Professional Documents
Culture Documents
q |I |
dI C = − | I C | dVEB = − C dVEB
kT VT
Para pequeña señal, < 5 ~ 10 mV
dVEB → veb
dIC → ic
ic = -gm veb
ic = gm vbe
gm = |IC|q/kT = |IC|/VT
1 qAWpbo qVEB / kT
qF = qA pb (0)W = e
2 2
qAWpbo q qVEB / kT
dqF = e dVEB
2 kT
q W2 W2
dqF =| I C | dVEB = g m dVEB
kT 2 Db 2 Db
Esta variación de carga dqF produce dos componentes de corriente
dqF dqF
ib1 = − ib 2 = −
τ BF dt
ib1 → recombinación de portadores minoritarios en la base e inyección de mayoritarios
desde la base al emisor comprendidos en el tiempo de recombinación ficticio τBF
ib2 → por la base entran los portadores necesarios para neutralizar electrostáticamente las
cargas
dq F W2
ib1 = − = −gm dV EB
τ BF 2 Dbτ BF
Modelo equivalente de Giacoletto 27
Si vbe = − dVEB
W2
ib1 = g m vbe = δg m vbe
2 Dbτ BF
W2
δ=
2 Dbτ BF
dq F W 2 dV EB
ib 2 =− = −gm
dt 2 Db dt
W2 d
ib1 + ib 2 = δg m + g m vbe
2 Db dt
W2 d
Yi = δg m + g m
2 Db dt
∂W
dW = dVCB
∂VCB
qApb (0) ∂W q kT Db W
dq F = dVCB
2 ∂VCB kT q W Db
W kT ∂W
dq F = g m dVCB
2 Db q ∂VCB
W 2 1 kT ∂W
dq F = g m dVCB
2 Db W q ∂VCB
1 kT ∂W
η=
W q ∂VCB
W2
dq F = ηg m dVCB
2 Db
ib3 e ib4 aparecen por las mismas causas que ib1 e ib2, pero dependientes de vcb en
lugar de vbe
Modelo equivalente de Giacoletto 29
dq F dq F
ib 3 = − y ib 4 = −
τb dt
dq F W2
ib 3 = − = −ηg m dVCB
τb 2 Dbτ b
ib 3 = −ηg mδ b vcb
W2
δb = y vcb = dVCB
2 Dbτ b
dq F W 2 dvcb
ib 4 = − = −ηg m
dt 2 Db dt
VCB = VCBcont + vcb
W2 d
ib = ib 3 + ib 4 = −ηδ b g m + ηg m vcb
2 Db dt
W2 d
Yr = −ηδ b g m + ηg m
2 D b dt
Parámetros extrínsecos
W2 W2 1 1
Cπ = C je + g m C µ = C jc + ηg m gπ = δg m = =
2 Db 2 Db rπ rb 'e
1 1 1
g µ = ηδ b g m = = rx = rbb ' g o = ηg m =
rµ rcb ' ro