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PRCTICA # 1

CIRCUITOS DE DISPARO
ELEMENTOS CON CARACTERISTICAS DE RESISTENCIA NEGATIVA (ERN) Y
MODULACION DE ANCHO DE PULSO (PWM)
MSc. Luis A. Morales luis.moralesc@epn.edu.ec,
MSc. Jorge L. Rosero jorge.rosero@epn.edu.ec,
Sr. Freddy Guerrero roberto7g@hotmail.com
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 1 de 20
2 INTRODUCCIN
1. OBJETIVOS
Conocer las caractersticas de los elementos de resistencia negativa, elementos empleados en la genera-
cin de seales de control (osciladores de relajacin).
Conocer el funcionamiento de la tcnica de Modulacin de Ancho de Pulso o PWM y hacer uso de sta
para generar seales de control de elementos semiconductores de potencia.
2. INTRODUCCIN
2.1. ELEMENTOS CON CARACTERISTICAS DE RESISTENCIA NEGATIVA (ERN)
Los elementos de resistencia negativa (ERN) usados principalmente para la generacin de seales de con-
trol, son elementos semiconductores que dentro de sus caractersticas tienen una regin de bloqueo y una
regin de conduccin semejante a la de un diodo, adems una regin intermedia especial en la que a un
incremento de la corriente entre dos de sus terminales se produce una reduccin en el voltaje entre estos
terminales, como se aprecia en la Figura 1.
PRCTICA No. 1
CIRCUITOS DE DISPARO

ELEMENTOS CON CARACTERSTICAS DE RESISTENCIA NEGATIVA (ERN)
Y MODULACIN DE ANCHO DE PULSO (PWM)

1. OBJETIVO
1.1. Conocer las caractersticas de los elementos de resistencia negativa, elementos empleados en la
generacin de seales de control (osciladores de relajacin).
1.2. Conocer el funcionamiento de la tcnica Modulacin de Ancho de Pulso o PWM y hacer uso de
sta para generar seales de control de elementos semiconductores de potencia.

2. MARCO TERICO
2.1. ELEMENTOS CON CARACTERSTICAS DE RESISTENCIA NEGATIVA (ERN)
Los elementos de resistencia negativa (ERN) usados principalmente para la generacin de seales
de control, son
elementos semiconductores que dentro de sus caracterstica se observa una regin de bloqueo y
una regin de conduccin semejante a la de un diodo, adems una regin intermedia especial en la
que a un incremento de la corriente entre dos de sus terminales se produce una reduccin en el
voltaje entre estos terminales, como se muestra en la Figura 1.1.








Figura 1.1
Como se puede observar la curva caracterstica presenta tres regiones bien definidas:
x La regin de BLOQUEO (OA), que se caracteriza por su baja conductividad (uA).
x La regin de CONDUCCION (BC), que se caracteriza por su alta conductividad (mA), en
esta regin dependiendo del tipo y de la estructura del dispositivo puede conducir corrientes
en el rango de las decenas o centenas de miliamperios.
x La regin de RESISTENCIA NEGATIVA (AB), es la regin de transicin entre la regin de
conduccin y la regin de bloqueo por lo que se caracteriza por ser una zona altamente
inestable.
I
V
V v V p
I v
I p
V c c
O
A
B
C
C u r v a c a r a c t e r s t i c a d e u n E R N g e n e r a l i z a d o
D o n d e :
V v = v o l ta j e d e v a l le
V p = v o l ta j e p ic o o d e a c t i v a d o
I v = c o r ri e n t e d e v a l l e o d e m a n t e n i m i e n to
I p = c o r ri e n t e d e p i c o
Figura 1: Curva Caracterstica de un ERN generalizado
Donde:
V
v
es el voltaje de valle
V
p
es el voltaje pico o de activado
I
v
es la corriente de valle o de mantenimiento
I
p
es la corriente de pico
Como se puede observar la curva caracterstica presenta tres regiones bien denidas:
La regin de BLOQUEO (OA), que se caracteriza por su baja conductividad (uA).
La regin de CONDUCCIN (BC), que se caracteriza por su alta conductividad (mA), en esta regin
dependiendo del tipo y de la estructura del dispositivo puede conducir corrientes en el rango de las
decenas o centenas de miliamperios.
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2 INTRODUCCIN
La regin de RESISTENCIA NEGATIVA (AB), es la regin de transicin entre la regin de conduccin y
la regin de bloqueo por lo que se caracteriza por ser una zona altamente inestable.
El ERN puede compararse con un interruptor donde la regin de bloque puede representarse como el esta-
do de abierto mientras que la regin de conduccin puede representarse como el estado de cerrado. A partir de
la curva caracterstica del ERN se puede observar que ste pasa del estado de bloqueo al estado de conduccin
cuando el voltaje entre sus terminales es igual al voltaje pico o voltaje de activado (V
p
) y permanece en este
mientras la corriente que pasa a travs de sus terminales sea mayor o igual a la corriente de valle o corriente
de mantenimiento (I
v
).
En el caso de que la operacin del elemento no se realice en ninguna de las dos zonas, el elemento trabaja
en la regin de resistencia negativa donde opera en forma inestable oscilando entre los estados de bloqueo
y de conduccin. Es decir, si se trabaja en el interior de la regin de resistencia negativa el elemento puede
actuar dentro de un circuito oscilador de relajacin, donde el circuito externo al ERN debe garantizar que
el punto de operacin se site al interior de la regin de resistencia negativa. El funcionamiento de un
circuito oscilador de relajacin, est basado en los perodos de carga y descarga de un capacitor. En la
mayora de aplicaciones, la energa almacenada lentamente durante el perodo de carga del capacitor
es violentamente liberada durante la descarga. De esta manera, sobre el capacitor aparecer una onda
similar a un diente de sierra, y sobre el elemento que recibe la descarga, aparecer un pulso de corriente.
Un oscilador generalizado con elemento de resistencia negativa se muestra en la Figura 2.
Donde:
R
1
es la resistencia de carga del capacitor
R
2
es la resistencia de descarga del capacitor
ERN elemento de resistencia negativa
Antes de energizar el circuito el capacitor C esta descargado y su voltaje es igual a cero al igual que el del
ERN, inmediatamente despus de energizar se inicia la carga del capacitor a travs de R
1
, en este caso espe-
cco la carga del capacitor ser exponencial pues su carga es a travs de una resistencia. Mientras el voltaje
El ERN puede compararse con un interruptor donde la regin de bloque puede representarse como
el estado de abierto mientras que la regin de conduccin puede representarse como el estado de
cerrado.A partir de la curva caracterstica del ERN se puede observar que este pasa del estado de
bloqueo al estado de conduccin cuando el voltaje entre sus terminales es igual al voltaje pico o
voltaje de activado (Vp) y permanece en este mientras la corriente que pasa a travs de sus
terminales sea mayor o igual a la corriente de valle o corriente de mantenimiento (Iv).

En el caso de que la operacin del elemento no se realice en ninguna de las dos zonas, el elemento
trabaja en la regin de resistencia negativa donde opera en forma inestable oscilado entre los
estados de bloqueo y de conduccin. Es decir, si se trabaja en el interior de la regin de resistencia
negativa el elemento puede actuar dentro de un circuito oscilador de relajacin, donde el circuito
externo al ERN debe garantizar que el punto de operacin se site al interior de la regin de
resistencia negativa. El funcionamiento de un circuito oscilador de relajacin, est basado en los
perodos de carga y descarga de un capacitor. En la mayora de aplicaciones, la energa
almacenada lentamente durante el perodo de carga del capacitor es violentamente liberada durante
la descarga. De esta manera, sobre el capacitor aparecer una onda diente de sierra, y sobre el
elemento que recibe la descarga, aparecer un pulso de corriente un oscilador generalizado con
elemento de resistencia negativa se muestra en la Figura 1.2.








Figura 1.2
Antes de energizar el circuito el capacitor C esta descargado y su voltaje es igual a cero al igual que
el del ERN, inmediatamente despus de energizar se inicia la carga del capacitor a travs de R
1
, en
este caso especfico la carga del capacitor ser exponencial. Mientras el voltaje en el capacitor sea
menor a V
P
la corriente en el ERN ser pequea por lo tanto la resistencia equivalente de este ser
de un valor grande por lo que el voltaje de salida V
out
en R
2
ser pequeo, conforme continua la
carga del capacitor el voltaje entre sus terminales alcanzar V
p
el mismo voltaje que se aplicar al
ERN, en ese instante el elemento pasa brevemente por la regin de resistencia negativa y entra a la
regin de conduccin y la corriente a travs de sus terminales incrementa de tal manera que la
resistencia equivalente del ERN se reduce permitiendo la circulacin de corriente a travs de sus
terminales y por lo tanto la posterior descarga del capacitor a travs de R
2
producindose un breve
pulso de voltaje en la V
out
, recordando adems lo anteriormente sealado el elemento permanecer
en conduccin mientras la corriente a travs de sus terminales sea mayor o igual a la corriente de
mantenimiento, es importante tener en cuenta que la descarga del capacitor tambin es exponencial
y transcurrido un tiempo la corriente tiende a cero siendo en algn punto de la descarga menor a la
corriente de mantenimiento por lo que nuevamente el ERN entra en estado de bloqueo a partir de
entonces el capacitor se carga hasta V
p
momento en el cual nuevamente el ERN entra al estado de
D o n d e :
R 1 = r e s i s t e n c ia d e c a r g a d e l c a p a c i t o r
R 2 = r e s i s t e n c ia d e d e s c a r g a d e l c a p a c i to r
E R N = e l e m e n t o d e r e s i s t e n c ia n e g a ti v a
D C
V c c
R 1
R 2
E R N
C
Vo u t
Figura 2: Circuito en ERN
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 3 de 20
2 INTRODUCCIN conduccin producindose la descarga del capacitor, proceso que se repetir peridicamente
mientras el circuito este energizado, formando el circuito oscilador, Figura 1.3.












Figura 1.3

Entre los elementos de resistencia negativa ms conocidos podemos anotar:
x Transistor Unijuntura UJT
x Transistor Unijuntura Programable PUT
x Conmutador Unidireccional de Silicio SUS
x Conmutador Bidireccional de Silicio SBS
x Conmutador Controlado de Silicio SCS
x Diodo Bilateral de Disparo DIAC

Los mismos que se clasifican dependiendo de su nmero de capas como de su sentido de
conduccin. De acuerdo al nmero de capas semiconductoras puede ser de dos, tres, cuatro y cinco
capas, mientras que por su sentido de conduccin pueden ser unidireccionales y bidireccionales,
dependiendo de estas caractersticas los parmetros Ip, Iv, Vp y Vv varan para cada elemento. En
este caso se estudia el UJT elemento unidireccional y el DIAC elemento bidireccional.

EL TRANSISTOR UNIJUNTURA (UJT)
Dispositivo de dos capas, que puede ser usado en circuitos generadores de pulso de control. Consta
de una barra de silicio tipo n ligeramente dopado que tiene dos contactos de base en ambos
extremos de su superficie y una varilla de aleacin de aluminio en la superficie opuesta, Figura 1.4.












Figura 1.4

V c c
V p
V v
t
t
VR 2 o
VR 2 m a x
V c = V E
V R 2
Figura 3: Forma de Onda en el Capacitor y Salida del ERN
en el capacitor sea menor a V
p
la corriente en el ERN ser pequea por lo tanto la resistencia equivalente de
este ser de un valor grande por lo que el voltaje de salida V
out
en R
2
ser pequeo, conforme continua la
carga del capacitor el voltaje entre sus terminales alcanzar V
p
el mismo voltaje que se aplicar al ERN, en ese
instante el elemento pasa brevemente por la regin de resistencia negativa y entra a la regin de conduccin
y la corriente a travs de sus terminales incrementa de tal manera que la resistencia equivalente del ERN se
reduce permitiendo la circulacin de corriente a travs de sus terminales y por lo tanto la posterior descarga
del capacitor a travs de R
2
producindose un breve pulso de voltaje en la V
out
.
Adems, el elemento permanecer en conduccin mientras la corriente a travs de sus terminales sea
mayor o igual a la corriente de mantenimiento, es importante tener en cuenta que la descarga del capaci-
tor tambin es exponencial y transcurrido un tiempo la corriente tiende a cero siendo en algn punto de la
descarga menor a la corriente de mantenimiento por lo que nuevamente el ERN entra en estado de bloqueo
a partir de entonces el capacitor se carga hasta Vp momento en el cual nuevamente el ERN entra al estado
de conduccin producindose la descarga del capacitor, proceso que se repetir peridicamente mientras el
circuito este energizado, formando el circuito oscilador, como se ilustra en la Figura 3.
Los elementos de resistencia negativa ms conocidos se resumen en el Cuadro 1, los mismos que se clasi-
can dependiendo de su nmero de capas como de su sentido de conduccin. De acuerdo al nmero de capas
semiconductoras puede ser de dos, tres, cuatro y cinco capas, mientras que por su sentido de conduccin
pueden ser unidireccionales y bidireccionales, dependiendo de estas caractersticas los parmetros I
p
, I
v
, V
p
y V
v
varan para cada elemento. En este caso se estudia el UJT elemento unidireccional y el DIAC elemento
bidireccional.
2.1.1. EL TRANSISTOR UNIJUNTURA UJT
Dispositivo de dos capas, que puede ser usado en circuitos generadores de pulso de control. Consta de una
barra de silicio tipo N ligeramente dopado que tiene dos contactos de base en ambos extremos de su supercie
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2 INTRODUCCIN
y una varilla de aleacin de aluminio en la supercie opuesta, cuya contruccin bsica se muestra en la Figura
4.
26
Unijunction transistor (UJT): basic construction.
Figura 4: Construccin Bsica de un UJT
El UJT tiene tres terminales denominados: Emisor (E), Base 1 (B
1
) y Base 2 (B
2
), los mismos que se
pueden apreciar en la la Figura 5. Entre los terminales B
1
y B
2
se tiene una caracterstica resistiva determina-
da por R
B1
y R
B2
, la misma que se denomina resistencia interbase R
BB
y cuyo valor oscila entre 4.7 Ky 9.1 K.
A partir del circuito equivalente se puede deducir que el UJT no entrar en conduccin sino hasta que el
voltaje aplicado al emisor E sea superior al voltaje pico V
p
el que esta dado por:
V
p
= V
D
+ V
RB1
(1)
V
D
0,5V (2)
Elementos de Resistencia Negativa Abreviatura
Transistor Unijuntura UJT
Transistor Unijuntura Programable PUT
Conmutador Unidireccional de Silicio SUS
Conmutador Bidireccional de Silicio SBS
Conmutador Controlado de Silicio SCS
Diodo Bilateral de Disparo DIAC
Cuadro 1: Elementos de Resistencia Negativa
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2 INTRODUCCIN
El UJT tiene tres terminales denominados emisor (E), base 1 (B1) y base 2 (B2). En la Figura 1.5 (a)
se observa el smbolo para el UJT y en la Figura 1.5 (b) el circuito equivalente para el mismo.








Figura 1.5
Entre los terminales B1 y B2 se tiene una caracterstica resistiva determinada por R
B1
y R
B2
, esta
resistencia es denominada resistencia interbase R
BB
cuyo valor oscila entre 4.7 K: y 9.1 K:.

A partir del circuito equivalente se puede deducir que el UJT no entrar en conduccin sino hasta
que el voltaje aplicado al emisor E sea superior al voltaje pico Vp el que esta dado por




1 RB D P
V V V

V V
D
5 . 0 |

De ello se deduce que Vp depende del voltaje interbase y es una fraccin del mismo, para
determinar el valor de V
RB1
a partir de un divisor de voltaje.

1 2
1
2 1
1 1 2
1 B B
BB
B
B B
B B B
RB
V
R
R
R R
R V
V


si
BB
B
R
R
1
K

donde K (eta) = relacin intrnseca de bloqueo (0.51 y 0.82 dependiendo del elemento),
Entonces:
1 2 B B D P
V V V K

OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT - RAMPA EXPONENCIAL
En la Figura 1.6 se muestra un circuito oscilador de relajacin con carga exponencial cuyo voltaje de
descarga (pulso de descarga) en R
2
es usado en el encendido de otros dispositivos de mayor
potencia como SCRs, TRIACs, etc.



B 2
E
B 1
E
B 2
B 1
B 2 R
B 1 R
B B R
D V
( a ) ( b )
(a)
El UJT tiene tres terminales denominados emisor (E), base 1 (B1) y base 2 (B2). En la Figura 1.5 (a)
se observa el smbolo para el UJT y en la Figura 1.5 (b) el circuito equivalente para el mismo.








Figura 1.5
Entre los terminales B1 y B2 se tiene una caracterstica resistiva determinada por R
B1
y R
B2
, esta
resistencia es denominada resistencia interbase R
BB
cuyo valor oscila entre 4.7 K: y 9.1 K:.

A partir del circuito equivalente se puede deducir que el UJT no entrar en conduccin sino hasta
que el voltaje aplicado al emisor E sea superior al voltaje pico Vp el que esta dado por




1 RB D P
V V V

V V
D
5 . 0 |

De ello se deduce que Vp depende del voltaje interbase y es una fraccin del mismo, para
determinar el valor de V
RB1
a partir de un divisor de voltaje.

1 2
1
2 1
1 1 2
1 B B
BB
B
B B
B B B
RB
V
R
R
R R
R V
V


si
BB
B
R
R
1
K

donde K (eta) = relacin intrnseca de bloqueo (0.51 y 0.82 dependiendo del elemento),
Entonces:
1 2 B B D P
V V V K

OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT - RAMPA EXPONENCIAL
En la Figura 1.6 se muestra un circuito oscilador de relajacin con carga exponencial cuyo voltaje de
descarga (pulso de descarga) en R
2
es usado en el encendido de otros dispositivos de mayor
potencia como SCRs, TRIACs, etc.



B 2
E
B 1
E
B 2
B 1
B 2 R
B 1 R
B B R
D V
( a ) ( b )
(b)
Figura 5: Smbolo y Circuito Equivalente del UJT
De ello se deduce que V
p
depende del voltaje interbase y es una fraccin del mismo, para determinar el
valor de V
RB1
a partir de un divisor de voltaje.
V
RB1
=
V
B2B1
R
B1
R
B1
+R
B2
=
R
B1
R
BB
V
B2B1
(3)
Si,
=
R
B1
R
BB
(4)
Donde:
es la relacin intrnseca de bloqueo (0.51 0.82)
Entonces:
V
p
= V
D
+V
B2B1
(5)
2.1.2. OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT RAMPA EXPONENCIAL
Este tipo de circuitos generalmente son usados para el encendido de otros dispositivos de mayor potencia
como SCR y TRIAC, como se aprecia en la Figura 6. El circuito formado por R
1
y C, determinan el tiempo que
tarda en aplicarse V
p
al emisor del UJT para que entre en conduccin y se proceda a la descarga a travs de
R
2
; el tiempo de carga (tiempo en bloqueo) y descarga (tiempo en conduccin) dependen de R
1
, R
2
y C, por
lo que una variacin de estos valores permite determinar el tiempo antes de la aparicin del pulso en R
2
, as
como el ancho del mismo.
Se recomienda escoger R
1
de tal manera que el dispositivo opere en la regin de resistencia negativa,
condicin que permite al elemento oscilar entre bloqueo y conduccin. Es por ello importante determinar un
rango entre el cual puede variar R
1
asegurando el encendido y el apagado del elemento.
Para asegurar el encendido:
El proceso de encendido se inicia cuando el voltaje en el emisor es igual al voltaje pico V
E
= V
p
y por lo tanto
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2 INTRODUCCIN








Figura 1.6

R
1
y C determinan el tiempo que tarda en aplicarse V
P
al emisor del UJT para que entre en
conduccin y se proceda a la descarga a travs de R
2
, el tiempo de carga (tiempo en bloqueo) y
descarga (tiempo en conduccin) dependen de R
1
y R
2
adems de

C por lo que una variacin de
esta resistencias permite variar el tiempo antes de la aparicin del pulso en R
2
como el ancho de
este.
Se recomienda escoger R
1
de tal manera que el dispositivo opere en la regin de resistencia
negativa, condicin que permite al elemento oscilar entre bloqueo y conduccin. Es por ello
importante determinar un rango entre el cual puede variar R
1
asegurando el encendido y el apagado
del elemento.

Para asegurar el encendido:
El proceso de encendido se inicia cuando el voltaje en el emisor es igual al voltaje pico V
E
= V
P
y por
lo tanto I
R1
= I
P
, igualdad que es valida debido a que la corriente de carga del condensador en ese
instante es igual a cero, esto es, el condensador est en este instante cambiando de un estado de
carga a de descarga.

Entonces :

1
1
R
E
I
V Vcc
R



pero en el punto de pico I
R1
= I
P
y V
E
= V
P


P
P
I
V Vcc
R

1


y para asegurar el disparo:

P
P
I
V Vcc
R

1


En el punto de valle I
E
= I
V
y V
E
= V
V
, por lo que
E R
V R I Vcc u
1 1
R 1
R 2
R 3
C
V c c
RG
Figura 6: Circuito Oscilador de Relajacin con Rampa Exponencial
I
R1
= I
p
, igualdad que es vlida debido a que la corriente de carga del condensador en ese instante es igual a
cero, esto es, el condensador est en ese instante cambiando de un estado de carga a uno de descarga.
Entonces :
V
cc
I
R1
R
1
= V
E
(6)
pero en el punto pico I
R1
= I
p
y V
E
= V
p
R
1
=
V
cc
V
p
I
p
(7)
y para asegurar el disparo:
R
1
<
V
cc
V
p
I
p
(8)
En el punto de valle I
E
= I
v
y V
E
= V
v
, por lo que:
R
1
=
V
cc
V
v
I
v
(9)
y para asegurar el apagado:
R
1
>
V
cc
V
v
I
v
(10)
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2 INTRODUCCIN
Por lo tanto R
1
est limitado por:
V
cc
V
v
I
v
< R
1
<
V
cc
V
p
I
p
(11)
La resistencia R
2
debe ser lo sucientemente pequea para asegurar que el SCR no se encienda por el
voltaje en R
2
.
Cuando I
E
= 0
V
R2
=
R
2
R
2
+R
BB
V
cc
(12)
El capacitor determina el tiempo entre pulso y pulso, adems del ancho de cada pulso. En algunas ocasio-
nes se coloca R
3
entre V
cc
y la base 2 B
2
, la misma que es opcional; se sugiere R
3
= 10R
2
.
Para analizar formas de onda de voltaje en el capacitor y en R2, se obtendr circuitos equivalentes para
cada caso:
1. Cuando el V
E
< V
p
e I
E
= 0
Mientras el UJT se encuentra en corte los dos ramales son totalmente independientes, el ramal en el
que se encuentra el capacitor se puede analizar como una red RC a la que se aplica una seal paso y el
voltaje en R
2
se puede hallar a travs de un divisor de voltaje, como se aprecia en la Figura 7a.
2. Cuando el UJT se enciende V
E
= V
p
.
En el instante que el UJT se enciende, el diodo entra en polarizacin directa y la corriente en el capacitor
(I
C
) es cero como se muestra en la Figura 7b.

V
V
I
V Vcc
R

1


y para asegurar el apagado:

V
V
I
V Vcc
R

1


Por lo tanto R1 est limitado por:

P
P
V
V
I
V Vcc
R
I
V Vcc

1


La resistencia R
2
debe ser lo suficientemente pequea para asegurar que el SCR no se encienda por
el voltaje en R
2
.
Cuando I
E
= 0


0
2
2
2

E
I
BB
R
Vcc
R R
R
V


El capacitor determina el tiempo entre pulso y pulso, adems del ancho de cada pulso.

En algunas ocasiones se coloca R
3
entre Vcc y la base 2 B
2
, la misma que es opcional, se
sugiere R
3
= 10 R
2
.

Para analizar formas de onda de voltaje en el capacitor y en R
2
, se obtendr circuitos equivalentes
para cada caso:

a) Cuando el V
E
V
P
e I
E
= 0, Figura 1.7.












Figura 1.7


Mientras el UJT se encuentra en corte los dos ramales son totalmente independientes, el ramal en el
que se encuentra el capacitor se puede analizar como una red RC a la que se aplica una seal paso
y el voltaje en R
2
se puede hallar a travs de un divisor de voltaje.
R 1
R 2
R 3
C
V c c
V E
I = 0 E
R B 1
R B 2
(a)
b) Cuando el UJT se enciende V
E
= V
P
, Figura 1.8.














Figura 1.8



En el instante que el UJT se enciende el diodo entra en polarizacin directa y la corriente en el
capacitor (Ic) es cero.

c) Cuando el UJT esta encendido, Figura 1.9.







Figura 1.9

El capacitor se descarga a travs de R
2
y

R
B1
pero en conduccin la segunda se reduce
considerablemente.

Si el elemento oscila entre corte y saturacin las formas de onda en el capacitor y R
2
sern las
mostradas en la Figura 1.10:








Figura 1.10
V c c
V p
V v
t
t
VR 2 o
VR 2 m a x
V c = V E
V R 2
R 2
C
V E
R B 1
VR 2
V - 0 . 7 V
C
+
-
+ -
0 . 7 V
V
C
R 1
R 2
R 3
C
V c c
V E
R B 1
R B 2
VR 2
V - 0 . 7 V
P
V = V
C P
+
-
+ -
0 . 7 V
V
D
I = 0 C
(b)
Figura 7: Smbolo y Circuito Equivalente del UJT
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2 INTRODUCCIN
3. Cuando el UJT esta encendido. Figura 8.
b) Cuando el UJT se enciende V
E
= V
P
, Figura 1.8.














Figura 1.8



En el instante que el UJT se enciende el diodo entra en polarizacin directa y la corriente en el
capacitor (Ic) es cero.

c) Cuando el UJT esta encendido, Figura 1.9.







Figura 1.9

El capacitor se descarga a travs de R
2
y

R
B1
pero en conduccin la segunda se reduce
considerablemente.

Si el elemento oscila entre corte y saturacin las formas de onda en el capacitor y R
2
sern las
mostradas en la Figura 1.10:








Figura 1.10
V c c
V p
V v
t
t
VR 2 o
VR 2 m a x
V c = V E
V R 2
R 2
C
V E
R B 1
VR 2
V - 0 . 7 V
C
+
-
+
-
0 . 7 V
V
C
R 1
R 2
R 3
C
V c c
V E
R B 1
R B 2
VR 2
V - 0 . 7 V
P
V = V
C P
+
-
+
-
0 . 7 V
V
D
I = 0 C
Figura 8: Circuito Equivalente del UJT
El capacitor se descarga a travs de R
2
y R
B1
pero en conduccin la segunda se reduce considerablemente.
Si el elemento oscila entre corte y saturacin las formas de onda en el capacitor y R
2
sern las mostradas
en la Figura 9.
b) Cuando el UJT se enciende VE = VP , Figura 1.8.














Figura 1.8



En el instante que el UJT se enciende el diodo entra en polarizacin directa y la corriente en el
capacitor (Ic) es cero.

c) Cuando el UJT esta encendido, Figura 1.9.







Figura 1.9

El capacitor se descarga a travs de R2 y RB1 pero en conduccin la segunda se reduce
considerablemente.

Si el elemento oscila entre corte y saturacin las formas de onda en el capacitor y R2 sern las
mostradas en la Figura 1.10:








Figura 1.10
V c c
V p
V v
t
t
VR 2 o
VR 2 m a x
V c = V E
V R 2
R 2
C
V E
R B 1
VR 2
V - 0 . 7 V
C
+
-
+ -
0 . 7 V
V
C
R 1
R 2
R 3
C
V c c
V E
R B 1
R B 2
VR 2
V - 0 . 7 V
P
V = V
C P
+
-
+ -
0 . 7 V
V
D
I = 0 C
Figura 9: Circuito Equivalente del UJT
Donde:
V
R2o
=
R
2
R
2
+R
B1
(V
p
0,7) (13)
V
R2max
=
R
2
R
2
+R
BB
+R
3
V
cc
(14)
En caso de no colocar R
3
:
V
R2max
=
R
2
R
2
+R
BB
V
cc
(15)
Por lo que el voltaje en R2 es mayor, de all que es conveniente colocar R3, pues as disminuye el voltaje
en R2, asegurando que el SCR no se dispare por voltaje durante el periodo de carga del capacitor.
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 9 de 20
2 INTRODUCCIN
2.1.3. DEDUCCIN DE LAS ECUACIONES DE CARGA Y DESCARGA DEL CAPACITOR
CARGA DEL CAPACITOR
Para determinar la ecuacin de carga se tomar como referencia la Figura 10.
Donde:
7 . 0
1 2
2
2

P
B
o R
V
R R
R
V
y
Vcc
R R R
R
V
BB
R
3 2
2
max 2



En el caso de no colocar R3
Vcc
R R
R
V
BB
R

2
2
max 2


Por lo que el voltaje en R2 es mayor, de all que es conveniente colocar R3, pues as disminuye el
voltaje en R2, asegurando que el SCR no se dispare por voltaje durante el periodo de carga del
capacitor.

Deduccin de las ecuaciones de carga y descarga del capacitor

Carga del capacitor
Para determinar la ecuacin de carga se tomar como referencia la Figura 1.11.













Figura 1.11

Tomando en cuenta que el capacitor tiene un valor inicial de Vv y que la respuesta es exponencial en
el caso de una red R-C aplicado un voltaje paso de amplitud Vcc Vv se tiene que el voltaje en el
capacitor Vc esta dado por


e
t
V V C
V Vcc V V
W
1
donde:
C R
1
W


de all que el voltaje en el capacitor es

e
C R t
V V C
V Vcc V V
1
1




esta ecuacin es valida durante la carga del capacitor hasta cuando el voltaje del capacitor sea Vc =
VE = VP ; momento en el cual el UJT entra en conduccin y se inicia el proceso de descarga del
capacitor.

Descarga del capacitor
Para determinar la ecuacin de descarga se tomar como referencia la Figura 1.12.


V c c
V v
V p
V c
t c a rg a
t
V c c
V c
C
R 1
E = V
Figura 10: Carga del Capacitor
Tomando en cuenta que el capacitor tiene un valor inicial de Vv y que la respuesta es exponencial en el
caso de una red R-C aplicado un voltaje paso de amplitud Vcc , Vv se tiene que el voltaje en el capacitor Vc
esta dado por
V
c
= V
v
+ (V
cc
V
v
)(1 e
t

) (16)
Donde: = R
1
C
De all que el voltaje en el capacitor es:
V
c
= V
v
+ (V
cc
V
v
)(1 e
t
R
1
C
) (17)
esta ecuacin es valida durante la carga del capacitor hasta cuando el voltaje del capacitor sea V
c
=V
E
=V
P
;
momento en el cual el UJT entra en conduccin y se inicia el proceso de descarga del capacitor.
DESCARGA DEL CAPACITOR
Para determinar la ecuacin de descarga se tomar como referencia la Figura 11. La descarga del capacitor
se realiza a travs de la resistencia por lo que el voltaje durante este intervalo de tiempo se describe de la
siguiente manera:
V
c
= V
p
e
t
(R
B1
+R
2
)C
(18)
Donde: = R
B1
+R
2
y el voltaje de R
2
o resistencia de descarga:
V
R2
=
R
2
r
2
+R
B1
(V
p
0,7) (19)
Para determinar el tiempo de carga, descarga y periodo de oscilacin.
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 10 de 20
2 INTRODUCCIN


















Figura 1.12
La descarga del capacitor se realiza a travs de la resistencia por lo que el voltaje durante este
intervalo de tiempo se describe de la siguiente manera:

e
C R R
t
P C
B
V V
2 1


Donde 2 1
R R
B
W


y el voltaje de R2 o resistencia de descarga
7 . 0
1 2
2
2

Vp
R R
R
V
B
R


Para determinar el tiempo de carga, descarga y periodo de oscilacin.

Tiempo de carga
Voltaje del capacitor durante la carga


e
C R t
V V C
V Vcc V V
1
1



e e
C R
t
V
C R
t
V V C
V Vcc V Vcc V V
1 1




e
C R
t
V C
V Vcc Vcc V
1




si cuando t = tC (tcarga) Vc = Vv

e
C R
t
V P
C
V Vcc Vcc V
1



e
C R
t
V
P
C
V Vcc
V Vcc
1


C
R
V c = V E
R 2
B 1
VR 2 m a x
t
VR 2 o
V R 2
V c c
V v
V p
t d e s c a r g a
t
E V c = V
Figura 11: Descarga del Capacitor
TIEMPO DE CARGA
El voltaje del capacitor durante la carga es:
V
c
= V
v
+ (V
cc
V
v
)(1 e
t
R
1
C
) (20)
V
c
= V
v
+ V
cc
V
v
V
cc
e
t
R
1
C
+ V
v
e
t
R
1
C
(21)
V
c
= V
cc
(V
cc
V
v
)e
t
R
1
C
(22)
Si cuando: t = t
c
(t
car ga
) entonces V
c
= V
v
V
p
= V
cc
(V
cc
V
v
)e
t
c
R
1
C
(23)
V
cc
V
p
V
cc
V
v
= e
t
c
R
1
C
(24)
l n
_
V
cc
V
p
V
cc
V
v
_
=
t
c
R
1
C
(25)
l n
_
V
cc
V
p
V
cc
V
v
_
=
t
c
R
1
C
(26)
l n
_
V
cc
V
p
V
cc
V
v
_
1
=
t
c
R
1
C
(27)
l n
_
V
cc
V
v
V
cc
V
p
_
=
t
c
R
1
C
(28)
t
c
= R
1
Cl n
_
V
cc
V
v
V
cc
V
p
_
(29)
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 11 de 20
2 INTRODUCCIN
TIEMPO DE DESCARGA
El voltaje del capacitor durante la descarga es:
V
c
= V
p
e
t
(R
B1
+R
2
)C
(30)
Si cuando: t = t
d
(t
descar ga
) entonces V
c
= V
v
V
v
= V
p
e
t
d
(R
B1
+R
2
)C
(31)
V
v
V
p
= e
t
d
(R
B1
+R
2
)C
(32)
l n
_
V
v
V
p
_
=
t
d
(R
B1
+R
2
)C
(33)
l n
_
V
p
V
v
_
=
t
d
(R
B1
+R
2
)C
(34)
t
d
= (R
B1
+R
2
)Cl n
_
V
p
V
v
_
(35)
PERIODO DE OSCILACIN TOSC
Un periodo de oscilacin es igual a la suma del tiempo de carga ms el tiempo de descarga del capacitor:
T
OSC
= t
car ga
+ t
descar ga
= t
c
+ t
d
(36)
entonces,
T
OSC
= R
1
Cl n
_
V
cc
V
v
V
cc
V
p
_
+ (R
B1
+R
2
)Cl n
_
V
p
V
v
_
(37)
pero para la mayora de sistemas t
c
>> t
d
, entonces T
OSC
= t
c
y V
cc
>> V
v
T
OSC
= R
1
Cl n
_
V
cc
V
cc
V
p
_
(38)
T
OSC
= R
1
Cl n
_
1
1
V
p
V
cc
_
(39)
Si V
p
= V
D
+V
BB
y considerando que R
2
y R
3
<< R
BB
, V
BB
= V
cc
V
D
<< V
p
Entonces: V
p
= V
cc

V
p
V
cc
=
T
OSC
= R
1
Cl n
_
1
1
_
(40)
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 12 de 20
2 INTRODUCCIN
f =
1
R
1
Cl n
_
1
1
_ (41)
En varios casos las seales de control son usadas en conversores cuya entrada es la red elctrica y la
salida debe mantenerse a la misma frecuencia de sta, entonces, es necesario conocer el cruce por cero de
la onda de entrada y usarla como referencia para las seales de control, este procedimiento se conoce como
sincronizacin con la red. La sincronizacin consiste en detectar cuando la onda de voltaje cruza por cero y
en ese instante iniciar la carga del condensador del oscilador. Un esquema de oscilador sincronizado con la
red se muestra en la Figura 12.

|
|

\
|

=
P
osc
V Vcc
Vcc
C R T ln
1


|
|
|
|

\
|

=
Vcc
V
C R T
P
osc
1
1
ln
1


si V
P
= V
D
+ V
BB
y considerando que R
2
y R
3
<< R
BB

V
BB
= V
CC
y V
D
<< V
P



Vcc V
P
q =
=>
q =
Vcc
V
P


|
|

\
|

=
q 1
1
ln
1
C R T
osc


( ) | | q
=
1 1 ln
1
1
C R
f


En varios casos las seales de control son usadas en conversores cuya entrada es la red elctrica y
la salida debe mantenerse a la misma frecuencia de esta, entonces, es necesario conocer el cruce
por cero de la onda de entrada y usarla como referencia para las seales de control, este
procedimiento se conoce como sincronizacin con la red. La sincronizacin consiste en detectar
cuando la onda de voltaje cruza por cero y en ese instante iniciar la carga del condensador del
oscilador. Un esquema de oscilador sincronizado con la red se muestra en la Figura 1.13.













Figura 1.13
En este caso el voltaje de alimentacin para el oscilador de relajacin es el voltaje del zener es decir
V
CC
= V
Z
, adems recordando que:

si V
P
= V
D
+ V
BB
y considerando que R
2
y R
3
<< R
BB

V
BB
= V
CC
y V
D
<< V
P


Entonces:
P
R 2
R 3
C
+
-
Vo u t
R Z
R 1
1 1 0 V r m s
6 0 H z
Figura 12: Oscilador Sincronizado con la Red
En este caso el voltaje de alimentacin para el oscilador de relajacin es el voltaje del zener es decir
V
cc
= V
Z
, adems recordando que:
Si V
p
= V
D
+V
BB
y considerando que R
2
y R
3
<< R
BB
, V
BB
= V
cc
y V
D
<< V
p
Entonces:
V
p
V
cc
= V
Z
Adems si tiempo de carga esta dado por:
t
c
= (R
1
+ P)Cl n
_
V
cc
V
v
V
cc
V
p
_
(42)
y si V
cc
>> V
v
entonces:
t
c
= (R
1
+ P)Cl n
_
V
Z
V
Z
V
Z
_
(43)
Simplicando:
t
c
= (R
1
+ P)Cl n
_
1
1
_
(44)
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 13 de 20
2 INTRODUCCIN
El tiempo de carga t
c
ser el tiempo que se tarda en aparecer el primer pulso de voltaje en la resistencia
de descarga R
2
, y que se lo dene como , entonces:
= (R
1
+ P)Cl n
_
1
1
_
(45)
Al colocar un potencimetro la resistencia durante la carga del capacitor es variable y por lo tanto tam-
bin lo es, siendo menor cuando el potencimetro P es igual a cero y siendo mayor cuando P esta en su mximo
valor.
2.1.4. EL DIODO BILATERAL DE DISPARO (DIAC)
El DIAC es un elemento de dos terminales nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2), se lo puede considerar un diodo
bidireccional diseado especcamente para realizar circuitos de disparo de TRIAC o SCR. El DIAC no conduce
ms que una mnima cantidad de corriente antes de que el voltaje de conmutacin (breakover voltage) sea
alcanzado. En este momento el elemento muestra una caracterstica de resistencia negativa observndose una
disminucin del voltaje entre sus terminales a un valor aproximado de 5 V, originndose una corriente de
conmutacin (breakover current) lo suciente como para encender un TRIAC o SCR. La curva caracterstica
del DIAC se muestra en la Figura 13:

Vz Vcc V
P
K K |


Adems si tiempo de carga esta dado por:


P
V
C
V Vcc
V Vcc
C P R t ln ) (
1

y si Vcc >> Vv

entonces


Z Z
Z
C
V V
V
C P R t
K
ln ) (
1

simplificando


K 1
1
ln ) (
1
C P R t
C


El tiempo de carga t
C
ser el tiempo que se tarda en aparecer el primer pulso de voltaje en la
resistencia de descarga R
2
, y que se lo define como , entonces:


K
D
1
1
ln ) (
1
C P R


Al colocar un potencimetro la resistencia durante la carga del capacitor es variable y por lo tanto
tambin lo es, siendo menor cuando el potencimetro P es igual a cero y siendo mayor cuando P
esta en su mximo valor.


EL DIODO BILATERAL DE DISPARO (DIAC)
El DIAC es un elemento de dos terminales nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2), se lo puede considerar un
diodo bidireccional diseado especficamente para realizar circuitos de disparo de TRIACs o SCRs.
El DIAC no conduce ms que una mnima cantidad de corriente antes de que el voltaje de
conmutacin (breakover voltage) sea alcanzado. En este momento el elemento muestra una
caracterstica de resistencia negativa observndose una disminucin del voltaje entre sus terminales
a un valor aproximado de 5 V, originndose una corriente de conmutacin (breakover current) lo
suficiente como para encender un TRIACs o SCRs. La curva caracterstica del DIAC se muestra en
la Figura 1.14:















Figura 1.14

En la curva caracterstica solo se especifica voltaje y corriente de conmutacin, ya que en el caso del
DIAC la zona de resistencia negativa no es nica, en este caso nos referimos a un punto de
C u r v a c a r a c t e r s t i c a d e l D I A C
D o n d e :
V s = V o l t a j e d e c o n m u t a c i n
( b r e a k o v e r v o l t a g e )
I s = C o r r i e n t e d e c o n m u t a c i n
( b r e a k o v e r c u r r e n t )
I
V
+ V s
+ I s
V c c
- V s
- I s
Figura 13: Curva Caracterstica del DIAC
En la curva caracterstica solo se especica voltaje y corriente de conmutacin, ya que en el caso del DIAC
la zona de resistencia negativa no es nica, en este caso nos referimos a un punto de conmutacin (Vs e Is)
y un voltaje interandico que es el voltaje entre A1 y A2, dependiendo de cual nodo tenga mayor potencial
con respecto al otro se dene el sentido de la corriente.
Los smbolos con los que se representa son los mostrados en la Figura 14:
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la Figura 15.
Para el anlisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor que el voltaje
de la fuente, el DIAC esta abierto por lo que se puede determinar el voltaje en el capacitor a travs del circuito
de la Figura 16:
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 14 de 20
2 INTRODUCCIN
conmutacin ( Vs e Is ) y un voltaje interandico que es el voltaje entre A1 y A2, dependiendo de
cual nodo tenga mayor potencial con respecto al otro se define el sentido de la corriente.
El smbolo con el que se representa es el mostrado en la Figura 1.15 (a), si bien en algunos casos
tambin se lo representa con el smbolo indicado en la Figura 1.15 (b):






Figura 1.15
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la figura 1.16.










Figura 1.16
Para el anlisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor que el
voltaje internases el DIAC esta abierto por lo que se puede determinar el voltaje en el capacitor a
travs del siguiente circuito:















Figura 1.17
+
-
V c
R
V i n
V
D I A C
C
I
D
t
V
C
V
i n
P
R 2
C
+
-
Vo u t
R 1
1 1 0 V r m s
6 0 H z
A 1
A 2
A 1
A 2
( a ) ( b )
Figura 14: Simbologa del DIAC
conmutacin ( Vs e Is ) y un voltaje interandico que es el voltaje entre A1 y A2, dependiendo de
cual nodo tenga mayor potencial con respecto al otro se define el sentido de la corriente.
El smbolo con el que se representa es el mostrado en la Figura 1.15 (a), si bien en algunos casos
tambin se lo representa con el smbolo indicado en la Figura 1.15 (b):






Figura 1.15
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la figura 1.16.










Figura 1.16
Para el anlisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor que el
voltaje internases el DIAC esta abierto por lo que se puede determinar el voltaje en el capacitor a
travs del siguiente circuito:















Figura 1.17
+
-
V c
R
V i n
V
D I A C
C
I
D
t
V
C
V
i n
P
R 2
C
+
-
Vo u t
R 1
1 1 0 V r m s
6 0 H z
A 1
A 2
A 1
A 2
( a ) ( b )
Figura 15: Oscilador de relajacin con DIAC
conmutacin ( Vs e Is ) y un voltaje interandico que es el voltaje entre A1 y A2, dependiendo de
cual nodo tenga mayor potencial con respecto al otro se define el sentido de la corriente.
El smbolo con el que se representa es el mostrado en la Figura 1.15 (a), si bien en algunos casos
tambin se lo representa con el smbolo indicado en la Figura 1.15 (b):






Figura 1.15
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la figura 1.16.










Figura 1.16
Para el anlisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor que el
voltaje internases el DIAC esta abierto por lo que se puede determinar el voltaje en el capacitor a
travs del siguiente circuito:















Figura 1.17
+
-
V c
R
V i n
V D I A C
C
I
D
t
V C
V i n
P
R 2
C
+
-
Vo u t
R 1
1 1 0 V r m s
6 0 H z
A 1
A 2
A 1
A 2
( a ) ( b )
Figura 16: Circuito Equivalente cuando V
c
< V
in
Trabajando en el dominio de la frecuencia el voltaje en el capacitor esta dado por:
V
c
=
jX
c
R
1
jX
c
V
f
0

=
X
c
90

_
R
2
1
+ X
2
c
t an
1
_
X
c
R
1
_ (46)
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 15 de 20
2 INTRODUCCIN
Si
_
R
2
1
+ X
2
c
es el mdulo de la carga Z
c
y t an
1
X
c
R
1
es el ngulo de la carga
c
Simplicando el voltaje en el capacitor se obtiene lo siguiente:
V
c
= V
f

X
c
Z
c
(
c
90

) (47)
En el dominio del tiempo:
V
c
=

2 V
f

X
c
Z
c
sin(t +
c
90

) (48)
Como funcin coseno:
V
c
=

2 V
f

X
c
Z
c
cos(t +
c
) (49)
A partir del diagrama fasorial:
X
c
Z
c
= sin
c
, entonces :
V
c
=

2 V
f
sin
c
cos(t +
c
) (50)
Si t = y V
c
= V
DI AC
, entonces:
V
DI AC
=

2 V
f
sin
c
cos(+
c
) (51)
De esta ecuacin mediante clculos numricos se encuentra
c
para determinar la resistencia R, una vez
que se ha asumido un valor de C.
2.2. MODULACIN DE ANCHO DE PULSO (PULSE WIDTH MODULATION PWM)
Una seal PWM (Modulador de Ancho de Pulso) es una onda cuadrada de periodo constante (T) y ancho
de pulso variable (a). En una seal PWM se trabaja con relaciones de trabajo d que representan el ancho de
pulso con respecto al periodo. Lo que hace bsicamente un PWM es variar dinmicamente el ancho de pulso
de manera que el tiempo en alto disminuya o aumente y en proporcin inversa, el tiempo de baja aumente o
disminuya, pero eso s manteniendo el T constante.
=
a
T
(52)
En la Figura 17 se muestra una seal PWM de perodo T= cte y con un anchos de pulso variable.
Ancho de Pulso ( a ): El ancho de pulso est denido como el porcentaje o tiempo en alto de una seal
cuadrada durante un determinado perodo.
Perodo (T): El perodo se dene como el intervalo de tiempo donde la seal PWM ocurre.
Frecuencia ( f ): Se dene como el inverso del perodo.
Un PWM permite que ciertos sistemas continuos en el tiempo, tales como un motor, sean controlados por
una seal discreta.Entre las aplicaciones de un PWM se tiene:
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2 INTRODUCCIN


T
a
G









Figura 1.18
En la figura 1.18 se muestra una seal PWM de perodo T= cte y con un anchos de pulso variable.

Ancho de Pulso ( a ): El ancho de pulso est definido como el porcentaje o tiempo en alto de una
seal cuadrada durante un determinado perodo.

Perodo (T): El perodo se define como el intervalo de tiempo donde la seal PWM ocurre.

Frecuencia ( f ): Se define como el inverso del perodo.
Un PWM permite que ciertos sistemas continuos en el tiempo, tales como un motor, sean
controlados por una seal discreta.
Entre las aplicaciones de un PWM estn:
Se utiliza en las fuentes de alimentacin comunes. Para las computadoras y otros dispositivos
electrnicos. Tambin se utiliza para controlar la velocidad de un motor de DC o para controlar la
intensidad de un Foco.
Por otro lado un PWM se utiliza en amplificadores audio para generar las seales de salida para los
altavoces del telfono o los sistemas estreos de alta potencia., los amplificadores hechos con PWM
producen menos prdidas por ejemplo por calentamiento con relacin a los amplificadores anlogos
tradicionales.








Figura 17: Seal PWM
Fuentes de alimentacin comunes.
Computadoras y otros dispositivos electrnicos.
Control de velocidad de motores DC.
Control de iluminacin de lmparas.
Amplicadores audio para generar las seales de salida para los altavoces del telfono o los sistemas
estreos de alta potencia. Los amplicadores hechos con PWM producen menos perdidas por ejemplo
por calentamiento, con relacin a los amplicadores anlogos tradicionales.
2.2.1. AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Caractersticas Bsicas:
Ganancia en lazo abierto extremadamente alta en el orden de 10
3
a 10
6
.
Voltaje de salida positivo y negativo con una amplia gama dinmica.
Desajuste de salida con el tiempo y temperatura muy reducida.
Alta impedancia de entrada, del orden de 10
6
ohm, pudiendo en la mayora de casos prcticos despre-
ciar la corriente entre los terminales inversor y no inversor.
A continuacin se describen dos de los curcuitos que pueden ser tiles para generar seales de control.
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 17 de 20
2 INTRODUCCIN
GENERADOR DE ONDA CUADRADA:
Es un comparador en el que la seal de comparacin depende de si la salida es V
o
o V
o
, si la salida es
V
o
el capacitor empieza a cargarse y este voltaje es comparado con la cada de tensin en R
3
de tal forma que
cuando el voltaje en el capacitor es mayor que el voltaje en R
3
el voltaje de salida ser V
o
, con lo cual se
produce la descarga del capacitor hasta que el voltaje en este sea mas negativo que el de R
3
con lo cual la
salida seria V
o
, produciendo este proceso cclicamente para dar resultado a la onda cuadrada. Figura 18.
K =
R
3
R
2
+R
3
(53)
T = 2R
1
Cl n
1 + K
1 K
(54)


3 2
3
R R
R
K




K
K
C R T


1
1
ln 2
1


GENERADOR DE ONDA TRIANGULAR

Esta formado por dos etapas la primera es un Schmitt sin inversin que es la encargada de generar una
onda cuadrada y la segunda es un integrador que hace que la onda cuadrada sea transformada en una onda
triangular.
La frecuencia de salida es:
C R R
R
f

3 2
1
4

La amplitud es:
Vcc
R
R
1
3



Figura 18: Generador de onda Cuadrada
GENERADOR DE ONDA TRIANGULAR:
Esta formado por dos etapas, la primera es un Schmitt sin inversin que es la encargada de generar una
onda cuadrada, y la segunda es un integrador que hace que la onda cuadrada sea transformada en una onda
triangular. Figura 19.
Para este circuito se calcula la frecuencia de salida mediante:
f =
R
1
4R
2
R
3
C
(55)
y la amplitud es:
A =
R
3
R
1
V
cc
(56)
2.3. CIRCUITOS GENERADORES DE PWM
La tecnologa en el desarrollo de circuitos integrados ha tenido un enorme progreso logrando caracte-
rsticas de versatilidad, conabilidad, tamaso reducido, sencillez en su uso, etc., facilitando el diseo y la
Laboratorio de Electrnica de Potencia Pgina 18 de 20
3 PREPARATORIO


3 2
3
R R
R
K




K
K
C R T


1
1
ln 2
1


GENERADOR DE ONDA TRIANGULAR

Esta formado por dos etapas la primera es un Schmitt sin inversin que es la encargada de generar una
onda cuadrada y la segunda es un integrador que hace que la onda cuadrada sea transformada en una onda
triangular.
La frecuencia de salida es:
C R R
R
f

3 2
1
4

La amplitud es:
Vcc
R
R
1
3



Figura 19: Generador de onda Triangular
implementacin de circuitos para el control de sistemas electrnicos de potencia, un ejemplo es la tcnica co-
nocida como PWM. Entre los circuitos integrados empleados para generar las seales de disparo cabe destacar
a los amplicadores operacionales, el temporizador 555, el LM3524, el TCA785 y las compuertas lgicas de
la familia CMOS 74CXX.
En las Figuras 20, 21 y 22, se muestran algunos circuitos generadores de seal PWM.

CIRCUITOS GENERADORES DE PWM

La tecnologa en el desarrollo de circuitos integrados ha tenido un enorme progreso logrando
caractersticas de versatilidad, confiabilidad, tamao reducido, sencillez en su uso, etc., facilitando el
diseo y la implementacin de circuitos para el control de sistemas electrnicos de potencia, un
ejemplo es la tcnica conocida como PWM. Entre los circuitos integrados empleados para generar
las seales de disparo cabe destacar a los amplificadores operacionales, el temporizador 555, el
LM3524, el TCA785 y las compuertas lgicas de la familia CMOS 74CXX.
PWM sincronizado con la red usando el circuito integrado 74HC14 ( entre 0.5 y 1.0)
Figura 1.19.







Figura 1.19

PWM con rampa lineal sincronizada con la red Figura 1.19.














Figura 1.20

1 1 0 V r m s / 6 0 H z
D 1
D 3
D 4
V c c
+
-
+
-
+
-
V c c
V c c
V c c
2
V c c
L M 3 2 4
V c c
2
D 5
D 7
D 2 R 1
R 2
R 3
R 4
R 5 P
C
V o u t
1 1 0 V r m s / 6 0 H z
C D 4 0 1 0 6 B
1 4
V o u t
7
* L o s p i n e s 7 y 1 4 d e l a c o m p u e r t a C D 4 0 1 0 6 B c o r r e s p o n d e n a l a p o l a r i z a c i n
Figura 20: PWM sincronizado con la red con CI 74HC14
3. PREPARATORIO
Consultar las conguraciones (circuitos) de amplicadores operacionales en modo: Amplicador In-
versor, Amplicador No Inversor, Comparador de Voltaje y Amplicador con Histresis (Disparador de
Schmitt), con sus respectivas ecuaciones.
Disear y simular (Proteus) los generadores de onda cuadrada y triangular de las Figuras 18 y 19 para
una frecuencia de 100Hz con una amplitud de -10V a 10V si se dispone de fuentes de 15V.
Consultar el esquema, disear y simular (Proteus) un circuito generador de PWM de 1KHz y relacin
de trabajo variable entre 0,1 a 0,9 usando el circuito integrado LM555. La alimentacin del circuito es
una sola fuente de 15V.
Analizar el funcionamiento de los circuitos simulados.
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REFERENCIAS

CIRCUITOS GENERADORES DE PWM

La tecnologa en el desarrollo de circuitos integrados ha tenido un enorme progreso logrando
caractersticas de versatilidad, confiabilidad, tamao reducido, sencillez en su uso, etc., facilitando el
diseo y la implementacin de circuitos para el control de sistemas electrnicos de potencia, un
ejemplo es la tcnica conocida como PWM. Entre los circuitos integrados empleados para generar
las seales de disparo cabe destacar a los amplificadores operacionales, el temporizador 555, el
LM3524, el TCA785 y las compuertas lgicas de la familia CMOS 74CXX.
PWM sincronizado con la red usando el circuito integrado 74HC14 ( entre 0.5 y 1.0)
Figura 1.19.







Figura 1.19

PWM con rampa lineal sincronizada con la red Figura 1.19.














Figura 1.20

1 1 0 V r m s / 6 0 H z
D 1
D 3 D 4
V c c
+
-
+
-
+
-
V c c
V c c
V c c
2
V c c
L M 3 2 4
V c c
2
D 5
D 7
D 2 R 1
R 2
R 3
R 4 R 5 P
C
V o u t
1 1 0 V r m s / 6 0 H z
C D 4 0 1 0 6 B
1 4
V o u t
7
* L o s p i n e s 7 y 1 4 d e l a c o m p u e r t a C D 4 0 1 0 6 B c o r r e s p o n d e n a l a p o l a r i z a c i n
Figura 21: PWM con rampa lineal sincronizada con la red
PWM con rampa cosenoidal sincronizada con la red Figura 1.21.











Figura 1.21
5.- PROCEDIMIENTO
La prctica es tutorial, el instructor proceder a explicar los distintos tipos de circuitos generadores
de seales de control.

4.- PREPARATORIO
4.1 Disear los siguientes circuitos de control:
CIRCUITO 1.- Disear un generador de PWM de 1.0 KHz, que se obtenga de la comparacin de una
seal triangular que vare entre 5 V y 10 V y una seal de continua entre 5 V y 10 V. La seal
triangular se puede obtener mediante un oscilador en base a amplificadores operacionales como se
muestra en una figura anterior bajo el tema "Generador de onda triangular". Como se trabaja con una
sola fuente la referencia del circuito, que en ese diagrama aparece con el smbolo de tierra debe
conectarse a VCC / 2, que puede obtenerse de un divisor de tensin con un condensador de filtro. La
alimentacin del circuito es una sola fuente de 15 V.
CIRCUITO 2.- Consultar y disear un circuito generador de PWM de 1.0 KHz y relacin de trabajo
variable entre 0,1 a 0,9 usando el circuito integrado LM555. La alimentacin del circuito es una sola
fuente de 15 V.
4.2 Analizar el funcionamiento de los circuitos propuestos en la hoja gua
1 1 0 V r m s / 6 0 H z
C D 4 0 1 0 6 B
1 4
7
* L o s p i n e s 7 y 1 4 d e l a c o m p u e r t a C D 4 0 1 0 6 B c o r r e s p o n d e n a l a p o l a r i z a c i n
D 1 D 2
D 3
D 4
D 5 D 6
D 7
+
-
+
-
V c c
V c c
2
R 3
P
V o u t
L M 3 2 4 D 8
R 1
R 2
R 4
R 5
R 6
R 7
C 1
C 2
V c c
V c c
Figura 22: PWM con rampa cosenoidal sincronizada con la red
4. INFORME
Se realizar al nal de la prctica de acuerdo a las indicaciones del instructor.
REFERENCIAS
[1] Boylestad R., Nashelsky L. , Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e (New Edition). Pearson Education,
2012.
[2] M. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Pearson/Prentice Hall, 2004.
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