SISTEMAS DINAMICOS
CALCULO DE DISIPADOR DE CALOR PARA FUENTE REGULABLE
DE VOLTAJE DC
PABLO ALEJANDRO DEL HIERRO CALVACHI
Escuela Politécnica del Ejército, Mecatrónica, Quito, Ecuador
Departamento de Ciencia de la Energía y Mecánica
pabsdelhierro@gmail.com
Abstract−− The importance of heat sinks use in DC fixed
sources is a very interesting topic to analyze due to the help
that provides to the heat dissipation that it’s produced when
integrated circuits are working. In this document, one will
find information about the selection and calculation process
in order to choose the right heat sink for fixed voltage source
applications based on basic thermal conductance theory and
heat transfer process. Moreover, choosing the right heat sink
it could be the difference between a nice an exact DC supply
source and a totally failure one. Understanding some basics
of heat dissipation as long as Fourier’s Law and Newton
heat convection Law, it is very simple to get an idea of heat
transference between metals and air and how the thermal
interactions gets place in a transitory state given initial
conditions to the process in analysis. Heat sinks are really
necessary in process when considerable power dissipation is
in process inside electronic circuits and how to choose the
appropriated one it is more than a simple group of equations
that an engineering student has to apply.
Keywords− Convección, Disipación de calor, Resistencia
térmica, Temperatura de Unión, Potencia de Disipación.
I. INTRODUCION
En la realización de nuestros circuitos electrónicos, muchas
veces se pasa por alto la disipación de energía térmica que se
lleva a cabo en los diferentes elementos que lo conforman.
Dentro de esta consideración nos vemos en la obligación de
utilizar los conocimientos de la transferencia de calor para el
cálculo de un disipador apropiado que sea capaz de ayudar en la
disipación de calor a los circuitos electrónicos para su óptimo
funcionamiento a plena carga.
Es así que en este documento se detalla tanto la información
teórica y la exposición de resultados para el cálculo de un
disipador de calor para un circuito integrado de propiedades
conocidas de encapsulado tipo TO-3 utilizado en el diseño de
una fuente regulable de 3A de 1,2 a 24V.
Mediante la obtención de un cálculo de resistencia térmica se
puede proceder a obtener un disipador de calor que exista en el
mercado una vez aplicada la teoría de la ley de ohm térmica, la
ley de Fourier y fundamentos básicos de la transferencia de
calor como son la conducción y la convección en estado
transitorio.
El alcance del presente artículo es llegar a la obtención de la
resistencia térmica del disipador para el encapsulado descrito
anteriormente para así proceder a la selección en el mercado
local y lograr un entendimiento claro de la importancia de estos
dispositivos para el correcto funcionamiento de los dispositivos
electrónicos utilizados. Además, se pretende presentar resultados
gráficos del análisis térmico simulado mediante la ejecución del
software SOLIDWORKS en el estado transitorio proporcionado por
datos de temperatura obtenidos mediante mediciones en el
funcionamiento a plena carga de la fuente de voltaje a utilizar.
II. METODOLOGIA
Conducción Térmica
La conducción de calor es un mecanismo de transferencia de energía
térmica entre dos sistemas basado en el contacto directo de sus
partículas sin flujo neto de materia y que tiende a igualar la temperatura
dentro de un cuerpo y entre diferentes cuerpos en contacto por medio de
ondas.
El principal parámetro dependiente del material que regula la
conducción de calor en los materiales es la conductividad térmica, una
propiedad física que mide la capacidad de conducción de calor o
capacidad de una substancia de transferir el movimiento cinético de sus
moléculas a sus propias moléculas adyacentes o a otras substancias con
las que está en contacto. La inversa de la conductividad térmica es la
resistividad térmica, que es la capacidad de los materiales para oponerse
al paso del calor.
Los mecanismos de transferencia de energía térmica son de tres tipos:
* Conducción
* Convección
* Radiación térmica
La transferencia de energía o calor entre dos cuerpos diferentes por
conducción o convección requiere el contacto directo de las moléculas
de diferentes cuerpos, y se diferencian en que en la primera no hay
movimiento macroscópico de materia mientras que en la segunda sí lo
hay. Para la materia ordinaria la conducción y la convección son los
mecanismos principales en la "materia fría", ya que la transferencia de
energía térmica por radiación sólo representa una parte minúscula de la
energía transferida. La transferencia de energía por radiación aumenta
con la cuarta potencia de la temperatura siendo sólo una parte
importante a partir de temperaturas superiores a varios miles de kelvin.
Ley de Fourier.
Es la forma de transmitir el calor en cuerpos sólidos; se calienta un
cuerpo, las moléculas que reciben directamente el calor aumentan su
vibración y chocan con las que las rodean; estas a su vez hacen lo
mismo con sus vecinas hasta que todas las moléculas del cuerpo se
agitan, por esta razón, si el extremo de una varilla metálica se calienta
con una flama, transcurre cierto tiempo hasta que el calor llega al otro
extremo.
El calor no se transmite con la misma facilidad por todos los
cuerpos. Existen los denominados "buenos conductores del
calor", que son aquellos materiales que permiten el paso del
calor a través de ellos. Los "malos conductores o aislantes" son
los que oponen mucha resistencia al paso de calor.
La conducción térmica está determinada por la ley de Fourier.
Establece que la tasa de transferencia de calor por conducción
en una dirección dada, es proporcional al área normal a la
dirección del flujo de calor y al gradiente de temperatura en esa
dirección.
Donde: dQx/dt es la tasa de flujo de calor que atraviesa el área A
en la dirección x, la constante de proporcionalidad k o λ se llama
conductividad térmica, T es la temperatura y t el tiempo.
Conductividad térmica
La conductividad térmica es una propiedad intrínseca de los
materiales que valora la capacidad de conducir el calor a través
de ellos. El valor de la conductividad varía en función de la
temperatura a la que se encuentra la substancia, por lo que
suelen hacerse las mediciones a 300 K con el objeto de poder
comparar unos elementos con otros.
Es elevada en metales y en general en cuerpos continuos, y es
baja en los gases (a pesar de que en ellos la transferencia puede
hacerse a través de electrones libres) y en materiales iónicos y
covalentes, siendo muy baja en algunos materiales especiales
como la fibra de vidrio, que se denominan por eso aislantes
térmicos. Para que exista conducción térmica hace falta una
sustancia, de ahí que es nula en el vacío ideal, y muy baja en
ambientes donde se ha practicado un vacío elevado.
En algunos procesos industriales se trabaja para incrementar la
conducción de calor, bien utilizando materiales de alta
conductividad o configuraciones con un elevado área de
contacto. En otros, el efecto buscado es justo el contrario, y se
desea minimizar el efecto de la conducción, para lo que se
emplean materiales de baja conductividad térmica, vacíos
intermedios, y se disponen en configuraciones con poca área de
contacto.
Metales como el aluminio tienen una conductividad térmica de
230W/m`k por lo que se los selecciona en todos sus diferentes
aleaciones para la fabricación de materiales de disipación de
calor. Otros materiales como el hacer poseen un rango de
conductividad térmica alrededor de los 50 W/m`k, el hierro
posee 1,7 w/m`k y materiales como el cobre 310W/m`k.
Temperatura de Unión
Los elementos de circuitos de potencia disipan grandes
cantidades de ésta en sus uniones (entre colector y base por
ejemplo entre el caso de un transistor). Esta potencia disipada en
un espacio muy reducido se convierte en calor, que eleva la
temperatura de la unión de los semiconductores. Sin embargo,
no debe permitirse que esta temperatura Tj supere el máximo
especificado Tjmax, ya que de otra forma, el elemento podría
sufrir daños estructurales permanentes. Entre estos daños
podemos mencionar cambios a nivel de estructura atómica del
semiconductor (fusión térmica de la unión), como también
rompimiento de los contactos internos en el elemento, que por lo
general son de oro. Para dispositivos de silicio, esta temperatura
Tjmax está entre 150ºC y 200ºC, y se puede obtener en cada
caso en las hojas de datos de los fabricantes (datasheets).
Disipación de potencia y resistencia térmica
Consideremos el caso de un regulador que opera al aire libre, es decir,
sin dispositivos especiales para enfriamiento. El calor disipador
internamente será retirado de las uniones hacia la caja del regulador, y
de ésta hacia el ambiente. En un estado estable en que el regulador
disipa watts, el calentamiento de la unión con respecto al ambiente
está dado por la siguiente ecuación:
Donde: es la resistencia térmica entre la unión y el ambiente. Por la
ecuación vemos que ésta resistencia tiene unidades de ºC/W. Este valor
está siempre especificado en las hojas de datos de los elementos de
potencia y por lo general, también se especifica en aquellos que son de
señal, incluso en algunos chips con paquetes DIP. Podemos ver que
mientras más chico el valor de la resistencia térmica, mayor puede ser la
potencia que disipa el elemento con la misma diferencia de temperatura
entre unión y ambiente. Este proceso de conducción térmica es similar
al de conducción eléctrica dado por la ley de ohm V=R*I. (se deja al
lector identificar y relacionar los términos).
Fig. 1. Circuito eléctrico equivalente del
Proceso de conducción térmica*
La ley de Ohm térmica
Se puede afirmar que, extrapolando los términos, estamos ante una
revisión de la Ley de Ohm para parámetros térmicos. En este caso la
similitud son los términos como temperaturas por tensiones, resistencias
térmicas por resistencias óhmicas y flujo de calor por corriente eléctrica.
La ley de Ohm térmica puede expresarse como sigue:
Ec. 1
Que significa que la diferencia entre la temperatura de la juntura y la
temperatura ambiente es igual a la potencia disipada en el dispositivo
multiplicada por la resistencia térmica entre la juntura y el ambiente. En
la Ec. 1 Rja corresponde a la suma aritmética
Rja = Rjc + Rcd + Rda
Es decir que la resistencia térmica entre la juntura y el ambiente es igual
a la resistencia térmica entre la juntura y la carcasa más la resistencia
térmica entre la carcasa y el disipador, más la resistencia térmica entre el
disipador y el ambiente.
En realidad nos interesa saber cual es la potencia máxima que puede
disipar el dispositivo: por lo tanto despejamos el valor de la potencia
disipada.
Esta fórmula nos indica que la potencia que puede disipar un dispositivo
electrónico es función directa de la temperatura máxima adoptada para
la juntura (150ºC como máximo) y de la máxima temperatura ambiente
e inversa de la resistencia térmica desde la juntura al ambiente
(recordando que la resistencia juntura ambiente está fijada por las tres
resistencias indicadas anteriormente).
En la figura 2 se muestra el llamado “grafico de reducción de
potencia” que como ya se ha mencionado lo suministra el
fabricante, además de las características térmicas.

Tabla 2. Valores experimentales de Rcd**

III. RESULTADOS

Para el diseño del disipador a considerar se ha tomado en consideración

los valores de trabajo obtenidos de la fuente regulable a carga completa.
A continuación se muestra ala figura del esquema electrónico del diseño
donde se toma en cuenta el disipador a calcular en el transistor MJ2955
Fig.2 Curva de reducción de potencia** de tipo encapsulado TO-3.

Este grafico nos indica que si utilizamos un disipador infinito y

la temperatura ambiente es de 25ºC la potencia que se puede
disipar en este dispositivo en particular es de 115ºC. A medida
que el disipador va tornándose mas pequeño comienza a
sobrecalentarse con respecto a la temperatura ambiente. Por
ejemplo si con un determinado tamaño de disipador la
temperatura del mismo llega a 100ºC entonces solo se pueden
disipar 55W.

Diferentes paquetes y disipadores de calor

Vimos que en un elemento, la resistencia térmica entre la unión

y el ambiente es de vital importancia, y que el diseñador se debe Figura 3. Circuito fuente regulable 1,2Vdc – 24Vdc a 3A
preocupar de reducirla de alguna forma. Esta resistencia se
puede expresar como: De los valores de operación a plena carga se obtienen los siguientes
Rja = Rjc + Rca datos: Vce = 32Vdc, Ie = 2A de donde se puede determinar la potencia
de operación del transistor:
Donde: Rjc es la resistencia térmica entre la unión y la caja del
elemento (paquete), y Rca es la resistencia térmica entre la
caja y el ambiente. En la siguiente tabla compararemos las
resistencias térmicas de estos dos paquetes (encapsulados) con Dado la potencia de trabajo del transistor MJ2955, se puede obtener la
un típico de un transistor de señal. Donde . potencia de disipación de forma directa al relacionarlas pues es la misma
potencia. Entonces:

De los datos del datasheet del MJ2955 se obtienen los siguientes datos:

Aplicando el circuito térmico quedaría de la siguiente manera:

Tabla 1. Tipos de Encapsulados con valores de resistencia

Térmica**

La consideración del contacto directo del circuito integrado con

el disipador también posee un valor de resistencia térmica, dicho
valor depende del material aislante (eléctrico o térmico) que se
desee poner. A continuación se muestra una tabla de los valores
de resistencia térmica de algunos materiales de uso común en
este tipo de aplicaciones dependiendo de su encapsulado:
De los valores obtenidos se puede aplicar el circuito térmico Los resultados fueron los siguientes:
equivalente aplicando la ley de ohm térmica:

La resistencia térmica a considerar será de 0,10 por

ser un contacto directo con pasta de silicona entre el disipador y
el transistor y con un factor de seguridad de 0,7 por trabajar el
transistor a gran carga.

Asumiendo la relación directa entre la potencia de disipación

máxima y se obtiene que:

Por lo tanto reemplazando los datos y despejando se obtiene

que:
La curva de respuesta transitoria obtenida fue las siguientes:

Con un valor de se obtiene que:

Del circuito térmico se puede obtener la temperatura del case del

transistor y la temperatura del disipador.

El grafico obtenido de la variación de la temperatura en función del eje

x fue:

Con los valores obtenidos se puede realizar la simulación

térmica en SOLIDWORKS una vez escogido el disipador de
resistencia térmica de 1,20 . El disipador TO-3 encontrado de
las características es el ABL53AB12 de la casa FARNELL.SA.

Mediante el dibujo y propiedades del material se procede a

realizar la simulación con los valores obtenidos y verificar la
disipación térmica en régimen transitorio de 10 segundos con
pasos de 0,1 segundos.
 IV. CONCLUSIONES

Los materiales de los que están hechos la mayoría de

disipadores son de aluminio pues su precio de fabricación y
obtención es mucho mas barato que el cobre por lo que en la
industria y el mercado general se encuentra un gran stock de
disipadores de aluminio.

Un ligero incremento en el valor de la resistencia térmica del

disipador al momento de su compra puede modificar los valores
de potencia de disipación provocando un aumento lo que
conllevaría a dañar al componente a disipar.

La geometría de los disipadores es muy importante y de ellas

depende el porcentaje o grado de disipación además del material
del que están compuestos.

La resistencia térmica case-disipador debe ser reducida al

máximo posible para una mejor disipación de calor.

No se puede simplemente conformarse con un disipador de calor

en aplicaciones de gran carga y operación continua, es necesario
proveer sistemas de ventilación que ayude a la extracción de
calor de las mediaciones del disipador para que este evacue el
máximo calor posible.

La selección del correcto disipador dependerá de la potencia que

uno se encuentre disipando al momento de ejercer la aplicación,
en este caso una fuente regulable DC.

No se puede prescindir de una correcta disipación pues esto

provoca un mal funcionamiento del componente electrónico lo
cual puede provocar errores graves en nuestro sistema.

REFERENCIAS

Mini Tutorial: Circuitos Térmicos y Disipadores de Calor

Nicolás Moreno Köhler – IEE2172 **

Sedra / Smith, “Circuitos Microelectrónicos”, cuarta edición;

Oxford University Press, 2000.

Apuntes, Sistemas Dinámicos, Ing. Hernán Lara

Internet:

http://es.farnell.com/abl-heatsinks/520ab1250mb-to-
3x2/disipador-de-calor-to-3-1-2-c-w/dp/253730

http://www.terra.es/personal2/equipos2/disipadores.htm

www.wikipedia.org*

http://electronicacompleta.com/lecciones/disipadores/*