RADIO INSTITUTO

CURSO DE CIRCUITOS DIGITALES

LECCIN N 1
TRANSISTORES
EN CIRCUITOS DE AUDIO - POLARIZACIN EN CLASE A - AMPLIFICACIN
SATURACIN Y CORTE - EN CIRCUITOS DE CONMUTACIN - INVERSIN DE
PULSOS Y PULSOS EN FASE CON NPN Y PNP - ESTADOS DE SATURACIN Y
CORTE NETOS - MONTAJE DRLINGTON - BATERAS DE GEL Y PLOMO CIDO CARGADORES DE BATERAS - RGIMEN DE CARGA.

Los transistores tienen una multiplicidad de aplicaciones en todo circuito electrnico,

desde las etapas de R.F. de un simple receptor hasta la salida de audio de un
poderoso amplificador de cientos de Watts encontramos transistores de todo tipo y
potencia en infinidad de equipos.
No es nuestra intencin abundar sobre ste tema que ya ha sido estudiado en
nuestros cursos de transistores ya sean de Radio, Televisin y Televisin color, pero
en el caso de Electrnica Digital su comportamiento y polarizacin son algo distinto y
creemos necesario dedicar un espacio a ste tema repasar algunos conceptos
importantes y poder apreciar las diferencias entre su uso en amplificadores y en
circuitos sometidos a conmutaciones rpidas y estados absolutos (corte saturacin)
como es el caso de los digitales.
TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE SEALES DE AUDIO
Veamos a continuacin como se desempea un transistor polarizado
convenientemente, como amplificador de seales de audio en clase A o sea que
trabaja en la parte lineal de su curva caracterstica. figura 1

Observamos que la polarizacin de base y emisor es tal que en colector tenemos la

mitad de la tensin de fuente en condiciones de reposo, es decir sin seal de entrada
aplicada a su base.

Esto nos indica que el transistor est conduciendo permanentemente. Ahora bien, al
aplicar una seal de alterna en su base, la onda de salida en colector, vara en
amplitud en forma proporcional a la amplitud de la seal que aplicamos en su base y
queda desfasada en 180 grados con respecto a la misma.
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Esto sucede del siguiente modo: El medio ciclo positivo de la seal de entrada torna
ms positiva la base pues se suma a la tensin de polarizacin existente. Al ser la
base mas positiva aumenta la corriente de colector- emisor, en consecuencia hay una
mayor cada de potencial en la resistencia de carga de colector y la tensin en el
mismo se reduce, dando lugar a la formacin de un medio ciclo negativo.
Cuando acta el medio ciclo negativo de la seal en base, se produce el efecto
inverso, es decir, ahora la base disminuye su polarizacin pues en ste caso se resta,
en consecuencia tambin disminuye la corriente de colector - emisor, dando lugar a
una menor cada de potencial en la resistencia de carga de colector, por consiguiente
aumenta la tensin en el mismo y de ste modo se forma el medio ciclo positivo.
Al estar el colector a un potencial igual a la mitad de la tensin de fuente, es fcil
deducir que ambos medio ciclos de la seal de salida tendrn la misma amplitud y en
el caso de una saturacin por seal de elevada magnitud en base, el ciclo completo
saldr con sus dos crestas achatadas en igual proporcin. Naturalmente, estamos
considerando a la seal de entrada como una sinusoide perfecta, si en cambio llega
con alguna deformacin, tambin saldr por colector con la misma deformacin
aunque de mayor amplitud. Lo dicho lo observamos en la figura 2.

Ahora veremos un caso similar en un transistor que est polarizado con la base menos
positiva que el anterior, es decir, hacia el lado del corte en su curva caracterstica, pero
an dentro de la porcin recta. En ste caso supongamos que la corriente de reposo
(sin seal en base) hace que la tensin en colector sea de 9 V, con la misma fuente de
12 V. Ver figura 3

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Como vemos en ste caso, al aplicar una seal en base de suficiente amplitud para no
saturar el transistor, conseguimos una seal de salida de menor valor PP (pico a
pico) ; si incrementamos la entrada, el semiciclo positivo de salida se deforma
achatndose, mientras que el negativo sigue creciendo todava 6 V ms hacia el 0 V.
Ver figura 4.

Por ltimo veamos que sucede en el caso inverso en que la base es ms positiva que
lo debido, por lo tanto nos desplazamos en la curva hacia el lado de la saturacin, pero
an en la porcin lineal. Ver figura 5.

Como vemos ste es un caso igual al anterior pero a la inversa, pues al ser la base
mas positiva aumenta la corriente de colector-emisor y desciende la tensin de
colector como ya hemos dicho.
Ahora el semiciclo negativo llega rpidamente al corte porque solo hay 3 V de
diferencia entre la corriente de reposo y el 0, en cambio el positivo crece 9V hasta
alcanzar el nivel de la tensin de fuente
Digamos que si se incrementa mas la seal de base, tambin se achata ste semiciclo
debido a que adems de estar mal polarizado, es muy elevada la seal de la entrada.
Las magnitudes de la seal de salida se han tomado a los fines de informacin pues
en realidad en la prctica los valores de pico no son absolutos, es decir que el
semiciclo positivo no llega a 12 V y el negativo no desciende hasta cero aunque estn
cerca de ello.
LOS TRANSISTORES EN CIRCUITOS DE CONMUTACIN
Bien sabemos que la tcnica digital est basada en dos estados lgicos absolutos, que
podemos definir como afirmacin y negacin, todo o nada, abierto o cerrado, y
elctricamente, positivo
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total, (alto) o negativo general (bajo), stas ltimas definiciones son las que se adoptan
en sta tcnica y su notacin es Positivo (nivel alto) = 1 (uno) y Negativo (nivel bajo) =
0 (cero) y ste es el lenguaje que emplearemos.
Cabe destacar que en el desarrollo de circuitos digitales en algunos puntos del mismo
los niveles no son absolutos, pero siempre se dar una gran diferencia entre un 1 y un
0, de hecho los circuitos se disean de forma que un nivel prximo al 0 se tome como
0 y otro cercano al 1, como 1.
Un circuito de conmutacin es aquel en el cual el voltaje de salida se desplaza
bruscamente de uno a otro extremo (de positivo a negativo y viceversa) cuando se
aplica a la entrada una seal digital.

Los transistores a utilizar en stos casos deben tener la suficiente ganancia para que
la onda cuadrada aplicada en su entrada no sufra ninguna deformacin en la salida, o
sea que conserve perfecta simetra y sus flancos ascendente y descendente se
mantengan bien verticales.
Normalmente todos los transistores de silicio de usos generales que se encuentran en
plaza son de elevada ganancia para ser usados en circuitos de conmutacin, solo hay
que polarizarlos adecuadamente para aprovechar al mximo sus caractersticas y no
sobrecargarlos a fin de evitar su calentamiento y posible destruccin. Segn la
corriente y la tensin que se deba manejar, siempre habr un transistor adecuado.
La corriente mxima que puede circular de colector a emisor est limitada por la
tensin de polarizacin de base y el resistor o la carga de colector.
Veamos a continuacin un ejemplo de polarizacin de un transistor NPN de usos
generales tipo BC547.
Segn los manuales, ste transistor soporta una tensin base-colector (Ucbo) de 50 V,
y una corriente mxima de colector (Ic) de 100 ma (0,1 A), los dems datos no
interesan en ste caso.
Como nosotros lo vamos a utilizar con una fuente de 12 V y una corriente muy inferior,
diremos que ste transistor es apropiado.
En la figura 6 vemos ste transistor con un resistor de carga de 2,2 K en su circuito de
colector; digamos de paso que la expresin resistor resistencia que estamos
empleando indistintamente, se refiere al mismo componente y es habitual emplear
cualquiera de ellas.
La base del mismo est conectada a travs de un resistor de 10 K a la salida de un
separador inversor que bien podra ser uno de los seis que componen el circuito
integrado CMOS, CD4069.
El emisor est conectado a masa, o sea emisor comn; recordemos que sta
denominacin se refiere a que, conectado de sta manera, ste terminal es comn a la
seal de base y de colector.

Puede observarse que la base solo se polariza cuando aparece la seal digital en la
salida del separador, y lo hace abruptamente, es decir, de estar a un potencial 0
(masa) pasa a potencial 1 (fuente).

Mientras el separador permanece en nivel bajo (0), no existe corriente de base y por lo
tanto el transistor est al corte - no hay corriente de colector.
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Cuando el separador cambia de estado y pasa al nivel alto (1), la base se polariza
positivamente y el transistor se satura instantneamente, pasando a conducir la
mxima intensidad que le permite su resistencia de carga. Veamos que est
sucediendo en el transistor de acuerdo a sta polarizacin. Aplicando la ley
de Ohm vemos que dicha corriente es la siguiente.
E

12
I =

A = 5,4 ma
R

2200

Redondeando la cifra diremos 5 ma. Hemos despreciado el pequeo remanente de

tensin que queda en el colector cuando est saturado, que suele ser menor que 0,1 V
ya que no afecta el resultado final. Ahora veamos cual es la corriente de base de
acuerdo al resistor de 10 K que la polariza.
Tambin en ste caso despreciaremos la resistencia interna que ofrece la juntura
base- emisor, que dadas las tensiones con que estamos operando es de unos pocos
cientos de Ohm, y al quedar en serie con 10 K no es significativa. Igual que en el caso
anterior:
E
12
I = -------- = ------------- = 0,0012 A = 1,2 ma
R
10000

Redondeando la cifra diremos 1 ma. De acuerdo a stos nmeros, la corriente total

colector-emisor es de 6,6 ma, ya que debe sumarse la corriente de base aunque en la
prctica puede despreciarse cuando los valores son muy bajos.
Si queremos saber cual es la resistencia interna aparente base-emisor, nuevamente
aplicamos la ley de Ohm y obtenemos:

E
0,7
R = --------- = ---------------- = 583 ohm
I
0,0012
El valor de tensin que se toma es el que corresponde a la cada en la juntura, que en
la realidad vara entre 0,6 y 0,7 V. Recordemos de paso que las expresiones de R - E I en las frmulas, estn dadas por Resistencia en Ohm - Tensin en Volt - Intensidad

en Amper. Luego se reducen segn la necesidad a K Ohm (Ohm X 1.000)

- mv (milivolt) - ma (miliamper) etc.
De haber querido "hilar fino" en los clculos de la corriente de base, podramos optar
por alguno de los mtodos siguientes. Sumar la resistencia aparente de la juntura
base-emisor a la de 10 K con lo que entonces obtenemos:
12
------------ = 0,0011 A = 1,1 ma
10583
O bien restar la cada de 0,7 V a los 12 V que entrega el inversor y por lo tanto sera:
11,3
----------- = 0,0011 A = 1,1 ma
10000
Como vemos el resultado es el mismo, y la pequea diferencia que existe al hacerlo
sin considerar la cada de la juntura, es totalmente despreciable.
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De todos modos para lograr una corriente de colector de 5 ma, partiendo de 1 ma en el
circuito de base, se necesita un transistor cuya ganancia de corriente (Beta Hfe) sea
como mnimo igual a 5 (ganancia = Ic / Ib), naturalmente todos los transistores tienen
una ganancia muy superior; en el caso del BC547 est entre 100 y 300, por lo tanto
para sta corriente de colector podramos lograr la saturacin efectiva con menor
corriente en base, pero siempre es mejor trabajar con holgura, por supuesto dentro de
los lmites permitidos.
Observe que la seal de salida en colector (Fig. 6) tiene la fase invertida con respecto
a la entrada; si necesitramos la fase original se puede conectar el mismo transistor
como seguidor emisivo, con los mismos componentes, entonces el circuito quedara
as: Figura 7

En ste caso la tensin de salida del nivel alto, se ver reducida en 0,7 V debido a la
cada que introduce la juntura base - emisor del transistor como ya hemos visto, y que

a consecuencia de no estar conectado directamente a masa sino a travs de la

resistencia de carga, se hace presente tambin entre colector y emisor.
Todo lo expuesto est basado en la situacin que el separador entrega un pulso de
salida alto (1) y que el estado de reposo del mismo es un nivel bajo (0), si la condicin
fuera la inversa, es decir reposo en 1 y pulso de nivel 0 podemos usar en igual forma
un transistor PNP, por ejemplo el BC557 que es complementario del BC547, para
conseguir idnticos resultados. Fig. 8, A - B
Resumiendo: Si la seal o pulsos que entrega el separador son de nivel alto, es decir
transicin de 0 a 1, se usar un transistor NPN, si fueran de nivel bajo, transicin de 1
a 0, usaremos un transistor PNP.
Lo expuesto est referido a situaciones que se presentan algunas veces en circuitos
digitales donde se hace necesario el uso de transistores para acoplar las salidas de
circuitos integrados con otros elementos como ya veremos mas adelante, pero
generalmente si los integrados son de la misma familia, por ejemplo CMOS, las
conexiones entre ellos se hacen en forma directa (salida de uno con la entrada de otro
unidas), en cambio se hace necesario el uso de un transistor, si tenemos que conectar
la salida de un integrado CMOS a otro de la familia TTL, como ya estudiaremos.
Tambin hay casos donde se necesita que el transistor est conduciendo
permanentemente, es decir en estado de saturacin, y que pase al corte ante la
presencia del pulso, esto sera lo inverso de lo visto en las figuras 6, 7 y 8; es fcil
deducir que para lograr ste resultado los circuitos de las figuras quedan como estn y
solo se reemplazan los transistores por los opuestos, o sea donde hay un NPN se
conecta un PNP o viceversa.
Sera lo mismo que si en stas figuras, la polaridad del pulso que entrega el separador
fuera de nivel contrario al del grfico, de ste modo los transistores conduciran
permanentemente y pasaran al corte cuando se presenta el pulso.
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Observe que en B de la figura 8 tambin se presenta una cada de 0,7 V al igual que lo
visto en la figura 7, lo que significa que los transistores conectados como
seguidor emisivo introducen dicha cada sean PNP NPN indistintamente.
ESTADOS DE SATURACIN Y CORTE NETOS
A continuacin vamos a repasar brevemente los conceptos bsicos sobre polarizacin
de los transistores de silicio para lograr una saturacin efectiva y tambin mantenerlos
al corte con seguridad. Como hubo algunos alumnos de otros cursos que no tenan
muy claro stos conceptos, nos parece importante recrear nuevamente ste tema.
Un transistor NPN recibe en su colector el +B de la fuente en todos los casos, ya sea
directamente si est conectado como seguidor emisivo(Fig.7) o a travs de la carga,
que puede ser una resistencia (Fig.6), un diodo led con su correspondiente resistencia
de limitacin, la bobina de un rel etc.
Salvo en el caso del seguidor emisivo, el emisor se conecta directamente a masa.
EL ESTADO DE CONDUCCIN SE LOGRA CUANDO LA BASE SE
TORNA POSITIVA CON RESPECTO AL EMISOR EN 0,6 A 0,7 V, sta magnitud vara
un poco entre las diferentes partidas de transistores pero no es significativa como para
tomar en cuenta.
La medicin con un tester se efecta entre masa (punta negra) y base (punta roja).
Si bien entra en conduccin, esto no significa que est saturado, pues la corriente de
base puede ser insuficiente; recin diremos que est saturado cuando la antedicha
corriente de base adquiere

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tal magnitud que la tensin de colector se reduce a cero o un valor muy cercano.
Algunas veces se necesita una alta corriente de colector porque la carga aplicada al
mismo as lo requiere; tomemos por ejemplo un rel cuya bobina tiene una resistencia
de 50 Ohm, y que debe comandarse mediante un transistor desde una fuente de 12 V,
como el caso de los ejemplos anteriores.
En ste caso se toma el bobinado como resistencia pura, porque trabaja en corriente
continua; si fuera en corriente alternada, se tomara el valor de reactancia inductiva
(XL), que vara segn la frecuencia, pero que siempre es mucho mayor. Veamos que
consumo tiene ste rel, sabiendo que todo ha de circular a travs del transistor que
utilicemos para su gobierno.
Los clculos son los mismos que los efectuados para la figura 6, o sea:
I
12
E = ------- = --------- = 0,240 A Lo que es igual a 240 ma
R
50
Por de pronto ya no podemos utilizar el BC547, cuya corriente mxima admisible es de
100 ma, pero podemos sustituirlo por un BC337 que tiene un mximo de 800 ma.
Siempre es conveniente no superar el 50% de la corriente que entregan los
transistores, ya que stos valores son dados como lmite y en condiciones de corta
duracin.
En el caso que nos ocupa, 240 ma es un valor que soporta sin dificultad un BC337.
Ahora bien, si la seal que aplicamos a su base, tiene la suficiente amplitud (tensin) y
suficiente intensidad (amper), no habr dificultad y la corriente de base tambin ser
suficiente para saturar el transistor, que conmutar en forma efectiva el rel.
Pero puede suceder que dicha seal tenga buena amplitud pero de baja intensidad, y
por ms reducida que sea la resistencia de base que conectemos no se pueda lograr
la saturacin plena y en cambio se produzca una sobrecarga en el componente que
entrega sta seal. Esto requiere una solucin que en realidad es simple.
Se utiliza adems del BC337, otro transistor NPN que puede ser de baja potencia, por
ejemplo el BC547 y se los monta en Drlington.
Bien, como no se puede lograr la conduccin plena del BC337 porque la seal es dbil
y la corriente de base del mismo la absorbe casi totalmente sin llegar a saturarlo
plenamente, esto quiere decir que hay que lograr previamente una ganancia en
corriente y sta corriente aplicarla a la base del BC337; esto es lo que se logra con el
montaje Drlington. Figura 9.

En ste circuito el transistor BC337 es el que recibe la carga del rel y el BC547
solamente soporta la corriente de base del BC337, que por alta que sea es de unos
pocos ma, adems la ganancia se multiplica sin cargar la salida del componente que
entrega la seal ya que ahora la corriente que suministra el 547 es tomada de la
misma fuente y aplicada a la base del 337.
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De ste modo la resistencia de base del 547 puede ser elevada ya que necesitamos
una corriente mucho menor en la misma.
Supongamos que la ganancia (Beta Hfe) de cada transistor sea de 100; al montarlos
en Drlington la ganancia total pasa a ser igual a 100 X 100 o sea de 10.000 veces, lo
que significa que una corriente de base de tan solo 0,000040 A (40 microamper) en la
base del BC547, se traduce en una magnitud de 0,400A (400 miliamper) de corriente
de colector en el BC337,(0,000040X10.000),con lo que se logra la ganancia ms que
suficiente para el buen funcionamiento de la carga, en ste caso el rel.
Diremos que en plaza existen transistores Drlington ya encapsulados en una sola
unidad, y de distintas potencias, aunque el montajedescripto no ofrece dificultad y
generalmente es mas econmico.
BATERAS
En determinadas ocasiones es necesario emplear una batera en el equipo, tal el caso
de una central de alarma, y no sera razonable el uso de dos fuentes de alimentacin,
una para la central y otra para cargar la batera;lo que se hace es adaptar la fuente
para que cumpla las dos funciones sin dificultad
Antes de entrar en los detalles de la fuente, vamos a analizar brevemente las
caractersticas de los dos tipos de bateras ms comnmente usadas.
Nos referimos concretamente a las comunes, denominadas de plomo-cido y las
de gel.
Ambas poseen compartimientos donde se alojan las placas de plomo y los
separadores correspondientes y la diferencia entre ellas consiste en el electrolito
utilizado. Se denomina electrolito al lquido que se emplea para llenar cada
compartimiento y que debe ser suficiente para cubrir y sobrepasar un centmetro las

placas, sin llegar al llenado total. El electrolito citado, se trata de cido sulfrico, el cual
es muy corrosivo por lo que hay que tener cuidado en su manipulacin.
En los procesos de carga y descarga el cido tiene accin de electrlisis y libera
hidrgeno y oxigeno lo que equivale a una prdida de su volumen, o sea que se
reduce la cantidad en los compartimientos (celdas) . Esto es as porque la liberacin
de Hidrgeno y oxgeno equivale a agua pura (H2O), por ste motivo hay que agregar
peridicamente agua destilada para cubrir nuevamente las placas y normalizar la
densidad del cido. En las bateras de gel esto no ocurre porque el cido ha sido
combinado con otros compuestos qumicos y no se encuentra en estado lquido
sino gelificado; sera algo parecido a una miel espesa. Como en stas no hay que
reponer agua, se las denomina sin mantenimiento.
Cada celda, o compartimiento de las placas, tiene una diferencia de potencial de 2 Volt
y se conectan en serie para lograr la tensin nominal de la batera, as para una de 6
V, hay tres celdas unidas en serie, y para 12 V, 6 celdas. El Amperaje cantidad de
energa que puede almacenar lo da la superficie total de las placas, lo que en definitiva
forma el tamao de la batera. As es que una batera de 12 V X 60 A , tiene la mitad
del tamao de otra de 12 V X 120 A.
PROCESO DE CARGA
Hemos dicho que cada celda tiene una tensin nominal de 2 V, lo que significa que
una vez terminada su construccin y puesto el cido en sus celdas, se produce
inmediatamente una reaccin qumica que las lleva a ste potencial, sin embargo se
debe considerar descargada, porque si bien obtenemos los 12 V, el amperaje que se
dispone es muy escaso.
Cuando se somete a carga, cada celda comienza a elevar su tensin a medida que va
acumulando amperes. Se dice que una celda est plenamente cargada cuando su
tensin llega a los 2,4 V, pero cuidado, sta es la tensin lmite que soporta, ms all,
comienza su degradacin.
La carga que consideramos ideal es cuando la celda adquiere 2,3 V, lo que significa
que en una batera de 12 V, la carga estar a pleno cuando la tensin entre bornes
sea de 13,8 V, (6 X 2,3) y en una de 6 V , 6,9 V , (3 X 2,3). De todos modos en la
prctica una batera que supere los 13 V podemos considerarla cargada. Estos valores
se dan mientras la batera est conectada con el cargador, luego al desconectarla, la
tensin cae 1 Volt aproximadamente porque siempre trata de ubicarse en su tensin
nominal.
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Si pretendemos "tratar bien" a una batera, no se debe superar el rgimen de carga
ms all del 10% de la capacidad de la misma en las de plomo-cido, y del 5% en
las de gel; por ejemplo una batera comnmente usada en centrales de alarma tiene
una capacidad de 7 A, por lo tanto si es de plomo-cido debe cargarse a un rgimen
mximo de 700 ma, y si es de gel, a 350 ma. De ste modo la batera estar cargada a
pleno en 10 horas y 20 horas respectivamente. Este tiempo es aproximado, porque
existe un valor de resistencia interna de la batera que vara con la antigedad y que
tiende a descargarla naturalmente, aunque muy lentamente. Si el rgimen de carga es
menor, igual se llegar a la plenitud, simplemente tardar ms tiempo.

FUENTE REGULADA Y CARGADOR DE BATERA

En la figura 10 representamos el esquema de una fuente que ha sido preparada para
alimentar un equipo de 12 V y a la vez mantener en carga una batera tambin de 12
V.
El transformador elegido posee un secundario de 15 V, lo que da una tensin
rectificada y filtrada de 19,75 V , que es aplicada a la entrada del regulador 7812. La
salida del mismo se conecta con el borne positivo de una batera de 12 V 7 A a travs
de una resistencia de 1 ohm y 1 wattde disipacin que limita la corriente de carga. De
ste punto se toma la alimentacin del equipo a travs de un diodo que cumple dos
funciones. Una de ellas es reducir la tensin en 0,7 V a fin de no sobrepasar los 13 V
en el circuito, y la otra es como proteccin del equipo en caso que por error se conecte
la batera con la polaridad invertida.
Efectivamente si esto pasara no habr circulacin de corriente porque como ya
sabemos un diodo solo conduce con positivo en el nodo. De no ponerlo, una
situacin de stas puede llegar a destruir circuitos integrados y otros componentes del
equipo que no soportan una alimentacin con la polaridad invertida. Dicho diodo puede
ser un 1N4007 o similar para 1A o ms.

El terminal central de todos los reguladores, pertenece a la referencia interna del

mismo y siempre se conecta a masa directo para obtener la salida correspondiente
indicada por el componente, pero en ciertas ocasiones, como es ste caso,
necesitamos una tensin un poco mayor.
Como vemos esto se consigue fcilmente elevando el potencial de la referencia
mediante el uso de diodos. Cada diodo introduce una cada de 0,7 V que se ver
reflejada en un aumento igual en la tensin de salida, por ello es que usamos dos en
serie, para lograr un aumento de 1,4 V.
Podramos haber utilizado tres, pero en ese caso la salida se eleva a 14,1 V, y si bien
todava estamos dentro de los parmetros de carga de una batera de 12 V, preferimos
no trabajar tan al lmite.
Como la corriente que drena la referencia es de baja intensidad, pueden utilizarse
diodos corrientes de usos generales como son los 1N4148 1N914 que soportan
hasta 50 ma.

Este tipo de cargador se denomina "cargador a flote" por sus caractersticas, ya que al
principio de la carga la corriente es elevada, pero dentro de los lmites permitidos, y
luego disminuye en las cercanas de los 13,4 V, para finalmente quedarse "flotando"
en sta tensin, con lo cual tenemos la seguridad de no sobrecargar nunca la batera,
la que puede estar conectada permanentemente.
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NOMBRE Y APELLIDO
--------------------------------------------------------------------------------------------------------CALIFICACIN ----------------------------------- CALLE
--------------------------------------------------- N ----------------FECHA DE ENVO --------------------------CDIGO ----------------- LOCALIDAD
---------------------------------------

CURSO DE CIRCUITOS DIGITALES

EXAMEN DE LA LECCIN N 1
1) En el colector del transistor de la figura 1 tenemos una tensin de 4 V en reposo; la
seal de salida tiene: A = El semiciclo positivo recortado; B = El negativo recortado; C
= son proporcionales
2) Un transistor NPN tiene conectada en colector una resistencia de 1,5 K y en base
4,7 K con una fuente de 15 V. La corriente total que soporta es: A = 18,45 ma; B =
13,19 ma; C = 6,81 ma
3) El caso de la pregunta anterior. La resistencia aparente base-emisor es de: A =
583 ohm; B = 645 ohm; C = 219 ohm
4) Un transistor suministra una corriente colector-emisor de 250 ma, cuando en la base
hay una corriente de 1,2 ma. La ganancia (Beta) es: A = 208; B = 120; C = 300
5) En un circuito como el de la figura 7, pero alimentado con fuente de 9 V. El pulso de
salida tiene un valor PP de: A = 11,3 V; B = 8,3 V; C = 9 V
6) Un transistor NPN con carga en colector de 2,2 K y fuente de 10 V. Midiendo con
el tester tenemos, en base 0,65 V y en colector 2 V. La condicin es: A = Saturado; B
= Corte; C = En conduccin pero no saturado.
7) Dos transistores montados en Drlington; uno tiene Beta = 150 y el otro 250. La
ganancia total que se obtiene es: A = 37.500; B = 10.000; C = 166

8) En el mismo caso anterior. Que corriente de salida se obtiene si la corriente de base

es de 30 microamper: A = 1,12 A; B = 125 ma; C = 812ma
9) Midiendo con un tester cada celda de una bateria se lee 2,45 V. La condicin de la
misma es: A = Le falta carga; B = Cargada a pleno; C = Est sobrecargada
10) Que pasa si una batera de gel de 12 V por 7 A es cargada a un rgimen de
700 ma: A = Se carga lentamente; B = No llega a la carga plena; C = Se acorta su vida
til

RESPUESTAS AL EXAMEN DE LA LECCIN N 1

Marque con una

cruz la casilla
que corresponde
a la contestacin correcta
NUNCA marque dos cruces en una misma columna

FUENTE DE ALIMENTACIN Y CARGADOR DE BATERAS

LISTA DE MATERIALES
1 - Circuito impreso ED2/1

1 - Electroltico de 100 Mf X 16 V (C4)

1 - Transformador de 15 V 300 ma

2 - Capacitores de .1 Mf (C2 y C3)

4 - Diodos 1N4007 (D1 a D4)

1 - Cable con ficha de 220 V

2 - Diodos 1N4148 (D5 y D6)

1 - Cable polarizado de salida

1 - Regulador 7812

1 - Gabinete para fuente

1 - Resistencia de 1K (R1)

2 - Tornillos de 1/8

1 - Diodo led (L1)

2 - Tornillos parker

1 - Electroltico de 1000 Mf X 25 V (C1)

2 - Etiquetas

2 - Clip cocodrilo ( Rojo y Negro)

Estao