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= = =
100
1
* 8.125
C
C B
R k
I I mA
|
|
=
= O
= =
Lnea de carga: *
CC CB C C
V V I R = +
* 10 8.125 1.875
CE CC C C
V V I R V = = =
TRANSISTOR BIPOLAR Lab. Dispositivos Electrnicos
III. PRACTICA EN LABORATORIO
a) Implementar el siguiente circuito y encuentre el punto de
operacin:
( )
BB
V V ( )
CE
V V ( )
C
I A ( )
B
I A ( )
RB
V V ( )
RC
V V
|
0.7 9.94 64.6 0.22 0.10 0.06 293.63
0.8 9.88 118 0.40 0.19 0.12 295.00
0.9 9.83 174 0.59 0.28 0.17 294.92
1.0 9.77 231 0.79 0.37 0.23 292.41
1.2 9.65 348 1.19 0.56 0.35 292.44
1.4 9.53 469 1.60 0.75 0.47 293.13
1.6 9.42 587 2.02 0.94 0.59 290.59
1.8 9.30 706 2.44 1.14 0.71 289.34
2.0 9.18 823 2.85 1.34 0.82 288.77
2.2 9.06 941 3.27 1.53 0.94 287.77
2.3 9.01 999 3.48 1.63 1.00 287.07
2.4 8.95 1060 3.70 1.73 1.06 286.49
2.5 8.99 1110 3.91 1.83 1.11 283.89
TRANSISTOR BIPOLAR Lab. Dispositivos Electrnicos
El transistor bipolar permitir el continuo paso de la corriente en la
base y la salida del emisor variara ya que la fuente
BB
V es
cambiante, el voltaje en el emisor siempre ser 0 V , usando la tabla
podremos hallar as el punto de operacin.
b) Implementar el siguiente circuito y encuentre el punto de
operacin:
( )
BB
V V ( )
CE
V V ( )
C
I mA ( )
E
I mA ( )
B
I A
1
( )
R
V V
2
( )
R
V V ( )
RC
V V ( )
RE
V V ( )
X
V V
|
S/F 10.9 0.36 0.37 1.22 10.9 1.08 0.66 0.44 11.34 295.08
0.7 11.8 0.08 0.08 0.26 11.3 0.70 0.15 0.09 11.89 307.69
0.8 11.5 0.15 0.15 0.49 11.2 0.80 0.27 0.18 11.68 306.12
0.9 11.3 0.22 0.23 0.74 11.1 0.90 0.40 0.27 11.57 297.29
1.0 11.1 0.30 0.30 1.00 11.0 1.00 0.54 0.36 11.46 300.00
1.2 10.6 0.46 0.46 1.54 10.8 1.20 0.82 0.55 11.15 298.70
1.4 10.1 0.62 0.62 2.10 10.6 1.40 1.11 0.74 10.84 295.24
1.6 9.66 0.78 0.78 2.67 10.4 1.60 1.40 0.94 10.60 292.13
1.8 9.18 0.94 0.94 3.27 10.2 1.80 1.69 1.13 10.31 287.75
2.0 8.69 1.10 1.11 3.87 10.0 2.00 1.98 1.33 10.02 284.24
2.2 8.20 1.27 1.27 4.50 9.80 2.20 2.28 1.52 9.72 282.22
2.3 7.95 1.35 1.35 4.82 9.70 2.30 2.42 1.62 9.57 280.08
2.4 7.71 1.43 1.43 5.14 9.60 2.40 2.57 1.72 9.43 278.21
2.5 7.46 1.51 1.52 5.46 9.50 2.50 2.72 1.82 9.28 276.56
TRANSISTOR BIPOLAR Lab. Dispositivos Electrnicos
IV. INFORME
a) Explique el comportamiento del transistor bipolar en cada caso.
Se puede observar que en ambos casos se usan transistores NPN
cuyo encapsulado es el BC549 que son dispositivos capaces de
amplificar la corriente de salida respecto de una pequea corriente
de entrada, los transistores bipolares en general se caracterizan por
tener 3 comportamientos segn el rango en el que se encuentre el
estmulo de corriente y voltaje de la entrada, estos son:
La zona de corte: en donde el transistor se comporta como si
fuera un circuito abierto, esto ocurre cuando la corriente de la
base es muy pequeo o cero.
La zona de activacin: es la zona donde el transistor se
comporta como si fuera un amplificador y en esta zona se
opera utilizando las leyes de Kirchhoff y mallas teniendo en
cuenta una relacin conocida como | que es la ganancia de
corriente del transistor.
La zona de saturacin: en este lugar el transistor se comporta
como un nodo o corto circuito.
b) Explique la necesidad de usa cada transistor bipolar diferente
en cada caso.
Si bien en ambos ejercicios se us el mismo tipo de transistores, en
los transistores de unin bipolar existen dos tipos los cuales son
NPN y el transistor PNP, ambos dispositivos tiene amplias
aplicaciones prcticas pero su diferencia est en la forma de
activacin de estos, el transistor NP se activa con la introduccin de
una corriente positiva entrando a la base, mientras que un transistor
PNP se activa con una corriente negativa o con una corriente que es
saliente de la base.
c) Realice las operaciones de cada tabla en forma terica.
Para el primer circuito
TRANSISTOR BIPOLAR Lab. Dispositivos Electrnicos
Cuando: 0 0.7
BB
V V V < <
El circuito se encuentra en la zona de corte, adems la
deferencia de potencial entre el colector y el emisor es igual al
de la fuente de 10V
Cuando: 0.8 2.2
BB
V V V < <
El circuito se encuentra en la zona activa donde se cumplen
las siguientes ecuaciones:
( 1)
( 1)
c
E c b
b
E b b E b
E
b
i
i i i
i
i i i i i
i
i
|
| |
|
= + . =
= + = +
=
+
TRANSISTOR BIPOLAR Lab. Dispositivos Electrnicos
Cuando: 2.3
BB
V V =
El transistor se encuentra en la zona de saturacin por lo que
el circuito se comporta como dos simples mallas con dos
fuentes independientes.
Para el segundo circuito
Cuando: 0 0.7
BB
V V V < <
El circuito se encuentra en la zona de corte, adems la
diferencia de potencial entre el colector y el emisor es igual al
de la fuente de 12 V .
TRANSISTOR BIPOLAR Lab. Dispositivos Electrnicos
Cuando: 0.8 2.2
BB
V V V < <
El circuito se encuentra en la zona activa donde se cumplen
las siguientes ecuaciones:
( 1)
( 1)
c
E c b
b
E b b E b
E
b
i
i i i
i
i i i i i
i
i
|
| |
|
= + . =
= + = +
=
+
TRANSISTOR BIPOLAR Lab. Dispositivos Electrnicos
Cuando: 2.3
BB
V V =
El transistor se encuentra en la zona de saturacin por lo que
el circuito se comporta como 4 simples mallas con dos fuentes
independientes.