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Haute Ecole dIngnierie et de Gestion du Canton du Vaud

Electronique de puissance

__________ Chapitre 9

MODLISATION THERMIQUE
DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

CD:\ELP\Cours\Chap9

M. Correvon

T A B L E

D E S

M A T I E R E S
PAGE

9.

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE.....................................................................1 9.1 9.1.1 9.1.2 9.2 9.2.1 9.2.2 9.3 9.3.1 9.3.2 9.4 9.4.1 9.4.2 RAPPEL THORIQUE ................................................................................................................................................1 Flux de chaleur..................................................................................................................................................1 quation de continuit ......................................................................................................................................1 MODLE THERMIQUE D'UN COMPOSANT DE PUISSANCE.........................................................................................2 Modle lectrique quivalent............................................................................................................................2 quivalence entre grandeurs lectriques et grandeurs thermiques................................................................4 IMPDANCE THERMIQUE EFFECTIVE. ......................................................................................................................5 Donnes du fabricant........................................................................................................................................5 Relations mathmatiques ..................................................................................................................................6 MODLE THERMIQUE LABOR. .............................................................................................................................9 Gnralits ........................................................................................................................................................9 Structure segmente du modle thermique ......................................................................................................9
Hypothses et contraintes ...............................................................................................................................................9 Circuit quivalent naturel..............................................................................................................................................11 Circuit quivalent fractionnaire ....................................................................................................................................12

9.4.2.1 9.4.2.2 9.4.2.3

9.4.3 Interface composant refroidisseur...............................................................................................................13 9.4.4 Paramtres thermiques des matriaux les plus utiliss .................................................................................14 9.5 SIMULATION DU COMPORTEMENT THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE ..............................................15 9.5.1 Gnralits ......................................................................................................................................................15 9.5.2 Exemple : Modlisation d'un MOSFET en tenant compte des effets de la temprature..............................15
9.5.2.1 9.5.2.2 9.5.2.3 Dfinition du problme .................................................................................................................................................15 Relations des paramtres lectriques avec la temprature...........................................................................................16 Modle de simulation : Exemple d'une dpendance des paramtres la temprature ...............................................17

Bibliographie

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

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ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Page 1

9. ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE 9.1 RAPPEL THORIQUE

9.1.1 Flux de chaleur Si un conducteur thermique unidimensionnel est mis en contact avec deux sources de chaleur de temprature T1>T2, il s'tablit un flux de chaleur J=J(x,t) dfinit comme la quantit de chaleur [J] traversant une surface unit [m2] par unit de temps [s]. Le transport va de la source chaude vers la source froide (augmentation de l'entropie : 2me principe de la thermodynamique). L'exprience montre qu'en rgime stationnaire T / t = 0 , J est proportionnel la diffrence de temprature, mais inversement proportionnel la longueur du conducteur.
J = th T2 T1 x2 x1

[W/m2]

9.1

J T1 x1 x2 T2

Figure 9-1 : Conducteur thermique entre deux source de chaleur

th est la conductivit thermique du matriau mesure en [W/mK]. Le flux de chaleur est donc proportionnel au gradient de T, forme locale retenue pour les situations gnrales o T et J sont variables avec le lieu et le temps :

J ( x, t ) = th

T x

(loi de Fourier)

9.2

9.1.2 quation de continuit Si le flux de chaleur varie entre deux positions proches x et x, de la chaleur est dpose dans le volume travers Sx. Pendant t, la quantit dpose est :

J(x)
S S

J(x+x)

x+x

Figure 9-2 : Distribution linique du flux de chaleur

Q = ( J ( x) J ( x + x) ) S t =
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J x S t x

[J ]

9.3

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Pendant ce mme temps, la temprature de la masse Sx, avec la masse volumique, s'lve de T de manire absorber la quantit de chaleur Q.

Q = T c S x =

T t c S x t

9.4

c [J/(Kkg)] tant la capacit thermique massique du matriau. A l'aide des relations 9.3 et 9.4 on peut crire l'quation de continuit :

T 1 J = t c x

9.5

Cette relation exprime la conservation de l'nergie au cours du transport. En liminant J entre les relations 9.2 et 9.5, on obtient l'quation de diffusion pour un cas unidimensionnel
T ( x, t ) th 2T ( x, t ) = c t x 2

9.6

9.2

MODLE THERMIQUE D'UN COMPOSANT DE PUISSANCE

9.2.1 Modle lectrique quivalent

Fondamentalement, la propagation de la chaleur issue d'un composant lectronique peut s'effectuer de trois manires : par conduction, par convection, par radiation.

En principe, dans le cas qui nous proccupe, la conduction reprsente la trs grande partie de l'vacuation de la chaleur. On fait galement l'hypothse que le lieu de transmission est unidirectionnel et homogne. La relation 9.6, crite sous une autre forme correspond l'hypothse nonce.

2T ( x, t ) c T ( x, t ) = x 2 th t
on rappelle ici que th : conductivit thermique du matriau [W/mK] c : capacit thermique spcifique [J/(kgK)] : masse volumique du matriau [kg/m3]

9.7

La recherche d'un modle lectrique correspondant nous amne considrer une ligne de transmission reprsente sous la forme u ( x, t ) 2 u ( x, t ) 2 u ( x, t ) ' ' C L + G ' R ' u ( x, t ) + (C ' R'+G ' L') = 2 2 t t x
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9.8

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R'

L' C'

R'

L' C'

G'

G'

Figure 9-3 : Ligne de transmission

C' R' G' L'

: capacit linique ([F/m]=[As/(Vm)]) : rsistance linique ([/m]=[V/(Am)]) : conductance transverse linique ([1/(m)]=[A/(Vm)]) : inductance linique ([H/m]=[Vs/(Am)])

En posant la capacit linique C' et la rsistance linique R' nulles, on obtient : u ( x, t ) 2 u ( x, t ) = L' G ' 2 t x Le modle lectrique de la ligne de transmission devient : 9.9

L'

L'

L'

u(t)

G'

G'

Figure 9-4 : Modle lectrique simplifi de la ligne de transmission

Par le principe de dualit, on peut transformer le modle de la Figure 9-4 sous la forme suivante :
i L' L' L'

C"

G' R"

C"

G' R"

C"

G' R"

Figure 9-5 : Transformation par le principe de dualit

et la relation 9.9 devient : i ( x, t ) 2 i ( x, t ) = R' ' C ' ' 2 t x


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9.10

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La structure de la relation 9.10 est semblable celle de la transmission de la chaleur dans un milieu homogne.
9.2.2 quivalence entre grandeurs lectriques et grandeurs thermiques

L'quivalence entre grandeurs thermiques et lectriques peut tre dfinie par le tableau suivant. Grandeurs thermiques T: J P Q th Rth Cth Temprature Flux de chaleur Chaleur Quantit de chaleur Conductivit Rsistance Capacit
TA(t)

Grandeurs lectriques U J I Q R C Tension Densit de courant Courant Charge Conductivit Rsistance Capacit
uA(t)

[K] [W/m2] [W] [J]=[Ws] [W/(Km)] [K/W] [Ws/K]

[V] [A/m2] [A] [C]=[As] [1/(m)] [V/A] = [] [As/V] = [F]

p(t)

i(t)

S
TB(t)

th

S
d

uB(t)

Table 9-1 : Dfinition des grandeurs physiques

Les relations principales sont dfinies comme Grandeurs thermiques dQ Cth = dT


Cth = c d S

Rth =
t

d th S

Grandeurs lectriques dQ C= dU S C = d d R = S

Q(t ) = p(t ) dt
0

Q (t ) = i (t ) dt
0

TA Rth p Cth TB
p (t ) = T A (t ) TB (t ) d + Cth (T A (t ) TB (t ) ) Rth dt

uA R i C uB

i (t ) =

u A (t ) u B (t ) d + C (u A (t ) u B (t ) ) R dt

Table 9-2 : Relations entre grandeurs physiques

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L'analogie avec la ligne de transmission nous oblique considrer les capacits et les rsistances thermiques comme des grandeurs rapportes une unit de longueur. De plus (contrairement aux conventions lectriques : dans un diple le courant entrant est positif), pour le schma thermique quivalent, nous considrerons comme positif la chaleur sortant du diple reprsent par la source de chaleur p.

R'th p T1 C'th T2 C'th

R'th

Figure 9-6 : Modle thermique

Il est cependant possible de simplifier le modle en considrant chaque condensateur et chaque rsistance thermique comme des lments dcrivant un volume homogne. Dans ce cas on peut reprsenter un cas particulier par la structure segmente illustre la Figure 9-7

Rth1

Rth2 Cth2 Cthn

p
T1

Cth1

T2

Rthn

Figure 9-7 : Modle thermique segment d'un cas rel

9.3

IMPDANCE THERMIQUE EFFECTIVE.

9.3.1 Donnes du fabricant

La plupart des fabricants de composants lectroniques donnent les indications thermiques suivantes

Figure 9-8 : Rsistances thermiques

Les rsistances thermiques permettent le dimensionnement autour d'un point de fonctionnement continu. RthJC
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: Rsistance thermique Jonction Botier (semelle de cuivre utilise pour

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RthJA

le refroidissement par conduction au moyen d'un radiateur). : Rsistance thermique Jonction Air ambiant (composant mont sans contact avec un refroidisseur. Seule la convection naturelle entre en jeu).

Pour un train d'impulsions, comme il est d'usage en pratique, le fabricant donne une courbe illustrant l'impdance thermique ZthJC(t) effective rapporte la frquence et au rapport cyclique du train d'impulsions rectangulaires de puissance dissipe dans le composant. Sur cette courbe on voit que pour des impulsions tp suprieures 100ms, la valeur de l'impdance thermique tend vers la valeur de la rsistance thermique.
Z thJC
t p >100 ms

RthJC

9.11

PDM [W]
PDM

tp T
D= tp T

t [s]

Figure 9-9 : Impdance thermique effective Jonction Botier pour un train d'impulsions

La Figure 9-10 illustre le modle thermique simplifier utilis par la plupart des fabricants.

PDM

TJ J (Jonction) RthJC
CthJC

TC=Tref
C (Botier)

Figure 9-10 : Modle lectrique quivalent du circuit thermique d'un composant de puissance

9.3.2 Relations mathmatiques

Il est remarquer que la temprature T est dfinie comme un accroissement de temprature par rapport une temprature de rfrence Tref. On peut calculer une impdance thermique quivalente dont la valeur dpend d'une part du temps pendant lequel la source de chaleur PDM est active et d'autre part de la frquence du train
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d'impulsions ou de son rapport cyclique D. Considrons, la rponse thermique un train d'impulsions de puissance. Durant le temps tp, d'apparition d'une impulsion de puissance, la temprature, ct source de chaleur croit selon la relation
T (t ) = PDM RthJC (1 e t / RthJC CthJC ) + TMIN e t / RthJC CthJC

9.12

Durant l'absence de source de chaleur, la temprature dcrot selon la relation


T (t ) = TMAX e t / RthJC CthJC

9.13

De la relation 9.12, on a pour la temprature maximum

TMAX = T (t 0 + t p ) = PDM RthJC (1 e

t p / RthJC CthJC

) + TMIN e

t p / RthJC CthJC

9.14

et de la relation 9.13, on a pour la temprature minimum

TMIN = T (t 0 + T p ) = TMAX e

(T p t p ) / RthJC CthJC

= TMAX e

t p (1 D ) / DRthJC CthJC

9.15

avec D = t p / T p , le rapport cyclique.


P [W] PDM

t TJ-Tref [C] Tmax Tmin T T t

tp

Tp

(a) tp=1ms, D=0.25

P [W]
PDM

t Tmax T T Tmin tp Tp TJ-Tref [C]

(a) tp=5ms, D=0.25


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Figure 9-11 : Rponse thermique un train d'impulsions de chaleur

Finalement, l'aide des relations 9.14 et 9.15, on obtient pour la temprature maximum
TMAX = PDM RthJC 1 e 1 e
t p / RthJC CthJC t p / DRthJC CthJC

9.16

puis pour la temprature minimum


TMIN = PDM RthJC 1 e 1 e
t p / RthJC CthJC t p / DRthJC CthJC

t p (1 D ) / DRthJC CthJC

9.17

Les relations 9.16 et 9.17 montrent que pour un rapport cyclique D=1, le flux de chaleur P est constant et dans ce cas TMAX=TMIN=PDMRthJC. La relation 9.18 permet de dfinir la temprature moyenne de la source de chaleur
p tp 1 T = T (t ) dt , avec T p = Tp 0 D

9.18

qui vaut aprs quelques calculs


T = PDM RthJC D .

9.19

La dfinition de l'impdance thermique est donne par la relation suivante :


TMAX = PDM Z thJC

9.20

avec
Z thJC (t p ) = 1 e 1 e
t p / RTH CTH t p / DRTH CTH

RthJC

9.21

L'impdance thermique effective Jonction (Junction) et Botier (Case) dpend de la dure tp de conduction (dure d'activation de la source de chaleur P) et du rapport cyclique D. La relation 9.21 peut tre illustre par le graphe de la Figure 9-12. En recherchant TMAX l'aide de la relation 9.16 ou du graphe et de la relation 9.20, et en y ajoutant la temprature de rfrence Tref, qui dans ce cas est la temprature du botier TC, il est possible de connatre la temprature maximum de la jonction TJMAX. C'est en effet cette temprature qui est la contrainte thermique majeure pour le semiconducteur.

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Zth(tp,D) [K/W]
10
0

D=0.5 10
-1

D=0.2 D=0.1 D=0.05

10

-2

D=0.02 D=0.01

10

-3

tp [s]
-6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

Figure 9-12 : Impdance thermique effective (Rth=0.6K/W, Cth=10mWs/K)

9.4

MODLE THERMIQUE LABOR.

9.4.1 Gnralits

La modlisation thermique d'un composant est une opration complexe faisant appel l'analyse par lments finis. Une telle dmarche n'est pas raliste dans la plupart des cas. Les fabricants permettent de contourner ce problme en proposant des valeurs de rsistances et de capacits thermiques en segmentant le volume du composant en plusieurs parties significatives.
9.4.2 Structure segmente du modle thermique

9.4.2.1

Hypothses et contraintes

La pratique montre qu'une segmentation de la structure du semiconducteur de puissance en volumes partiels est possible pour autant que les points suivants soient respects 1. L'paisseur et la succession des couches doivent tre choisies de manire ce que la constante thermique de chacune d'elles aille dans le sens croissant ( th = Cth Rth ) dans la direction de propagation de la chaleur. La meilleure qualit de rsultat est obtenue pour une croissance de cette constante de temps d'un facteur 2 8 entre deux couches successives. 2. La surface du silicium o est produite la chaleur est petite. Si les matriaux prvus pour le refroidissement par conduction sont homognes, il y a un effet de diffusion latrale. La pratique montre que cette diffusion peut tre dcrite par un angle d'expansion de =40. Il y a cependant une restriction si une couche prsente une basse conductivit thermique (effet d'accumulation).

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TJ
CTH1 CTH2 RTH1 RTH2 CTH3 RTH3 CTH4

Puce

=40

Soudure
CTH5

RTH4

RTH5 CTH6

Semelle de cuivre

RTH6

TC

Figure 9-13 : Structure du modle thermique d'un semiconducteur de puissance

3. Les dimensions et les caractristiques thermiques de chaque lment de volume travers par le flux de chaleur doivent tre dtermines prcisment car la capacit thermique de ces derniers a une influence dcisive sur l'impdance thermique du systme lorsque la puissance dissiper est le rsultat d'impulsions de courtes dures. Le circuit quivalent montre que les capacits thermiques de ces volumes apparaissent toujours paralllement au flux de chaleur. Dans les MOSFET de puissance, les premires couches correspondant la zone N pitaxiale sont sources de chaleur. Pour des gomtries complexes, le modle thermique ne reprsente que grossirement la ralit. Dans ce cas il peut tre ncessaire de recourir une analyse par lments finis. Il est galement possible pour un composant, qui est disponible au moins sous la forme de prototype, de paramtrer les lments du circuit quivalent bas sur une mesure et une comparaison du profil de temprature de jonction TJ. La procdure pratique habituelle est de chauffer le composant en contrlant la dissipation de puissance PJ dans ce dernier jusqu' ce qu'il atteigne une temprature de jonction stationnaire TJ. En principe, la connaissance de la temprature est donne par une mesure indirecte. En effet, on connat la dpendance de la temprature de plusieurs paramtres du composant. Gnralement on mesure la tension de passage VF d'une diode intgre la structure. En supprimant la puissance dissipe (source de chaleur), il est possible de tracer la courbe de refroidissement TJ(t) et donc de connatre l'impdance thermique transitoire du composant
Z th (t ) = TJi TJ (t ) Pi

9.22

Cette impdance thermique transitoire correspond la rponse indicielle du systme et par consquent contient la description de son comportement thermique. En premire approximation on considre ce systme comme linaire aussi longtemps que l'on ignore la dpendance la temprature des matriaux spcifiques, en particulier celui de la conductance de la chaleur de silicium.
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Une fois l'impdance thermique transitoire connue, il est possible de connatre la temprature de la jonction TJ pour n'importe quel profil de la puissance dissipe. En effet grce au produit de convolution, on peut crire TJ (t ) = TJ 0 + P( )dZ th (t )d
0 t

9.23

avec :

TJ0 dZth(t)

: Temprature initiale (t=0) de la jonction : Diffrentielle de la rponse indicielle de l'impdance thermique (rponse impulsionnelle pas directement mesurable)

Pour tre capable d'utiliser les rsultats de la mesure thermique en simulation, il est ncessaire de trouver un rseau quivalent lectrique dont la rponse indicielle dcrit l'impdance thermique transitoire Zth(t). Si seul le profil de la temprature de jonction TJ prsente de l'intrt, il existe un nombre illimit de rseaux lectriques quivalents permettant un ajustement de la courbe de refroidissement avec l'exactitude exige. Parmi ce grand nombre de rseaux possibles, il y a deux topologies dominantes. 9.4.2.2 Circuit quivalent naturel

Le circuit de conduction de la chaleur quivalent dit naturel est driv de la thorie des lignes de transmission. C'est le seul rseau qui dcrit correctement la distribution de la temprature interne du systme et permet une corrlation claire entre lments quivalents et les lments physiques (puce, soudure, semelle mtallique de refroidissement, etc.). La Figure 9-14 montre un exemple extrait d'un data sheet.

Figure 9-14 : Paramtres du modle thermique d'un MOSFET

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La fonction de transfert est donne sous la forme : Z th ( s) = 1 sCth1 + 1 Rth1 + 1 sCth 2 + 1 Rth 2 + 1 sCth 3 + ... + 1 Rthn 9.24

9.4.2.3

Circuit quivalent fractionnaire

La plupart des fabricants utilisent le rseau quivalent illustr Figure 9-15. Les lments RC individuels reprsentent les termes d'une division fractionnaire partielle de la fonction de transfert thermique du systme, par contre l'ordre des termes individuels est arbitraire. L'originalit de ce rseau est sa forme mathmatiquement simple, dont la rponse indicielle est donne par :
Z th (t ) = Rth1 Rth 2 Rthn + + ... + 1 + sRth1Cth1 1 + sRth 2 Cth 2 1 + sRthn Cthn
n

t RkthCkth = Rkth 1 e K =1

9.25

Figure 9-15 : Paramtres du modle thermique d'un IGBT

Cette proprit simplifie la dtermination des valeurs des lments du schma quivalent et le calcul de sa rponse indicielle. Ceci explique la popularit de ce rseau quivalent.
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Malheureusement, si ce le rseau est capable de dcrire correctement le comportement thermique son entre, il faut le considrer comme une bote noire. En effet la structure interne du rseau n'a pas de correspondance physique. Dans ce cas la distribution de la temprature l'intrieur du rseau quivalent n'a aucune signification. En consquence, il est impossible d'ouvrir le rseau au point x pour l'tendre (par exemple avec le circuit thermique quivalent d'un refroidisseur). Dans ce cas, le rseau entier doit tre recalculer, modifiant du mme coup l'ensemble des couples Rth, Cth. On peut dmonter cette assertion de la manire suivante. Ouvrons le nud x pour y placer le circuit quivalent d'un refroidisseur sous la forme d'un couple Rth, Cth et supposons un saut indiciel de la temprature de jonction TJ. On voit immdiatement que ce saut de temprature est partiellement report (diviseur capacitif) sur la sortie, ce qui est physiquement impossible. De plus le circuit quivalent montre que l'nergie emmagasine dans les capacits thermiques dpend de la diffrence de temprature entre deux nuds adjacents alors que, dans ralit, la chaleur stocke est proportionnelle la temprature absolue d'un lment du volume.
9.4.3 Interface composant refroidisseur

Le modle par segmentation de la structure du semiconducteur de puissance en volumes partiels doit rpondre un certain nombre de contraintes numres au 9.4.2. L'interface composant refroidisseur, constitue d'une feuille isolante ne rpond pas aux exigences sur la croissance de la constante de temps entre deux couches successives (9.4.2. point 2). On peut contourner ce point de la manire suivante.
Soudure Puce (Si) PCB Connexion Puce - Patte

Semelle de cuivre Feuille d'isolante (Sil-Pad)

Cthc

Rthc

Rthf
Refroidisseur (Aluminium)

CthH RthHA

Figure 9-16 Exemple de montage d'un composant de puissance

L'effet d'accumulation provoqu par la rsistance thermique "leve" de la feuille isolante, suite un compromis entre isolation lectrique et conduction thermique, peut se modliser selon la forme illustre par la Figure 9-17

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Rthf TC
Modle thermique du composant

Rthc CthH Cthc RthHA

TA TA
Figure 9-17 : Modle thermique de l'interface et du refroidisseur

9.4.4 Paramtres thermiques des matriaux les plus utiliss

Le tableau suivant donne un aperu des valeurs numriques des paramtres des matriaux les plus utiliss en lectronique. Silicium Soudure (Sn-Pb) Cu Al Al2O3 FR4 Pte conductrice Feuille isolante [g/cm3] 2.4 9 7.6 8.9 2.7 3.8 [W/(mK)] 140 60 310 390 170 230 24 0.3 0.4 2.6 0.9 2.7 c [J/(gK)] 0.7 0.2 0.385 0.42 0.9 0.95 0.8 -

Table 9-3 : Caractristiques des matriaux

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9.5

SIMULATION DU COMPORTEMENT THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

9.5.1 Gnralits

Vu la complexit mathmatique du modle thermique prsent la section 9.2, il devient utopique de vouloir calculer les tempratures de Jonction et de Botier d'un composant de puissance soumis un rgime lectrique quelconque. De plus, la plupart de paramtres lectriques du composant ont une dpendance vis vis de la temprature qui impose un calcul itratif. Les outils de simulation possdent les modles adquats pour qu'une telle modlisation soit possible. Le vieux rve des designers qui consiste intgrer les effets de la temprature dans les modles de simulation est devenu une ralit.
9.5.2 Exemple : Modlisation d'un MOSFET en tenant compte des effets de la temprature

9.5.2.1

Dfinition du problme

La plupart des MOSFET de puissance sont raliss sur la base d'une structure verticale de type DMOSFET (voir chap.7: Les semiconducteurs de puissance : 2me partie Le MOSFET).

(a) Figure 9-18 : Structure d'un transistor MOSFET

(b)

La Figure 9-18 illustre un tel transistor. Bien que ce type de MOSFET soit largement utilis, sa modlisation a t, pendant longtemps, d'une qualit assez mdiocre. En effet la dpendance des paramtres d'un semiconducteur la temprature est souvent considre comme marginale et traite par des mthodes empiriques, par l'exprience ou la mesure. Dans certaines applications, il est prfrable, voir indispensable de modliser le comportement de semiconducteur de puissance en tenant compte de l'influence de la temprature. La temprature un impact important sur les paramtres suivants : la mobilit e des lectrons (transconductance gfs) la tension de seuil VGS(th), la rsistance RDSON.

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TJ
RD(TJ) CGD RG G CGS VGS(Th)(TJ) e(TJ) S RC CDS

TJ pV(t)

Rth1 Cth1 Cth2

Rth6 Cth6

TC

Rth7 Cth7 Cth8 Cthn Rthn

pV(t)=iD(t) vDS(t)

TA TA

Figure 9-19 : Modle thermique d'un MOSFET

La Figure 9-19 montre la modlisation thermique d'un MOSFET. La puissance dissipe dans ce dernier, dfinie par le produit de la tension Drain Source par le courant de Drain en valeurs instantanes, est reprsente par une source de courant contrle. Cette source de courant alimente un rseau RC modlisant le comportement thermique du MOSFET et de son refroidisseur. Le modle thermique interne au MOSFET est donn dans le data sheet dit par le fabricant et se prsente sous la forme de la Figure 9-14. 9.5.2.2 Relations des paramtres lectriques avec la temprature

La variation des paramtres lectriques en fonction de la temprature est directement lie la technologie. En principe les figures des data sheets permettent de dfinir des lois mathmatiques empiriques (dpendantes de la technologie). On peut citer par exemple les relations suivantes : Variation de la transconductance avec la temprature

T g fs (TJ ) = g fs (300 K ) J 300


-

3 / 2

avec TJ en [ K ]

9.26

Variation de la tension de seuil avec la temprature


VGS ( th ) (TJ ) = VGS ( th ) (300C ) + (TJ 300C )
9.27

avec = 8.5mV / K Variation de la rsistance RDSON avec la temprature

RDSON (TJ ) = RDSON (300 K ) 1 + 100

(TJ 300 )

TJ en [ K ]

9.28

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9.5.2.3

Modle de simulation : Exemple d'une dpendance des paramtres la temprature

Des relations fixant la dpendance des paramtres principaux avec la temprature, il est possible de crer un modle de simulation partir d'un modle de composant donn sous forme standard (SPICE, SAUBER, SIMPLORER).

IDI
RDSON I DI 1 + 100
(TJ 300 )

TJ Rth1
V DS I I DS I

T2 Cth2

Rth2 Cthn

Rth2

TC

(TJ 300C )

ID

T ID J 300

3 / 2

Cth1

TA

G
VGS

VDSI

S
Figure 9-20 Modle de simulation

On peut donc crer un nouveau modle de simulation auquel on pourra ajouter un circuit thermique quivalent naturel.

TJ
G S

TC Rthf
RthC CthC

TH
CthH RthHA

TA
Figure 9-21 Modle de simulation

Grce ce modle, il st possible de mieux comprendre les raisons pour lesquelles les caractristiques statiques des composants de puissance sont dfinies pour des mesures impulsionnelles.
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ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

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La Figure 9-22 montre l'importance de la dpendance de certains paramtres lectriques la temprature. La mesure effectue correspond la recherche d'un point ID=f(UDS,UGS) sur la caractristique statique. A la courbe mesure, on peut observer les simulations avec et sans correction des paramtres les plus dpendants de la temprature de jonction.
ID [A]
Simulation sans correction

T [C]

60 50 40 30
Simulation avec correction

140 120 100 80 60 40

Mesure

TJ
20 10 0 -1

t [s]

20

Figure 9-22 Comparaison simulation mesure

Cette figure prouve qu'il est essentiel de mesurer les caractristiques lectriques d'un composant en minimisant la variation de la temprature de jonction durant le test.

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ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

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Bibliographie [1]
Fairchild Semiconductor IGBT BASIC Application Note AN9016, February 2000 Fairchild Semiconductor MOSFET BASIC Application Note AN9010, July 2000 Infineon Thermal System modeling Application Note, 2001 Siemens Requirements for Power MOSFET connected in parallel Semiconductor Group

[2]

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