EI Tema 3.2.transistor Potencia

Electrnica Industrial
32

El t ransi st or de
pot enci a

P A R T A D O
A

3
3
3
.
.
.
2
2
2


A I ntroduc c i n a l o s t r a n si st o r e s d e p o t e n c i a

33

3.2
A. Introduccin a los transistores de potencia

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen bsicamente tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Parmetros MOS Bipolar
Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)
Resistencia ON (saturacin) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Mxima temperatura de operacin Alta (200C) Media (150C)
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Coste Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de car-
ga en corriente de los transistores bipolares:
Trabaja con tensin.
Tiempos de conmutacin bajos (alta frecuencia de funcionamiento)
Margen de potencia en conduccin mucho mayor (como los bipolares).
Nos interesa, como siempre que tratamos con dispositivos semiconductores de poten-
cia que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (t
on
, t
off
), para conseguir una alta frecuencia de fun-
cionamiento.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
instantneamente, sino que siempre hay un retardo (t
on
, t
off
). Las causas fundamenta-


E l t r a n s i s t o r d e p o t e n c i a

34

3.2

les de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y
base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.

.A.1 Principios bsicos de funcionamiento

La diferencia ms notable entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es
el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que in-
yectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el
FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente.
Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que
son sustancialmente distintas.

Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume
el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia mane-
jada en los otros dos terminales.

En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar I
B
controla la magnitud de I
C
.
En un FET, la tensin V
GS
controla la corriente I
D
.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante
mayor.
B. El transistor bipolar de potencia (BJT)

A continuacin veremos las caractersticas ms importantes del BJ T. Es de destacar
que el inters actual del BJ T es muy limitado, ya que existen dispositivos de potencia
con caractersticas muy superiores. Sin embargo, le dedicamos un tema dentro de
esta asignatura porque es necesario comprender sus limitaciones para poder
comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia
en la actualidad dentro del campo de la Electrnica de Potencia.

.B.1 Modos de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo
de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser:


B El t r a n si st o r b i p o l a r d e p o t e n c i a ( BJ T)

35

3.2
Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin
emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es
la regin de operacin normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin
emisor - base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta re-
gin es usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones.
La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el
modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (I
C
=0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas
uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmuta-
cin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerra-
do (V
CE
=0).
En la siguiente figura, se muestra la curva V-I tpica del transistor bipolar:

.B.2 Especificaciones importantes

Las principales caractersticas que han de considerarse en los transistores bipolares
de potencia son:

I
Cmax
: intensidad mxima de colector
BV
CEO
: tensin de ruptura de colector-emisor
P
max
: potencia mxima disipable en rgimen continuo

Adems, conforme los transistores utilizados en circuitos de potencia trabajan gene-
ralmente en saturacin y corte (rgimen de conmutacin), resulta de inters la cada
de tensin colector-emisor en saturacin V
CEsat
y los tiempos de saturacin y corte para
aplicaciones de alta frecuencia.

.B.3 Caractersticas dinmicas. Tiempos de conmutacin

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pe-
ro si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un esta-
do a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el produc-
to i
C
x v
CE
va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en
el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,



36

3.2

debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el
paso de un estado a otro.

Como siempre, podemos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (t
on
) y
tiempo de apagado (t
off
). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en
otros dos, quedando as cuatro tiempos a estudiar:

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el ins-
tante en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta
que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde
que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida ba-
ja al 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evo-
lucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones:

t
on
=t
d
+t
r

t
off
=t
s
+t
f

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (t
off
) ser siempre mayor que
el tiempo de encendido (t
on
), como ocurre en la mayora de los conmutadores, tal y
como se muestra en la siguiente figura.



37

3.2

Los tiempos de encendido (t
on
) y apagado (t
off
) limitan la frecuencia mxima (f
max
) a la
cual puede conmutar el transistor:

off on
t t
f
+
=
1
max

.B.4 rea de operacin segura en un BJT de potencia

Adems de especificar la mxima disipacin de potencia a diferentes temperaturas de
encapsulado, los fabricantes de transistores de potencia suelen indicar una grfica de
la frontera del rea de operacin sin riesgo (SOA, Safe Operation Area) en el plano
i
c
-v
ce
. La especificacin de una SOA tpica presenta la forma que se muestra en la si-
guiente figura:



38

3.2

En esta curva se pueden observar cuatro reas claramente diferenciadas:

1. La corriente mxima permisible I
Cmax
. Si se excede esta corriente de manera con-
tinua puede dar como resultado que se fundan los alambres que conectan el dispositi-
vo a los terminales del encapsulado

2. La hiprbola de mxima disipacin de potencia. Este es el lugar geomtrico de
los puntos para los cuales se cumple que v
ce
i
c
=P
max
(a T
CO
). Para temperaturas T
C
>
T
CO
se obtendrn un conjunto de hiprbolas ms bajas. An cuando se pueda permitir
que el punto de trabajo se mueva de modo temporal por encima de la hiprbola, no
debe permitirse que el promedio de disipacin de potencia exceda de P
max
.

3. Lmite de segunda ruptura. La segunda ruptura es un fenmeno que resulta debi-
do a que la circulacin de corriente por la unin entre emisor y base no es uniforme.
Ms bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia de la unin. Esta
aglomeracin de corriente da lugar a mayor disipacin de potencia localizada y por lo
tanto a calentamientos en lugares que reciben el nombre de puntos calientes. Como
el calentamiento produce un aumento de corriente, puede ocurrir un gradiente trmico
que provoque la destruccin de la unin semiconductora.

4. Voltaje de ruptura de la unin colector emisor BV
CEO
. Nunca debe permitirse que
el valor instantneo de v
ce
exceda de BV
CEO
; de otra manera, ocurrir la ruptura de
avalancha de la unin entre colector y base.

Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas logartmicas para
i
c
y v
ce
que llevan a un lmite de rea de operacin sin riesgo (SOA) formada por lneas
rectas.

.B.5 Efectos producidos por cargas inductivas. Protecciones

Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms des-
favorables dentro de la zona activa, en el sentido de que se oponen a las variaciones
de corriente que imponen los transistores al conmutar de saturacin a corte y vicever-
sa.



39

3.2

En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de fun-
cionamiento del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor
pasar de corte a saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a
corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior
el transistor pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte
lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este ltimo paso lo hace despus de una
profunda incursin en la zona activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de ava-
lancha secundaria, con valor V
CE
muy superior al valor de la fuente (V
cc
).

Para proteger al transistor y evitar su degradacin se utilizan en la prctica varios cir-
cuitos, que se muestran a continuacin:

a) Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser supe-
rior a la tensin de la fuente V
cc
).

b) Diodo en antiparalelo con la carga R
L.

c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).

Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a
corte, proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la inten-
sidad inductiva de la carga.



40

3.2

En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando
por el diodo y por el condensador C
S
, el cual tiende a cargarse a una tensin
Vcc
. Dise-
ando adecuadamente la red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la
conmutacin sea inferior a la de la fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites
por disipacin y por avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturacin el
condensador se descarga a travs de R
S
.

El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figu-
ra adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte
(punto B) se produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de V
CE
superiores a
la fuente V
cc
.

Para el clculo de C
S
podemos suponer, despreciando las prdidas, que la energa
almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a C
S
cuando la
intensidad de colector se anule. Por tanto:

de donde :

Para calcular el valor de R
S
hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar
descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de
tiempo de R
S
y C
S
ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que
permanece en saturacin el transistor:

C. El transistor MOSFET

El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que los compo-
nen; una fina pelcula metlica (Metal -M); oxido de silicio (xido - O); regin semicon-
ductora (Semiconductor- S).


C El t r a n si st o r M O SFET

41

3.2
Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de potencia MosFet se encuentran en
la conmutacin a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencias para induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplifi-
cadores de audio y transmisores de radiofrecuencia.

La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJ T) y los Mosfet consiste en
que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren
solo una pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJ T),
son controlados por corriente aplicada a la base.

Ventajas de los Mosfet frente a los BJT

La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los nanose-
gundos, por esto los Mosfet son muy utilizados en convertidores de pequea
potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple.
Alta impedancia de entrada.

Inconvenientes de los Mosfet

Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas electrost-
ticas y requieren un embalaje especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
Los Mosfet son ms caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que provoca
mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacin.

.C.1 Tipos de MOSFET

Mosfet de Deplexin o empobrecimiento: existe un canal por el cual circula
la corriente aunque no se aplique tensin en la puerta.

Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento: el canal por el cual circula la co-
rriente se crea cuando se le aplica una tensin en la puerta. A su vez, dentro
de los transistores MOSFET de enriquecimiento podemos distinguir dos tipos:
de canal n o de canal p, dependiendo del tipo de sustrato utilizado y del tipo
de portadores mayoritarios por el canal. En la siguiente figura se pueden ob-
servar la estructura fsica y el smbolo ms habitual para un MOSFET de canal
n:



42

3.2

Asimismo, en la siguiente figura se muestran las mismas figuras para un MOS-
FET de canal p:

.C.2 Regiones de trabajo de los MOSFET

La curva caracterstica nos da informacin acerca de como vara la intensidad del dre-
nador (i
d
) para una tensin fija (v
ds
), y variando la tensin aplicada entre la puerta y el
surtidor (v
gs
). En particular, en la siguiente figura se apreciar la curva caracterstica de
un n-MOSFET de enriquecimiento.

Las caractersticas reales del MOSFET se dividen en tres regiones, tal y como se pue-
de observar en la grfica anterior.


C El t r a n si st o r M O SFET

43

3.2

Regin de Corte

En la figura anterior se puede ver como existen corrientes residuales (muy pequeas),
cuando el dispositivo est en corte. Si la tensin aplicada entre Puerta Surtidor es inferior
a V
th
(normalmente superior a 2 voltios, para los Mosfet de potencia), el dispositivo continuar
en la regin de corte. En esta regin la corriente que circula por el drenador es prcticamente
nula.

Las ecuaciones para esta regin sern:

v
GS
< V
GS (th)
v
DS
> 0
i
D
0

Regin Activa (Saturacin de Canal)

En esta regin se utiliza el transistor Mos como amplificador. Para un valor de v
gs
, que
ser como mnimo V
gs(th)
se produce el paso de corriente entre el drenador y el surtidor.

En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y surtidor, controla la magnitud
de la corriente del drenador (i
d
), como la tensin entre el drenador y el surtidor (v
ds
).
Como se puede ver en la curva caracterstica, para un valor particular de la tensin
entre puerta surtidor, tenemos un valor de la corriente del drenador (i
d
).

Las ecuaciones para esta regin sern:

v
GS
> V
GS (th)
v
GS
- V
GS (th)
< v
DS

i
G
0 i
D
i
S

Regin hmica

Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la condicin
que

v
GS
- V
GS (th)
v
DS

Por lo tanto, las ecuaciones tpicas para esta regin son:

v
GS
> V
GS (th)
v
GS
- V
GS (th)
v
DS
i
G
0 i
D
i
S

Para un p-MOSFET de enriquecimiento es importante recordar que el voltaje umbral
V
GS (th)
es negativo y para inducir un canal es necesario aplicar un voltaje en puerta que
sea ms negativo que el propio voltaje umbral. Por lo tanto, para un MOSFET de canal
p, se definen las tres regiones anteriores de la siguiente manera:



44

3.2

Regin de Corte : v
GS
> V
GS (th)

Regin Activa (saturacin) : v
GS
< V
GS (th)

v
GS
- V
GS (th)
< v
DS

Regin hmica : v
GS
< V
GS (th)

v
GS
- V
GS (th)
> v
DS

.

D. El transistor IGBT

El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJ T y los Mos-
fet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en
conmutacin, como los BJ T, pero sin el problema de segunda ruptura, por lo que pue-
de trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.

Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debi-
do a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada
velocidad de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin al de bloqueo
se puede considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el
rango de los 50KHz), adems de una elevada tensin de ruptura. Los IGBT se fabrican
desde una tensin de 1400V y una corriente de 300A, a una tensin de 600V y una
corriente de 50A.

El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJ T, pero ms lento
que el Mosfet. La energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequea con
una corriente del orden de los nanoamperios, esta pequea potencia necesaria para
conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados.

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