Semi Conducteurs Et Composants

ER/EN1- IUT GEII

Juan Bravo

Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Atomes
Structures des atomes
Un noyau + des lectrons

Des orbites associes des tat nergtiques

La couche priphrique est appele Couche de valence o Elle intervient dans l'tablissement des liaisons chimiques entre diffrents atomes pour former des molcules.
o

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Juan Bravo

Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Atomes
4 lectrons de valence Dopage type P Dopage type N

3 couches occupes : K,L,M

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Juan Bravo

Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Atomes
Bandes dnergies
Rpartition nergtiques en bandes discontinues
Orbitales associes des tats nergtiques o Bandes interdites
o

2 bandes impliques dans la conduction lectrique

o

La bande de conduction et bande de valence

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Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Semi-conducteur
Structure cristalline du silicium non dop

Proprits :
Structure cristalline trs rigide. 4 liaisons par atome assurant la rigidit du cristal
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Juan Bravo

Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Semi-conducteur
Cration dune paire lectron-trou

Sous laction de la temprature,

un lectron provenant dune liaison peut se librer. Llectron (charg ngativement) laisse sa place un trou (charg positivement). Les trous et lectrons sont appels porteurs libres ils sont le support du courant lectrique.

trou

Illustration du courant de trou ER/EN1- IUT GEII

Juan Bravo

Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Semi-conducteur
Dopage
On rajoute des impurets la place datomes de Si Dopage type N: impuret a 5 lectrons => 1 lectron est libre Dopage type P: impuret a 3 lectrons => 1 trou est libre

Type N
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Type P
7

Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Jonction PN
Avant quilibre

Des trous, porteurs libres majoritaires apports par les impurets Des lectrons, porteurs libres minoritaires dus lagitation thermique. Des ions fixes chargs ngativement : les impurets ayant perdu un trou.

Phnomne de Des lectrons, porteurs libres majoritaires diffusion

apports par les impurets Des trous, porteurs libres minoritaires dus lagitation thermique. Des ions fixes chargs positivement : les impuretsayant perdu un lectron

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Juan Bravo

Physique des semi-conducteurs

Diode Transistor

Jonction PN r

Jonction PN lquilibre
Les porteurs majoritaires de chaque cot diffusent et laisse des atomes ioniss

Dans la zone de transition : il ny a plus de porteurs libres Les ions fixes cre un champ lectrique qui compense la diffusion: ETAT STABLE

ltat stable seuls les lectrons ou les trous ayant une nergie suprieure eVd peuvent passer

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Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Le composant DIODE
Composants

Symboles

traites part

Modle de shockley
Ordre de grandeur de Is (qq nA) Mise en vidence de linfluence de la To

Vd Id

= I d I s (e
[1; 2]

qVD kT

1)

q=e=1,9.10-19 [C] k=1,38.10-23 [JK-1] T [K] rappel: [K]=[oC]+273 Juan Bravo

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10

Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Principe de fonctionnement
Diode polarise en direct
La barrire de potentiel VD diminue. A partir dune tension de seuil : les porteurs peuvent passer et la diode se comporte
comme un interrupteur ferm

q=e=1,9.10-19 [C] k=1,38.10-23 [JK-1]

Le mouvement de trous correspond un mouvement dlectrons dans la bande de valence

Modle de shockley

I trous I lectrons =
Juan Bravo

= I d I s (e

qVD kT

1)
11

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Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Principe de fonctionnement
Diode polarise en inverse
La barrire de potentiel VD augmente Peu de porteurs ont lnergie suffisante pour passer : la diode se comporte comme un
interrupteur ouvert o Prsence dun courant inverse IS d aux porteurs minoritaires (qques nA).

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12

Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Modlisation
Modles statiques usuels
choix en fonction de la prcision souhaite

IS

IS

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13

Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Analyse
Mthode de calculs
Du bon sens:
le courant scoule des potentiels les + leves vers les + faibles o La diode est unidirectionnelle en courant: le courant rentre par lanode
o

Si doutes:
o

fait une hypothse et on la vrifie (ou pas) a posteriori

Diode passante : elle se comporte comme un fil on vrifie que iD > 0. Diode bloque : elle se comporte comme un circuit ouvert on vrifie que VD < 0. Si lhypothse est fausse, on en refait une autre... Hyp: D passante lorsque e<0 => ir= <0 =>id<0 IMPOSSIBLE Lhypothse est fausse: D OFF
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Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Applications
Fonction alimenter en nergie
Redressement dans une chane de conversion AC-DC

abaisser le niveau de tension du secteur

Obtenir une composante continue

Filtrer les harmoniques

Obtenir la tension la plus constante

Rappel sur le transformateur

symbole I1 U1 I2 U2 quations I1 U1

I2 schmas quivalents U2 ou U1

mI2

I2 mU1 U2

= m

U 2 I1 = U1 I 2

Transfo parfait

symbole modle transfo parfait

Juan Bravo

Modlisation du transfo parfait 15

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Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Applications
Redressement simple alternance

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16

Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Applications
Redressement double alternance

Symbole graphique couramment utilis pour reprsenter le pont de graetz

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17

Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Applications
Redressement double alternance + Filtre

+ C

Dimensionnement simplifi de C Hypothse simplificatrice: on suppose une dcharge courant constant I=IR=Icharge

Q = I .T = C.U

C=

I .T U c max dsir

Ce type de montage sera bientt interdit car gnrateur dharmonique sur le rseau=> Remplacement par des alimentations absorption sinusodale (alim PFC) Juan Bravo

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Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Applications
Diode dcrtage
Protection des circuits
Diode de clamp intgr dans les CI

Diode de roue libre

Circuit de dlestage lors des dmagntisations
Diode de roue libre

Circuit inductif

Hacheur srie
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Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

La diode zner
Symbole
composants

Caractristique tension/courant
Se comporte comme une source de tension en polarisation inverse Se comporte comme un interrupteur ouvert VF IF ou Iz Iz
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Vz0

Se comporte comme une diode en polarisation directe VF

Vz
20

Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Modlisation
Modle quivalent grand signal en inverse
Iz
Pente 1 de la droite =

Vz

Vz0 Ie Rs rz Vz0 Rch Vs Is

Application type

Vz0

modlisation

Ve

Vc Vc0

La qualit de stabilisation de Vs est quantifie par 2 coefficients :

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Coefficient amont: =

Coefficient aval: =
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21

Physique des semi-conducteurs Transistor

Diode

Diode

Diode Zner

Analyse
Comment savoir dans quel tat est la zner?
Procd analogue celui des diodes
o

faire une hypothse en cas de doute

E=9V

On suppose que la diode Zener est bloque => VL > VZ , donc lhypothse est fausse : la diode fonctionne en zner et donc VL = 5V Conclusion: La diode Zener stabilise la tension de sortie VL = VZ

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Transistor bipolaire
Composant

Symbole

Flchage tensions/courants

Structure interne

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Principe de fonctionnement
Effet transistor (cas NPN)
jonction PN base-metteur (BE) polarise en direct BC polarise en inverse
VC > VB > VE

1 - BE est polarise en direct, un courant dlectrons arrive la base (B). 2- la jonction BC est polaris en inverse=> extension de la ZCE sur pratiquement toute la base 3- la majorit des lectrons inject dans la base (type P) nont pas le temps de se recombiner car ils sont catapults par la jonction BC polarise en inverse 4- on quantifie leffet transistor par le coefficient dinjection : Ic= Ie avec 0,95 0,99

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24

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Modlisation
Modle dEbers Moll simplifi
C B
Ib Ic Ie

Proche de la structure interne du composant Mise en vidence de leffet transistor : Ic= Ie ou encore Ic= Ib Mise en vidence du phnomne de saturation :Si BC en direct => Ic
VD

Ie = I e I es (e VT 1)

Caractristique de sortie
3 modes de fonctionnement possibles suivant le point de fonctionnement Saturation: interrupteur ferm! Linaire: une source de courant Bloqu: interrupteur ouvert!

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25

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Circuit de commande
Commander un transistor
choisir un point de fonctionnement = placer le transistor dans un des 3 modes choisir un point de fonctionnement= agir la maille de commande= contrler Ib contrler Ib= choisir correctement Rb en fct du cahier des charges

VBB

VCC

Maille De commande

Maille de charge
Ie = I es (e

VD VT

D Ie VT 1) = > Ib = = I (e 1) + 1 bs

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26

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Circuit de commande
Polarisation des transistors
Polarisation par rsistance de base
o

Peu utilis car trs sensible aux dispersion des composants et la temprature

Polarisation par pont

On applique le thorme de Thvenin pour trouver VBB et RB

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27

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Transistor en source de courant commande

Fonctionnement linaire
Interprtation graphique

Modle quivalent STATIQUE en fcto linaire C Ic C Ic

Ib Ie

B E
Ie

Ib

Ib = Ie

Ie

Vbe=0.7V

connatre

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Transistor en interrupteur command

Fonctionnement satur
Interprtation graphique
Modle quivalent en fcto SATUR

IcIb

Le transistor se comporte comme un interrupteur ferm B

0.7V

C E VCE=0

Comment saturer un transistor

On connait ou on calcule Ic On calcule =

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avec 1; 2

et on dduit RB
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Dans les datasheets les notations hybrides sont utilises:

hFE= ( grandeurs statiques)

29

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Analyse
Le schma est donn: quel est ltat du transistor?
Comme pour les diodes on fait une hypothse de calcul: T passant par exemple Les calculs sont effectus puis la cohrence de lhypothse vrifie!
connatre

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30

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Applications
Interfaage et interrupteur command
Objectif: adaptation en courant

Montage darlington

Transistor en commutation (20kHz et +)

On notera labsence de diode de roue libre (la dmagntisation se fait par le secondaire du transfo!)

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31

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Applications
Rgulation de tension
Source de tension contrle en courant Prsence dune contre-raction 2 types de rgulateur
o

Shunt ou ballast

Rgulation de type shunt (ou //)

Effet dauto-rgulation

Rgulation de type srie Principe du transistor BALLAST

Juan Bravo

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32

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Rgulateur ballast
Le plus utilis jusqu P<10W

Variante 1

Vout= (1 +

R2 )Vz R1

Variante 2

Ampli non inverseur

Variante 2

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33

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire
Transistor JFET Transistor MOSFET

Transistor

Applications
Rgulateur de tension intgr
Structure ballast
On retrouve notre tension de dchet Vdropout Vce=2Vbe+Vce3

Is
Vref=1,25V

Iload = k.123Vdiff
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bandgap de Brokaw: rfrence de tension de 1,25V

34

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire

Transistor

Transistor JFET

Transistor MOSFET

Le composant JFET
Symbole
canal N canal P

Structure

Canal ouvert au maximum Vgs=0

Zone rsistive le canal se rtrcit petit petit au fur et mesure que Vds augmente (Vds faible) Zone pince au-del dun seuil Vds, la largueur du canal ne change plus (rduite un minimum) => le courant ne dpend plus de Vds Juan Bravo

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire

Transistor

Transistor JFET

Transistor MOSFET

Caractristiques externes du JFET

Caractristique pour Vgs=0
iG = 0
D G S

E RD iD VDS

VGS=0

Zone rsistive
18 16 14 12 10 8 6

Source de courant

ID

VGS=0V

Rversibilit (dans une certaine limite) de la zone de fonctionnement

4 2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

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= avec <

VDS

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire

Transistor

Transistor JFET

Transistor MOSFET

Caractristiques externes du JFET

Rseau de caractristiques
Comportement 1: zone de rsistance command en tension = () ) Comportement 2: source de courant command en tension = () )

JFET en zone pince

Mise en vidence: Du contrle de Vgs sur Id

= Id k (Vgs VP )2

= Id k (Vgs VP )2

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire

Transistor

Transistor JFET

Transistor MOSFET

JFET en rsistance commande

Rsistance commande
Id Vds Condition de fonctionnement en zone rsistive:
Remarque: <
IG = 0
G

Modle quivalent
VGS
S

rds=h(VGS)

rds

rds=h(VGS)
V p 2 I dss

VDS
S

2 Id = k 2(Vgs VP )Vds Vds

rdson rds = Vgs 2k (Vgs V p ) 1 Vp 1

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire

Transistor

Transistor JFET

Transistor MOSFET

JFET en rsistance commande

Applications
Multiplexeur analogique Contrle automatique de gain

Echantillonneur/bloqueur

Gain variable
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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor bipolaire

Transistor

Transistor JFET

Transistor MOSFET

JFET en source de courant

Source de courant contrl en tension
Condition de fonctionnement en zone pince:
Remarque: <

> +

Modle quivalent statique ou grand signal

Pour les petits signaux un modle spcifique petit signal est utilis
o
G

La fonction de transconductance est linarise autour dun point de repos Vgs0

IG = 0
ID = f(VGS)
D

= Id k (Vgs VP )2
k: transconductance statique exprime en A/V2

VGS
S

VDS

on retrouve la mme quation sous une autre forme

Vgs = Id Idss 1 Vp
2

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40

Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor

Transistor bipolaire Transistor JFET

Transistor MOSFET

composants MOSFET
Symboles

Structure enrichissement
Prsence dun dilectrique isolant
Formation du canal de conduction en appliquant Vgs>0

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor

Transistor bipolaire Transistor JFET

Transistor MOSFET

E-MOSFET: caractristiques externes

caractristiques
Transistor non pinc
VT

Transistor pinc (ou satur

retenir: On travaille avec VGS 0 tant que VGS na pas atteint le seuil VT le transistor est bloqu

Transistor bloqu (Id=0)

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor

Transistor bipolaire Transistor JFET

Transistor MOSFET

E-MOSFET: modles
Modles quivalents
Identiques au JFET Rappel : source de courant contrl en tension
Condition VT o Modle quivalent statique ou grand signal
o
IG = 0
G

ID = f(VGS)

VGS
S

VDS

Vgs 2 Id = k (V p Vgs ) = Idss 1 Vp attention:

VGS et VT>0

Applications
Tout domaine de llectronique
Conception de circuits intgrs analogique ou digital (structures CMOS) o Amplificateurs o Interrupteurs de puissance
o

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor

Transistor bipolaire Transistor JFET

Transistor MOSFET

E-MOSFET: caractristiques externes

Structure appauvrissement
Permet de travailler en appauvrissement mais aussi en
enrichissement (VGS>0)
le canal est form pour Vgs=0

caractristiques

Les quations restent identiques

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Physique des semi-conducteurs Diode

Transistor

Transistor bipolaire Transistor JFET

Transistor MOSFET

Fiche synthse des transistors effet champs

Vous remarquerez que pour trouver les courbes des transistors complmentaires il suffit dinverser les signes , condition toutefois de conserver les mmes conventions de flchages courants/tensions

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