Radio receptor A.M. sin Transfos F.

I Concepto de Inductancia
El campo magntico creado por una bobina depende linealmente de la corriente aplicada. Cuando se incrementa esta corriente, el flujo aumenta y viceversa, Como resultado, se genera entre los terminales de la bobina un voltaje que se opone a la variacin del flujo. La capacidad de una bobina, para oponerse a ese cambio, se denomina auto inductancia y es una caracterstica intrnseca del dispositivo. La inductancia se representa por el smbolo L y su unidad es Henry o Henrio.

Calculo de la inductancia
La inductancia de una bobina depende principalmente de sus caractersticas geomtricas, l numero de vueltas o espiras de alambre que constituyen el devanado y del material del n cleo sobre el cual se reali!a el arrollamiento de la misma. "ericamente, la inductancia de una bobina #elicoidal larga, de seccin transversal arbitraria y de espiras muy juntas, se puede evaluar a partir de la formula L $ /% %iendo & el 'rea de la seccin transversal, % la longitud a(ial de la #lice, ) el n mero de espiras del alambre y un par'metro propio del material situado en el interior de la #lice llamado permeabilidad. *ara el aire, $ $ +10 /m. *ara cualquier otro material $ , siendo la permeabilidad relativa del mismo. Los materiales ferromagnticos de los n cleos de las bobinas tienen siempre valores de muy superiores a ,. La tabla relaciona uno de los ejemplos tpicos.

Resonancia Paralelo
-n circuito paralelo constituido por una rama capacitiva en paralelo con una rama inductiva ofrece una impedancia.

& frecuencias muy bajas, la rama inductiva entrega una corriente en atraso mientras que la corriente en la rama capacitiva, adelanta con respecto a la de la tensin y es peque.a lo que resulta en una corriente total atrasada y de gran magnitud y una impedancia de circuito baja e inductiva. & frecuencias altas, la inductancia tiene una impedancia elevada en comparacin con la capacitiva, resultando una corriente total intensa y en adelanto y una impedancia de circuito baja y en adelanto. Entre estos dos e(tremos, e(iste una frecuencia para la cual la corriente de atraso que circula la rama inductiva y la corriente en adelanto que circula por la rama capacitiva son iguales, pero como est'n desfasadas ,/01 se neutrali!an, dejando nicamente una corriente resultante peque.a y en fase que circula por la lnea de alimentacin. La impedancia del circuito paralelo resulta muy elevada. El aumento de la resistencia de un circuito ac#ica y ensanc#a la cresta de la curva de impedancia sin alterar apreciablemente los lados, los cuales son relativamente independientes los cuales son relativamente independientes de la resistencia del circuito. La frecuencia de resonancia de un circuito paralelo puede ser considerada como la misma frecuencia para la cual el mismo circuito est' en resonancia serie, es decir2 3o $ , 4 5 LC en la que L y C son la inductancia y la capacidad del circuito respectivamente. Cuando el 6 del circuito es apreciablemente grande, las frecuencias correspondientes al m'(imo de impedancia del circuito y a un factor de potencia unidad coinciden, para todos los usos pr'cticos, con la frecuencia de resonancia definida en esta forma. %in embargo, cuando el 6 del circuito es bajo, no cumple esto, seg n se ver' continuacin.

Anlisis de la resonancia paralelo

E $ "ensin aplicada al circuito 7c $ 8c 9 : j 4 ;C < $ =mpedancia de la rama capacitiva 7l $ 8l > j;L $ =mpedancia de la rama inductiva 7s $ 7c > 7l $ =mpedancia serie del circuito 7 $ =mpedancia paralelo del circuito 8s $ 8c > 8l $ 8esistencia serie total del circuito ;. $ 5 veces la frecuencia ?o $ 5 veces la frecuencia de resonancia 6 $ @ ;L 4 8s $ 6 del circuito 6o $ Aalor del 6 a resonancia Las relaciones fundamentales de un circuito resonante paralelo se desarrollan en libros de introduccin a la teora de los circuitos de corriente alterna, t son,

=mpedancia paralelo $ 7 $ Corriente de lnea $E 4 7

7c 7l $ 7c 7l 7c > 7l 7s

Corriente en al rama inductiva $ E 4 7l $ E 4 : 8l > j;L< Corriente de la rama capacitiva $ E 4 7c $ E 8c 9 : j 4 ;C < Cuando el 6 del circuito es ra!onablemente elevado, como sucede en general, la e(presin e(acta de la ecuacin puede ser simplemente simplificada despreciando las componentes resistivas de las impedancias 7l y 7c en el numerador. Cuando se reali!a esto =mpedancia paralelo $ 7 $ : ?o L < 4 7s & resonancia 7s $ 8s, con lo que resulta =mpedancia paralelo a resonancia $ : ?oL < / 8s %e observara de la ecuacin que la impedancia de un circuito paralelo a resonancia es una resistencia 6 veces mayor que la impedancia de una de las ramas. En consecuencia puede decirse que la disposicin en derivacin de una rama inductiva y una capacitiva provoca un aumento de la impedancia que es 6 veces mayor que al que se obtendra en cualquiera de las ramas correspondientes. %e ve as que puede desarrollarse una impedancia muy alta con la resonancia paralela y esta es una de las propiedades m's importantes de la resonancia paralelo.

Curva de resonancia de circuitos paralelos

&l e(aminar la ecuacin se ve que, las condiciones en que se emplean estas formas apro(imadas de la impedancia, la impedancia paralelo es igual a una constante dividida por la resonancia serie del circuito. 8esto significa que la curva de resonancia de la impedancia paralelo de un circuito tiene e(actamente la misma forma que la curva de la intensidad de la corriente serie del mismo circuito, mientras que la ecuacin e(presa que la corriente de un circuito serie es una constante dividida por la impedancia serie. En consecuencia la curva de resonancia y las reglas practicas que se utili!aron para la estimacin de agude!a de resonancia de un circuito serie, tambin se

cumplen para el caso de la resonancia en paralelo. La nica diferencia es que los signos de la fase en este caso est'n invertidos, resultando en adelanto para frecuencias mayores que la de resonancia y en atraso para frecuencias menores a la de resonancia. El proceso correcto para calcular la impedancia de un circuito paralelo es el siguiente2 El primer paso consiste en determinar la frecuencia de resonancia y la impedancia de resonancia, utili!ando las ecuaciones correspondientes. Esto da una idea de resonancia y es suficiente para muc#os fines. El verdadero comportamiento depende no solo del 6 del circuito sino tambin de la distribucin de la resistencia entre la rama inductiva y la rama capacitiva como se muestra en el gr'fico.

Transistores de efecto de campo

Los transistores de efecto campo representan una categora importante y especiali!ada de dispositivos electrnicos. Estos dispositivos combinan muc#as de las ventajas de las v'lvulas de vaci, como el peque.o tama.o, bajo consumo de potencia, rigide! mec'nica y otras ventajas de los componentes de estado slido. *or ejemplo, estos transistores pueden dar caractersticas de transferencia cuadr'ticas especialmente adecuadas para amplificacin de se.ales m ltiples en amplificadores de 83 con muy bajo nivel de distorsin por nter modulacin.

Caractersticas
@La resistencia de entrada al 3E" es muc#o mas elevada que la de un transistor bipolar, ya que la nica corriente que circula por la puerta es inversa de fuga y del orden de nanoamperios. Cic#a resistencia suele ser de algunas decenas a centenares de megao#mios. @La ganancia de tensin de un 3E" es muc#o menor que la de un transistor bipolar, ya que las variaciones de Ags, para conseguir la m'(ima variacin de =d y, por lo tanto, de Ads #an de ser del orden de algunos vatios. @&l igual que los transistores bipolares, se pueden distinguir tres regiones de trabajo2 @%aturacin, que es la determinada por los valores de Ads comprendidos entre el origen y el correspondiente al codo de la caracterstica. &ctiva, que comprende la porcin #ori!ontal de la caracterstica Corte, determinada por los valores de Ags A:p<gs

@-n par'metro importante del 3E" es la llamada transconductancia y se define como2 g.m $ =d 4 Ags s Ads constante

La bobina
Las bobinas tambin llamadas inductancias o inductores, son componentes pasivos que almacenan energa elctrica en forma de campo magntico y responden linealmente a los cambios de corriente. *or lo tanto, en presencia de una corriente continua constante se comportan como cortocircuitos. En su forma m's simple, una bobina esta constituida por un alambre de cierta longitud enrollado en forma de #lice sobre un n cleo. &lgunas veces incluyen tambin un carrete aislante intermedio llamado formalleta que aloja el arrollamiento y lo separa elctricamente del n cleo.

La operacin de las bobinas se basa en un principio de la teora electromagntica, seg n el cual, cuando circula una corriente a travs de un alambre, este produce a su alrededor un campo magntico.

Ebserve que las lneas de fuer!a que representan el campo magntico son perpendiculares a la direccin del flujo de la corriente. %i doblamos en alg n punto el alambre para formar un bucle o espira, el campo magntico en esa parte del alambre se concentra dentro de la espira puesto que todas las lneas de fuer!a apuntan en la misma direccin y convergen #acia el centro.

*or lo tanto, si continuamos agregando espiras, formando una bobina propiamente dic#a, los campos magnticos creados por cada una se refor!aran mutuamente, configurando as un campo de mayor intensidad en el interior del sistema, El conjunto se comporta entonces como un electroim'n.

El campo magntico creado por una bobina de n cleo de aire como la anterior puede ser intensificado aumentando la corriente aplicada o llenando el espacio vaco dentro de la misma con un n cleo de material magntico, que concentre mejor las lneas de fuer!a. Etra es construyendo la bobina en m ltiples capas, es decir reali!ando un nuevo devanado encima del primer arrollamiento, uno encima del segundo, y as sucesivamente.

Amplificador Emisor Comn

Entendemos por amplificacin el #ec#o mediante el cual una variacin ocurrida a la entrada de un circuito, aparece ampliada a la salida. &plicando este concepto al transistor, si provocamos una variacin de la polari!acin de base, obtendremos una variacin muc#o mayor de la corriente de colector y, por tanto, de la tensin colector 9 emisor. Generalmente, empleando el transistor como amplificador, las variaciones de la polari!acin de base vienen provocadas por la aplicacin de una peque.a se.al de C.&. a la entrada, que se desea apare!ca a la salida aumentada de valor, siendo un fiel reflejo de la entrada. Llegado este punto es necesario definir nuevos conceptos2 -Entrada: Halla a la cual se aplica una se.al proveniente de una fuente para ser amplificada. -Salida: Circuito del cual se obtiene una se.al amplificada. -Distorsin: Ceformacin en la se.al de salida que entrega el generador de se.al para amplificar. -Tensin de Entrada: Aoltaje que entrega el generador de se.al para amplificar. -Corriente de Entrada: Corriente que absorbe el amplificador del generador.

-Impedancia de Entrada: 8esistencia que se observa en el generador al conectarlo a la entrada del amplificador. 7o $ Ao =o -Tensin de Salida: "ensin alterna que se manifiesta en e(tremos de la carga. -Corriente de salida2 Corriente alterna que circula por la carga. -Impedancia de salida2 8esistencia interna que presenta Ao si se emplea como generador para otro dispositivo. 7o $ Ao =o @Ganancia de tensin: E(presa la relacin entre las tensiones de salida y de entrada. &v $ Ao Ai -Ganancia de Corriente: E(presa la relacin entre las corrientes de salida y de entrada. &i $ =o =i

-Ganancia de Potencia2 Es el cociente entre la potencia absorbida por la carga y la absorbida por la entrada del amplificador. &p $ *o o bien &p $ AoJ =o *i

Ai J =i

Impedancia de entrada
Como la fuente de se.al entrega una Ai que se aplica al circuito paralelo formado por 8,, 85 y el transistor, debemos conocer por tanto la resistencia que presenta el transistor a dic#a fuente.

&l aplicarse Ai al circuito base 9 emisor, deberiamos estudiar este para saber que resistencia ofrece. *or lo tanto podriamos decir que2 8e $ Abe $ Abe =e ie Hasta aqu #emos obtenido la resistencia de emisor, se aprecia que el transistor solo absorbe del generador una corriente =b y, estableciendo la apro(imacin ie $ ic, tenemos que2 =b $ =e #fe con la impedancia de entrada al transistor cuantificada, la entrada del circuito ser' 7i $ 8,448544#fe re La impedancia de salida podra describirse como2 7o $ Ace =c

Deteccin de ondas moduladoras en amplitud:

La deteccin a veces tambin llamadas desmodulacin, es el proceso de recuperar la inteligencia transmitida en una onda de radio moduladora. En el caso de las ondas moduladas en amplitud, la deteccin se reali!a rectificando la onda, obtenindose as una corriente continuo pulsante que vario de amplitud en concordancia con la modulacin que lleva la inteligencia. Los detectores se los describe com nmente con e(presiones tales como de potencia, de se.ales dbiles, de la ley cuadr'tica y lineales. -n detector es el tipo de potencia o de se.ales dbiles seg n que se trate de rectificar uno tensin de radiofrecuencia grande o peque.o, siendo la amplitud de la portadora del orden de , volt lo que define la clasificacin de se.ales tuertes y dbiles. -n detector lineal desarrolla una tensin de slido rectificada proporcional a la amplitud de la tensin de entrado, mientras que un detector cuadr'tico desarrolla uva v de salida proporcional al cuadrado de la amplitud. Los rectificadores de se.ales dbiles son siempre del tipo cuadr'tico, mientras que los

detectores de potencia son generalmente, imprescindiblemente, rectificadores lineales.

aunque

no

Detectores a diodo poro ondas moduladas en amplitud

La deteccin de ondas moduladas en amplitud se reali!a ordinariamente por medio de un diodo rectificador operando como un detector lineal de potencia. -n circuito simple paro un detector o diodo de este tipo es el que se muestra en la figura, en la que C es un peque.o copacitor, 8 una resistencia relativamente alta y la combinacin 8C es la impedancia de carga a travs de la cual se desarrolla la salida til del diodo. Con esta disposicin, en cada ciclo positivo de la tensin de e(citacin de radiofrecuencia la capacidad C se carga #asta adquirir un potencial que difiere de la cresta de la tensin aplicada en uno peque.o magnitud debido a la cada de tensin que se produce en el diodo por la corriente de carga que circula o travs de la v'lvula. Entre las crestas, parte de lo cargo del capocitor C se pierde por circular a travs de la resistencia 8, y vuelve a ser reintegrada por uno carga apropiado que circulo durante la cresta del pr(imo ciclo de radiofrecuencia

Detectores a cristal
*uede reali!arse la rectificacin aprovec#ando la relacin no lineal que e(iste entre la tensiFn y la corriente en el punto de contacto de ciertas superficies cristalinas.

,0

-na unidad a cristal tpica para este fin se ilustro esquem'ticamente en la figuro. En ello un delgado alambre de tungsteno #ace un contacto de 'rea muy reducida sobre un cristal adecuado, tal como de silicio o de germanio y el conjunto se sello con cero o fin de darle cualidades mec'nicas slidas y #acerlo elctricamente estable. El cristal utili!ado en dic#o sistema pertenece o uno clase de materiales conocidos como semiconductores, los que se caracteri!an por poseer uno resistencia elctrica suficientemente alta como paro ser de un valor intermedio entre la de los metales y lo de los aisladores. Cuando se #ace contacto con un semiconductor sobre una peque.a superficie por medio de un metal adecuado, se obtiene una accin rectificante similar a lo e(istente en una v'lvula diodo, actuando el semiconductor como c'todo y el e(tremo del alambre met'lico actuando como 'nodo. El verdadero mecanismo por el cual se logro la rectificacin es muy complicado, dependiendo de la diferencia de la funcin trabajo de los materiales que est'n en contacto, el comportamiento de la barrera de potencial que e(iste un gradiente de tensin relativamente alto, en el semiconductor del punto de contacto, como resultado de la reducida superficie de contacto.

,,

Circuito elctrico

Listado de Componentes
Capacitores: C, $ ,0 n3 C5 $ +.I n3 CB $ +I n3 C+ $ 550 p3 CD $ 55 3 ( 5Dv CF $ 0., 3 CI $ 5.5 n3 C/ $ ,0 3 ( ,Fv CK $ +I n3 C,0 $ 550 3 ( ,Fv

,5

C,, $ 0., 3 C,5$ 50 3 Cv $ "andem pl'stico tipo spica Semiconductores: ", $ H*3,05 "5 $ LCD+/ C, $ ,)F0 =C, $ LHB/F

Resistencias: 8, $ +MI 85 $ +I0 M 8B $ ,0 M 8+ $ +MI M 8D $ , M 8F $ +I0 M 8I $ DMF M 8/ $ ,0 M 8K$ , M *, $ *ote miniatura tipo spica ,0M con llave Inductor: L $ Lobina antena de radio &H c4ferrite :B cables<

Principio de !uncionamiento
La se.al proviene de la antena ingresa a un circuito tanque compuesto por la bobina de antena L y el capacitor variable Cv. Este circuito tiene un elevado 6 y resuena a una frecuencia determinada por el valor de la inductancia de L y el valor ajustado en el tandem. & frecuencia de resonancia la impedancia del circuito aumenta a su valor m'(imo, con lo cual disponemos de una entre los e(tremos del circuito tanque cuya frecuencia central coincide con la frecuencia de resonancia. Esta se.al de muy bajo nivel y se la aplica a la compuerta de un transistor 3E". La ra!n principal por la cual se emplea una 3E" es su elevadsima impedancia de entrada, factor principal para no cargar al circuito

,B

tanque de entrada y por lo tanto no disminuir su 6. &dem's los 3E" son muy aptos para manejar bajsimos niveles de se.al. ", trabaja en configuracin de surtidor com n, ya que el valor de C, representa casi un cortocircuito a la se.al de 83. 8, se encuentra colocado con fines de polari!acin. 8+ es la resistencia de carga del drenador. La se.al amplificada qe se toma del drenador de ", es rectificada por C, a fines de e(traer la modulacin que es el producto de la informacin transmitida. C5 deriva a masa la se.al de 83 mientras que tiene la informacin de audio. 85 permite la descarga de C5. La se.al de audio obtenida ingresa mediante 8B y CB a la base del transistor "5, que es un transistor bipolar de baja se.al. "5 trabaja en emisor com n con realimentacin negativa colector@ base a fin de mejorar el nivel de audio ruido y disminuir la distorsin. Esta realimentacin corre por parte de 8F y C+. 8I polari!a al colector de "5 circule por el potencimetro *,. &ctuando sobre el cursor de *, regulamos el nivel de audio conveniente para aplicarle a la pata 5 del integrado que act a como amplificador de ganancia fija. CI desacopla los eventuales vestigios de 8f, la se.al de salida del integrado se acopla capacitivamente mediante C,0 al parlante a utili!ar. C,, es un capacitor de filtro de alimentacin. 8D y CD forman una red de estabili!acin de tensin para alimentar a ",, de esta forma la etapa de 83 queda estabili!ada frente a las variaciones de tensin de alimentacin debidas al consumo de la etapa de salida.

Armado del circuito

*ara armar el circuito se utili!a una plaqueta ya dise.ada por plaquetodo o si no un dise.o propio, luego se sueldan los diversos componentes, resistencias, transistores, capacitores etc. %e bobina la barra de ferrite y a continuacin se inserta en un gabinete.

Problemas
La plaqueta posee un error de dise.o ubicado en el selector de volumen. Los e(tremos del potencimetro de volumen est'n invertidosN por lo tanto al encender la radio el volumen esta al m'(imo y luego comien!a a disminuir a medida que se gira el pote. La solucin es cortar las pistas defectuosas y cru!ar las pistas por medio de puentes. Etro de los problemas que se puede encontrar es una oscilacin producida por el acoplamiento a travs de la fuente entre el LCD+/ y el amplificador LHB/F, el cual se resolvi colocando una red de desacople 8C. Etras de las dificultades que presenta es la sintoni!acin de estaciones, si no se construye en forma adecuada la bobina.

,+

Costo Total: 5,95

El Grafico del costo se encuentra en el arc#ivo costo.(ls La informacin sobre el C= LmB/F se encuentra desde el arc#ivo LHB/F@,.mp LHB/F@F.bmp La informacin sobre el transistor LCD+/ se encuentra desde el arc#ivo LCD+/@,.bmp LCD+/@B.bmp La informacin sobre el H*3,05 se encuentra en el arc#ivo H*3,05.bmp

Error! Vnculo no vlido.

,D

,F

,I

,/

,K

50

5,

55

5B

5+

5D