacentes logrando estabilidad atmica. e) Banda de conduccin, banda prohibida y banda de valencia. f) Silicio: 1.1 eV; germanio: 0.7eV

Actividad de aprendizaje 2B: a) Es aquel que tiene propiedades semiconductoras tal y como se encuentra en la naturaleza. b) Son aquellos producidos de forma artificial, esto es, que necesitan de algn proceso industrial adicional para potenciar sus propiedades semiconductoras. c) Los semiconductores extrnsecos. d) Boro, indio, fsforo y arsnico. e) Los dos primeros slo tienen tres electrones en su rbita de valencia, y los dos segundos poseen cinco electrones

Actividad de aprendizaje 2C: a) Que debido a sus impurezas, poseen electrones algunos libres en sus rbitas de valencia. b) Que debido a sus impurezas, tienen huecos o electrones faltantes en sus rbitas de valencia. c) Los electrones libres comienzan a circular de un tomo al siguiente, impulsados por un voltaje externo. d) Los portadores positivos reciben el nombre de huecos, porque implican la ausencia de un electrn.

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Actividad de aprendizaje 2D: a) Los electrones libres de N comienzan a viajar a P, hasta lograr una condicin de equilibrio. b) Zona de transicin. c) El campo elctrico formado por los iones de los tomos que aceptaron o cedieron un electrn. d) El potencial positivo empuja los huecos de P hacia N, mientras que el potencial negativo empuja a los electrones de N hacia P, establecindose una corriente elctrica dentro del material. e) Los huecos de P son atrados por el potencial negativo, mientras que los electrones de N son atrados por el potencial positivo, concentrndose ambas cargas en los extremos, y creando una zona de no conduccin entre ambos cristales. f) Para ver de forma rpida el comportamiento de una unin P-N cuando se vara el voltaje aplicado entre sus extremos.

Actividad de aprendizaje 2E: a) Material P Material Intrnseco Material N b) Porque originalmente se aplicaban gases de boro y arsnico a delgadas laminillas de silicio o germanio, dopando ambas caras y quedando una ligera capa sin dopar al centro. c) Los huecos de P y los electrones de N tratan de alcanzar el material contrario, pero no pueden hacerlo por la presencia de la capa I. d) Para que los portadores de carga de P y N puedan alcanzar al cristal contrario. e) Fotocelda.

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