Caracterizacin de un BJT

Alex Sebastin Vega , Edwin Alejandro Perez

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Ingenieria Elctrica, Universidad de La Salle Ingeniera de Automatizacin, Universidad de La Salle. ______________________________________________________________________________

Resumen En esta prctica se realiz el reconocimiento del funcionamiento de un transistor BJT, se realiz 5 montajes en los cuales a cada uno se le hall, las corrientes de cada uno de sus terminales (emisor, base , colector), luego de esto se simul cada uno de los montajes propuestos y en la prctica slo se realiz los tres ltimos de estos Introduccin Dispositivo electrnico que consiste en dos uniones PN muy cerca canas entre s, estas permiten controlar el paso de corriente a travs de sus terminales. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. Imagen El transistor es un dispositivo de 3 patillas con lo son la base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. [1] En la Imagen No1 vemos representado las zonas de funcionamiento del transistor bipolar, las cuales son las siguientes: 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base, ganancia de corriente. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos No1. Regiones de Operaciones del BJT Materiales Transistor NPN ( 2N2222, 2N3904) Transistor PNP ( 2N3906) Multmetro Fuente de Voltaje Resistencias digitales), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial I). 3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters. [2]

Procedimiento Se toman los datos prcticos de los componentes (resistencias) Se realizan las respectivas simulaciones de los circuitos ya planteados para la prctica de laboratorio Se trabaj con 3 montajes, los cuales tenan diferentes caractersticas, a cada circuito se les toma los datos de voltaje de base, emisor, colector y resistencias. Luego de hallar las corrientes y los voltajes de todas las terminales, se procede a encontrar los parmetros de los transistores

Anlisis Terico Para este anlisis se tuvieron en cuenta las siguientes ecuaciones matemticas:

Para la Figura No 2 se visualiza el segundo montaje y sus respectivos clculos.

Para la Figura No 1 se visualiza el primer montaje y sus respectivos clculos tericos Figura No2. Montaje Nmero 2

Figura No1. Montaje Nmero 1 Para la Figura No 3 se visualiza el tercer montaje y sus respectivos clculos.

Figura No3. Tercer montaje

Modelo 2

Figura No5. Circuito Vce vs Vbe En la Figura No5 se observa que variamos la fuente de 0.4v a 10v para as poder obtener el valor del voltaje colector emisor, la simulacin y el resultado obtenido se ve reflejado en la Imagen No 3:

Anlisis Prctico Simulaciones Modelo 1

Imagen No 3. Simulacin del modelo 2 Figura No4. Circuito ic vs Vce En la figura No4 se vari la fuente de 0.4v a 1v, para esta simulacin como resultado nos dio la siguiente grfica la cual se ve reflejada en la Imagen No 2: Modelo 3

Imagen No2. Simulacin del modelo 1

Imagen No4. Simulacin modelo 3

Modelo 4

Imagen 8 Modelo 5, voltaje de 10.5v Imagen 9. Modelo 5, con un voltaje de 15v

Para el modelo 5 en cada simulacin nos dimos cuenta que la grfica que nos daba era prcticamente la misma lo nico que cambia es el voltaje del terminal de la base. La grfica de resultado se ve reflejada en la Imagen No 10 la cual es la siguiente:

Imagen No 5. Simulacin modelo 4 Modelo 5

Para estos modelos se hicieron 4 simulaciones diferentes, cada una con un voltaje diferente, en la Imagen 6 se muestra con una voltaje de 1.7v, en la Imagen 7 con un voltaje de 2.6v, en la Imagen 8 se ve con un voltaje de 10.5v y en la Imagen 9 con un voltaje de 15v

Imagen No10. Grfica mdulo 5 Toma de Datos En la Tabla No1 se ve reflejado la toma de datos de los modelos 3 y 4

Imagen 6. Modelo 5, con un voltaje de 1.7v Imagen 7. Modelo 5, voltaje 2.6v

Ve vb vc Vre vrb Vrc ie ib ic alfa beta

Modelo 3 Modelo 4 0.64v 5.3v 0.02v 4.49v 5.22v 5.09v 14.35v 8.77v 0.93v 9.74v -8.77v 2.01mA 1.719mA 9.68A 9.37A 1.909mA 1.7mA 0.9497 0.9889 98.6 181.4

Tabla No1 Toma de datos mdulos 3 y 4

En la Tabla No 2. Se ve reflejado el barrido que se realiz para el modelo 5 con sus respectivos datos

Conclusiones Al cambiar de regin activa a regin de saturacin, el beta () del transistor cambia. No cambia el mtodo de calcular el alfa ni el beta sin importar que tipo de transistor se use.

Tabla No2. Datos del barrido modelo 5

Vr10k Vr1k Vb Ve Vc ib ic

1.7v 0.89v 9.82v 0.71v 0.002v 0.132v 96.4A 8.4mA

2.6v 10.5v 15v 1.83v 9.77v 14.27v 9.86v 9.91v 9.92v 0.72v 0.743v 0.747v 0.002v 0.003v 0.003 0.094v 0.045v 0.036v 0.007mA 0.03mA 1.5mA 58.08mA 10.17mA 10.18mA

Bibliografa

[1]http://www.unicrom.com/Tut_transist or_bipolar.asp [2]http://pendientedemigracion.ucm.es/in fo/electron/laboratorio/componentes/codi gos/pag06-03.htm