_

CAPITULO

Diodos semicond uctores

1.1 INTRODUCCION
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos Cuarenta han atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en comparacin con las redes con tubos de los aos anteriores son, en su mayor parte, obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen prdidas trmicas (lo que s sucede en el caso de los tubos), una construccin ms resistente y no necesitan un periodo de calentamiento. La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el' manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica de diseo de la red y los lmites del equipo de manufactura y pr?cesamiento.

1.2 DIODO IDEAL

El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grficas muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes. Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real, consideraremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las caractersticas que se muestran en la figura 1.1a y b, respectivamente. En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia: _Las caractersticas de un diodo ideal son de las de un interruptor que puede conducir corriente en una sola direccin. + o
Vv

~ ---.. Iv
(a)

+ Iv

t
~
O

VD

~
ID

Vv

.1
ID

VD

/', o

(b)

Figura 1.1 Diodo ideal: (a)

smbolo; (b) caracterstica,

En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la .definicin de los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con la que se muestra en la figura 1.1a, la parte de las caractersticas que se consideran en la figura 1.1 b, se encuentra a la derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje inverso, las caractersticas a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica en la figura 1.1a, la parte de las caractersticas que se considera-r se encuentra por encima del eje horizontal, en tanto que invertir la direccin requerira el empleo de las caractersticas por debajo del eje. Para la mayor parte de las caractersticas de dispositivos que aparecen en este libro, la ordenada (o eje "y") ser el eje de corriente, en tanto que la abscisa (o eje "x") corresponder al eje de voltaje. Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID Y la polaridad de VD en la figura 1.1a (cuadrante superior derecho de la figura l.lb), encontraremos que el valor de la resistencia directa Rp de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es VF OV RF = = ------------= O (corto circuito) IF 2, 3, mA, ... , o cualquier valor positivo

donde V F es el voltaje de polarizacion directo a travs del diodo e I F es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin, Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente la figura 1.1b, (tercer cuadrante) de

RR

V --; ='
R

5, - 20,

o cualquier potencial de polarizacin inverso

O mA

n
00 u

(circuito abierto)

donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin. En sntesis, se aplican las condiciones que.se describen en la figura 1.2.

VD o>-----~ ---o

---.. o

/ .corto circui:o ~

ID
"-

I:"(limitada
(a)

por el circuito)

o
VD o>-----~ ---o

+
---..
0>---_

ID=O

. ---..
/

circuito abierto

0----.-/

(b) Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin ideal. determinados por la polarizacin aplicada. del diodo

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la regin de conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de la flecha del smbolo de dicho elemento, ste opera en la regin de conduccin. Esto se representa en la figura l.3a. Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura 1.3.b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.

Captulo 1 Diodos semi conductores

o>-----i~----O ---..

0>-----<>---_---<0

(a)

ID=O
(b)

Figura 1.3 (a) Estado de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal determinados por la direccin de corriente de la red aplicada.

Corno se indic con anterioridad, el propsito principal de esta seccin es el de presentar las caractersticas de un dispositivo ideal para compararlas con las de las variedades comerciales. En la medida en que avancemos a travs de las prximas secciones, tendremos en cuenta las siguientes preguntas:
Qu tan cercana estar la resistencia directa o de "encendido" de un diodo real comparada con el nivel deseado de O-n? Es la resistencia de polarizacion inversa suficientemente aproximacin de circuito abierto? grande para permitir una

1.3 MATERIALES SEMI CONDUCTORES

La etiqueta de semiconductor por s misma proporciona una pista en cuanto a las caractersticas de este dispositivo. El prefijo semi se aplica por lo general a una gama de niveles que se encuentren a la mitad entre dos lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un generoso flujo de carga cuando se aplica una fuente de voltaje de magnitud limitada a travs de sus terminales. Un aislante es un material que ofrece un nivel muy pobre de conduccin bajo la tensin de una fuente de voltaje aplicada. Por lo tanto, un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad situado entre los casos extremos de un aislante y un conductor.

En relacin inversa con la conductividad de un material est su resistencia al flujo de carga o corriente. Esto es, cuanto mayor sea el nivel de conductividad, menor ser el nivel de resistencia. En las tablas de medidas, el trmino resistividad (p, letra griega rho) se utiliza a menudo cuando se comparan los niveles de resistencia de materiales. En unidades mtricas, la resistividad de un material se mide en n-cm o n-m. Las unidades de n-cm se derivan de la sustitucin de las unidades de cada cantidad de la figura 1.4 en en la siguiente ecuacin (derivada de la ecuacin bsica de la resistencia
R =pl/ A): p = RA = (O)(cm 1 cm
2 ) ~

r-----

R ----,

O-cm

(1.1)

De hecho, si el rea de la figura 1.4 es de 1 cm? y la longitud de 1 cm, la magnitud de la resistencia del cubo de la figura 1.4 es igual a la magnitud de la resistividad del material corno se demuestra a continuacin:

Figura 1.4 Definicin de la resistividad en unidades mtricas.

IRI = pA

=P

(1 cm) (1 cm)
2

==

Iplohms

Ser provechoso recordar este resultado al comparar los niveles de resistividad en las explicaciones subsiguientes. En la tabla 1.1 se incluyen valores comunes de resistividad correspondientes a tres amplias categoras de materiales. Aunque el lector puede estar familiarizado con las
1.3 Materiales semiconductores

TABLAl.1
Conductor

Valores Tpcos de Resistividad

Semiconductor p == 50 n-cm (germanio) p == 50 X 103 n-cm (silicio) Aislador p == 1012 n-cm

p == 10-6 n-cm
(cobre)

(mica)

I I I I I I I I I

Figura 1.5 Estructura monocristaJina

Gey Si.

de

propiedades elctricas del cobre y la mica a partir de sus estudios pasados, las caractersticas de los materiales semiconductores de germanio (Ge) y silicio (Si) pueden ser relativamente nuevas. A medida que avance en el libro, encontrar que stos no son los nicos dos materiales semi conductores, pero son los dos materiales que han recibido la mayor atencin en el desarrollo de los dispositivos semiconductores. En aos recientes la tendencia se ha desviado firmemente hacia el silicio, alejndose el germanio, pero ste se sigue produciendo aunque en menor cantidad. Ntese en la tabla 1.1 la amplia gama entre los materiales conductores y los aisladores para un material de 1 cm de largo (1 cm? de rea). Dieciocho lugares separan la posicin del punto decimal de un nmero de comparacin con el otro. El Ge y el Si han recibido atencin por varias razones. Una consideracin muy importante es el hecho de que pueden manufacturarse con un muy alto nivel de pureza. En realidad, los ltimos avances han reducido los niveles de impureza en el material puro hasta 1 parte en 10 mil millones (1: 10,000,000,(00). Cabra la pregunta de si estos niveles de impureza tan bajos son en realidad necesarios. De hecho s, si se considera que la adicin de una parte de impureza (del tipo apropiado) por milln en una oblea de material de silicio puede transformar el material de un conductor relativamente pobre en un buen conductor de electricidad. Es evidente que estamos trabajando con un espectro totalmente nuevo de niveles de comparacin cuando tratamos con el medio semiconductor. La capacidad para cambiar las caractersticas del material de manera significativa a travs de este proceso, conocido como "dopado", es incluso otra razn por la que el Ge y el Si han recibido tanta atencin. Otras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse notablemente mediante la aplicacin de calor y luz (una consideracin importante en el desarrollo de los dispositivos sensibles a la luz y al calor). Algunas de las cualidades nicas del Ge y del Si sealadas se deben a su estructura atmica. Los tomos de ambos materiales forman un patrn bastante definido que es de naturaleza peridica (esto es, el mismo se repite en forma continua). Un patrn completo se denomina cristal y el arreglo peridico de los tomos, red. En el caso del Ge y el Si el cristal tiene la estructura tridimensional del diamante como se muestra en la figura 1.5. Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetitivas del mismo tipo se llama estructura monocristalina. En materiales semiconductores de aplicacin prctica en el campo de la electrnica, existe esta caracterstica monocristalina y, adems, la periodicidad de la estructura no cambia de manera importante con la adicin de impurezas en el proceso de dopado o impurificacin. A continuacin examinemos la estructura del propio tomo y notaremos cmo sta podra afectar las caractersticas elctricas del material. Como sabemos, el tomo se compone de tres partculas fundame~tales: electrn, protn y neutrn. En la red atmica, los neutrones y protones forman los ncleos, en tanto que los electrones giran alrededor del ncleo en una rbita fija. En la figura 1.6 se muestran los modelos de Bohr de los dos semi conductores ms comnmente usados, el germanio y el silicio. Segn se indica en la figura 1.6a, el tomo de germanio tiene 32 electrones orbitales, en tanto que el silicio tiene 14 electrones alrededor del ncleo. En cada caso hay 4 electrones en la capa exterior (de valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se requiere para remover cualquiera de estos 4 electrones de valencia es menor que el requerido para cualquier otro electrn en la estructura. En un cristal puro de germanio o silicio estos 4 electrones de valencia se encuentran unidos a 4 tomos adyacentes, como se muestra para el silicio en la figura 1.7. El Ge y el Si se dice que son tomos tetravalentes porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. Un enlace de tomos, reforzado por los electrones compartidos, recibe el nombre de enlace covalente.
Captulo 1 Diodos semi conductores

Electrones orbitales

Electrones de valencia (4 cada uno)

(b)

Figura 1.(\ Estructura atmica: (a) germanio; (b) silicio.

Figura 1.7 Enlace covalente del tomo de silicio.

A pesar de que el enlace covalente permite una unin ms fuerte entre los electrones de valencia y sus tomos padres, persiste la posibilidad de que los electrones de valencia absorban suficiente energa cintica proveniente de causas naturales para romper el enlace covalente y asumir el estado "libre". El trmino "libre" revela que su movimiento es bastante sensible a campos elctricos aplicados como los establecidos por fuentes-de voltaje o una diferencia de potencial. Estas causas naturales incluyen efectos como la energa luminosa en forma de fotones y la energa trmica que surge del medio circundante. A la temperatura ambiente se encuentran aproximadamente 1.5 x 1010 portadores libres en un centmetro cbico de un material de silicio intrnseco. Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que se han refinado con todo cuidado para reducir las impurezas a un nivel muy bajo (en esencia con una pureza tan alta como la que puede obtenerse con la tecnologa moderna). Los electrones libres en el materia! que se deben slo a causas naturales se conocen como portadores intrnsecos. A la misma temperatura, el material de germanio intrnseco tendr cerca de 2.5 x 1013 portadores libres por centmetro cbico. La proporcin del nmero de portadores en el germanio con relacin a los de silicio es mayor que 1Q3 e indicara que el primero es mucho mejor conductor a temperatura ambiente. Esto quiz sea cierto, pero ambos se siguen considerando malos conductores en el estado intrnseco. Ntese en la tabla 1.1 que la resistividad difiere tambin por una proporcin de 1000: 1, teniendo el silicio el valor mayor. Desde luego, ste debe ser el caso, ya que la resistividad y la conductividad se relacionan de manera inversa. Un ascenso en la temperatura de un material semiconductor puede incrementar en forma considerable el nmero de electrones libres del material. A medida que la temperatura aumenta desde el cero absoluto (O K), un nmero creciente de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica para romper el enlace covalente y contribuyen a! nmero de portadores libres como se describi antes. Este nmero incrementado de portadores aumentar el ndice de conductividad y como resultado se producir un nivel menor de resistencia. Los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccin de la resistencia con el aumento de la temperatura, se dice que tienen un coeficiente negativo de temperatura. El lector probablemente recordar que la resistencia de la mayor parte de los conductores se incrementa con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nmero de portadores en un conductor no aumentar en forma considerable con la temperatura, pero
1.3 Materiales semiconductores

su patrn de vibracin por encima de un punto fijo har cada vez ms difcil el paso de los electrones. Por consiguiente, un aumento en la temperatura produce un nivel incrementado de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura. t(

1.4 NIVELES DE ENERGIA

En la estructura atmica aislada existen niveles de energa discretos (individuales) asociados con cada electrn orbital, como se ilustra en la figura 1.8a. De hecho, cada material tendr su propio conjunto de niveles de energa permisibles para los electrones en su estructura atmica. Cuanto ms distante del ncleo est el electrn, mayor ser el estado de energa y cualquier electrn que haya abandonado su tomo padre tiene un estado de energa ms alto que el de cualquier electrn en la estructura atmica.
Energa Nivel de valencia (capa ms exterior que contiene los electrones orbitales) Segundo nivel (siguiente capa en la estructura atmica) Tercer nivel (etc.) etc. ~ Ncleo

Banda de energa Banda de energa

(a)
Energa Energa

Energa Banda de conduccin

A

Electrones 'libres" para establecer la conduccin

- ----.
Eg

Banda de conduccin

Eg > 5 eV

Figura 1.8 Niveles de energa: (a) niveles discretos en estructuras atmicas aisladas; (b) bandas de valencia y de conduccin de un aislador, semi conductor y conductor.

Banda de valencia

V ./

Las bandas t-_B_an""d""a..;;d,;.,e ,;.,co;.;;n..;;du""cc..;;i..;;;;;.n se traslapan

Banda de valencia

Electrones de valencia enlazados a estructura atmica

Banda de valencia

Eg 1.1 eV (Si) Eg = 0.67 eV (Ge) Aislador Semiconductor (b) Entre los niveles de energa discretos hay bandas en las que ningn electrn en la estructura atmica aislada puede aparecer. Conforme los tomos de un material se acercan entre s para formar la estructura de la red cristalina, hay una interaccin entre tomos que dar como resultado que los electrones en una rbita particular de un tomo tengan niveles de energa un poco diferentes a los de los electrones en la misma rbita de un tomo adyacente. El resultado neto es una expansin de los niveles discretos de energa de los posibles estados de energa para los el ectr o nes de valencia correspondientes a esas bandas, como se muestra en la figura 1.8b. Ntese que an se encuentran niveles frontera y estados de energa mximos en los que puede encontrarse cualquier electrn en la red atmica, y que persiste una regin prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacin, Recurdese que la ionizacin es un mecanismo mediante el cual un electrn puede absorber suficiente energa para desprenderse de la estructura atmica y unirse a portadores "libres" en la banda de conduccin. Se notar Conductor

Captulo

1 Diodos

semiconductores

que la energa asociada con cada electrn se mide en electrn-volts medida resulta apropiada, puesto que

(eV). La unidad de

W=QV

eV

(1.2)

conforme se deriva de la ecuacin de definicin de voltaje V = W/Q. La carga Q es la carga asociada a un solo electrn. La sustitucin de la carga de un electrn y la diferencia de potencial de 1 volt en la ecuacin (1.2) ocasionar un nivel de energa conocido como un electrn-volt. Puesto que la energa se mide tambin en joules y la carga de un electrn = 1.6 x 10-19 coulomb, W

= QV = (1.6

x 10-19 C)(1 V)

1 eV= 1.6 x 10-19 J

(1.3)

*'

En el O K o cero absoluto (-273 .15C), todos los electrones de valencia de los materiales semiconductores se encuentran trabados en su capa ms externa del tomo con los niveles de energa asociados con las bandas de valencia de la figura 1.8b. Sin embargo, a temperatura 'ambiente (300 K, 25C) un gran nmero de electrones ha adquirido suficiente energa para salir de la banda de valencia y entrar a la banda de conduccin, esto es, para brincar la banda prohibida definida por Eg en la figura 1.8b de 1.1 eV para el silicio y de 0.67 eV para el germanio. El menor valor obvio de Eg para el germanio explica el nmero mayor de portadores en este material cuando se compara con el silicio a temperatura ambiente. Advirtase que para un aislador la banda prohibida es tpicamente de 5 eV o ms, lo cual limita severamente el nmero de electrones que pueden entrar en la banda de conduccin a la temperatura ambiente. Muy pocos electrones pueden adquirir la energa requerida a temperatura ambiente, 10 que causa que ese material contine siendo un aislador. El conductor tiene electrones en la banda de conduccin incluso a O K, por lo que resulta evidente que a temperatura ambiente haya ms que suficientes portadores libres para sostener un flujo denso de carga o corriente. En la seccin 1.5 vemos que si ciertas impurezas se aaden a materiales semiconductores intrnsecos, el resultado es que habr estados de energa permisibles en la banda prohibida y una reduccin neta en Eg para ambos materiales semiconductores (y consecuentemente la densidad de portadores se incrementa en la banda de conduccin a temperatura ambiente!).

1.5 MATERIALES EXTRINSECOS

TIPOS n Y p

Las caractersticas de los materiales semi conductores pueden alterarse de modo considerable mediante la adicin de ciertos tomos de impureza en el material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, .aunque quiz slo se agregue 1 parte en 10 millones, pueden alterar la estructura de bandas lo suficente como para cambiar totalmente las propiedades elctricas del material. Un material semiconductor que se ha sometido a este proceso denomina material extrnseco. de dopado se

Hay dos materiales extrnsecos de importancia invaluable para la fabricacin de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p. Cada uno se describir con cierto detalle en los siguientes prrafos:

Material tipo n
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero predeterminado de tomos de' impureza al silicio o germanio base. El tipo n se crea aadiendo todos aquellos elementos de impureza que tengan cinco electrones de valencia (pentavalentes), como
1.5 Materiales extrnsecos tipo n y p

Figura 1.9 Impureza de antimonio en un material tipo n.

antimonio, arsnico y fsforo. El efecto de estas impurezas se indican en la figura 1.9 (empleando antimonio como impureza en silicio base). Ntese que los cuatro enlaces covalentes an estn presentes. Sin embargo, hay un quinto electrn adicional debido al tomo de impureza, el cual no est asociado con algn enlace covalente particular. Este electrn sobrante, unido dbilmente a su tomo padre (antimonio), se puede mover ms o menos con cierta libertad dentro del material tipo n recin formado. Puesto que el tomo de impureza insertado ha donado a la estructura un electrn relativamente "libre": Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donado res. Es importante reconocer que an cuando un gran nmero de portadores "libres" se hayan establecido en el material tipo n, ste siga siendo elctricamente neutro, porque idealmente el' nmero de protones con carga positiva en el ncleo se mantiene igual al nmero de electrones "libres" y orbitales con carga negativa en la estructura. El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa puede describirse de mejor manera empleando el diagrama de bandas de energa de la figura 1.10. Obsrvese que un nivel de energa discreto (denominado nivel donador) aparece en la banda prohibida con una Eg bastante menor que la del material intrnseco. Los electrones "libres", resultado de las impurezas aadidas, se ubican en este nivel de energa y no tienen ninguna dificultad para absorber una cantidad suficiente de energa trmica para moverse hacia la banda de conduccin a temperatura ambiente. El resultado es que, a esa temperatura, hay un gran nmero de portadores (electrones) en el nivel de conduccin y la conductividad del material aumenta de manera importante. A temperatura ambiente, en un material de Si intrnseco existe aproximadamente un electrn libre por cada 1012 tomos (1 en 109 para el Ge). Si nuestro nivel de dosificacin fuera de 1 en 10 millones (107), la proporcin (1012/107 = 105) indicara que la concentracin de portadores se ha incrementado en una proporcin de 100,000:1.
Energa

Banda de conduccin

I ~

.
0.05 eV (SI), 0.01 eV (Ge)
Nivel de energa del donador

f..--:------.-'-l_-Eg=
f- Egcomo antes

i------!-----'-j
Banda de valencia

i . ....::"t

Figura 1.10 Efecto de las impurezas donadoras sobre la estructura de las bandas de energa.

Captulo

Diodos

semiconductores

Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal puro de germanio o silicio con tomos de impureza que tengan tres electrones de valencia. Los elementos que se emplean con mayor frecuencia para este propsito son el boro, el gallo y el indio. El efecto de uno de estos elementos (el boro) sobre silicio base se indica en la figura 1.11.

Figura 1.11 Impureza de boro en un material tipo p.

Ntese que ahora hay un nmero insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la red recin formada. La vacante que resulta se denomina hueco y se presenta por medio de un pequeo crculo o signo positivo, debido a la ausencia de carga negativa. Puesto que la vacante resultante aceptar de inmediato un electrn "libre"; Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia reciben el nombre de tomos acepto res. El material tipo p resultante es elctricamente del material tipo n. neutro, por las mismas razones que las

Electrn contra efecto hueco

El efecto de un hueco en la conduccin se muestra en la figura 1.12. Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su enlace covalante y llenar la vacante creada por un hueco, se crear una vacante o hueco en el enlace covalente que liber a ese electrn. En consecuencia, hay una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como se muestra en la figura 1.12. La direccin que se emplear en este libro es la que corresponde al flujo convencional, la cual se indica mediante la direccin del flujo de huecos .

flujo de hueco . flujo de electrones

Figura

1.12 Flujo de electrones contra flujo de huecos.

1.5 Materiales extrnsecos tipo n y p

Portadores

mayoritario

y minoritario

"En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en el Ge o el Si se debe slo a aquellos pocos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energa de fuentes trmicas o luminosas para romper el enlace covalente o las pocas impurezas que podran no haberse eliminado. Las vacantes que se quedan atrs en la estructura del enlace covalente representan nuestro muy limitado suministro de huecos. En un material tipo n, el nmero de huecos no ha cambiado de manera significativa a partir de este nivel intrnseco. El resultado neto por lo tanto, es que el nmero de electrones excede en demasa al nmero de huecos. Por esta razn: En un material tipo n (figura l.l3a) el electrn se denomina portador mayoritario y el hueco, portador minoritario. Para el material tipo p, el nmero de huecos supera ampliamente al nmero de electrones, como se muestra en la figura 1.13b. Por lo tanto: En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn es el portador minoritario. Cuando el quinto electrn de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a esto se debe el signo positivo en la representacin ion donador. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion aceptor. Los materiales tipo n y tipo p representan los bloques constitutivos fundamentales de los dispositivos semiconductores. Encontraremos despus en la siguiente seccin que la unin de un material tipo n con uno tipo p producir un elemento semiconductor de importancia considerable en los sistemas electrnicos.

lones donadores

lones aceptores

+.

Portadores mayoritarios

Tipo n

Portador minoritario

Portadores mayoritarios Portador minoritario

Tipop

Figura

1.13 (a) material tipo n; (b) material tipo p.

1.6 DIODO SEMI CONDUCTOR

Antes, en este captulo, se presentaron los materiales tipo n y tipo p. El diodo semiconductor se forma uniendo simplemente estos materiales (construidos a partir del mismo material base, Ge o Si), como se ilustra en la figura 1.14, empleando tcnicas que se describirn en el captulo 20. En el momento en que dos materiales se "unen", los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinarn, dando como resultado una carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de regin de agotamiento por la ausencia de portadores en la misma. Puesto que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales implica una de tres posibilidades: no hay polarizacin (VD = O V), polarizacin directa (VD> O V) Y polarizacin inversa (VD < O V). Cada una es la condicin que se obtendr en una respuesta que el usuario deber comprender claramente si desea que el dispositivo sea aplicado con efectividad.

10

Captulo 1 Diodos semiconductores

Regin de agotamiento

++ + e + e + - ++ Ef}:> + e - e -- ++ - 'G+ -+ + + e + + + -- ++ () -- ++ (i) + +e e ++ Ef} + - --- + + le + +e -- ++

'-------y-------' \
P =OmA n
Y

~
,

-Ef} - ~+
i ... "__

.,.:;;

- -

Ef}

ID=OmA

'--

--0+

VD=OV
(sin polarizacin)

_O_~----Il

Figura 1.14 Uninp-n sin polarizacin

externa.

Sin polarizacin aplicada (VD = OV)

En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentran dentro de la regin de agotamiento' pasarn directamente al material tipo p. Cuanto ms' Cerca de-:li) unin se encuentren los portadores minoritarios, mayor ser la atraccin para la capa de iones negativos y menor la oposicin de los iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo n. Para propsitos de anlisis futuros, supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la regin de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarn directamente hacia el material tipo p. Un anlisis similar puede aplicarse a los portadores minoritarios (electrones) del material tipo p. Este flujo de portadores se ha indicado en la figura 1.14 para los portadores minoritarios de cada material. Los portadores mayoritarios (electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n, as como la capa de iones negativos en el material tipo p, para emigrar hacia el rea ms all de la regin de agotamiento del material tipo p. Sin embargo, el nmero de portadores mayoritarios es tan 'grande en el material tipo n que invariablemente habr un pequeo nmero de portadores mayoritarios con suficiente energa cintica para pasar a travs de la regin de agotamiento y llegar al material tipo p. De nuevo, el mismo tipo de anlisis puede aplicarse a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante debido a los portadores mayoritarios se muestra tambin en la figura 1.14. Un examen detallado de la figura 1.14 revelar que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier direccin es cero. Esta cancelacin de vectores se ha indicado mediante lneas cruzadas. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se ha dibujado ms grande que la del flujo de electrones para demostrar que, la magnitud de cada uno de ellos no necesita ser igual para que se cancelen y para indicar que los niveles de dopado correspondientes a cada material pueden dar como resultado un flujo diferente de huecos y electrones. Por lo tanto, en resumen: En ausencia de un voltaje de polatizacin aplicado, el flujo neto de carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.
1.6 Diodo semiconductor

11

VD=OV O)---.~II---O

El smbolo para un diodo se repite en la figura 1.15 con las regiones tipo p Y tipo n asociadas. Ntese que la flecha se asocia con el componente tipo p Y la barra con la regin tipo n. Como ya se indic, para VD = O V, la corriente en cualquier direccin es O mA.

~
ID=OrnA

Condicin de polarizacin inversa (VD < OV)

Si un potencial externo de V volts se aplica en la unin p-n de manera tal que la terminal positiva est conectada al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p. como se muestra en la figura 1.16, el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo n aumentar debido al mayor nmero de electrones "libres" arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares, el nmero de iones negativos descubiertos se incrementar en el material tipo p. El efecto neto, en consecuencia, es un ensanchamiento de la regin de agotamiento. Dicho ensanchamiento de la regin de agotamiento establecer una barrera demasiado grande como para que los portadores mayoritarios puedan superarla, reduciendo efectivamente el flujo de los mismos a cero como se muestra en la figura 1.16.

Figura 1.15 Condiciones de polarizacin negativa para un diodo semiconductor.

..

Flujo de portadores 1mayorteros

minoritarios

I,

=O

8+ +---+++ B:> -8 ---+++- +<) +8+ ---++++8 ---+++<) + + + ----+++ ~-

h:-

'----v-----"
Regin de agotamiento

Figura 1.16 Unin p-n polarizada inversarnente.

Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, lo que ocasiona vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud indicada en la figura 1.14 sin voltaje aplicado. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa y se representa con el smbolo 1S" La corriente de saturacin inversa es rara vez mayor de unos cuantos microamperes, excepto para dispositivos de alta potencia. De hecho, en aos recientes su nivel est tpicamente en el intervalo de los nanoamperes, para dispositivos de silicio y en el de algunos microamperes para los de germanio. El trmino saturacin proviene del hecho que alcanza su mximo nivel en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, como se muestra en las caractersticas del diodo de ia figura 1.19 para VD < O V. Las condiciones de polarizacin inversa se representan en la figura 1.17 para el smbolo del diodo y la unin p-n. Ntese, en particular, que la direccin de Is va en contra de la flecha del smbolo. Advirtase tambin que el potencial negativo se conecta al material tipo J2 Y el potencial positivo, al material tipo n (la diferencia en las letras subrayadas para cada regin revela una condicin de polarizacin inversa).

VD O>----II~.--t "-ls

Condicin de polarizacin directa (VD> OV)

(Opuesta)

Una condicin de polarizacin directa o de encendido se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al material tipo n, como se indica en la figura 1.18. Por lo tanto, para referencias futuras: Un diodo semiconductor est polarizado directamente cuando se ha establecido la asociacin entre tipo p y positivo. as como entre tipo n y negativo.
Captulo 1 Diodos semiconductores

Figura 1.17 Condiciones de polarizacin inversa para un diodo semiconductor,

12

Regin de agotamiento

Figura 1.18 Unin p-n directamente

polarizada.

La aplicacin de un potencial de polarizacin directa VD "presionar" a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p, para recombinar con los iones cerca de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento, como se muestra en la figura 1.18. El flujo resultante de portadores minoritarios de los electrones del material tipo p hacia el material tipo n (y los huecos del material tipo n al material tipo p), no cambia de magnitud (ya que el nivel de conduccin se controla principalmente por el nmero limitado de impurezas en el material), pero la reduccin en la anchura de la regin de agotamiento resulta en un denso flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin. Un electrn del material tipo n ahora "ve" una barrera reducida en la unin, debida a la

lo (mA)

----It-

.. -- --- - -- ----1 --- ~~

I
---o..

~------ - --[---j---[--t-----j
1 :
1

.. ------\-----++-;

f-+-+-f--!--I-+--+I--t

18'

--- 171-j-I

f-+-+--+--+--.....,I--+--+- 16

11-"---i

---- - --j-----------~

....--1...._ .. 1-..--

f-+-+--+--+~1--+--+-~15,+-~:1--+--+--+-'-+~-r-+-~-+~-I--+--+--+--+I-"

-----

.. --------------1"-

;---r-I
f-- ..

-------1----

------!
1 1 i

I 1 1-+-+--j--+-+--f~r_t12+-_f__j_-r_r-+-+--f~~r_

__------rl--..__"--T! ._ I i
.L L.____

I
1_

---------------1---

---

11

r-- ---1----- ..-- ------L---r--- __

~~~e~~~;!: f~~~~~~ Vo

: 1./ 1--+--+--+--+~-r-+,1--1-7+--f-r-+-+--+~-1--1-H/r-t1

f-+-+--f--!---1-+-+-~10 . 1 -1 __ 9 ! ................ -- .-- --.. - -.. .. . .8 _ ..__ .tI ..- - ..- ..- --)- ..-f---+-+--I--+-+-+l--i'--+-6

--

_! -----..-- ~
(VO

lo

Regin de polarizacin directa

------- ----.---~-- -- --"-1- -5'---1--'

--1--+--+-+-+-+:-1-3
--..
o

.-- j

--

+t: ---r1

> OY, lo> O mA).-t--t---t--t-j-----

1--

r--- -

--j--1

--2

--+--f-- --- ..---1

I
--e-

-1---------!

-,->--i,

1-+--+--+--+1'+-+--i1-+-1 s

..,",..........

....-4~0.....-...;3~0-+ ....;-2~0....p._-""'1O~_q-o-t--.:...'-;-Q.3 I 0.5 0.7 0.1)lA l'---l f-+-+--+--+~-r-+,-I--+_ 0.2~ ! I No polarizacin

Rergin de polarizacin inversa

+1

--i-t-+-+-f--!----i
--I---!---

1--+-+-+-+--+--+--+-+-+--

(Vo<OY'/o=-ls)

.. __

0.3 ~A--<Yf1-=lq-'(+!.1=Qt~-~---+----9.4 i'1 I 'i I I

1

r
1

-t
I

l --

Figura 1.19 Caractersticas

del diodo semi conductor de silicio.

1.6 Diodo semiconductor

13

reduccin en la regin de agotamiento y a una fuerte atraccin por el potencial positivo aplicado al material tipo p. Como la polarizacin aplicada se incrementa en magnitud, la regin de agotamiento continuar disminuyendo su anchura hasta que un desbordamiento de electrones pueda pasar a travs de la unin, resultando un incremento exponencial en la corriente, como se ilustra en la regin de polarizacin directa de las caractersticas en la figura 1.19. Ntese que la escala vertical de la figura 1.19 est graduada en miliamperes (aunque algunos diodos semiconductores tendrn una escala vertical graduada en amperes) y la escala horizontal en la regin de polarizacin directa tiene un mximo de 1 V. Por consiguiente, el voltaje a travs de un diodo polarizado en forma directa ser comnmente menor que 1 V. Advirtase tambin la rapidez con que la corriente asciende despus de la rodilla de la curva. Puede demostrarse mediante el uso de la fsica del estado slido que las caractersticas generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente ecuacin para las regiones de polarizacin directa e inversa:

(l.4) donde Is = corriente de saturacin inversa k = 11,600/11 con 11 = 1 para el Ge y 11 = 2 para el Si, para niveles relativamente bajos de corriente de diodo (en o bajo la rodilla de la curva) Y 11 = 1 tanto para el Ge como para el Si, para niveles altos de corriente de diodo (en la seccin de ascenso rpido de la curva) TK= Tc+273' Un grfico de la ecuacin (l.4) se presenta en la figura 1.19. Si desarrollamos la ecuacin (1.4) en la forma siguiente, el componente que contribuye a cada regin de la figura 1.19 puede describirse fcilmente: ID = IsivdTK_

t,

Para valores positivos de VD el primer trmino de la ecuacin anterior crecer muy rpidamente y sobrepasar el efecto del segundo trmino. El resultado es que para valores positivos de VD' ID ser positivo y creciente, como la funcin y = eX que ap~rece en la figura 1.20. Con VD = O V, la ecuacin (l.4) se transforma en ID = Is (eO- 1) - = Is (1 - 1) = O mA, como aparece en la figura 1.19. Para valores negativos de VD el primer trmino disminuir rpidamente respecto de Is' resultando en ID = - Is' lo cual es simplemente la lnea horizontal de la figura 1.19. La transicin en las caractersticas en el punto VD = O V se debe sencillamente al dramtico cambio en la escala de mA a J.l.A. Es importante observar el cambio en la escala de los ejes vertical y horizontal. Para valores positivos de ID la escala est en miliamperes y la escala de corriente bajo el eje est en microamperes (o posiblemente en nanoamperes). Para VD la escala de valores positivos se establece en dcimas de volts y para valores negativos, en decenas de volts. Al principio, la ecuacin (l.4) parece algo compleja y puede provocar, un temor injustificado de que se aplicar en todas las futuras aplicaciones del diodo. Sin embargo, afortunadamente en una seccin posterior se har cierto nmero de aproximaciones que eliminarn la necesidad de aplicar la ecuacin (1.4) y proporcionarn una solucin con un mnimo de dificultad matemtica. Antes de abandonar el tema del estado de polarizacin directa, las condiciones para conduccin (el estado "activo") se repiten en la figura 1.21 con las polarizaciones requeridas y la direccin resultante del flujo de portadores mayoritarios. Ntese en particular cI110la direccin de conduccin coincide con la flecha de smbolo (como se mostr para el diodo ideal).

123

Figura 1.20 Grfico de ex.

vo o>----I~M-------<O
~/D

~ +~(Semejante)

Regin Zener
Aun cuando la escala de la figura 1.19 est en decenas de volts en la regin negativa, existe un punto donde la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar como resultado un brusco cambio en las caractersticas, como se muestra en la figura 1.22. La corriente se incrementa en una proporcin muy rpida en direccin opuesta a la de la
Captulo 1 Diodos semiconductores

Figura 1.21 Condiciones de polarizacin directa para el diodo semiconductor.

14

Vz

/ I I I \
\

\ I I I

-,

/ ---

Regin Zener

Figura 1.22 Regin Zener.

regin de voltaje positivo. El potencial de polarizacin inversa que resulta de este dramtico cambio en las caractersticas se denomina potencial Zener y se le asigna el smbolo Vz. Al mismo tiempo que el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios responsable de la corriente de saturacin inversa Is tambin se incrementa. A la larga, sus velocidades y la energa cintica asociada (W K = mv2) sern suficientes para liberar portadores aclicionales mediante colisiones con estructuras atmicas de otro modo estables. Esto es, resultar un proceso de ionizacin por medio del que los electrones de valencia absorbern energa suficiente para dejar al tomo padre. Estos portadores adicionales pueden as ayudar al proceso de ionizacin, hasta el punto en que se establezca una elevada corriente de avalancha y se determine la regin de rompimiento de avalancha. La regin de avalancha (V z) puede trasladarse muy cerca del eje vertical incrementando los niveles de dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin embargo, as como Vz decrece a niveles muy bajos, tanto como -5 V, otro mecanismo, llamado rompimiento Zener, contribuir al agudo cambio en la caracterstica. Esto ocurre debido a que existe un intenso campo elctrico en la regin de la unin que puede romper las fuerzas de enlace dentro del tomo y "generar" portadores. Aunque el mecanismo de rompimiento Zener slo es un contribuyente significativo a niveles menores de Vz' este agudo cambio en la caracterstica a cualquier nivel se conoce como regin Zener, y aquellos diodos que emplean esta nica parte de la caracterstica de una unin p-n se denominan diodos Zener. Estos se describen con detalle en la seccin 1.14. La regin Zener del diodo semi conductor descrito debe evitarse si la respuesta de un sistema no va a ser alterada completamente por el brusco cambio en las caractersticas de esta regin de voltaje de polarizacin inversa. El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina voltaje pico inverso (o simplemente VPI nominal).

Si una aplicacin requiere de un VPI nominal mayor que el de una sola unidad, varios diodos de las mismas caractersticas pueden conectarse en serie. Los diodo s tambin se conectan en paralelo para aumentar la capacidad conductora de corriente.

Silicio versus germanio

Los diodos de silicio tienen, en general, valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodo s de germanio. El VPI nominal para el silicio puede encontrarse en la vecindad de 1000 V, en tanto que el valor mximo para el germanio es cercano a 400 V. El silicio puede emplearse para aplicaciones en las que es posible que la temperatura aumente a cerca de 200C (400F), en tanto que el germanio presenta un valor nominal mximo ms bajo (l00C). No obstante, la desventaja del silicio, en comparacin con el germanio, como se indica en la figura 1.23, es el voltaje de polarizacin directa mayor que se requiere para alcanzar la
1.6 Diodo semiconductor

15

ID (mA) 30

25
Ge Si

20

15

10

5 I, (Si)

= O.OiIlA = 10 nA
Vz (Ge) ~

Vz (Si) ~

Si

,Ge

Figura 1.23 Comparacin de diodos semi conductores de Si y Ge.

regin de conduccin elevada. Su valor es por lo general del orden de 0.7 V para los diodos de silicio comerciales y de 0.3 V para los de germanio, cuando se redondea a las dcimas ms cercanas. El valor mayor para el silicio se debe principalmente al factor TI en la ecuacin (1.4). Este factor desempea slo una parte en la determinacin de la forma de la curva a niveles de corriente muy bajos. Una vez que la curva inicia su aumento vertical, el factor TI desciende a 1 (el valor continuo para el germanio). Esto se observa por las similitudes en las curvas despus de que el voltaje de diodo se alcanza. El potencial al cual ocurre este aumento se denomina comnmente voltaje de diodo, de umbral o potencial de encendido. Con frecuencia, la primera letra de un trmino que describe una cantidad particular se usa en la notacin para esa cantidad. Sin embargo, para evitar al mnimo las confusiones con trminos como el voltaje de salida (Vo) y el voltaje directo (VF) se ha adoptado en este libro la notacin VTde la palabra "threshold" (umbral en ingls). En sntesis: VT= 0.7 (S) VT=0.3 (Ge) Es obvio que, cuanto ms cerca se encuentre la conduccin elevada del eje vertical, el dispositivo ser ms "ideal". Sin embargo, el resto de las caractersticas del silicio comparadas con las del germanio son la causa de que el primero se siga eligiendo en la mayor parte de las unidades comerciales.

-:tF

Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo serniconductor de silicio, como lo demuestra un tpico diodo de silicio en la figura 1.24. Se ha encontrado experimentalmente que: La corriente de saturacin inversa Js aumentar cerca del doble en magnitud por cada JOoe de incremento en la temperatura.

16

Captulo 1 Diodos semi conductores

ID(mA) (392'F) 200T

' __ '~H" __ H"'~H

12

--1-----

(-IOTF) lOO'C 25"C -75T

10

:
l. I

: , ,
: ,
-t---

t-JI I
:

---i-:_ (Punto de ebullicin del agua)

6
4--------1
(V) 2 5? 4? ... 30 I I

: rt ,
I

H~--~
(Temperatura

~.

ambiente)

H"H"'_" '

6f
___ --._

......................

20 I

10 I

.-t' /? ....
-1 -2 -3 0.7

" //J / /

.
1

- ..
liIIIIiIIIII

__

..----~------------...; _____ J

1.5

VD (V)

:
I I I I I I

I I I

,
~) Figura 1.24 Variacin de las caractersticas del diodo con el cambio de temperatura.

No es raro para un diodo de germanio con una Is del orden de 1 02 I.lA a 25C, tener una corriente de fuga de 100 .LA= 0.1 mA a una temperatura de 100C. Niveles de corriente de esta magnitud en la regin de polarizacin inversa podran ciertamente cuestionar nuestra deseada condicin de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa. Los valores tpicos de Is para el silicio son mucho menores que el correspondiente al germanio para potencia y niveles de corriente similares, como se muestra en la figura 1.23. El resultado es que, aun a altas temperaturas, los niveles de Is para diodo s de silicio no alcanzan los mismos altos niveles obtenidos para el germanio, una muy importante razn por la que los dispositivos de silicio gozan de un nivel significativamente mayor de desarrollo y empleo en diseos. Fundamentalmente, el equivalente de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa se logra mejor a cualquier temperatura con silicio que con germanio. Los niveles incrementados de Is con la temperatura dan razn de los muy bajos niveles del voltaje de umbral, como se muestra en la figura 1.24. Simplemente incremente el nivel de Is en la ecuacin (1.4) y note el precoz ascenso en la corriente del diodo. Por supuesto el nivel de TK tambin se incrementar en la misma ecuacin, pero el nivel incrementado de Isprodominar sobre el pequeo cambio porcentual en TK. A medida que la temperatura aumenta, las caractersticas directas efectivamente se aproximan ms a lo "ideal"; pero cuando revisemos las hojas de especificaciones encontraremos que ms all del intervalo normal de operacin la temperatura puede tener un efecto muy perjudicial en los niveles mximos de potencia y corriente del diodo. En la regin de polarizacin inversa, el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pero advierta el indeseable incremento en la corriente de saturacin inversa.

1.7 NIVELES DE RESISTENCIA

A medida que el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la resistencia del diodo cambiar debido a la forma no lineal de la curva caracterstica. Se demostrar en los prrafos siguientes que el tipo de sealo voltaje aplicados definir el nivel de resistencia de inters. Se presentarn tres diferentes niveles en esta seccin que aparecern de nuevo cuando examinemos otros dispositivos. Por consiguiente, es de suma importancia que su determinacin se comprenda con toda claridad.
1.7 Niveles de resistencia

17

Resistencia de cd o esttica
La aplicacin de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor resultar en un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no cambiar con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacin se puede hallar sencillamente encontrando los niveles correspondientes de VD e ID' como se muestra en la figura 1.25, y aplicando la ecuacin siguiente: (1.5)

Los niveles de resistencia de cd en la rodilla de la curva y abajo de la rodilla sern ms grandes que los niveles obtenidos para la seccin de ascenso vertical de las caractersticas. Los niveles de resistencia en la regin de polarizacin inversa naturalmente sern ms altos. Puesto que los ohmmetros (multmetros) por lo regular emplean una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia determinada estar en el nivel de corriente preestablecido (en general, de algunos miliamperes).
lo (mA)

____

...,0

Vo(V)

Figura 1.25 Determinacin de la resistencia de cd de un diodo a un punto particular de operacin.

EJEMPLO 1.1

Determine los niveles de resistencia de cd para el diodo de la figura 1.26 a (a) ID = 2 mA (b) ID = 20mA (e) VD=-lOV
lo (mA) 30

Silicio

20

10

-IOV

2 0.8 Vo (V)

Figura

1.26 Ejemplo 1.1.

o 0.5 -4-----1-1~A
Solucin (a) Para ID

= 2 mA,

VD

= 0.5

V (de la curva) y

RD = VD = 0.5 V = 250
ID 2mA

18

Captulo 1 Diodos semiconductores

(b) Para ID

= 20 mA,

VD

= 0.8 V (de la curva)

R D

VD ID

0.8 V 20mA

= 40 n

(e) Para VD

= -10

V.JD

= -Is = -1
R D

.lA (de la curva) y VD ID

10 V 1 .lA

= 10 M n
comentarios con respecto a los

10 que respalda claramente algunos de los anteriores niveles de resistencia de cd para un diodo.

Resistencia de ea o dinmica
Resulta obvio de la ecuacin 1.5 y del ejemplo 1.1 que la resistencia de cd de un diodo es independiente de la forma de la caracterstica en la regin en torno al punto de inters. Si se aplica una entrada senoidal en vez de una entrada de cd, la situacin cambiar por completo. La entrada variable mover hacia arriba y abajo el punto de operacin instantneamente en alguna regin de la caracterstica y definir un cambio especfico en la corriente y el voltaje como se muestra en la figura 1.27. Si no se aplica una seal variable, el punto de operacin sera el punto Q que aparece en la figura 1.27 determinado por los niveles de cd aplicados. La designacin del punto Q (punto de operacin) se desprende de la palabra quiesciente, que significa "permanencia de nivel invariable" (de reposo).

Caractersticas

del diodo

Lnea tangente

, Punto Q , (operacin

de cd)

Figura 1.27 Definicin de la resistencia dinmica o resistencia de ea.

Una lnea recta tangente a la curva que pasa a travs. del punto Q definir un cambio particular en voltaje y corriente que puede emplearse para determinar la resistencia de ea o dinmica para esta regin de las caractersticas del diodo. Drbe procurarse conservar el cambio de voltaje y corriente lo menos posible, as como mantenerlo equidistante de cualquier lado del punto Q. En forma de ecuacin,

[rd=~Vd Md

donde ~ significa un cambio finito en la cantidad.

(1.6)

Cuanto mayor sea la inclinacion de la pendiente, menores sern los valores de ~ Vd para el mismo cambio en Md y menor la resistencia. La resistencia de ea en la regin de aumento vertical de la caracterstica es, por ello, bastante pequea, en tanto que la resistencia de ea es mucho ms elevada a niveles de corriente bajos.
1.7

Figura 1.28 Determinacin de la resistencia de ca en el punto Q.

Niveles de resistencia

19

EJEMPLO 1.2

Para las caractersticas de la figura 1.29: (a) Determine la resistencia de ea para ID = 2 mA. (b) Determine la resistencia de ea para ID = 25 mA. (e) Compare los resultados de los incisos (a) y (b) con las resistencias nivel de corriente.
ID (mA)

de cd para cada

30

-------------------------

25

-------------------

!:;'Id

20

------------------------,

,, ,

,,
15

10

5
4 2

o
Figura 1.29 Ejemplo 1.2.

Solucin
(a) Para ID = 2 mA; la lnea tangente a ID = 2 mA se dibuj como se muestra en la figura, y se escogi un intervalo de 2 mA arriba y abajo de la corriente especificada del diodo. Para ID = 4 mA, VD = 0.76 V Y para ID = O mA, VD = 0.65 V. Los cambios resultantes en corriente y voltaje son fd = 4 mA - O mA
y y la resistencia de ea:

= 4 mA

LlV

= 0.76 V - 0.65 V = 0.11 V

(b) Para ID = 25 mA; la lnea tangente a ID = 25 mA se dibuj como se muestra en la figura, y se escogi un intervalo de 5 mA arriba y abajo de la corriente especificada del diodo. Para ID = 30 mA, VD = 0.8 V Y para ID = 20 mA, VD = 0.78 V. Los cambios que resultan en corriente y voltaje son fd = 30 mA - 20 mA = lOmA
y y la resistencia de ea:

LlV d = 0.8 V - 0.78 V = 0.02 V

20

Captulo 1 Diodos semiconductores

(e) ParaID=2mA,

VD=0.7Vy R
D

= VD = 0.7V ID 2mA

=3500

la cual excede con mucho la r d de 27.5 O. Para ID = 25 mA, VD = 0.79 V Y

R
D

= VD = 0.79 V =31.620 ID 25 mA

lo cual excede fcilmente la rd de 2 O.

Hemos encontrado la resistencia dinmica en forma grfica, pero existe definicin bsica en clculo diferencial que establece: La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la tangente trazada en ese punto.

una

La ecuacin (1.6), de acuerdo a como se define en la figura 1.28, corresponde en esencia a encontrar la derivada de la funcin en el punto de operacin Q. Si encontramos la derivada de la ecuacin general [ecuacin (l.4)] para el diodo semiconductor con respecto a la: polarizacin directa aplicada y despus invertimos el resultado, tendremos una ecuacin para la resistencia dinmica o de ea en esa regin. Esto es, tomando la deri va de la ecuacin (l.4) con respecto a la polarizacin aplicada, el resultado ser

;'D
Y

(ID) = :V[Is<ekV/h

1)]

-= -(ID dVD TK

dlD

+1

5)

siguiendo unas cuantas manipulaciones bsicas de clculo diferencial. En general, en la seccin de la tangente vertical de las caractersticas ID ~ t, Y

Sustituyendo 11 = 1 para el Ge y el Si en la seccin caractersticas, obtenemos k = 11,600 = 11,600 = 11 600 ry 1 ' y a temperatura ambiente, TK = Te por lo que k TK
y

de aumento

vertical

de las

2730 = 250

2730 = 2980

-'11,600 ----== 38. 9 3

298

dID = 38.931 dVD D

Invirtiendo el resultado para definir una relacin de la resistencia (R = VIl) obtenemos dVD dID o bien,

=-;;26mV

0.026

rd=

ID

I
Ge,Si
1.7 Niveles de resistencia

21

El significado de la ecuacin (1.7) debe entenderse de manera clara. Implica que la resistencia dinmica puede encontrarse mediante la simple sustitucin del valor del punto de operacin de la corriente de diodo en la ecuacin. No hay necesidad de disponer de la caracterstica o de equivocarse dibujando lneas tangentes segn se definen con la ecuacin (1.6). Sin embargo, es importante recordar que la ecuacin (1.7) slo es precisa para valores de ID que se encuentran en la seccin ascendente vertical de la curva. Para valores menores de ID' TI = 2 (silicio) y el valor obtenido de rd debe multiplicarse por un factor de 2. Para valores pequeos de ID bajo la rodilla de la curva, la ecuacin (1.7) puede ser inapropiada. Todos los niveles de resistencia determinados as se han definido por la unin p-n y no incluyen la resistencia del propio material semiconductor (denominada resistencia del cuerpo) ni la resistencia introducida por la conexin entre el material semiconductory el conductor metlico externo (denominada resistencia de contacto). Estos niveles adicionales de resistencia pueden incluirse en la ecuacin (1.7) agregando la resistencia nombrada rB' como aparece en la ecuacin (1.8). Por consiguiente, la resistencia r'd, incluye la resistencia dinmica definida por la ecuacin 1.7 Y la resistencia rB recin introducida.
rd=

26mV ---+rB ID

ohms

(1.8)

El factor rB puede fluctuar desde un valor tpico de 0.10 para dispositivos de alta potencia hasta 2 O para algunos diodos de baja potencia y propsitos generales. Para el ejemplo 1.2 se calcul una resistencia de ea igual a 2 O, a 25 mA. Utilizando la ecuacin (1.7), obtenemos r = 26 mV = 26 mV = 1.04 O d ID 25 mA La diferencia de cerca de 1 O podra considerarse la contribucin de r B. Para el ejemplo 1.2 se calcul una resistencia de ea igual a 27.5 O, a 2 mA. Empleando la ecuacin (1.7), pero multiplicando por un factor de 2 para esta regin (en la rodilla de la curva II = 2).
rd

= 2(

26

ID

mv)

=2 2

(26

mA

mv)

= 2(13

fl)

= 26

La diferencia de 1.5 O podra considerarse la contribucin debida a rB. En realidad, la determinacin de rd con un alto grado de precisin a partir de una curva de caractersticas empleando la ecuacin (1.6) es un proceso difcil de lograr y los resultados tienen que considerarse con cautela. A bajos niveles de corriente de diodo, el factor rB es por lo regular suficientemente pequeo en comparacin con rd, para permitirse ignorar su impacto en la resistencia de ea del diodo. Para altos niveles de corriente, el nivel de rB puede aproximarse al de rd' pero ya que con frecuencia habr otros elementos resistivos de mucho mayor magnitud en serie con el diodo, supondremos en este libro que la resistencia de ea se determina nicamente por rd y el impacto de rB se ignorar, a menos que se especifique lo contrario. Los adelantos tecnolgicos de los ltimos aos sugieren que el nivel de "e continuar disminuyendo en magnitud y que con el tiempo llegar a ser un factor que podr ser despreciado en comparacin con rd. La discusin anterior ha girado nicamente en torno a la regin de polarizacin directa. En la regin de polarizacin inversa, supondremos que el cambio en la corriente a lo largo de la lnea de Is es nulo desde los O V hasta la regin Zener y que la resistencia de ea resultante usando la ecuacin (1.6) es suficientemente alta para permitir la aproximacin de circuito abierto.

Resistencia de ea promedio
Si la seal de entrada es lo suficientemente grande como para producir la excursin indicada en la figura 1.30, la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se

22

Captulo 1 Diodos semi conductores

ID (mA) 20

15

tJ.1"

10

Figura 1.30 Determinacin

indicados.

de la resistencia promedio de ea entre los lmites

denomina resistencia establecen (obsrvese

resistencia promedio de ea. La resistencia promedio de ea es, por definicin, la determinada por una lnea recta dibujada entra las dos intersecciones que los valores mximo y mnimo del voltaje de entrada. En forma de ecuacin la figura 1.30) r =-av

zv,
Md

I
pto. apto.

(1.9)

Para la situacin indicada en la figura 1.30,

Md= 17mA-2mA=
y

15mA

ilVd = 0.725 V - 0.65 V = 0.075 V = 0.075 V =5n 15mA

con

Si la resistencia de ea (r d) se determinara a ID = 2 mA, su valor sera mayor que 5 n, y si lo fuera a 17 mA, sera menor. El intervalo la resistencia de ea hara la transicin desde el valor alto de 2 mA hasta el valor bajo de 17 mA. La ecuacin (1.9) ha definido un valor que se considera el promedio de los valores de ea de 2 a 17 mA. El hecho de que un nivel de resistencia pueda usarse para tan amplio intervalo de las caractersticas, demostrar absolutamente su utilidad en la definicin de los circuitos equivalentes para un diodo en una seccin posterior.

Tabla de resumen
La tabla 1.2 se desarroll para reforzar las conclusiones importantes de estas ltimas pginas y para enfatizar la diferencia entre los distintos niveles de resistencia. Como se indic con anterioridad, el contenido de esta seccin es el fundamento para varios clculos de resistencia que se realizarn en secciones y captulos posteriores.
1.7 Niveles de resistencia

23

TABLA 1.2 Niveles de resistencia

Tipo Ecuacin Caractersticas especiales Determinacin grfica

de cd

o
esttica

Definida como un punto sobre las caractersticas

deca o dinmica

Definida por una lnea tangente en el punto Q

de ea promedio

rav=~1
d

pto. a pta.

Definida por una lnea recta entre los lmites de operacin

1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO

Un circuito equivalente es una combinacin de elementos escogidos de manera adecuada para representar de la mejor forma las caractersticas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar en una regin particular de operacin. En otras palabras, una vez que el circuito equivalente est definido, el smbolo del dispositivo puede eliminarse de un diagrama e insertarse el circuito equivalente en su lugar sin que se afecte de modo considerable el comportamiento real del sistema. El resultado es con frecuencia una red que puede resolverse mediante el uso de las tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos.

Circuito equivalente de segmentos lineales

Una tcnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar la caracterstica del dispositivo mediante segmentos lineales, como se ilustra en la figural.3l. Este tipo de circuito equivalente recibe el nombre de circuito equivalente de segmentos lineales. Debe resultar evidente a partir de cada curva que los segmentos lineales no dan como resultado una exacta duplicacin de las caractersticas reales, en especial en la regin de la rodilla de la curva. Sin embargo, los segmentos resultantes estn lo suficientemente cercanos a la curva real como para establecer un circuito equivalente que proporcione una excelente primera aproximacin al comportamiento real del dispositivo. Para la seccin de la pendiente en la equivalencia corresponde la resistencia promedio de ea que tal, como se present en la seccin 1.7 es el nivel de resistencia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1.32, en seguida del dispositivo real. En esencia, define el nivel de resistencia del dispositivo cuando se encuentra en el estado "activo". El diodo ideal se incluye para establecer que slo hay una direccin de conduccin a travs del dispositivo, y que una condicin de polarizacin inversa resultar en el estado de circuito abierto para el dispositivo. Puesto que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el

24

Captulo 1 Diodos semiconductores

ID (mA)

VD

(V)

Figura 1.31 Definicin del modelo de segmentos lineales del diodo empleando segmentos lineales para aproximar la curva de caractersticas.

+ + ~
ID
Figura 1.32 Componentes

VD
diodo ideal

VD

~ ~
ID
lineales del diodo.

del modelo de segmentos

estado de conduccin hasta VD alcanza el valor de 0.7 V con una polarizacin directa (como se muestra en la figura 1.31), una batera VT opuesta a la direccin de conduccin debe aparecer en el circuito equivalente como se ilustra en la figura 1.32. La batera simplemente especfica que el voltaje a travs del dispositivo debe ser mayor que el voltaje de umbral representado por la batera, antes de que se establezca la conduccin a travs del dispositivo en la direccin dictada por el 'diodo ideal. Cuando se establece la conduccin, la resistencia del diodo tendr el valor especificado por rayo Sin embargo, tngase en cuenta que VT en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente. Si se coloca un voltmetro en paralelo con un diodo aislado sobre un banco del laboratorio, ninguna lectura de 0.7 V se podr obtener. La batera representa nicamente el desplazamiento horizontal de las caractersticas que debe excederse para que se establezca la conduccin. El nivel aproximado de ray puede determinarse generalmente a partir de un punto de operacin especifico de la hoja de especificaciones (que se explicar en la seccin 1.9). Por ejemplo, para un diodo semiconductor de silicio, si 1 F = 10 mA (una corriente de conduccin directa para el diodo) a VD 0.8 V, sabemos que para el silicio se requiere de un cambio de 0.7 V antes del ascenso de las caractersticas y

rav

~Vd

I
pto. apto.

~ld .

0.8 V - 0.7 V = 0.1 V = 10 n 10mA-OmA lOmA

como se obtuvo de la figura 1.30.

Circuito equivalente simplificado

Para la mayor parte de las aplicaciones, como para ignorarse si se compara con del circuito equivalente es lo mismo aparezca como se muestra en la figura la resistencia rayes lo suficientemente pequea otros elementos de la red. La eliminacin de ray que considerar que la caracterstica del diodo 1.33. Desde luego, esta aproximacin se emplea
1.8 Circuitos equivalentes del diodo

25

+
o.
IO

VD
VT=O.7V
11-1

--I"M------<o
~

Diodo ideal

Figura

1.33 Circuito equivalente

simplificado

para el diodo semi conductor de silicio.

con frecuencia en el anlisis de circuitos semiconductores, como se demuestra en el captulo 2. El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura. En ella se establece que un diodo de silicio con polarizacin directa en un sistema electrnico en condiciones de cd tiene una cada de 0.7 V a travs de l en el estado de conduccin sin que importe cul es la corriente del diodo (dentro de los valores !l0minales, por supuesto).

Circuito equivalente ideal

Ahora que Tav se ha eliminado del circuito equivalente, tomemos un paso adicional para establecer que un nivel de 0.7 V con frecuencia puede ser ignorado en comparacin con el nivel de voltaje aplicado. En este caso, el circuito equivalente se reducir al de un diodo ideal cmo se muestra en la figura 1.34 con sus caractersticas. En el captulo 2 veremos que esta aproximacin se hace con frecuencia sin ninguna importante prdida de exactitud. En la industria, un sustituto popular para la frase "circuito equivalente del diodo" es modelo del diodo, modelo que, por definicin, es una representacin de un dispositivo, objeto, sistema, etc., existente. De hecho, esta terminologa sustituta se emplear casi en forma exclusiva en los captulos siguientes.

;o

0>----1-., __----

-----<0

Diodo ideal

Figura

1.34 Diodo ideal y sus caractersticas.

Tabla de resumen
Por claridad, en la tabla 1.3 se proporcionan los modelos de diodo utilizados para el mbito de los parmetros de circuitos y aplicaciones, con sus caractersticas de segmentos lineales. Cada uno se investigar en mayor detalle en el captulo 2. Siempre hay excepciones a la regla general, pero es francamente seguro decir que el modelo equivalente simplificado se emplear con suma frecuencia en el anlisis de sistemas electrnicos, mientras que el diodo ideal se aplica comnmente en el anlisis de sistemas de suministro de energa donde se encuentran mayores voltajes.

26

Captulo 1 Diodos semi conductores

TABLA 1.3 Circuitos equivalentes del diodo (modelo)

Tipo Condiciones Modelo Caractersticas

Modelo de segmentos lineales

0-1~
VT
Diodo ideal

Modelo simplificado

Rred

r;
VT
Diodo ideal

Dispositivo ideal

o---~+-I ----<o
Diodo ideal

1.9 HOJAS DE ESPECIFICACION

DEL DIODO

Los datos relativos a dispositivos semiconductores especficos se proporcionan normalmente por el fabricante en una de dos formas. Con mucha frecuencia, es una descripcin muy breve limitada quizs a una pgina. Por otra parte, es un examen completo de las caractersticas utilizando grficas, ilustraciones, tablas y otros medios. Sin embargo, en cualquier caso, existen secciones especficas de datos que deben incluirse para el uso correcto del dispositivo. Estas secciones incluyen: I. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas). 2. La mxima corriente directa IF (a una temperatura e.specificada). 3. La corriente de saturacin inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados). 4. El voltaje inverso nominal [VPI o V(BR), donde BR viene del trmino en ingls "breakdown" ("rompimiento") (a una temperatura especificada)]. 5. El mximo nivel de disipacin de potencia a una temperatura particular. 6. Los niveles de capacitancia (como-se definen en la seccin 1.10). 7. El tiempo inverso de recuperacin en sentido inverso trr (como se define en la seccin 1.11). 8. El intervalo de temperatura de operacin. Dependiendo del tipo de diodo que se est considerando, es posible que tambin se proporcionen datos adicionales, como el rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo de conmutacin, los niveles de resistencia trmica y los valores pico repetitivos. Para la aplicacin que se tiene en mente, la importancia de los datos casi siempre ser evidente por s misma. Si la potencia mxima o el valor nominal de disipacin se proporciona tambin, se entiende que ser igual al siguiente producto:

(1.10) donde ID Y VD son la corriente particular. y el voltaje del diodo en un punto de operacin

1.9 Hojas de especificacin del diodo

27

Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacin particular (un caso comn), podemos sustituir VD = VT= 0.7 V para un diodo de silicio en la ecuacin (1.10) y determinar la disipacin de potencia resultante por comparacin contra la mxima potencia nominal. Esto es,

IP

'palla

=(0.7 V)ID

(1.11)

TECNOLOGIA PLANAR SILICIO DIF1JNDIDO

A -

BV _ 125 V (MiN) BV _. 200 V (MIN) VALORES

@ @

100 IJ (BA Y73) 100M mA129) MAXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1) -6SC a + 2ooC + 17SC + 260C " soo-ew 3.33mWrC
ESQUEMA DEL 00-35

NOMINALES

Temperaturas Intervalo de temperatura de aJ:Oiacenamiento Temperatura mxima de operacin de la unin Tem~ratura d~ las terminales Disipacin de potencia (Nota 2) Disipacin de potencia total mxima a temperatura ambiente (2SC) Factor lineal de degradacin de potencia (apartir de25"q Voltaje y corriente VIT mximos Voltaje inverso de trabajo

I~
~

MIN (25.40)

rl 1
1.-

0.180(4.57) 40 (356)

BAY73 BAl23 Corriente rectificada promedio 200 roA lo Corriente.en sentido directo continua Ip if Corriente pico repetitiva en sentido directo Pico de sobrecorriente en sentido directo if(sobrecorriente) Ancho de pulso = l s Ancho de pulso = l us

100 V 180V 5oo.mA 600mA

0021(0533) 0019(0483)

lA

-Ur

0075(1.91) ---OlA 0060(152)

1.0 A 4.0A

NOTAS: Terminales deacerorevestidas de cobre.estalladas

Se disponen tenninales con revestimiento de oro

Encapsulado devidriosellado hermtticamente Elpesodelacpsula esde0.14g

CARACI'ERISTICAS SIMBOLO

ELECI'RICAS

(Temperatura MIN Q.8S 0.81 0.78 0.69 0.67 0.60

ambiente de 25'C a menos que se seale lo contrario) BAY73 MAX 1..00_ 1.. 0.94 0.88 0.80 0.75 0,8.
500

CARACTERISTICAS
Voltaje en sentido directo

BAl29 MIN 0.78 0.69 0.60 0.51 MAX 1.00 0.83 0.71 0.60

VF-

UNIDA CONDICIONES DEPRUEBA DES

V V

V V V
V

F G
IRCorriente en sentido inverso

V nA nA J.I.A nA J.I.A V pF
,po

IF = 100mA IF =50mA IF = lOmA IF =5.0mA l. =1.0mA l. =0.1 mA VR =20V, TA= 12S'C Vo=IOOV Vo=lOOV.TA= 12S'C Vo=ISOV Vo= ISOV.TA= lOO'C lo = lOOJ.I.A V.=O,f-1.0MHz Ip = 10mA.Vr=3SV Rt.= 1.0a 100k.O CL = 10pP.JAN 2S6
-

IF =200mA

5.0 1.0

200

-lO 5.0 6.0

H 1

VR C-

Voliaje.de ruptura
Capacitancia
Tiempo de recuperacin en sentido inverso

125
8.0
1-

tu -'--

J&

NOTA: 1. Estos valores 'nominales son valores lnite por encima de los cuales el diodo puede deteriorarse. enestadoestable. Debeconsultarse ala fbricaparaaplicaciones queimpliquen pulsosu operaciones debajociclodetrabajo. 2. Estossonlfmites

Figura 1.35 Caractersticas elctricas de los diodos Fairchild BA Y73 BA 129 de alto voltaje y bajas fugas. (Cortesa de Fairchld Camera and Instrument Corporation.)

28

Captulo

1 Diodos semiconductores

En las figuras 1.35 y 1.36 aparece una copia exacta de los datos proporcionados por la Fairchild Camera y la Instrument Corporation para los diodos BA Y73 Y BA 129 de alto voltaje/fugas bajas. Este ejemplo representara la lista ampliada de datos y caractersticas. El trmino rectificador se aplica a un diodo cuando se usa con frecuencia en un proceso de rectificacin que se describir en el captulo 2. CURVAS DE CARACTERISTICAS ELECTRICAS TIPICAS a temperatura ambiente de 25C a menos que se seale otra cosa
VOLTAJE EN SENTIDO DIRECTO VERSUS CORRlEN TE EN SENTIDO DIRECTO CORRIENTE EN SENTIDO DIRECTO VERSUS COEFICIENTE DE TEMPERATURA CAPACITANCIA VERSUS VOLTAJE EN SENTIDO INVERSO

~
o
1

lOOOr---~--~--.---.---~

~
o ti o
1

~ :a
';:J

'"c:
c:

5oo~~~~~~ ~ lool----+----I~~--+-,-~r__+--~ :a

6.0

1
11

\. - \._~=~
\. 4
o;)

1;l

10 1.0~~~~~
1---

.-----f--

-11----- ----

'" '''c:
1;l
c:

10 1.0

--J----- ... ..... x?

--."\. -----\

<;p -1--,1'--t---

... o.
1

5.0 4.0

'

'" .

u 1\
......

!l

" c:
1

!l
<IJ

'S

" c:
E
1

.~

3.0 \ 2.0 1.0

.M __

i
1

c5
1 U

8
~
0.10

- - +---1-0.01 l...-_'---L-'---_'--_'------.J
0.2
VF-

~~==_ -===/:c ==. =t====

0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
Voltaje en sentido directo - volts

8 -"-

0.1---------0.01
1

1'-'\ O 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

de temperatura - mVOC

==-==.~==f::::.....::=:==~:::.::: =,=

----

---\---1\---

-... ""'"
.t--

1---

4.0

8.0

12

16

cr - Coeficiente

VR - Voltaje en sentido inverso - volts IMPEDENCIA DINAMICA VERSUS CORRIENTE iN SENTIDO DIRECTO
1

..:
e 1

VOLTAJE EN SENTIDO INVERSO VERSUS CORRIENTE EN SENTIDO INVERSO

CORRIENTE EN SENTIDO INVERSO VERSUS TEMPERATURA AMBIENTE 5K

I-VR

e > " .s
-e
';:J

1.0
TA

= 25'C
1

0.5 0.2 0.1

,
lo-""!' 1

....

125V ,

100 10 1.0

f.0

lK 100 10 1.0 0.1

1 i 1
1 .J'

1;l

c:
c:

.....-

~ :a
./
';:J

" '" E
<IJ

I
I

'" c:
c:
<IJ

Ij ~ I~-t -~
1.~

1I

f= 1 kHz lac =O.ldc I I

,
1/

1;l

'" !l
c:

I&<; . :r~p I~ 1"'\ 1'1 1'1

8
1

E 0.05 f-

1/

'E

-!' 0.02

JL

8 ~
1

0.1

~
1010 1.0 10 100 IK IOK
RD - Impedancia dinmica -

25
VR
-

50

75

100

125

25

50

75

100 125 150

Voltaje en sentido inverso - volts

T. - Temperatura

ambiente _ C

CURVA DE DEGRADACION DEPOTENCJA

CORRIENTE RECTIFICADA PROMEWDIO y CORRIENTE EN SENTIDO DIRECTO VERSUS TEMPERATURA AMBIENTE

~
E
'O

500 400

\.

i '\
\.
'\

'" .~ :a 300
-e
d

'

<IJ

'

Q..

" " e o
1

200 100

\.
\.1

I
I

-c
E

s c:
<IJ

'E

i\.

i i

O O 25 50 75 100 125 150175200

T. - Temperatura
ambiente -oC

'\l

50 75 100 125150 175200

T.- Temperatura
ambiente _ C

Figura 1.36 Caractersticas terminales de los diodos de alto voltaje Fairchild BA Y 73 BA 129. (Cortesa de Fairchild Camera and Instruments Corporation.)

1.9 Hojas de especificaci6n del diodo

29

Determinadas zonas de la hoja de especificaciones se han resaltado en sombreado con una letra de identificacin correspondiente a la siguiente descripcin: A: Los mnimos voltajes de 'polarizacin inversa (VPIs) para cada diodo a una corriente de saturacin inversa especfica. B: Las caractersticas de temperatura que se indican. Ntese el uso de la escala Celsius y el amplio intervalo de empleo [recurdese que 32F = OC = estado de congelacin del H20 y que 212F = 100C = estado de ebullicin del H20]. C: Mximo nivel de disipacin de potencia P D = VDI D = 500 m W. La potencia mxima nominal decrece a una proporcin de 3.33 mW por cada grado de incremento sobre la temperatura ambiente (25C), como se indica claramente en la curva de degradacin de potencia de la figura 1.36. D: La mxima corriente continua en sentido directo IF = 500 mA (obsrvese la grfica de IF contra temperatura en la figura 1.36). mx. E: F: G: Intervalo de valores de VF a una IF = 200 mA. Advirtase que se excede el valor de VT= 0.7 V para ambos dispositivos. Intervalo de valores de V F a una I F = l.0 mA. Ntese en este caso cmo los lmites superiores estn alrededor de 0.7 V. Para VR = 20 V Y a una temperatura tpica de operacin, IR = 500 nA mientras que a un voltaje inverso mayor IR decae a 5 nA = 0.005 lA.

= 0.5

lA,

H: El nivel de capacitancia entre terminales es de cerca de 8 pF para el diodo BA Y73 a VR = VD = O V (sin polarizacin) y a una frecuencia aplicada de 1 MHz. 1: El tiempo de recuperacin en sentido inverso es de 3 de operacin.

us en la lista de condiciones

Algunas de las curvas de la figura 1.36 emplean una escala logartmica. Un breve examen de la seccin 11.2 ayudara a la lectura de las grficas. Obsrvese en la parte superior izquierda de la figura cmo VF se incrementa desde cerca de 0.5 V hasta poco ms de 1 V a medida que IF se incrementa desde 10 lA hasta 100 mA. En la figura inferior encontramos que la corriente de saturacin inversa cambia levemente con los niveles de aumento de VR, pero se mantiene a menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta VR = 125 V. Sin embargo, como se observa en la figura siguiente, advirtase la rapidez con que la corriente de saturacin inversa aumenta con el incremento de la temperatura (como se predijo con anterioridad). En la parte superior derecha de la figura se puede observar cmo la capacitancia decrece conforme-se incrementa el voltaje de polarizacin inversa, y ntese en la figura inferior que la resistencia de ea (rd) est apenas sobre 1 n a 100 mA y se incrementa hasta 100 n para una corriente menor de 1 mA (como se esperaba de la exposicin de secciones anteriores). La corriente rectificada promedio, la corriente pico repetitiva en sentido directo y el pico de sobrecorriente en sentido directo como aparecen en la hoja de especificaciones se definen como sigue: l. Corriente rectificada promedio. Una seal rectificada de media onda (descrita en la seccin 2.5) tiene un valor promedio definido por lav = 0.318 Ipico' El valor nominal de la corriente es ms bajo que la corriente continua en sentido directo debido a que la forma de onda de la corriente de media onda tendr valores instantneos mucho ms altos que el valor promedio. Corriente pico repetitiva en sentido directo. Este es el valor mximo instantneo de la corriente repetitiva en sentido directo. Ntese que, debido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo, su nivel puede ser mayor que el continuo. Pico de sobrecorriente en sentido directo. Durante el encendido, fallas, etc., existirn corrientes muy elevadas a travs del dispositivo por intervalos de tiempo muy breves (que no son repetitivos). Este valor nominal define el valor mximo de intervalo de tiempo para tales niveles de sobrecorriente.

2.

3.

30

Captulo 1 Diodos semiconduclores

Cuanto ms se revisen las hojas de especificaciones, tanto ms "familiares" llegarn a ser, especialmente cuando el impacto de cada parmetro se comprenda con toda claridad para la aplicacin que se est investigando.

1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICION y DE DIFUSION

Los dispositivos electrnicos son inherentemente sensibles a frecuencias muy elevadas. La mayor parte de los efectos capacitivos en paralelo que pueden ignorarse a frecuencias muy bajas debido a que la reactancia Xc = 1121tfC es muy grande (equivalente de circuito abierto), no pueden despreciarse a muy altas frecuencias. Xc se volver bastante pequeo debido al alto valor de f para introducir una trayectoria de baja reactancia. En el diodo semiconductor p-n, son dos los efectos capacitivos que tienen que considerarse. Ambos tipos de capacitancia se presentan en las regiones de polarizacin directa e inversa, pero uno importa ms que el otro en cada regin, por 10 que en cada una de ellas consideraremos slo los efectos de uno de esos tipos. En la regin de polarizacin inversa tenemos la capacitancia de la regin de agotamiento (CT), en tanto que en la de polarizacin directa tenemos la capacitancia de difusin (CD) o almacenamiento. Recurdese que la ecuacin bsica para la capacitancia de un capacitor de placas paralelas est definida por C = fAld, donde e es la permitividad del dielctrico (aislador) entre las placas de rea A separadas por la distancia d. En la regin de polarizacin inversa hay una regin de agotamiento (libre de portadores) que en esencia se comporta como un aislador entre las capas de carga opuesta. Puesto que la regin de agotamiento aumentar con el incremento del potencial de polarizacin inversa, la capacitancia de transicin resultante disminuir, como se ilustra en la figura 1.37. El hecho de que la capacitancia sea dependiente del potencial aplicado de polarizacin' inversa tiene aplicaciones en diversos sistemas electrnicos. De hecho, en el captulo 20 se presentar un diodo cuya operacin depende por completo de este fenmeno. Aunque el efecto que acabamos de describir se presentar tambin en la regin de polarizacin directa, se hace despreciable ante el efecto de la capacitancia dependiente en forma directa de la velocidad a la cual se inyecta la carga en las regiones justo afuera de la de agotamiento. En otras palabras, depende directamente de la corriente que resulta en el diodo. Los niveles crecientes de corriente originarn niveles ms altos de la capacitancia de difusin. Sin embargo, el aumento de los niveles de corriente produce niveles reducidos de la resistencia asociada (lo que se demostrar ms adelante), y la constante de tiempo que se establece ('l: = RC), la cual es muy importante en' las aplicaciones de alta velocidad, no se vuelve excesiva.

C(pF)

,----,-----,-----,-----r---15r-------,---.,---,

..l..~

... _.... _..... -:

............................................................................ . ... __ .t101 1" v:

inversa (Cl)

1+Polarizacin

f-------j-.---+-----..-----+----

r----4----_t-----+-----+----5 / r----~----_t-----r---~-------~-~J'~---4---------."
_._ __. __ .. L. (V) -25 -20

-----~/,-+---------1

-15

-10

--

.... Polarizacin

directa (CJ))

-5

0.25

0.5

Figura 1.37 Capacitancia

un diodo de silicio.

de transicin y de difusin versus la polarizacin

aplicada para

1.10 Capacitancia de transicin y de difusin

31

Los efectos capacitivos que acabamos de describir se representan mediante un capacitor en paralelo con uri diodo ideal, como se muestra en la figura 1.38. No obstante, para aplicaciones de baja o media frecuencia (excepto en el rea de potencia el capacitor suele no incluirse en el smbolo del diodo.

Figura 1.38 Inclusindel efectode la

capacitancia de transicino de difusin sobreel diodosemiconductor.

1.11 TIEMPO DE RECUPERACION

EN SENTIDO INVERSO

Hay ciertos datos que por lo general se incluyen en las hojas de especificaciones del diodo que proporcionan los fabricantes. Una de tales cantidades que an no se ha considerado es el tiempo de recuperacin en sentido inverso, denotado por t.; En el estado de polarizacin directa se demostr al principio que hay un gran nmero de electrones provenientes del material tipo n que avanzan a travs del material de tipo p y de huecos en el tipo n (un requerimiento para la conduccin). Los electrones en el tipo p y los huecos que avanzan en el material tipo n establecen un gran nmero de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado debe invertirse para establecer una situacin de polarizacin inversa, idealmente quisiramos observar que el diodo cambia en forma instantnea del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo, debido a un nmero considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo simplemen-te se invertir como se muestra en la figura 1.39 y permanecer en este nivel mensurable durante el periodo ts (tiempo de almacenamiento) requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. En esencia, el diodo permanecer en el estado de corto circuito con una corriente [inversadeterminada por los parmetros de la red. A la larga, cuando haya pasado esta fase de almacenamiento, la corriente reducir su nivel hasta el que se asocia con el estado de no conduccin. Este segundo periodo de tiempo se representa mediante t, (intervalo de transicin). El tiempo de recuperacin en sentido inverso es la suma de estos' dos intervalos: t.; = ts + tI. Naturalmente, representa una consideracin importante en las aplicaciones de interrupcin de alta velocidad. La mayor parte de los diodos de interrupcin comerciales tienen un t.; dentro del intervalo que va de unos cuantos nanosegundos hasta 1 J..Ls. Sin embargo, se encuentran unidades con un t.; de slo unos cuantos cientos de picosegundos (10-12).

directa

Cambio de estado (conduccin requerido a t = tI / tI Respuesta deseada

--7

corte)

Figura 1.39 Definicindeltiempode

recuperacin inverso.

1.12 NOTACION DEL DIODO SEMICONDUCTOR

La notacin que se emplea con mayor frecuencia para los diodos semiconductores se presenta en la figura 1.40. Para la mayor parte de los diodos, alguna marca como un punto o una banda, segn se ilustra en la figura 1.40, aparece en el extremo del ctodo. La terminologa nodo y ctodo es un rezago de la notacin del tubo de vaco. El nodo se refiere al potencial ms alto o positivo y el ctodo a la terminal de menor valor o negativa. Esta combinacin de niveles de polarizacin dar como resultado una polarizacin directa o condicin de "encendido" para el diodo. Algunos diodos semiconductores disponibles comercialmente aparecen en la figura 1.41. Diversos detalles de la construccin real de estos dispositivos se proporcionan en los captulos 12 y 20.

32

Captulo 1 Diodos semiconductores

./ o,K,etc.

Figura

1.40 Notacin del diodo semieonduetor.

(a)

(b)

(e)
Figura 1.41 Diversos tipos de diodos de unin. [(a) Cortesa de Motorola Ine.; (b) y (e) Cortesa de International Reetifier Corporation.]

1.13 PRUEBA DE DIODO S

La condicin de un diodo semiconductor puede determinarse rpidamente mediante el empleo de 1) un multmetro digital (MMD) con una funcin de verificacin de diodos, 2) el multmetro en su modalidad de medidor de resistencias (ohmimetrot.o 3) un trazador de curvas.

Funcin de verificacin de diodos

Un multmetro digital con capacidad para verificar diodos se muestra en la figura 1.42. Obsrvese el pequeo smbolo del diodo final de la seccin inferior del disco selector. Cuando se coloca en esta posicin y se hacen las conexiones como se ilustra en la figura 1.43a, el diodo deber estar en el estado "activo" y la pantalla proporcionar una indicacin del voltaje de polarizacin directa como, por ejemplo, de 0.67 V (para el Si). El multmetro tiene una fuente interna de corriente constante (cerca de 2 mA) que definir el nivel de voltaje, corno se indica en la figura 1.43b. Una indicacin de OL con la conexin de la figura 1.43a, revelan un diodo abierto (defectuoso). Si la colocacin de las puntas de prueba se invirtiera, resultara una indicacin de OL, debido a la esperada equivalencia de circuito abierto para el diodo. Por lo tanto, en general, una indicacin de OL en ambas direcciones es una indicacin de un diodo abierto o defectuoso.
1.13 Prueba de diodos

33

Figura 1.42 Multmetro digital con capacidad para verificacin de diodos. (Cortesa de Computronics Technology, Inc.) ID (mA)

Punta rOja! (VQ)

2f----.

o
(a)

0.67 V Figura 1.43 Verificacin de un diodo en el estado de polarizacin directa.

(b)

Prueba de la resistencia (ohmmetro)

En la seccin 1.7 encontramos que la resistencia de polarizacin directa de un diodo semiconductor es bastante baja en comparacin con el nivel de polarizacin inversa. Por consiguiente, si medimos la resistencia de un diodo aplicando las conexiones indicadas en la figura 1.44a, podemos esperar un nivel relativamente bajo. La indicacin resultante en un ohmmetro ser una funcin de la corriente establecida a travs del diodo por la batera interna (por lo general de 1.5 V) del circuito del multmetro. Cuanto ms alta sea la corriente, tanto menor ser el nivel de la resistencia. Para la situacin de polarizacin inversa, la lectura sera bastante alta, requirindose una mayor escala de resistencia en el medidor, como se ilustra en la figura 1.44b. Una lectura alta de resistencia en ambas direcciones indica, obviamente, una condicin abierta (de dispositivo defectuoso), mientras que una lectura de muy baja resistencia en ambas direcciones probablemente sealar un dispositivo en corto.

(Ohrnimetro)

R relativa baja
Punta roja (VQ)

!
.,
(a) R relativa alta

Punta negra

(COM)

Punta negra

(COM)

(b)

Puntaroja (VQl

Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede exhibir las caractersticas de un gran nmero de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. Mediante las conexiones adecuadas del diodo al tablero de prueba en la parte central inferior de la unidad y ajustando los controles, se puede obtener la pantalla simulada de la figura 1.46. Observe que la escala vertical es de 1 mAldiv, resultando en los niveles indicados. Para la escala
Captulo 1 Diodos semi conductores

Figura 1.44 Verificacin con el ohmmetro.

de un diodo

34

Figura 1.45 Trazador de curvas. (Cortesa de Tektronix, Jnc.)

Vertical

lOmA 9mA 8mA 7mA 6mA SmA 4mA 3mA 2mA ImA OmA OV

por divisin 1 mA

Horizontal por divisin 100

mV

IJ

I
po
Bm por divisin

V
O.IV O.2V O.3V OAV O.5V O.6V O.7V O.8V O.9V 1.0V '----'

Figura 1.46 Respuesta del trazador de curvas al diodo de silicio.

horizontal la escala es de 100 mV/div, resultando en los niveles sealados de voltaje. Para un nivel de 2 mA como se defini para un MMD, el voltaje resultante estara alrededor de 625 mV = 0.625 V. Aunque inicialmente el instrumento parece bastante complejo, el manual de instrucciones y unos cuantos momentos de estudio mostrarn que pueden obtenerse generalmente los resultados deseados sin excesiva cantidad de tiempo y esfuerzo. Este mismo instrumento aparecer en ms de una ocasin en los captulos subsiguientes a medida que investiguemos las caractersticas de diversos dispositivos.
Vz

1.14 DIODOS ZENER

La regin Zener de la figura 1.47 se trat con algn detalle en la seccin 1.6. Las caractersticas descienden de manera casi vertical al potencial de polarizacin inversa denominado Vz. El hecho de que la curva decaiga tan bajo y lejos del eje horizontal en lugar de hacerlo en direcin opuesta hacia la regin positiva de VD' revela que la corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente.
1.14 Diodos Zener

Figura Zener.

1.47 Revisin de la regin

35

(a)

(b)

Figura 1.48 Direccin de conduccin:

(a) diodo Zener; (b) diodo semiconductor.

(a)

(b)

Figura 1.49 Circuito equivalente

Zener: (a) completo; (b) aproximado.

Esta regin de caractersticas nicas se emplea en el diseo de diodos Zener los cuales se representan con el smbolo grfico que aparece en la figura 1.48a. Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan uno al lado del otro en la figura 1.48, para asegurar que la direccin de conduccin de cada uno se comprende con claridad junto con la polaridad requerida del voltaje aplicado. Para el diodo semi conductor, el estado "activo" o de "encendido" mantendr una corriente en la direccin de la flecha del smbolo. Para el diodo Zener, la direccin de conduccin es opuesta a la de la flecha en el smbolo, como se seal en la introduccin de esta seccin. Ntese tambin que la polaridad de VD Y Vz es la misma que se obtendra si cada uno fuera un elemento resistivo. La ubicacin de la regin Zener puede controlarse variando los niveles de dopado. Un incremento en el dopado que produce un aumento en el nmero de impurezas agregadas, disminuir el potencial Zener. Los diodos Zener se obtienen con potenciales Zener de 1.8 a 200 V Y valores nominales de potencia de 1/4 a 50 W. Debido a su ms alta temperatura y a su capacidad de corriente, suele preferirse el silicio en la fabricacin de los diodos Zener. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regin del mismo nombre incluye una pequea resistencia dinmica y una batera de cd igual al potencial Zener, como se ilustra en la figura 1.49. Sin embargo, en todas las aplicaciones que siguen deberemos suponer, como una primera aproximacin, que los resistores externos tienen una magnitud mucho mayor que la del resistor equivalente Zener y que el circuito equivalente es simplemente el que se indica en la figura 1.49b. En la figura 1.50 se presenta un dibujo ampliado de la regin Zener para permitir la descripcin de los datos del fabricante del diodo Zener de la tabla 1.4 correspondientes al diodo IN961, Fairchild, de 500-mW, 20%.
lz

Vz

r,mA=I~
I zt = 12.5 mA

k---------------< ............. r d = 8.5 Q = ZZT

1---------------i/ZM=32mA

Figura 1.50 Caractersticas diodo Zener bajo prueba (Fairchild IN96 1).

del

TABLA 1.4 Caractersticas

elctricas (temperatura

ambiente de 25C, a menos que se seale lo contrario)

Voltaje Zener nominal Tipo Jedec Vz (V) 10

Corriente de prueba Izr (mA) 12.5

Impedancia dinmica mx., Zzra lzr (n) 8.5

Impedancia en la rodilla Zener mxima ZZKaIZK (mA) (n) 700 0.25

Corriente inversa mxima,

Voltaje de prueba

Corriente de reguLador mxima, VR (V) 7.2

12M

Coeficiente de temperatura tpico, (%/"C) +0.072

IRa VR
(JJA)

(mA) 32

IN961

10

36

Captulo 1 Diodos semiconductores

El trmino "nominal" asociado con Vz indica que se trata de un valor promedio tpico. Puesto que ste es un diodo al 20%, es posible esperar que el potencial Zener vare entre 10 V 20% o de 8 a 12 V en su gama de aplicacin. Se dispone tambin de diodos al 10 y 5% con las mismas especificaciones. La corriente de prueba Izr es la corriente definida por el nivel de 1/4 de potencia y Zzr es la impedancia dinmica para este nivel de corriente. La mxima impedancia en la rodilla Zener se presenta en la corriente de rodilla Zener IzK' La corriente de saturacin inversa se proporciona a un nivel de potencial particular e l ZM es la corriente mxima para la unidad de 20%. El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en Vz con la temperatura. Se define mediante la ecuacin T .;1Vz
Vz{T1
-

x 100%
To)

e-

(1.12)

donde ;1Vz es el cambio resultante en el potencial Zener debido a la variacin de temperatura. Ntese en la figura 1.51a que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo o incluso cero para diferentes niveles Zener. Un .valor positivo reflejara un aumento en Vz con un aumento en la temperatura, en tanto que un valor negativo causara una disminucin con el aumento de temperatura. Los niveles de 24-V, 6.8-V y 3.6-V se refieren a los tres diodos Zener que tienen estos valores nominales dentro de la misma familia de Zener, como el IN961. La curva correspondiente al Zener IN961 de 10-V estara naturalmente entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V Y 24-V. Regresando a la ecuacin (1.12), To es la temperatura a la cual se proporciona Vz (normalmente la temperatura ambiente, 25C) y T] es el nuevo nive1. El ejemplo 1.3 demuestra el empleo de la ecuacin (1.12).
Coeficiente de temperatura versus corriente Zener Impedancia dinmica versus corriente Zener

.......

I 'i i 0.10.2 0.5 Iz - Corriente Zener (a)

OlA

6. 8iV'r-,
1 2 5 lO 20 50 100

Iz - Corriente Zener - mA (b)

Figura 1.51 Caractersticas

elctricas de un diodo Zener Fairchild de 500-mW. (Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

Determine el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild IN961 de la tabla l.4, a una temperatura ambiente de 100C. Solucin: De la ecuacin 1.12,

EJEMPLO

1.3

1.14 Diodos Zener

37

Al sustituir por los valores de la tabla 1.4 obtenemos L\V = (0.072)(10 V) (1000C _ 250C) z 100 = (0.0072)(75) =0.54 V y debido al coeficiente mediante V'z, es de temperatura positivo, el nuevo potencial Zener, definido

V'z = Vz + 0.54 V = 10.54 V La variacin de la impedancia dinmica (fundamentalmente, su resistencia en serie) con la corriente, aparece en la figura 1.51b. Tambin en este caso, el Zener de 10-V aparece entre los Zener de 6.8 V Y 24-V. Ntese que, cuanto ms intensa sea la corriente (o cuanto ms elevado sea el aumento vertical al que nos encontremos en la figura 1.47), menor ser el valor de la resistencia. Obsrvese tambin que, conforme descendemos por abajo de la rodilla Zener de la curva, la resistencia aumenta a niveles importantes. La identificacin de terminales y el encapsulado de una diversidad de diodos Zener se presenta en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografa de varios dispositivos Zener. Ntese que su apariencia es muy similar a la del diodo semiconductor. Algunas reas de aplicacin correspondientes al diodo Zener se examinarn en el captulo 2.

Figura 1.52 Identificacin de terminales y smbolos del diodo Zener.

Figura 1_53 Diodos Zener. (Cortesa de Siemans Corporation.)

1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

El incremento en el uso de las pantallas digitales en calculadoras, relojes y todas las formas de instrumentacin, ha contribuido al vasto inters actual en las estructuras que emiten luz cuando son adecuadamente polarizadas. Los dos tipos de uso comn en la actualidad que realizan esta funcin, son el diodo emisor de luz (LED, por sus iniciales en ingls) y la pantalla de cristal lquido (LCD). Debido a que el LED cae dentro de la . familia de los dispositivos de unin p-n que aparecern en algunas de las redes de circuitos de los prximos captulos, se introducir en este apartado. La pantalla de LCD se describe en el captulo 20.

38

Captulo

Diodos

semiconductores

El diodo emisor de luz (LED) es, como su nombre lo indica, un diodo que producir luz visible cuando se encuentre energizado. En cualquier unin p-n polarizada directamente, dentro de la estructura y cerca principalmente de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones p-n de semiconductor una parte de esta energa se convertir en calor y otro tanto en la forma de fotones. En el silicio y el germanio, el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o el fosfuro de galio (GaP), el nmero de fotones de la energa luminosa emitida es suficiente para crear una fuente luminosa muy visible. El proceso de produccin de luz aplicando una fuente de energa elctrica se denomina electroluminiscencia. Como se muestra en la figura 1.54, la superficie conductora conectada al material p es mucho menor para permitir que sobresalga un nmero mximo de fotones de energa luminosa. Ntese en la figura que la recombinacin de los portadores inyectados debidos a la unin polarizada directamente. da como resultado la emisin de luz en el sitio de la recombinacin. Desde luego, es posible que haya algo de absorcin de los paquetes de energa fotnica en la propia estructura, pero un porcentaje bastante elevado es capaz de abandonarla, como se muestra en la figura.
Luz visible emitida

+ o0-----1. ~ ---0 ~
(-)

r-ff

ID

VD (b)

(+) 0------411
Contacto metlico / Contacto metlico (a)

Figura 1.54 (a) Proceso de electroluminiscencia en el LED; (b) smbolo grfico.

El aspecto y las caractersticas de una lmpara subminiatura de estado slido y alta eficiencia fabricada por Hewlett-Packard se presenta en la figura 1.55. Ntese que la mxima corriente directa es de 20 mA con 10 mA como nivel tpico de operacin, como se indica en la ltima columna, designada Condiciones de prueba. El nivel de VD bajo las condiciones de polarizacin directa se lista como VF y se extiende desde 2.2 hasta 3 V. En otras palabras, uno puede esperar una corriente tpica de operacin de alrededor de 10 mA a 2.5 V para una buena emisin de luz. Dos cantidades an no definidas aparecen bajo el encabezado caractersticas elctrico/pticas a TA = 25C. Estas son la intensidad luminosa axial (Iv) y la eficiencia luminosa (Tlv). La intensidad luminosa se mide en candelas. Una candela emite un flujo luminoso de 4 1t lumens y establece una iluminacin de 1 pie-candela sobre un rea de l-pie? a l pie desde la fuente luminosa. Aun cuando esta descripcin puede no proporcionar una comprensin clara de la candela como una unidad de medida, su nivel puede ciertamente compararse entre dispositivos similares. Por definicin, el trmino eficiencia es una medida de la capacidad de un dispositivo para producir un efecto deseado. Para el LED esto corresponde a la proporcin del nmero de lumens generado por watt aplicado de energa elctrica. La eficiencia relativa se define mediante la intensidad luminosa por unidad de corriente, como se muestra en la figura 1.55g. La intensidad relativa de cada color contra longitud de onda aparece en la figura 1.55d. Como el LED es un dispositivo de unin p-n, tendr una caracterstica de polarizacin directa (figura 1.55e) similar a las curvas de respuesta del diodo. Ntese el aumento casi lineal en la intensidad luminosa relativa con la corriente en sentido directo (figura 1.55f).
1.15 Diodos emisores de luz (LED)

39

La figura 1.55h revela que, cuanto mayor sea la duracin del pulso a una frecuencia particular, tanto menor ser la corriente pico permitida (despus de que se pasa el valor de corte de tp)' La figura 1.55i revela simplemente que la intensidad es mayor a 0 (o de frente) y que el valor ms bajo ocurre a 90 (cuando se observa el dispositivo desde un lado). Valores nominales mximos absolutos a TA

= 25C
Rojo de alta eficiencia 4160 120 20[1) 60 - 55"C a lOO'C Unidades

Parmetro Disipacin de potencia Corriente en sentido directo promedio Corriente mxima en sentido directo Rango de temperatura de operacin y almacenamiento Temperatura para el soldado de las terminales [1.6. mm (0.063 in.) desde el cuerpo) [1) Degradacin (al a partir de 50'C a 0.2 mA/'C

mW mA mA

230'C durante 3 segundos

(b)

Caractersticas

elctrico/pticas

a TA

= 25C
Tipo 3.0 80 Mx. Unidades mcd grados Nota l Condiciones de prueba 1F=IOmA

Rojo de alta eficiencia 4160 Smbolo Descripcin Mn. 1.0

t,
291/2

~ico

A.

"s
C
eje

Intensidad luminosa aldal Angulo incluido entre puntos medios de intensidad luminosa Longitud de onda mxima Longitud de onda dominante Velocidad de respuesta Capacitancia Resistencia trmica

635 628 90 11 120

nm nm ns pF 'CfW

Medicin en el pico Nota 2 VF= O;f= l Mhz De la unin a la terminal del ctodo a 0.79 mm (.031 in.) desde el cuerpo IF= lOmA, IR=IOO~ Nota 3

VF BVR
11v

Voltaje en sentido directo Voltaje de ruptura inverso Eficiencia luminosa

2.2 5.0 147

3.0

V V ImfW

NOTAS: lo 9 en el ngulo fuera del eje al cual la intensidad luminosa es la mitad de la intensidad luminosa axia!. 112 2. La longitud de onda dominante J...d' se obtiene del diagrama de cromaticidad CTf. y representa la nica longitud de onda que define el color del positivo. 3. La intensidad radiante le' en watts/esterradianes, puede encontrarse a partir de la ecuacin le= Iv l11v' donde Iv es la intensidad luminosa en candelas y 11v es la eficiencia luminosa en lumens/watt.

(c)

Figura 1.55 Lmpara roja subminiatura de estado slido de alta eficiencia de Hewlett-Packard: (a) aspecto; (b) valores nominales mximos absolutos; (e) caractersticas elctrico-pticas; (d) intensidad relativa versus longitud de onda; (e) corriente en sentido directo versus voltaj.e en sentido directo; (f) intensidad luminosa relativa versus corriente en sentido directo; (g) eficiencia relativa versus corriente pico; (h) corriente pico mxima versus duracin del pulso; (i) intensidad luminosa relativa versus desplazamiento angular. (Cortesa de Hewlett-Packard Corporation.)

40

Captulo 1 Diodos semiconductores

1.0
Verde > '" .", '" 'E
.;; e

GaAsProjo Rojo de alta eficiencia

" " "

0.5 -

.E

~
O 500

550

600

650

700

750

Longitud de onda - nro

Figura 1.55 (d)

3.0

TA = 2YC-i--+---I

1.6 1.5
1.4

._----

....
"

--

2.0 J---+--t---hI"'----I 10J---+-+--+-4,~---~

5I--t----t--I--I}I- --+---l

1/ I

1.3 1.2 1.1 1.0 0.9

0.8

v
I I

1.0I---+-~.r_--+---I

-30 40 50 60

O~~-~~~~~'---~
VF
-

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

Corriente en sentido directo - V 1F
-

10

0.7 0.6 15 20

10 20

Corriente en sentido directo - rnA/

1mb. - Corriente

mxima - mA

Figura 1.55 (e)

Figura 1.55 (f)

Figura 1.55 (g)

'e :e .~

.s >. ..!l
o.~
o

5 4

~ K"81 E~
:

E"

~';'El 8~E8 1: o co

~'a,~

.. J ~
lp . Duracin del pulso lis

,~

80"

90"f--+--+-~+--'l~
t

20"

4{)"

60" 80" 100

Figura 1.55 (h)

Figura 1.sS (i) 1.15 Diodos emisores de luz (LED)

41

Actualmente hay pantallas LED de muchos tamaos y formas. Se puede conseguir la regin emisora de luz en longitudes de 0.1 a 1 pulg. Se pueden crear nmeros mediante segmentos como el que se muestra en la figura 1.56. Aplicando polarizacin directa al segmento de material tipo p adecuado, se puede formar cualquier nmero de Oa 9.

T
0.600"

-r-L
0.335"

Figura 1.56 Pantalla de segmento de Litronix.

La pantalla de la figura 1.57 se usa en calculadoras y proporciona ocho dgitos.Tambin hay lmparas LED de dos guas que contienen dos LED, de modo que una inversin en polarizacin cambiar el color de verde a rojo, o a la inversa. Ahora hay incluso LED en rojo, verde, amarillo, anaranjado y blanco. A lo que parece, hay la posibilidad, en futuro bastante prximo, de que se introduzca el color azul. En general, los LED operan a niveles de voltaje de 1.7 a 3.3 V, 10 cual los hace enteramente compatibles con los circuitos de estado slido. Son de rpida respuesta (nanosegundos) y ofrecen buenas proporciones de contraste para visibilidad. El requisito de potencia suele ser de 10 a 150 mW con vida de ms de 100, 000 horas. Su construccin de semiconductor les brinda adems un considerable factor de robustez.

Figura 1.57 Pantalla de calculadora de ocho dgitos con seal.

(Cortesa de Hewlett-Packard Corporation).

1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS

Las caractersticas particulares de los circuitos integrados se presentarn en el captulo 12. Sin embargo, hemos alcanzado un nivel en nuestra introduccin a los circuitos electrnicos que permiten al menos un examen superficial de los arreglos de diodos en los encapsulados de circuitos integrados. El lector descubrir que el circuito integrado no es un dispositivo nico con caractersticas del todo diferentes a las que se examinarn en estos captulos introductorios. Consiste simplemente en una tcnica de encapsulado que permite una reduccin significativa del tamao de los sistemas electrnicos. En otras palabras, en el interior del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discretos que estuvieron disponibles mucho antes de que el circuito integrado, como lo conocemos ahora, se convirtiera en una realidad.

42

Captulo 1 Diodos semiconductores

--rn-En la figura 1.58 se presenta un posible arreglo. Ntese que ocho diodo s se encuentran en el interior del arreglo de diodos Fairchild FSA 1410M. Esto es, en el encapsulado que se muestra en la figura 1.59 hay un grupo de diodos en una sola oblea de silicio que tienen todos los nodos conectados a la terminal 1 y los ctodos de cada uno a las terminales de la 2 a la 9. Advirtase en la misma figura que la terminal 1 puede determinarse como si estuviera a la izquierda de la pequea proyeccin en el encapsulado,.si observamos de la parte inferior hacia la cpsula. Los' otros nmeros, por tanto, siguen en secuencia. Si slo se usara un diodo, slo las terminales 1 y 2 (o cualquier nmero del 3 al 9) se usaran. FSA 1410M ARREGLO MONOLITICO DE DIODO TECNOLOGIA PLANAR AISLADO POR AIRE
C.. 5.0 pF (MAX) LlVF ... 15 mv (MAX)
@

10 mA DIAGRAMA DE CONEXIONES FSA 1410M

VALORES NOMINALES MAX1MOS ABSOLUTOS (Nota 1) Temperaturas Intervalo de temperatura de almacenamiento Temperatura mxima de operacin de la unin Temperatura de las terminales de conexin -55'C a + 200'C + 150'C + 260'C

~~ ~~ ~ ~ ~~ ~
I

~ ~~ t~
7 8

~~
9

Disipacin de potencia (Nota 2) Disipacin mxima por unin a temperatura ambiente (25'C) 400mW por encapsulado a temperatura ambiente (25'C) 600mW Factor lineal de degradacin de unin (a partir de 25'C) 3.2mWrC 4.8 mWI'C de encapsulado Voltaje y corrientes mximos VIT Voltaje inverso de trabajo Corriente directa continua IF Pico de sobrecorriente en sentido directo if(sobrecorrienle) Ancho de pulso = 1.0 s Ancho de pulso = 1.0 us

Vasela descripcin delencapsulado

1'0-96

55V 350mA 1.0 A 2.0A

CARACTERISTICAS ELECfRICAS
SIMBOLO Bv Vp CARACTERlSTICAS Voltaje de ruptura Voltaje en sentido directo (Nota 3)

(Temperatura ambiente de 2S'C a menos que se seale lo contrario)

MIN. 60 1.5 1.1 1.0 100 100 5.0 4.0 40 10 SO MAX. UNIDADES V V V V nA !lA pF V ns ns ns CONDICIONES l. = 10 !lA Ip= SOOmA Ip=200mA Ip= lOOmA V. =4OV V.=4OV V. =0. f= 1 MHz Ir=SOOmA. t,,< 10 ns ns DE PRUEBA

l.

Corriente Corriente

en sentido inverso en sentido inverso (TA= lSO'C)

C V

Capacitancia Voltaje pico en sentido directo Tiempo Tiempo de recuperacin de recuperacin directo inverso

trr
t".

Ir=SOOmA.t,,<IO

Ir = Ir = 10-200 mA ~ = 100 Ree . 0.1 1" Ir= SOOmA, 1,,= SO mA RL = 100Cl, Rec. a 5 mA

a.

C.VF

Acoplamiento

de voltaje en sentido directo

15

mV

lp=

lOmA

NOTAS: 1. Estos valores nominales corresponden a valores lmite por encima de los cuales la vida de servicio o rendimiento puede deteriorarse. 2 . Estos son lmites en estado estable. Debe consultarse a la fbrica para aplicaciones Que impliquen pulsos u operaciones <ir:haio ciclo til. V F se mide usando un pulso de 8 ms. 3.

Figura 1.58 Arreglo monoltico de diodos. (Cortesa de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.) 1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados

43

Figura 1.59 Descripcin del encapsulado TO-96 correspondiente al arreglo de diodo FSA 141OM. Todas las dimensiones son en pulgadas. (Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

F
~

O.370"=1.La forma del aislamiento de separacin puede variar

oo.~2'60"
:-ff-H(.,f-H-'l'-tI ~ Plano de base

7 9
Vidrio

Notas:
Terminales de Kovar, recubrimiento de oro Encapsulado hermticamente sellado Peso de la cpsula: 1.32g

~~mm-=r'

0.500"

Los diodos restantes se dejaran sin conectar y no afectaran la red a la que las terminales 1 y 2 estn conectadas. Otros arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente, pero la secuencia numrica aparece en el diagrama. La terminal 1 es la que se encuentra directamente arriba de la pequea muesca cuando se mira hacia abajo sobre el dispositivo.

Esquema del TO - 116 - 2

Diagrama de conexin
FSA2500M

Vese el esquema del encapsulado TO - 116 - 2 Plan::e

~mmff r.
~0.310"i
mr . .

Notas:
42 terminales de aleacin. recubrimiento de plata. Se dispone de terminales con recubrimiento de oro. Empaque cermico sellado hermticamente.

Figura 1.60 Arreglo monoltico de diodos. Todas las dimensiones son en pulgadas. (Cortesa de Fairchild Camera and Instrurnent Corporation.)

1.17 ANALISIS POR COMPUTADORA

La computadora ha llegado a ser de tal modo parte integral de la industria electrnica, que las capacidades de esta "herramienta" de trabajo deben introducirse lo ms tempranamente posible. En aquellos estudiantes sin ninguna experiencia previa en computacin existe un temor inicial comn hacia este poderoso sistema aparentemente complicado. Tomando esto en cuenta, se dise el anlisis por computadora de este texto para hacer ms "amigable" el sistema computacional, mostrando la relativa facilidad con la que se puede aplicar para realizar algunas tareas especiales y de mucha utilidad en un mnimo de tiempo con un alto grado de precisin. El texto de este libro se escribi con la suposicin de que el lector no tiene experiencia previa en computacin o conocimiento de la terminologa utilizada. Sin embargo, no se considera que el contenido sea suficiente para permitir un completo entendimiento de los "cmos" y "porqus" que se estudiarn. El propsito aqu es slo introducir algo de la terminologa, discutir algunas de sus capacidades, mostrar las posibilidades disponibles, sealar algunas de sus limitaciones y demostrar su versatilidad con un nmero de ejemplos cuidadosamente escogidos. En general, el anlisis por computadora de sistemas electrnicos puede efectuarse por uno de dos enfoques: el empleo de un lenguaje, como BASIC, Fortran, Pascal o C, o bien mediante el uso de un paquete de programacin (software), tal como PSpice, MicroCap II, Breadboard o Circuit Master, para nombrar unos cuantos. Un lenguaje, a travs de su

44

Captulo 1 Diodos semiconductores

notacin simblica, crea un puente entre el usuario y la computadora que permite un dilogo entre los dos para establecer la operaciones por realizarse. El lenguaje empleado en este libro es BASIC, escogido debido a que utiliza un nmero de palabras y frases familiares del idioma ingls que revelan por s mismas la operacin que va a efectuarse. Cuando se emplea un lenguaje para analizar un sistema, se desarrolla un programa que define en forma secuencial las operaciones por realizar, con mucho el mismo orden en que efectuamos el mismo anlisis hecho a mano. Como con el enfoque manual, por un paso equivocado el resultado obtenido puede carecer completamente de significado. Por lo comn, los programas se desarrollan con tiempo y dedicacin conforme ms eficientes trayectorias hacia una solucin llegan a ser obvias. Una vez establecido en su "mejor" forma, se puede catalogar para un uso futuro. La ventaja importante del enfoque del lenguaje es que un programa puede sofisticarse para adecuarse a todas las necesidades especficas del usuario. Esto permite "movimientos" innovadores por parte del usuario que pueden resultar en impresiones de datos de manera informativa e interesante. El otro enfoque aludido anteriormente utiliza un paquete de programacin (software) para realizar la investigacin deseada. Un paquete de programacin (software) es un programa escrito y probado a lo largo de un periodo, diseado para efectuar un tipo particular de anlisis o sntesis, de una manera eficiente con un alto nivel de precisin. El paquete en s mismo no puede alterarse por el usuario y su aplicacin se limita a las operaciones instrumentadas dentro del sistema. Un usuario debe adecuar su salida de informacin deseada al conjunto de posibilidades ofrecidas por el paquete. Adems el usuario debe introducir la informacin exactamente como le sea solicitada por el paquete, pues de lo contrario los datos pueden ser malinterpretados. El paquete de programacin seleccionado para este libro es PSpice, * debido a su creciente popularidad en la comunidad estudiantial. Una fotografa de los discos y del material de apoyo disponibles para el paquete PSpice se ilustran en la figura 1.61. Una versin ms avanzada, conocida simplemente como SPICE, goza de extensa aplicacin en la industria. Por consiguiente, en sntesis, un paquete de programacin (software) se "empaca" para realizar una serie especfica de clculos y operaciones y para proporcionar los resultados en un formato definido. Un lenguaje permite un nivel extendido de flexibilidad, pero tambin carece de los beneficios de las pruebas e investigaciones exhaustivas dedicadas normalmente al desarrollo de un paquete "confiable". El usuario debe definir qu enfoque se ajusta mejor a las necesidades del momento. Obviamente, si existe un paquete para el anlisis o sntesis deseados, debera considerrsele antes de consumir las muchas horas requeridas para desarrollar un programa eficiente y confiable. Adems, uno puede adquirir los datosnecesrios para el anlisis particular de un paquete de programacin y luego retornar al uso de un lenguaje para definir el formato de la salida. De muchas maneras, los dos enfoques van mano con mano. Si uno depende del anlisis computacional sobre una base continua, el conocimiento del uso y limitaciones

Figura 1.61 Paquete de programacin (software) PSpice. (Copyright 1990 MicroSim Corporation.)

* PSpice

es una marca registrada de MicroSim Corporation. 1.17 Anlisis por computadora

45

DI

(~-) -~---(~)
Figura 1.62 Etiquetas de PSpice para la entrada de un diodo en una descripcin de red.

de ambas cosas, lenguajes y paquetes, es una necesidad. La eleccin de con cul lenguaje o paquete debe uno familiarizarse es principalmente funcin del rea. de investigacin. Sin embargo, afortunadamente, un conocimiento fluido de un lenguaje o un paquete particular ayudar frecuentemente al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y paquetes. Existe una semajanza en propsitos y procedimientos que facilitan la transicin entre uno y otro enfoques. Se harn en cada captulo algunos comentarios referentes al anlisis computacional. En algunos casos se presentarn un programa en BASIC y una aplicacin en PSpice, mientras que en otras situaciones se aplicar slo una de las dos. A medida que surja la necesidad de aclarar detalles se proporcionar suficiente respaldo para permitir, al menos, una comprensin superficial del anlisis. Este captulo trata especficamente de las caractersticas del diodo semi conductor. En el captulo 2, el diodo se investiga utilizando el paquete de programacin PSpice. Como un primer paso hacia ese anlisis, el "modelo" del diodo semiconductor se presentar ahora. La descripcin en el manual de PSpice comprende un total de 14 parmetros para definir sus caractersticas terminales. Estas incluyen la corriente de saturacin, la resistencia serie, la capacitancia terminal, el voltaje de rompimiento inverso, la corriente de rompimiento inverso y un sinnmero de otros factores que pueden especificarse si es necesario para el diseo o anlisis por realizar. La especificacin de un diodo en una red tiene dos componentes. La primera especifica la ubicacin y nombre del modelo y la otra incluye los parmetros mencionados anteriormente. El formato para definir la ubicacin y el nombre del modelo del diodo es el siguiente para el diodo de la figura 1.62: DI nombre 2 3 nodo DI nombre del modelo

+
nodo

Ntese que un diodo se especifica por la letra mayscula D al principio de la lnea, seguida por la etiqueta aplicada al diodo en el diagrama o esquema. La secuencia de los nodos (puntos de conexin para el diodo) define el potencial en cada nodo y la direccin de conduccin para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conduccin se especifica en direccin del nodo positivo al negativo. El nombre del modelo es el asignado a la descripcin del parmetro a seguir. El mismo nombre del modelo puede aplicarse a cualquier nmero de otros diodos en la red, tales como D2, D3, etctera. Los parmetros se especifican por medio de la instruccin MODEL que tiene el siguiente formato para un diodo: -MODEL DI '--' nombre del modelo ~(IS = 2E - 15?J

..

especificaciones del parmetro

La especificacin comienza con la entrada .MODEL seguida por el nombre del modelo como se especific en la descripcin de la ubicacin, y la letra mayscula D para especificar un diodo. Las especificaciones del parmetro aparecen entre parntesis y debe usarse la notacin especificada en el manual de PSpice. La corriente de saturacin inversa se inscribe como IS y se le asigna el valor de 2 x 10-15 A. Este valor se escogi porque resulta tpicamente en un voltaje de diodo de alrededor de 0.7 V, para niveles de corriente de diodo encontrados frecuentemente en las aplicaciones discutidas en el captulo 2. De este modo, la computadora y el anlisis manual tendrn resultados que sern relativamente cercanos en magnitud. Aunque slo se especific un parmetro en el listado mencionado con anterioridad, la lista puede incluir todos los que aparecen en el manual. Para ambas proposiciones presentadas anteriormente, es de particular importancia seguir el formato tal y como est definido. La ausencia de un punto antes de MODEL o la omisin de la letra D en la misma lnea invalidaran la entrada por completo.

46

Captulo 1 Diodos semi conductores

La descripcin anterior simplemente introduce el formato para la entrada de un diodo en una descripcin de red. En el captulo 2 usaremos el material anterior para analizar una red de diodo s empleando PSpice. El papel de las proposiciones precedentes y cmo se ajustan al anlisis de PSpice ser mucho ms obvio.

PROBLEMAS
1.2 Diodo ideal 1. 2. Describa, en sus propias palabras, el significado del trmino ideal, aplicado a un dispositivo o sistema. Describa, con sus propias palabras, las caractersticas del diodo ideal y cmo las mismas determinan el estado de conduccin y estado de corte del dispositivo. Sobre esto, describa por qu son apropiados los equivalentes de corto circuito y circuito abierto. Cul es una diferencia importante entre las caractersticas de un interruptor sencillo y las de un diodo ideal?

3.

1.3 Materiales semiconductores 4. 5. Con sus propias palabras, defina el semiconductor, la resistividad, la resistencia volumtrica y la resistencia de contacto hmico. (a) Empleando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un rea de I cm' y una longitud de 3 cm. (b) Repita el inciso (a) en el caso de que la longitud sea de l cm y el rea de 4 cm'. (c) Repita el inciso (a) si la longitud es de 8 cm y el rea de 0.5 cm'. (d) Repita el inciso (a) para el cobre y compare los resultados. Dibuje la estructura tomica del cobre y analice por qu es un buen conductor y de qu manera difiere su estructura del germanio y del silicio. Defina, con sus propias palabras, un material intrnseco, un coeficiente de temperatura negativo y un enlace covalente. Consulte su bibliografa y liste tres materiales que tengan un coeficiente de temperatura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.

6. 7. 8.

1.4 Niveles de energa Cunta energa en joules se requiere para mover una carga de 6 C a travs de una diferencia de potencial de 3 V? 10. Si se necesitan 48 eV para mover una carga a travs de una diferencia de potencial de 12 V, determine la carga correspondiente. 11. Consulte su bibliografa y determine el nivel de Eg para el GaP y ZnS, dos materiales semiconductores de valor prctico. Adems, determine el nombre de cada material. 9.

1.5 Materiales extrnsecos: tipos n y p 12. 13. 14. 15. Describa la diferencia entre los materiales semiconductores tipo n y tipo p. Describa la diferencia entre impurezas aceptoras y donadoras. Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios. Dibuje la esctructura atmica del silicio"e inserte una impureza de arsnico como se mostr para el silicio en la figura 1.9. 16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza de indio. 17. Consulte su bibliografa y encuentre otra explicacin de flujo de huecos en comparacin con el de electrones. Usando ambas descripciones, explique con sus propias palabras el proceso de la conduccin de huecos.

1.6 Diodo semiconductor 18. Describa con sus propias palabras las condiciones que establecen la polarizacin directa y la inversa sobre un diodo de unin p-n y la forma en que afecta a la corriente resultante. Problemas

47

19. Describa de qu forma podra recordar los estados de polarizacin inversa y directa del diodo de unin p-n. Esto es, cmo recordara qu tipo de potencial (positivo o negativo) se aplica y a cul terminal? 20. Empleando la ecuacin (l.4), determine la corriente de diodo a 20C para el diodo de silicio con Is = 50 nA y una polarizacin directa aplicada de 0.6 V. 21. Repita el problema 20 para T= 100C (punto de ebullicin del agua). Suponga que Is ha aumentado a 5.0 1lA. 22. (a) Utilizando la ecuacin (l.4), determine la corriente de diodo a 20C para un diodo de silicio con Is = O.IIlA a un potencial de polarizacin inverso de -10 V. (b) Se esperaba este resultado? Por qu? 23. (a) Grafique la funcin y = eX para un intervalo de x o de O a 5. (b) Cul es el valor de y = eX en x = O? (e) Basndose en los resultados del inciso (b), por qu es importante el factor -1 en la ecuacin (l.4)? 24. En la regin de polarizacin inversa la corriente de saturacin de un diodo de silicio es de aproximadamente 0.1 IlA (T = 20C). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa 40C. 25. Compare las caractersticas de un diodo de silicio y uno de germanio y seale cul preferira utilizar en la mayor parte de las aplicaciones prcticas. Proporcio-ne algunos detalles en torno a su respuesta. Refirase a un listado de fabricantes y compare la caracterstica de un diodo de germanio y de uno de silicio de valores nominales mximos similares . . 26. Determine la cada de voltaje en sentido directo a travs del diodo cuyas caractersticas aparecen en la figura 1.24 a temperaturas de -75C, 25C, lO00C y 200C Y una corriente de 10 mA. Para cada temperatura, determine el nivel de la corriente de saturacin. Compare los extremos de cada uno y opine acerca de la relacin de los dos.

1.7 Niveles de resistencia

27. 28. 29. 30.

31. 32.

33.

34. 35.

Determine la resistencia esttica o de cd del diodo de la figura 1.19 a una corriente en sentido directo a 2 mA. Repita el problema 27 a una corriente en sentido directo de 15 mA Ycompare los resultados. Determine la resistencia esttica o de cd del diodo de la figura 1.19 a un voltaje inverso de -10 V. Cmo se compara sta con el valor determinado a un voltaje inverso de -30 V? (a) Determine la resistencia dinmica (ea) del diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido directo de lOmA utilizando la ecuacin 1.6. (b) Determine la resistencia dinmica (ea) del diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido directo de 10 mA empleando la ecuacin (1.7). (c) Compare las soluciones de las partes (a) y (b). Calcule la resistencia de cd y de ea para el diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido directo de 10 mA Ycompare sus magnitudes. Utilizando la ecuacin 1.6, determine la resistencia de ea de l mA y 15 mA para el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y d una conclusin general sobre la resistencia de ea y los niveles crecientes de corriente del diodo. Sobre la base de la ecuacin 1.7, determine la resistencia de ea a una corriente de 1 mA y de 15 mA para el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuacin segn sea necesario para los niveles bajos de corriente del diodo. Compare estos datos con las soluciones obtenidas en el problema 32. Determine la resistencia de ea promedio para el diodo de la figura 1.19 para la regin entre 0.6 y 0.9 V. Determine la resistencia de ea para el diodo de la figura 1.19 a 0.75 V Y compare con la resistencia de ea promedio obtenida en el problema 34.

1.8 Circuitos equivalentes del diodo 36. Encuentre el circuito equivalente lineal por segmentos para el diodo de la figura 1.19. Utilice el segmento recto que intersecta el eje horizontal en 0.7 V Y que ms se aproxima a la curva para la regin mayor de 0.7 V. Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.

37.

48

Captulo 1 Diodos semiconductores

 1.9 Hojas de especificacin

del diodo

38.

39. 40.

41.

42.

43.

44.

Grafique I F contra V F utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Advierta que la grfica proporcionada emplea una escala logartmica para el eje vertical (las escalas logartrnicas se vern en las secciones 11.2 y 11.3). Haga un comentario sobre el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarizacin inversa para el diodo BA Y73. Cambia en forma significativa la magnitud de la corriente de saturacin inversa del diodo BA Y73 para los potenciales de polarizacin inversa en el intervalo de -25 V a -100 V? Determine, para el diodo de la figura 1.36, el nivel de IR a temperatura ambiente (25C) y al punto de ebullicin del agua (lOOC). Es significativo el cambio? Se incrementa el nivel casi cerca del doble por cada lOoC de incremento en la temperatura? Para el diodo de la figura 1.36, determine la mxima resistencia de ca (dinmica) para una corriente en sentido directo de 0.1 mA, 1.5 mA y 20 mA. Compare sus niveles y haga un comentario sobre si los resultados mantienen las conclusiones obtenidas en las secciones iniciales de este captulo. Utilizando las caractersticas de la figura 1.36, determine les niveles de mxima disipacin de energa para el diodo a temperatura ambiente (25C) y a lOC.Suponiendo que VF permanece fijo a 0.7 V, cmo cambia el nivel mximo de IF entre estos dos niveles de temperatura? Empleando las caractersticas de la figura 1.36, determine la temperatura a la que la corriente de diodo estar al 50% de su valor a la temperatura ambiente (25C).

1.10 Capacitancia

de transicin y de difusin

45.

(a) Considerando la figura 1.37, determine la capacitancia de transicin al potencial de polarizacin inversa de -25 V Y de -10 V. Cul es la proporcin del cambio en la capacitancia con respecto al cambio en el voltaje? (b) Repita el inciso (a) para los potenciales de polarizacin inversa de -10 V Y - 1 V. Determine la proporcin al cambio de la capacitancia con relacin al cambio en el voltaje. (c) En qu forma se comparan las proporciones determinadas en los incisos (a) y (b)? Qu es lo que seala el intervalo que puede tener ms reas de aplicacin prctica? 46. Con referencia a la figura 1.37, determine la capacitancia de difusin a OV Y 0.25 Y. 47. Describa con sus propias palabras cmo difieren las capacitancias de transicin y de difusin. 48. Determine la reactancia que ofrece un diodo descrito por las caractersticas de la figura 1.37 a un potencial en sentido directo de 0.2 V Y a un potencial inverso de -20 Y si la frecuencia aplicada es de6 MHz.

1.11 Tiempo de recuperacin 49.

inversa

Dibuje la forma de onda correspondiente a i de la red en la figura 1.63 si tt de recuperacin es de 9 ns.

Vi

= 2ts

y el tiempo total

10
+
Vi

=ni
10kQ

O
5

Figura 1.63 en problema 49. 1.14 Diodos Zener 50. Se especifican las siguientes caractersticas para un diodo Zener particular: Vz = 29 Y, VR = 16.8 Y, Izr = 10 mA, IR = 20 .LA,e 12M = 40 mA. Dibuje la curva caracterstica de la manera indicada en la figura 1.50. A qu temperatura tendr el diodo Zener Fairchild lN961 de 10-Y un voltaje nominal de 10.75 Y? (Sugerencia: considere los datos de la tabla 1.4). Problemas

51.

49

52 53.

54.

* 55.

Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5-V (valor especificado a 25C) si el voltaje nominal desciende a 4.8 Va una temperatura de 100e. Empleando las curvas de la figura 1.51a, qu nivel del coeficiente de temperatura esperara el lector para un diodo de 20-V? Repita el problema para un diodo de 5-V. Suponga una escala lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA. Determine la impedancia dinmica para el diodo de 24-V a Iz = 10 mA de la figura 1.51b. Ntese que se trata de una escala logartrnica. Compare los niveles de la impedancia dinmica para el diodo de 24- V de la figura 1.51b a niveles de corriente de 0.2 mA, 1 mA y 10 mA. De qu manera se relacionan los resultados con la forma de la caracterstica en esta regin?

1.15 Diodos emisores de luz 56. Considerando la figura 1.55e, cul podra ser un valor apropiado de Vr para este dispositivo? Cmo se compara con el valor de Vr para el silicio y el germanio? 57. Utilizando la informacin que se proporciona en la figura 1.55, determine el voltaje en sentido directo en el diodo si la intensidad luminosa relativa es de 1.5. 58. (a) Cul es el incremento porcentual en la eficiencia relativa del dispositivo de la figura 1.55, si lacorriente mxima aumenta de 5 a lOmA? (b) Repita el inciso (a) considerando un cambio de 30 a 35 mA (el mismo incremento en la corriente). (e) Compare el incremento porcentual de los incisos (a) y (b). En qu punto de la curva se podr afirmar que hay un poco de ganancia por un incremento adicional de la corriente mxima? 59. (a) Con respecto a la figura 1.55h, determine la corriente pico mxima permisible si el periodo de duracin del pulso es de 1 ms, la frecuencia de 300 Hz y la corriente mxima tolerable cd es de 20mA. (b) Repita el inciso (a) para una frecuencia de 100 Hz. 60. (a) Si la intensidad luminosa a un desplazamiento angular de 0 es de 3.0 mcd para el dispositivo de la figura 1.55, a qu ngulo ser de 0.75 mcd? (b) A qu ngulo la prdida de intensidad luminosa desciende por debajo del 50% de su nivel? 61. Dibuje la curva de degradacin de corriente para la corriente en sentido directo promedio del LED rojo de alta eficiencia de la figura 1.55 de acuerdo con la temperatura. (Considere los valores nominales mximos absolutos.)

* Nota: los asteriscos indican problemas con mayor dificultad.

50

Captulo 1 Diodos semiconductores