ElectroniqueAnalogique - 1 Prof EL ABBADI

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Pr. Jamal EL ABBADI

ECOLE MOHAMMADI A DINGENIEURS DEPT GENIE ELECTRIQUE SECTION ELECTRONIQUE ET TELECOMMUNI CATIONS Email:elabbadi@emi.ac.ma
Plan du cours
1. 2.
3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
Historique de llectronique Transistor bipolaire et Transistor effet de champ Fabrication des circuits intgrs Amplificateurs oprationnels Filtres actifs et filtres capacit commute Oscillateurs Boucle verrouillage de phase (PLL) Convertisseurs Analogiques Numriques Amplificateurs de puissance
Pr. Jamal EL ABBADI
Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009
Bref histoire de llectronique

1. 2.
3.
4.
5.
1895 : H.A. Lorentz postule lexistence de charges discrtes lmentaires lectrons Deux ans aprs 1897 : Braun a ralis le premier tube rayon cathodique (tube CRT) 1904 : Fleming a invent deux lments, la diode (valve) et triode utilisant l effet edisson 1906 : Pickard utilise un cristal silicium avec un fil press l intrieur , ralisant une premire diode demi conducteur Les premires utilisations des tubes vides taient la tlphonie et les radio communications
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1. 2. 3.
4. 5. 6. 7.
1912 : cration de lIRE (Institute of Radio Engineers) LAIEE (American Institute of Electrical Engineers) a t cre en 1884 Les deux associations deviennent en 1963 un seul organisme dite IEEE (Institute of Electrical and Electronic Engineers) Laire des semi-conducteurs a commenc avec linvention du transistor en 1948 Kilby (Texas Instruments) annonce le premier circuit intgr en convention avec L IRE en 1959 1961 : Ralisation du premier circuit intgr TTL numrique 1964 : Ralisation du premier circuit analogique (AOP)
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1. 2. 3.
1960: Bell Laboratories invente le transistor MOS 1970 : ralisation des RAM CMOS A partir des annes 1970: introduction des circuits intgrs base de transistors MOS volution de la densit dintgration
v v v v
4.
1960 : Small Scale Integration SSI (moins de 100 comp/chip) 1966 : Medium Scale Integration MSI (100 1000 Comp/Chip) 1969 : Large Scale Integration LSI (1000 10000 Comp/Chip) 1975 : Verry Large Scale Integration VLSI (plus de 10000 Comp/Chip)
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Chapitre 1
Transistor bipolaire et Transistor Effet de Champ
Transistor bipolaire
l
Un transistor bipolaire est constitu de trois zones de silicium alternativement dopes N et P, formant deux jonctions PN.
l l
soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP. soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.
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Symboles, tensions et courants
TRANSISTOR NPN
TRANSISTOR PNP
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Montages de base
l
Emetteur commun . L'entre est la base et la sortie le collecteur. Base commune . L'entre est l'metteur et la sortie le collecteur. Collecteur commun . L'entre est la base et la sortie l'metteur.
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Caractristique d'entre.
l l
La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation IB = f (VBE) @ V CE = cte. En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une diode. Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur metteur : on la donne en gnral pour une seule valeur de VCE.
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Caractristique de transfert.
l
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte. La caractristique de transfert est donc une droite; le transistor est un gnrateur de courant command par un courant. Le b du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100 500 pour des transistors de signal.
I C = I CEo + bI B
Courant de fuite
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Caractristique de sortie
l
La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation IC = f (VCE) @ IB = cte. En pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.
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Limites d'utilisation
l
Ce domaine sera limit par trois paramtres le courant collecteur maxi ICMax la tension de claquage VCEMax la puissance maxi que peut supporter le transistor
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Modes de fonctionnement
Les divers cas de fonctionnement du transistor dpendent des valeurs des tensions aux jonctions BE et BC. Si lon considre ltat bloqu et ltat passant de chaque jonction, on dnombre quatre modes de fonctionnement possibles : le transistor est bloqu lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse ; le transistor est en fonctionnement normal direct lorsque la jonction de commande BE est en polarisation directe et que la jonction BC est en polarisation inverse ;
le transistor est satur lorsque ses deux jonctions sont en polarisation directe. le transistor est en fonctionnement normal inverse lorsque la jonction de commande BE est en polarisation inverse et que la jonction BC est en polarisation directe ;
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Caractristique IC=f(IB)
On retrouve : - IC = 0 en fonctionnement bloqu - IC = IB en fonctionnement linaire - IC = ICsat en fonctionnement satur

Schma quivalent dynamique

l
En fait, ces signaux se dcomposent en deux parties : les tensions et courants continus de polarisation nots IBo, VBEo, ICo, et VCEo, et les petites variations alternatives autour du point de repos qui sont respectivement ib, vbe, i c, et v ce.
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Paramtres du transistor
h11e = vbe/ib @ vce = 0

h11e est la rsistance dynamique de la jonction base-metteur
h12e = vbe/vce @ ib = 0 , Paramtre ngligeable h21e = ic/ib @ vce = 0, gain en courant h21e = ic/vce @ ib = 0, Admittance du gnrateur de courant
Montages de base
l
Emetteur Commun
Polarisation par une rsistance Donnes: Ic0, Vce0, b
Polarisation par pont de rsistances Donnes: Ic0, Vce0, b, Ip, Veo

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Montages de base
Fonctionnement en petits signaux alternatifs
Gain en tension Impdance dentre Impdance de sortie

Montages de base
l
Collecteur Commun
Polarisation par pont de rsistances Donnes: Ic0, Vce0, b, Ip, Veo

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Montages de base
Fonctionnement en petits signaux alternatifs
Gain en tension Impdance dentre Impdance de sortie
Av =
Vs (b + 1)RE = Ve h11e + (b + 1)RE
Z e = (h11e + (b + 1)RE ) // R p
Z s = RE //
(R
// R p ) + h11e b +1
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TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
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Transistor effet de champ

l
La famille des transistors effet de champ (Field Effect Transistor en anglais, FET) sont des sources de courant commandes en tension. De mme qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET jonction (ou JFET) est dclin en deux versions : le canal N et le canal P. Le FET jonction canal N est constitu d'une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d'une couche de silicium P de manire former une jonction PN latrale par rapport au canal
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Transistor effet de champ

Type n+ Grille G Source S Canal Type P Drain D
Le courant circulera dans le canal, rentrant par une premire lectrode, le drain et sortant par une deuxime, la source . L'lectrode connecte la couche de silicium P sert commander la conduction du courant dans le canal ; on l'appelle la grille , par analogie avec l'lectrode du mme nom prsente sur les tubes vides. Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grillecanal polarise en inverse.
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Tension drain-source nulle

Modulation de conducti vit VDS = 0
RDS = r
a b(h - w)
w = k VGS
b est la largeur du canal et r sa rsistivit, La rsistance RDS varie donc avec la tension (inverse) applique sur la jonction grille-canal. A la limite, pour VGS = VP , appele tension de pincement, la zone de dpl tion ferme le canal.
Phnomne de pincement
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Tension drain-source non nulle

l l
Si on reprend le montage prcdent, et qu'en plus on applique une tension positive entre le drain et la source. En effet, on a la relation (attention, tous les termes sont ngatifs) :
VGD = VGS + VSD

En consquence, la zone isolante prsente une forme similaire
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Caractristiques de sortie et de transfert

La figure suivante reprsente les caractristiques de transfert IDS = f (VGS) gauche, et de sortie IDS = f (VDS , VGS) droite.
VP VP
VP
VP
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Carracteristiques
l
Si VGS = VP , dans tous les cas, quelle que soit la tension VDS , le courant dans le canal sera nul. En effet, une tension VDS non nulle ne fera que renforcer le phnomne de pincement. Le courant de drain deviendra d'autant plus vite constant que la tension |VGS | sera plus leve. Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle.
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Caractristique d'entre
l
Nous avons vu que le FET sera toujours utilis avec une polarisation grille-canal ngative, soit VGS < 0. La caractristique correspondante est donc celle d'un interrupteur ouvert: courant nul quelque soit la tension applique. En pratique, on aura un trs lger courant de fuite caractristique d'une jonction diode polarise en inverse. Ce courant double tous les 6C pour le silicium. A temprature ambiante, il sera infrieur au A, et plutt de l'ordre de quelques nA.
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l
La caractri stique de sortie peut tre dcompose en deux grandes zones :

l
la partie correspondant au fonctionnement courant constant (zone de pincement), et qui servira l'amplification de petits signaux de la mme manire que pour le transistor bipolaire la zone ohmique : dans cette zone, le FET est assimilable une rsistance dont la valeur est fonction de la tension VGS condition de rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines quelques centaines de mV), on peut considrer le FET comme une rsistance dont la valeur est pilote en tension.
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l
Ce rseau de courbes est born en bas (ID = 0, VGS = VP ), et en haut (ID = IDSS , VGS = 0). IDSS est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le composant. Cette valeur est de l'ordre de quelques mA quelques dizaines de mA pour les FETs courants. La tension de pincement VP est de l'ordre de quelques volts (typiquement de -2 -8V). La caractristique de transfert IDS = f (VGS) rsume bien les limites du FET : courant de drain nul pour une tension VGS gale la tension de pincement VP, et courant maxi IDSS pour une tension VGS nulle. La courbe est assez bien approxime par une parabole d'quation :
I DS
VGS = I DSS 1 - V P
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l
La drive de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor amplifier : en effet, pour un courant IDS donn, la drive (qu'on appelle judicieusement la pente du FET) va tre gale :
DI I g = DS = 2 DSS DVGS Vp
l
VGS 1 Vp
Cette pente est le rapport de la variation du paramtre de sortie (IDS ) et du paramtre d'entre (VGS ) ; elle est bien reprsentative de l'amplification d'un signal d'entre. La valeur maximum, atteinte pour VGS = 0, vaut :
gM = 2
I DSS Vp
VGS DI DS g= = g M 1 DVGS Vp
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Reprsentation
La flche reprsente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens du courant si la jonction tait passante. passante . Pour le FET canal N, le courant ID circulera dans le sens reprsent sur la figure, la tension VDS sera positive et la tension VGS ngative. Pour le FET canal P, la tension VDS sera ngative et la tension VGS positive. Le courant de drain circulera de la source vers le drain.
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Schma quivalent
l
Ce schma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant convenablement polaris.
FET canal N
L'entre se fait sur la grille. L'impdance grillegrille-source est trs leve, considre en premire approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les mmes lments que pour le transistor bipolaire : une source de courant (commande par la tension VGS , et non par un courant), et sa rsistance parallle et on la ngligera dans toutes les applications courantes.
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Modle Haute frquence

l
Connaissant les caractristiques essentielles du composant : IDSS, VP et l, la transconductance gm et la rsistance interne rDS sont donnes par :
I 2 gm = D =I DSSID0 VP VGS VDS =Cte V 1 + VDS0 rDS = DS = I D0 I D VGS =Cte

l
ID0 et VDS0 sont le courant du drain et la tension VDS de repos.

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Montage source commune

l
On veillera polariser le composant pour que la tension de repos VDSo ne soit pas trop faible, de manire ce qu'il fonctionne dans la zone gnrateur de courant .
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Fonctionnement en petits signaux

l
Schma quivalent
Ce schma est trs similaire celui de l'metteur commun du transistor bipolaire. La diffrence essentielle est que le gnrateur de courant est command par la tension VGS , et non pas par un courant ib .
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Gain en tension
l
En entre, on a :
Ve = VGS
En sortie, si on nglige r, dont la valeur est trs leve vis vis de RD , on a :
Vs = -g m R D VGS
l
On en tire aisment le gain en tension vide :
Av =
l
Vs - g mR D Ve
Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que g ne dpasse gure la dizaine de mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.
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Impdance d'entre et de sortie

Z e = RG
On veillera ne pas choisir une valeur trop leve tout de mme pour que la chute de tension occasionne par le courant de fuite de la grille soit ngligeable.
Z s = RD
Cette valeur est moyenne, RD valant typiquement quelques kW . On ne pourra gnralement pas utiliser ce montage sans un tage adaptateur d'impdance en aval.
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Le Transistor MOS FET

l
Les transistors MOSFET reprennent plusieurs caractristiques de FETs jonction : ils se dclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les lectrodes vont aussi s'appeler drain, source et grille, leur fonction tant la mme que pour les JFETs. La grille n'est pas directement relie au substrat P ; elle en est isole par l'intermdiaire d'une trs fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de silicium). Cette caractristique donne son nom au MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor . La grille est ainsi isole du substr at : le courant de grille sera nul en continu.
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MOSFET canal initial (Appauvrissement)
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Pour VGS est ngative, ce transistor fonctionne comme un JFET. Un courant pourra donc circuler entre D et S.
Si VGS est infrieure ou gale une tension VT, le condensateur form par la grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les lectrons de cette zone N. On obtient le phnomne de pincement. Ce mode de fonctionnement est appel appauvrissement.
Au contraire, pour VGS suprieure 0, la charge du condensateur favorise davantage le courant dans le canal, ID continue augmenter.

Caractristique de transfert
VGS I D = I DSS 1 - V T
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On retrouve les mme formes de caractristiques. A noter que pour VGS = 0, le transistor conduira un courant de valeur IDSS. Dans la zone de pincement : C W 2 I D = K (VGS - VT ) (1 + VDS ) avec K = OX 2 L
Schmas et symboles type N et P resp.
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MOSFET canal Induit (Enrichissement)
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Principe de fonctionnement
Si VGS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est compos de deux jonctions en srie, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
24
Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'lectrode de grille, l'isolant et le substrat P forment un condensateur Pour une tension VGS suffisamment leve (tension de seuil) Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le courant peut passer entre drain et source.
Caractristique de transfert
La transconductance du MOS, et est exprime en siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens (1 10 typiquement),
25

On distingue donc deux rgions sur les caractristiques de sortie ID = f(VDS) VGS constant : La zone ohmique et de coude pour VDS < VDSAT o :
2 ID = K 2 VGS - VT VDS - VDS
[(
]
]
avec K = COX W 2 L
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La zone de saturation du courant de drain ID pour VDS VDSAT o :
ID = K (VGS - VT ) (1 + VDS )
2

Symboles
MOS enrichissement type P et N resp.
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MOSFET Schma quivalent
g m = 2 KI D0 (1 + VDS0 ) K = n rds = C OX W 2 L 1 + VDS 0 I D0

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MOSFET rsistance variable

On utilise un transistor MOS normalement bloqu, la tension VGS=VDS, on relve la caractristique suivante, le transistor se comporte comme une rsistance variable.
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Amplificateur
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Amplificateur
AV = -
g mrdsR D R D + rds + R S (1 + g m rds )
ZS = rds (1 + g mR S )
Ze = R GG
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Amplificateur charge active
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Chapitre 3 Amplificateurs diffrentiels
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Amplificateur diffrentiel
Lamplificateur diffrentiel est un dispositif lectronique deux entres et deux sorties. Il est aliment par deux sources dalimentations de tensions opposes : +VCC et VEE (le plus souvent VCC = VEE). VCC
Ve1 Vd Ve2
Ampli Diffrentiel
-VEE
VSD V S1 VS2
Lorsque la diffrence VSD des deux sorties VS1 et VS2 est utilise, le montage est dit symtrique . Lorsquon exploite uniquement la sortieVS1 (ou VS2) le montage est dissymtrique . Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009 Pr. Jamal EL ABBADI
Gain diffrentiel
Le montage diffrentiel a pour fonction principale lamplification de la tension diffrentielle dentre VD. Il est caractris par son gain diffrence Ad dfini selon le type de la sortie (symtrique ou asymtrique) : Montage sortie asymtrique Montage sortie symtrique
Ad =
VS1 VS 1 = Vd Ve1 - Ve 2
A dS =
VSD VS1 - VS 2 = Vd Ve1 - Ve 2
VS 1 = Ad (Ve1 - Ve 2 )
VSD = VS 1 - VS2 = A dS (Ve1 - Ve 2 )
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Gain du mode commun
Cependant le montage est aussi sensible la somme des tensions continues dentres : (Ve1+Ve2). En effet, les entres Ve1 et Ve2 peuvent varier tout en conservant une diffrence constante. On parle alors de mode commun caractris par le gain de mode commun Ac tel que : On pose :
V +V Vc = e1 e 2 2
AC =
VS VC

Lexpression de la tension de sortie asymtrique (resp. symtrique) sera Ve1 + Ve2 alors
VS(S1 ) = A d Vd + A C VC = A d (Ve1 - Ve2 ) + A C
Terme diffrentiel Terme mode commun
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Thorme de superposition
Vc
Vc
Vs=Amc.Vc
+ =
Vd/2
-Vd/2
Vs=Ad.Vd
V1
V2
Vs=Ad.(V1-V2)+Amc.(V1+V2)/2
Le comportement du systme lorsque v1=v2=vc est appel comportement en mode commun, alors vd=v1-v2=0. Le comportement du systme lorsque v1=-v2=vd/2 est appel comportement en mode diffrentiel car alors v c=0.
31
Taux de Rejection du Mode Commun
Les tensions de sorties VS1 (ou VS2) seront proportionnelles la tension diffrentielle dentre Vd condition que le gain de mode commun AC soit trs faible vis--vis du gain diffrence Ad. Ainsi, on dfinit un coefficient de qualit du montage, le facteur de diffrentiation t ou Taux de Rjection du Mode Commun (TRMC) :
T.R.M.C = t =
Ad A MC
Ad T.R .M.C(dB ) = 20 log A = 20 log (A d ) - 20 log (A MC ) MC

Un amplificateur diffrentiel de bonne qualit doit donc possder un facteur T.R.M.C t > 80 dB. Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009 Pr. Jamal EL ABBADI
La sortie de lampli diffrentiel est donne par:
v +v vd = ve1 - ve 2 et vc = e1 e 2 2
Vs = Ad vd + Amc vc
avec
Ad >> et Amc @ 0
Do lutilisation dune quantit dite TRMC ou CMRR qui servira apprcier la qualit de lamplificateur
t = CMRR = Ad >> Amc

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1 vc Vs = Ad vd 1 + t v d
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Exemple de ralisation dampli diffrentiel
Vcc Rc vs1 vs2 ve1 ve2 Rc
I0
GND
r -VEE
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Si nous considrons le modle simplifi du transistor en petits signaux ci-dessous: Et on suppose dans un premier temps que r=
montage sortie flottante
alors, le schma quivalent du montage Ampli diff. en rgime dynamique est le suivant:
vs = - bRc (ib1 - ib 2 )
Rc bib1 h11 ve1 vs
Rc bib2 h11
En rgime de mode commun, ve1=ve2, on en dduit: ib1=ib2, il en rsulte :
vs = 0
ve2
=>
Ac = 0
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En rgime de mode diffrentiel, Ve1= - Ve2=Vd/2
ve1 - h11ib1 = ve 2 - h11ib 2

On en dduit:
=>
vd = ve1 - ve 2 = h11 (ib1 - ib 2 )

Ad = bRc h11
vs = vs1 - vs 2 = -
bRc vd h11
=>
montage rfrence co mmune

Nous allons maintenant tudier la tension de sortie prise entre un des collecteurs et la masse (Vs1 ou Vs2).
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Le gain diffrentiel simple:
Ads = -
bRc 2h11
impdance d'entre diffrentielle

On dfinit alors une impdance d'entre diffrentielle comme le quotient de la tension diffrentielle par le courant d'entre :
Ied AMPLI
Z ed =
vd I ed
+ Vd Zed
Dans le cas de l'amplificateur idal qui vient d'tre tudi, on obtient :
Z ed =
vd = 2h11 I ed
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34
impdance d'entre en mode commun
On dfinit alors une impdance d'entre en mode commun comme le quotient de la tension en mode commun par le courant d'entre : v
Zc =
Schma q uivalent ve1 vd ve2 Zd/2 Zd/2 Zc
Ic
VCC
ZS
AVv d+Acvc
VS
-VEE Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009
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Chapitre 4 Gnrateurs et Miroirs de courants
35
Gnrateur de courant
Une premire mthode consiste placer en srie avec un gnrateur de tension Eo une rsistance Ro la plus grande possible. L'ensemble est alors quivalent un gnrateur de courant Io = Eo/Ro et de rsistance interne R. On voit que le courant Io sera d'autant plus faible que la rsistance Ro sera plus grande. Pour un gnrateur de courant de trs bonne qualit, ce dispositif ncessiterait donc une tension Eo trs leve, difficilement compatible avec les tensions couramment utilises. Une deuxime mthode consiste utiliser un montage transistor : I
0
R
1
R3 I 0 + VBE = VD + R2
I0 =
D R
3
VEE - VD R1 + R2
R
2
VEE
1 R2 R1 VEE + VD - VBE R3 R1 + R2 R1 + R2
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Miroir de courant
Lun des principaux problmes de l amplificateur diffrentiel est la stabilit du courant de sortie, lun des circuits le plus utilis dans lintgration est le miroir de courant. Un miroir de courant est ralis par deux transistors ou plus apparis (mme b et mme vbe)
Vcc Ir Ic1 Q1 Ib1 Ib2 R
c
I b1 = I b 2 = I b
I0 Ic2 Q2
I r = bI b + I b1 + I b 2 = (b + 2)I b
I 0 = I c 2 = bI b
I0 =
b b Vcc - Vbe Ir = (b + 2 ) (b + 2) Rc
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Miroir de courant
I0 b = I r (b + 2 )
Pour des valeurs de b trs grand le rapport tend vers lunit, do le nom de miroir de courant, ou rpteur de courant. Exemple : b=50 Exemple : b=100
I0 b = = 0.96 I r (b + 2)
I0 b = = 0.98 I r (b + 2 )
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Rpteur de courant
Le rsultat prcdant est gnralis plusieurs transistors
Vcc Ir R
c
I1
I2
I3
I4
IN
Q1
Q2
Q3
Q4
Q
N
Si tous les transistors sont identiques raliss sur le mme substrat alors les courants I1, I2, I3IN sont tous gaux.
Ii b = I r (b + N + 1)
37
Source de courant WIDLAR

Vcc Ir Ic2 Q1 Ib2 Ib1 RE R
c
On montre que la rsistance RE est donne par

I0 Ic1 Q2
RE =
1 Ic 2 I r = Ic1 + Ib1 + Ib2 = Ic1 1 + +

Le courant Ic2/b peut tre nglig devant les autres termes du fait que le courant Ic2 est faible devant Ic1 Et pour b >>
I c2 ln 1 I c1 Ic 1 1 + UT
I r = I c1 =
Vcc - Vbe Rc
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Source de courant trois transistors

Vcc Ir R
c
Vcc I0 Ic2 Ir R
c
Ic2 Q2 I0 Ic
3
Ib2
Q2 Ib2
Ic Q1
1
Ib1 Ib3
Ic
3
Ic Q1
1
Q3
Ib1 Ib3
Q3
On montre que le courant I0 est gal
On montre que le courant I0 est gal
I0 =
b 2 + 2b Ir b 2 + 2b + 2
I0 =
b (b + 1) Ir b2 +b +2
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Ampli-diff avec source de courant
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Source de courant transistors MOS

Le mme principe est ralis avec des transistors MOS, on utilise deux ou plusieurs transistors Les deux transistors sont supposs identiques Vc possdants les paramtres gomtriques c Ir Rc Q
2
I0 Q1
W W = L Q1 L Q 2
=>
Vgs1 = Vgs 2
I0 = Ir
Vgs Vgs Vc
2 1 c
Dans le cas ou Q1 et Q2 ne sont pas identiques alors
Ir
I0 Q
2
W L Q1 k= W L Q2
Q1
et
I 0 = k .I r
Vgs Vgs
2 1
La rsistance Rc est gnralement remplace par un transistor PMOS (charge dynamique) afin de garantir la stabilit de Ir Pr. Jamal EL ABBADI
39
Additionneur de courants
Vcc Ir2
Vcc Ir1
I0=Ir1+Ir2
Q2
Q1
Q3
Q4
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Soustracteur de courants
Vcc Ir2 I0=Ir2-Ir1
Vcc Ir1
Q2
Q1
Q4
Q
3
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40
Exercice N1
R=25KW, b =150 Dterminer R pour avoir Io= 40mA
Exercice N2
Transistor PNP b =50, NPN b =150 Dterminer R
41
Exercice N3
Dterminer I0 en fonction de b VBE, R et Vcc Vcc= 15V, b =150 Dterminer R pour avoir I0= 300 mA
Chapitre 5 Amplificateur oprationnel
42
Amplificateur Oprationnel
L'amplificateur oprationnel est un circuit intgr analogique, c'est--dire un ensemble de transistors groups par fonction : le circuit d'entre, son alimentation, le circuit de sortie, son alimentation etc. Tous ces transistors sont gravs sur un mme morceau de silicium de quel ques millimtre carrs; du fait que l'on ne peut pas les sparer les uns des autres, les utiliser indpendamment l es uns des autres, on dit que c'est un circuit monolithique. L'anctre des ampli-op, le 709, est n en 1965. Au dbut de 1969, on introduisit le 741, modle protg, stabilis, plus simple utiliser et d'usage universel. Depuis, les ampli-op possdent des caractristiques qui s'approchent de celles du modle idal de ce composant.
Amplificateur Oprationnel Idal

Caractristiques
Amplificateur diffrentiel gain en tensi on infini Impdance dentre infinie Impdance de sortie nulle Largeur de bande infinie Les courants dentrs sur chaque entre sont nul s Vs=0 quand Ve1 = Ve2 quel que soit Ve1
Ve1 e Ve2 + Vs
Pr. Jamal EL ABBADI
43
Amplificateur Oprationnel Rel

Quoi que dans beaucoup dapplications lAmpli Op est suppos idal, il peut tre ncessai re de prendre en compte les paramtres de lAOR Caractristiques Impdance dentre diffrentielle leve (> 100 KW ) Impdance dentre en mode commun trs grande (> 50 MW ) Impdance de sortie faible (< 250 W ) Un gain en mode diffrentiel lev (de 104 106) Largeur de bande allant du continu qque MHz
Pr. Jamal EL ABBADI
tages dun Ampli Oprationnel

VC
C
Ampli diffrentiel
Gain Supplmentaire
Buffer Circuit de dcalage
tage de sortie
Gnrateurs de courant VEE
VCC + -VEE Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009
VCC et VEE sont les tensions dalimentation
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44
Exemple dAmpli-Op intgr mA 702

+Valim (1) (3)
V-
V+
Vs
-Valim
(2)
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Exemple dAmpli-Op intgr SN 741
Pr. Jamal EL ABBADI
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Exemple dAmpli-Op intgr SN 741
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Botier et Brochage du mA 741
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Paramtres dun ampli-op

Tension doffset
Thoriquement si ve=0 alors vs=0, pratiquement on na pas cette proprit. Tout se passe comme si une source tait lentre, cette tension rsiduelle est lie la des symtrie de lampli-op. Dans le cas gnral, le constructeur prconise un circuit extrieur pour compenser la tension en introduisant un dsquilibre ajustable entre les tages diffrentiels ed R1 R2
+
Vs =
Vs
R1 + R2 ed R1
Courant doffset
Les courants dentres sont faibles mais non nuls On montre que pour annuler la tension de sortie Vs, il faut utiliser une rsistance R3 quivalente R1 // R2
R2 ib1 ib2 R1 R3 +
R1 R2 R1 + R2
Vs
R3 =
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Paramtres d un ampli-op

Schma q uivalent
v-
rd/2 vc / t rd/2 R
r
s
v
s
v+
Ad(vd+vc/t )
Sur ce schma on fait figurer la rsistance diffrentielle d'entre scinde en deux moitis identiques avec leurs capacits parasites, la rsistance de mode commun et le courant de dcalage se traduisent par un gnrateur Vc/t et l'impdance "R" et la sortie est constitue d'un gnrateur es et d'une rsistance rs. Cette dernire est gnralement ngligeable
Pr. Jamal EL ABBADI
47

Slew Rate
Il est dfini comme tant:
Sr =
dv dt max
Il mesure la vitesse limite de balayage en tension a la sortie de lamplificateur Appliquons un signal dentre Ve(t), rectangulaire, damplitude 10V. vs Pour une frquence f=100 Hz, Vs est un signal carr, ve + identique Ve. ve Pour f= 10 kHz, VS1 a une forme trapzodale. Le passage de Vs=+10 V Vs=-10 V, ou linverse, dure 40. Pour f=16 kHz, le signal de sortie est carrment triangulaire! vs1 Pour tout A.O., la vitesse dvolution de la tension de sortie, est limite, la monte, comme la descente: - la monte, Sr1 - la descente,Sr2 Cette limitation ne dpend pas du montage ralis vs2 (intgrateur, ampli, ...). La plus faible des deux valeurs est note Sr, cest la vitesse limite de balayage (slewrate en anglais). Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009 Pr. Jamal EL ABBADI

Gain et bande passante
La bande passante de lA.O. seul est trs troite : quelques Hz seulement. Comme le produit GAINxBANDE-PASSANTE = CTE, lorsque lA.O. est en contre-raction et que le gain global est rduit, la bande passante est largie dautant!
Bruit
Il constitue une limitation lamplification diffrentielle de signaux de trs faibles amplitudes. Il est due lagitation thermique dans les rsistances, bruit de shottky dans les diodes et aux phnomnes de surfaces Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009 Pr. Jamal EL ABBADI
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Applications de lAmpli-Op
Systmes raction
Le principe de la contre raction est de prlever une partie du signal de sortie de lampli A Tension ou Courant est de la rinjecter dans lentre par lintermdiaire dun gain b. les gains A et b peuvent tre positifs ou ngatifs ou mme complexes en fonction de w. les dispositifs de lampli peuvent contenir 1 ou plusieurs tages. Ve
+
Ampli A
Vs
Boucle de raction
Si A gain de lampli en boucle ouverte Af gain de lampli en boucle ferme
Vs A = Af = Ve 1 bA
1 bA 1
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On dit quon a une raction ngative (contre raction) lorsque Dans le cas contraire on a une raction positive (oscillateurs) Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009
49
Avantages de la contre raction

Diminution de la drive du gain
Le gain de lampli peut driver de sa valeur nominale pour des raisons extrmes
dA f Af
dA dA -b A 1 + bA
La stabilit du gain avec C.R est donc amliorer dans le rapport
1 1 + bA
Rduction du bruit de distorsion

La tension de sortie dun ampli contient souvent des composantes indsirables (Bruit thermique), les distorsions du signal sont lis au non linarit des lments actis D Vi = Ve - bVs = Ve - b ( AVi + D ) Vi + + A + Ve Vs A D b Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009
Vs =
1 + bA
Ve -
1 + bA
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Avantages de la contre raction

Elargissement de la bande passante
On suppose quon a un ampli du 1er Ordre
A=
A0 f 1 + j f c
Af =
A A0 1 = 1 + bA 1 + bA0 1 + j( f f c (1 + bA0 ))
f c' = f c (1 + bA0 )
La bande passante est augmente proportionnellement aux termes de la CR Le dphasage f introduit par lampli nest pas fonction de la frquence
Pr. Jamal EL ABBADI
50
Applications de base de lAmpli-Op

Inverseur
I Z1 I + Z1//Z2 Z2
Ve = Z1 I
Vs = Z 2 I
Vs
Ve
Af =
Vs Z =- 2 Ve Z1
Non inverseur
Z1 // Z2 pour compenser le courant dentre
vr
-

+ Ve V
s
V Z Af = s = 1 + 2 Ve Z1
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Suiveur
R + Ve Vs R On utilise pour cette application un ampli avec une trs haute impdance dentre et une trs faible impdance de sortie. Cest le cas du LM 110 Re= 106 MW Rs = 0.75 W, R=10KW
Av=0.9997
R est utilise pour viter les oscillations C R I0 + Vs Pr. Jamal EL ABBADI
Vs = Ve
Convertisseur CourantCourant-Tension
VS = - RI 0
Pour viter les risques doscillations en HF, on utilise une capacit en // avec R. Limite inf de I0 est le courant de polarisation Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009
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Additionneur de signaux
R1 R2 R3 + R R' R V1 V2 V3 R1 R2 R3 + V
s
R V
s
V1 V2 V3
ai =
R Ri
i
Vs = - aiVi
R' R
i
bi = 1 +
Vs = biVi
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Amplificateur logarithmique
i i Ve R1 +
Ve = Ri
VD Vs i = I s exp = I exp s V V T T
V
s
i i Ve + R1 -
i Ve Vs = VT Ln I = VT Ln RI s s
Le problme des deux montage, la drive de Is en fonction de la temprature. Is double tout les 10C (Ge), 6C (Si) V Pour compenser leffet thermique, on utilise deux transistors apparis selon s le montage suivant: Pr. Jamal EL ABBADI
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Amplificateur logarithmique
Transistors Apparis Q1, Q2 Q2 2N 3680 VR=10V R2=20KW + + Ve On montre que : R5=20K W R3 500W
Ic1 R1=10K W
Ic2
v0 I c1 = exp - V Ic2 T
R4 R2 Ve Vs = -VT 1 + R Ln R V 3 1 R
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Amplificateur antianti-logarithmique
Le montage de base est obtenu en permutant la diode ou le transistor avec la rsistance R i i Ve + V
s
R1
Vs = - Ri
VD Ve i = I s exp - V = I s exp V T T
Ve Vs = - RI s exp V T
53
V R4=30K W
s
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Amplificateur antianti-logarithmique
VR=10V R2=20K W R4 Ve 29.5KW R3 500W 20KW + Transistors Apparis Q1, Q2 Q2 2N 3680
R1=10K W
1KW
10KW
Vs =
R4 Ve R1 VR exp - 1 + R R2 3 VT
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Circuit Multiplieur
Log V1 Log V2 R2 R R +
R1
Vs = KV1V2
Pour Raliser un diviseur de deux signaux, il suffit de remplacer ladditionneur par un soustracteur Cours Electronique Analogique / EMI / 2008-2009 Pr. Jamal EL ABBADI
54
+ + 47W Vs Exp Vs

Dtection sans seuil
La dtection se fait gnralement avec des diodes, inconvnients: seuil Vd=0.6V Solution utilisation dun Ampli-Op Vseui
l
V + Ve
s
V Ae
s
D conduit des que Ae < Vs + Vseuil Donc on dtecte les signaux avec un seuil de :
A=10 5,
Vseuil=0.6 V
Vseuil = 6 mV A
Vseuil A
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Redresseur double alternance de prcision
R R1 V
1
R D1 D2
+ R V
2
+ V
s
Ve
On montre que pour
Ve>0
Pour
Vs = Vs = -
R Ve R1 R Ve R1
Pr. Jamal EL ABBADI
Ve<0
55
Autres circuits linaires: Modulateur

Partie du MC 1596
I I
1
I
b
I
2
I
3
I
4
T T
1 2
T T
3 4
V
y
1 Vy 1 Vy I 2 = I5 I1 = I 5 + 2 - 4V 2 4V T T 1 Vy 1 Vy I 4 = I6 I3 = I 6 2 + 4V 2 4V T T 1 Vx 1 Vx I5 = I E I5 = I E + 2 - 4V 2 4V T T
I
5
I T
5 6
I a = I1 + I 3
T
6
Ib = I 2 + I 4
V
x
1 1 1 1 VxV y Ia = I E + VxVy I b = I E 2 8VT 2 8VT
I
E
Ia - Ib = IE
VxV y 4VT
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Applications du multiplieur
Division
R V
z
R
1
V
x
V
y
KVxV y R1
Vz R
Vy = -
R1 1 Vz R K Vx
Racine Carre
R Ve
R1
X
+ Vy
KV y2 R1
Ve R
V y2 = -
R1 1 Ve R K
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56

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

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Bref histoire de llectronique

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Bref histoire de llectronique

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Symboles, tensions et courants

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On retrouve : - IC = 0 en fonctionnement bloqu - IC = IB en fonctionnement linaire - IC = ICsat en fonctionnement satur

Schma quivalent dynamique

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h11e = vbe/ib @ vce = 0

Polarisation par une rsistance Donnes: Ic0, Vce0, b

Polarisation par pont de rsistances Donnes: Ic0, Vce0, b, Ip, Veo

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Gain en tension Impdance dentre Impdance de sortie

Polarisation par pont de rsistances Donnes: Ic0, Vce0, b, Ip, Veo

Gain en tension Impdance dentre Impdance de sortie

Vs (b + 1)RE = Ve h11e + (b + 1)RE

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TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

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Transistor effet de champ

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Transistor effet de champ

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Tension drain-source nulle

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Tension drain-source non nulle

VGD = VGS + VSD

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Caractristiques de sortie et de transfert

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Caractristiques de sortie et de transfert